JPH07283017A - 耐食性永久磁石及びその製造方法 - Google Patents
耐食性永久磁石及びその製造方法Info
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- JPH07283017A JPH07283017A JP6098047A JP9804794A JPH07283017A JP H07283017 A JPH07283017 A JP H07283017A JP 6098047 A JP6098047 A JP 6098047A JP 9804794 A JP9804794 A JP 9804794A JP H07283017 A JPH07283017 A JP H07283017A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 温度80℃、相対湿度90%の雰囲気条件下
で長時間放置した場合の初期磁石特性からの劣化を極力
少なくし、安定した高磁石特性を有するFe−B−R系
永久磁石の提供。 【構成】 Fe−B−R系永久磁石体表面をイオンスパ
ッター法等により清浄化した後、前記磁石体表面にイオ
ンプレーティング法等の気相成膜法によりAl被膜を形
成後、特定条件のN2ガスを導入しながらイオンプレー
ティング等の気相成膜法を行って、前記Al及びTix
Al1-xNy被膜面を形成し、その後に被膜表面にTiN
被膜を形成。 【効果】 温度80℃、相対湿度90%の条件下で、1
000時間放置した後、その磁石特性の劣化は初期磁石
特性の2%以下である。
で長時間放置した場合の初期磁石特性からの劣化を極力
少なくし、安定した高磁石特性を有するFe−B−R系
永久磁石の提供。 【構成】 Fe−B−R系永久磁石体表面をイオンスパ
ッター法等により清浄化した後、前記磁石体表面にイオ
ンプレーティング法等の気相成膜法によりAl被膜を形
成後、特定条件のN2ガスを導入しながらイオンプレー
ティング等の気相成膜法を行って、前記Al及びTix
Al1-xNy被膜面を形成し、その後に被膜表面にTiN
被膜を形成。 【効果】 温度80℃、相対湿度90%の条件下で、1
000時間放置した後、その磁石特性の劣化は初期磁石
特性の2%以下である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、高磁気特性を有しか
つ密着性がすぐれ、耐食性、耐酸、耐アルカリ性、耐摩
耗性にすぐれた耐食性被膜を設けたFe−B−R系永久
磁石に係り、Al被膜及びTixAl1-xNy被膜層を介
してTiN被膜層を特定膜厚みで設けた耐食性、特に8
0℃、相対湿度90%の雰囲気に長時間放置した場合の
初期磁石特性からの劣化が少なく、きわめて安定した磁
石特性を有する耐食性永久磁石及びその製造方法に関す
る。
つ密着性がすぐれ、耐食性、耐酸、耐アルカリ性、耐摩
耗性にすぐれた耐食性被膜を設けたFe−B−R系永久
磁石に係り、Al被膜及びTixAl1-xNy被膜層を介
してTiN被膜層を特定膜厚みで設けた耐食性、特に8
0℃、相対湿度90%の雰囲気に長時間放置した場合の
初期磁石特性からの劣化が少なく、きわめて安定した磁
石特性を有する耐食性永久磁石及びその製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】先に、NdやPrを中心とする資源的に
豊富な軽希土類を用いてB,Feを主成分とし、高価な
SmやCoを含有せず、従来の希土類コバルト磁石の最
高特性を大幅に超える新しい高性能永久磁石として、F
e−B−R系永久磁石が提案されている(特開昭59−
46008号公報、特開昭59−89401号公報)。
豊富な軽希土類を用いてB,Feを主成分とし、高価な
SmやCoを含有せず、従来の希土類コバルト磁石の最
高特性を大幅に超える新しい高性能永久磁石として、F
e−B−R系永久磁石が提案されている(特開昭59−
46008号公報、特開昭59−89401号公報)。
【0003】前記磁石合金のキュリー点は、一般に30
0℃〜370℃であるが、Feの一部をCoにて置換す
ることにより、より高いキュリー点を有するFe−B−
R系永久磁石(特開昭59−64733号、特開昭59
−132104号)を得ており、さらに、前記Co含有
のFe−B−R系希土類永久磁石と同等以上のキュリー
点並びにより高い(BH)maxを有し、その温度特
性、特にiHcを向上させるため、希土類元素(R)と
してNdやPr等の軽希土類を中心としたCo含有のF
e−B−R系希土類永久磁石のRの一部にDy、Tb等
の重希土類のうち少なくとも1種を含有することによ
り、25MGOe以上の極めて高い(BH)maxを保
有したままで、iHcをさらに向上させたCo含有のF
e−B−R系希土類永久磁石が提案(特開昭60−34
005号公報)されている。
0℃〜370℃であるが、Feの一部をCoにて置換す
ることにより、より高いキュリー点を有するFe−B−
R系永久磁石(特開昭59−64733号、特開昭59
−132104号)を得ており、さらに、前記Co含有
のFe−B−R系希土類永久磁石と同等以上のキュリー
点並びにより高い(BH)maxを有し、その温度特
性、特にiHcを向上させるため、希土類元素(R)と
してNdやPr等の軽希土類を中心としたCo含有のF
e−B−R系希土類永久磁石のRの一部にDy、Tb等
の重希土類のうち少なくとも1種を含有することによ
り、25MGOe以上の極めて高い(BH)maxを保
有したままで、iHcをさらに向上させたCo含有のF
