JPH07288709A - 高圧発生装置 - Google Patents
高圧発生装置Info
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- JPH07288709A JPH07288709A JP7737794A JP7737794A JPH07288709A JP H07288709 A JPH07288709 A JP H07288709A JP 7737794 A JP7737794 A JP 7737794A JP 7737794 A JP7737794 A JP 7737794A JP H07288709 A JPH07288709 A JP H07288709A
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- JP
- Japan
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- voltage
- capacitor
- high voltage
- low
- resistor
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- Granted
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Details Of Television Scanning (AREA)
- Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大幅な価格アップ、形状の大型化なしで安定
性のよい高圧を得ることができる高圧発生装置を提供す
る。 【構成】 高圧リップル低減用の高圧コンデンサＣ１
と、高圧検出のための高圧抵抗Ｒ１と、検出抵抗Ｒ２と
を有する高圧発生装置において、前記高圧コンデンサＣ
１と大容量の第１の低圧コンデンサＣ２′からなる直列
回路を、高圧出力端とアース間に接続すると共に、前記
高圧コンデンサＣ１および第１の低圧コンデンサＣ２′
の接続点と、前記高圧抵抗Ｒ１および検出抵抗Ｒ２の接
続点の間に、小容量の第２の低圧コンデンサＣ４を接続
した。
性のよい高圧を得ることができる高圧発生装置を提供す
る。 【構成】 高圧リップル低減用の高圧コンデンサＣ１
と、高圧検出のための高圧抵抗Ｒ１と、検出抵抗Ｒ２と
を有する高圧発生装置において、前記高圧コンデンサＣ
１と大容量の第１の低圧コンデンサＣ２′からなる直列
回路を、高圧出力端とアース間に接続すると共に、前記
高圧コンデンサＣ１および第１の低圧コンデンサＣ２′
の接続点と、前記高圧抵抗Ｒ１および検出抵抗Ｒ２の接
続点の間に、小容量の第２の低圧コンデンサＣ４を接続
した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、カラーディスプレイ等
に好適な高圧発生装置に関する。
に好適な高圧発生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に示す従来の高圧発生装置におい
て、表示画面の明るさが増大し、高圧トランス１の負荷
電流Ｉｂが増加すると、高圧トランス１の出力電圧Ｅｈ
ｖが低下し、その結果、ＣＲＴ２上の表示画面の大きさ
が変化する。
て、表示画面の明るさが増大し、高圧トランス１の負荷
電流Ｉｂが増加すると、高圧トランス１の出力電圧Ｅｈ
ｖが低下し、その結果、ＣＲＴ２上の表示画面の大きさ
が変化する。
【０００３】これを抑制するために、１５００ＰＦ〜６
０００ＰＦ程度の大容量の高耐圧コンデンサＣ１を高圧
端子とアース間に接続し、Ｅｈｖの変化を少なくすると
共に、Ｅｈｖを、高耐圧の高圧抵抗（４００〜６００Ｍ
Ω程度）Ｒ１と電圧検出のための抵抗Ｒ２で抵抗分割
し、Ｅｈｖの変化を検出し、アンプ（ＡＭＰ）３を介
し、高圧トランス１の一次側に帰還させている。
０００ＰＦ程度の大容量の高耐圧コンデンサＣ１を高圧
端子とアース間に接続し、Ｅｈｖの変化を少なくすると
共に、Ｅｈｖを、高耐圧の高圧抵抗（４００〜６００Ｍ
Ω程度）Ｒ１と電圧検出のための抵抗Ｒ２で抵抗分割
し、Ｅｈｖの変化を検出し、アンプ（ＡＭＰ）３を介
し、高圧トランス１の一次側に帰還させている。
