JPH07283611A - 誘電体共振器装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 部品点数を増大させず、製造コストを下げ、
小型で且つ特性の設定または調整が容易な誘電体共振器
装置を提供する。 【構成】 複数の誘電体共振器Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３を基板
２０上に接合し、基板２０に設けた補助導体を介して各
誘電体共振器間を結合させ、基板２０に設けた補助導体
の一部を回路基板などに表面実装する際の信号入出力導
体として用いる。 【効果】 従来のシールド用金属ケースや取り付けブラ
ケットが不要であり、製造コストが安く、小型で且つ種
々の段数の共振器を持つ誘電体共振器装置を、それぞれ
の段数の共振器に専用の金型を必要とせずに容易に製造
することができ、さらに、各共振器の共振周波数と共振
器間の結合度とを互いに独立して設定または調整できる
誘電体共振器装置が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、複数の誘電体共振器
で構成した誘電体共振器装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、複数の誘電体共振器を組み合
わせて１つの誘電体共振器装置を構成したものとして、
複数の誘電体同軸共振器の内導体形成孔に結合端子を挿
入し、これとは別に誘電体基板に各種導体を設けて結合
容量を形成し、これらの複数の誘電体同軸共振器と結合
用基板を１つの金属ケース内に配置するとともに、各誘
電体同軸共振器の内導体形成孔に挿入した結合端子を結
合基板の各導体に半田付けして構成したものがある。ま
た、個別の誘電体共振器を用いるのではなく、直方体形
状の誘電体ブロックの内部に複数の内導体を設け、外面
に外導体とともに信号入出力導体を形成して、複数段の
共振器から成る誘電体同軸共振器を構成したものもあ
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】前者の誘電体共振器装
置では部品点数が非常に多くて全体に大型であり、また
組み立て工数が多いため製造コストも嵩むといった欠点
がある。後者の誘電体共振器装置ではシールド用の金属
ケースや回路基板に実装する際の取り付けブラケットも
不要であり表面実装が容易であるが、共振器の数の異な
るものを得ようとすれば、それぞれの金型を用意する必
要があった。そのため、多種類の特性の異なる誘電体共
振器装置を製造する場合には、多数の金型を必要とし、
製造コストが嵩む問題があった。また、各金型の寸法お
よび形状によって共振器間の距離などが決定されるた
め、それぞれの共振器間の結合度の設定が容易ではな
く、しかも各共振器間の結合度の設定または調整と各共
振器の共振周波数の設定または調整が、その構造上相互
に関連しており、一方が変わると他方も変わり、双方を
独立して設定または調整するのが容易ではなかった。

【０００４】この発明の目的は、このような従来の問題
を解消するものであり、部品点数を増大させず、製造コ
ストを下げ、小型で且つ特性の設定または調整が容易な
誘電体共振器装置を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る誘電体共振器装置は、複数の誘電体共振器を基板上に
配置した誘電体共振器装置であって、各誘電体共振器
は、内部に内導体を有し、互いに対向する第１面と第２
面およびこの第１面と第２面間に延びる側面に外導体を
有し、且つその一側面にのみ前記内導体との間で静電容
量を形成する結合用導体を有して成り、前記基板は、各
誘電体共振器の前記結合用導体に導通して誘電体共振器
間を結合させ、一部を外部に対する信号入出力導体とし
て用いる複数の補助導体を有して成り、隣接する誘電体
共振器の側面同士を近接させた状態でこれらの複数の誘
電体共振器を前記基板上に接合したことを特徴とする。

【０００６】請求項２に係る誘電体共振器装置は、請求
項１記載のものにおいて、前記基板を多層配線基板から
構成し、その多層配線基板の内層に前記補助導体を設け
たことを特徴とする。

【０００７】請求項３に係る誘電体共振器装置は、請求
項１または２記載のものにおいて、前記補助導体をイン
ダクタンス素子またはキャパシタンス素子として形成し
たことを特徴とする。

【０００８】請求項４に係る誘電体共振器装置は、請求
項１、２または３記載のものにおいて、前記結合用導体
を各誘電体共振器毎に複数個設けるとともに、同一の誘
電体共振器における各結合用導体の面積を異ならせたこ
とを特徴とする。

【０００９】

【作用】この発明の請求項１に係る誘電体共振器装置で
は、複数の誘電体共振器が基板上に配置されることによ
って１つの誘電体共振器装置を構成する。各誘電体共振
器の内部には内導体が形成され、互いに対向する第１面
と第２面およびこの第１面と第２面間に延びる側面に外
導体が形成され、且つその１側面にのみ内導体との間で
静電容量を形成する結合用導体が形成されている。一方
の基板には複数の補助導体が形成されていて、隣接する
誘電体共振器の側面同士が近接する状態で複数の誘電体
共振器が基板上に接合された状態で、基板に設けた補助
導体は各誘電体共振器の結合用導体に導通して、誘電体
共振器間を結合させるとともに、その一部は外部に対す
る信号入出力導体として作用する。このように各誘電体
共振器は個別に構成されるため、各段の共振器の共振器
周波数と共振器間の結合度をそれぞれ独立して個別に容
易に設定または調整することができる。しかも誘電体共
振器装置自体をそのまま実装基板に表面実装することが
できるため、従来のようなシールド用金属ケースや取り
付けブラケットも不要となる。

【００１０】請求項２に係る誘電体共振器装置では、多
層配線基板の内層に前記補助導体が設けられているた
め、基板上に複数の誘電体共振器が接合された状態で、
各誘電体共振器の結合用導体間が多層配線基板の内層を
介して接続（結合）される。そのため、複数の誘電体共
振器が対向する基板表面に設けられている他の導体の影
響を受けずに、各誘電体共振器の結合用導体間が接続
（結合）される。

【００１１】請求項３に係る誘電体共振器装置では、前
記補助導体はインダクタンス素子またはキャパシタンス
素子として作用し、誘電体共振器間がインダクタンス素
子またはキャパシタンス素子を介して結合される。これ
により例えば有極の帯域通過フィルタが構成される。

【００１２】請求項４に係る誘電体共振器装置では、各
誘電体共振器における結合用導体の面積に応じて結合用
導体と内導体間の静電容量が定まるため、結合用導体の
面積によって、その結合用導体が形成された誘電体共振
器と他の誘電体共振器間の結合容量の設定または調整を
行うことができる。

【００１３】

【実施例】第１の実施例である誘電体共振器装置の構成
を図１〜図７に示す。

【００１４】図１は誘電体共振器装置の外観斜視図であ
る。図１においてＲ１，Ｒ２，Ｒ３はそれぞれ個別の誘
電体共振器、２０はこれらの誘電体共振器を接合する基
板である。

【００１５】図２は図１に示した３つの誘電体共振器の
構造を示す代表する１つの誘電体共振器の外観斜視図で
ある。このように各誘電体共振器は角柱状の誘電体の内
部に軸方向に内導体形成孔２を設け、誘電体の外面に外
導体６を形成して成る。

【００１６】図３は図２に示した誘電体共振器の構造を
示す平面図である。図３において（Ｓ１），（Ｓ６），
（Ｓ５），（Ｓ４）は図２に示した１つの誘電体共振器
の各面Ｓ１，Ｓ６，Ｓ５，Ｓ４からそれぞれ見た平面図
である。このように誘電体の第１面Ｓ１とこれに対向す
る第２面Ｓ２および第１面Ｓ１と第２面Ｓ２間に延びる
四側面Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６にそれぞれ外導体を形成
し、誘電体の内部には内周面に内導体を形成した内導体
形成孔２を設けている。また一側面Ｓ５には外導体６か
ら絶縁状態で結合用導体７，８を形成している。

【００１７】図４は基板の平面図であり、（Ａ）は誘電
体共振器の接合面、（Ｂ）は基板の左側面、（Ｃ）は基
板の底面、（Ｄ）は基板の右側面をそれぞれ示す。基板
２０の上下面および端面のほぼ全面にはアース導体２１
を形成していて、上面に補助導体２４，２５を、また上
面から端面を介して下面にかけて補助導体２２，２３を
それぞれアース導体２１から絶縁状態で形成している。
この４つの補助導体２２，２３，２４，２５は３つの誘
電体共振器の各結合用導体と電気的に接続する。このう
ち特に補助導体２２，２３は回路基板などに対する信号
入出力導体としても用いる。

【００１８】図５は図１に示した誘電体共振器装置のＹ
１−Ｙ１部分の断面図である。このように誘電体１の中
心には内導体形成孔２を設けていて、その内面に内導体
非形成部５により分離した内導体３，４を形成し、内導
体３，４間にストレー容量Ｃｓを形成している。この例
では、内導体３は誘電体の第２面Ｓ２を短絡面、内導体
非形成部５を開放端とするλ／４長共振導体として作用
する。

【００１９】図６は図１に示した誘電体共振器装置のＹ
２−Ｙ２部分の断面図である。このように各誘電体共振
器の内導体３の開放端付近と結合用導体７，８間にそれ
ぞれ静電容量が生じる。また、誘電体共振器Ｒ１の結合
用導体７，８は基板側の補助導体２２，２４に導通さ
せ、誘電体共振器Ｒ２の結合用導体７，８は基板側の補
助導体２４，２５に導通させ、誘電体共振器Ｒ３の結合
用導体７，８は基板側の補助導体２５，２３に導通させ
ている。基板２０としてはセラミック基板やガラス・エ
ポキシ基板などを用いるが、セラミック基板に対して誘
電体共振器を接合する場合は、無機系の導電性ペースト
を塗布して乾燥硬化後、焼き付ければよく、ガラス・エ
ポキシ基板に対して誘電体共振器を接合する場合には、
高温半田ペースト（クリーム半田）を用いて両者を接合
し、その後加熱することにより半田溶融接合を行えばよ
い。

【００２０】図７は図１および図６に示した誘電体共振
器装置の等価回路図である。ここでＣｓは各誘電体共振
器の内導体３−４間に生じるストレー容量である。また
Ｃｅ，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２３，Ｃ３２，Ｃｅは図６に
示した各内導体と結合用導体間に生じる静電容量であ
る。このようにして３つの誘電体共振器を結合して成る
３段の帯域通過フィルタとして作用する誘電体共振器装
置を得る。

【００２１】次に第２の実施例である誘電体共振器装置
の構成を図８〜図１２に示す。

【００２２】図８は誘電体共振器装置の外観斜視図であ
る。図８においてＲ１，Ｒ２，Ｒ３はそれぞれ個別の誘
電体共振器、２０はこれらの誘電体共振器を接合する基
板である。

【００２３】図９は図８に示した３つの誘電体共振器の
構造を示す代表する１つの誘電体共振器の外観斜視図で
ある。このように各誘電体共振器は角柱状の誘電体の内
部に軸方向に内導体形成孔２を設け、誘電体の外面に外
導体６を形成して成る。

【００２４】図１０は図９に示した誘電体共振器の構造
を示す平面図である。図１０において（Ｓ１），（Ｓ
６），（Ｓ５），（Ｓ４）は図９に示した１つの誘電体
共振器の各面Ｓ１，Ｓ６，Ｓ５，Ｓ４からそれぞれ見た
平面図である。このように誘電体の第１面Ｓ１とこれに
対向する第２面Ｓ２および第１面Ｓ１と第２面Ｓ２間に
延びる四側面Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６にそれぞれ外導体
を形成し、誘電体の内部には内周面に内導体を形成した
内導体形成孔２を設けている。また一側面Ｓ５には外導
体６から絶縁状態で結合用導体７，８を形成している。
第１の実施例として図３に示した例と異なり、この第２
の実施例では側面Ｓ５において結合用導体７，８の周囲
に外導体が取り囲むように形成し、側面Ｓ６およびＳ４
には全面に外導体を形成している。