e−B−R系希土類永久磁石が提案(特開昭60−34
005号公報)されている。
【0004】しかしながら、上記のすぐれた磁気特性を
有するFe−B−R系磁気異方性焼結体からなる永久磁
石は主成分として、空気中で酸化し易い希土類元素及び
鉄を含有する正方晶相を主相とする結晶組織を有するた
め、磁気回路に組込んだ場合に、磁石表面に生成する酸
化物により、磁気回路の出力低下及び磁気回路間のばら
つきを惹起し、また、表面酸化物の脱落による周辺機器
への汚染の問題があった。
有するFe−B−R系磁気異方性焼結体からなる永久磁
石は主成分として、空気中で酸化し易い希土類元素及び
鉄を含有する正方晶相を主相とする結晶組織を有するた
め、磁気回路に組込んだ場合に、磁石表面に生成する酸
化物により、磁気回路の出力低下及び磁気回路間のばら
つきを惹起し、また、表面酸化物の脱落による周辺機器
への汚染の問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】そこで、上記のFe−
B−R系永久磁石の耐食性の改善のため、磁石体表面に
無電解めっき法あるいは電解めっき法により耐食性金属
めっき層を被覆した永久磁石(特公平3−74012号
公報)が提案されているが、このめっき法では永久磁石
体が焼結体で有孔性のため、この孔内にめっき前処理で
の酸性溶液またはアルカリ溶液が残留し、経年変化とと
もに腐食する恐れがあり、また磁石体の耐薬品性が劣る
ため、めっき時に磁石表面が腐食されて密着性、防蝕性
が劣る問題があった。また、耐食性めっきを設けても、
温度60℃、相対湿度90%の条件下の耐食性試験で1
00時間放置にて、磁石特性は初期磁石特性の10%以
上劣化し、非常に不安定であった。
B−R系永久磁石の耐食性の改善のため、磁石体表面に
無電解めっき法あるいは電解めっき法により耐食性金属
めっき層を被覆した永久磁石(特公平3−74012号
公報)が提案されているが、このめっき法では永久磁石
体が焼結体で有孔性のため、この孔内にめっき前処理で
の酸性溶液またはアルカリ溶液が残留し、経年変化とと
もに腐食する恐れがあり、また磁石体の耐薬品性が劣る
ため、めっき時に磁石表面が腐食されて密着性、防蝕性
が劣る問題があった。また、耐食性めっきを設けても、
温度60℃、相対湿度90%の条件下の耐食性試験で1
00時間放置にて、磁石特性は初期磁石特性の10%以
上劣化し、非常に不安定であった。
【0006】そのため、Fe−B−R系永久磁石の耐食
性の改善向上のため、前記磁石表面にイオンプレーティ
ング法、イオンスパッタリング法等により、TiN、T
i被膜を被着して耐食性の改善向上することが提案(特
公平5−15043号公報)されている。しかし、Ti
N被膜はFe−B−R系磁石体と結晶構造の他熱膨張係
数、延性等が相違するため密着性が悪く、またTi被膜
は密着性、耐食性は良好であるが、耐摩耗性が低い等の
欠点があり、そのためFe−B−R系永久磁石体表面に
TiとTiNの積層被膜を被着することが提案(特開昭
63−9919号公報)されている。ところが、Ti被
膜とTiN被膜は結晶構造、熱膨張係数及び延性等が異
なるため、その密着性が悪く、剥離等を生じて、耐食性
の低下を招来する問題があった。
性の改善向上のため、前記磁石表面にイオンプレーティ
ング法、イオンスパッタリング法等により、TiN、T
i被膜を被着して耐食性の改善向上することが提案(特
公平5−15043号公報)されている。しかし、Ti
N被膜はFe−B−R系磁石体と結晶構造の他熱膨張係
数、延性等が相違するため密着性が悪く、またTi被膜
は密着性、耐食性は良好であるが、耐摩耗性が低い等の
欠点があり、そのためFe−B−R系永久磁石体表面に
TiとTiNの積層被膜を被着することが提案(特開昭
63−9919号公報)されている。ところが、Ti被
膜とTiN被膜は結晶構造、熱膨張係数及び延性等が異
なるため、その密着性が悪く、剥離等を生じて、耐食性
の低下を招来する問題があった。
【0007】この発明は、Fe−B−R系永久磁石下地
との密着性にすぐれ、耐摩耗性、耐食性の改善向上を目
的に、特に温度80℃、相対湿度90%の雰囲気条件下
で長時間放置した場合の初期磁石特性からの劣化を極力
少なくし、安定した高磁石特性、耐摩耗性、耐食性を有
するFe−B−R系永久磁石を安価に提供することを目
的とする。
との密着性にすぐれ、耐摩耗性、耐食性の改善向上を目
的に、特に温度80℃、相対湿度90%の雰囲気条件下
で長時間放置した場合の初期磁石特性からの劣化を極力
少なくし、安定した高磁石特性、耐摩耗性、耐食性を有
するFe−B−R系永久磁石を安価に提供することを目
的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】発明者らは、すぐれた耐
食性、特に温度80℃、相対湿度90%の雰囲気条件下
で長時間放置した場合においても、下地との密着性がす
ぐれ、被着した耐食性金属被膜の耐食性、耐摩耗性によ
り、安定した磁石特性が得られるFe−B−R系永久磁
石を目的に、永久磁石体表面へのTiN被膜形成法につ
いて種々検討した結果、 1)磁石体表面をイオンスパッター法等により清浄化し
た後、 2)前記磁石体表面にイオンプレーティング法、イオン
スパッタリング法等の気相成膜法により特定膜厚のAl
被膜を形成後、 3)特定条件のN2ガスを導入しながら、2ターゲット
を用いたイオンプレーティング法、イオンスパッタリン
グ法などの気相成膜法により、特定膜厚のTixAl1-x
Ny(但し、x=0.1〜0.9、y=0.2〜1.
