JPH07283369A - 薄膜抵抗及びその製造方法 - Google Patents
薄膜抵抗及びその製造方法Info
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- JPH07283369A JPH07283369A JP6076028A JP7602894A JPH07283369A JP H07283369 A JPH07283369 A JP H07283369A JP 6076028 A JP6076028 A JP 6076028A JP 7602894 A JP7602894 A JP 7602894A JP H07283369 A JPH07283369 A JP H07283369A
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- Japan
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- thin film
- film resistor
- insulating material
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜抵抗を小さな電流で溶断可能にするこ
と。 【構成】 薄膜抵抗体層１４の下面１４ｅ側に微細な
絶縁性材料塊１３ｂ群がくい込むように配置されている
ことを特徴とする薄膜抵抗。 基板１０の絶縁表面１２上に少なくとも１種類の絶縁
性材料を含む複数種類の材料で構成される膜１３を形成
する第１工程と、この膜１３から少なくとも１種類の微
細な絶縁性材料塊１３ｂ群を析出する第２工程と、この
絶縁性材料塊１３ｂ群を残して前記膜１３を除去する第
３工程と、前記絶縁性材料塊１３ｂ群及び前記基板１０
の絶縁表面１２の所定箇所を覆うように薄膜抵抗体層１
４を形成する第４工程とを具備する薄膜抵抗の製造方
法。
と。 【構成】 薄膜抵抗体層１４の下面１４ｅ側に微細な
絶縁性材料塊１３ｂ群がくい込むように配置されている
ことを特徴とする薄膜抵抗。 基板１０の絶縁表面１２上に少なくとも１種類の絶縁
性材料を含む複数種類の材料で構成される膜１３を形成
する第１工程と、この膜１３から少なくとも１種類の微
細な絶縁性材料塊１３ｂ群を析出する第２工程と、この
絶縁性材料塊１３ｂ群を残して前記膜１３を除去する第
３工程と、前記絶縁性材料塊１３ｂ群及び前記基板１０
の絶縁表面１２の所定箇所を覆うように薄膜抵抗体層１
４を形成する第４工程とを具備する薄膜抵抗の製造方
法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜抵抗及びその製造
方法に関し、特にヒューズとして使用したときに小電流
で溶断する薄膜抵抗及びその製造方法に関するものであ
る。
方法に関し、特にヒューズとして使用したときに小電流
で溶断する薄膜抵抗及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】薄膜抵抗は、半導体装置中に組み込ま
れ、保護回路のヒューズや記憶回路の記憶素子として使
用されている。薄膜抵抗をヒューズとして使用する場合
は、集積回路の保護回路に過電流が流れたときに、この
過電流により薄膜抵抗が溶断する。また、薄膜抵抗を記
憶素子として使用する場合は、薄膜抵抗は読み出し専用
のリードオンリメモリの各記憶単位となる。従来の薄膜
抵抗は、平坦な基板又は微細エッチング加工による凹凸
表面基板上に形成されている。薄膜抵抗が平板な基板上
に形成されたときは、薄膜抵抗の底面は平坦になるの
で、横断面（電流が流れる方向に垂直な面）が一定の薄
膜抵抗が形成される。
れ、保護回路のヒューズや記憶回路の記憶素子として使
用されている。薄膜抵抗をヒューズとして使用する場合
は、集積回路の保護回路に過電流が流れたときに、この
過電流により薄膜抵抗が溶断する。また、薄膜抵抗を記
憶素子として使用する場合は、薄膜抵抗は読み出し専用
のリードオンリメモリの各記憶単位となる。従来の薄膜
抵抗は、平坦な基板又は微細エッチング加工による凹凸
