JPH07285934A - 脱保護法 - Google Patents
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- JPH07285934A JPH07285934A JP6078268A JP7826894A JPH07285934A JP H07285934 A JPH07285934 A JP H07285934A JP 6078268 A JP6078268 A JP 6078268A JP 7826894 A JP7826894 A JP 7826894A JP H07285934 A JPH07285934 A JP H07285934A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Indole Compounds (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 キノロン系合成抗菌薬の合成中間体として有
用な化合物の簡便な製法を提供する。 【構成】 式（Ｉ） 【化１】 で表される化合物を、ギ酸またはその塩を水素源として
水素化分解し、式（II） 【化２】 で表される化合物を製造する（式中、R1は水素原子また
は第三級ブトキシカルボニル基を意味し、R2は水素原子
またはメチル基を意味し、n は整数の 2または 3であ
る。）。
用な化合物の簡便な製法を提供する。 【構成】 式（Ｉ） 【化１】 で表される化合物を、ギ酸またはその塩を水素源として
水素化分解し、式（II） 【化２】 で表される化合物を製造する（式中、R1は水素原子また
は第三級ブトキシカルボニル基を意味し、R2は水素原子
またはメチル基を意味し、n は整数の 2または 3であ
る。）。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、抗菌性化合物の合成原
料として有用な化合物の製造法に関するものである。
料として有用な化合物の製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】式（II）
【０００３】
【化６】 （式中、R1は水素原子、または第三級ブトキシカルボニ
ル基を意味し、n は整数の 2または 3である。）で表さ
れる化合物は、抗菌性化合物の製造中間体として有用で
ある（特開平2-231475号、特開平3-95176号公報参照。
なお、以下では化合物（II）ということもある。他の番
号の式の化合物についても同様である。）。この化合物
は、式（Ｉ）
ル基を意味し、n は整数の 2または 3である。）で表さ
れる化合物は、抗菌性化合物の製造中間体として有用で
ある（特開平2-231475号、特開平3-95176号公報参照。
なお、以下では化合物（II）ということもある。他の番
号の式の化合物についても同様である。）。この化合物
は、式（Ｉ）
【０００４】
【化７】 （式中、R1は水素源子、または第三級ブトキシカルボニ
ル基を意味し、R2は水素原子、またはメチル基を意味
し、n は整数の 2または 3である。）で表される化合物
を金属触媒の存在下に水素化分解して行っていた。
ル基を意味し、R2は水素原子、またはメチル基を意味
し、n は整数の 2または 3である。）で表される化合物
を金属触媒の存在下に水素化分解して行っていた。
【０００５】なお、化合物（Ｉ）または（II）において
ｎの値が２であるときはアザスピロ[2.4] ヘプタン骨格
となり、またｎの値が３のときはアザスピロ[3.4] オク
タン骨格となる。
ｎの値が２であるときはアザスピロ[2.4] ヘプタン骨格
となり、またｎの値が３のときはアザスピロ[3.4] オク
タン骨格となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の方
法は水素化分解反応に際して４から20気圧の水素圧を必
要とし、また、反応を促進させるために塩酸等を添加す
ることがあるが、この際には第三級ブトキシカルボニル
基が切断されてしまうことがあった。
法は水素化分解反応に際して４から20気圧の水素圧を必
要とし、また、反応を促進させるために塩酸等を添加す
ることがあるが、この際には第三級ブトキシカルボニル
基が切断されてしまうことがあった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者らは鋭意
検討の結果、水素源としてギ酸またはその塩を使用して
水素化分解を行えば、常温および常圧の条件下で保護基
の脱離が速やかに進行することを見いだした。すなわ
ち、この方法で水素化分解を行えばオートクレーブ等の
密閉加圧装置が不要となり、通常の反応設備によって簡
便かつ収率よく目的の化合物を得ることができることを
見いだし、本発明を完成した。
検討の結果、水素源としてギ酸またはその塩を使用して
水素化分解を行えば、常温および常圧の条件下で保護基
の脱離が速やかに進行することを見いだした。すなわ
ち、この方法で水素化分解を行えばオートクレーブ等の
密閉加圧装置が不要となり、通常の反応設備によって簡
便かつ収率よく目的の化合物を得ることができることを
見いだし、本発明を完成した。
【０００８】すなわち本発明は、式（Ｉ）
【０００９】
【化８】 （式中、R1は水素原子または第三級ブトキシカルボニル
基を意味し、R2は水素原子またはメチル基を意味し、n
は整数の 2または 3である。）で表される化合物を、ギ
酸またはその塩の存在下に水素化分解することを特徴と
する式（II）
基を意味し、R2は水素原子またはメチル基を意味し、n
は整数の 2または 3である。）で表される化合物を、ギ
酸またはその塩の存在下に水素化分解することを特徴と
する式（II）
【００１０】
【化９】 （式中、R1および nは前記の定義に等しい。）で表され
る化合物の製法に関する。
る化合物の製法に関する。
【００１１】また本発明は、前記の式（Ｉ）で表される
化合物を、ギ酸もしくはその塩、溶媒および触媒の存在
下に処理することを特徴とする、前記の式（II）で表さ
れる化合物の製法に関する。
化合物を、ギ酸もしくはその塩、溶媒および触媒の存在
下に処理することを特徴とする、前記の式（II）で表さ
れる化合物の製法に関する。
【００１２】さらに本発明は、前記の式（Ｉ）で表され
る化合物を、ギ酸またはその塩を水素源として使用して
水素化分解することを特徴とする、前記の式（II）で表
される化合物の製法に関する。
る化合物を、ギ酸またはその塩を水素源として使用して
水素化分解することを特徴とする、前記の式（II）で表
される化合物の製法に関する。
【００１３】また本発明は、前記の式（Ｉ）で表される
化合物を、触媒およびギ酸またはその塩の存在下に水素
化分解することを特徴とする、前記の式（II）で表され
る化合物の製法に関する。
化合物を、触媒およびギ酸またはその塩の存在下に水素
化分解することを特徴とする、前記の式（II）で表され
る化合物の製法に関する。
【００１４】そして本発明は、水素源がギ酸である上記
の製法に関する。
の製法に関する。
【００１５】さらに本発明は、水素源がギ酸アンモニウ
ムである上記の製法に関する。
ムである上記の製法に関する。
【００１６】また本発明は、触媒がパラジウム系触媒か
ら選ばれる触媒である上記の製法に関する。
ら選ばれる触媒である上記の製法に関する。
【００１７】そして本発明は、触媒が、パラジウム炭
素、パラジウム−硫酸バリウムおよびパラジウム黒から
なる群から選ばれる触媒である上記の製法に関する。
素、パラジウム−硫酸バリウムおよびパラジウム黒から
なる群から選ばれる触媒である上記の製法に関する。
【００１８】さらに本発明は、触媒がパラジウム炭素で
ある上記の製法に関する。
ある上記の製法に関する。
【００１９】また本発明は、前記の式（Ｉ）の化合物に
おいて、n の値が 2である上記の製法に関する。
おいて、n の値が 2である上記の製法に関する。
【００２０】そして本発明は、前記の式（Ｉ）の化合物
において、置換基
において、置換基
【００２１】
【化１０】-NH-R1 が S- 配置に結合した化合物である上記の製法に関す
る。
る。
【００２２】さらに本発明は、5-ベンジル-7-(S)-t- ブ
トキシカルボニルアミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプタン
を、ギ酸またはギ酸アンモニウムを水素源として接触水
素化分解することを特徴とする7-(S)-t-ブトキシカルボ
ニルアミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプタンの製法に関す
る。
トキシカルボニルアミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプタン
を、ギ酸またはギ酸アンモニウムを水素源として接触水
素化分解することを特徴とする7-(S)-t-ブトキシカルボ
ニルアミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプタンの製法に関す
る。
【００２３】また本発明は、5-ベンジル-7-(S)-t- ブト
キシカルボニルアミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプタンを
メタノール中において、パラジウム系触媒およびギ酸を
もしくはギ酸アンモニウムの存在下に処理することを特
徴とする7-(S)-t-ブトキシカルボニルアミノ-5- アザス
ピロ[2.4] ヘプタンの製法に関する。
キシカルボニルアミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプタンを
メタノール中において、パラジウム系触媒およびギ酸を
もしくはギ酸アンモニウムの存在下に処理することを特
徴とする7-(S)-t-ブトキシカルボニルアミノ-5- アザス
ピロ[2.4] ヘプタンの製法に関する。
【００２４】そして本発明は、5-ベンジル-7-(S)-t- ブ
トキシカルボニルアミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプタン
をメタノール中において、パラジウム系触媒およびギ酸
もしくはギ酸アンモニウム水素源存在下に室温で処理す
ることを特徴とする7-t-ブトキシカルボニルアミノ-5-
アザスピロ[2.4] ヘプタンの製法に関する。
トキシカルボニルアミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプタン
をメタノール中において、パラジウム系触媒およびギ酸
もしくはギ酸アンモニウム水素源存在下に室温で処理す
ることを特徴とする7-t-ブトキシカルボニルアミノ-5-
アザスピロ[2.4] ヘプタンの製法に関する。
【００２５】さらに本発明は、7-(S)-アミノ-5- ベンジ
ル-5- アザスピロ[2.4] ヘプタンを、ギ酸またはギ酸ア
ンモニウムを水素源として接触水素化分解することを特
徴とする7-(S)-アミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプタンの
製法に関する。
ル-5- アザスピロ[2.4] ヘプタンを、ギ酸またはギ酸ア
ンモニウムを水素源として接触水素化分解することを特
徴とする7-(S)-アミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプタンの
製法に関する。
【００２６】また本発明は、7-(S)-アミノ-5- ベンジル
-5- アザスピロ[2.4] ヘプタンをメタノール中におい
て、パラジウム系触媒およびギ酸もしくはギ酸アンモニ
ウムの存在下に処理することを特徴とする7-(S)-アミノ
-5- アザスピロ[2.4] ヘプタンの製法に関する。
-5- アザスピロ[2.4] ヘプタンをメタノール中におい
て、パラジウム系触媒およびギ酸もしくはギ酸アンモニ
ウムの存在下に処理することを特徴とする7-(S)-アミノ
-5- アザスピロ[2.4] ヘプタンの製法に関する。
【００２７】そして本発明は、7-(S)-アミノ-5- ベンジ
ル-5- アザスピロ[2.4] ヘプタンをメタノール中におい
て、パラジウム系触媒およびギ酸もしくはギ酸アンモニ
ウムの存在下に室温で処理することを特徴とする7-(S)-
アミノ-5- アザスピロ[2.4]ヘプタンの製法に関する。
ル-5- アザスピロ[2.4] ヘプタンをメタノール中におい
て、パラジウム系触媒およびギ酸もしくはギ酸アンモニ
ウムの存在下に室温で処理することを特徴とする7-(S)-
アミノ-5- アザスピロ[2.4]ヘプタンの製法に関する。
【００２８】本発明の方法について以下に説明する。
【００２９】本発明の方法に必要な水素源としては、ギ
酸またはその塩を使用すればよい。ギ酸塩としてはギ酸
アンモニウムを使用すればよい。ギ酸塩はギ酸よりも酸
性度が低いので、脱保護に供する化合物が酸に対して不
安定な場合に使用するのが好ましい。なお、本発明の条
件下では、ギ酸によって第三級ブトキシカルボニル基が
切断されないことも判明している。
酸またはその塩を使用すればよい。ギ酸塩としてはギ酸
アンモニウムを使用すればよい。ギ酸塩はギ酸よりも酸
性度が低いので、脱保護に供する化合物が酸に対して不
安定な場合に使用するのが好ましい。なお、本発明の条
件下では、ギ酸によって第三級ブトキシカルボニル基が
切断されないことも判明している。
【００３０】ギ酸またはその誘導体は、化合物（Ｉ）に
対して５から10倍量（モル比）程度の範囲で使用すれば
よい。
対して５から10倍量（モル比）程度の範囲で使用すれば
よい。
【００３１】金属触媒としては、触媒となる金属として
パラジウムを含有するところのパラジウム系の触媒を使
用すればよい。パラジウム系触媒としてはパラジウム炭
素、硫酸バリウムを担持体としたパラジウム−硫酸バリ
ウム、そしてパラジウム黒（パラジウムブラック）を使
用することができる。これらの中ではパラジウム炭素が
好ましい。
パラジウムを含有するところのパラジウム系の触媒を使
用すればよい。パラジウム系触媒としてはパラジウム炭
素、硫酸バリウムを担持体としたパラジウム−硫酸バリ
ウム、そしてパラジウム黒（パラジウムブラック）を使
用することができる。これらの中ではパラジウム炭素が
好ましい。
【００３２】金属触媒の使用量は、例えば5%パラジウム
炭素の場合には化合物（Ｉ）に対して 0.1から 0.3倍量
（重量比）を使用するのを目安とすればよいが、さらに
適宜増減してもよい。また、担体を含まない触媒の場合
には上記のパラジウム炭素の使用量において含有される
金属の量が使用量の目安となる。
炭素の場合には化合物（Ｉ）に対して 0.1から 0.3倍量
（重量比）を使用するのを目安とすればよいが、さらに
適宜増減してもよい。また、担体を含まない触媒の場合
には上記のパラジウム炭素の使用量において含有される
金属の量が使用量の目安となる。
【００３３】反応溶媒は、化合物（Ｉ）および（II）を
溶解し、反応に対して不活性でなものであればよい。た
とえば、メタノール、エタノール等のアルコール類が代
表的なものである。アルコール類は水との混合溶媒とな
っていてもよい。さらに、アンモニア水も溶媒として使
用することができる。
溶解し、反応に対して不活性でなものであればよい。た
とえば、メタノール、エタノール等のアルコール類が代
表的なものである。アルコール類は水との混合溶媒とな
っていてもよい。さらに、アンモニア水も溶媒として使
用することができる。
【００３４】また、水素源がギ酸のときは溶媒を兼ねさ
せることができる。この場合にはアンモニア水を加えて
もよい。
せることができる。この場合にはアンモニア水を加えて
もよい。
【００３５】溶媒の使用量は、化合物（Ｉ）に対して、
５から25倍量（体積／重量比。例えば化合物（Ｉ） 1 g
に対して溶媒 5 ml を使用すれば５倍量である。）を使
用すればよい。
５から25倍量（体積／重量比。例えば化合物（Ｉ） 1 g
に対して溶媒 5 ml を使用すれば５倍量である。）を使
用すればよい。
【００３６】また、反応は、０℃から溶媒の沸点の温度
範囲で実施すればよいが、好ましくは、15℃から25℃で
ある。
範囲で実施すればよいが、好ましくは、15℃から25℃で
ある。
【００３７】反応時間は５分から48時間の範囲で実施す
ればよいが、通常は１時間から10時間程度で水素化分解
は完了する。
ればよいが、通常は１時間から10時間程度で水素化分解
は完了する。
【００３８】本発明の方法は次に示す手順によって行え
ばよい。すなわち、化合物（Ｉ）を溶媒に溶解し、この
溶液に水素源としてギ酸またはギ酸塩を加えさらに金属
触媒を加える。この際には溶液を冷却して行うのがよい
こともある。そして適当な反応温度のもとで攪拌して水
素化分解を行う。反応終了後は触媒を除去した後に反応
液を濃縮し、通常使用されている方法によって単離精製
すればよい。なお、水素化分解は、水素添加分解という
こともあるが hydrogenolysis を意味している。本発明
の方法において水素化分解は金属触媒存在下の不均一系
の条件下で実施している。
ばよい。すなわち、化合物（Ｉ）を溶媒に溶解し、この
溶液に水素源としてギ酸またはギ酸塩を加えさらに金属
触媒を加える。この際には溶液を冷却して行うのがよい
こともある。そして適当な反応温度のもとで攪拌して水
素化分解を行う。反応終了後は触媒を除去した後に反応
液を濃縮し、通常使用されている方法によって単離精製
すればよい。なお、水素化分解は、水素添加分解という
こともあるが hydrogenolysis を意味している。本発明
の方法において水素化分解は金属触媒存在下の不均一系
の条件下で実施している。
【００３９】本発明の方法を置換基R1が水素原子である
化合物（Ｉ）に適用すると、R1が水素原子である式（I
I）の化合物が得られる。一方、R1がベンジル基や置換
ベンジル基、さらにはベンジルオキシカルボニル基や置
換ベンジルオキシカルボニル基である化合物に対して本
発明の方法を適用すれば、これらの置換基（保護基）の
脱離と環内の窒素原子上の保護基の脱離が同時に起こ
り、R1が水素原子である化合物（II）を得ることができ
る。
化合物（Ｉ）に適用すると、R1が水素原子である式（I
I）の化合物が得られる。一方、R1がベンジル基や置換
ベンジル基、さらにはベンジルオキシカルボニル基や置
換ベンジルオキシカルボニル基である化合物に対して本
発明の方法を適用すれば、これらの置換基（保護基）の
脱離と環内の窒素原子上の保護基の脱離が同時に起こ
り、R1が水素原子である化合物（II）を得ることができ
る。
【００４０】次に、本発明を実施例によって説明する
が、本発明はこれに限定されるものではない。
が、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４１】
【００４２】［実施例１］ 7-(S)-t-ブトキシカルボニ
ルアミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプタン
ルアミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプタン
【００４３】
【化１１】
【００４４】5-ベンジル-7-(S)-t- ブトキシカルボニル
アミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプタン 8.0 gをメタノー
ル 120 ml に溶解した。ここへ、氷冷撹拌下で、 ギ酸 8
mlおよび5%パラジウム炭素 1.1 gを加えた。反応混合
物を室温に戻して５時間撹拌後、 触媒をろ去し、 ろ液を
減圧濃縮した。 残留物に 10%水酸化ナトリウム水溶液80
mlを加えてクロロホルム 50 mlで３回抽出した。 クロ
ロホルム層を飽和食塩水 40 mlで洗浄して乾燥後減圧留
去し、標記の化合物 5.5 gを得た。
アミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプタン 8.0 gをメタノー
ル 120 ml に溶解した。ここへ、氷冷撹拌下で、 ギ酸 8
mlおよび5%パラジウム炭素 1.1 gを加えた。反応混合
物を室温に戻して５時間撹拌後、 触媒をろ去し、 ろ液を
減圧濃縮した。 残留物に 10%水酸化ナトリウム水溶液80
mlを加えてクロロホルム 50 mlで３回抽出した。 クロ
ロホルム層を飽和食塩水 40 mlで洗浄して乾燥後減圧留
去し、標記の化合物 5.5 gを得た。
【００４５】・1H-NMR(CDCl3) δ：0.45 - 0.85(4H,
m), 1.43(9H, s), 2.73(1H, d, J = 10.9 Hz),2.9 - 3.
0(1H, m), 3.01(1H, d, J = 10.9 Hz),3.44(1H, dd, J
= 5.6, 11.6Hz), 3.55 - 3.75(1H, m).
m), 1.43(9H, s), 2.73(1H, d, J = 10.9 Hz),2.9 - 3.
0(1H, m), 3.01(1H, d, J = 10.9 Hz),3.44(1H, dd, J
= 5.6, 11.6Hz), 3.55 - 3.75(1H, m).
【００４６】［実施例２］ 7-(S)-t-ブトキシカルボニ
ルアミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプタン 5-ベンジルー7-(S)-t-ブトキシカルボニルアミノ-5- ア
ザスピロ[2.4] ヘプタン 1.0 gをメタノール 15 mlに溶
解した。ここに、氷冷撹拌下で、 ギ酸アンモニウム 1.7
gおよび5%パラジウム炭素 0.2 gを加えた。室温に戻し
５時間撹拌後、触媒をろ去し、 ろ液を減圧濃縮した。残
留物に 10%水酸化ナトリウム水溶液 10mlを加え、クロ
ロホルム 15 mlで３回抽出した。クロロホルム層を飽和
食塩水 10 mlで洗浄後、 減圧留去し標記の化合物 0.7 g
を得た。
ルアミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプタン 5-ベンジルー7-(S)-t-ブトキシカルボニルアミノ-5- ア
ザスピロ[2.4] ヘプタン 1.0 gをメタノール 15 mlに溶
解した。ここに、氷冷撹拌下で、 ギ酸アンモニウム 1.7
gおよび5%パラジウム炭素 0.2 gを加えた。室温に戻し
５時間撹拌後、触媒をろ去し、 ろ液を減圧濃縮した。残
留物に 10%水酸化ナトリウム水溶液 10mlを加え、クロ
ロホルム 15 mlで３回抽出した。クロロホルム層を飽和
食塩水 10 mlで洗浄後、 減圧留去し標記の化合物 0.7 g
を得た。
【００４７】1H-NMRスペクトルは、 実施例１で得たもの
と一致した。
と一致した。
【００４８】［実施例３］ 7-(S)-アミノ-5- アザスピ
ロ[2.4] ヘプタン・２塩酸塩
ロ[2.4] ヘプタン・２塩酸塩
【００４９】
【化１２】
【００５０】7-(S)-アミノ-5- ベンジルー5-アザスピロ
[2.4] ヘプタン 287 gをメタノール7.2 リットルに溶解
した。ここへ、 氷冷撹拌下で、 ギ酸 517 gおよび5%パラ
ジウム炭素 58 g を加えた。反応液を室温に戻し５時間
撹拌した後、 触媒をろ去し、ろ液を減圧濃縮した。残留
物にエタノール 4.2リットルを加えて溶解後、 ここに氷
冷下で濃塩酸 300 ml を滴下し、３時間撹拌した。析出
晶をろ取し、標記の化合物 172 gを得た。さらに母液を
濃縮し、 第２晶 72 g を得た。
[2.4] ヘプタン 287 gをメタノール7.2 リットルに溶解
した。ここへ、 氷冷撹拌下で、 ギ酸 517 gおよび5%パラ
ジウム炭素 58 g を加えた。反応液を室温に戻し５時間
撹拌した後、 触媒をろ去し、ろ液を減圧濃縮した。残留
物にエタノール 4.2リットルを加えて溶解後、 ここに氷
冷下で濃塩酸 300 ml を滴下し、３時間撹拌した。析出
晶をろ取し、標記の化合物 172 gを得た。さらに母液を
濃縮し、 第２晶 72 g を得た。
【００５１】・融点：222-238 ℃ ・1H-NMR(D2O) δ：0.9 - 1.3(4H,m), 3.25, 3.72(各々
1H, 各々d, J = 12.2 Hz),3.68, 3.82( 各々1H, 各々ｄ
ｄ， Ｊ ＝ １２．２， ２．９ Ｈｚ），４．１０
（１Ｈ， ｄｄ， Ｊ ＝ ７．３， ６．４ Ｈ
ｚ）．
1H, 各々d, J = 12.2 Hz),3.68, 3.82( 各々1H, 各々ｄ
ｄ， Ｊ ＝ １２．２， ２．９ Ｈｚ），４．１０
（１Ｈ， ｄｄ， Ｊ ＝ ７．３， ６．４ Ｈ
ｚ）．
Claims (15)
- 【請求項１】 式（Ｉ） 【化１】 （式中、R1は水素原子または第三級ブトキシカルボニル
基を意味し、R2は水素原子またはメチル基を意味し、n
は整数の 2または 3である。）で表される化合物を、ギ
酸またはその塩を水素源として使用して水素化分解する
ことを特徴とする式（II） 【化２】 （式中、R1および nは前記の定義に等しい。）で表され
る化合物の製法 - 【請求項２】 式（Ｉ） 【化３】 （式中、R1は水素原子または第三級ブトキシカルボニル
基を意味し、R2は水素原子またはメチル基を意味し、n
は整数の 2または 3である。）で表される化合物を、触
媒およびギ酸もしくはその塩の存在下に処理することを
特徴とする式（II） 【化４】 （式中、R1および nは前記の定義に等しい。）で表され
る化合物の製法 - 【請求項３】 水素源がギ酸である請求項１または２に
記載の製法 - 【請求項４】 水素源がギ酸アンモニウムである請求項
１または２に記載の製法 - 【請求項５】 触媒がパラジウム系触媒から選ばれる触
媒である請求項２、３または４に記載の製法 - 【請求項６】 触媒が、パラジウム炭素、パラジウム−
硫酸バリウムおよびパラジウム黒からなる群から選ばれ
る触媒である請求項５に記載の製法 - 【請求項７】 触媒がパラジウム炭素である請求項６に
記載の製法に記載の製法 - 【請求項８】 式（Ｉ）の化合物において、n の値が 2
である請求項１、２、３、４、５、６または７に記載の
製法 - 【請求項９】 式（Ｉ）の化合物において、置換基 【化５】-NH-R1 が S- 配置に結合した化合物である請求項１、２、３、
４、５、６、７または８に記載の製法 - 【請求項１０】 5-ベンジル-7-(S)-t- ブトキシカルボ
ニルアミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプタンを、ギ酸また
はギ酸アンモニウムを水素源として水素化分解すること
を特徴とする7-(S)-t-ブトキシカルボニルアミノ-5- ア
ザスピロ[2.4]ヘプタンの製法 - 【請求項１１】 5-ベンジル-7-(S)-t- ブトキシカルボ
ニルアミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプタンをメタノール
中において、パラジウム炭素およびギ酸もしくはギ酸ア
ンモニウムの存在下に処理することを特徴とする7-(S)-
t-ブトキシカルボニルアミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプ
タンの製法 - 【請求項１２】 5-ベンジル-7-(S)-t- ブトキシカルボ
ニルアミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプタンをメタノール
中において、パラジウム炭素およびギ酸もしくはギ酸ア
ンモニウムの存在下に室温で処理することを特徴とする
7-(S)-t-ブトキシカルボニルアミノ-5- アザスピロ[2.
4] ヘプタンの製法 - 【請求項１３】 7-(S)-アミノ-5- ベンジル-5- アザス
ピロ[2.4] ヘプタンを、ギ酸またはギ酸アンモニウムを
水素源として水素化分解することを特徴とする7-(S)-ア
ミノ-5- アザスピロ[2.4] ヘプタンの製法 - 【請求項１４】 7-(S)-アミノ-5- ベンジル-5- アザス
ピロ[2.4] ヘプタンをメタノール中において、パラジウ
ム炭素およびギ酸もしくはギ酸アンモニウムの存在下に
処理することを特徴とする7-(S)-アミノ-5- アザスピロ
[2.4] ヘプタンの製法 - 【請求項１５】 7-(S)-アミノ-5- ベンジル-5- アザス
ピロ[2.4] ヘプタンをメタノール中において、パラジウ
ム炭素およびギ酸もしくはギ酸アンモニウムの存在下に
室温で処理することを特徴とする7-(S)-アミノ-5- アザ
スピロ[2.4] ヘプタンの製法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07826894A JP3366723B2 (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | 脱保護法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07826894A JP3366723B2 (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | 脱保護法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07285934A true JPH07285934A (ja) | 1995-10-31 |
| JP3366723B2 JP3366723B2 (ja) | 2003-01-14 |
Family
ID=13657241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07826894A Expired - Fee Related JP3366723B2 (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | 脱保護法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3366723B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996037470A1 (en) * | 1995-05-26 | 1996-11-28 | Daiichi Pharmaceutical Co., Ltd. | Processes for preparing cyclic compounds |
| WO2006123767A1 (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-23 | Daiichi Sankyo Company, Limited | 不斉四置換炭素原子含有化合物の製法 |
| CN101830815A (zh) * | 2010-03-03 | 2010-09-15 | 伊泰(北京)合成技术有限公司 | 新环状化合物及以其作为中间体制备氮杂螺环化合物的方法 |
| CN107879966A (zh) * | 2017-10-16 | 2018-04-06 | 扬子江药业集团有限公司 | 一种西他沙星关键中间体的制备方法 |
| CN113731406A (zh) * | 2021-10-12 | 2021-12-03 | 南京工业大学 | 一种提高钯碳活性加氢脱除保护基的方法 |
-
1994
- 1994-04-18 JP JP07826894A patent/JP3366723B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996037470A1 (en) * | 1995-05-26 | 1996-11-28 | Daiichi Pharmaceutical Co., Ltd. | Processes for preparing cyclic compounds |
| US5856518A (en) * | 1995-05-26 | 1999-01-05 | Daiichi Pharmaceutical Co., Ltd. | Production process of cyclic compound |
| US6013806A (en) * | 1995-05-26 | 2000-01-11 | Daiichi Pharmaceutical Co., Ltd. | Production process of cyclic compound |
| US6218548B1 (en) | 1995-05-26 | 2001-04-17 | Daiichi Paharmaceutical Co., Ltd. | Production process of cyclic compound |
| WO2006123767A1 (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-23 | Daiichi Sankyo Company, Limited | 不斉四置換炭素原子含有化合物の製法 |
| US7928232B2 (en) | 2005-05-20 | 2011-04-19 | Daiichi Sankyo Company, Limited | Method for producing asymmetric tetrasubstituted carbon atom-containing compound |
| US8138352B2 (en) | 2005-05-20 | 2012-03-20 | Daiichi Sankyo Company, Limited | Method for producing asymmetric tetrasubstituted carbon atom-containing compound |
| US8378119B2 (en) | 2005-05-20 | 2013-02-19 | Daiichi Sankyo Company, Limited | Method for producing asymmetric tetrasubstituted carbon atom-containing compound |
| CN101830815A (zh) * | 2010-03-03 | 2010-09-15 | 伊泰(北京)合成技术有限公司 | 新环状化合物及以其作为中间体制备氮杂螺环化合物的方法 |
| CN107879966A (zh) * | 2017-10-16 | 2018-04-06 | 扬子江药业集团有限公司 | 一种西他沙星关键中间体的制备方法 |
| CN113731406A (zh) * | 2021-10-12 | 2021-12-03 | 南京工业大学 | 一种提高钯碳活性加氢脱除保护基的方法 |
| CN113731406B (zh) * | 2021-10-12 | 2023-07-28 | 南京工业大学 | 一种提高钯碳活性加氢脱除保护基的方法 |
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