JPH07284862A - リードフレーム加工用セラミックス金型及びそのクリーニング方法 - Google Patents

リードフレーム加工用セラミックス金型及びそのクリーニング方法

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JPH07284862A
JPH07284862A JP785295A JP785295A JPH07284862A JP H07284862 A JPH07284862 A JP H07284862A JP 785295 A JP785295 A JP 785295A JP 785295 A JP785295 A JP 785295A JP H07284862 A JPH07284862 A JP H07284862A
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ceramic
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die
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Takehisa Yamamoto
剛久 山本
Takao Nishioka
隆夫 西岡
Akira Yamakawa
晃 山川
Matsuo Higuchi
松夫 樋口
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 耐摩耗性の向上と加工部形状の高精密加工を
達成でき、リードフレーム材料や半田材料が金型表面へ
付着するのを抑制し、しかも付着物等を簡単な方法で除
去することができる、長寿命のリードフレーム加工用金
型を提供する。 【構成】 リードフレーム２を切断・整形加工するため
のリードフレーム加工用金型であって、少なくともその
加工部が鉄及びコバルトの含有量が合計で１００ｐｐｍ
未満のセラミックス材料からなるセラミックス金型。こ
のセラミックス金型は、酸の水溶液で処理し、次に水又
は酸腐食抑制剤を含む水溶液で処理する簡単なクリーニ
ング方法で、付着した半田を除去することが可能であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の組み立て
工程において、半導体チップを装着したリードフレーム
の切断と整形、即ちタイバーの切断、リード先端部の切
断や打ち抜き、あるいはリードの曲げ加工等を行うため
に用いるリードフレームの切断・整形加工用セラミック
ス金型に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の組み立て工程においては、
半導体チップをリードフレームやパッケージに固定し、
チップの電極部とリードフレームのリードをワイヤで結
線し、樹脂等で封止した後、リードフレームの複数のリ
ードとリード枠を連結したタイバーの切断、リード先端
部の切断や打ち抜き、及びリードの曲げ加工等を行って
いる。
【０００３】この組み立て工程におけるタイバーの切
断、リード先端部の切断や打ち抜き、リードの曲げ加工
等は、例えば特開平５−８２６８９号公報に記載される
ように、櫛歯状の加工部を持つパンチとダイ等からなる
加工用金型を用いて行われる。かかる従来のリードフレ
ーム加工用金型の材料は焼入れ鋼や超硬合金であり、放
電加工の後に研磨による表面仕上げ加工を施して加工部
を形成していた。
【０００４】しかしながら、これらの金属材料を用いた
金型では、ＣｕやＡｌなどを主成分とした柔らかい金属
リードを切断、打ち抜き加工する場合に、リードフレー
ムの加工屑の付着や凝着による加工精度のばらつきが大
きいという欠点があった。
【０００５】又、リードフレームにおけるリードのピッ
チは近年益々狭くなる傾向にあり、金型の櫛歯状加工部
の間隔も同様に狭くなっているため、金型には従来にも
増して精密加工特性の向上が望まれている。そのため、
形状加工後の反りに代表される塑性変形やバリ等の加工
時の材料変形を抑制するため、高ヤング率で低塑性変形
特性を持った金型材料が望まれている。更には、金型の
摩耗を抑制するため、高い硬度や優れた耐摩耗性も要求
されている。
【０００６】加えて、従来の金属材料を用いた金型で
は、半導体チップをプリント配線基板に固定する際に用
いる半田メッキが金型の加工部表面に付着することも大
きな問題となっている。即ち、金型表面に半田が付着し
たままリードフレームの加工を続けると、足曲がり等の
リードの変形が生じ、後工程で半田付け不良、接触不良
あるいは左右ピンのショート等が起こり、完成した半導
体デバイスが正常に作動しない等の問題が生じる。
【０００７】そのため、付着した半田を除去するため、
定期的に金型を装置から取り外し、付着している半田を
ラッピングして除去する必要あった。具体的な金型のク
リーニング方法としては、例えば特開平４−２８０５０
号公報には、リードフレームのアウターリードの曲げ成
形時に製品の移動機構と連動するブラシクリーニング又
