JPH0729166A - 磁気ディスク用カーボン基板の製造方法 - Google Patents
磁気ディスク用カーボン基板の製造方法Info
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- JPH0729166A JPH0729166A JP5306432A JP30643293A JPH0729166A JP H0729166 A JPH0729166 A JP H0729166A JP 5306432 A JP5306432 A JP 5306432A JP 30643293 A JP30643293 A JP 30643293A JP H0729166 A JPH0729166 A JP H0729166A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 処理速度が速く製造コストが低いと共に、各
基板の面内における表面粗度のばらつき及びロット内に
おける各基板間の表面粗度のばらつきを低減することが
できる磁気ディスク用カーボン基板の製造方法を提供す
ることを目的とする。 【構成】 カーボン基板の表面をドライエッチングする
ことにより、粗面化する。このドライエッチングにより
カーボン基板の表面粗度Ｒａを10〜500Åにする。前記
ドライエッチングの具体的方法としては、例えば、ケミ
カルドライエッチング、バレルエッチング、プラズマエ
ッチング、ＲＩＥ、ＲＩＢＥ又はイオンミリングがあ
る。
基板の面内における表面粗度のばらつき及びロット内に
おける各基板間の表面粗度のばらつきを低減することが
できる磁気ディスク用カーボン基板の製造方法を提供す
ることを目的とする。 【構成】 カーボン基板の表面をドライエッチングする
ことにより、粗面化する。このドライエッチングにより
カーボン基板の表面粗度Ｒａを10〜500Åにする。前記
ドライエッチングの具体的方法としては、例えば、ケミ
カルドライエッチング、バレルエッチング、プラズマエ
ッチング、ＲＩＥ、ＲＩＢＥ又はイオンミリングがあ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はカーボン基板の表面を粗
面化するテクスチャー処理工程を含む磁気ディスク用カ
ーボン基板の製造方法に関し、特にヘッドの吸着防止性
が優れた磁気ディスクの製造に好適のカーボン基板のテ
クスチャー処理方法に関する。
面化するテクスチャー処理工程を含む磁気ディスク用カ
ーボン基板の製造方法に関し、特にヘッドの吸着防止性
が優れた磁気ディスクの製造に好適のカーボン基板のテ
クスチャー処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、記録すべき情報量の増大に伴い、
外部記録装置である磁気ディスクの大容量化及び磁気デ
ィスク媒体の高記録密度化が図られている。
外部記録装置である磁気ディスクの大容量化及び磁気デ
ィスク媒体の高記録密度化が図られている。
【０００３】記録密度の向上を磁気ヘッド側で達成しよ
うとした場合、高密度化のためには磁気ヘッドの浮上高
さの減少が有効である。しかし、その磁気ヘッドの浮上
高さを小さくするためには基板に要求される平坦度又は
表面粗度等が厳しいものとなる。現在、高密度記録にお
いては0.3μｍ以下の浮上高さが必要となっている。こ
の場合、基板に要求される表面粗度は、浮上高さの１／
１０以下である。
うとした場合、高密度化のためには磁気ヘッドの浮上高
さの減少が有効である。しかし、その磁気ヘッドの浮上
高さを小さくするためには基板に要求される平坦度又は
表面粗度等が厳しいものとなる。現在、高密度記録にお
いては0.3μｍ以下の浮上高さが必要となっている。こ
の場合、基板に要求される表面粗度は、浮上高さの１／
１０以下である。
【０００４】しかし、このような表面粗度をアルミニウ
ム合金基板自体の表面で得ることは不可能である。ま
た、媒体性能の限界を高めるために、現在主流であるア
ルミニウム合金基板の表面にコーティングを施した記録
媒体に代えて、アルミニウム合金基板の表面に無電解Ｎ
ｉＰメッキ膜を施し、表面を硬くすると共に欠陥を減少
させたＮｉＰ／Ａｌ基板が使用されるようになってき
た。このように、ＮｉＰメッキを施すことにより表面粗
度を改善したＮｉＰ／Ａｌ基板の表面にスパッター法に
より金属磁性体を形成した薄膜媒体を備えた磁気ディス
クが注目されている。
ム合金基板自体の表面で得ることは不可能である。ま
た、媒体性能の限界を高めるために、現在主流であるア
ルミニウム合金基板の表面にコーティングを施した記録
媒体に代えて、アルミニウム合金基板の表面に無電解Ｎ
ｉＰメッキ膜を施し、表面を硬くすると共に欠陥を減少
させたＮｉＰ／Ａｌ基板が使用されるようになってき
た。このように、ＮｉＰメッキを施すことにより表面粗
度を改善したＮｉＰ／Ａｌ基板の表面にスパッター法に
より金属磁性体を形成した薄膜媒体を備えた磁気ディス
クが注目されている。
【０００５】一方、表面粗度を小さくし過ぎると、磁気
ヘッドが磁気ディスク基板に吸着するという問題を生じ
る。このような吸着現象は磁気ヘッドのスライダー面と
磁気ディスク表面が極めて平滑で、相互に微小間隔で対
面しているときに、その間隙がＯ2、Ｎ2、Ｈ2Ｏ等の分
子により埋めつくされて界面張力による大きな吸着力が
発生することに起因している。この吸着力が発生する
と、モーター起動時に多大の電力を消費するばかりか、
最悪の場合には、磁気ヘッドが破壊するといった不具合
を生じる。そこで、この吸着現象を防ぐ方法として、磁
気ヘッドのスライダー面と磁気ディスク表面との間の接
触面積を小さくすることを目的に、基板表面を微細に粗
面化するテクスチャー処理が一般に行われている。しか
し、ＮｉＰ／Ａｌ基板の表面を機械加工で粗面化しよう
とすると、金属特有のバリが発生し、粗面化が困難であ
るため、磁気ヘッドの低浮上化は難しい。更に、特性を
向上しようとした場合には、高温時にＮｉＰの結晶化に
よる帯磁及び変形等が生じるため、耐熱性に問題があ
る。
ヘッドが磁気ディスク基板に吸着するという問題を生じ
る。このような吸着現象は磁気ヘッドのスライダー面と
磁気ディスク表面が極めて平滑で、相互に微小間隔で対
面しているときに、その間隙がＯ2、Ｎ2、Ｈ2Ｏ等の分
子により埋めつくされて界面張力による大きな吸着力が
発生することに起因している。この吸着力が発生する
と、モーター起動時に多大の電力を消費するばかりか、
最悪の場合には、磁気ヘッドが破壊するといった不具合
を生じる。そこで、この吸着現象を防ぐ方法として、磁
気ヘッドのスライダー面と磁気ディスク表面との間の接
触面積を小さくすることを目的に、基板表面を微細に粗
面化するテクスチャー処理が一般に行われている。しか
し、ＮｉＰ／Ａｌ基板の表面を機械加工で粗面化しよう
とすると、金属特有のバリが発生し、粗面化が困難であ
るため、磁気ヘッドの低浮上化は難しい。更に、特性を
向上しようとした場合には、高温時にＮｉＰの結晶化に
よる帯磁及び変形等が生じるため、耐熱性に問題があ
る。
【０００６】このようなＮｉＰ／Ａｌ基板に代わる基板
として種々の基板が提案されている。その中で耐熱性に
優れ、非磁性及び軽量等の特長を有するカーボン材から
なる磁気ディスク用基板が提案されている（佐藤等、第
37回応用物理学関係連合講演会、講演番号29a-Y-8,199
0）。
として種々の基板が提案されている。その中で耐熱性に
優れ、非磁性及び軽量等の特長を有するカーボン材から
なる磁気ディスク用基板が提案されている（佐藤等、第
37回応用物理学関係連合講演会、講演番号29a-Y-8,199
0）。
【０００７】このような磁気ディスク用カーボン基板の
テクスチャー処理方法として、表面研磨後のカーボン基
板を酸化性雰囲気中にて400〜700℃に加熱する方法が公
知である（特開平3-283018号）。
テクスチャー処理方法として、表面研磨後のカーボン基
板を酸化性雰囲気中にて400〜700℃に加熱する方法が公
知である（特開平3-283018号）。
【０００８】このカーボン基板を使用し、表面を均一に
粗面化することにより、上記問題点を全て解決できる。
即ち、カーボン基板の表面を粗面化することにより、磁
気ヘッドの吸着防止性が向上し、また、ＮｉＰ／Ａｌ基
板で見られるバリの発生がなく、磁気ヘッドの低浮上化
が可能となる。更に、カーボン基板は高耐熱性であるた
め、媒体性能の向上が可能であり、高記録密度の磁気デ
ィスクを製造することができる。
粗面化することにより、上記問題点を全て解決できる。
即ち、カーボン基板の表面を粗面化することにより、磁
気ヘッドの吸着防止性が向上し、また、ＮｉＰ／Ａｌ基
板で見られるバリの発生がなく、磁気ヘッドの低浮上化
が可能となる。更に、カーボン基板は高耐熱性であるた
め、媒体性能の向上が可能であり、高記録密度の磁気デ
ィスクを製造することができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、酸化性
雰囲気中で400〜700℃に加熱することにより粗面化する
従来方法においては、処理時間が長いため製造コストが
高いという問題点がある。また、温度制御が難しいた
め、各基板においてその表面粗度が局所的に変動し、面
内におけるばらつきが生じると共に、各ロット内で基板
間の表面粗度のばらつきが生じるという問題点がある。
雰囲気中で400〜700℃に加熱することにより粗面化する
従来方法においては、処理時間が長いため製造コストが
高いという問題点がある。また、温度制御が難しいた
め、各基板においてその表面粗度が局所的に変動し、面
内におけるばらつきが生じると共に、各ロット内で基板
間の表面粗度のばらつきが生じるという問題点がある。
【００１０】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、処理速度が速く製造コストが低いと共に、
各基板の面内における表面粗度のばらつき及びロット内
における各基板間の表面粗度のばらつきが小さい磁気デ
ィスク用カーボン基板の製造方法を提供することを目的
とする。
のであって、処理速度が速く製造コストが低いと共に、
各基板の面内における表面粗度のばらつき及びロット内
における各基板間の表面粗度のばらつきが小さい磁気デ
ィスク用カーボン基板の製造方法を提供することを目的
とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気ディス
ク用カーボン基板の製造方法は、カーボン基板の表面を
ドライエッチングすることにより、粗面化することを特
徴とする。
ク用カーボン基板の製造方法は、カーボン基板の表面を
ドライエッチングすることにより、粗面化することを特
徴とする。
【００１２】
【作用】本発明においては、カーボン基板の表面を均一
に粗面化するため、ドライエッチングによりカーボン基
板の表面をテクスチャー処理する。このドライエッチン
グの方法としては、ケミカルドライエッチング（ＣＤ
Ｅ）、バレルエッチング、プラズマエッチング、ＲＩ
Ｅ、ＲＩＢＥ又はイオンビームミリング等があり、種々
の方法をテクスチャー処理の具体的な手段として適用可
能である。この場合、使用するガス流量、処理圧力又は
パワー（投入電力）等によりエッチング速度が変化する
ので、表面粗度の制御が可能である。
に粗面化するため、ドライエッチングによりカーボン基
板の表面をテクスチャー処理する。このドライエッチン
グの方法としては、ケミカルドライエッチング（ＣＤ
Ｅ）、バレルエッチング、プラズマエッチング、ＲＩ
Ｅ、ＲＩＢＥ又はイオンビームミリング等があり、種々
の方法をテクスチャー処理の具体的な手段として適用可
能である。この場合、使用するガス流量、処理圧力又は
パワー（投入電力）等によりエッチング速度が変化する
ので、表面粗度の制御が可能である。
【００１３】なお、このドライエッチングにより粗面化
したカーボン基板の表面粗度Ｒａが10Å未満では、ヘッ
ドの吸着が生じるため、好ましくない。また、表面粗度
の許容範囲の上限としてはＲａが５００Åとするのが好
ましい。表面粗度が大きい場合でも使用可能であるが、
表面粗度Ｒａが５００Åを超えると、表面が粗れ過ぎる
ことになり、ヘッドの浮上が不安定となるため好ましく
ない。このため、ドライエッチングによるテクスチャー
処理によって得られる表面粗度は、10乃至500Åにする
ことが好ましい。
したカーボン基板の表面粗度Ｒａが10Å未満では、ヘッ
ドの吸着が生じるため、好ましくない。また、表面粗度
の許容範囲の上限としてはＲａが５００Åとするのが好
ましい。表面粗度が大きい場合でも使用可能であるが、
表面粗度Ｒａが５００Åを超えると、表面が粗れ過ぎる
ことになり、ヘッドの浮上が不安定となるため好ましく
ない。このため、ドライエッチングによるテクスチャー
処理によって得られる表面粗度は、10乃至500Åにする
ことが好ましい。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。実施例１ 先ず、磁気ディスク用基板の作製方法について説明す
る。炭化焼成後にガラス質炭素となる熱硬化性樹脂であ
るフェノール・フォルムアルデヒド樹脂を所定の磁気デ
ィスクの形状にホットプレス成形する。その後、これを
窒素ガス雰囲気中で1500℃の温度に加熱して予備焼成す
る。次いで、これを熱間静水圧加圧装置（ＨＩＰ）に装
着し、2600℃に加熱しつつ1800気圧の等方的圧力を加え
てＨＩＰ処理する。これにより、ガラス質炭素のカーボ
ン基板の成形体が得られる。この得られた成形体に所定
の端面加工及び表面鏡面仕上げを施すことにより、表面
粗度Ｒａが約10Åの直径3.5インチの磁気ディスク用カ
ーボン基板が作製される。
る。炭化焼成後にガラス質炭素となる熱硬化性樹脂であ
るフェノール・フォルムアルデヒド樹脂を所定の磁気デ
ィスクの形状にホットプレス成形する。その後、これを
窒素ガス雰囲気中で1500℃の温度に加熱して予備焼成す
る。次いで、これを熱間静水圧加圧装置（ＨＩＰ）に装
着し、2600℃に加熱しつつ1800気圧の等方的圧力を加え
てＨＩＰ処理する。これにより、ガラス質炭素のカーボ
ン基板の成形体が得られる。この得られた成形体に所定
の端面加工及び表面鏡面仕上げを施すことにより、表面
粗度Ｒａが約10Åの直径3.5インチの磁気ディスク用カ
ーボン基板が作製される。
【００１５】その後、プラズマエッチング法により下記
条件でテクスチャー処理を行った。 使用装置：（株）プラズマシステム製 Ａ304（カソー
ドタイプ） 電極間距離：50mm ガス流量及び種類：20sccm Ｏ2 処理圧力：100mTorr パワー：高周波電力 100W 基板温度：20℃ 処理時間：10秒〜120秒。
条件でテクスチャー処理を行った。 使用装置：（株）プラズマシステム製 Ａ304（カソー
ドタイプ） 電極間距離：50mm ガス流量及び種類：20sccm Ｏ2 処理圧力：100mTorr パワー：高周波電力 100W 基板温度：20℃ 処理時間：10秒〜120秒。
【００１６】テクスチャー処理後、カーボン基板の表面
粗度を表面粗さ計により測定した。その結果を図１に示
す。図１は横軸にエッチング時間（秒）をとり、縦軸に
表面粗度Ｒａ（Å）をとって、エッチング時間と表面粗
度との関係を示すグラフ図である。
粗度を表面粗さ計により測定した。その結果を図１に示
す。図１は横軸にエッチング時間（秒）をとり、縦軸に
表面粗度Ｒａ（Å）をとって、エッチング時間と表面粗
度との関係を示すグラフ図である。
【００１７】この場合、各部位において表面粗度のバラ
ツキが極めて小さく、バリの発生がなく、均一に粗面化
されていることが分かる。更に、上記方法によりカーボ
ン基板表面をＲａ＝40Åに均一に粗面化した基板を使用
して、インライン式Ｄ．Ｃ．マグネトロンスパッター装
置により、Ｃｒ層を3000Å、Ｃｏ62.5Ｎｉ30Ｃｒ7.5層
を600Å、Ｃ層を300Åの厚さで夫々成膜した。磁気ヘッ
ドの吸着性を評価するため、磁気ディスク上に磁気ヘッ
ドを配置し、高温及び高湿度条件（65℃、85％湿度、10
日間）に保持した後に吸着試験を実施した。その際、同
時に研磨のみを行った基板についても同様に成膜後、吸
着試験を実施した。その結果、研磨のみのものについて
は磁気ヘッドの吸着が発生したものの、プラズマエッチ
ングにより表面を均一に粗面化したものについては、ヘ
ッドの吸着は生じなかった。
ツキが極めて小さく、バリの発生がなく、均一に粗面化
されていることが分かる。更に、上記方法によりカーボ
ン基板表面をＲａ＝40Åに均一に粗面化した基板を使用
して、インライン式Ｄ．Ｃ．マグネトロンスパッター装
置により、Ｃｒ層を3000Å、Ｃｏ62.5Ｎｉ30Ｃｒ7.5層
を600Å、Ｃ層を300Åの厚さで夫々成膜した。磁気ヘッ
ドの吸着性を評価するため、磁気ディスク上に磁気ヘッ
ドを配置し、高温及び高湿度条件（65℃、85％湿度、10
日間）に保持した後に吸着試験を実施した。その際、同
時に研磨のみを行った基板についても同様に成膜後、吸
着試験を実施した。その結果、研磨のみのものについて
は磁気ヘッドの吸着が発生したものの、プラズマエッチ
ングにより表面を均一に粗面化したものについては、ヘ
ッドの吸着は生じなかった。
【００１８】図１及び吸着試験結果から明らかなよう
に、本発明によるテクスチャー処理基板では、面粗度を
処理時間又は処理条件により均一に高精度で制御でき、
また、磁気ヘッドの吸着を生じることがない。実施例２ 実施例１と同様にして、表面粗度Ｒａが約10Åの直径3.
5インチの磁気ディスク用カーボン基板を作製した。
に、本発明によるテクスチャー処理基板では、面粗度を
処理時間又は処理条件により均一に高精度で制御でき、
また、磁気ヘッドの吸着を生じることがない。実施例２ 実施例１と同様にして、表面粗度Ｒａが約10Åの直径3.
5インチの磁気ディスク用カーボン基板を作製した。
【００１９】その後、プラズマエッチング法により下記
条件でテクスチャー処理を行った。 使用装置：ＵＬＶＡＣ社製 ＳＩＨ−Ｓ１００ スパッ
タ装置 電極間距離：30mm ガス流量及び種類：20sccmのＯ2、40sccmのＡｒ 処理圧力：4.5mTorr パワー：高周波電力 400W 基板温度：350℃ 処理時間：5分、10分、15分。
条件でテクスチャー処理を行った。 使用装置：ＵＬＶＡＣ社製 ＳＩＨ−Ｓ１００ スパッ
タ装置 電極間距離：30mm ガス流量及び種類：20sccmのＯ2、40sccmのＡｒ 処理圧力：4.5mTorr パワー：高周波電力 400W 基板温度：350℃ 処理時間：5分、10分、15分。
【００２０】テクスチャー処理後、カーボン基板の表面
粗度を表面粗さ計により測定した。この測定結果を図２
に示す。図２は横軸にエッチング時間（分）をとり、縦
軸に表面粗さＲａ（Å）をとって、両者の関係を示す。
実施例１と同様に低圧力下においても、処理時間を調整
することにより表面粗度の制御が可能なことがわかる。
更に、実施例１と同様にして磁気ディスクを作製した後
に吸着試験を実施した結果、ヘッドの吸着は生じなかっ
た。実施例３ 実施例１と同様にして表面粗度Ｒａが約10Åの直径3.5
インチの磁気ディスク用カーボン基板を作製した。
粗度を表面粗さ計により測定した。この測定結果を図２
に示す。図２は横軸にエッチング時間（分）をとり、縦
軸に表面粗さＲａ（Å）をとって、両者の関係を示す。
実施例１と同様に低圧力下においても、処理時間を調整
することにより表面粗度の制御が可能なことがわかる。
更に、実施例１と同様にして磁気ディスクを作製した後
に吸着試験を実施した結果、ヘッドの吸着は生じなかっ
た。実施例３ 実施例１と同様にして表面粗度Ｒａが約10Åの直径3.5
インチの磁気ディスク用カーボン基板を作製した。
【００２１】その後、プラズマエッチング法により以下
の条件でテクスチャー処理を行った。 使用装置：ＵＬＶＡＣ社製 ＳＩＨ−Ｓ１００ スパッ
タ装置 電極間距離：30mm ガス流量：Ａｒ：Ｏ2＝50：50 処理圧力：1.3mTorr及び4.5mTorr パワー：高周波電力 100W〜400W 基板温度：250℃ 処理時間：30分。
の条件でテクスチャー処理を行った。 使用装置：ＵＬＶＡＣ社製 ＳＩＨ−Ｓ１００ スパッ
タ装置 電極間距離：30mm ガス流量：Ａｒ：Ｏ2＝50：50 処理圧力：1.3mTorr及び4.5mTorr パワー：高周波電力 100W〜400W 基板温度：250℃ 処理時間：30分。
【００２２】テクスチャー処理後、カーボン基板の表面
粗度を表面粗さ計により測定した。その測定結果を図３
に示す。図３は横軸に高周波電力をとり、縦軸に1.3mTo
rrと4.5mTorrにおける表面粗度Ｒａ（Å）をとって両者
の関係を示すグラフ図である。この図から明らかなよう
に、パワー及び処理圧力を調整することによって表面粗
度の制御が可能なことがわかる。また、各部位において
表面粗度のバラツキが極めて少なく、バリの発生もな
く、均一に粗面化されていることがわかる。更に、実施
例１及び実施例２と同様にして磁気ディスクを作製した
後、吸着試験を実施した結果、ヘッドの吸着は生じなか
った。
粗度を表面粗さ計により測定した。その測定結果を図３
に示す。図３は横軸に高周波電力をとり、縦軸に1.3mTo
rrと4.5mTorrにおける表面粗度Ｒａ（Å）をとって両者
の関係を示すグラフ図である。この図から明らかなよう
に、パワー及び処理圧力を調整することによって表面粗
度の制御が可能なことがわかる。また、各部位において
表面粗度のバラツキが極めて少なく、バリの発生もな
く、均一に粗面化されていることがわかる。更に、実施
例１及び実施例２と同様にして磁気ディスクを作製した
後、吸着試験を実施した結果、ヘッドの吸着は生じなか
った。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る磁気
ディスク用カーボン基板の製造方法によれば、基板表面
に均一にテクスチャーを施すことができるため、この基
板を使用して磁気記録媒体を作製すれば、磁気ヘッドの
吸着がないと共に、バリの発生もなく、磁気ヘッドの低
浮上化が可能である等、優れた特性の磁気ディスク用基
板を製造することができる。更に、本発明はテクスチャ
ー処理の迅速化が可能であると共に、処理の低コスト化
が可能である。
ディスク用カーボン基板の製造方法によれば、基板表面
に均一にテクスチャーを施すことができるため、この基
板を使用して磁気記録媒体を作製すれば、磁気ヘッドの
吸着がないと共に、バリの発生もなく、磁気ヘッドの低
浮上化が可能である等、優れた特性の磁気ディスク用基
板を製造することができる。更に、本発明はテクスチャ
ー処理の迅速化が可能であると共に、処理の低コスト化
が可能である。
【図１】エッチング時間と表面粗度との関係を示すグラ
フ図である。
フ図である。
【図２】エッチング時間と表面粗度との関係を示すグラ
フ図である。
フ図である。
【図３】高周波電力と表面粗度との関係を示すグラフ図
である。
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ステファン・エス・ローゼンブラム アメリカ合衆国，カリフォルニア州 94304，パロ・アルト，サンタ・リタ・ア ベニュー，212
Claims (4)
- 【請求項１】 カーボン基板の表面をドライエッチング
することにより、粗面化することを特徴とする磁気ディ
スク用カーボン基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記ドライエッチングによりカーボン基
板の表面粗度Ｒａを10〜500Åにすることを特徴とする
請求項１に記載の磁気ディスク用カーボン基板の製造方
法。 - 【請求項３】 前記ドライエッチングは、ケミカルドラ
イエッチング、バレルエッチング、プラズマエッチン
グ、ＲＩＥ、ＲＩＢＥ及びイオンミリングからなる群か
ら選択された方法により行うことを特徴とする請求項１
に記載の磁気ディスク用カーボン基板の製造方法。 - 【請求項４】 炭化焼成後にガラス質炭素となる熱硬化
性樹脂を磁気ディスクの形状に成形して成形体を得る工
程と、この成形体を加熱して予備焼成する工程と、予備
焼成後の成形体を加熱しつつ等方的圧力を加えて熱間静
水圧加圧処理する工程と、成形体の表面を鏡面仕上げ研
磨する工程と、ドライエッチングにより成形体の表面を
粗面化する工程とを有することを特徴とする磁気ディス
ク用カーボン基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/034,892 | 1993-03-19 | ||
| US08/034,892 US5322595A (en) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | Manufacture of carbon substrate for magnetic disk |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729166A true JPH0729166A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=21879266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5306432A Pending JPH0729166A (ja) | 1993-03-19 | 1993-12-07 | 磁気ディスク用カーボン基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5322595A (ja) |
| JP (1) | JPH0729166A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1326121C (zh) * | 2003-09-30 | 2007-07-11 | 株式会社东芝 | 磁记录介质及其制造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5690838A (en) * | 1993-06-18 | 1997-11-25 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium and process for producing same |
| US5910235A (en) * | 1997-09-12 | 1999-06-08 | Western Digital Corporation | Etching and pipelined texturing of a substrate in a stationary vacuum deposition machine |
| WO1999045537A1 (fr) * | 1998-03-04 | 1999-09-10 | Hitachi, Ltd. | Support d'enregistrement magnetique, son procede de fabrication et appareil de memorisation magnetique fabrique par utilisation de ce support d'enregistrement magnetique |
| US7927646B2 (en) * | 2006-11-03 | 2011-04-19 | Land O'lakes, Inc. | Refrigeration-temperature spreadable butter-based product |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4802951A (en) * | 1986-03-07 | 1989-02-07 | Trustees Of Boston University | Method for parallel fabrication of nanometer scale multi-device structures |
| US5006203A (en) * | 1988-08-12 | 1991-04-09 | Texas Instruments Incorporated | Diamond growth method |
| JPH0258221A (ja) * | 1988-08-23 | 1990-02-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素または炭素を主成分とするマスクを用いたエッチング方法 |
| US5166006A (en) * | 1991-06-03 | 1992-11-24 | Hmt Technology Corporation | Textured thin-film substrate and method |
-
1993
- 1993-03-19 US US08/034,892 patent/US5322595A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-12-07 JP JP5306432A patent/JPH0729166A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1326121C (zh) * | 2003-09-30 | 2007-07-11 | 株式会社东芝 | 磁记录介质及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5322595A (en) | 1994-06-21 |
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