JPH07286924A - センサ装置 - Google Patents
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- JPH07286924A JPH07286924A JP7828794A JP7828794A JPH07286924A JP H07286924 A JPH07286924 A JP H07286924A JP 7828794 A JP7828794 A JP 7828794A JP 7828794 A JP7828794 A JP 7828794A JP H07286924 A JPH07286924 A JP H07286924A
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- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 センサ装置のケースに貫通コンデンサを設け
ることなく高周波ノイズ対策を施し、装置の小型化を図
る。 【構成】 被測定圧力に応じて抵抗値が変動する歪ゲー
ジ１１〜１４によりブリッジ回路１００を構成し、この
ブリッジ回路１００の２つの出力電圧Ｖ１、Ｖ２をオペ
アンプ３０〜３２等により構成される増幅回路３００に
て増幅処理し、圧力検出信号を出力するようにした半導
体圧力センサにおいて、電源入力線Ｖと接地線Ｇ間、前
記出力線Ｏと接地線Ｇ間にそれぞれコンデンサ３９、４
０を設けるとともに、圧力検出回路部内の全てのオペア
ンプ２９〜３２の反転入力端子と非反転入力端子の間に
コンデンサ３５〜３８をそれぞれ設けた。
ることなく高周波ノイズ対策を施し、装置の小型化を図
る。 【構成】 被測定圧力に応じて抵抗値が変動する歪ゲー
ジ１１〜１４によりブリッジ回路１００を構成し、この
ブリッジ回路１００の２つの出力電圧Ｖ１、Ｖ２をオペ
アンプ３０〜３２等により構成される増幅回路３００に
て増幅処理し、圧力検出信号を出力するようにした半導
体圧力センサにおいて、電源入力線Ｖと接地線Ｇ間、前
記出力線Ｏと接地線Ｇ間にそれぞれコンデンサ３９、４
０を設けるとともに、圧力検出回路部内の全てのオペア
ンプ２９〜３２の反転入力端子と非反転入力端子の間に
コンデンサ３５〜３８をそれぞれ設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、センサ装置に関し、特
に外部と接続される信号線に混入する高周波ノイズに対
し対策を施すようにしたものに関する。
に外部と接続される信号線に混入する高周波ノイズに対
し対策を施すようにしたものに関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のセンサ装置として、例えば半導
体圧力センサがあり、特開昭５５ー１５５２５３号公報
あるいは特開平２ー２４２１２１号公報に示すように、
測定すべき圧力に応じて抵抗値が変化する拡散抵抗によ
る歪ゲージによりブリッジ回路を構成し、このブリッジ
回路の２つの出力信号を差動増幅器により差動増幅して
出力するようにしている。ここで、測定すべき圧力は、
ケースに設けられた圧力導入パイプによりケース内に導
入され、その導入された圧力によりダイヤフラムが変位
し、このダイヤフラムの変位により上記歪ゲージの抵抗
値が変化するようになっており、その歪ゲージを含む回
路ユニット（検出回路部）はケース内に設けられてい
る。
体圧力センサがあり、特開昭５５ー１５５２５３号公報
あるいは特開平２ー２４２１２１号公報に示すように、
測定すべき圧力に応じて抵抗値が変化する拡散抵抗によ
る歪ゲージによりブリッジ回路を構成し、このブリッジ
回路の２つの出力信号を差動増幅器により差動増幅して
出力するようにしている。ここで、測定すべき圧力は、
ケースに設けられた圧力導入パイプによりケース内に導
入され、その導入された圧力によりダイヤフラムが変位
し、このダイヤフラムの変位により上記歪ゲージの抵抗
値が変化するようになっており、その歪ゲージを含む回
路ユニット（検出回路部）はケース内に設けられてい
る。
【０００３】このような半導体圧力センサにおいては、
検出回路部に対する電源入力線、接地線および出力線を
介し、ケース外部から高周波ノイズが入った場合、安定
して検出作動することができず、従ってそのような高周