はエアブロークリーニング機構を取り付け、金型に付着
した半田を強制的に除去する方法が提示されている。し
かし、金型に付着した半田を機械的に除去する方法で
は、その取付スペースの確保や改造が必要となるうえ、
金型の形状崩れが起こりやすく、金型寿命が短くなる欠
点があった。
【０００８】特開平２−２８９６４号公報では、曲げパ
ンチ表面又は曲げダイ表面のリードフレームが接触する
部分に溝を形成することで半田屑の付着を抑える方法を
提案している。しかし、半田屑が付着する部位の全てに
溝を精度良く形成することは金型コストの上昇を招くう
え、溝内への半田屑の堆積後の処理が難しく、メンテナ
ンス面での改善が必要である。
【０００９】特開平２−１３４８５６号公報には、金型
への半田の付着を防ぐため、金型のリードフレームとの
接触部分の表面に、耐摩耗性、非粘着性、滑り特性に優
れた厚さ５〜１０μｍのアモルファスクロムメッキ被膜
を施す方法が開示されてる。しかし、被膜と基材との密
着力が弱く、しかも成膜直後の被膜の表面粗さが粗い等
の欠点があった。
【００１０】又、特開昭６３−２０３２２２号公報及び
同２０３２２３号公報には、金属加工用の鋼又は超硬合
金製金型の表面に、プラズマＣＶＤ法によってＳｉ
3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3、ダイヤモンド、ＳｉＣ等の被膜を形成
することが記載されている。更に、特開昭６４−６２４
６８号公報には、金属又はセラミックス製金型の表面
に、厚さ０.１〜１０μｍのダイヤモンド又はダイヤモ
ンド状炭素の硬質被膜をプラズマＣＶＤ法等の手段で形
成する方法が記載されてる。
【００１１】しかしながら、これらの被膜も基材との密
着力が十分ではないため、リードフレーム加工用のよう
に複雑形状の金型の場合や加工条件の厳しい場合にはチ
ッピングが発生し、短期間で寿命となってしまうことが
多かった。又、ダイヤモンドやダイヤモンド状炭素の被
膜は成膜後の表面が粗いため、金型として使用する場合
には表面粗さを改善するための加工処理が必要となり、
その加工に長時間を要する欠点があった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
の事情に鑑み、耐摩耗性の向上と加工部形状の高精密加
工を達成でき、しかもリードフレーム材料や半田材料と
の化学的反応性を抑制することができ、もって金型表面
への付着物や凝着物等を簡単な方法で除去することがで
き、従来の金属材料製の金型よりも寿命を著しく改善向
上させることができるリードフレーム加工用金型を提供
することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明が提供する半導体チップを装着したリードフ
レームを切断・整形加工するためのリードフレーム加工
用金型は、少なくともその加工部が鉄及びコバルトの含
有量が合計で１００ｐｐｍ未満のセラミックス材料から
なることを特徴とする。
【００１４】又、本発明の上記リードフレーム加工用セ
ラミックス金型は、酸の水溶液で処理し、次に水又は酸
腐食抑制剤を含む水溶液で処理する工程を含む簡単なク
リーニング方法により、付着した半田を除去することが
できる。
【００１５】
【作用】セラミックスは金属材料に比べて耐摩耗性に優
れ、高いヤング率と高硬度特性を合わせ持つため、高精
密加工が可能となる。そのため、例えば金型のピッチ精
度や先端部の形状保持等の点で従来の鋼材料に比べ有利
であり、これがリードフレームの加工特性に大きく影響
する。例えば、ダイヤモンド切断砥石等によりタイバー
カット用金型の櫛歯状加工部を形成する際の櫛歯のピッ
チ精度を高め、加工部先端のコーナー部分におけるエッ
ジの鋭利さを向上させることができ、これによりリード
フレームの加工特性を大幅に改善することができる。
【００１６】又、セラミックスは熱膨張係数が金属材料
に比べて極めて小さいことから、リードフレームの連続
加工中に発生する熱による金型の変形が小さい。これに
より金型の櫛歯状加工部のピッチ精度が維持され、その
結果リードフレームの加工精度を長期間所望の範囲に安
定して保持することが容易となる。更には、セラミック
スは金属材料に比べ軽量であるから、加工の高速化が期
待できる。
【００１７】セラミックスは化学的に安定であるため、
半田やリードフレーム屑との反応が抑制され、リードフ
レームの加工時に半田や加工屑の付着や凝着を抑制する
ことができる。そのうえ、セラミックスは耐摩耗性が優
れるため付着物を除去する際の形状崩れが少なく、耐薬
品性にも優れるため従来できなかった薬品処理による半
田等の付着物の除去が可能である。
【００１８】特にセラミックスに含まれる鉄（Ｆｅ）及
びコバルト（Ｃｏ）の含有量が合計で１００ｐｐｍ未満
の場合、半田等との反応性が抑制されて半田やリードフ
レーム材料の付着が抑制され、付着物を除去するクリー
ニング工程が不要となるか又はクリーニングを施すまで
