JPH07286899A - 焦電形赤外線検出器 - Google Patents
焦電形赤外線検出器Info
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- JPH07286899A JPH07286899A JP6104553A JP10455394A JPH07286899A JP H07286899 A JPH07286899 A JP H07286899A JP 6104553 A JP6104553 A JP 6104553A JP 10455394 A JP10455394 A JP 10455394A JP H07286899 A JPH07286899 A JP H07286899A
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- JP
- Japan
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- light
- surface electrode
- receiving surface
- pyroelectric
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 薄板状に形成された焦電基盤１２と、被検出
体からの赤外線を受光する前記焦電基盤１２の受光面に
蒸着され、かつ全体が被検出体の撮像部位に対応した大
きさに形成され、しかも全体を複数個に面分割された受
光面電極１４ａ，１４ｂと、前記焦電基盤１２の受光面
電極１４との対向面に蒸着された対向面電極と１８、を
備え、前記面分割された各受光面電極１４ａ，１４ｂか
ら各々電圧出力を得ることを特徴とする焦電形赤外線検
出器。 【効果】 受光面電極１４を複数個に面分割しているた
め、各受光面電極１４ａ，１４ｂの単位面積が小さくな
り、焦電素子１０の電圧感度を向上させることが可能と
なる。
体からの赤外線を受光する前記焦電基盤１２の受光面に
蒸着され、かつ全体が被検出体の撮像部位に対応した大
きさに形成され、しかも全体を複数個に面分割された受
光面電極１４ａ，１４ｂと、前記焦電基盤１２の受光面
電極１４との対向面に蒸着された対向面電極と１８、を
備え、前記面分割された各受光面電極１４ａ，１４ｂか
ら各々電圧出力を得ることを特徴とする焦電形赤外線検
出器。 【効果】 受光面電極１４を複数個に面分割しているた
め、各受光面電極１４ａ，１４ｂの単位面積が小さくな
り、焦電素子１０の電圧感度を向上させることが可能と
なる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は焦電形赤外線検出器、特
にその焦電素子の改良に関する。
にその焦電素子の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】被検出体を温度検出して撮像する場合
に、該被検出体から放射される赤外線を焦電素子を用い
て検出する焦電形赤外線検出器が汎用されている。該焦
電形赤外線検出器は、被検出体から放射される赤外線エ
ネルギーを焦電基盤に吸収させ、該焦電基盤の温度変化
を利用するものである。即ち、焦電基盤に温度変化が生
じるとその自発分極の大きさが変化するため、該焦電基
盤表面にその温度変化に対応した電圧が生じる。そし
て、焦電基盤の受光面に蒸着された受光面電極から前記
電圧を出力させることにより温度検出をして撮像するの
である。
に、該被検出体から放射される赤外線を焦電素子を用い
て検出する焦電形赤外線検出器が汎用されている。該焦
電形赤外線検出器は、被検出体から放射される赤外線エ
ネルギーを焦電基盤に吸収させ、該焦電基盤の温度変化
を利用するものである。即ち、焦電基盤に温度変化が生
じるとその自発分極の大きさが変化するため、該焦電基
盤表面にその温度変化に対応した電圧が生じる。そし
て、焦電基盤の受光面に蒸着された受光面電極から前記
電圧を出力させることにより温度検出をして撮像するの
である。
【０００３】ここで、前記受光面電極の表面積は、焦電
基盤が赤外線を受光する被検出体の撮像部位と同一面積
に形成される。そして、従来の焦電形赤外線検出器は、
焦電基盤に前記撮像部位に対応した単一の受光面電極を
形成して該単一受光面電極からの出力検出を行なってい
た。
基盤が赤外線を受光する被検出体の撮像部位と同一面積