波ノイズに対して何らかの対策（耐ＥＭＩ対策）を施す
必要がある。そこで、この高周波ノイズ対策として、特
開昭５７ー１６９６４４号公報に示すように、ケースに
貫通コンデンサを設け、この貫通コンデンサを介して上
記電源入力線、接地線および出力線をケースに接続し、
高周波ノイズを貫通コンデンサからケースにバイパスす
るようにしている。
検出回路部に対する電源入力線、接地線および出力線を
介し、ケース外部から高周波ノイズが入った場合、安定
して検出作動することができず、従ってそのような高周
波ノイズに対して何らかの対策（耐ＥＭＩ対策）を施す
必要がある。そこで、この高周波ノイズ対策として、特
開昭５７ー１６９６４４号公報に示すように、ケースに
貫通コンデンサを設け、この貫通コンデンサを介して上
記電源入力線、接地線および出力線をケースに接続し、
高周波ノイズを貫通コンデンサからケースにバイパスす
るようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな貫通コンデンサをケースに設けると、そのためのス
ペース等が必要となり、必然的に装置が大きくなってし
まうという問題がある。この種のセンサ装置においては
その取り付けスペース等にかなりの制約があり、少しで
もセンサ装置を小型化することが望まれており、上記の
貫通コンデンサに替わる他の高周波ノイズ対策を施す必
要がある。
うな貫通コンデンサをケースに設けると、そのためのス
ペース等が必要となり、必然的に装置が大きくなってし
まうという問題がある。この種のセンサ装置においては
その取り付けスペース等にかなりの制約があり、少しで
もセンサ装置を小型化することが望まれており、上記の
貫通コンデンサに替わる他の高周波ノイズ対策を施す必
要がある。
【０００５】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、ケースに貫通コンデンサを設けることなく高周波ノ
イズ対策を施し、装置の小型化を図ることを目的とす
る。
で、ケースに貫通コンデンサを設けることなく高周波ノ
イズ対策を施し、装置の小型化を図ることを目的とす
る。
【０００６】
【課題を達成するための手段】本発明は上記課題を達成
するため、請求項１に記載の発明においては、被測定媒
体の状態を検出し、その検出信号をオペアンプにより差
動増幅して出力する検出回路部をケース内に備え、この
検出回路部に対する電源入力線、接地線および前記オペ
アンプからの出力線を前記ケースを介して外部に導出す
るようにしたセンサ装置において、前記オペアンプの反
転入力端子と非反転入力端子の間に第１のコンデンサ
を、前記電源入力線と接地線の間に第２のコンデンサ
を、前記出力線と接地線の間に第３のコンデンサを、前
記検出回路部に形成したことを特徴としている。
するため、請求項１に記載の発明においては、被測定媒
体の状態を検出し、その検出信号をオペアンプにより差
動増幅して出力する検出回路部をケース内に備え、この
検出回路部に対する電源入力線、接地線および前記オペ
アンプからの出力線を前記ケースを介して外部に導出す
るようにしたセンサ装置において、前記オペアンプの反
転入力端子と非反転入力端子の間に第１のコンデンサ
を、前記電源入力線と接地線の間に第２のコンデンサ
を、前記出力線と接地線の間に第３のコンデンサを、前
記検出回路部に形成したことを特徴としている。
【０００７】請求項２に記載の発明においては、被測定
圧力に応じて抵抗値が変動する歪ゲージによりブリッジ
回路を構成し、このブリッジ回路の２つの出力信号をオ
ペアンプにより差動増幅して出力する検出回路部をケー
ス内に備え、この検出回路部に対する電源入力線、接地
線および前記検出回路部からの出力線を前記ケースを介
して外部に導出するようにした半導体圧力センサとなる
センサ装置において、前記オペアンプの反転入力端子と
非反転入力端子の間に第１のコンデンサを、前記電源入
力線と接地線の間に第２のコンデンサを、前記出力線と
接地線の間に第３のコンデンサを、前記検出回路部に形
成したことを特徴としている。
圧力に応じて抵抗値が変動する歪ゲージによりブリッジ
回路を構成し、このブリッジ回路の２つの出力信号をオ
ペアンプにより差動増幅して出力する検出回路部をケー
ス内に備え、この検出回路部に対する電源入力線、接地
線および前記検出回路部からの出力線を前記ケースを介
して外部に導出するようにした半導体圧力センサとなる
センサ装置において、前記オペアンプの反転入力端子と
非反転入力端子の間に第１のコンデンサを、前記電源入
力線と接地線の間に第２のコンデンサを、前記出力線と
接地線の間に第３のコンデンサを、前記検出回路部に形
成したことを特徴としている。
【０００８】請求項３に記載の発明においては、請求項
１又は２に記載の発明に対し、前記検出回路部が、前記
オペアンプを含む信号増幅用の複数のオペアンプを有
し、これら複数のオペアンプの全ての反転入力端子と非
反転入力端子の間にコンデンサが形成されていることを
特徴としている。請求項４に記載の発明においては、請
求項１乃至３に記載の発明に対し、前記検出回路部は集
積化センサチップとして形成されたものであって、前記
全てのコンデンサはその集積化センサチップに形成され
ていることを特徴としている。
１又は２に記載の発明に対し、前記検出回路部が、前記
オペアンプを含む信号増幅用の複数のオペアンプを有
し、これら複数のオペアンプの全ての反転入力端子と非
反転入力端子の間にコンデンサが形成されていることを
特徴としている。請求項４に記載の発明においては、請
求項１乃至３に記載の発明に対し、前記検出回路部は集
積化センサチップとして形成されたものであって、前記
全てのコンデンサはその集積化センサチップに形成され
ていることを特徴としている。
【０００９】
【発明の作用効果】請求項１乃至４に記載の発明によれ
ば、電源入力線および出力線に外部より混入する高周波
ノイズは、接地線との間にそれぞれ設けられた第２、第
３のコンデンサにより接地側にバイパスされ低減され
る。さらに、この低減された高周波ノイズに対し、検出
回路部内のオペアンプの非反転入力端子と反転入力端子
間に設けられた第１のコンデンサの差動増幅作用により
相殺除去される。従って、検出回路部の入力側でのノイ
ズ除去およびオペアンプでのノイズ相殺作用により、ケ
ースに貫通コンデンサを設けなくても高周波ノイズによ
る影響を低減し被測定媒体の検出作動を正常に行うこと
ができるという効果を奏する。
ば、電源入力線および出力線に外部より混入する高周波
ノイズは、接地線との間にそれぞれ設けられた第２、第
３のコンデンサにより接地側にバイパスされ低減され
る。さらに、この低減された高周波ノイズに対し、検出
回路部内のオペアンプの非反転入力端子と反転入力端子
間に設けられた第１のコンデンサの差動増幅作用により
相殺除去される。従って、検出回路部の入力側でのノイ
ズ除去およびオペアンプでのノイズ相殺作用により、ケ
ースに貫通コンデンサを設けなくても高周波ノイズによ
る影響を低減し被測定媒体の検出作動を正常に行うこと
ができるという効果を奏する。
【００１０】特に、請求項４のように他の回路素子と同
様に集積化センサチップ上にコンデンサを形成するよう
にすることにより、耐高周波ノイズ機能を有する小型の
センサ装置を構成することができるという優れた効果を
奏する。
様に集積化センサチップ上にコンデンサを形成するよう
にすることにより、耐高周波ノイズ機能を有する小型の
センサ装置を構成することができるという優れた効果を
奏する。
【００１１】
【実施例】以下、本発明のセンサ装置として、半導体圧
力センサを一例としたものを、図に示す実施例について
説明する。図２は半導体圧力センサの全体構成を示すも
ので、上ケース１と下ケース２を接合してケースを構成
し、このケースに被測定圧力（例えば、自動車のエンジ
ン吸気圧）を導入する圧力導入パイプ３が取り付けられ
ている。この圧力導入パイプ３により導入された圧力
は、パイレックスガラスからなる台座４を介し集積化セ
ンサチップ５に導かれ、ここで圧力検出が行われる。
力センサを一例としたものを、図に示す実施例について
説明する。図２は半導体圧力センサの全体構成を示すも
ので、上ケース１と下ケース２を接合してケースを構成
し、このケースに被測定圧力（例えば、自動車のエンジ
ン吸気圧）を導入する圧力導入パイプ３が取り付けられ
ている。この圧力導入パイプ３により導入された圧力
は、パイレックスガラスからなる台座４を介し集積化セ
ンサチップ５に導かれ、ここで圧力検出が行われる。
【００１２】この集積化センサチップ５は、図３に示す
ように、シリコンチップ５ａによりダイヤフラム５ｂが