0)被膜を形成後、 4)前記被膜上に特定条件のN2ガスを導入しながら、
気相成膜法により、特定膜厚のTiN被膜を形成するこ
とにより、 a)磁石表面に付着の酸化物はAl被膜の脱酸作用によ
り、磁石表面の酸化物は一部もしくは大部分が還元さ
れ、磁石とAl被膜の密着性は著しく改善され、 b)中間層としてTixAl1-xNy層を形成すること
で、Al被膜界面では、Nが拡散原子として拡散するの
でN原子、Ti原子が少なく、Al原子の多いTiAl
Nの反応層が生成し、 c)また、TiN被膜界面ではAl原子が少なく、Ti
原子の多いTiAlN反応層が生成されることにより、
Al被膜とTiN被膜との密着性も著しく改善できる ことを知見し、この発明を完成した。
食性、特に温度80℃、相対湿度90%の雰囲気条件下
で長時間放置した場合においても、下地との密着性がす
ぐれ、被着した耐食性金属被膜の耐食性、耐摩耗性によ
り、安定した磁石特性が得られるFe−B−R系永久磁
石を目的に、永久磁石体表面へのTiN被膜形成法につ
いて種々検討した結果、 1)磁石体表面をイオンスパッター法等により清浄化し
た後、 2)前記磁石体表面にイオンプレーティング法、イオン
スパッタリング法等の気相成膜法により特定膜厚のAl
被膜を形成後、 3)特定条件のN2ガスを導入しながら、2ターゲット
を用いたイオンプレーティング法、イオンスパッタリン
グ法などの気相成膜法により、特定膜厚のTixAl1-x
Ny(但し、x=0.1〜0.9、y=0.2〜1.
0)被膜を形成後、 4)前記被膜上に特定条件のN2ガスを導入しながら、
気相成膜法により、特定膜厚のTiN被膜を形成するこ
とにより、 a)磁石表面に付着の酸化物はAl被膜の脱酸作用によ
り、磁石表面の酸化物は一部もしくは大部分が還元さ
れ、磁石とAl被膜の密着性は著しく改善され、 b)中間層としてTixAl1-xNy層を形成すること
で、Al被膜界面では、Nが拡散原子として拡散するの
でN原子、Ti原子が少なく、Al原子の多いTiAl
Nの反応層が生成し、 c)また、TiN被膜界面ではAl原子が少なく、Ti
原子の多いTiAlN反応層が生成されることにより、
Al被膜とTiN被膜との密着性も著しく改善できる ことを知見し、この発明を完成した。
【0009】すなわち、この発明は主相が正方晶相から
なるFe−B−R系永久磁石体表面に、膜厚0.06μ
m〜5.0μmのAl被膜層及び膜厚0.05μm〜
2.0μmのTixAl1-xNy被膜層(但し、x=0.
1〜0.9、y=0.2〜1.0)を介して膜厚0.5
μm〜10μmのTiN被膜層を有することを特徴とす
る耐食性永久磁石である。
なるFe−B−R系永久磁石体表面に、膜厚0.06μ
m〜5.0μmのAl被膜層及び膜厚0.05μm〜
2.0μmのTixAl1-xNy被膜層(但し、x=0.
1〜0.9、y=0.2〜1.0)を介して膜厚0.5
μm〜10μmのTiN被膜層を有することを特徴とす
る耐食性永久磁石である。
【0010】また、この発明は主相が正方晶相からなる
Fe−B−R系永久磁石体表面を清浄化した後、前記磁
石体表面に膜厚0.06μm〜5.0μmのAl被膜を
気相成膜法により形成後、N2ガス雰囲気中で気相成膜
法により膜厚0.05μm〜2.0μmのTixAl1-x
Ny被膜層(但し、x=0.1〜0.9、y=0.2〜
1.0)の形成後、その後N2ガス雰囲気中で気相成膜
法により膜厚0.5μm〜10μmのTiN被膜層を形
成することを特徴とする耐食性永久磁石の製造方法であ
る。
Fe−B−R系永久磁石体表面を清浄化した後、前記磁
石体表面に膜厚0.06μm〜5.0μmのAl被膜を
気相成膜法により形成後、N2ガス雰囲気中で気相成膜
法により膜厚0.05μm〜2.0μmのTixAl1-x
Ny被膜層(但し、x=0.1〜0.9、y=0.2〜
1.0)の形成後、その後N2ガス雰囲気中で気相成膜
法により膜厚0.5μm〜10μmのTiN被膜層を形
成することを特徴とする耐食性永久磁石の製造方法であ
る。
【0011】この発明において、Fe−B−R系永久磁
石体表面に被着するAl被膜、TixAl1-xNy被膜、
TiN被膜の形成方法としてはイオンプレーティング
法、イオンスパッタリング法、蒸着等のいわゆる気相成
膜法が適宜利用できるのが、被膜緻密性、均一性、被膜
形成速度などの理由からイオンプレーテング、反応イオ
ンプレーテングが好ましい。Al被膜形成の気相成膜法
は、Arガス雰囲気中で行うことが好ましく、また、T
ixAl1-xNy被膜形成はターゲットとしてAl、Ti
の2ターゲットを用い、別々のアーク電源を用いて、イ
オンプレーテングを行うが、一般的にはMA法(多アー
クイオンプレーテング法)と呼ばれる各ターゲットに付
加するアーク電圧(アーク電流)を変えて、TixAl
1-xNy被膜層の組成比率のx値、y値を変化させる方法
が採用できる。TiN被膜の形成はN2ガス雰囲気中で
の気相成膜法にて行う。また、反応被膜生成時の基板と
なる永久磁石の温度は200℃〜500℃に設定するの
が好ましく、200℃未満では基板磁石との反応密着が
十分でなく、また500℃を超えると常温(25℃)と
の温度差が大きくなり、処理後の冷却過程で被膜に亀裂
が入り、一部基板より剥離を発生するため、基板磁石の