【０００４】このＡＭＰ３は、高圧検出電圧Ｅｄが低下
すると高圧トランス１の一次側電源電圧（＋Ｂ電圧）を
上昇させ、高圧トランス１の出力電圧Ｅｈｖを上昇させ
るように動作する。
すると高圧トランス１の一次側電源電圧（＋Ｂ電圧）を
上昇させ、高圧トランス１の出力電圧Ｅｈｖを上昇させ
るように動作する。
【０００５】この回路において、Ｃ２はノイズによる回
路の誤動作を防止するためのノイズ抑制コンデンサであ
り、通常１００ＰＦ〜２００ＰＦ程度である。
路の誤動作を防止するためのノイズ抑制コンデンサであ
り、通常１００ＰＦ〜２００ＰＦ程度である。
【０００６】本回路において、高圧抵抗Ｒ１は高耐圧で
あるため、抵抗の形状が大きく、そのため浮遊容量Ｃ
ａ，Ｃｂが発生する。理想的な検出電圧ＥｄはＲ１：Ｒ
２の比で抵抗分割され、波形はＥｈｖに忠実なものであ
るが、実際には高圧抵抗Ｒ１は高インピーダンスである
ため、浮遊容量Ｃａ，Ｃｂ（数ＰＦ）が無視できず、Ｃ
ａ，Ｃｂ，Ｃ２の影響で実際に得られる検出電圧Ｅｄ
は、図４に示すようにＥｈｖ波形に対し波形がなまり、
その結果、ＡＭＰ３を介して得られた補正後の高圧出力
にはリップルが残り、表示画面の歪み等の原因となる。
あるため、抵抗の形状が大きく、そのため浮遊容量Ｃ
ａ，Ｃｂが発生する。理想的な検出電圧ＥｄはＲ１：Ｒ
２の比で抵抗分割され、波形はＥｈｖに忠実なものであ
るが、実際には高圧抵抗Ｒ１は高インピーダンスである
ため、浮遊容量Ｃａ，Ｃｂ（数ＰＦ）が無視できず、Ｃ
ａ，Ｃｂ，Ｃ２の影響で実際に得られる検出電圧Ｅｄ
は、図４に示すようにＥｈｖ波形に対し波形がなまり、
その結果、ＡＭＰ３を介して得られた補正後の高圧出力
にはリップルが残り、表示画面の歪み等の原因となる。
【０００７】上記問題を解決する手段として、従来は図
５に示すように、高圧出力端と高圧検出端間に高耐圧の
コンデンサ（スピードアップコンデンサ）Ｃ３を追加す
る構成が採用されている。
５に示すように、高圧出力端と高圧検出端間に高耐圧の
コンデンサ（スピードアップコンデンサ）Ｃ３を追加す
る構成が採用されている。
【０００８】Ｃ３の値をＲ１部に発生する浮遊容量Ｃ
ａ，Ｃｂに対し、充分大きな値（通常は２０ＰＦ程度）
に選定することによって、Ｃａ，Ｃｂの影響をなくすこ
とができ、Ｃ２の値をほぼ、Ｒ１：Ｒ２＝１／Ｃ３：１
／Ｃ２に選定することによって得られる検出電圧Ｅｄ
は、直流分はＲ１：Ｒ２の比によって、また、交流分は
１／Ｃ３：１／Ｃ２の比によって得られるため、Ｅｈｖ
に忠実な波形が得られ、その結果、得られる高圧出力Ｅ
ｈｖもリップルのない安定した高圧となる。
ａ，Ｃｂに対し、充分大きな値（通常は２０ＰＦ程度）
に選定することによって、Ｃａ，Ｃｂの影響をなくすこ
とができ、Ｃ２の値をほぼ、Ｒ１：Ｒ２＝１／Ｃ３：１
／Ｃ２に選定することによって得られる検出電圧Ｅｄ
は、直流分はＲ１：Ｒ２の比によって、また、交流分は
１／Ｃ３：１／Ｃ２の比によって得られるため、Ｅｈｖ
に忠実な波形が得られ、その結果、得られる高圧出力Ｅ
ｈｖもリップルのない安定した高圧となる。
【０００９】図６に示すように、高圧コンデンサＣ１
（１５００ＰＦ〜６０００ＰＦ程度）を高圧出力端と検
出端の間に接続することによって、高圧コンデンサＣ１
を図５におけるスピードアップコンデンサＣ３と兼用す
る方式もある。
（１５００ＰＦ〜６０００ＰＦ程度）を高圧出力端と検
出端の間に接続することによって、高圧コンデンサＣ１
を図５におけるスピードアップコンデンサＣ３と兼用す
る方式もある。
【００１０】本方式において、Ｃ２′の値は図５の場合
と同様に、Ｒ１：Ｒ２＝１／Ｃ１：１／Ｃ２′に選定す
ることによって、周波数の高いＥｈｖの変化に対しては
検出電圧はＥｈｖに忠実な波形が得られる。
と同様に、Ｒ１：Ｒ２＝１／Ｃ１：１／Ｃ２′に選定す
ることによって、周波数の高いＥｈｖの変化に対しては
検出電圧はＥｈｖに忠実な波形が得られる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示す従来例においては、高耐圧の高圧コンデンサＣ３の
追加が必要となり、高圧コンデンサであるため、価格が
高い、形状が大きく取り付けるのに広いスペースが必要