【００２５】図１１は基板の平面図であり、（Ａ）は誘
電体共振器の接合面、（Ｂ）は基板の左側面、（Ｃ）は
基板の底面、（Ｄ）は基板の右側面をそれぞれ示す。基
板２０の上下面および端面のほぼ全面にはアース導体２
１を形成していて、上面に補助導体２４，２５，２６，
２７，２８，２９を、また端面から下面にかけて補助導
体２２，２３をそれぞれアース導体２１から絶縁状態で
形成している。この６つの補助導体２４，２５，２６，
２７，２８，２９は３つの誘電体共振器の各結合用導体
と電気的に接続する。補助導体２２，２３は回路基板な
どに対する信号入出力導体として用いる。

【００２６】図１２は図８に示した誘電体共振器装置の
Ｙ−Ｙ部分の断面図である。このように各誘電体共振器
の内導体３の開放端付近と結合用導体７，８間にそれぞ
れ静電容量が生じる。一方、基板２０は多層配線基板で
あり、その上層に補助導体２４，２５，２６，２７，２
８，２９などを形成し、内層に補助導体３０，３１，３
２，３３を形成し、さらに下層に補助導体２２，２３お
よびアース導体２１を形成している。図に示すように上
層の補助導体２４，２９はビアホールを介して内層の補
助導体３０，３３に接続している。また上層の補助導体
２５，２６はそれぞれビアホールを介して中層の補助導
体３１に接続し、同様に補助導体２７，２８はそれぞれ
ビアホールを介して中層の補助導体３２に接続してい
る。この多層配線基板２０は、例えばセラミックグリー
ンシートへ所定パターンの導電ペーストを印刷して積層
後に焼成することにより構成する。

【００２７】図１２に示すように、３つの誘電体共振器
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３を基板２０上に接合することによっ
て、誘電体共振器Ｒ１の結合用導体７，８は基板側の補
助導体２４，２５に導通し、誘電体共振器Ｒ２の結合用
導体７，８は基板側の補助導体２６，２７に導通し、誘
電体共振器Ｒ３の結合用導体７，８は基板側の補助導体
２８，２９に導通する。このように構成したことによ
り、各誘電体共振器の結合用導体の形成面において、そ
の結合用導体の周囲に外導体が存在する場合であって
も、基板２０の中層に設けた補助導体を介して、隣接す
る誘電体共振器間が容量結合する。これにより、図７と
同様の等価回路図で示される誘電体共振器装置を得る。

【００２８】次に、第３の実施例である誘電体共振器装
置の構成を図１３〜図１５に示す。

【００２９】図１３は第２の実施例において示した図１
２に対応する誘電体共振器装置の断面図である。第２の
実施例で示した誘電体共振器装置と異なる点は、基板２
０の構造である。即ちこの第３の実施例では、基板２０
の内層に補助導体３１，３２を形成するとともに、両補
助導体に対向する位置の他の内層に補助導体３４を形成
している。この構造により、補助導体３１−３４間およ
び３２−３４間にそれぞれ静電容量を形成している。

【００３０】図１４は図１３に示した誘電体共振器装置
の等価回路図である。図１４においてＣｓは各誘電体共
振器の共振導体として作用する内導体の先端に生じるス
トレー容量である。またＣｅ，Ｃ１２，Ｃ２１，Ｃ２
３，Ｃ３２，Ｃｅは図１３に示した各内導体と結合用導
体間に生じる静電容量、Ｃ１２２は補助導体３１−３４
間に生じる静電容量、Ｃ２３３は補助導体３２−３４間
に生じる静電容量である。このようにして、３つの誘電
体共振器を静電容量を介して順次結合させるとともに、
１段目と３段目を静電容量Ｃ１２２およびＣ２３３を介
して結合させたことにより、通過帯域の低域側に減衰極
が生じる。

【００３１】図１５はその周波数対減衰量の特性を示
す。このようにして通過帯域の低域側を急峻に減衰させ
る帯域通過フィルタとして作用する誘電体共振器装置を
得る。

【００３２】なお、第３の実施例では、キャパシタンス
素子として作用する補助導体を基板の内層に設けた例を
示したが、キャパシタンス素子として作用する補助導体
を基板の上層に設け、各誘電体共振器にはキャパシタン
ス素子として作用する補助導体部分に対向する領域を除
いて外導体を形成するようにしてもよい。