表面基板上に形成されている。薄膜抵抗が平板な基板上
に形成されたときは、薄膜抵抗の底面は平坦になるの
で、横断面（電流が流れる方向に垂直な面）が一定の薄
膜抵抗が形成される。
【０００３】例えば，記憶素子用ヒューズにおいては、
回路への熱的影響の低減や消費電力の低減のために、よ
り小さい電流で溶断させられることが望ましく、そのた
めにはより薄い薄膜抵抗を形成することが必要になる。
しかし、膜厚にバラツキが生じるため、薄膜抵抗自体を
薄くするのには限界があった。一方、小さい電流で溶断
させるための他の方法としては、薄膜抵抗の下地に凹凸
を形成しておいて、薄膜抵抗の横断面積を変化させる方
法も考えられる。この方法によれば、薄膜抵抗の横断面
積の小さい箇所では、電流密度が高くなるので、この箇
所で電流による発熱が集中する。この結果、この箇所で
薄膜抵抗の溶断が始まる。一旦、薄膜抵抗の溶断が始ま
ると、薄膜抵抗の横断面積が小さくなるので、更に発熱
が大となり、瞬時に薄膜抵抗の全体が溶断する。
回路への熱的影響の低減や消費電力の低減のために、よ
り小さい電流で溶断させられることが望ましく、そのた
めにはより薄い薄膜抵抗を形成することが必要になる。
しかし、膜厚にバラツキが生じるため、薄膜抵抗自体を
薄くするのには限界があった。一方、小さい電流で溶断
させるための他の方法としては、薄膜抵抗の下地に凹凸
を形成しておいて、薄膜抵抗の横断面積を変化させる方
法も考えられる。この方法によれば、薄膜抵抗の横断面
積の小さい箇所では、電流密度が高くなるので、この箇
所で電流による発熱が集中する。この結果、この箇所で
薄膜抵抗の溶断が始まる。一旦、薄膜抵抗の溶断が始ま
ると、薄膜抵抗の横断面積が小さくなるので、更に発熱
が大となり、瞬時に薄膜抵抗の全体が溶断する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述のように
薄膜抵抗の基板の表面に凹凸を形成するためには、基板
の表面に対するレジスト層の塗布、ホトリソグラフィに
よるレジスト層のパターン形成、このレジスト層をマス
クとした基板のエッチング、レジスト層の剥離等の多数
の工程が必要となる。更に、このようにして形成される
基板表面の凹凸の大きさの最小値は、０．５μｍ程度で
あった。また薄膜抵抗体層の厚さがこの凹凸の大きさと
同程度であるので、薄膜抵抗体層の横断面積を充分に小
さくすることができなかった。この結果、薄膜抵抗体層
を溶断するために必要な電流を充分に小さくすることが
できなかった。したがって、本発明の課題は、小さな電
流により溶断可能な薄膜抵抗及びその製造方法を提供す
ることである。
薄膜抵抗の基板の表面に凹凸を形成するためには、基板
の表面に対するレジスト層の塗布、ホトリソグラフィに
よるレジスト層のパターン形成、このレジスト層をマス
クとした基板のエッチング、レジスト層の剥離等の多数
の工程が必要となる。更に、このようにして形成される
基板表面の凹凸の大きさの最小値は、０．５μｍ程度で
あった。また薄膜抵抗体層の厚さがこの凹凸の大きさと
同程度であるので、薄膜抵抗体層の横断面積を充分に小
さくすることができなかった。この結果、薄膜抵抗体層
を溶断するために必要な電流を充分に小さくすることが
できなかった。したがって、本発明の課題は、小さな電
流により溶断可能な薄膜抵抗及びその製造方法を提供す
ることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の第１の構成は、薄膜抵抗体層の下面側に微
細な絶縁性材料塊群がくい込むように配置されているこ
とを特徴とする薄膜抵抗である。更に、第２の発明の構
成は、基板の絶縁表面上に、少なくとも１種類の絶縁性
材料を含む複数種類の材料で構成される膜を形成する第
１工程と、この膜から少なくとも１種類の微細な絶縁性
材料塊群を析出する第２工程と、この絶縁性材料塊群を
残して前記膜を除去する第３工程と、前記絶縁性材料塊
群及び前記基板の絶縁表面の所定箇所を覆うように薄膜
抵抗体層を形成する第４工程とを具備する薄膜抵抗の製
造方法である。