等の問題がある。実際には、図７、図８に示すような３
端子構造のフィルムコンデンサを使用することによっ
て、価格アップの抑制、および小型化を図っているもの
の、充分とは言えなかった。
示す従来例においては、高耐圧の高圧コンデンサＣ３の
追加が必要となり、高圧コンデンサであるため、価格が
高い、形状が大きく取り付けるのに広いスペースが必要
等の問題がある。実際には、図７、図８に示すような３
端子構造のフィルムコンデンサを使用することによっ
て、価格アップの抑制、および小型化を図っているもの
の、充分とは言えなかった。
【００１２】なお、図７はフィルムコンデンサの展開斜
視図であり、４は３層の絶縁フィルム、５は検出端子、
６はＥｈｖ端子、７はアース端子、８は電極である。こ
の絶縁フィルム４を巻回して図８に示すフィルムコンデ
ンサが得られる。
視図であり、４は３層の絶縁フィルム、５は検出端子、
６はＥｈｖ端子、７はアース端子、８は電極である。こ
の絶縁フィルム４を巻回して図８に示すフィルムコンデ
ンサが得られる。
【００１３】また、図６に示す従来例においては、スピ
ードアップのためのコンデンサの容量が図５の従来例で
は２０ＰＦ程度であるのに対し、１５００ＰＦ〜６００
０ＰＦと極めて大きく、従ってＣ２′の値も図５の場合
に比べて７５〜３００倍（１５００／２０〜６０００／
２０）の大きな値に選定する必要がある。そのため、Ｃ
２′×Ｒ２で決まるＣ２′とＲ２の充放電時定数が大き
くなり、ディスプレイ装置の電源オン時のＥｄの電圧立
ち上がりがＥｈｖに対し極めて遅くなり、その結果、補
正後のＥｈｖは図９に示すような過波現象が発生する問
題がある。
ードアップのためのコンデンサの容量が図５の従来例で
は２０ＰＦ程度であるのに対し、１５００ＰＦ〜６００
０ＰＦと極めて大きく、従ってＣ２′の値も図５の場合
に比べて７５〜３００倍（１５００／２０〜６０００／
２０）の大きな値に選定する必要がある。そのため、Ｃ
２′×Ｒ２で決まるＣ２′とＲ２の充放電時定数が大き
くなり、ディスプレイ装置の電源オン時のＥｄの電圧立
ち上がりがＥｈｖに対し極めて遅くなり、その結果、補
正後のＥｈｖは図９に示すような過波現象が発生する問
題がある。
【００１４】本発明はこのような背景に基づいてなされ
たものであり、大幅な価格アップ、形状の大型化なしで
安定性のよい高圧を得ることができる高圧発生装置を提
供することを目的とするものである。
たものであり、大幅な価格アップ、形状の大型化なしで
安定性のよい高圧を得ることができる高圧発生装置を提
供することを目的とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、高圧リップ
ル低減用の高圧コンデンサと、高圧検出のための高圧抵
抗と、検出抵抗とを有する高圧発生装置において、前記
高圧コンデンサと大容量の第１の低圧コンデンサからな
る直列回路を、高圧出力端とアース間に接続すると共
に、前記高圧コンデンサおよび第１の低圧コンデンサの
接続点と、前記高圧抵抗および検出抵抗の接続点の間
に、小容量の第２の低圧コンデンサを接続した第１の手
段により達成される。
ル低減用の高圧コンデンサと、高圧検出のための高圧抵
抗と、検出抵抗とを有する高圧発生装置において、前記
高圧コンデンサと大容量の第１の低圧コンデンサからな
る直列回路を、高圧出力端とアース間に接続すると共
に、前記高圧コンデンサおよび第１の低圧コンデンサの
接続点と、前記高圧抵抗および検出抵抗の接続点の間
に、小容量の第２の低圧コンデンサを接続した第１の手
段により達成される。
【００１６】また、第１の手段において、前記高圧コン
デンサと第１の低圧コンデンサまたは第２の低圧コンデ
ンサとして、一体巻き取り３端子構造のフィルムコンデ
ンサを用いる第２の手段により達成される。
デンサと第１の低圧コンデンサまたは第２の低圧コンデ
ンサとして、一体巻き取り３端子構造のフィルムコンデ
ンサを用いる第２の手段により達成される。
【００１７】
【作用】本発明においては、低圧コンデンサＣ２の代わ
りに低圧コンデンサＣ２′，Ｃ４を追加するのみで安定
した高圧を得ることができる。
りに低圧コンデンサＣ２′，Ｃ４を追加するのみで安定