【００３３】次に、第４の実施例である誘電体共振器装
置の構成を図１６〜図１９に示す。

【００３４】図１６は第２の実施例において示した図１
２に対応する誘電体共振器装置の断面図である。第２の
実施例で示した誘電体共振器装置と異なる点は、基板２
０の構造である。即ちこの第４の実施例では、基板２０
の内層に補助導体３１，３２を形成するとともに、両補
助導体間にインダクタンス素子として作用する補助導体
３５を形成している。

【００３５】図１７は基板２０の内層における補助導体
の形状を示す平面図である。このように補助導体３１−
３２間にインダクタンス素子とし作用する補助導体３５
を形成する。

【００３６】図１８はこの第４の実施例に係る誘電体共
振器装置の等価回路図である。図１８においてＬは上記
補助導体３５によるインダクタンス素子である。その他
の構成は図１４に示したものと同様である。このように
して、３つの誘電体共振器を静電容量を介して順次結合
させるとともに、１段目と３段目をインダクタンス素子
Ｌを介して結合させたことにより、通過帯域の高域側に
減衰極が生じる。

【００３７】図１９はその周波数対減衰量の特性を示
す。このようにして通過帯域の高域側を急峻に減衰させ
る帯域通過フィルタとして作用する誘電体共振器装置を
得る。

【００３８】なお、第４の実施例では、インダクタンス
素子として作用する補助導体を基板の内層に設けた例を
示したが、インダクタンス素子として作用する補助導体
を基板の上層に設け、各誘電体共振器にはインダクタン
ス素子として作用する補助導体部分に対向する領域を除
いて外導体を形成するようにしてもよい。

【００３９】次に第５の実施例である誘電体共振器装置
の構成を図２０〜図２１に示す。

【００４０】図２０は第２の実施例として示した図１０
に対応する誘電体共振器の各面の平面図である。図１０
に示した例と異なる点は、補助導体７，８を誘電体共振
器の配列方向に配置するのではなく、内導体の軸方向に
配置していることである。

【００４１】図２１は第２の実施例として図１１に示し
た図に対応する基板の各面の平面図である。このように
誘電体共振器側の結合用導体の位置に応じて、基板側の
補助導体２４，２５，２６，２７，２８，２９の位置を
それぞれ定め、基板２０の内層において補助導体３０，
３１，３２，３３を設け、補助導体３０により補助導体
２５−２２間を接続し、補助導体３１により補助導体２
４−２７間を接続し、補助導体３２により補助導体２６
−２９間を接続し、さらに補助導体３３により補助導体
２８−２３間をそれぞれ接続している。このように構成
することによって、隣接する誘電体共振器間が容量結合
し、図７と同様の等価回路図で示される誘電体共振器装
置を得る。

【００４２】次に、第６の実施例である誘電体共振器装
置の構成を図２２に示す。図２２は第１の実施例として
示した図３に対応する誘電体共振器の各面の平面図であ
る。このように補助導体７，８の面積が異なるように予
め設定することによって、または補助導体７，８の面積
が異なるように切削加工により調整することによって、
各補助導体７，８と内導体間の静電容量の値を設定し調
整することができる。次に、第７の実施例である誘電体
共振器装置の構成を図２３〜図２５に示す。図２３は誘
電体共振器装置全体の平面図であり、この誘電体共振器
装置はアンテナ共用器として用いる。図中Ｒ１，Ｒ２，
Ｒ３，Ｒ４はそれぞれ個別の誘電体共振器、２０はこれ
らの誘電体共振器を接合する基板である。誘電体共振器
Ｒ１，Ｒ２は角柱状誘電体の内部に軸方向に内導体形成
孔を設け、その内導体形成孔に内導体と導通する端子Ｔ
を挿入している。誘電体共振器Ｒ３，Ｒ４は図２および
図３に示したと同様に構成している。４３，４４，４
５，４６，４７はそれぞれ基板２０の図における上面に
設けた補助導体であり、補助電極４３，４４上に個別部
品としてのコンデンサＣ１，Ｃ２を接合し、補助電極４
３，４４間に個別部品としてのインダクタＬ２を接合
し、補助電極４４，４５間に個別部品としてのインダク
タＬ１を接合している。また、誘電体共振器Ｒ１，Ｒ２
は基板２０上面のアース導体２１に接合するとともに、
端子ＴをコンデンサＣ１，Ｃ２にそれぞれ接続してい
る。誘電体共振器Ｒ３，Ｒ４は基板２０上面のアース導
体２１に接合するとともに、結合用導体７，８を補助導
体４５，４６，４７にそれぞれ接続している。