め、本発明の第１の構成は、薄膜抵抗体層の下面側に微
細な絶縁性材料塊群がくい込むように配置されているこ
とを特徴とする薄膜抵抗である。更に、第２の発明の構
成は、基板の絶縁表面上に、少なくとも１種類の絶縁性
材料を含む複数種類の材料で構成される膜を形成する第
１工程と、この膜から少なくとも１種類の微細な絶縁性
材料塊群を析出する第２工程と、この絶縁性材料塊群を
残して前記膜を除去する第３工程と、前記絶縁性材料塊
群及び前記基板の絶縁表面の所定箇所を覆うように薄膜
抵抗体層を形成する第４工程とを具備する薄膜抵抗の製
造方法である。
【０００６】
【作用】上記第１の発明は、微細な絶縁性材料塊群が薄
膜抵抗体層の底面にくい込んでいる構成なので、前記絶
縁性材料塊群が前記薄膜抵抗体層中に存在することによ
り、前記薄膜抵抗体層の実質的な横断面積を充分に小さ
くすることができる。このため、前記薄膜抵抗体層に流
れる電流密度を大きくすることができるので、この電流
によるジュール熱による発熱を大きくすることができ
る。この結果、前記薄膜抵抗体層を小さな電流で溶断す
ることができる。
膜抵抗体層の底面にくい込んでいる構成なので、前記絶
縁性材料塊群が前記薄膜抵抗体層中に存在することによ
り、前記薄膜抵抗体層の実質的な横断面積を充分に小さ
くすることができる。このため、前記薄膜抵抗体層に流
れる電流密度を大きくすることができるので、この電流
によるジュール熱による発熱を大きくすることができ
る。この結果、前記薄膜抵抗体層を小さな電流で溶断す
ることができる。
【０００７】更に、第２の発明の構成において、第１〜
第３工程により、合金膜から基板の絶縁表面上に少なく
とも１種類の微細な絶縁性材料塊群を容易に形成するこ
とができる。更に、第４工程により、前記絶縁性材料塊
群及び前記基板の絶縁表面の所定箇所を覆うように薄膜
抵抗体層を形成しているので、この薄膜抵抗体層の底面
に前記微細な絶縁性材料塊群をくい込ませることができ
る。このため、前記第１の発明に係わる薄膜抵抗を製造
することができる。更に、前記合金膜の材料を調整する
ことにより、残留させる絶縁性材料塊群の大きさの制御
が可能である。また、絶縁性材料塊群を充分均一で微細
なものにすることができる。更に、この絶縁性材料塊群
により、薄膜抵抗体層の実質的な層厚を調整することが
できる。
第３工程により、合金膜から基板の絶縁表面上に少なく
とも１種類の微細な絶縁性材料塊群を容易に形成するこ
とができる。更に、第４工程により、前記絶縁性材料塊
群及び前記基板の絶縁表面の所定箇所を覆うように薄膜
抵抗体層を形成しているので、この薄膜抵抗体層の底面
に前記微細な絶縁性材料塊群をくい込ませることができ
る。このため、前記第１の発明に係わる薄膜抵抗を製造
することができる。更に、前記合金膜の材料を調整する
ことにより、残留させる絶縁性材料塊群の大きさの制御
が可能である。また、絶縁性材料塊群を充分均一で微細
なものにすることができる。更に、この絶縁性材料塊群
により、薄膜抵抗体層の実質的な層厚を調整することが
できる。
【０００８】
【実施例】以下本願発明の一実施例を図面を参照して説
明する。図３〜図７は、本発明の製造方法の一実施例を
示す。まず、図３に示すように、シリコン基板１１の表
面上に絶縁層として酸化シリコン膜１２を厚さ１μｍに
形成する。ここで基板１０は、シリコン基板１１と酸化
シリコン膜１２からなるとする。したがって、酸化シリ
コン膜１２の表面が基板１０の絶縁表面となる。次に、
図４に示すように、スパッタ法により、複数種類の材料
としてアルミニウムと１％のシリコンとを含む２元素合
金（Ａｌ−１％Ｓｉ）膜１３を酸化シリコン膜１２の表
面上に形成する。その後、加熱してシリコン塊（シリコ
ン結晶粒）１３ｂ群を析出させる（図８参照）。
明する。図３〜図７は、本発明の製造方法の一実施例を
示す。まず、図３に示すように、シリコン基板１１の表
面上に絶縁層として酸化シリコン膜１２を厚さ１μｍに
形成する。ここで基板１０は、シリコン基板１１と酸化
シリコン膜１２からなるとする。したがって、酸化シリ
コン膜１２の表面が基板１０の絶縁表面となる。次に、
図４に示すように、スパッタ法により、複数種類の材料
としてアルミニウムと１％のシリコンとを含む２元素合
金（Ａｌ−１％Ｓｉ）膜１３を酸化シリコン膜１２の表
面上に形成する。その後、加熱してシリコン塊（シリコ
ン結晶粒）１３ｂ群を析出させる（図８参照）。
【０００９】図８は、シリコン基板１１を加熱するシン
タ温度と析出するシリコン結晶粒及びその個数との関係
を示すグラフである。図８に示すように、シンタ温度が
高くなる程、析出するシリコン結晶粒が大きくなり、そ
の個数が少なくなる。なお、特許請求の範囲の構成要件
において、「絶縁性材料塊」は、「薄膜抵抗体層」より
も抵抗が著しく大きなものである。また、前記シリコン
塊１３ｂの抵抗は、後述するポリシリコン製薄膜抵抗体
層１４の抵抗より著しく大きいので、シリコン塊１３ｂ
を絶縁性材料塊とすることができる。なお、１３ａは２
元素合金膜１３中のアルミニウムである。このとき、２
元素合金膜１３の厚さが１μｍのときは、シリコン塊１
３ｂの高さが０．１μｍ程度となり、２元素合金膜１３
の厚さが０．１μｍのときは、シリコン塊１３ｂの高さ
が０．０１μｍ程度となる。このため、２元素合金膜１
３の厚さを調整することにより、シリコン塊１３ｂの大
きさを制御することができる。
タ温度と析出するシリコン結晶粒及びその個数との関係
を示すグラフである。図８に示すように、シンタ温度が
高くなる程、析出するシリコン結晶粒が大きくなり、そ
の個数が少なくなる。なお、特許請求の範囲の構成要件
において、「絶縁性材料塊」は、「薄膜抵抗体層」より
も抵抗が著しく大きなものである。また、前記シリコン
塊１３ｂの抵抗は、後述するポリシリコン製薄膜抵抗体
層１４の抵抗より著しく大きいので、シリコン塊１３ｂ
を絶縁性材料塊とすることができる。なお、１３ａは２
元素合金膜１３中のアルミニウムである。このとき、２
元素合金膜１３の厚さが１μｍのときは、シリコン塊１
３ｂの高さが０．１μｍ程度となり、２元素合金膜１３
の厚さが０．１μｍのときは、シリコン塊１３ｂの高さ
が０．０１μｍ程度となる。このため、２元素合金膜１
３の厚さを調整することにより、シリコン塊１３ｂの大
きさを制御することができる。
【００１０】次に、図５に示すように、選択的エッチン
グ等により、シリコン塊１３ｂを残して、２元素合金膜
１３を除去する。このときのエッチング液は、リン酸、
酢酸及び硝酸の混合水溶液である。なお、このときシリ
コン塊１３ｂは、微細なので、酸化シリコン膜１２上か
ら離れずに残っている。次に、図６に示すように、ＣＶ
Ｄ法により不純物が注入されたポリシリコン層をシリコ
ン塊１３ｂを覆うように酸化シリコン膜１２上に形成
し、その後このポリシリコン層をパターンニングするこ
とにより、ポリシリコン製薄膜抵抗体層１４を形成す
る。なお、薄膜抵抗体層１４の本体１４ａがシリコン塊
１３ｂ群を覆うように配置されている。また、１４ｄは
薄膜抵抗体層１４の上面、１４ｅは薄膜抵抗体層１４の
下面である。また薄膜抵抗体層１４のシート抵抗は、２
０オーム／□である。
グ等により、シリコン塊１３ｂを残して、２元素合金膜
１３を除去する。このときのエッチング液は、リン酸、
酢酸及び硝酸の混合水溶液である。なお、このときシリ
コン塊１３ｂは、微細なので、酸化シリコン膜１２上か
ら離れずに残っている。次に、図６に示すように、ＣＶ
Ｄ法により不純物が注入されたポリシリコン層をシリコ
ン塊１３ｂを覆うように酸化シリコン膜１２上に形成
し、その後このポリシリコン層をパターンニングするこ
とにより、ポリシリコン製薄膜抵抗体層１４を形成す
る。なお、薄膜抵抗体層１４の本体１４ａがシリコン塊
１３ｂ群を覆うように配置されている。また、１４ｄは
薄膜抵抗体層１４の上面、１４ｅは薄膜抵抗体層１４の
下面である。また薄膜抵抗体層１４のシート抵抗は、２
０オーム／□である。
【００１１】次に、図７に示すように、アルミニウム配
線層１５ａを薄膜抵抗体層１４の一方の端部１４ｂを覆
うように蒸着形成し、アルミニウム配線層１５ｂを薄膜
抵抗体層１４の他方の端部１４ｃを覆うように形成す
る。このようにすることにより、微細なシリコン膜１３
ｂ群により薄膜抵抗体層１４の下面１４ｅに微細で均一
な凹凸を簡単に形成することができる。
線層１５ａを薄膜抵抗体層１４の一方の端部１４ｂを覆
うように蒸着形成し、アルミニウム配線層１５ｂを薄膜
抵抗体層１４の他方の端部１４ｃを覆うように形成す
る。このようにすることにより、微細なシリコン膜１３
ｂ群により薄膜抵抗体層１４の下面１４ｅに微細で均一
な凹凸を簡単に形成することができる。
【００１２】図１は、本発明の一実施例の薄膜抵抗（上
述の製造方法で製造した薄膜抵抗）の平面を示し、図２
は、図１のＡ−Ａ断面構造を示す。図１及び図２におい
て、シリコン基板１１の表面上に酸化シリコン（ＳｉＯ
2 ）膜１２が形成されている。薄膜抵抗体層１４は、酸
化シリコン膜１２上に形成され、本体１４ａ、端部１４
ｂ及び端部１４ｃからなる。本体１４ａは、酸化シリコ
ン膜１２上の微細なシリコン塊１３ｂ群を覆うように形
成されている。アルミニウム配線層１５ａは、端部１４
ｂを覆うように蒸着形成され、一方アルミニウム配線層
１５ｂは、端部１４ｃを覆うように蒸着形成されてい
る。なお、上述のように薄膜抵抗体層１４（厚さｔが
０．４μｍ）のシート抵抗が２０オーム／□であるの
で、本体１４ａは、幅Ｗが２μｍ、長さＬが１００μｍ
のとき、端部１４ｂと端部１４ｃ間の印加電圧８Ｖ（こ
のとき本体１４ａを流れる電流が８ｍＡである。）によ
り溶断する。
述の製造方法で製造した薄膜抵抗）の平面を示し、図２
は、図１のＡ−Ａ断面構造を示す。図１及び図２におい
て、シリコン基板１１の表面上に酸化シリコン（ＳｉＯ
2 ）膜１２が形成されている。薄膜抵抗体層１４は、酸
化シリコン膜１２上に形成され、本体１４ａ、端部１４
ｂ及び端部１４ｃからなる。本体１４ａは、酸化シリコ
ン膜１２上の微細なシリコン塊１３ｂ群を覆うように形
成されている。アルミニウム配線層１５ａは、端部１４
ｂを覆うように蒸着形成され、一方アルミニウム配線層
１５ｂは、端部１４ｃを覆うように蒸着形成されてい
る。なお、上述のように薄膜抵抗体層１４（厚さｔが
０．４μｍ）のシート抵抗が２０オーム／□であるの
で、本体１４ａは、幅Ｗが２μｍ、長さＬが１００μｍ
のとき、端部１４ｂと端部１４ｃ間の印加電圧８Ｖ（こ
のとき本体１４ａを流れる電流が８ｍＡである。）によ
り溶断する。
【００１３】なお、上述の実施例において、２元素合金
をＡｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕの３元素合金で置き換
えることができる。このとき３元素合金に含まれるＣｕ
によりエレクトロストレスマイグレーションを抑制する
ことができるので、配線信頼性を向上させることができ
る。なお、このときの選択エッチング液は上述のものと
同じである。また、薄膜抵抗体層の材質は、ポリシリコ
ンに限定されず、ニクロム等でもよい。
をＡｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕの３元素合金で置き換
えることができる。このとき３元素合金に含まれるＣｕ
によりエレクトロストレスマイグレーションを抑制する
ことができるので、配線信頼性を向上させることができ
る。なお、このときの選択エッチング液は上述のものと
同じである。また、薄膜抵抗体層の材質は、ポリシリコ
ンに限定されず、ニクロム等でもよい。
【００１４】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
わる薄膜抵抗及びその製造方法により、薄膜抵抗を小さ
な電流により溶断することが可能になる。このため、薄
膜抵抗を組み込んだ半導体装置の消費電力を小さくする
ことができる。
わる薄膜抵抗及びその製造方法により、薄膜抵抗を小さ
な電流により溶断することが可能になる。このため、薄
膜抵抗を組み込んだ半導体装置の消費電力を小さくする
ことができる。
【図１】本発明の一実施例に係わる薄膜抵抗の平面図で
ある。