の加工期間を長くすることが可能となる。Ｆｅ及びＣｏ
の含有量が５０ｐｐｍ未満、更には２０ｐｐｍ未満と少
なくなることにより、上記の効果が一層顕著となる。
【００１９】又、セラミックス金型の加工部の表面粗さ
を、ＪＩＳ Ｂ０６０１に準拠する１０点平均最大高さ
粗さ（ＲZ）で１μｍ以下とすることにより、半田等の
付着を更に抑制することができる。これは、高ヤング率
と高硬度を持つセラミックスのリードフレームや半田メ
ッキへの攻撃性が抑制され、付着物が付き難いというセ
ラミックスの特性が顕著に発現されるためと考えられ
る。リードフレームや半田メッキの表面状態にもよる
が、セラミックス金型表面のＲZを０.５μｍ以下と更に
小さくすることにより、半田等の付着を一層抑制でき
る。
【００２０】本発明のセラミックス金型のセラミックス
材料は、上記のＦｅ及びＣｏの含有量を満足するもので
あれば特に限定されないが、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）及
び／又はサイアロン、ジルコニア（ＺｒＯ2）、炭化ケ
イ素（ＳｉＣ）、若しくはアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）のいず
れかが好ましい。これらのセラミックスは、製造時に上
記のＦｅ又はＣｏを焼結助剤として必要とせず、又これ
ら元素を含まない高純度の原料粉末が容易に入手でき
る。更には、これらのセラミックスは、他のセラミック
スに比べ研削加工による寸法精度が確保しやすく、加工
時に欠損やチッピングが少ないため、高い寸法加工精度
が要求される金型材料として好ましいものである。
【００２１】更に好ましくは、曲げ強度がＪＩＳ Ｒ１
６０１に準拠する３点曲げ強度で１００ｋｇ／ｍｍ2以
上、シャルピー衝撃値が０.１ｋｇ・ｍ／ｃｍ2以上であ
るセラミックス材料を用いる。金型には加工中に衝撃等
の高い負荷が作用するため、１００ｋｇ／ｍｍ2以上の
曲げ強度と、０.１ｋｇ・ｍ／ｃｍ2以上のシャルピー衝
撃値を備えることにより、加工中に加わる負荷に耐え、
加工時の破損、欠損、チッピングを防ぐことができるか
らである。
【００２２】又、セラミックス材料は、気孔率が３％以
下、最大気孔径が２０μｍ以下であることが好ましい。
気孔率が３％を越えるか、又は最大気孔径が２０μｍを
越えると、強度の低下を招くとともに、この気孔が半田
等の付着や凝着の原因となるからである。
【００２３】前記のセラミックス材料の中でも、窒化ケ
イ素及び／又はサイアロン、若しくはジルコニアが強度
特性に加え靭性においても優れているため、加工時の破
損、欠損、チッピングが発生し難く、半田やリードフレ
ーム材料との反応性が低い点でも特に好ましいものであ
る。
【００２４】窒化ケイ素及び／又はサイアロンの場合、
これらを総量で８８〜９８重量％含み、β型の窒化ケイ
素及び／又はサイアロンの長軸方向の平均結晶粒径が５
μｍ以下、更には２.５μｍ以下である材料が好まし
い。窒化ケイ素及びサイアロン成分が９８重量％を越え
ると強度特性の劣化原因となり、８８重量％未満では耐
摩耗性及び化学反応性の抑制が不十分となる。又、長軸
方向の平均結晶粒径が５μｍを越えると、強度特性の劣
化や耐摩耗性の低下が起こるので好ましくない。更に強
度特性の向上を図るためには、窒化ケイ素とサイアロン
の結晶をα型とβ型の混合結晶相とすることが望まし
い。この場合、α型とβ型の比率をα＜３０％とするこ
とが特に好ましい。
【００２５】セラミックス材料がジルコニアの場合、ジ
ルコニアを９２〜９９重量％含み、ジルコニアの平均結
晶粒径が１.５μｍ以下である材料が好ましい。ジルコ
ニア成分が９９重量％を越えると強度特性の劣化原因と
なり、９２重量％未満では耐摩耗性及び化学反応性の抑
制が不十分となる。又、ジルコニアの平均結晶粒径が
１.５μｍを越えると、強度特性の劣化や耐摩耗性の低
下が起こるので好ましくない。
【００２６】本発明のセラミックス金型の加工部表面に
膜厚０.１〜１０μｍ、好ましくは０.３〜５μｍの硬質
炭素被膜を設けることにより、金型への半田やリードフ
レーム材料の付着を更に効果的に抑えることができる。
特にセラミックス中のＦｅ及びＣｏの含有量が１００ｐ
ｐｍ以下、好ましくは５０ｐｐｍ以下、更に好ましくは
２０ｐｐｍ以下であれば、硬質炭素被膜の密着が一層強
固になるため、膜厚が薄くても十分な付着抑制効果を得
ることができる。尚、ここで硬質炭素被膜とは、ダイヤ
モンド状炭素膜（ＤＬＣ）、ａ−Ｃ、ｉ−Ｃ、ａ−Ｃ：
Ｈ等を含む意味である。
【００２７】硬質炭素被膜は、滑り性に優れるため半田
やリードフレーム材料等の金属が付着し難いうえ、表面
の平滑度が非常に高く且つ摩耗し難いため平滑度の崩れ
が非常に少なく、従って付着抑制効果が高められるもの
と考えられる。又、硬質炭素被膜はセラミックスとの熱
膨張差が少く、基材となるセラミックスは成膜時の温度
条件に関する制限が金属材料に比べて少ないため、高い
密着力が得られる。
【００２８】この硬質炭素被膜においても、半田やリー
ドフレーム材料の付着を抑制するためには、成膜後の表
面が１０点平均最大高さ粗さで１μｍ以下、更にこ好ま
しくは０.５μｍ以下であることが望ましい。上記範囲
の表面粗さを得るためには、成膜方法及びその条件の選
択により達成することも可能であるが、基材となるセラ
ミックスの表面粗さを１０点平均最大高さ粗さで１μｍ
以下、更にこ好ましくは０.５μｍ以下に調整し、この
表面上に成膜することが望ましい。又、これにより硬質
炭素被膜の密着力が高められ、被膜の剥離を一層抑制す
ることが可能となる。
【００２９】硬質炭素被膜の膜厚は、０.１μｍ未満で
はリードフレーム加工時の耐久性に問題があり、逆に１
０未満を越えると成膜時の寸法精度維持が困難になるう
え、成膜に長時間を要するため工業的に不利である。こ
の膜厚は０.３μｍ以上であればメンテナンス時の万一
の損傷にも十分耐え、且つ５μｍ以下であれば成膜が短
時間で済むので、０.３〜５μｍの範囲が更に好まし
い。
【００３０】尚、硬質炭素被膜の成膜方法については特
に制限はなく、イオンプレーティング法、スパッタリン
グ法、プラズマＣＶＤ法等が利用できる。ただし、金型
は一般に複雑形状であるため、被膜の密着力を向上させ
るためには金型の個々の形状ごとに、成膜面の清浄化処
理等の前処理条件に加えて、温度や真空度等の成膜条件
の最適化を図ることが望ましい。
【００３１】又、基材となる金型のセラミックスも、Ｆ
ｅ及びＣｏの含有量が１００ｐｐｍ未満のものであれば
特に制限はないが、窒化ケイ素及び／又はサイアロン
や、炭化ケイ素等の窒化物、炭化物が、密着力を支配す
る表面酸素量が少ない点で好ましい。
【００３２】特に、前記した３点曲げ強度１００ｋｇ／
ｍｍ2以上、シャルピー衝撃値０.１ｋｇ・ｍ／ｃｍ2以
上、気孔率３％以下、最大気孔径２０μｍ以下の高強度
セラミックス上に硬質炭素被膜を設けた場合、被膜の表
面粗さが小さくなり且つ密着力が向上する。これは、市
販のセラミックスでは表面に３０〜５０μｍ、場合によ
っても１００μｍを越える多数の気孔が存在するため、
気孔部分での成膜が困難で局部的に成膜できなかった
り、密着力の低い箇所が生じるが、上記高強度セラミッ
クスでは気孔が少なく、これらの不都合が生じないため
である。
【００３３】上述した本発明のセラミックス金型では、
上記のごとく半田やリードフレーム材料の付着が抑制さ
れるばかりでなく、セラミックスや硬質炭素被膜の優れ
た化学的安定性を利用することで、薬品処理等により付
着物を容易に除去することが可能である。従って、金属
製金型では定期的に金型を取り外してラッピング等の処
理を行っていた従来に比較して、生産性を大幅に向上さ
せることができる。
【００３４】具体的なクリーニング方法は、リードフレ
ームの連続加工により付着した半田等の付着物を除去す
るため、付着物を溶解できる酸の水溶液で処理する。使
用する酸は、価格及び入手の容易さから塩酸、硫酸又は
硝酸が好ましく、これらの混酸を用いることもできる。
又、水溶液の酸濃度は、使用する酸の種類と付着物の量
等を考慮して１０〜９０重量％の範囲で適宜定める。
【００３５】酸水溶液の温度については、酸の拡散によ
る他の部品への腐食を防止するため室温程度とすること
が望ましいが、８０℃程度に加温すれば付着物の除去速
度を上げることができる。又、酸水溶液を金型に適用す
る方法は特に限定されない。例えば、酸水溶液を含浸さ
せたブラシや布等で付着物を除去する方法、ノズルによ
り酸水溶液を吹き付ける方法等を用いることもできる。
【００３６】上記酸水溶液での処理後、金型に残る酸が
リードフレームに付着することを防ぐため、次に水又は
酸腐食抑制剤を含む水溶液で処理する。更に、アセトン
やアルコール等の有機溶媒で処理すれば、金型に残留し
た水分を除去できる。酸腐食抑制剤としては市販のポリ
アミン誘導体等を用いることができる。
【００３７】尚、上記のクリーニング処理中には、酸が
気化して他の金属部品を腐食させたり、酸腐食抑制剤や
有機溶媒の気化による作業者への影響を避けるため、金
型の知覚にダクトを設けて排気することが望ましい。
【００３８】
【実施例】実施例１ 下記表１に示す市販の鋼と超硬合金、及び各種セラミッ
クス材料を用いて、加工部の櫛歯の横幅０.４５ｍｍ、
長さ３.８ｍｍ、厚さ０.９ｍｍ、櫛歯センター間のピッ
チ１.２ｍｍ、櫛歯の数２５からなるリードフレームの
タイバーカット金型を作製した。金型先端部の櫛歯部分
の加工は、レジン又はメタルボンドを用いたダイヤモン
ド切断砥石を用い、砥石の周速度４０〜１００ｍ／秒、
砥石回転中の砥石幅方向及び円周方向への振動振幅０.
５μｍ以下（光学的センサーでの検出値）、金型材料の
送り速度４０〜１００ｍ／分、切込み速度０.５〜３ｍ
／分の条件にて、レシプロ方式のプランジカット加工に
より行った。
【００３９】これらの材料のＦｅ及びＣｏの含有量（重
量％）、ＪＩＳ Ｒ１６０１に準拠した３点曲げ強度
（ｋｇ／ｍｍ2）、シャルピー衝撃値（ｋｇ・／ｃ
ｍ2）、気孔率（％）及び最大気孔径（μｍ）を表１に