【００４３】図２４は基板２０の各面の平面図であり、
（Ａ）は誘電体共振器の接合面、（Ｂ）は正面、（Ｃ）
は左側面、（Ｄ）は底面、（Ｅ）は右側面をそれぞれ示
す。このように基板の端面を介して底面にかけて、補助
導体４３，４５，４７から信号入出力導体４１，４０，
４２をそれぞれ引き出している。

【００４４】図２５は図２３に示した誘電体共振器装置
の等価回路図である。ここで、Ｃ１，Ｃ２は図２３中の
コンデンサＣ１，Ｃ２であるが、Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５は図
２３に示した補助導体４５，４４，４３と基板の底面側
のアース導体２１間に生じる静電容量である。また、Ｃ
６，Ｃ７，Ｃ８，Ｃ９は誘電体共振器Ｒ３，Ｒ４の結合
用導体７，８とその内導体間に生じる静電容量である。
このようにして、誘電体共振器Ｒ１，Ｒ２を用いた２段
の共振器は帯域阻止フィルタとして作用し、誘電体共振
器Ｒ３，Ｒ４を用いた２段の共振器は帯域通過フィルタ
として作用し、この装置全体は信号入出力導体４１，４
２，４０をそれぞれＴＸ端子，ＲＸ端子，ＡＮＴ端子と
するアンテナ共用器として作用する。

【００４５】図２３〜図２５に示した第７の実施例では
受信側の帯域通過フィルタとして２つの誘電体共振器Ｒ
３，Ｒ４を用いたが、この部分を１つの誘電体共振器を
用いて１段の帯域通過フィルタとしてもよい。

【００４６】なお、上述した各実施例では各誘電体共振
器として、誘電体共振器ブロックの第２面Ｓ２を短絡面
とするλ／４長の共振器を用いた例を示したが、誘電体
の第１面と第２面の両方に開放端を有するλ／２長の共
振器を構成したもの、または誘電体の第１面と第２面の
両方を短絡面としてλ／２長の共振器を構成したものを
用いてもよい。また、上述した各実施例では誘電体の第
１面と第２面の両面に外導体を形成した例を示したが、
誘電体の第１面と第２面の何れか一方または両方を外導
体の形成しない開放面とした誘電体共振器を用いること
もできる。さらに、各実施例では誘電体の第１面と第２
面間に延びる貫通孔を内導体形成孔としたが、内導体形
成孔は必ずしも貫通している必要はなく、誘電体内に設
けた空隙内に内導体を設ければよい。

【００４７】

【発明の効果】この発明によれば、従来のシールド用金
属ケースや取り付けブラケットが不要であり、製造コス
トが安く、小型で且つ種々の段数の共振器を持つ誘電体
共振器装置を、それぞれの段数の共振器に専用の金型を
必要とせずに容易に製造することができ、さらに、各共
振器の共振周波数と共振器間の結合度とを互いに独立し
て設定または調整できる誘電体共振器装置が得られる。

【００４８】特に請求項２に係る誘電体共振器装置で
は、複数の誘電体共振器が対向する基板表面に設けられ
ている他の導体の影響を受けないため、基板上に導体パ
ターンを形成する際の自由度が増す。また、結合用導体
を形成する側面に隣接する他の側面には全面に外導体を
形成することができるため、誘電体共振器の外導体パタ
ーンの形成が容易となる。

【００４９】また請求項３に係る誘電体共振器装置で
は、別個の個別部品を付加することなく、例えば通過帯
域の低域または高域に減衰極を有する帯域通過フィルタ
として作用する誘電体共振器装置が容易に得られる。