温度を200℃〜500℃に設定するとよい。
石体表面に被着するAl被膜、TixAl1-xNy被膜、
TiN被膜の形成方法としてはイオンプレーティング
法、イオンスパッタリング法、蒸着等のいわゆる気相成
膜法が適宜利用できるのが、被膜緻密性、均一性、被膜
形成速度などの理由からイオンプレーテング、反応イオ
ンプレーテングが好ましい。Al被膜形成の気相成膜法
は、Arガス雰囲気中で行うことが好ましく、また、T
ixAl1-xNy被膜形成はターゲットとしてAl、Ti
の2ターゲットを用い、別々のアーク電源を用いて、イ
オンプレーテングを行うが、一般的にはMA法(多アー
クイオンプレーテング法)と呼ばれる各ターゲットに付
加するアーク電圧(アーク電流)を変えて、TixAl
1-xNy被膜層の組成比率のx値、y値を変化させる方法
が採用できる。TiN被膜の形成はN2ガス雰囲気中で
の気相成膜法にて行う。また、反応被膜生成時の基板と
なる永久磁石の温度は200℃〜500℃に設定するの
が好ましく、200℃未満では基板磁石との反応密着が
十分でなく、また500℃を超えると常温(25℃)と
の温度差が大きくなり、処理後の冷却過程で被膜に亀裂
が入り、一部基板より剥離を発生するため、基板磁石の
温度を200℃〜500℃に設定するとよい。
【0012】Fe−B−R系永久磁石体表面にAl被膜
層及びTixAl1-xNy被膜層を介してTiN被膜層を
設けたことを特徴とするこの発明の耐食性永久磁石の製
造方法の一例を以下に詳述する。 1)アークイオンプレーティング装置を用いて、真空容
器を到達真空度が1×10-3pa以下まで真空排気した
後、Arガス圧10pa、−500VでArイオンによ
る表面スパッターにてFe−B−R系磁石体表面を清浄
化する。 2)次に、Arガス圧0.1pa、バイアス電圧−50
V、基板の磁石温度を300℃にし、ターゲットのAl
を蒸発させて、アークイオンプレーティング法にて、磁
石体表面に0.06μm〜5.0μm膜厚のAl被膜層
を形成する。 3)次に、N2ガス圧1.5Pa、バイアス電圧−10
0V、基板の磁石温度を350℃に保持し、Al、Ti
の2ターゲットとして蒸発させて、アークイオンプレー
ティング法にてAl被膜上にTixAl1-xNy被膜層
(但し、x=0.1〜0.9、y=0.2〜1.0)を
形成する。この場合、Al被膜界面においてはNが拡散
原子として拡散するので、TixAl1-xNy被膜層はN
原子が少なく、Ti原子が少なく、Al原子の多いTi
xAl1-xNy反応層を形成する。 4)続いて、ターゲットとしてTiを用い、基板の磁石
温度を250℃に保持し、N2ガス圧1pa、バイアス
電圧−100V、アーク電流100Aの条件にて、Ti
xAl1-xNy被膜層上に特定厚のTiN被膜層を形成す
るが、TiN被膜とTixAl1-xNy被膜層の界面にお
いては、Al原子が少なく、Ti原子の多いTiAlN
反応層が生成される。
層及びTixAl1-xNy被膜層を介してTiN被膜層を
設けたことを特徴とするこの発明の耐食性永久磁石の製
造方法の一例を以下に詳述する。 1)アークイオンプレーティング装置を用いて、真空容
器を到達真空度が1×10-3pa以下まで真空排気した
後、Arガス圧10pa、−500VでArイオンによ
る表面スパッターにてFe−B−R系磁石体表面を清浄
化する。 2)次に、Arガス圧0.1pa、バイアス電圧−50
V、基板の磁石温度を300℃にし、ターゲットのAl
を蒸発させて、アークイオンプレーティング法にて、磁
石体表面に0.06μm〜5.0μm膜厚のAl被膜層
を形成する。 3)次に、N2ガス圧1.5Pa、バイアス電圧−10
0V、基板の磁石温度を350℃に保持し、Al、Ti
の2ターゲットとして蒸発させて、アークイオンプレー
ティング法にてAl被膜上にTixAl1-xNy被膜層
(但し、x=0.1〜0.9、y=0.2〜1.0)を
形成する。この場合、Al被膜界面においてはNが拡散
原子として拡散するので、TixAl1-xNy被膜層はN
原子が少なく、Ti原子が少なく、Al原子の多いTi
xAl1-xNy反応層を形成する。 4)続いて、ターゲットとしてTiを用い、基板の磁石
温度を250℃に保持し、N2ガス圧1pa、バイアス
電圧−100V、アーク電流100Aの条件にて、Ti
xAl1-xNy被膜層上に特定厚のTiN被膜層を形成す
るが、TiN被膜とTixAl1-xNy被膜層の界面にお
いては、Al原子が少なく、Ti原子の多いTiAlN
反応層が生成される。
【0013】この発明において、Fe−B−R系永久磁
石体表面のAl被膜厚を0.06μm〜5.0μmに限
定した理由は、0.06μm未満では磁石体表面にAl
が均一につきにくく、下地膜として効果が十分でなく、
5.0μmを超えると効果的には問題ないが、下地膜と
してはコスト上昇を招来して、実用的でなく好ましくな
いので、Al被膜厚は0.06μm〜5.0μmとす
る。特に、Al被膜厚は磁石体の表面粗度によって選定
され、表面粗度が0.1μm以下の場合、Al被膜厚は
0.06μm〜5.0μmが好ましく、また表面粗度が
0.1μm〜1.2μmの場合、望ましい膜厚は0.1
μm〜5.0μmである。
石体表面のAl被膜厚を0.06μm〜5.0μmに限
定した理由は、0.06μm未満では磁石体表面にAl