形成され、このシリコンチップ５ａ上にダイヤフラム５
ｂの変位を検出する圧力検出回路部が集積化して形成さ
れている。この集積化センサチップ５への電源入力線、
接地線、出力線は、図２に示すようにボンディングワイ
ヤ６、７および出力端子８、９を介して外部に導出され
る。なお、ボンディングワイヤ６、７および出力端子
８、９は、図２ではそれぞれ２本示されているが、実際
にはそれぞれの配線に対応し３本設けられている。
ように、シリコンチップ５ａによりダイヤフラム５ｂが
形成され、このシリコンチップ５ａ上にダイヤフラム５
ｂの変位を検出する圧力検出回路部が集積化して形成さ
れている。この集積化センサチップ５への電源入力線、
接地線、出力線は、図２に示すようにボンディングワイ
ヤ６、７および出力端子８、９を介して外部に導出され
る。なお、ボンディングワイヤ６、７および出力端子
８、９は、図２ではそれぞれ２本示されているが、実際
にはそれぞれの配線に対応し３本設けられている。
【００１３】次に、圧力検出を行う圧力検出回路部の構
成について図１を用いて説明する。この圧力検出回路部
は、電源入力線Ｖ、出力線Ｏ、接地線Ｇによりそれぞれ
の端子を介して外部と接続されている。図３に示すダイ
ヤフラム５ｂの感圧領域には、不純物を拡散して歪ゲー
ジ１１〜１４が形成されており、これらにより図１に示
すようなブリッジ回路１００が構成されている。ここ
で、歪ゲージ１１〜１４のうち一方の対角位置の歪ゲー
ジは圧力の上昇に応じて抵抗値が増加し、他の対角位置
の歪ゲージは圧力の上昇に応じて抵抗値が減少するよう
に設定されている。この歪ゲージは４つ設けるものが好
ましいが、２つの歪ゲージをそれぞれのブリッジ辺に設
け、他は固定抵抗にしたもの、あるいは１つの歪ゲージ
と固定抵抗を用いてブリッジ回路を構成するようにした
のでもよい。なお、可変抵抗１５、１６はブリッジ回路
１００の不平衡電圧を補正するために設けられている。
成について図１を用いて説明する。この圧力検出回路部
は、電源入力線Ｖ、出力線Ｏ、接地線Ｇによりそれぞれ
の端子を介して外部と接続されている。図３に示すダイ
ヤフラム５ｂの感圧領域には、不純物を拡散して歪ゲー
ジ１１〜１４が形成されており、これらにより図１に示
すようなブリッジ回路１００が構成されている。ここ
で、歪ゲージ１１〜１４のうち一方の対角位置の歪ゲー
ジは圧力の上昇に応じて抵抗値が増加し、他の対角位置
の歪ゲージは圧力の上昇に応じて抵抗値が減少するよう
に設定されている。この歪ゲージは４つ設けるものが好
ましいが、２つの歪ゲージをそれぞれのブリッジ辺に設
け、他は固定抵抗にしたもの、あるいは１つの歪ゲージ
と固定抵抗を用いてブリッジ回路を構成するようにした
のでもよい。なお、可変抵抗１５、１６はブリッジ回路
１００の不平衡電圧を補正するために設けられている。
【００１４】このブリッジ回路１００へは抵抗１７〜２
０およびオペアンプ２９より構成される定電流回路２０
０から定電流が供給される。ブリッジ回路１００は、そ
の定電流の供給を受けてダイヤフラム５ｂへの印加圧力
に応じた電圧Ｖ１、Ｖ２を出力する。この電圧Ｖ１、Ｖ
２は増幅回路３００にて差動増幅される。この増幅回路
３００は、オペアンプ３０〜３２、トランジスタ３３、
３４、抵抗２１〜２５より構成されている。オペアンプ
３１の非反転入力端子にはブリッジ回路１００からの電
圧Ｖ１が印加され、またその反転入力端子にはブリッジ
回路１００から出力される電圧Ｖ２がバッファとして機
能するオペアンプ３０および抵抗２１を介して印加され
ており、両入力電圧がオペアンプ３１にて差動増幅さ
れ、その出力によりトランジスタ３３、３４が制御され
る。この作動により、ブリッジ回路１００の出力電圧
（Ｖ１ーＶ２）が電流出力に変換される。
０およびオペアンプ２９より構成される定電流回路２０
０から定電流が供給される。ブリッジ回路１００は、そ
の定電流の供給を受けてダイヤフラム５ｂへの印加圧力
に応じた電圧Ｖ１、Ｖ２を出力する。この電圧Ｖ１、Ｖ
２は増幅回路３００にて差動増幅される。この増幅回路
３００は、オペアンプ３０〜３２、トランジスタ３３、
３４、抵抗２１〜２５より構成されている。オペアンプ
３１の非反転入力端子にはブリッジ回路１００からの電
圧Ｖ１が印加され、またその反転入力端子にはブリッジ
回路１００から出力される電圧Ｖ２がバッファとして機
能するオペアンプ３０および抵抗２１を介して印加され
ており、両入力電圧がオペアンプ３１にて差動増幅さ
れ、その出力によりトランジスタ３３、３４が制御され
る。この作動により、ブリッジ回路１００の出力電圧
（Ｖ１ーＶ２）が電流出力に変換される。
【００１５】この電流変換された電流出力は、オペアン
プ３２等よりなる増幅回路にて増幅され圧力検出信号を
出力線Ｏに出力する。また、この圧力検出回路部の温度
特性を補償するために抵抗２６〜２８が設けられてい
る。なお、この図１における抵抗１５、１６等の可変抵
抗は、所望の出力を得るために設けられたもので、半導
体圧力センサの製造時に調整される。
プ３２等よりなる増幅回路にて増幅され圧力検出信号を
出力線Ｏに出力する。また、この圧力検出回路部の温度
特性を補償するために抵抗２６〜２８が設けられてい
る。なお、この図１における抵抗１５、１６等の可変抵
抗は、所望の出力を得るために設けられたもので、半導
体圧力センサの製造時に調整される。
【００１６】なお、上述した半導体圧力センサの構成お
よび圧力検出回路部の構成については、特開昭５５ー１
５５２５３号公報あるいは特開平２ー２４２１２１号公
報に示すものと基本的に同様のものである。ここで、こ
れら従来のものと異なるのは、オペアンプ２９〜３２の
非反転入力端子と反転入力端子の間にそれぞれコンデン
サ３５〜３８を設けるとともに、電源入力線Ｖと接地線
Ｇの間および出力線Ｏと接地線Ｇの間にそれぞれコンデ
ンサ３９、４０を設けた点である。
よび圧力検出回路部の構成については、特開昭５５ー１
５５２５３号公報あるいは特開平２ー２４２１２１号公
報に示すものと基本的に同様のものである。ここで、こ
れら従来のものと異なるのは、オペアンプ２９〜３２の
非反転入力端子と反転入力端子の間にそれぞれコンデン
サ３５〜３８を設けるとともに、電源入力線Ｖと接地線
Ｇの間および出力線Ｏと接地線Ｇの間にそれぞれコンデ
ンサ３９、４０を設けた点である。
【００１７】これらのコンデンサ３５〜４０は、他の回
路素子と同様に集積化センサチップ５に形成されてお
り、図３にその内の１つのコンデンサ３５を図示してい
る。電源入力線Ｖおよび出力線Ｏに外部より混入する高
周波ノイズは、接地線Ｇとの間にそれぞれ設けられたコ
ンデンサ３９、４０により接地側にバイパスされ低減さ
れる。さらに、この低減された高周波ノイズは、圧力検
出回路部内の全てのオペアンプの非反転入力端子と反転
入力端子間に設けられたコンデンサ３５〜３８の作用に
より相殺除去される。すなわち、オペアンプのいずれか
の入力端子に高周波ノイズが生じたとしてもそのオペア
ンプの他方の入力端子にもコンデンサを介して同じ高周
波ノイズを発生させ、オペアンプの差動増幅機能により
両入力端子の高周波ノイズを相殺する。
路素子と同様に集積化センサチップ５に形成されてお
り、図３にその内の１つのコンデンサ３５を図示してい
る。電源入力線Ｖおよび出力線Ｏに外部より混入する高
周波ノイズは、接地線Ｇとの間にそれぞれ設けられたコ
ンデンサ３９、４０により接地側にバイパスされ低減さ
れる。さらに、この低減された高周波ノイズは、圧力検
出回路部内の全てのオペアンプの非反転入力端子と反転
入力端子間に設けられたコンデンサ３５〜３８の作用に
より相殺除去される。すなわち、オペアンプのいずれか
の入力端子に高周波ノイズが生じたとしてもそのオペア
ンプの他方の入力端子にもコンデンサを介して同じ高周
波ノイズを発生させ、オペアンプの差動増幅機能により
両入力端子の高周波ノイズを相殺する。
【００１８】従って、圧力検出回路部の入力側でのノイ
ズ除去およびオペアンプでのノイズ相殺作用により、ケ
ースに貫通コンデンサを設けなくても高周波ノイズによ
る影響を低減し圧力検出差動を正常に行うことができ
る。次に、このようなコンデンサを用いたことによる効
果について、発明者が行った実験結果を下に説明する。
ズ除去およびオペアンプでのノイズ相殺作用により、ケ
ースに貫通コンデンサを設けなくても高周波ノイズによ
る影響を低減し圧力検出差動を正常に行うことができ
る。次に、このようなコンデンサを用いたことによる効
果について、発明者が行った実験結果を下に説明する。
【００１９】実験には、表１に示すように、コンデンサ
の容量が異なる３つの水準（Ａ、Ｂ、Ｃ水準）のものお
よび圧力検出回路部にコンデンサを用いないもの（Ｄ水
準）の４つを用いて行った。なお、表１におけるＣ３５
〜Ｃ４０はコンデンサ３５〜４０の容量（ＰＦ）を示し
ている。
の容量が異なる３つの水準（Ａ、Ｂ、Ｃ水準）のものお
よび圧力検出回路部にコンデンサを用いないもの（Ｄ水
準）の４つを用いて行った。なお、表１におけるＣ３５
〜Ｃ４０はコンデンサ３５〜４０の容量（ＰＦ）を示し
ている。
【００２０】
【表１】
【００２１】実験条件としては、ＴＥＭ−ＣＥＬＬによ
り周波数１〜４００ＭＨz にて、センサ出力の誤動作量
が２％ＦＳ以下となる電界強度を耐ＥＭＩ強度とした。
また、電界強度の最大は１００Ｖ／ｍとした。図４〜６
にその実験結果を示すが、これらのグラフにおいては対
数目盛りを用いて表している。
り周波数１〜４００ＭＨz にて、センサ出力の誤動作量
が２％ＦＳ以下となる電界強度を耐ＥＭＩ強度とした。
また、電界強度の最大は１００Ｖ／ｍとした。図４〜６
にその実験結果を示すが、これらのグラフにおいては対
数目盛りを用いて表している。
【００２２】図４は、水準ＡとＤの比較を示すもので、
水準Ｄのようにコンデンサを全く用いない場合には、１
００〜２５０ＭＨz にて数１０Ｖ／ｍの耐ＥＭＩ強度で
あるのに対し、水準Ａにおいては、図から明らかなよう
に、耐ＥＭＩ性がはるかに向上したものとなっている。
また、図５、６における水準Ｂ、Ｃにおいても、図３と
の比較で分かるように、水準Ｄのものに比べれば耐ＥＭ
Ｉ性は向上している。しかし、コンデンサの容量が大き
い水準Ａの方が優れている。
水準Ｄのようにコンデンサを全く用いない場合には、１
００〜２５０ＭＨz にて数１０Ｖ／ｍの耐ＥＭＩ強度で
あるのに対し、水準Ａにおいては、図から明らかなよう
に、耐ＥＭＩ性がはるかに向上したものとなっている。
また、図５、６における水準Ｂ、Ｃにおいても、図３と
の比較で分かるように、水準Ｄのものに比べれば耐ＥＭ
Ｉ性は向上している。しかし、コンデンサの容量が大き
い水準Ａの方が優れている。
【００２３】このことから、本実施例のようにコンデン
サを設けることにより、耐ＥＭＩ性が向上し、その場
合、コンデンサの容量を大きくする方がより効果が大き
いことがわかる。しかしながら、コンデンサの容量を大
きくなると、そのための形成面積が大きくなる。従っ
て、圧力検出回路の回路面積との関係でその容量が決定
される。
サを設けることにより、耐ＥＭＩ性が向上し、その場
合、コンデンサの容量を大きくする方がより効果が大き
いことがわかる。しかしながら、コンデンサの容量を大
きくなると、そのための形成面積が大きくなる。従っ
て、圧力検出回路の回路面積との関係でその容量が決定
される。
【００２４】なお、上記実施例においては、半導体圧力
センサに適用するものについて説明したが、加速度セン
サ、ＭＲＥセンサ等のセンサ装置に適用するようにして
もよい。
センサに適用するものについて説明したが、加速度セン
サ、ＭＲＥセンサ等のセンサ装置に適用するようにして
もよい。
【図１】半導体圧力センサの圧力検出回路部の回路構成
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図２】半導体圧力センサの構成を示す断面図である。
【図３】集積化センサチップの構成を示す構成図であ
る。
る。
【図４】コンデンサを用いた場合と用いない場合の耐Ｅ
ＭＩ実験結果を示すグラフである。
ＭＩ実験結果を示すグラフである。
【図５】図３に示すものより容量の小さいコンデンサを
用いた場合の耐ＥＭＩ実験結果を示すグラフである。
用いた場合の耐ＥＭＩ実験結果を示すグラフである。
【図６】図４に示すものより容量の小さいコンデンサを
用いた場合の耐ＥＭＩ実験結果を示すグラフである。
用いた場合の耐ＥＭＩ実験結果を示すグラフである。
１ 上ケース ２ 下ケース ３ 圧力導入パイプ ５ 集積化センサチップ １１〜２８ 抵抗 ２９〜３２ オペアンプ ３５〜４０ コンデンサ
Claims (4)
- 【請求項１】 被測定媒体の状態を検出し、その検出信
号をオペアンプにより差動増幅して出力する検出回路部
をケース内に備え、この検出回路部に対する電源入力
線、接地線および前記オペアンプからの出力線を前記ケ
ースを介して外部に導出するようにしたセンサ装置にお
いて、 前記オペアンプの反転入力端子と非反転入力端子の間に
第１のコンデンサを、前記電源入力線と接地線の間に第
２のコンデンサを、前記出力線と接地線の間に第３のコ
ンデンサを、前記検出回路部に形成したことを特徴とす
るセンサ装置。 - 【請求項２】 被測定圧力に応じて抵抗値が変動する歪
ゲージによりブリッジ回路を構成し、このブリッジ回路
の２つの出力信号をオペアンプにより差動増幅して出力
する検出回路部をケース内に備え、この検出回路部に対
する電源入力線、接地線および前記検出回路部からの出
力線を前記ケースを介して外部に導出するようにした半
導体圧力センサとなるセンサ装置において、 前記オペアンプの反転入力端子と非反転入力端子の間に
第１のコンデンサを、前記電源入力線と接地線の間に第
２のコンデンサを、前記出力線と接地線の間に第３のコ
ンデンサを、前記検出回路部に形成したことを特徴とす
るセンサ装置。 - 【請求項３】 前記検出回路部には前記オペアンプを含
む信号増幅用の複数のオペアンプを有し、これら複数の
オペアンプの全ての反転入力端子と非反転入力端子の間
にコンデンサが形成されていることを特徴とする請求項
１又は２に記載のセンサ装置。 - 【請求項４】 前記検出回路部は集積化センサチップと
して形成されたものであって、前記全てのコンデンサは
その集積化センサチップに形成されていることを特徴と
する請求項１乃至３のいずれかに記載のセンサ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7828794A JPH07286924A (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7828794A JPH07286924A (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | センサ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07286924A true JPH07286924A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=13657742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7828794A Pending JPH07286924A (ja) | 1994-04-18 | 1994-04-18 | センサ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07286924A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5789797A (en) * | 1995-07-28 | 1998-08-04 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor device that suppresses electromagnetic noise |
| US6975164B1 (en) | 1997-03-17 | 2005-12-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method and device for generating constant voltage |
-
1994
- 1994-04-18 JP JP7828794A patent/JPH07286924A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5789797A (en) * | 1995-07-28 | 1998-08-04 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor device that suppresses electromagnetic noise |
| US6975164B1 (en) | 1997-03-17 | 2005-12-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method and device for generating constant voltage |
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