ある。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明の製造方法の一実施例の断面図ある。
【図４】前記製造方法の一実施例の断面図であり、図３
の続きである。
の続きである。
【図５】前記製造方法の一実施例の断面図であり、図４
の続きである。
の続きである。
【図６】前記製造方法の一実施例の断面図であり、図５
の続きである。
の続きである。
【図７】前記製造方法の一実施例の断面図であり、図６
の続きである。
の続きである。
【図８】前記製造方法の一実施例の特性を示すグラフで
ある。
ある。
１０ 基板 １１ シリコン基板 １２ 酸化シリコン膜 １３ 二元素合金膜 １３ｂ シリコン塊 １４ 薄膜抵抗体層 １４ａ 薄膜抵抗体層の本体 １４ｅ 薄膜抵抗体層の下面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/10 ４３１
Claims (2)
- 【請求項１】 薄膜抵抗体層の下面側に微細な絶縁性材
料塊群がくい込むように配置されていることを特徴とす
る薄膜抵抗。 - 【請求項２】 基板の絶縁表面上に、少なくとも１種類
の絶縁性材料を含む複数種類の材料で構成される膜を形
成する第１工程と、この膜から少なくとも１種類の微細
な絶縁性材料塊群を析出する第２工程と、この絶縁性材
料塊群を残して前記膜を除去する第３工程と、前記絶縁
性材料塊群及び前記基板の絶縁表面の所定箇所を覆うよ
うに薄膜抵抗体層を形成する第４工程とを具備する薄膜
抵抗の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6076028A JPH07283369A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | 薄膜抵抗及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6076028A JPH07283369A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | 薄膜抵抗及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07283369A true JPH07283369A (ja) | 1995-10-27 |
Family
ID=13593376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6076028A Pending JPH07283369A (ja) | 1994-04-14 | 1994-04-14 | 薄膜抵抗及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07283369A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006032917A (ja) * | 2004-06-14 | 2006-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US8258030B2 (en) | 2004-06-14 | 2012-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
-
1994
- 1994-04-14 JP JP6076028A patent/JPH07283369A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006032917A (ja) * | 2004-06-14 | 2006-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| US8258030B2 (en) | 2004-06-14 | 2012-09-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
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