に形成される。そして、従来の焦電形赤外線検出器は、
焦電基盤に前記撮像部位に対応した単一の受光面電極を
形成して該単一受光面電極からの出力検出を行なってい
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記焦電形
赤外線検出器における焦電素子の電圧感度はその受光面
積に反比例する。即ち、前記受光面電極の面積が大きく
なる程、電圧感度は低下して高感度検出ができなくなっ
てしまう。一方、前述したように受光面電極は、被検出
体の撮像部位と同一面積に形成しなければならず、該撮
像部位が大きくなれば、それに応じて受光面電極も大き
くしなければならない。
赤外線検出器における焦電素子の電圧感度はその受光面
積に反比例する。即ち、前記受光面電極の面積が大きく
なる程、電圧感度は低下して高感度検出ができなくなっ
てしまう。一方、前述したように受光面電極は、被検出
体の撮像部位と同一面積に形成しなければならず、該撮
像部位が大きくなれば、それに応じて受光面電極も大き
くしなければならない。
【０００５】しかしながら、従来の焦電形赤外線検出器
における焦電素子は、前述したように焦電基盤の受光面
電極を一つに形成した単一受光面としているため、前記
撮像部位に対応させて受光面電極を大きくすると電圧感
度が極めて低下してしまうという課題があった。本発明
は前記従来技術の課題に鑑みなされたものであり、その
目的は被検出体の撮像部位が大きい場合でも、焦電素子
の電圧感度を低下させることなく、高感度検出が可能な
焦電形赤外線検出器を提供することにある。
における焦電素子は、前述したように焦電基盤の受光面
電極を一つに形成した単一受光面としているため、前記
撮像部位に対応させて受光面電極を大きくすると電圧感
度が極めて低下してしまうという課題があった。本発明
は前記従来技術の課題に鑑みなされたものであり、その
目的は被検出体の撮像部位が大きい場合でも、焦電素子
の電圧感度を低下させることなく、高感度検出が可能な
焦電形赤外線検出器を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明にかかる焦電形赤外線検出器は、薄板状に形成
された焦電基盤と、被検出体からの赤外線を受光する前
記焦電基盤の受光面に蒸着され、かつ全体が被検出体の
撮像部位に対応した大きさに形成され、しかも全体が複
数個に面分割された受光面電極と、前記焦電基盤の受光
面電極との対向面に蒸着された対向面電極とを備え、前
記面分割された各受光面電極から各々電圧出力を得るこ
とを特徴とする。また、請求項２記載の焦電形赤外線検
出器は、前記面分割された各受光面電極が各々接続され
た個別アンプと、前記各個別アンプが接続され、該個別
アンプからの出力を合成して出力する加算アンプと、を
備えたことを特徴とする。
に本発明にかかる焦電形赤外線検出器は、薄板状に形成
された焦電基盤と、被検出体からの赤外線を受光する前
記焦電基盤の受光面に蒸着され、かつ全体が被検出体の
撮像部位に対応した大きさに形成され、しかも全体が複
数個に面分割された受光面電極と、前記焦電基盤の受光
面電極との対向面に蒸着された対向面電極とを備え、前
記面分割された各受光面電極から各々電圧出力を得るこ
とを特徴とする。また、請求項２記載の焦電形赤外線検
出器は、前記面分割された各受光面電極が各々接続され
た個別アンプと、前記各個別アンプが接続され、該個別
アンプからの出力を合成して出力する加算アンプと、を
備えたことを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明にかかる焦電形赤外線検出器は、前述し
たように焦電基盤の受光面に蒸着された受光面電極を複
数個に面分割して形成した複数受光面構造の焦電素子を
備えている。即ち、被検出体の撮像部位が大きい場合に
は、該撮像部位に対応して形成される全体の受光面電極
を、一つの受光面電極が良好な電圧感度が得られる面積
となるように面分割している。従って、撮像部位に対応
した受光面電極の全体面積が大きい場合であっても、分
割された各受光面電極の単位面積は小さくなり、良好な
電圧感度を得ることが可能となる。
たように焦電基盤の受光面に蒸着された受光面電極を複
数個に面分割して形成した複数受光面構造の焦電素子を
備えている。即ち、被検出体の撮像部位が大きい場合に
は、該撮像部位に対応して形成される全体の受光面電極
を、一つの受光面電極が良好な電圧感度が得られる面積
となるように面分割している。従って、撮像部位に対応
した受光面電極の全体面積が大きい場合であっても、分
割された各受光面電極の単位面積は小さくなり、良好な
電圧感度を得ることが可能となる。
【０００８】さらに、本発明の焦電形赤外線検出器は、
前記分割された各受光面電極に各々個別アンプを接続
し、さらに該個別アンプをその出力を合成する加算アン
プに接続している。従って、受光面電極をｎ個に分割し
た場合には、前記個別アンプはｎ個必要となるため、全
体のノイズは単一アンプに比べｎ1/2倍に増加してしま
う。しかし、個別アンプからの全出力はｎ倍となるた
め、結果としてＳ／Ｎ比をｎ1/2倍向上させることが可
能となる。
前記分割された各受光面電極に各々個別アンプを接続
し、さらに該個別アンプをその出力を合成する加算アン
プに接続している。従って、受光面電極をｎ個に分割し
た場合には、前記個別アンプはｎ個必要となるため、全
体のノイズは単一アンプに比べｎ1/2倍に増加してしま
う。しかし、個別アンプからの全出力はｎ倍となるた
め、結果としてＳ／Ｎ比をｎ1/2倍向上させることが可
能となる。
【０００９】
【実施例】以下、図面に基づき本発明の好適な実施例を
説明する。図１には、本発明の一実施例にかかる焦電形
赤外線検出器に用いられる焦電素子の分解斜視図が示さ
れている。同図に示す焦電素子１０は、薄板状に形成さ
れたＴＧＳ結晶片からなる焦電基盤１２と、該焦電基盤
１２の受光面に蒸着されたニクロム製の受光面電極膜１
４と、該受光面電極膜１４上に設けられた熱吸収膜１６
と、前記焦電基盤１２の受光面電極膜１４との対向面に
蒸着されたニクロム製の対向面電極膜１８と、前記焦電
基盤１２の対向面電極膜１８側が接着された銅製のヒー
トシンク板２０と、該ヒートシング板２０を支持する石
英からなる支持台２２と、を有している。
説明する。図１には、本発明の一実施例にかかる焦電形
赤外線検出器に用いられる焦電素子の分解斜視図が示さ
れている。同図に示す焦電素子１０は、薄板状に形成さ
れたＴＧＳ結晶片からなる焦電基盤１２と、該焦電基盤
１２の受光面に蒸着されたニクロム製の受光面電極膜１
４と、該受光面電極膜１４上に設けられた熱吸収膜１６
と、前記焦電基盤１２の受光面電極膜１４との対向面に
蒸着されたニクロム製の対向面電極膜１８と、前記焦電
基盤１２の対向面電極膜１８側が接着された銅製のヒー
トシンク板２０と、該ヒートシング板２０を支持する石
英からなる支持台２２と、を有している。
【００１０】なお、前記ヒートシンク板２０の対向面電
極膜１８との接着面には、銀ペーストとダイヤモンド粉
とを混合した溶剤２１が塗布されている。また、前記受
光面電極膜１４と対向面電極膜１８とは、略同一形状に
形成されている。そして、前記焦電基盤１２の受光面電
極膜１４側に被検出体が配置されると、該被検出体から
放射される赤外線エネルギーが前記熱吸収膜１６より焦
電基盤１２に吸収される。さらに、前記赤外線エネルギ
ーを吸収した焦電基盤１２に温度変化が生じ、この結果
焦電基盤１２表面に電圧が生じる。そして、該電圧を受
光面電極膜１４から出力させ、温度検出による撮像を行
なう。
極膜１８との接着面には、銀ペーストとダイヤモンド粉
とを混合した溶剤２１が塗布されている。また、前記受
光面電極膜１４と対向面電極膜１８とは、略同一形状に
形成されている。そして、前記焦電基盤１２の受光面電
極膜１４側に被検出体が配置されると、該被検出体から
放射される赤外線エネルギーが前記熱吸収膜１６より焦
電基盤１２に吸収される。さらに、前記赤外線エネルギ
ーを吸収した焦電基盤１２に温度変化が生じ、この結果
焦電基盤１２表面に電圧が生じる。そして、該電圧を受
光面電極膜１４から出力させ、温度検出による撮像を行
なう。
【００１１】ここで、前述したように受光面電極膜１４
の面積は、被検出体の撮像部位と同一に形成される。一
方、焦電素子１０の電圧感度はその受光面積、即ち前記
受光面電極膜１４の面積に反比例してしまう。即ち、前
記電圧感度の理論式は下記式１のように表される。
の面積は、被検出体の撮像部位と同一に形成される。一
方、焦電素子１０の電圧感度はその受光面積、即ち前記
受光面電極膜１４の面積に反比例してしまう。即ち、前
記電圧感度の理論式は下記式１のように表される。
【００１２】
【式１】 但し、η：電極表面からの放射率 ω：角周波数（＝２πν，ν：変調周波数） Ａ：受光面積 Ｒg：入力抵抗 λ：焦電係数 Ｈ：熱容量 τt：熱的時定数 τe：電気的時定数 また、前記式１の熱容量Ｈ、熱的時定数τt、及び電気
的時定数τeは、それぞれ下記式２、式３及び式４によ
って表される。
的時定数τeは、それぞれ下記式２、式３及び式４によ
って表される。
【００１３】
【式２】 但し、Ｃp：比熱 ρ：密度 ｄ：焦電素子の厚み
【００１４】
【式３】 但し、Ｇ：素子から周囲への熱伝導率（＝ｇtＡ，ｇt：
熱伝導率）
熱伝導率）
【００１５】
【式４】 但し、ε:比誘電率 ε0：真空の誘電率 従って、前記式１〜式４より下記式５が導き出され、該
式５から焦電素子１０の電圧感度は受光面積Ａ、即ち受
光面電極膜１４の面積が大きくなる程低下してしまうこ
とが理解される。
式５から焦電素子１０の電圧感度は受光面積Ａ、即ち受
光面電極膜１４の面積が大きくなる程低下してしまうこ
とが理解される。
【００１６】
【式５】 このため、前記撮像部位が大きい場合に、該撮像部位と
同一面積に受光面電極膜１４を形成したのでは、電圧感
度が極めて低下してしまう。
同一面積に受光面電極膜１４を形成したのでは、電圧感
度が極めて低下してしまう。
【００１７】そこで、本実施例においては、前記受光面
電極膜１４を受光面電極１４ａと受光面電極膜１４ｂと
に２分割し、該受光面電極膜１４ａ，１４ｂにそれぞれ
リード線を接続し独立して電圧出力をすることにより電
圧感度を向上させている。なお、前記受光面電極膜１４
ａ，１４ｂには、図１（Ｂ）に示すようにリード線を接
続するための取付電極１５ａ，１５ｂが形成されてい
る。また、前記対向面電極膜１８は電圧基準として接地
されるため、該対向面電極膜１８は分割する必要がな
く、図１（Ｃ）に示すように一体に形成されている。ま
た、前記受光面電極膜１４ａ，１４ｂ上に設けられた熱
吸収膜１６は、該受光面電極膜１４ａ，１４ｂと同一形
状に形成され、熱吸収膜１６ａ，１６ｂに２分割されて
いる。このように、前記受光面電極膜１４ａ，１４ｂの
各面積は、受光面電極膜１４全体の面積の半分となり、
受光面電極膜１４を単一に形成した場合と比較して電圧
感度が２倍に向上することとなる。
電極膜１４を受光面電極１４ａと受光面電極膜１４ｂと
に２分割し、該受光面電極膜１４ａ，１４ｂにそれぞれ
リード線を接続し独立して電圧出力をすることにより電
圧感度を向上させている。なお、前記受光面電極膜１４
ａ，１４ｂには、図１（Ｂ）に示すようにリード線を接
続するための取付電極１５ａ，１５ｂが形成されてい
る。また、前記対向面電極膜１８は電圧基準として接地
されるため、該対向面電極膜１８は分割する必要がな
く、図１（Ｃ）に示すように一体に形成されている。ま
た、前記受光面電極膜１４ａ，１４ｂ上に設けられた熱
吸収膜１６は、該受光面電極膜１４ａ，１４ｂと同一形
状に形成され、熱吸収膜１６ａ，１６ｂに２分割されて
いる。このように、前記受光面電極膜１４ａ，１４ｂの
各面積は、受光面電極膜１４全体の面積の半分となり、
受光面電極膜１４を単一に形成した場合と比較して電圧
感度が２倍に向上することとなる。
【００１８】また、本実施例においては、前記受光面電
極膜１４ａ，１４ｂをそれぞれ個別アンプに接続し、該
個別アンプからの各出力を加算アンプにより合成して出
力を得ている。図２には、前記受光面電極膜１４ａ，１
４ｂとアンプとの回路図が示されている。同図に示すよ
うに、受光面電極膜１４ａ，１４ｂは、第１電解効果ト
ランジスター（以下、第１ＦＥＴ）２４、第２電解効果
トランジスター（以下、第２ＦＥＴ）２６にそれぞれ接
続され、インピーダンス変換がなされる。即ち、受光面
電極膜１４ａは第１ＦＥＴ２４のゲートに、受光面電極
膜１４ｂは第２ＦＥＴ２６のゲートにそれぞれ接続さ
れ、また該第１ＦＥＴ２４、及び第２ＦＥＴ２６のソー
スには一定電圧が印加されている。さらに、第１ＦＥＴ
２４のドレインには第１個別アンプ２８が、第２ＦＥＴ
２６のドレインには第２個別アンプ３０がそれぞれ接続
されている。このため、受光面電極膜１４ａ，１４ｂか
らの電圧がそれぞれ第１ＦＥＴ２４、第２ＦＥＴ２６に
加わると、該電圧に応じた電流が第１個別アンプ２８と
第２個別アンプ３０に流れる。
極膜１４ａ，１４ｂをそれぞれ個別アンプに接続し、該
個別アンプからの各出力を加算アンプにより合成して出
力を得ている。図２には、前記受光面電極膜１４ａ，１