が均一につきにくく、下地膜として効果が十分でなく、
5.0μmを超えると効果的には問題ないが、下地膜と
してはコスト上昇を招来して、実用的でなく好ましくな
いので、Al被膜厚は0.06μm〜5.0μmとす
る。特に、Al被膜厚は磁石体の表面粗度によって選定
され、表面粗度が0.1μm以下の場合、Al被膜厚は
0.06μm〜5.0μmが好ましく、また表面粗度が
0.1μm〜1.2μmの場合、望ましい膜厚は0.1
μm〜5.0μmである。
【0014】この発明において、TixAl1-xNy被膜
厚を0.05μm〜2.0μmに限定した理由は0.0
5μm未満ではTiN被膜との十分な密着性が得られ
ず、また、2.0μmを越えると効果的には問題ない
が、製造コストの増大を招来するので好ましくない。T
ixAl1-xNy被膜において、xが0.1未満、あるい
は0.9を越えると界面での反応が進行せず、十分な密
着性が得られないので、xは0.1〜0.9とする。ま
た、yが0.2未満の場合は窒化物の構造が不安定であ
り、また1.0を越えると遊離窒素を常時、膜の剥離を
発生しやすくなるため、yは0.2〜0.1とする。
厚を0.05μm〜2.0μmに限定した理由は0.0
5μm未満ではTiN被膜との十分な密着性が得られ
ず、また、2.0μmを越えると効果的には問題ない
が、製造コストの増大を招来するので好ましくない。T
ixAl1-xNy被膜において、xが0.1未満、あるい
は0.9を越えると界面での反応が進行せず、十分な密
着性が得られないので、xは0.1〜0.9とする。ま
た、yが0.2未満の場合は窒化物の構造が不安定であ
り、また1.0を越えると遊離窒素を常時、膜の剥離を
発生しやすくなるため、yは0.2〜0.1とする。
【0015】また、TiN被膜厚を0.5μm〜10μ
mに限定した理由は、0.5μm未満ではTiNとして
の耐食性、耐摩耗性が十分でなく、10μmを超えると
効果的には問題ないが、製造コスト上昇を招来するので
好ましくない。
mに限定した理由は、0.5μm未満ではTiNとして
の耐食性、耐摩耗性が十分でなく、10μmを超えると
効果的には問題ないが、製造コスト上昇を招来するので
好ましくない。
【0016】この発明において、永久磁石に用いる希土
類元素Rは、組成の10原子%〜30原子%を占める
が、Nd、Pr、Dy、Ho、Tbのうち少なくとも1
種、あるいはさらに、La、Ce、Sm、Gd、Er、
Eu、Tm、Yb、Lu、Yのうち少なくとも1種を含
むものが好ましい。また、通常Rのうち1種をもって足
りるが、実用上は2種以上の混合物(ミッシュメタル、
ジジム等)を入手上の便宜等の理由により用いることが
できる。なお、このRは純希土類元素でなくてもよく、
工業上入手可能な範囲で製造上不可避な不純物を含有す
るものでも差支えない。Rは、上記系永久磁石における
必須元素であって、10原子%未満では結晶構造がα−
鉄と同一構造の立方晶組織となるため、高磁気特性、特
に高保磁力が得られず、30原子%を超えるとRリッチ
な非磁性相が多くなり、残留磁束密度(Br)が低下し
てすぐれた特性の永久磁石が得られない。よって、R1
0原子%〜30原子%の範囲が望ましい。
類元素Rは、組成の10原子%〜30原子%を占める
が、Nd、Pr、Dy、Ho、Tbのうち少なくとも1
種、あるいはさらに、La、Ce、Sm、Gd、Er、
Eu、Tm、Yb、Lu、Yのうち少なくとも1種を含
むものが好ましい。また、通常Rのうち1種をもって足
りるが、実用上は2種以上の混合物(ミッシュメタル、
ジジム等)を入手上の便宜等の理由により用いることが
できる。なお、このRは純希土類元素でなくてもよく、
工業上入手可能な範囲で製造上不可避な不純物を含有す
るものでも差支えない。Rは、上記系永久磁石における
必須元素であって、10原子%未満では結晶構造がα−
鉄と同一構造の立方晶組織となるため、高磁気特性、特
に高保磁力が得られず、30原子%を超えるとRリッチ
な非磁性相が多くなり、残留磁束密度(Br)が低下し
てすぐれた特性の永久磁石が得られない。よって、R1
0原子%〜30原子%の範囲が望ましい。
【0017】Bは、上記系永久磁石における必須元素で
あって、2原子%未満では菱面体構造が主相となり、高
い保磁力(iHc)は得られず、28原子%を超えると
Bリッチな非磁性相が多くなり、残留磁束密度(Br)
が低下するため、すぐれた永久磁石が得られない。よっ
て、Bは2原子%〜28原子%の範囲が望ましい。
あって、2原子%未満では菱面体構造が主相となり、高
い保磁力(iHc)は得られず、28原子%を超えると
Bリッチな非磁性相が多くなり、残留磁束密度(Br)
が低下するため、すぐれた永久磁石が得られない。よっ
て、Bは2原子%〜28原子%の範囲が望ましい。
【0018】Feは、上記系永久磁石において必須元素
であり、65原子%未満では残留磁束密度(Br)が低
下し、80原子%を超えると高い保磁力が得られないの
で、Feは65原子%〜80原子%の含有が望ましい。
また、Feの一部をCoで置換することは、得られる磁
石の磁気特性を損うことなく、温度特性を改善すること
ができるが、Co置換量がFeの20%を超えると、逆
に磁気特性が劣化するため、好ましくない。Coの置換
量がFeとCoの合計量で5原子%〜15原子%の場合
は、Brは置換しない場合に比較して増加するため、高
磁束密度を得るために好ましい。
であり、65原子%未満では残留磁束密度(Br)が低
下し、80原子%を超えると高い保磁力が得られないの
で、Feは65原子%〜80原子%の含有が望ましい。
また、Feの一部をCoで置換することは、得られる磁
石の磁気特性を損うことなく、温度特性を改善すること
ができるが、Co置換量がFeの20%を超えると、逆
に磁気特性が劣化するため、好ましくない。Coの置換
量がFeとCoの合計量で5原子%〜15原子%の場合
は、Brは置換しない場合に比較して増加するため、高
磁束密度を得るために好ましい。
【0019】また、R、B、Feの他、工業的生産上不
可避的不純物の存在を許容でき、例えば、Bの一部を
4.0wt%以下のC、2.0wt%以下のP、2.0
wt%以下のS、2.0wt%以下のCuのうち少なく
とも1種、合計量で2.0wt%以下で置換することに
より、永久磁石の製造性改善、低価格化が可能である。
さらに、Al、Ti、V、Cr、Mn、Bi、Nb、T
a、Mo、W、Sb、Ge、Sn、Zr、Ni、Si、
Zn、Hf、のうち少なくとも1種は、Fe−B−R系
永久磁石材料に対してその保磁力、減磁曲線の角型性を
改善あるいは製造性の改善、低価格化に効果があるため
添加することができる。なお、添加量の上限は、磁石材
料の(BH)maxを20MGOe以上とするには、B
rが少なくとも9kG以上必要となるため、該条件を満
す範囲が望ましい。
可避的不純物の存在を許容でき、例えば、Bの一部を
4.0wt%以下のC、2.0wt%以下のP、2.0
wt%以下のS、2.0wt%以下のCuのうち少なく
とも1種、合計量で2.0wt%以下で置換することに
より、永久磁石の製造性改善、低価格化が可能である。
さらに、Al、Ti、V、Cr、Mn、Bi、Nb、T
a、Mo、W、Sb、Ge、Sn、Zr、Ni、Si、
Zn、Hf、のうち少なくとも1種は、Fe−B−R系
永久磁石材料に対してその保磁力、減磁曲線の角型性を
改善あるいは製造性の改善、低価格化に効果があるため
添加することができる。なお、添加量の上限は、磁石材
料の(BH)maxを20MGOe以上とするには、B
rが少なくとも9kG以上必要となるため、該条件を満
す範囲が望ましい。
【0020】また、Fe−B−R系永久磁石は平均結晶
粒径が1〜80μmの範囲にある正方晶系の結晶構造を
有する化合物を主相とし、体積比で1%〜50%の非磁
性相(酸化物相を除く)を含むことを特徴とする。Fe
−B−R系永久磁石は、保磁力iHc≧1kOe、残留
磁束密度Br>4kG、を示し、最大エネルギー積(B
H)maxは、(BH)max≧10MGOeを示し、
最大値は25MGOe以上に達する。
粒径が1〜80μmの範囲にある正方晶系の結晶構造を
有する化合物を主相とし、体積比で1%〜50%の非磁
性相(酸化物相を除く)を含むことを特徴とする。Fe
−B−R系永久磁石は、保磁力iHc≧1kOe、残留
磁束密度Br>4kG、を示し、最大エネルギー積(B
H)maxは、(BH)max≧10MGOeを示し、
最大値は25MGOe以上に達する。
【0021】
【作用】この発明は、Fe−B−R系永久磁石体表面を
イオンスパッター法等により清浄化した後、前記磁石体
表面にイオンプレーティング法等の気相成膜法によりA
l被膜を形成後、特定条件のN2ガスを導入しながらイ
オンプレーティング等の気相成膜法により、TixAl
1-xNy被膜及びTiN被膜を形成したことを特徴とし、
磁石体表面にAl被膜を形成することにより磁石体表面
の酸化物は一部もしくは大部分が還元され、磁石体表面
とAl被膜との密着性は改善され、さらにAl被膜上に
TixAl1-xNy被膜を積層することにより、Al被膜
界面においてはAl原子の多いTixAl1-xNy反応層
を形成し、TiN被膜界面においてはTi原子の多いT
iAlN反応層が生成され、TiN被膜の密着性が著し
く改善され、すぐれた耐食性、特に温度80℃、相対湿
度90%の雰囲気条件下で長時間放置した場合において
も、下地との密着性がすぐれ、被着した耐食性金属被膜
の耐食性、耐摩耗性により、その磁石特性の安定したF
e−B−R系永久磁石が得られる。
イオンスパッター法等により清浄化した後、前記磁石体
表面にイオンプレーティング法等の気相成膜法によりA
l被膜を形成後、特定条件のN2ガスを導入しながらイ
オンプレーティング等の気相成膜法により、TixAl
1-xNy被膜及びTiN被膜を形成したことを特徴とし、
磁石体表面にAl被膜を形成することにより磁石体表面
の酸化物は一部もしくは大部分が還元され、磁石体表面
とAl被膜との密着性は改善され、さらにAl被膜上に
TixAl1-xNy被膜を積層することにより、Al被膜
界面においてはAl原子の多いTixAl1-xNy反応層
を形成し、TiN被膜界面においてはTi原子の多いT
iAlN反応層が生成され、TiN被膜の密着性が著し
く改善され、すぐれた耐食性、特に温度80℃、相対湿
度90%の雰囲気条件下で長時間放置した場合において
も、下地との密着性がすぐれ、被着した耐食性金属被膜
の耐食性、耐摩耗性により、その磁石特性の安定したF
e−B−R系永久磁石が得られる。
【0022】
