JPH0728431A - 液晶ディスプレイ用表示信号の伝送回路および伝送方式 - Google Patents
液晶ディスプレイ用表示信号の伝送回路および伝送方式Info
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- JPH0728431A JPH0728431A JP5173162A JP17316293A JPH0728431A JP H0728431 A JPH0728431 A JP H0728431A JP 5173162 A JP5173162 A JP 5173162A JP 17316293 A JP17316293 A JP 17316293A JP H0728431 A JPH0728431 A JP H0728431A
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大型の液晶ディスプレイ装置において、表示
の均一性や高コントラスト化の得られる液晶駆動を可能
にする。 【構成】 大型液晶ディスプレイの表示信号を遅延なく
絵素に伝送するため、行方向および列方向の伝送回路中
に、インダクタンスを含む信号伝送回路を配置し、行方
向および列方向に表示信号として孤立波、もしくはソリ
トンを伝播させる。
の均一性や高コントラスト化の得られる液晶駆動を可能
にする。 【構成】 大型液晶ディスプレイの表示信号を遅延なく
絵素に伝送するため、行方向および列方向の伝送回路中
に、インダクタンスを含む信号伝送回路を配置し、行方
向および列方向に表示信号として孤立波、もしくはソリ
トンを伝播させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡＶ（オーディオビジ
ュアル）機器、ＯＡ（オフィスオートメーション）機
器、コンピューター等に用いられる表示装置に関する。
ュアル）機器、ＯＡ（オフィスオートメーション）機
器、コンピューター等に用いられる表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＲＴディスプレイとは異なる原理で表
示を行う平面ディスプレイは、現在、ワードプロセッサ
やパーソナルコピュータの市場で広く用いられている
が、今後さらに、ハイビジョンや高性能ＥＷＳ（エンジ
ニアリングワークステーション）用ディスプレイへの応
用開発が進められている。
示を行う平面ディスプレイは、現在、ワードプロセッサ
やパーソナルコピュータの市場で広く用いられている
が、今後さらに、ハイビジョンや高性能ＥＷＳ（エンジ
ニアリングワークステーション）用ディスプレイへの応
用開発が進められている。
【０００３】代表的な平面ディスプレイには、ＥＬＰ
（エレクトロルミネッセンスパネル）、ＰＤＰ（プラズ
マディスプレイパネル）、ＬＣＤ（液晶表示装置）等が
あり、これらの中では、フルカラー化の容易性、ＬＳＩ
（大規模集積回路）との整合性から、ＬＣＤが最も有望
視されている。
（エレクトロルミネッセンスパネル）、ＰＤＰ（プラズ
マディスプレイパネル）、ＬＣＤ（液晶表示装置）等が
あり、これらの中では、フルカラー化の容易性、ＬＳＩ
（大規模集積回路）との整合性から、ＬＣＤが最も有望
視されている。
【０００４】このＬＣＤは、その駆動方法により、大き
く分けて、単純マトリックス駆動型とアクティブマトリ
ックス駆動型の２種がある。単純マトリックス駆動型の
ＬＣＤは、一対のガラス基板にそれぞれストライプ状電
極を形成し、形成したストライプ状電極が互いに直交す
るように一対のガラス基板を対向配置させ、その間に液
晶を封入した構造を持ち、液晶が持つ表示特性の急峻性
を利用して表示を行うものである。
く分けて、単純マトリックス駆動型とアクティブマトリ
ックス駆動型の２種がある。単純マトリックス駆動型の
ＬＣＤは、一対のガラス基板にそれぞれストライプ状電
極を形成し、形成したストライプ状電極が互いに直交す
るように一対のガラス基板を対向配置させ、その間に液
晶を封入した構造を持ち、液晶が持つ表示特性の急峻性
を利用して表示を行うものである。
【０００５】また、アクティブマトリックス駆動型のＬ
ＣＤは、絵素に非線形素子を付加した構造を持ち、各素
子のスイッチング特性を利用して表示を行うものであ
る。したがって、このアクティブマトリックス駆動型の
ＬＣＤは、前者の単純マトリックス駆動型のＬＣＤに比
べ、液晶表示特性の急峻性への依存度が少なく、高コン
トラストでかつ高速応答のディスプレイを実現すること
ができる。
ＣＤは、絵素に非線形素子を付加した構造を持ち、各素
子のスイッチング特性を利用して表示を行うものであ
る。したがって、このアクティブマトリックス駆動型の
ＬＣＤは、前者の単純マトリックス駆動型のＬＣＤに比
べ、液晶表示特性の急峻性への依存度が少なく、高コン
トラストでかつ高速応答のディスプレイを実現すること
ができる。
【０００６】この種の非線形素子には２端子型の素子と
３端子型の素子とがある。２端子型の非線形素子として
は、ＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）、ダイオード等があ
り、一方、３端子型の非線形素子としては、ａ−ＳｉＴ
ＦＴ（アモルファスシリコン薄膜トランジスタ）、ｐ−
ＳｉＴＦＴ（ポリシリコン薄膜トランジスタ）等があ
る。
３端子型の素子とがある。２端子型の非線形素子として
は、ＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）、ダイオード等があ
り、一方、３端子型の非線形素子としては、ａ−ＳｉＴ
ＦＴ（アモルファスシリコン薄膜トランジスタ）、ｐ−
ＳｉＴＦＴ（ポリシリコン薄膜トランジスタ）等があ
る。
【０００７】しかしながら、大型の液晶ディスプレイで
は、配線長が長くなるため、配線抵抗Ｒが増加し、配線
抵抗Ｒと寄生容量Ｃとの結合によって生じる信号の遅延
が大きくなり、表示の均一性や高コントラスト化に大き
な悪影響が生じる。これを避けるため、各絵素での表示
パルスの形について解析が行われているが、素子の非線
形性のため、理論的な解析が困難で、もっぱら計算機に
よるシュミレーションが用いられている。
は、配線長が長くなるため、配線抵抗Ｒが増加し、配線
抵抗Ｒと寄生容量Ｃとの結合によって生じる信号の遅延
が大きくなり、表示の均一性や高コントラスト化に大き
な悪影響が生じる。これを避けるため、各絵素での表示
パルスの形について解析が行われているが、素子の非線
形性のため、理論的な解析が困難で、もっぱら計算機に
よるシュミレーションが用いられている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、アクティ
ブマトリックス駆動型のＬＣＤにおいては、非線形素子
と走査線との間に寄生容量が存在するため、コントラス
トの低下、残像、パネル寿命の低下等の問題が発生して
いる。したがって、今後、ディスプレイの大型化に伴っ
て、さらに配線長が長くなると、配線抵抗Ｒが増加する
ため、配線抵抗Ｒと寄生容量Ｃとの結合によって生じる
信号の遅延がさらに大きくなり、表示の均一性や高コン
トラスト化に大きな悪影響が生じるおそれがある。
ブマトリックス駆動型のＬＣＤにおいては、非線形素子
と走査線との間に寄生容量が存在するため、コントラス
トの低下、残像、パネル寿命の低下等の問題が発生して
いる。したがって、今後、ディスプレイの大型化に伴っ
て、さらに配線長が長くなると、配線抵抗Ｒが増加する
ため、配線抵抗Ｒと寄生容量Ｃとの結合によって生じる
信号の遅延がさらに大きくなり、表示の均一性や高コン
トラスト化に大きな悪影響が生じるおそれがある。
【０００９】この現像を、図７に示すような、ＲＣ梯子
形回路を用いて説明することができる。単純マトリック
ス方式やアクティブマトリックス方式では、信号線の持
つ抵抗Ｒと、信号線どうしや非線形素子と共通電極との
間で生じる容量Ｃとが存在する。この場合、図７の第ｎ
番目の節３を流れる電流Ｉn に対する回路方程式は、次
のようになる。 ＲＩn＝Ｖn−Ｖn+1 ｄＱn／ｄｔ＝Ｉn-1−Ｉn ここで、Ｖn はｎ番目の節の電圧、Ｑn はｎ番目の容量
Ｃに蓄積される電荷量である。
形回路を用いて説明することができる。単純マトリック
ス方式やアクティブマトリックス方式では、信号線の持
つ抵抗Ｒと、信号線どうしや非線形素子と共通電極との
間で生じる容量Ｃとが存在する。この場合、図７の第ｎ
番目の節３を流れる電流Ｉn に対する回路方程式は、次
のようになる。 ＲＩn＝Ｖn−Ｖn+1 ｄＱn／ｄｔ＝Ｉn-1−Ｉn ここで、Ｖn はｎ番目の節の電圧、Ｑn はｎ番目の容量
Ｃに蓄積される電荷量である。
【００１０】したがって、電流を消去すると、 ＲｄＱn／ｄｔ＝Ｖn-1−２Ｖn＋Ｖn+1 を得る。この式の左辺を線形近似し（Ｑ＝ＣＶ）、右辺
を微分形に直すと、次の拡散方程式になる。 ＲＣ／Δ2∂Ｖ／∂ｔ＝∂2Ｖ／∂Ｘ2 ここで、Δはネットワークの節と節との距離である。
を微分形に直すと、次の拡散方程式になる。 ＲＣ／Δ2∂Ｖ／∂ｔ＝∂2Ｖ／∂Ｘ2 ここで、Δはネットワークの節と節との距離である。
【００１１】これにより、この回路に印加された矩形の
電圧波形は、信号線上を拡散しながら裾広がりの形に変
形することがわかる。各絵素での表示パルスの形につい
ては、素子の非線形性のため、解析が困難とされ、計算
機シュミレーションが用いられてきた。このため、上述
したこれらの困難を排除し、均一な大型・大容量表示を
実現させる画期的新技術の出現が切望されている。
電圧波形は、信号線上を拡散しながら裾広がりの形に変
形することがわかる。各絵素での表示パルスの形につい
ては、素子の非線形性のため、解析が困難とされ、計算
機シュミレーションが用いられてきた。このため、上述
したこれらの困難を排除し、均一な大型・大容量表示を
実現させる画期的新技術の出現が切望されている。
【００１２】この問題を回避するため、絵素への画像表
示信号の通信手段として、信号の伝播法を拡散から波動
伝播に変え、さらに信号遅延や伝送路中での波形の変形
が少ないソリトンを表示信号として用いることが考えら
れる。
示信号の通信手段として、信号の伝播法を拡散から波動
伝播に変え、さらに信号遅延や伝送路中での波形の変形
が少ないソリトンを表示信号として用いることが考えら
れる。
【００１３】ソリトンは、Ｋ−ｄＶ（Ｋｏｒｔｅｗｅｇ
−ｄｅ Ｖｒｉｅｓ）方程式で記述される波として１９
６５年に発見された。Ｋ−ｄＶ方程式には、非線形項と
分散項が含まれ、非線形項による波のつっ立ちと、分散
項による波の広がりが釣り合って、ソリトンができる。
ソリトンの特徴は、互いの追越しや衝突の後でもその形
の壊れることがないことである。ちなみに、衝突の前後
で大きさが保存され、あたかも粒子のような振舞いをす
ることから、ソリトンの名前がつけられている。
−ｄｅ Ｖｒｉｅｓ）方程式で記述される波として１９
６５年に発見された。Ｋ−ｄＶ方程式には、非線形項と
分散項が含まれ、非線形項による波のつっ立ちと、分散
項による波の広がりが釣り合って、ソリトンができる。
ソリトンの特徴は、互いの追越しや衝突の後でもその形
の壊れることがないことである。ちなみに、衝突の前後
で大きさが保存され、あたかも粒子のような振舞いをす
ることから、ソリトンの名前がつけられている。
【００１４】ソリトンの伝送回路は非線形ＬＣ梯子形回
路網で構成される。このうち、容量は、絵素のスイッチ
ングに用いられているダイオード、およびＦＥＴの接合
や、伝送路と接地電極との間で生じるものである。イン
ダクターについては、これをコイルで構成することも可
能であるが、装置が大型化してしまう。
路網で構成される。このうち、容量は、絵素のスイッチ
ングに用いられているダイオード、およびＦＥＴの接合
や、伝送路と接地電極との間で生じるものである。イン
ダクターについては、これをコイルで構成することも可
能であるが、装置が大型化してしまう。
【００１５】また、ソリトンではパルスの高さと幅の関
係は一意に決まっており、１個のソリトンで、パルス幅
の広い信号を伝播させるためには、パルス高を高くしな
ければならない。したがって、低電圧で駆動するために
は多−ソリトン解を使う必要があるが、多−ソリトン解
は矩形パルスで近似すると、余分な振動が現れてしまう
ので、表示信号としては適切ではない。
係は一意に決まっており、１個のソリトンで、パルス幅
の広い信号を伝播させるためには、パルス高を高くしな
ければならない。したがって、低電圧で駆動するために
は多−ソリトン解を使う必要があるが、多−ソリトン解
は矩形パルスで近似すると、余分な振動が現れてしまう
ので、表示信号としては適切ではない。
【００１６】本発明は、かかる状況においてなされたも
ので、これらの要求に応え、高品質で大型、かつ大表示
容量の平面型の液晶ディスプレイ装置に好適に用いられ
る液晶ディスプレイ用表示信号の伝送回路および伝送方
式を提供するものである。
ので、これらの要求に応え、高品質で大型、かつ大表示
容量の平面型の液晶ディスプレイ装置に好適に用いられ
る液晶ディスプレイ用表示信号の伝送回路および伝送方
式を提供するものである。
【００１７】なお、ＲＣ梯子形回路を用いるものとして
は、特公昭５６−２９２２４号公報に記載の周波数選択
・表示装置などが知られている。
は、特公昭５６−２９２２４号公報に記載の周波数選択
・表示装置などが知られている。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明はかかる問題に対
し、次に述べる手段によって解決の方策を提供する。す
なわち、この発明は、液晶ディスプレイの表示信号を伝
送する走査線およびデータ信号線の伝送路中に、所定の
インダクタンス値を有するインダクターを配置してなる
ことを特徴とする液晶ディスプレイ用表示信号の伝送回
路である。
し、次に述べる手段によって解決の方策を提供する。す
なわち、この発明は、液晶ディスプレイの表示信号を伝
送する走査線およびデータ信号線の伝送路中に、所定の
インダクタンス値を有するインダクターを配置してなる
ことを特徴とする液晶ディスプレイ用表示信号の伝送回
路である。
【００１９】この場合、所定のインダクタンス値を、液
晶ディスプレイの表示信号を伝送する走査線およびデー
タ信号線の伝送路と、その伝送路に近接して設けたもう
１つの伝送路と、の間に生ずるインダクタンスによって
得るようにしてもよく、所定のインダクタンス値を有す
るインダクターは、液晶ディスプレイの表示信号を伝送
する走査線およびデータ信号線の伝送路中に、１絵素間
隔、もしくは複数絵素間隔で配置されていてもよい。な
お、インダクターは、アクティブインダクターから構成
されていることが好ましい。
晶ディスプレイの表示信号を伝送する走査線およびデー
タ信号線の伝送路と、その伝送路に近接して設けたもう
１つの伝送路と、の間に生ずるインダクタンスによって
得るようにしてもよく、所定のインダクタンス値を有す
るインダクターは、液晶ディスプレイの表示信号を伝送
する走査線およびデータ信号線の伝送路中に、１絵素間
隔、もしくは複数絵素間隔で配置されていてもよい。な
お、インダクターは、アクティブインダクターから構成
されていることが好ましい。
【００２０】また、この発明は、上記の液晶ディスプレ
イ用表示信号の伝送回路に、加えた電圧に対して、容量
とインダクタンスのどちらか一方、もしくは両方が非線
形に変化するようにして、ソリトン、もしくは孤立波の
形で表示信号を伝播させることを特徴とする液晶ディス
プレイ用表示信号の伝送方式である。
イ用表示信号の伝送回路に、加えた電圧に対して、容量
とインダクタンスのどちらか一方、もしくは両方が非線
形に変化するようにして、ソリトン、もしくは孤立波の
形で表示信号を伝播させることを特徴とする液晶ディス
プレイ用表示信号の伝送方式である。
【００２１】この場合、伝送回路の１個のソリトン解の
パルス幅を基本パルス幅とし、多−ソリトン解を用いて
基本パルス幅より長いパルス幅の表示信号を得、その表
示信号を伝播させるようにしてもよい。また、インダク
ターを含むＬＣ回路網からなる信号発生回路を用いて、
ソリトンあるいは孤立波からなる表示信号を伝播させて
もよい。なお、この場合も上記と同様に、インダクター
はアクティブインダクターから構成されていることが好
ましい。
パルス幅を基本パルス幅とし、多−ソリトン解を用いて
基本パルス幅より長いパルス幅の表示信号を得、その表
示信号を伝播させるようにしてもよい。また、インダク
ターを含むＬＣ回路網からなる信号発生回路を用いて、
ソリトンあるいは孤立波からなる表示信号を伝播させて
もよい。なお、この場合も上記と同様に、インダクター
はアクティブインダクターから構成されていることが好
ましい。
【００２２】本発明において、まず、注目すべきこと
は、表示用の画素を節（ノード）と見なし、表示信号の
伝送路を通信用ケーブルと見なすと、画像表示と長距離
通信との間に類似性がある、ということを見い出したこ
とである。したがって、長距離通信で用いられている伝
送路や伝送方式を、大形液晶ディスプレイの画像信号伝
播に利用することによって、信号遅延や伝送路中での波
形の変形が少ない大形液晶ディスプレイが実現できる。
は、表示用の画素を節（ノード）と見なし、表示信号の
伝送路を通信用ケーブルと見なすと、画像表示と長距離
通信との間に類似性がある、ということを見い出したこ
とである。したがって、長距離通信で用いられている伝
送路や伝送方式を、大形液晶ディスプレイの画像信号伝
播に利用することによって、信号遅延や伝送路中での波