４ｂとアンプとの回路図が示されている。同図に示すよ
うに、受光面電極膜１４ａ，１４ｂは、第１電解効果ト
ランジスター（以下、第１ＦＥＴ）２４、第２電解効果
トランジスター（以下、第２ＦＥＴ）２６にそれぞれ接
続され、インピーダンス変換がなされる。即ち、受光面
電極膜１４ａは第１ＦＥＴ２４のゲートに、受光面電極
膜１４ｂは第２ＦＥＴ２６のゲートにそれぞれ接続さ
れ、また該第１ＦＥＴ２４、及び第２ＦＥＴ２６のソー
スには一定電圧が印加されている。さらに、第１ＦＥＴ
２４のドレインには第１個別アンプ２８が、第２ＦＥＴ
２６のドレインには第２個別アンプ３０がそれぞれ接続
されている。このため、受光面電極膜１４ａ，１４ｂか
らの電圧がそれぞれ第１ＦＥＴ２４、第２ＦＥＴ２６に
加わると、該電圧に応じた電流が第１個別アンプ２８と
第２個別アンプ３０に流れる。
【００１９】そして、前記第１個別アンプ２８及び第２
個別アンプ３０の出力側は抵抗３２、抵抗３４をそれぞ
れ介して加算アンプ３２に接続されており、各個別アン
プの出力が合成され加算アンプ３６から抵抗３８を介し
て出力される。なお、前記受光面電極膜１４ａ，１４ｂ
と第１ＦＥＴ２４、第２ＦＥＴ２６との間には、一端が
接地された抵抗４０、抵抗４２の他端がそれぞれ接続さ
れている。また、前記第１ＦＥＴ２４、第２ＦＥＴ２６
の各ソースと第１個別アンプ２８、第２個別アンプ３０
の間には、一端が低電圧或いは接地された抵抗４４、抵
抗４６の他端がそれぞれ接続されている。
個別アンプ３０の出力側は抵抗３２、抵抗３４をそれぞ
れ介して加算アンプ３２に接続されており、各個別アン
プの出力が合成され加算アンプ３６から抵抗３８を介し
て出力される。なお、前記受光面電極膜１４ａ，１４ｂ
と第１ＦＥＴ２４、第２ＦＥＴ２６との間には、一端が
接地された抵抗４０、抵抗４２の他端がそれぞれ接続さ
れている。また、前記第１ＦＥＴ２４、第２ＦＥＴ２６
の各ソースと第１個別アンプ２８、第２個別アンプ３０
の間には、一端が低電圧或いは接地された抵抗４４、抵
抗４６の他端がそれぞれ接続されている。
【００２０】このように、本実施例においては、インピ
ーダンス変換された受光面電極膜１４ａ，１４ｂからの
各出力を２つの個別アンプ２８、３０を介して加算アン
プ３６により合成しているため、受光面電極膜１４を単
一に形成し一つのアンプから出力させたものと比較して
２倍の出力を得ることができる。なお、前記２つの個別
アンプ２８、３０を用いることにより、一つのアンプを
用いた場合と比較してノイズは２1/2倍に増加してしま
うが、出力が２倍得られるためＳ／Ｎ比としては２1/2
倍向上することとなる。なお、本実施例においては受光
面電極膜を２分割としたが、この分割数は全体の受光面
電極膜の面積を考慮して、分割された受光面電極膜の単
位面積が良好な電圧感度を得るために充分小さくなるよ
うに適宜決定するのが好適である。
ーダンス変換された受光面電極膜１４ａ，１４ｂからの
各出力を２つの個別アンプ２８、３０を介して加算アン
プ３６により合成しているため、受光面電極膜１４を単
一に形成し一つのアンプから出力させたものと比較して
２倍の出力を得ることができる。なお、前記２つの個別
アンプ２８、３０を用いることにより、一つのアンプを
用いた場合と比較してノイズは２1/2倍に増加してしま
うが、出力が２倍得られるためＳ／Ｎ比としては２1/2
倍向上することとなる。なお、本実施例においては受光
面電極膜を２分割としたが、この分割数は全体の受光面
電極膜の面積を考慮して、分割された受光面電極膜の単
位面積が良好な電圧感度を得るために充分小さくなるよ
うに適宜決定するのが好適である。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる焦
電形赤外線検出器は、受光面電極を複数個に面分割して
いるため、各受光面電極の単位面積が小さくなり、焦電
素子の電圧感度を向上させることが可能となる。
電形赤外線検出器は、受光面電極を複数個に面分割して
いるため、各受光面電極の単位面積が小さくなり、焦電
素子の電圧感度を向上させることが可能となる。
【図１】本発明の一実施例にかかる焦電形赤外線検出器
に用いられる焦電素子の概略構成の説明図である。
に用いられる焦電素子の概略構成の説明図である。
【図２】前記図１に示す焦電素子とアンプとの回路構成
の説明図である。
の説明図である。