実施例1 公知の鋳造インゴットを粉砕し、微粉砕後に成形、焼
結、熱処理、表面加工後に、15Nd−77Fe−8B
組成の径12mm×厚み2mm寸法の磁石体試験片を得
た。得られた試験片の表面粗度を表2に、磁石特性を表
1に示す。真空容器内を1×10-3pa以下に真空排気
し、Arガス圧10pa、−500Vで20分間、表面
スパッターを行って、磁石体表面を清浄化した後、表2
に示すイオンプレーティング条件にて基板磁石温度を2
50℃にして、ターゲットとして金属Alを用いてアー
クイオンプレーティング法にて、磁石体表面に0.1μ
m厚および1.8μm厚のAl被膜層を形成した。次
に、基板磁石温度を350℃、バイアス電圧−100
V、アーク電流100AでN2ガス1.5Paにて、タ
ーゲットとしてAl、Tiの2ターゲットを用いたアー
クイオンプレーティング法にて1時間蒸発させて、Al
被膜上に膜厚1μmのTi0.4Al0.6N0.8被膜層を形
成した。次に基板磁石温度350℃、バイアス電圧−1
00V、アーク電流100Aで、N2ガス1paにて、
ターゲットとして金属Tiをアークイオンプレーティン
グ法にて3時間で膜厚3μmのTiN被膜層を形成し
た。その後、放冷後、得られたTiN被膜を表面に有す
る永久磁石を温度80℃、相対湿度90%の条件下で1
000時間放置した後の磁石特性及びその劣化状況を測
定し、その結果を第3表に示す。
結、熱処理、表面加工後に、15Nd−77Fe−8B
組成の径12mm×厚み2mm寸法の磁石体試験片を得
た。得られた試験片の表面粗度を表2に、磁石特性を表
1に示す。真空容器内を1×10-3pa以下に真空排気
し、Arガス圧10pa、−500Vで20分間、表面
スパッターを行って、磁石体表面を清浄化した後、表2
に示すイオンプレーティング条件にて基板磁石温度を2
50℃にして、ターゲットとして金属Alを用いてアー
クイオンプレーティング法にて、磁石体表面に0.1μ
m厚および1.8μm厚のAl被膜層を形成した。次
に、基板磁石温度を350℃、バイアス電圧−100
V、アーク電流100AでN2ガス1.5Paにて、タ
ーゲットとしてAl、Tiの2ターゲットを用いたアー
クイオンプレーティング法にて1時間蒸発させて、Al
被膜上に膜厚1μmのTi0.4Al0.6N0.8被膜層を形
成した。次に基板磁石温度350℃、バイアス電圧−1
00V、アーク電流100Aで、N2ガス1paにて、
ターゲットとして金属Tiをアークイオンプレーティン
グ法にて3時間で膜厚3μmのTiN被膜層を形成し
た。その後、放冷後、得られたTiN被膜を表面に有す
る永久磁石を温度80℃、相対湿度90%の条件下で1
000時間放置した後の磁石特性及びその劣化状況を測
定し、その結果を第3表に示す。
【0023】比較例1 実施例1と同一組成の磁石体試験片を実施例1と同一条
件にて表面清浄化した後、磁石体上に実施例1と同一条
件にてTiN被膜を3μm厚に形成した。その後、実施
例1と同一の温度80℃、相対湿度90%の条件下で1
000時間放置後の磁石特性及びその劣化状況を測定
し、その結果を第3表に示す。
件にて表面清浄化した後、磁石体上に実施例1と同一条
件にてTiN被膜を3μm厚に形成した。その後、実施
例1と同一の温度80℃、相対湿度90%の条件下で1
000時間放置後の磁石特性及びその劣化状況を測定
し、その結果を第3表に示す。
【0024】
【表1】
【0025】
【表2】
【0026】
【表3】
【0027】表3に示すように、同一磁石特性を有する
Fe−B−R系永久磁石体表面にTiN被膜層を設けた
比較例磁石は、温度80℃、相対湿度90%の条件下で
1000時間放置した耐食試験前後の磁石特性の劣化が
大きくかつ発錆しているのに対し、Al被膜層及びTi
xAl1-xNy層を介してTiN被膜層を設けたこの発明
のFe−B−R系永久磁石は、錆は発生せず、磁石特性
もほとんど変わらないことが明らかである。
Fe−B−R系永久磁石体表面にTiN被膜層を設けた
比較例磁石は、温度80℃、相対湿度90%の条件下で
1000時間放置した耐食試験前後の磁石特性の劣化が
大きくかつ発錆しているのに対し、Al被膜層及びTi
xAl1-xNy層を介してTiN被膜層を設けたこの発明
のFe−B−R系永久磁石は、錆は発生せず、磁石特性
もほとんど変わらないことが明らかである。
【0028】
【発明の効果】この発明による磁石表面にAl被膜及び
TixAl1-xNy層を介してTiN被膜層を設けたFe
−B−R系永久磁石体は、実施例の如く、苛酷な耐食試
験条件、特に、温度80℃、相対湿度90%の条件下
で、1000時間放置した後、その磁石特性の劣化はほ
とんどなく、現在、最も要求されている高性能かつ安価
な永久磁石として極めて適している。
TixAl1-xNy層を介してTiN被膜層を設けたFe
−B−R系永久磁石体は、実施例の如く、苛酷な耐食試
験条件、特に、温度80℃、相対湿度90%の条件下
で、1000時間放置した後、その磁石特性の劣化はほ
とんどなく、現在、最も要求されている高性能かつ安価
な永久磁石として極めて適している。
Claims (2)
- 【請求項1】 主相が正方晶相からなるFe−B−R系
永久磁石体表面に、膜厚0.06μm〜5.0μmのA
l被膜層及び膜厚0.05μm〜2.0μmのTixA