併せて示した。気孔率は理論密度と実際密度の差から算
出し、最大気孔径は任意の２次元断面を１０点平均最大
高さ粗さで０.１μｍ以下に鏡面ラッピング加工した
後、５００μｍ×５００μｍの視野について光学顕微鏡
観察により測定して求めた。
【００４０】得られた各金型を用いて、Ｃｕ系リードフ
レームのタイバーを切断し、金型寿命をそれぞれ評価し
た。尚、金型寿命は、櫛歯にその厚さの５０％以上のチ
ッピングや摩耗量が生じた時点を寿命と判定し、それま
での加工ショット数を鋼製金型（試料１）を基準とした
相対比較により評価した。得られた評価結果を表１に示
した。
【００４１】
【表１】 金 型 含有量(wt％) 曲げ強度 シャルヒ゜ー衝撃値 気孔率 最大気孔 寿命試料 材 料 Ｆｅ Ｃｏ (kg/mm2) (kg・m/cm2) (％) (μm) 評価 1＊ タ゛イス鋼 85 4 ― ― ― ― 1 2＊ 超硬 1 1 280 0.52 0.1 10 1.1 3＊ Si3N4 1.2 0.001 80 0.03 1.2 28 1.2 4＊ Si3N4 0.02 0.001 80 0.03 1.2 28 1.3 5 Si3N4 0.005 0.001 80 0.03 1.2 28 1.8 6 Si3N4 0.005 0.001 130 0.13 0.8 13 2.0 7 Si3N4 0.001 0.001 130 0.13 0.8 13 2.4 8 Si3N4 <0.001 <0.001 160 0.17 0.6 11 3.1 9 ZrO2 0.001 0.002 200 0.32 0.2 5 2.9 （注）表中の＊を付した試料は比較例である。
【００４２】上記の結果から、ＦｅとＣｏの含有量が１
００ｐｐｍ未満のセラミックス材料からなる金型を用い
ることにより、金型の耐摩耗性が改善され、櫛歯間隔が
狭いタイバーカット金型においても寿命が延び、長時間
にわたり連続して精度良くリードフレームの打ち抜き成
形加工ができることが分かる。
【００４３】実施例２ 図１に示す曲げダイ４とパンチ３からなる金型を用い
て、半導体装置１のリードフレーム２の曲げ成形加工を
行った。金型は下記表２に示す各種材料を用いて作製
し、その内のセラミックス材料については下記表３にそ
の特性を示した。
【００４４】各金型を用いて、半田メッキ処理されたＣ
ｕ系リードフレームを持つ半導体装置を各４０００個づ
つ連続曲げ成形加工した後、リード間隔の精度分布（平
均値と最大値）を測定し、結果を表２に示した。尚、表
２に示した１０点平均最大高さ粗さＲZは、図１に示す
金型の曲げダイ４のＡ部を測定した値である。
【００４５】
【表２】 （注）表中の＊を付した試料は比較例である。
【００４６】
【表３】
【００４７】上記の結果から、従来の鋼や超硬合金材料
に比べセラミックス材料、特に窒化ケイ素、サイアロ
ン、ジルコニア、炭化ケイ素、アルミナが好ましいこと
が分かる。又、試料１３〜１７の比較により、セラミッ
クス金型中のＦｅ及びＣｏ量を１００ｐｐｍ未満、更に
５０ｐｐｍ未満、２０ｐｐｍ未満と減らすことにより、
半田の付着が抑制され、精度良く加工できることが分か
る。更に、試料１５、１８、１９から、加工部表面のＲ
Zが小さくなる程半田の付着抑制効果が発現されること
が分かる。
【００４８】実施例３ 下記表４に示す材料からなる金型を用いて、実施例２と
同様に、半田メッキ処理されたＣｕ系リードフレームを
持つ半導体装置を連続曲げ成形加工し、金型寿命を評価
した。金型寿命の評価は、付着物によりクリーニング処
理が必要となるまでの加工数により、試料２６の加工数
を基準とする相対比較を行った。尚、金型表面のＲZは
０.２μｍ未満に統一した。又、気孔率及び最大気孔径
は実施例１と同様にして測定した。
【００４９】
【表４】 金 型 含有量(ppm) 曲げ強度 シャルヒ゜ー衝撃値 気孔率 最大気孔 寿命試料 材 料 Ｆｅ Ｃｏ (kg/mm2) (kg・m/cm2) (％) (μm) 評価 26＊ 超硬 1 1 280 0.52 0.1 10 1 27 SiC 50 20 58 0.011 3.4 32 1.2 28 Al2O3−TiC 10 10 90 0.018 3.2 26 1.4 29 Al2O3 50 30 43 0.012 2.8 20 1.3 30 Si3N4 <10 <10 83 0.072 1.3 28 1.5 31 サイアロン <10 <10 102 0.105 0.9 18 2.0 32 Si3N4 <10 <10 156 0.162 0.3 11 2.5 33 ZrO2 30 20 186 0.232 0.4 10 2.2 （注）表中の＊を付した試料は比較例である。
【００５０】この結果から、セラミックス材料を用いた
金型は従来の超硬合金製の金型よりも欠損やチッピング
が少なく、金型寿命が延長されること、特にＪＩＳ Ｒ
１６０１に準拠する３点曲げ強度が１００ｋｇ／ｍｍ2
以上、シャルピー衝撃値が０.１ｋｇ・ｍ／ｃｍ2以上、
気孔率が３％以下、及び最大気孔径が２０μｍ以下であ
るセラミックス材料を用いた金型で寿命の延長が大きい
ことが分かる。
【００５１】実施例４ 下記表５に示す各セラミックス材料からなる金型を用い
て、実施例３と同様に金型の寿命評価を行い、結果を表
５に併せて示した。寿命評価は、前記実施例３の試料１
の加工数を基準とした相対比較により行った。
【００５２】表５中のセラミックス材料の結晶粒径（μ
ｍ）は、任意の２次元断面を鏡面ラッピング加工した
後、化学エッチングした面について任意の５０μｍ×５
０μｍの視野をＳＥＭ観察し、任意の５０個の結晶粒子
の粒径を測定して求めた平均値である。又、各セラミッ
クス材料中のＦｅ及びＣｏの含有量は共に１０ｐｐｍ未
満に調整し、金型表面のＲZは全て０.２μｍ未満に統一
した。
【００５３】尚、ＺｒＯ2の場合、平均粒径０.６μｍ以
下でＢＥＴ値１２〜１８ｍ2／ｇの粉末原料に、焼結助
剤としてイットリア、マグネシア、カルシア及びアルミ
ナの内の１種の粉末を添加して、大気中又は真空中にて
２〜１５℃／分で昇温し、１３５０〜１７００℃で１〜
６時間焼結した。更に試料３６〜３８については、前記
焼結後１０００気圧のアルゴン中にて１３５０〜１７０
０℃で１時間ＨＩＰ処理した。
【００５４】又、Ｓｉ3Ｎ4とサイアロンについては、平
均粒径０.７μｍ以下でＢＥＴ値１０〜１５ｍ2／ｇの粉
末原料に、焼結助剤としてイットリア、マグネシア、チ
タニア及び窒化アルミニウムの内の１種以上の粉末を添
加して、１〜９.８気圧の窒素中にて５〜１５℃／分で
昇温し、１５００〜１８００℃で１〜６時間焼結した。
更に試料４１〜４５、４９〜５２については、前記焼結
後１０００気圧の窒素中にて１５００〜１７００℃で１
時間ＨＩＰ処理した。試料４３〜４５、４９及び５０
は、β−Ｓｉ3Ｎ4又はβ’−サイアロンとα−Ｓｉ3Ｎ4
又はα’−サイアロンの混在した結晶相を有する焼結体
であった。
【００５５】
【表５】 金 型 主成分 結晶粒径 曲げ強度 シャルヒ゜ー衝撃値 気孔率 最大気孔 寿命試料 材 料 (wt％) (μm) (kg/mm2) (kg・m/cm2) (％) (μm) 評価 34 ZrO2 90 0.9 93 0.09 2.1 25 1.4 35 ZrO2 99.5 1.8 85 0.08 2.5 18 1.6 36 ZrO2 92 0.5 142 0.17 0.6 18 2.2 37 ZrO2 93 0.4 169 0.19 0.8 8 2.4 38 ZrO2 95 0.4 205 0.32 0.2 25 2.4 39 Si3N4 86 2.4 95 0.04 1.8 30 1.6 40 Si3N4 99 5.4 73 0.02 2.6 14 1.5 41 Si3N4 92 1.8 132 0.13 0.8 12 2.3 42 Si3N4 92 4.8 124 0.13 0.7 25 2.1 43 Si3N4 94 1.3 160 0.19 0.6 8 2.6 44 Si3N4 94 2.3 152 0.18 0.7 10 2.5 45 Si3N4 96.5 1.5 145 0.17 0.6 11 2.4 46 サイアロン 82 2.5 90 0.03 1.9 26 1.5 47 サイアロン 99.5 8.6 65 0.02 2.8 32 1.4 48 サイアロン 92 1.9 115 0.12 0.9 14 2.1 49 サイアロン 94 1.5 172 0.18 0.8 8 2.7 50 サイアロン 96 1.7 156 0.16 0.8 12 2.5 51 サイアロン 94 4.5 126 0.14 0.7 13 2.2 52 サイアロン 96 2.2 154 0.12 0.6 8 2.5 （注）試料３９〜５２の結晶粒径は長軸方向における平
均結晶粒径である。
【００５６】以上の結果から、セラミックス材料がＳｉ
3Ｎ4及び／又はサイアロンを総量で８８〜９８重量％含
み、β−Ｓｉ3Ｎ4又はサイアロンの長軸方向の平均結晶
粒径が５μｍ以下である場合、強度特性及び耐摩耗性に
優れ、金型寿命がより一層延長されることが分かる。
又、セラミックス材料がＺｒＯ2を９２〜９９重量％含
み、ＺｒＯ2の平均結晶粒径が１.５μｍ以下である場合
も、同様な理由で金型寿命が一層延長されることが分か
る。
【００５７】実施例５ 下記表６に示す硬質炭素被膜を設けた各材料からなる金
型を用いて、実施例３と同様に金型の寿命評価を行い、
その結果を表６に併せて示した。尚、寿命評価は前記実
施例３の試料１の加工数を基準とする相対比較で行っ
た。又、１０点平均最大高さ粗さＲZは、実施例２と同
様に図１に示すＡ部で測定し、表６の基材の欄は成膜前
の基材の表面粗さを、及び膜面の欄は成膜後の硬質炭素
被膜の表面粗さを表す。又、使用した各材料の特性を、
下記表７に示した。
【００５８】硬質炭素被膜の形成は高周波放電によるプ
ラズマＣＶＤ法により行った。まず金型表面の汚れを落
とすため、界面活性剤と有機溶媒を用いて洗浄した後、
成膜装置中でイオンクリーニングした。イオンクリーニ
ングは、５×１０-6Ｔｏｒｒまで排気した装置内に０.
２ＴｏｒｒになるまでＡｒガスを投入し、１３.５６Ｍ
Ｈｚの高周波電源を用いて放電を発生させ、５分間クリ
ーニングした。次に、装置内を再度５×１０-6Ｔｏｒｒ
に排気した後、０.２Ｔｏｒｒまでメタンガスを投入
し、高周波電源を用いて放電させることにより硬質炭素
被膜を成膜した。
【００５９】
【表６】 含有量(wt％) 膜厚 ＲZ(μｍ) 寿命試料 金型材料 Ｆｅ Ｃｏ (μm) 基材 膜面 評価 53 超硬合金 1 1 1 0.2 0.1 1.2 54 Si3N4(a) 1.2 0.01 1 0.2 0.1 1.2 55 サイアロン <0.001 <0.001 0.05 0.2 0.1 2.5 56 サイアロン <0.001 <0.001 0.1 0.2 0.1 3.0 57 サイアロン <0.001 <0.001 0.3 0.2 0.1 3.4 58 サイアロン <0.001 <0.001 1 0.2 0.1 4.1 59 サイアロン <0.001 <0.001 5 0.2 0.1 4.0 60 サイアロン <0.001 <0.001 10 0.2 0.1 3.6 61 サイアロン <0.001 <0.001 12 0.2 0.1 2.5 62 サイアロン 0.002 0.001 1 0.2 0.1 3.7 63 サイアロン 0.005 0.003 1 0.2 0.1 3.3 64 サイアロン 0.01 0.005 1 0.2 0.1 2.6 65 Si3N4(b) 0.005 0.003 1 0.2 0.1 3.3 66 Si3N4(b) 0.005 0.003 2 0.8 0.2 3.1 67 Si3N4(b) 0.005 0.003 3 1.5 0.2 2.9 68 Si3N4(b) 0.005 0.003 2 1.5 0.8 2.6 69 Si3N4(b) 0.005 0.003 0.8 1.5 1.2 2.2 70 SiC 0.005 0.001 1 0.1 0.1 1.5 71 Al2O3 0.003 0.003 1 0.2 0.1 1.4 72 ZrO2 0.001 0.002 1 0.2 0.1 2.6
【００６０】
【表７】
【００６１】この結果から、セラミックス金型の加工部
表面に硬質炭素被膜を設けることにより、半田等の付着
物が抑制され、金型寿命が延長されることが分かる。特
に試料５５〜６１の比較から、硬質炭素被膜の膜厚を
０.１〜１０μｍの範囲とすることで、被膜の耐久性が
向上し更に好ましい結果が得られことが分かる。
【００６２】又、基材となるセラミックス中のＦｅ及び
Ｃｏの含有量が１００ｐｐｍ未満、好ましくは５０ｐｐ
ｍ未満、更に好ましくは２０ｐｐｍ未満であると、被膜
の密着性が改善されて耐久性が一層向上することが、試
料５８と６２〜６４の比較から分かる。基材のセラミッ
クスの表面粗さについては試料６５〜６７からＲZで１
μｍ以下、好ましくは０.５μｍ以下にすること、被膜
の表面粗さは試料６７〜６９かＲZで１μｍ以下、好ま
しくは０.５μｍ以下とすることにより、更に良好な結
果が得られることが分かる。
【００６３】実施例６ 金型材料が鋼、超硬合金、窒化ケイ素、サイアロン、ア
ルミナ、炭化ケイ素、アルミナ−炭化チタン、ジルコニ
ア、及び硬質炭素被膜を設けたサイアロンからなる金型
を用い、それぞれ図１に示すごとく半導体装置のリード
フレームを連続整形加工した。半田等の付着により金型
のメンテナンスが必要となった時点で、それぞれ３５％
塩酸水溶液、１２％塩酸水溶液、１０％硝酸水溶液、８
０％硫酸水溶液を用い、それぞれ金型をクリーニングし
て付着物を除去し、次にポリアミン誘導体の１重量％水
溶液からなる酸腐食抑制剤で洗浄した。
【００６４】その結果、鋼及び超硬合金からなる金型で
は腐食による形状崩れが生じたが、他のセラミックス金
型及び硬質炭素被膜を設けたセラミックス金型では問題
となるような腐食は発生せず、付着物のみを完全に除去
することができた。又、酸水溶液による付着物の除去及
びその後の酸腐食抑制剤による処理に要した時間は、従
来行われていたラッピング処理による付着物除去に要し
た時間のほぼ１／１０であった。
【００６５】又、上記実施例では酸水溶液処理後に酸腐
食抑制剤で金型を処理したが、酸腐食抑制剤の代わりに
水を用いた場合には、その後に整形加工したリードフレ
ームの表面が曇る程度の軽い腐食が認められた。
【００６６】尚、酸水溶液の濃度が１０％未満では、半
田等の付着物を完全に除去することは困難であった。
又、セラミックス材料中に含まれるＦｅ及びＣｏが１０
０ｐｐｍ以上の場合には、セラミックス金型のエッジに
腐食が確認された。
【００６７】以上の結果から、ＦｅとＣｏの含有量が１
００ｐｐｍ未満のセラミックス材料又はこれに硬質炭素
皮膜を設けた金型においては、酸水溶液を用いて半田等
の付着物を短時間で化学的に簡単に除去でき、しかも金
型形状を崩すこともなく、その後水や酸腐食抑制剤で洗
浄することで金型やリードフレームの腐食も防止できる
ことが分かる。
【００６８】
【発明の効果】本発明によれば、耐摩耗性の向上と加工
部形状の高精密加工を達成でき、しかもリードフレーム
材料や半田材料との化学的反応性を抑制し、それらが金
型表面へ付着することを抑制し、長期間にわたって加工
精度を維持できる、長寿命のリードフレーム加工用セラ
ミックス金型を提供することができる。
【００６９】しかも、このセラミックス金型において
は、半田等の付着物を化学的な簡単な方法で短時間に除
去することができ、耐摩耗性の向上等による寿命の延長
と併せて、リードフレームの切断及び整形等の加工能
率、及び生産性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】半導体装置のリードフレームの曲げ整形加工を
説明するための金型の概略の側面図である。
【符号の説明】
１ 半導体装置 ２ リードフレーム ３ パンチ ４ 曲げダイ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年２月２７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】そのため、付着した半田を除去するため、
定期的に金型を装置から取り外し、付着している半田を
ラッピングして除去する必要あった。具体的な金型のク
リーニング方法としては、例えば特開平４−２８０５０
０号公報には、リードフレームのアウターリードの曲げ
成形時に製品の移動機構と連動するブラシクリーニング
又はエアブロークリーニング機構を取り付け、金型に付
着した半田を強制的に除去する方法が提示されている。
しかし、金型に付着した半田を機械的に除去する方法で
は、その取付スペースの確保や改造が必要となるうえ、
金型の形状崩れが起こりやすく、金型寿命が短くなる欠
点があった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】又、特開昭６３−２０３２２２号公報及び
同２０３２２３号公報には、金属加工用の鋼又は超硬合
金製金型の表面に、プラズマＣＶＤ法によってＳｉ
3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3、ダイヤモンド、ＳｉＣ等の被膜を形成
することが記載されている。更に、特開昭６４−６２４