【００５０】さらに請求項４に係る誘電体共振器装置で
は、結合用導体の面積によって、その結合用導体が形成
された誘電体共振器と他の誘電体共振器間の結合容量の
設定または調整を行うことができ、所望の特性を有する
誘電体共振器装置が容易に得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例に係る誘電体共振器装置の外観斜
視図である。

【図２】図１に示す誘電体共振器装置の一部を構成する
１つ誘電体共振器の外観斜視図である。

【図３】図２に示す誘電体共振器の各面の平面図であ
る。

【図４】図１に示す誘電体共振器装置の一部を構成する
基板の各面の平面図である。

【図５】図１におけるＹ１−Ｙ１部分の断面図である。

【図６】図１におけるＹ２−Ｙ２部分の断面図である。

【図７】第１の実施例に係る誘電体共振器装置の等価回
路図である。

【図８】第２の実施例に係る誘電体共振器装置の外観斜
視図である。

【図９】図８に示す誘電体共振器装置の一部を構成する
１つ誘電体共振器の外観斜視図である。

【図１０】図９に示す誘電体共振器の各面の平面図であ
る。

【図１１】図８に示す誘電体共振器装置の一部を構成す
る基板の各面の平面図である。

【図１２】図８におけるＹ−Ｙ部分の断面図である。

【図１３】第３の実施例に係る誘電体共振器装置の断面
図である。

【図１４】第３の実施例に係る誘電体共振器装置の等価
回路図である。

【図１５】第３の実施例に係る誘電体共振器装置の特性
図である。

【図１６】第４の実施例に係る誘電体共振器装置の断面
図である。

【図１７】第４の実施例に係る誘電体共振器装置の基板
の内層における補助導体の形状を示す平面図である。

【図１８】第４の実施例に係る誘電体共振器装置の等価
回路図である。

【図１９】第４の実施例に係る誘電体共振器装置の特性
図である。

【図２０】第５の実施例に係る誘電体共振器装置におけ
る誘電体共振器の各面の平面図である。

【図２１】第５の実施例に係る誘電体共振器装置の基板
の各面の平面図である。

【図２２】第６の実施例に係る誘電体共振器装置の一部
を構成する１つ誘電体共振器の各面の平面図である。

【図２３】第７の実施例に係る誘電体共振器装置の平面
図である。

【図２４】第７の実施例に係る誘電体共振器装置の基板
の各面の平面図である。

【図２５】第７の実施例に係る誘電体共振器装置の等価
回路図である。

【符号の説明】

Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３−誘電体共振器 １−誘電体 ２−内導体形成孔 ３，４−内導体 ５−内導体非形成部 ６−外導体 ７，８−結合用導体 ２０−基板 ２１−アース導体 ２２〜３５−補助導体 ２２，２３−（信号入出力導体）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｐ 7/04

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の誘電体共振器を基板上に配置した
   誘電体共振器装置であって、 各誘電体共振器は、内部に内導体を有し、互いに対向す
   る第１面と第２面およびこの第１面と第２面間に延びる
   側面に外導体を有し、且つその一側面にのみ前記内導体
   との間で静電容量を形成する結合用導体を有して成り、 前記基板は、各誘電体共振器の前記結合用導体に導通し
   て誘電体共振器間を結合させ、一部を外部に対する信号
   入出力導体として用いる複数の補助導体を有して成り、 隣接する誘電体共振器の側面同士を近接させた状態でこ
   れらの複数の誘電体共振器を前記基板上に接合したこと
   を特徴とする誘電体共振器装置。
2. 【請求項２】 前記基板は多層配線基板から成り、該多
   層配線基板の内層に前記補助導体を設けたことを特徴と
   する請求項１記載の誘電体共振器装置。
3. 【請求項３】 前記補助導体をインダクタンス素子また
   はキャパシタンス素子として形成したことを特徴とする
   請求項１または２記載の誘電体共振器装置。
4. 【請求項４】 前記結合用導体を各誘電体共振器毎に複
   数個設けるとともに、同一の誘電体共振器における各結
   合用導体の面積を異ならせたことを特徴とする請求項
   １、２または３記載の誘電体共振器装置。