l1-xNy被膜層(但し、x=0.1〜0.9、y=0.
2〜1.0)を介して、膜厚0.5μm〜10μmのT
iN被膜層を有することを特徴とする耐食性永久磁石。 - 【請求項2】 主相が正方晶相からなるFe−B−R系
永久磁石体表面を清浄化した後、前記磁石体表面に膜厚
0.06μm〜5.0μmのAl被膜を気相成膜法によ
り膜厚0.05μm〜2.0μmのTixAl1-xNy被
膜層(但し、x=0.1〜0.9、y=0.2〜1.
0)を形成後、N2ガス雰囲気中で気相成膜法により膜
厚0.5μm〜10μmのTiN被膜層を形成すること
を特徴とする耐食性永久磁石の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6098047A JPH07283017A (ja) | 1994-04-11 | 1994-04-11 | 耐食性永久磁石及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6098047A JPH07283017A (ja) | 1994-04-11 | 1994-04-11 | 耐食性永久磁石及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07283017A true JPH07283017A (ja) | 1995-10-27 |
Family
ID=14209259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6098047A Pending JPH07283017A (ja) | 1994-04-11 | 1994-04-11 | 耐食性永久磁石及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07283017A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997023884A1 (fr) * | 1995-12-25 | 1997-07-03 | Sumitomo Special Metals Company Limited | Aimant permanent destine a des applications dans des conditions d'ultravide et procede de fabrication |
| EP0923087A4 (en) * | 1996-08-30 | 2000-04-26 | Sumitomo Spec Metals | CORROSION-RESISTANT PERMANENT MAGNET AND MANUFACTURING METHOD |
| JP2001335921A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-12-07 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 蒸着被膜形成装置 |
| CN107419231A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-12-01 | 威海蓝膜光热科技有限公司 | 钕铁硼永磁防腐绝缘镀层的制备方法及具有该镀层的钕铁硼永磁体 |
| CN107653440A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-02-02 | 湖北汽车工业学院 | 一种烧结钕铁硼永磁体表面制备铝或铝锡合金镀层的方法 |
| CN107675134A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-02-09 | 湖北汽车工业学院 | 一种烧结钕铁硼永磁体表面氮化物复合镀层及制备方法 |
-
1994
- 1994-04-11 JP JP6098047A patent/JPH07283017A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6080498A (en) * | 1995-12-25 | 2000-06-27 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Permanent magnet for ultra-high vacuum and production process thereof |
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| CN107419231B (zh) * | 2017-07-26 | 2019-11-15 | 沈阳广泰真空科技有限公司 | 钕铁硼永磁防腐绝缘镀层的制备方法及具有该镀层的钕铁硼永磁体 |
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| CN107675134A (zh) * | 2017-09-26 | 2018-02-09 | 湖北汽车工业学院 | 一种烧结钕铁硼永磁体表面氮化物复合镀层及制备方法 |
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