形の変形が少ない大形液晶ディスプレイが実現できる。
【００２３】長距離通信に用いられる同軸ケーブルや光
ファイバーでは、電波もしくは光を伝送路中に放射する
ことで長距離伝播が可能となっている。同軸ケーブルで
構成した代表的なＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅ
ｔｗｏｒｋ）の性能は、１０００ノード以上の端末に１
０Ｍｂｐｓ以上の通信速度で通信が可能である。
ファイバーでは、電波もしくは光を伝送路中に放射する
ことで長距離伝播が可能となっている。同軸ケーブルで
構成した代表的なＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅ
ｔｗｏｒｋ）の性能は、１０００ノード以上の端末に１
０Ｍｂｐｓ以上の通信速度で通信が可能である。
【００２４】この同軸ケーブルの等価回路について説明
する。同軸ケーブルは、図１に示すように、インダクタ
ンスＬと容量Ｃを持ち、等価回路はＬＣ梯子形回路にな
っている。その結果、同軸ケーブルに対する回路方程式
は次式のようになる。 Ｌｄ2Ｑn／ｄｔ2＋ＲｄＱn／ｄｔ＝Ｖn-1−２Ｖn＋Ｖ
n+1 ここで、上述のように右辺を微分形に直し、Ｑを線型で
近似すると、上式は波動方程式となる。
する。同軸ケーブルは、図１に示すように、インダクタ
ンスＬと容量Ｃを持ち、等価回路はＬＣ梯子形回路にな
っている。その結果、同軸ケーブルに対する回路方程式
は次式のようになる。 Ｌｄ2Ｑn／ｄｔ2＋ＲｄＱn／ｄｔ＝Ｖn-1−２Ｖn＋Ｖ
n+1 ここで、上述のように右辺を微分形に直し、Ｑを線型で
近似すると、上式は波動方程式となる。
【００２５】したがって、インダクタンスＬが伝送路に
含まれると、信号は波動方程式に従って伝播し、ＲＣ梯
子形回路のように拡散に従う場合に比べて、格段の高速
度で信号を伝播させることができる。さらに、容量ある
いはインダクタンスＬが、加えられる電圧に対して非線
形であれば、散逸を含むＫ−ｄＶ方程式に帰着すること
が証明されている。この方程式の解から、ソリトンの速
度ｖは次式で示される。 ｖ＝１／√ＬＣ＋Ｆ（Ａ） ここで、Ｃは容量が電圧に対して反比例する場合の微分
容量で、Ｆ（Ａ）はソリトンの振幅Ａに比例する項であ
る。
含まれると、信号は波動方程式に従って伝播し、ＲＣ梯
子形回路のように拡散に従う場合に比べて、格段の高速
度で信号を伝播させることができる。さらに、容量ある
いはインダクタンスＬが、加えられる電圧に対して非線
形であれば、散逸を含むＫ−ｄＶ方程式に帰着すること
が証明されている。この方程式の解から、ソリトンの速
度ｖは次式で示される。 ｖ＝１／√ＬＣ＋Ｆ（Ａ） ここで、Ｃは容量が電圧に対して反比例する場合の微分
容量で、Ｆ（Ａ）はソリトンの振幅Ａに比例する項であ
る。
【００２６】これらの式から、インダクタンスＬを伝送
路に加えることによって、信号の伝達機構が拡散から波
動伝播に変化し、画像表示信号の変形遅延が起こらなく
なることが分かる。この場合、インダクタンスＬの非線
形性は、一般に絵素のスイッチングに用いられているダ
イオードやＦＥＴの接合で容量の非線形性が生じるた
め、必ずしも要求されるものではない。
路に加えることによって、信号の伝達機構が拡散から波
動伝播に変化し、画像表示信号の変形遅延が起こらなく
なることが分かる。この場合、インダクタンスＬの非線
形性は、一般に絵素のスイッチングに用いられているダ
イオードやＦＥＴの接合で容量の非線形性が生じるた
め、必ずしも要求されるものではない。
【００２７】また、インダクターをＦＥＴで構成したア
クティブインダクターは、液晶の駆動方式であるアクテ
ィブマトリックス方式とも、プロセス上の整合性がとれ
る。さらに、ソリトンには１−ソリトン解と多−ソリト
ン解がある。それらは一定の電圧に対して、１−ソリト
ン解のパルス幅を基準とするパルス幅を有しており、表
示信号のパルス幅を多−ソリトン解の中から選ぶことが
できる。
クティブインダクターは、液晶の駆動方式であるアクテ
ィブマトリックス方式とも、プロセス上の整合性がとれ
る。さらに、ソリトンには１−ソリトン解と多−ソリト
ン解がある。それらは一定の電圧に対して、１−ソリト
ン解のパルス幅を基準とするパルス幅を有しており、表
示信号のパルス幅を多−ソリトン解の中から選ぶことが
できる。
【００２８】
【作用】単純マトリックス方式やアクティブマトリック
ス方式では、信号線の持つ抵抗Ｒおよび信号線や非線形
素子の持つ容量Ｃによって信号遅延が起こる。しかしな
がら、伝送路にインダクタンスＬを加えると波動が伝播
できるようになり、さらに容量Ｃ、もしくはインダクタ
ンスＬの非線形性によってソリトンが伝播できるように
なる。この結果、ＲＣ遅延時間による信号の遅れが改善
され、表示の均一性や高コントラスト化が図られる。し
たがって、大型・大表示容量の実現のための画期的新技
術となる。
ス方式では、信号線の持つ抵抗Ｒおよび信号線や非線形
素子の持つ容量Ｃによって信号遅延が起こる。しかしな
がら、伝送路にインダクタンスＬを加えると波動が伝播
できるようになり、さらに容量Ｃ、もしくはインダクタ
ンスＬの非線形性によってソリトンが伝播できるように
なる。この結果、ＲＣ遅延時間による信号の遅れが改善
され、表示の均一性や高コントラスト化が図られる。し
たがって、大型・大表示容量の実現のための画期的新技
術となる。
【００２９】
【実施例】以下、図面に示す実施例１から実施例３に基
づいてこの発明を詳述する。なお、これによってこの発
明が限定されるものではない。
づいてこの発明を詳述する。なお、これによってこの発
明が限定されるものではない。
【００３０】実施例１ 単純マトリックス方式やアクティブマトリックス方式の
液晶ディスプレイに用いられる液晶ディスプレイ用表示
信号の伝送回路においては、この伝送回路を、図７に示
したような、信号線の持つ抵抗Ｒおよび信号線や非線形
素子の持つ容量Ｃの等価回路を用いて表すことができ
る。
液晶ディスプレイに用いられる液晶ディスプレイ用表示
信号の伝送回路においては、この伝送回路を、図７に示
したような、信号線の持つ抵抗Ｒおよび信号線や非線形
素子の持つ容量Ｃの等価回路を用いて表すことができ
る。
【００３１】しかしながら、この回路では、表示信号が
拡散的に伝播するため、高速でかつ長距離の伝送が困難
である。そこで、図１に示すように、表示信号の伝送路
中に、インダクタンスＬを１絵素間隔、もしくは複数絵
素間隔で加える。さらに、伝送路中の容量Ｃとインダク
タンスＬのどちらか一方、もしくは両方が、加えた電圧
に対して非線形に変化するようにする。
拡散的に伝播するため、高速でかつ長距離の伝送が困難
である。そこで、図１に示すように、表示信号の伝送路
中に、インダクタンスＬを１絵素間隔、もしくは複数絵
素間隔で加える。さらに、伝送路中の容量Ｃとインダク
タンスＬのどちらか一方、もしくは両方が、加えた電圧
に対して非線形に変化するようにする。
【００３２】このような回路では、上で述べたように、
ソリトンが伝播できるようになる。実際には、容量Ｃは
電圧に対して非線形の振舞い（反比例、ないしは２乗に
反比例）をするため、インダクタンスＬは特別に非線形
素子にする必要はない。
ソリトンが伝播できるようになる。実際には、容量Ｃは
電圧に対して非線形の振舞い（反比例、ないしは２乗に
反比例）をするため、インダクタンスＬは特別に非線形
素子にする必要はない。
【００３３】図２は本発明の液晶ディスプレイ用表示信
号の伝送回路の一例を示す説明図であり、液晶駆動用ネ
ットワークの概念を示したものである。この図におい
て、８はゲートバスライン（走査電極ライン）、９はゲ
ートバスライン８に設けられたインダクター、１０はソ
ースバスライン（信号電極ライン）、１１は伝送回路の
抵抗、１２はＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、１３は
ＦＥＴ１２と伝送回路の持つ浮遊容量、１４は液晶セル
である。ここでは、ゲートバスライン８に対して伝送路
の途中にインダクター９を加えたものを示したが、ソー
スバスライン１０に対してインダクター９を加えること
も同様にして可能である。
号の伝送回路の一例を示す説明図であり、液晶駆動用ネ
ットワークの概念を示したものである。この図におい
て、８はゲートバスライン（走査電極ライン）、９はゲ
ートバスライン８に設けられたインダクター、１０はソ
ースバスライン（信号電極ライン）、１１は伝送回路の
抵抗、１２はＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、１３は
ＦＥＴ１２と伝送回路の持つ浮遊容量、１４は液晶セル
である。ここでは、ゲートバスライン８に対して伝送路
の途中にインダクター９を加えたものを示したが、ソー
スバスライン１０に対してインダクター９を加えること
も同様にして可能である。
【００３４】この図に示すように、液晶セル１４を駆動
する伝送回路の等価回路は、インダクター９、伝送回路
の抵抗１１、並びにＦＥＴ１２と伝送回路の持つ浮遊容
量１３によって表される。このインダクター９は、公知
のアクティブインダクターによって構成されている。な
お、この公知のアクティブインダクターについては、電
子情報通信学会マイクロ波研究会発行 ＭＷ８９−１１
の第１頁〜第６頁に記載の「低損失アクティブインダク
ターの構成と特性」に示されたものを用いることができ
る。
する伝送回路の等価回路は、インダクター９、伝送回路
の抵抗１１、並びにＦＥＴ１２と伝送回路の持つ浮遊容
量１３によって表される。このインダクター９は、公知
のアクティブインダクターによって構成されている。な
お、この公知のアクティブインダクターについては、電
子情報通信学会マイクロ波研究会発行 ＭＷ８９−１１
の第１頁〜第６頁に記載の「低損失アクティブインダク
ターの構成と特性」に示されたものを用いることができ
る。
【００３５】図３にアクティブインダクターの構成の一
例を示す。この図に示すように、このアクティブインダ
クターは、ＦＥＴ１５、ＦＥＴ１６およびＦＥＴ１７の
３つのＦＥＴから構成されている。ＦＥＴ１５とＦＥＴ
１６はソース接地のカスコード接続されており、これに
帰還用のＦＥＴ１７が設けられている。この回路のイン
ダクタンス値Ｌは、Ｌ＝Ｃgs／ｇmｇmfで表される。こ
こで、ＣgsはＦＥＴ１５およびＦＥＴ１６のゲートソー
ス間容量、ｇm は相互コンダクタンス、ｇmfはＦＥＴ１
７の相互コンダクタンスである。
例を示す。この図に示すように、このアクティブインダ
クターは、ＦＥＴ１５、ＦＥＴ１６およびＦＥＴ１７の
３つのＦＥＴから構成されている。ＦＥＴ１５とＦＥＴ
１６はソース接地のカスコード接続されており、これに
帰還用のＦＥＴ１７が設けられている。この回路のイン
ダクタンス値Ｌは、Ｌ＝Ｃgs／ｇmｇmfで表される。こ
こで、ＣgsはＦＥＴ１５およびＦＥＴ１６のゲートソー
ス間容量、ｇm は相互コンダクタンス、ｇmfはＦＥＴ１
７の相互コンダクタンスである。
【００３６】ゲート長２０μｍのＴＦＴ（薄膜トランジ
スタ）を用いたアクティブインダクター・アクティブマ
トリックスＴＦＴ駆動回路に、１−ソリトンに対応する
パルスを印加して伝播特性を調べたところ、動作周波数
範囲は５ＧＨｚ以下であった。
スタ）を用いたアクティブインダクター・アクティブマ
トリックスＴＦＴ駆動回路に、１−ソリトンに対応する
パルスを印加して伝播特性を調べたところ、動作周波数
範囲は５ＧＨｚ以下であった。
【００３７】実施例２ 次に、実施例１で説明した液晶ディスプレイ用表示信号
の伝送回路を用いた伝送方式について説明する。すなわ
ち、本実施例では、アクティブインダクター・アクティ
ブマトリックスＴＦＴ駆動回路に印加する、表示信号の
印加方法について説明する。
の伝送回路を用いた伝送方式について説明する。すなわ
ち、本実施例では、アクティブインダクター・アクティ
ブマトリックスＴＦＴ駆動回路に印加する、表示信号の
印加方法について説明する。
【００３８】ソリトン解は、前述のように１−ソリトン
解および多−ソリトン解が知られている。しかしなが
ら、多−ソリトン解は、１−ソリトン解の重ね合わせで
は記述できない。その理由は、基本方程式に非線形項が
含まれるためである。表示信号ではパルス幅の長いもの
が必要になるが、単に１−ソリトン解を重ね合わせただ
けでは、波形に振動が現れてしまう。これを避けるため
に、パルス幅に応じた多−ソリトン解を作り、伝送回路
に印加する必要がある。
解および多−ソリトン解が知られている。しかしなが
ら、多−ソリトン解は、１−ソリトン解の重ね合わせで
は記述できない。その理由は、基本方程式に非線形項が
含まれるためである。表示信号ではパルス幅の長いもの
が必要になるが、単に１−ソリトン解を重ね合わせただ
けでは、波形に振動が現れてしまう。これを避けるため
に、パルス幅に応じた多−ソリトン解を作り、伝送回路
に印加する必要がある。
【００３９】図４は多−ソリトン解を印加するソースド
ライバ回路の構成を示すブロック図である。この図に示
すように、多−ソリトン解を印加するソースドライバ回
路では、シフトレジスタ１８に加えられたスタートパル
ス１９とクロックパルス２０により、シフトレジスタ１
８から出力されたサンプリング出力２１が一旦アナログ
メモリ２２に蓄えられる。さらに、転送パルス２３によ
り、ＬＣ非線形梯子型回路からなるソリトンパルス発生
回路２４に電圧が伝えられ、ソースライン２５に出力さ
れる。ソリトンパルス発生回路２４は、図１で示したよ
うな伝送回路と等価なＬＣ非線形回路網で構成されてお
り、図３で示したようなアクティブインダクターを用い
ている。
ライバ回路の構成を示すブロック図である。この図に示
すように、多−ソリトン解を印加するソースドライバ回
路では、シフトレジスタ１８に加えられたスタートパル
ス１９とクロックパルス２０により、シフトレジスタ１
８から出力されたサンプリング出力２１が一旦アナログ
メモリ２２に蓄えられる。さらに、転送パルス２３によ
り、ＬＣ非線形梯子型回路からなるソリトンパルス発生
回路２４に電圧が伝えられ、ソースライン２５に出力さ
れる。ソリトンパルス発生回路２４は、図１で示したよ
うな伝送回路と等価なＬＣ非線形回路網で構成されてお
り、図３で示したようなアクティブインダクターを用い
ている。
【００４０】本実施例では、容量Ｃは電圧に対して反比
例する特性を持ち、微分容量Ｃは１ｐＦ（ピコファラッ
ド）、インダクタンスＬは５ｎＨ（ナノヘンリー）であ
る。ＬＣ非線形回路網の段数は５０段である。この回路
の１−ソリトン解は、５Ｖ（ボルト）のピーク電圧の場
合に対して０．５ｎｓｅｃ（ナノ秒）のパルス幅であっ
た。このＬＣ非線形回路網にパルス幅６μｓｅｃ（マイ
クロ秒）のパルスを入力して多−ソリトンを作り、伝送
回路に印加したところ、遅延なく伝送回路を伝播した。
例する特性を持ち、微分容量Ｃは１ｐＦ（ピコファラッ
ド）、インダクタンスＬは５ｎＨ（ナノヘンリー）であ
る。ＬＣ非線形回路網の段数は５０段である。この回路
の１−ソリトン解は、５Ｖ（ボルト）のピーク電圧の場
合に対して０．５ｎｓｅｃ（ナノ秒）のパルス幅であっ
た。このＬＣ非線形回路網にパルス幅６μｓｅｃ（マイ
クロ秒）のパルスを入力して多−ソリトンを作り、伝送
回路に印加したところ、遅延なく伝送回路を伝播した。
【００４１】実施例３ 本実施例では、前述した液晶ディスプレイ用表示信号の
伝送回路にインダクタンスＬを付加する方法として、表
示信号の伝送回路とは別の線路を設け、それによってイ
ンダクタンスＬを付加する方法について説明する。
伝送回路にインダクタンスＬを付加する方法として、表
示信号の伝送回路とは別の線路を設け、それによってイ
ンダクタンスＬを付加する方法について説明する。
【００４２】図５に逆スタガー型ａ−ＳｉＴＦＴ（アモ
ルファス−シリコン薄膜トランジスタ）の断面構造の概
要を示す。この構造は、通常の逆スタガー型ａ−ＳｉＴ
ＦＴの構造と同じである。この図に示すように、ａ−Ｓ
ｉＴＦＴの近傍は、ゲート電極２６、ゲート絶縁膜２
７、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）２８、ソース電
極２９、およびドレイン電極３０により構成されてい
る。
ルファス−シリコン薄膜トランジスタ）の断面構造の概
要を示す。この構造は、通常の逆スタガー型ａ−ＳｉＴ
ＦＴの構造と同じである。この図に示すように、ａ−Ｓ
ｉＴＦＴの近傍は、ゲート電極２６、ゲート絶縁膜２
７、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）２８、ソース電
極２９、およびドレイン電極３０により構成されてい
る。
【００４３】図６にゲートバスラインにインダクタンス
を付加するための伝送回路の構造を示す。この伝送回路
は、ゲートバスラインの信号を伝える電線３１と、それ
を覆うように付加されている絶縁膜３２と、電線３３か
ら構成されている。インダクタンスは、ゲートバスライ
ンの電線３１と電線３３との間で生じる。ソースバスラ
インについても伝送路の構造は同様である。
を付加するための伝送回路の構造を示す。この伝送回路
は、ゲートバスラインの信号を伝える電線３１と、それ
を覆うように付加されている絶縁膜３２と、電線３３か
ら構成されている。インダクタンスは、ゲートバスライ
ンの電線３１と電線３３との間で生じる。ソースバスラ
インについても伝送路の構造は同様である。
【００４４】本実施例では、逆スタガー型のａ−ＳｉＴ
ＦＴを用いたが、表示用非線形素子の構造は、容量Ｃが
電圧に対して非線形に変化するものであればどんな構造
であってもよい。
ＦＴを用いたが、表示用非線形素子の構造は、容量Ｃが
電圧に対して非線形に変化するものであればどんな構造
であってもよい。
【００４５】
【発明の効果】この発明によれば、液晶ディスプレイ用
表示信号の伝送回路にインダクタンスを加えるようにし
たので、信号の伝達機構を拡散から伝播に変化させるこ
とができる。このため、画像信号の変形遅延が起こらな
くなり、表示の均一性や高コントラスト化が図られる。
したがって、大型・大表示容量の実現のための画期的新
技術となる。
表示信号の伝送回路にインダクタンスを加えるようにし
たので、信号の伝達機構を拡散から伝播に変化させるこ
とができる。このため、画像信号の変形遅延が起こらな
くなり、表示の均一性や高コントラスト化が図られる。
したがって、大型・大表示容量の実現のための画期的新
技術となる。
【図１】本発明の構成を示すＬＣ梯子形回路の回路構成
図である。
図である。
【図２】本発明の液晶ディスプレイ用表示信号の伝送回
路の一例を示す説明図である。
路の一例を示す説明図である。
【図３】本発明のアクティブインダクターの構成の一例
を示す説明図である。
を示す説明図である。
【図４】本発明による多−ソリトン解を印加するソース
ドライバ回路の構成を示すブロック図である。
ドライバ回路の構成を示すブロック図である。
【図５】本発明による逆スタガー型ａ−ＳｉＴＦＴの断
面構造の概要を示す説明図である。
面構造の概要を示す説明図である。
【図６】ゲートバスラインにインダクタンスを付加する
ための伝送回路の構造を示す説明図である。
ための伝送回路の構造を示す説明図である。
【図７】従来の液晶ディスプレイ用表示信号の伝送回路
を示すＲＣ梯子形回路の構成説明図である。
を示すＲＣ梯子形回路の構成説明図である。
８ ゲートバスライン ９ インダクター １０ ソースバスライン １１ 伝送回路の抵抗 １２，１５，１６，１７ ＦＥＴ（電界効果トランジス
タ） １３ 浮遊容量 １４ 液晶セル １８ シフトレジスタ １９ スタートパルス ２０ クロックパルス ２１ サンプリング出力 ２２ アナログメモリ ２３ 転送パルス ２４ ソリトンパルス発生回路 ２５ ソースライン ２６ ゲート電極 ２７ ゲート絶縁膜 ２８ ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン） ２９ ソース電極 ３０ ドレイン電極 ３１，３３ 電線 ３２ 絶縁膜
タ） １３ 浮遊容量 １４ 液晶セル １８ シフトレジスタ １９ スタートパルス ２０ クロックパルス ２１ サンプリング出力 ２２ アナログメモリ ２３ 転送パルス ２４ ソリトンパルス発生回路 ２５ ソースライン ２６ ゲート電極 ２７ ゲート絶縁膜 ２８ ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン） ２９ ソース電極 ３０ ドレイン電極 ３１，３３ 電線 ３２ 絶縁膜
Claims (8)
- 【請求項１】 液晶ディスプレイの表示信号を伝送する
走査線およびデータ信号線の伝送路中に、所定のインダ
クタンス値を有するインダクターを配置してなることを
特徴とする液晶ディスプレイ用表示信号の伝送回路。 - 【請求項２】 前記所定のインダクタンス値を、液晶デ
ィスプレイの表示信号を伝送する走査線およびデータ信
号線の伝送路と、その伝送路に近接して設けたもう１つ
の伝送路と、の間に生ずるインダクタンスによって得る
ことを特徴とする請求項１記載の液晶ディスプレイ用表
示信号の伝送回路。 - 【請求項３】 所定のインダクタンス値を有するインダ
クターが、液晶ディスプレイの表示信号を伝送する走査
線およびデータ信号線の伝送路中に、１絵素間隔、もし
くは複数絵素間隔で配置されていることを特徴とする請
求項１記載の液晶ディスプレイ用表示信号の伝送回路。 - 【請求項４】 インダクターがアクティブインダクター
からなる請求項１記載の液晶ディスプレイ用表示信号の
伝送回路。 - 【請求項５】 請求項１記載の伝送回路に、加えた電圧
に対して、容量とインダクタンスのどちらか一方、もし
くは両方が非線形に変化するようにして、ソリトン、も
しくは孤立波の形で表示信号を伝播させることを特徴と
する液晶ディスプレイ用表示信号の伝送方式。 - 【請求項６】 伝送回路の１個のソリトン解のパルス幅
を基本パルス幅とし、多−ソリトン解を用いて基本パル
ス幅より長いパルス幅の表示信号を得、その表示信号
を、請求項１記載の伝送回路に伝播させることを特徴と
する液晶ディスプレイ用表示信号の伝送方式。 - 【請求項７】 請求項１記載の伝送回路に、インダクタ
ーを含むＬＣ回路網からなる信号発生回路を用いて、ソ
リトンあるいは孤立波からなる表示信号を伝播させるこ
とを特徴とする液晶ディスプレイ用表示信号の伝送方
式。 - 【請求項８】 インダクターがアクティブインダクター
からなる請求項７記載の液晶ディスプレイ用表示信号の
伝送方式。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5173162A JPH0728431A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 液晶ディスプレイ用表示信号の伝送回路および伝送方式 |
| US08/273,932 US5481273A (en) | 1993-07-13 | 1994-07-12 | Transmission circuit of display signal for liquid crystal display and transmission method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5173162A JPH0728431A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 液晶ディスプレイ用表示信号の伝送回路および伝送方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0728431A true JPH0728431A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15955254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5173162A Pending JPH0728431A (ja) | 1993-07-13 | 1993-07-13 | 液晶ディスプレイ用表示信号の伝送回路および伝送方式 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5481273A (ja) |
| JP (1) | JPH0728431A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7445096B2 (en) | 2004-12-15 | 2008-11-04 | Stabilus Gmbh | Piston-cylinder unit and process for producing a piston-cylinder unit |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69522014T2 (de) * | 1995-05-23 | 2002-04-18 | Ibm | Steuervorrichtung für gemeinsame elektrode in einer flüssigkristallanzeige |
| JP4401448B2 (ja) * | 1997-02-24 | 2010-01-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2001242477A (ja) * | 2000-03-01 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| US6859624B1 (en) * | 2000-11-17 | 2005-02-22 | Alloptic, Inc. | Laser diode optical transmitter for TDMA system with fast enable and disable times |
| US9330624B1 (en) | 2011-02-25 | 2016-05-03 | Maxim Integrated Products, Inc. | VCOM amplifier with fast-switching gain |
| US9305506B2 (en) | 2011-02-25 | 2016-04-05 | Maxim Integrated Products, Inc. | VCOM amplifier with transient assist circuit |
| US9130514B2 (en) * | 2011-02-25 | 2015-09-08 | Maxim Integrated Products, Inc. | Vcom switching amplifier |
| WO2020003518A1 (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 表示装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU531191B2 (en) * | 1979-01-24 | 1983-08-11 | National Research Development Corp. | Liquid crystal colour display |
| JPS5629224A (en) * | 1979-08-17 | 1981-03-24 | Toshiba Corp | X-ray photographing apparatus |
| US4896053A (en) * | 1988-07-29 | 1990-01-23 | Kesselring Robert L | Solitary wave circuit for neural network emulation |
| US5302966A (en) * | 1992-06-02 | 1994-04-12 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Active matrix electroluminescent display and method of operation |
-
1993
- 1993-07-13 JP JP5173162A patent/JPH0728431A/ja active Pending
-
1994
- 1994-07-12 US US08/273,932 patent/US5481273A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7445096B2 (en) | 2004-12-15 | 2008-11-04 | Stabilus Gmbh | Piston-cylinder unit and process for producing a piston-cylinder unit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5481273A (en) | 1996-01-02 |
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