１０ … 焦電素子 １２ … 焦電基盤 １４ … 受光面電極膜 １６ … 熱吸収膜 １８ … 対向面電極膜 ２０ … ヒートシンク板 ２２ … 支持台 ２４ … 第１ＦＥＴ ２６ … 第２ＦＥＴ ２８ … 第１個別アンプ ３０ … 第２個別アンプ ３６ … 加算アンプ
Claims (2)
- 【請求項１】 焦電素子を有する焦電形赤外線検出器に
おいて、該焦電素子が、 薄板状に形成された焦電基盤と、 被検出体からの赤外線を受光する前記焦電基盤の受光面
に蒸着され、かつ全体が被検出体の撮像部位に対応した
大きさに形成され、しかも全体を複数個に面分割された
受光面電極と、 前記焦電基盤の受光面電極との対向面に蒸着された対向
面電極と、を備え、 前記面分割された各受光面電極から各々電圧出力を得る
ことを特徴とする焦電形赤外線検出器。 - 【請求項２】 請求項１記載の焦電形赤外線検出器にお
いて、 前記面分割された各受光面電極が各々接続された個別ア
ンプと、 前記各個別アンプが接続され、該個別アンプからの出力
を合成して出力する加算アンプと、を備えたことを特徴
とする焦電形赤外線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6104553A JPH07286899A (ja) | 1994-04-19 | 1994-04-19 | 焦電形赤外線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6104553A JPH07286899A (ja) | 1994-04-19 | 1994-04-19 | 焦電形赤外線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07286899A true JPH07286899A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=14383667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6104553A Pending JPH07286899A (ja) | 1994-04-19 | 1994-04-19 | 焦電形赤外線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07286899A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9297077B2 (en) | 2010-02-11 | 2016-03-29 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate |
| US9761458B2 (en) | 2010-02-26 | 2017-09-12 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Apparatus and method for reactive ion etching |
-
1994
- 1994-04-19 JP JP6104553A patent/JPH07286899A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9297077B2 (en) | 2010-02-11 | 2016-03-29 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate |
| US9803280B2 (en) | 2010-02-11 | 2017-10-31 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate |
| US10676822B2 (en) | 2010-02-11 | 2020-06-09 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate |
| US9761458B2 (en) | 2010-02-26 | 2017-09-12 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Apparatus and method for reactive ion etching |
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