した高圧を得ることができる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００１９】図１は実施例に係る高圧発生装置の回路図
である。
である。
【００２０】本実施例においては、高圧コンデンサＣ１
と大容量の低圧コンデンサＣ２′を直列接続し、高圧出
力端とアース間に接続すると共に、Ｃ１とＣ２′の接続
点と、Ｒ１とＲ２の接続点の間にＣ２′に比べ充分小容
量の低圧コンデンサＣ４を接続する。
と大容量の低圧コンデンサＣ２′を直列接続し、高圧出
力端とアース間に接続すると共に、Ｃ１とＣ２′の接続
点と、Ｒ１とＲ２の接続点の間にＣ２′に比べ充分小容
量の低圧コンデンサＣ４を接続する。
【００２１】本実施例によって得られる検出電圧Ｅｄ
は、直流分はＲ１，Ｒ２の比によって、また、交流分は
Ｃ２′，Ｃ４の値を適正に選ぶことによって、Ｅｈｖに
忠実な波形を得ることができ、結果として安定な高圧を
得ることができる。また、図６に示す従来例の問題点で
あった電源オン時のＥｄの立ち上がり時定数は、Ｒ２×
｛（Ｃ２′＋Ｃ４）／（Ｃ２′＋Ｃ４）｝となり、Ｃ４
≪Ｃ２′に選定するのであるから、時定数は充分小さな
値となり、その結果、Ｅｈｖが過波現象を発生すること
もない。
は、直流分はＲ１，Ｒ２の比によって、また、交流分は
Ｃ２′，Ｃ４の値を適正に選ぶことによって、Ｅｈｖに
忠実な波形を得ることができ、結果として安定な高圧を
得ることができる。また、図６に示す従来例の問題点で
あった電源オン時のＥｄの立ち上がり時定数は、Ｒ２×
｛（Ｃ２′＋Ｃ４）／（Ｃ２′＋Ｃ４）｝となり、Ｃ４
≪Ｃ２′に選定するのであるから、時定数は充分小さな
値となり、その結果、Ｅｈｖが過波現象を発生すること
もない。
【００２２】ここで、Ｃ４またはＣ２′は図２に示すよ
うに、３端子構造のフィルムコンデンサとすることもで
きる。コンデンサのＣ４またはＣ２′部は低耐圧である
ので、絶縁厚みは薄くて済み、Ｃ４またはＣ２′を追加
してもコンデンサは殆ど大型化しないで済む。
うに、３端子構造のフィルムコンデンサとすることもで
きる。コンデンサのＣ４またはＣ２′部は低耐圧である
ので、絶縁厚みは薄くて済み、Ｃ４またはＣ２′を追加
してもコンデンサは殆ど大型化しないで済む。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
圧コンデンサと大容量の第１の低圧コンデンサを直列接
続して高圧出力端とアース間に接続すると共に、その中
間と、高圧抵抗および検出抵抗の中間との間に小容量の
第２の低圧コンデンサを接続しただけの簡単な構成で安
定した高圧を得ることが可能となる。
圧コンデンサと大容量の第１の低圧コンデンサを直列接
続して高圧出力端とアース間に接続すると共に、その中
間と、高圧抵抗および検出抵抗の中間との間に小容量の
第２の低圧コンデンサを接続しただけの簡単な構成で安
定した高圧を得ることが可能となる。
【図１】本発明の実施例に係る高圧発生装置の回路図で
ある。
ある。
【図２】フィルムコンデンサの展開斜視図である。
【図３】第１の従来例の高圧発生装置の回路図である。
【図４】図３に示す回路の不具合を示す波形図である。
【図５】第２の従来例の高圧発生装置の回路図である。
【図６】第３の従来例の高圧発生装置の回路図である。
【図７】フィルムコンデンサの展開斜視図である。
【図８】フィルムコンデンサの斜視図である。
【図９】図６に示す回路の不具合を示す波形図である。
１ 高圧トランス Ｃ１ 高圧コンデンサ Ｃ２′ 第１の低圧コンデンサ Ｃ４ 第２の低圧コンデンサ Ｒ１ 高圧抵抗 Ｒ２ 検出抵抗
Claims (2)
- 【請求項１】 高圧リップル低減用の高圧コンデンサ
と、高圧検出のための高圧抵抗と、検出抵抗とを有する
高圧発生装置において、 前記高圧コンデンサと大容量の第１の低圧コンデンサか
らなる直列回路を、高圧出力端とアース間に接続すると
共に、前記高圧コンデンサおよび第１の低圧コンデンサ
の接続点と、前記高圧抵抗および検出抵抗の接続点の間
に、小容量の第２の低圧コンデンサを接続したことを特
徴とする高圧発生装置。 - 【請求項２】 請求項１記載において、前記高圧コンデ
ンサと第１の低圧コンデンサまたは第２の低圧コンデン
