JPH07288250A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH07288250A JPH07288250A JP10190094A JP10190094A JPH07288250A JP H07288250 A JPH07288250 A JP H07288250A JP 10190094 A JP10190094 A JP 10190094A JP 10190094 A JP10190094 A JP 10190094A JP H07288250 A JPH07288250 A JP H07288250A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- temperature
- sputtering
- sputtering apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタリング中において半導体ウェハの表
面温度を精確にモニタリングする。 【構成】 半導体ウェハ３の主面に接触してこの半導体
ウェハ３の表面温度を検出し電気信号の形で検出結果を
出力する接触温度検出素子、例えば熱電対６を備える。
面温度を精確にモニタリングする。 【構成】 半導体ウェハ３の主面に接触してこの半導体
ウェハ３の表面温度を検出し電気信号の形で検出結果を
出力する接触温度検出素子、例えば熱電対６を備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング装置、
特に半導体ウェハの表面温度をより正確にモニターする
ことができるスパッタリング装置に関する。
特に半導体ウェハの表面温度をより正確にモニターする
ことができるスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造に必要な工程の一つで
あるスパッタリングにおいてスパッタリング中における
半導体ウェハの表面温度はスパッタリング膜の膜質、膜
厚、膜成長速度等を左右する重要なパラメータの一つで
ある。従って、スパッタリング中における半導体ウェハ
の表面温度が設定温度どおりになるようにスパッタリン
グ装置の温度コントロールをすることが必要であり、そ
して、そのためには、スパッタリング中において半導体
ウェハの表面温度を正確にモニターする必要性がある。
あるスパッタリングにおいてスパッタリング中における
半導体ウェハの表面温度はスパッタリング膜の膜質、膜
厚、膜成長速度等を左右する重要なパラメータの一つで
ある。従って、スパッタリング中における半導体ウェハ
の表面温度が設定温度どおりになるようにスパッタリン
グ装置の温度コントロールをすることが必要であり、そ
して、そのためには、スパッタリング中において半導体
ウェハの表面温度を正確にモニターする必要性がある。
【０００３】ところで、従来においては熱電対付きのウ
ェハを用意してこれをスパッタリング装置内にセット
し、プラズマ生成をしないで単なるウェハヒーティング
をした状態でそのウェハの温度をその熱電対から測定す
るという半導体ウェハの表面温度測定法が用いられた。
ェハを用意してこれをスパッタリング装置内にセット
し、プラズマ生成をしないで単なるウェハヒーティング
をした状態でそのウェハの温度をその熱電対から測定す
るという半導体ウェハの表面温度測定法が用いられた。
【０００４】また、プラズマを生成しない状態ではな
く、実際にスパッタリングが行われるところのプラズマ
を生成した状態での半導体ウェハ温度測定をするために
サーモパイル（放射温度計）を用いてスパッタリング中
における半導体ウェハの温度を測定することも試みられ
たことがある。
く、実際にスパッタリングが行われるところのプラズマ
を生成した状態での半導体ウェハ温度測定をするために
サーモパイル（放射温度計）を用いてスパッタリング中
における半導体ウェハの温度を測定することも試みられ
たことがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、熱電対付き
の半導体ウェハをスパッタリング装置内にセットしプラ
ズマ生成しない状態で単にウェハヒーティングのみを行
った状態で温度測定をするという温度モニター方法によ
ればスパッタリング中における温度測定ができないとい
う問題があった。また、サーモパイル（放射温度計）に
より半導体ウェハの表面温度を測定するという温度のモ
ニター方法には、スパッタリング中におけるモニタリン
グができるという利点があるが、その反面において非接
触式であるので半導体ウェハの表面温度を正確に検出す
ることが難しいという欠点があった。特に、半導体ウェ
ハのサーモパイルを配置した側と反対側の表面温度を正
確に測定することができない点が無視できない。
の半導体ウェハをスパッタリング装置内にセットしプラ
ズマ生成しない状態で単にウェハヒーティングのみを行
った状態で温度測定をするという温度モニター方法によ
ればスパッタリング中における温度測定ができないとい
う問題があった。また、サーモパイル（放射温度計）に
より半導体ウェハの表面温度を測定するという温度のモ
ニター方法には、スパッタリング中におけるモニタリン
グができるという利点があるが、その反面において非接
触式であるので半導体ウェハの表面温度を正確に検出す
ることが難しいという欠点があった。特に、半導体ウェ
ハのサーモパイルを配置した側と反対側の表面温度を正
確に測定することができない点が無視できない。
【０００６】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、スパッタリング中において半導体ウ
ェハの表面温度を正確にモニタリングできる新規なスパ
ッタリング装置を提供することを目的とする。
されたものであり、スパッタリング中において半導体ウ
ェハの表面温度を正確にモニタリングできる新規なスパ
ッタリング装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明スパッタリング装
置は、半導体ウェハの主面に接触してこの半導体ウェハ
の温度を検出し電気信号の形で検出結果を出力する接触
温度検出素子を備えたことを特徴とする。
置は、半導体ウェハの主面に接触してこの半導体ウェハ
の温度を検出し電気信号の形で検出結果を出力する接触
温度検出素子を備えたことを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明スパッタリング装置によれば、スパッタ
リング中の半導体ウェハに接触させて半導体ウェハ表面
温度を測定する接触温度検出素子を設けたので、スパッ
タリング中における半導体ウェハ表面の温度を精確に測
定することができる。従って、半導体ウェハ表面温度を
設定温度どおりに制御することが可能となる。また、接
触温度検出素子から温度検出結果が電気信号の形で出力
されるので、接触温度検出素子の出力を処理して半導体
ウェハの温度をコントロールすることが容易且つ精確に
為し得る。
リング中の半導体ウェハに接触させて半導体ウェハ表面
温度を測定する接触温度検出素子を設けたので、スパッ
タリング中における半導体ウェハ表面の温度を精確に測
定することができる。従って、半導体ウェハ表面温度を
設定温度どおりに制御することが可能となる。また、接
触温度検出素子から温度検出結果が電気信号の形で出力
されるので、接触温度検出素子の出力を処理して半導体
ウェハの温度をコントロールすることが容易且つ精確に
為し得る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明スパッタリング装置を図示実施
例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｄ）は本
発明スパッタリング装置の一つの実施例を示すもので、
（Ａ）はスパッタリング装置の内部構造を示す断面図、
（Ｂ）はスパッタリング装置のリングチャックの平面
図、（Ｃ）は半導体ウェハをセットした状態のリングチ
ャックの断面図、（Ｄ）は熱電対を示す図である。図面
において、１はホルダー、２はリングチャックで、ホル
ダー１の下面にリングチャック２により半導体ウェハ３
を表側を下向きにした状態で押える。具体的には、リン
グチャック２のウェハ押えばね５、５、５、５により半
導体ウェハ３の表面を上側に押してホルダー１・リング
チャック２間に半導体ウェハ３を保持した状態を形成す
るようになっている。４はターゲット支持部である。
例に従って詳細に説明する。図１（Ａ）乃至（Ｄ）は本
発明スパッタリング装置の一つの実施例を示すもので、
（Ａ）はスパッタリング装置の内部構造を示す断面図、
（Ｂ）はスパッタリング装置のリングチャックの平面
図、（Ｃ）は半導体ウェハをセットした状態のリングチ
ャックの断面図、（Ｄ）は熱電対を示す図である。図面
において、１はホルダー、２はリングチャックで、ホル
ダー１の下面にリングチャック２により半導体ウェハ３
を表側を下向きにした状態で押える。具体的には、リン
グチャック２のウェハ押えばね５、５、５、５により半
導体ウェハ３の表面を上側に押してホルダー１・リング
チャック２間に半導体ウェハ３を保持した状態を形成す
るようになっている。４はターゲット支持部である。
【００１０】６、６、６、６は各ウェハ押えばね５、
５、５、５に取り付けられた熱電対で、先端が半導体ウ
ェハ３の下向きの表面に接触し、図示しないリード線が
リングチャックとその取付部との間に挟み込まれたシリ
ンダシャフト内を通されてスパッタの影響を受けないよ
うにされている。
５、５、５に取り付けられた熱電対で、先端が半導体ウ
ェハ３の下向きの表面に接触し、図示しないリード線が
リングチャックとその取付部との間に挟み込まれたシリ
ンダシャフト内を通されてスパッタの影響を受けないよ
うにされている。
【００１１】このようなスパッタリング装置によれば、
スパッタリング中の半導体ウェハ３の表面に接触させて
半導体ウェハ表面温度を測定する接触温度検出素子、例
えば熱電対６を設けたので、スパッタリング中における
半導体ウェハ３表面の温度を正確に測定することができ
る。従って、半導体ウェハ３表面温度を設定温度どおり
に制御することが可能となる。
スパッタリング中の半導体ウェハ３の表面に接触させて
半導体ウェハ表面温度を測定する接触温度検出素子、例
えば熱電対６を設けたので、スパッタリング中における
半導体ウェハ３表面の温度を正確に測定することができ
る。従って、半導体ウェハ３表面温度を設定温度どおり
に制御することが可能となる。
【００１２】また、接触温度検出素子、例えば熱電対３
から温度検出結果が電気信号の形で出力されるので、そ
の出力を処理して半導体ウェハ３の温度をコントロール
することが容易且つ精確に為し得る。尚、熱電対６等の
接触温度検出素子を、半導体ウェハ３の表面に接触させ
て取り付ければ必ずしも上記実施例のようにリングチャ
ック部に取り付ける態様に限らず、例えばサセプタ（ホ
ルダー）部に取り付ける、半導体ウェハを支持するツメ
部に取り付ける等の態様でも本発明を実施することがで
きる。また、設ける接触温度検出素子の数は必ずしも４
個に限定されるものではなく、それより少なくても良い
し、多くても良い。そして、その数を多くする程温度分
布が詳細に把握できる。
から温度検出結果が電気信号の形で出力されるので、そ
の出力を処理して半導体ウェハ３の温度をコントロール
することが容易且つ精確に為し得る。尚、熱電対６等の
接触温度検出素子を、半導体ウェハ３の表面に接触させ
て取り付ければ必ずしも上記実施例のようにリングチャ
ック部に取り付ける態様に限らず、例えばサセプタ（ホ
ルダー）部に取り付ける、半導体ウェハを支持するツメ
部に取り付ける等の態様でも本発明を実施することがで
きる。また、設ける接触温度検出素子の数は必ずしも４
個に限定されるものではなく、それより少なくても良い
し、多くても良い。そして、その数を多くする程温度分
布が詳細に把握できる。
【００１３】
【発明の効果】本発明スパッタリング装置は、半導体ウ
ェハの主面に接触してこの半導体ウェハの温度を検出し
電気信号の形で検出結果を出力する接触温度検出素子を
備えたことを特徴とするものである。従って、本発明ス
パッタリング装置によれば、スパッタリング中の半導体
ウェハに接触させて半導体ウェハ表面温度を測定する接
触温度検出素子を設けたので、スパッタリング中におけ
る半導体ウェハ表面の温度を正確に測定することができ
る。従って、半導体ウェハ表面温度を設定温度どおりに
制御することが可能である。また、接触温度検出素子か
ら温度検出結果が電気信号の形で出力されるので、接触
温度検出素子の出力を処理して半導体ウェハの温度をコ
ントロールすることが容易且つ精確に為し得る。
ェハの主面に接触してこの半導体ウェハの温度を検出し
電気信号の形で検出結果を出力する接触温度検出素子を
備えたことを特徴とするものである。従って、本発明ス
パッタリング装置によれば、スパッタリング中の半導体
ウェハに接触させて半導体ウェハ表面温度を測定する接
触温度検出素子を設けたので、スパッタリング中におけ
る半導体ウェハ表面の温度を正確に測定することができ
る。従って、半導体ウェハ表面温度を設定温度どおりに
制御することが可能である。また、接触温度検出素子か
ら温度検出結果が電気信号の形で出力されるので、接触
温度検出素子の出力を処理して半導体ウェハの温度をコ
ントロールすることが容易且つ精確に為し得る。
【図１】（Ａ）乃至（Ｄ）は本発明スパッタリング装置
の一つの実施例を示すもので、（Ａ）はスパッタリング
装置の内部構造を示す断面図、（Ｂ）はスパッタリング
装置のリングチャックの平面図、（Ｃ）は半導体ウェハ
をセットした状態のリングチャックの断面図、（Ｄ）は
熱電対を示す図である。
の一つの実施例を示すもので、（Ａ）はスパッタリング
装置の内部構造を示す断面図、（Ｂ）はスパッタリング
装置のリングチャックの平面図、（Ｃ）は半導体ウェハ
をセットした状態のリングチャックの断面図、（Ｄ）は
熱電対を示す図である。
３ 半導体ウェハ ６ 接触温度検出素子（熱電対）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｔ 7630−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェハの主面に接触してこの半導
体ウェハの温度を検出し電気信号の形で検出結果を出力
する接触温度検出素子を備えたことを特徴とするスパッ
タリング装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10190094A JPH07288250A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10190094A JPH07288250A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07288250A true JPH07288250A (ja) | 1995-10-31 |
Family
ID=14312797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10190094A Pending JPH07288250A (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07288250A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103088308A (zh) * | 2011-11-01 | 2013-05-08 | 无锡华润上华科技有限公司 | 温度监控装置 |
-
1994
- 1994-04-15 JP JP10190094A patent/JPH07288250A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103088308A (zh) * | 2011-11-01 | 2013-05-08 | 无锡华润上华科技有限公司 | 温度监控装置 |
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