６８号公報には、金属又はセラミックス製金型の表面
に、厚さ０.１〜１０μｍのダイヤモンドの硬質被膜を
プラズマＣＶＤ法等の手段で形成する方法が記載されて
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 樋口 松夫 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップを装着したリードフレーム
    を切断・整形加工するための金型において、少なくとも
    その加工部が鉄及びコバルトの含有量が合計で１００ｐ
    ｐｍ未満のセラミックス材料からなることを特徴とする
    リードフレーム加工用セラミックス金型。
  2. 【請求項２】 前記セラミックス材料からなる加工部の
    表面粗さが、ＪＩＳＢ０６０１に準拠する１０点平均最
    大高さ粗さで１μｍ以下であることを特徴とする、請求
    項１に記載のリードフレーム加工用セラミックス金型。
  3. 【請求項３】 前記セラミックス材料が、窒化ケイ素及
    び／又はサイアロン、ジルコニア、炭化ケイ素、若しく
    はアルミナであることを特徴とする、請求項１又は２に
    記載のリードフレーム加工用セラミックス金型。
  4. 【請求項４】 前記セラミックス材料の曲げ強度がＪＩ
    Ｓ Ｒ１６０１に準拠する３点曲げ強度で１００ｋｇ／
    ｍｍ2以上、シャルピー衝撃値が０.１ｋｇ・ｍ／ｃｍ2以
    上、気孔率が３％以下、及び最大気孔径が２０μｍ以下
    であることを特徴とする、請求項３に記載のリードフレ
    ーム加工用セラミックス金型。
  5. 【請求項５】 前記セラミックス材料が窒化ケイ素及び
    ／又はサイアロンを総量で８８〜９８重量％含み、β型
    の窒化ケイ素及び／又はサイアロンの長軸方向の平均結
    晶粒径が５μｍ以下であることを特徴とする、請求項３
    又は４に記載のリードフレーム加工用セラミックス金
    型。
  6. 【請求項６】 前記セラミックス材料がジルコニアを９
    ２〜９９重量％含み、ジルコニアの平均結晶粒径が１.
    ５μｍ以下であることを特徴とする、請求項３又は４に
    記載のリードフレーム加工用セラミックス金型。
  7. 【請求項７】 前記セラミックス材料からなる加工部の
    表面に、膜厚０.１〜１０μｍの硬質炭素被膜を設けた
    ことを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のリ
    ードフレーム加工用セラミックス金型。
  8. 【請求項８】 半導体チップを装着したリードフレーム
    を切断・整形加工するための金型から付着物を除去する
    ためのクリーニング方法において、少なくともその加工
    部が鉄及びコバルトの含有量が合計で１００ｐｐｍ未満
    のセラミックス材料からなるか又はその表面に膜厚０.
    １〜１０μｍの硬質炭素被膜を設けたセラミックス金型
    を、酸の水溶液で処理し、次に水又は酸腐食抑制剤を含
    む水溶液で処理することを特徴とするリードフレーム加
    工用セラミックス金型のクリーニング方法。
  9. 【請求項９】 前記酸の水溶液が、塩酸、硫酸又は硝酸
    を１０〜９０重量％含む水溶液であることを特徴とす
    る、請求項８に記載のリードフレーム加工用セラミック
    ス金型のクリーニング方法。
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Cited By (1)

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JP2003078095A (ja) * 2001-08-31 2003-03-14 Sony Corp リード加工装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100284708B1 (ko) 1998-01-24 2001-04-02 구본준, 론 위라하디락사 실리콘박막을결정화하는방법
EP1193233A1 (en) * 2000-02-07 2002-04-03 Ibiden Co., Ltd. Ceramic substrate for semiconductor production/inspection device
WO2001059833A1 (en) * 2000-02-08 2001-08-16 Ibiden Co., Ltd. Ceramic board for semiconductor production and inspection devices
KR100712715B1 (ko) * 2001-01-31 2007-05-04 도시바세라믹스가부시키가이샤 표면에 미세한 돌기를 형성시킨 세라믹스부재 및 그제조방법
US6683227B2 (en) 2001-06-13 2004-01-27 Gerald M. Platz Resource recovery of waste organic chemicals by thermal catalytic conversion
WO2008079083A1 (en) * 2006-12-27 2008-07-03 Sandvik Intellectual Property Ab Punch for cold forming operations
US20110027714A1 (en) * 2009-07-29 2011-02-03 Xerox Corporation Toner compositions
CN110434256B (zh) * 2019-07-29 2020-09-01 安徽国晶微电子有限公司 集成电路刀具

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6054978A (ja) * 1983-09-06 1985-03-29 住友電気工業株式会社 非鉄金属および非鉄合金用塑性加工工具
JPS6448625A (en) * 1987-08-14 1989-02-23 Toyo Seikan Kaisha Ltd Forming tool for container member
US5095730A (en) * 1988-03-30 1992-03-17 Advanced Composite Materials Corporation Whisker reinforced ceramic material working tools

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003078095A (ja) * 2001-08-31 2003-03-14 Sony Corp リード加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
PH30849A (en) 1997-11-05
TW337594B (en) 1998-08-01
US5582215A (en) 1996-12-10

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