サとして、一体巻き取り３端子構造のフィルムコンデン
サを用いることを特徴とする高圧発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7737794A JP3464701B2 (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 高圧発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7737794A JP3464701B2 (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 高圧発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07288709A true JPH07288709A (ja) | 1995-10-31 |
| JP3464701B2 JP3464701B2 (ja) | 2003-11-10 |
Family
ID=13632213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7737794A Expired - Fee Related JP3464701B2 (ja) | 1994-04-15 | 1994-04-15 | 高圧発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3464701B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5965987A (en) * | 1995-11-15 | 1999-10-12 | Nanao Corporation | Apparatus for suppressing electric field radiation from a cathode ray tube |
| EP0851671A3 (en) * | 1996-12-30 | 2000-01-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-voltage generating circuit |
| WO2000046982A1 (en) * | 1999-02-04 | 2000-08-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Power-supply circuit |
-
1994
- 1994-04-15 JP JP7737794A patent/JP3464701B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5965987A (en) * | 1995-11-15 | 1999-10-12 | Nanao Corporation | Apparatus for suppressing electric field radiation from a cathode ray tube |
| EP0851671A3 (en) * | 1996-12-30 | 2000-01-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-voltage generating circuit |
| WO2000046982A1 (en) * | 1999-02-04 | 2000-08-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Power-supply circuit |
| US6344982B1 (en) | 1999-02-04 | 2002-02-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Power supply circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3464701B2 (ja) | 2003-11-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |