JPH072943U - 磁歪式トルクセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 トルクセンサにおいて、磁歪シャフトに加わ
るトルクを高精度に検出することができる。 【構成】 検出回路中のブリッジ回路９，差動増幅回路
３１および発振回路２１に他のバイアス電圧ＶS と異な
る一のバイアス電圧ＶS0を印加するようにしたから、発
振回路２１の振幅Ｖ00を大きくすることができる。これ
により、ブリッジ回路９からの検出電圧Ｖ1 ′，Ｖ2 ′
を大きし、これに伴って差動増幅回路３１からの検出電
圧Ｖ3 ′も大きくできる。そして、磁歪シャフトに加わ
るトルクを高精度に検出することができる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、例えば自動車用エンジンの出力軸等に発生するトルクを検出するの に用いて好適な磁歪式トルクセンサに関する。

【０００２】

【従来の技術】

自動変速器を備えたオートマチック車等では、例えば自動変速機構による変速 タイミングを適正化するために、プロペラシャフト等にトルクセンサを取付ける ことが提案されている。

【０００３】 そこで、図５ないし図７にこの種の従来技術によるトルクセンサとして、２コ イル型の磁歪式トルクセンサを例に挙げて示す。

【０００４】 図中、１は例えばクロムモリブデン鋼等の磁歪材料から形成された磁歪シャフ トを示し、該磁歪シャフト１は例えばプロペラシャフトの途中に設けられるもの で、両端が入力側取付部１Ａ，出力側取付部１Ｂとなり、これらの中間はスリッ ト溝形成部１Ｃとなり、該スリット溝形成部１Ｃの外周には下向き４５°，上向 きに４５°に刻設したスリット溝２，３とがそれぞれ対向するように設けられて いる。

【０００５】 ４は前記スリット溝形成部１Ｃの外周を囲むように一対の軸受５，５を介して 磁歪シャフト１と相対的に回転自在に設けられたコイル固定部材を示し、該コイ ル固定部材４は図示しない車体側に固着して取付けられている。６は前記コイル 固定部材４の内周側に固着されたリング状のコア部材を示し、該コア部材６には 、スリット溝２，３とそれぞれ対向する位置に励磁および検出コイル７，８が設 けられ、該励磁および検出コイル７，８の自己インダクタンスはＬ1 ，Ｌ2 とな っている。

【０００６】 次に、図６に基づいて２コイル型の磁歪式トルクセンサの検出回路の回路構成 を示し説明する。

【０００７】 図６中、９はブリッジ回路を示し、該ブリッジ回路９は励磁および検出コイル ７，８と、該励磁および検出コイル７，８の鉄損ｒ1 ，ｒ2 と、前記励磁および 検出コイル７，８とそれぞれ対向するように接続された調整抵抗Ｒ，Ｒにより構 成され、励磁および検出コイル７，８の接続点ａと調整抵抗Ｒ，Ｒの接続点ｂと の間には、後述する発振回路１０が接続され、励磁および検出コイル７と調整抵 抗Ｒとの接続点ｃ（一方の出力端）および励磁および検出コイル８と調整抵抗Ｒ との接続点ｄ（他方の出力端）は、それぞれ励磁および検出コイル７，８からの 出力電圧Ｖ1 ，Ｖ2 を導出する出力端子となって、当該接続点ｃ，ｄは後述する 差動増幅回路１１の入力端子にそれぞれ接続される。なお、前記ブリッジ回路９ の接続点ｂは直流のバイアス電圧ＶS に接続されている。

【０００８】 １０は発振回路を示し、該発振回路１０は図示しないバッテリ等の直流電源に よって波高値（振幅）Ｖ0 ，周波数ｆ（例えば３０ kHz）の交流電圧Ｖを発生さ せるもので、その出力側はブリッジ回路９の接続点ａに接続されると共に、位相 調整回路１３に接続されている。そして、該発振回路１０のアース側には直流の 例えば２．７Ｖのバイアス電圧ＶS （ＶS ≒Ｖ0 ）が接続され、これによって、 図７に示すように負側の振幅（−Ｖ0 ）がグランド（ＧＮＤ）よりも低くならな いように規制している。

【０００９】 １１は差動増幅回路を示し、該差動増幅回路１１はオペアンプ等により構成さ れ、各入力端子に前記ブリッジ回路９の接続点ｃ，ｄを接続することにより、出 力電圧Ｖ1 ，Ｖ2 が入力され、出力端子１２に後述する交流結合回路１７を介し て検波処理回路１４を接続することにより、該検波処理回路１４に検出電圧Ｖ3 を出力する。

【００１０】 １３は発振回路１０の出力側に接続された位相調整回路を示し、該位相調整回 路１３は磁歪シャフト１にトルクを印加しないときの出力電圧Ｖ1 （Ｖ2 ）の位 相角に同期した位相調整電圧ＶP を検波処理回路１４に出力する。

【００１１】 １４は検波処理回路を示し、該検波処理回路１４の入力側には交流結合回路１ ７を介して差動増幅回路１１の出力端子１２および位相調整回路１３の出力側が 接続され、検出電圧Ｖ3 および位相調整電圧ＶP が入力される。そして、該検波 処理回路１４では、位相調整回路１３からの位相調整電圧ＶP により検出電圧Ｖ 3 を同期して得られた部分を後述のＬＰＦ１５に出力する。

【００１２】 １５は直流変換回路としてのローパスフィルタ（以下、「ＬＰＦ１５」という ）を示し、該ＬＰＦ１５は位相調整電圧ＶP により検出電圧Ｖ3 を同期して得ら れた部分を積分して直流の出力電圧Ｖ4 として増幅回路１６に出力する。そして 、該増幅回路１６においては、ＬＰＦ１５から入力された直流の出力電圧Ｖ4 を 増幅して図示しないコントロールユニットに出力する。

【００１３】 １７は交流結合回路を示し、該交流結合回路１７は差動増幅回路１１の出力端 子１２と検波処理回路１４との間に接続されたコンデンサ１７Ａと、該コンデン サ１７Ａの出力側とバイアス電圧ＶS との間に接続された抵抗１７Ｂとからなり 、所謂ハイパスフィルタ回路を構成している。そして、該交流結合回路１７は差 動増幅回路１１からの検出電圧Ｖ3 中の直流分を除去して、交流分（特に、周波 数ｆ以上）を通過させ、検波処理回路１４に出力するものである。

【００１４】 なお、前記発振回路１０，差動増幅回路１１，検波処理回路１４，ＬＰＦ１５ および増幅回路１６のアース側にはバイアス電圧ＶS が印加されているから、そ れぞれの信号は各信号にバイアス電圧ＶS が加わった状態となっている。

【００１５】 次に、トルクの検出原理について説明する。

【００１６】 まずここで、励磁および検出コイル７，８には発振回路１０から交流電圧Ｖが 印加されているから、励磁および検出コイル７，８のインピーダンスＺ1 ，Ｚ2 は数１のようになる。

【００１７】

【数１】

【００１８】 ただし、数１中のＬ1 ，Ｌ2 は数２により設定される自己インダクタンスであ る。

【００１９】

【数２】 ただし、μ：透磁率 Ｎ：コイル巻線数 Ｓ：磁路断面積

【００２０】 さらに、ブリッジ回路９において、一方の励磁および検出コイル７のＬ1 ，ｒ 1 は調整抵抗Ｒに、他方の励磁および検出コイル８のＬ2 ，ｒ2 は調整抵抗Ｒに それぞれ直列接続されているから、励磁および検出コイル７，８を流れる電流ｉ 1 ，ｉ2 は、

【００２１】

【数３】 により算出され、接続点ｃ，ｄの出力電圧Ｖ1 ，Ｖ2 は、

【００２２】

【数４】 ただし、α1 ，α2 ：位相角 により算出される。

【００２３】 また、前記励磁および検出コイル７，８と調整抵抗Ｒ，Ｒとの接続点ｃ，ｄは 差動増幅回路１１の両側端子にそれぞれ接続され、励磁および検出コイル７，８ からのそれぞれの出力電圧Ｖ1 ，Ｖ2 を差動増幅回路１１に出力する。そして、 該差動増幅回路１１の出力端子１２は位相調整回路１３と共に検波処理回路１４ の入力側に接続され、該検波処理回路１４は差動増幅回路１１からの検出電圧Ｖ 3 を位相調整回路１３からの位相調整電圧ＶP に基づいて同期させ、ＬＰＦ１５ で積分して直流の出力電圧Ｖ4 を増幅回路１６に出力するものである。

【００２４】 このように構成される２コイル型の磁歪式トルクセンサにおいては、励磁およ び検出コイル７，８に発振回路１０の交流電圧Ｖを印加すると、磁歪シャフト１ の表面に磁路が形成されるが、スリット溝形成部１Ｃの表面にはスリット溝２， ３が設けられているため、表面磁界による磁路はスリット溝２，３に沿って形成 されるようになる。

【００２５】 一方、磁歪シャフト１の入力側取付部１Ａに図５に示すような矢示方向（時計 方向）のトルクＴ（以下「正のトルク」という）を加えたとすると、スリット溝 ２には圧縮応力−σが発生し、スリット溝３には引っ張り応力＋σが発生する。 そして、磁歪シャフト１に正の磁歪材を用いている場合、引っ張り応力＋σによ り透磁率μが増加し、圧縮応力−σにより透磁率μが減少することが知られてい る。

【００２６】 この結果、励磁および検出コイル７からの出力電圧Ｖ1 は減少し、励磁および 検出コイル８からの出力電圧Ｖ2 は増大するので、差動増幅回路１１では、

【００２７】

【数５】 Ｖ3 ＝Ａ×（Ｖ1 −Ｖ2 ） ただし、 Ａ：増幅率 なる増幅が行われ、差動増幅回路１１の出力端子１２から交流の検出電圧Ｖ3 が 検波処理回路１４へと出力される。そして、該検波処理回路１４は位相調整回路 １３からの位相調整電圧ＶP により検出電圧Ｖ3 を同期検波処理し、磁歪シャフ ト１に作用するトルクに対応した出力信号として直流の出力電圧Ｖ4 を出力する ことができる。

【００２８】 例えば、従来技術では図７に示すように、磁歪シャフト１にトルクが加わった 場合には、差動増幅回路１１から出力される検出電圧Ｖ3 はバイアス電圧ＶS を 中心とする２点鎖線で示す特性線１８となり、検波処理回路１４を介してＬＰＦ １５から出力される直流の出力電圧Ｖ4 は特性線１９となって、増幅回路１６に 出力される。このように、従来技術においては、発振回路１０，差動増幅回路１ １，検波処理回路１４，ＬＰＦ１５および増幅回路１６のアース側にはバイアス 電圧ＶS が印加されているから、発振回路１０においてもバイアス電圧ＶSを中 心とした振幅Ｖ0 の正弦波となり、また他の各回路においても、出力はバイアス 電圧ＶS に対する変化として出力されている。

【００２９】 なお、前記バイアス電圧ＶS は増幅回路１６からコントロールユニットに出力 されるトルクセンサの検出信号を該コントロールユニットの入力値に補正するた めの直流の電圧値で、例えば２．７Ｖに設定されている。

【００３０】

【考案が解決しようとする課題】

ところで、上述した従来技術では、バイアス電圧ＶS を検出回路側の状況に応 じて、例えばトルク零のときの直流の出力電圧Ｖ4 をバイアス電圧ＶS とするよ うに設定され、コントロールユニットへのトルクセンサからの検出信号の補正を 行っていた。

【００３１】 また、図７に示すように発振回路１０の交流電圧Ｖをバイアス電圧ＶS を中心 とする振幅Ｖ0 の正弦波としているから、直流電源としてのバッテリ電圧ＶCCと 交流電圧Ｖの正弦波との差（ＶCC−２×Ｖ0 ）分が無駄になっている。即ち、ブ リッジ回路９の接続点ａ，ｂ間にかかる交流電圧の振幅Ｖ0 が小さければ、該ブ リッジ回路９中の励磁および検出コイル７，８にかかる電流ｉ1 ，ｉ2 も小さく なり、磁歪シャフト１にトルクを加えたときの、該励磁および検出コイル７，８ の変化量が小さくなる。従って、従来技術ではトルクの検出感度を低下させたま ま検出していた。

【００３２】 さらに、トルクセンサからコントロールユニットに出力される検出信号を大き くするためには、最終段の増幅回路１６の増幅率を大きすればよいが、ＬＰＦ１ ５から出力されるノイズを含んだ直流の出力電圧Ｖ4 を増幅しても、ノイズも一 緒に増幅され、正確なトルク検出を行うことができないという問題がある。

【００３３】 本考案は上述した従来技術の問題に鑑みなされたもので、本考案は高精度のト ルク検出を行なうことができる磁歪式トルクセンサを提供することを目的として いる。

【００３４】

【課題を解決するための手段】

上述した課題を解決するために、本考案が採用する構成の特徴は、磁歪シャフ トにかかるトルクを検出する検出回路のうち、ブリッジ回路，発振回路および差 動増幅回路に印加される一のバイアス電圧を直流変換回路および増幅回路に印加 される他のバイアス電圧と異なる電圧値に設定したことにある。

【００３５】

【作用】

上記構成により、ブリッジ回路に印加する発振回路の交流電圧を、一のバイア ス電圧に対して大きい振幅を有する正弦波として発生させることができ、ブリッ ジ回路に印加される交流電圧の振幅を大きくして、各検出コイルに流れる電流を 大きくできる。

【００３６】

【実施例】

以下、本考案の実施例を図１ないし図４に基づいて説明する。なお、実施例で は前述した従来技術と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略する ものとする。

【００３７】 まず、図１は本実施例による２コイル型の磁歪式トルクセンサの検出回路を示 すに、各回路は従来技術の回路とほぼ同様に構成されているものの、本実施例に よる検出回路の特徴は、後述する発振回路２１，差動増幅回路３１およびブリッ ジ回路９には、従来技術のバイアス電圧ＶS （以下、「他のバイアス電圧ＶS 」 ）よりも高いバイアス電圧ＶS0（以下、「一のバイアス電圧ＶS0」）が印加され ている。なお、検波処理回路１４，ＬＰＦ１５および増幅回路１６には従来通り の他のバイアス電圧ＶS を印加することにより、コントロールユニットへのトル クセンサからの検出信号を補正するようになっている。

【００３８】 まず、ブリッジ回路９については、励磁および検出コイル７，８の接続点ａと 調整抵抗Ｒ，Ｒの接続点ｂとの間には、発振回路２１が接続され、励磁および検 出コイル７と調整抵抗Ｒとの接続点ｃ（一方の出力端）および励磁および検出コ イル８と調整抵抗Ｒとの接続点ｄ（他方の出力端）は、それぞれ励磁および検出 コイル７，８の変化を出力電圧Ｖ1 ′，Ｖ2 ′として導出する出力端子となり、 当該接続点ｃ，ｄは差動増幅回路３１の入力端子にそれぞれ接続される。そして 、本実施例においては、前記ブリッジ回路９の接続点ｂは一のバイアス電圧ＶS0 （ＶS0＞ＶS ）に接続されているから、出力電圧Ｖ1 ′，Ｖ2 ′は一のバイアス 電圧ＶS0を中心とする正弦波（周波数ｆ′）を出力する。

【００３９】 次に、図２に基づいて発振回路２１の具体例を示す。

【００４０】 図２中、２１は発振回路を示し、該発振回路２１はウィーンブリッジ式発振回 路２２とノイズの伝達を除去するブートストラップ回路２３とから構成されてい る。

【００４１】 ここで、ウィーンブリッジ式発振回路２２は、オペアンプ２４と、該オペアン プ２４の反転入力端子と出力端子との間に接続された抵抗値Ｒ1 を有する可変の 負帰還抵抗２５と、反転入力端子と一のバイアス電圧ＶS0との間に接続された抵 抗値Ｒ2 を有する負帰還抵抗２６と、非反転入力端子と出力端子との間の正帰還 ループの途中に直列に接続された抵抗２７（抵抗値Ｒ0 ）およびコンデンサ２８ （静電容量Ｃ0 ）と、非反転入力端子と一のバイアス電圧ＶS0との間の正帰還ル ープの途中に並列に接続された抵抗２９（抵抗値Ｒ0 ）およびコンデンサ３０（ 静電容量Ｃ0 ）とから構成されている。

【００４２】 このように構成されるウィーンブリッジ式発振回路２２の交流電圧Ｖ′の発振 周波数ｆ′は次の数６のようになる。

【００４３】

【数６】

【００４４】 さらに、交流電圧Ｖ′の振幅Ｖ00は可変の負帰還抵抗２５の抵抗値Ｒ1 を変化 させることによって調整することができる。

【００４５】 そして、前記オペアンプ２４の駆動電圧供給端子（図示せず）には、直流電源 のバッテリ電圧ＶCCとグランドとの間の電圧差が入力され、一方オペアンプ２４ のアース側は一のバイアス電圧ＶS0に接続されている。これにより、当該発振回 路２１から発振される交流電圧Ｖ′の波形は図４に示すようになり、一のバイア ス電圧ＶS0を中心とする振幅Ｖ00の正弦波を発生させることができる。

【００４６】 なお、交流電圧Ｖ′の振幅Ｖ00は負帰還抵抗２５を調整することにより、一の バイアス電圧ＶS0を中心として振幅Ｖ00を引き伸ばしてグランドに近づくように 設定したものである。これにより、ブリッジ回路９の接続点ａ，ｂに交流電圧Ｖ ′を印加したときには、各辺を流れる電流ｉ1 ，ｉ2 を大きくすることができ、 従来技術に示した数３，数４から明らかなように、磁歪シャフト１に加わるトル クの検出感度を向上できる。

【００４７】 さらに、図３に基づいて差動増幅回路３１の具体例を示すに、本実施例の差動 増幅回路３１ではオペアンプのＣＭＲＲ（同相電圧除去比）に影響されずに任意 の増幅率を設定するために、オペアンプを３個用いた所謂インスツルメンテーシ ョンアンプについて説明する。

【００４８】 即ち、図３に示す差動増幅回路３１において、３２，３２は入力側増幅回路を それぞれ構成するオペアンプを示し、該各オペアンプ３２には抵抗値Ｒ11を有す る負帰還抵抗３３が反転入力端子と出力端子との間に接続され、各オペアンプ３ ２の非反転入力端子にはブリッジ回路９の接続点ｃ，ｄがそれぞれ接続され、該 各非反転入力端子には出力電圧Ｖ1 ′，Ｖ2 ′が入力されるようになっている。 また、前記各オペアンプ３２の反転入力端子の間には、抵抗値Ｒ12を有する抵抗 ３４が接続されている。

【００４９】 ３５は差動増幅器を示し，該差動増幅器３５は、オペアンプ３６と、該オペア ンプ３６の各入力端子と前記オペアンプ３２の出力端子との途中に接続された抵 抗値Ｒ00を有する入力抵抗３７，３７と、反転入力端子と出力端子との間に接続 された抵抗値Ｒ00を有する負帰還抵抗３８と、非反転端子と一のバイアス電圧Ｖ S0との間に接続された抵抗Ｒ00を有する抵抗３９とから構成されている。そして 、この差動増幅器３５では、抵抗３７〜３９を同一の抵抗値Ｒ00にすることによ って、高利得差動回路であっても同相利得を１に設定し、オペアンプ３６による ＣＭＲＲの影響を少なくしている。

【００５０】 このように構成される差動増幅回路３１から出力される検出電圧Ｖ3 ′は次の 数７のようになる。

【００５１】

【数７】

【００５２】 そして、差動増幅回路３１では、各オペアンプ３２，３６のＣＭＲＲの影響の 少ない増幅回路を構成することができると共に、一のバイアス電圧ＶS0を加えた 検出電圧Ｖ3 ′を後段の検波処理回路１４に出力できる。

【００５３】 このように構成される本実施例の検出回路においては、ブリッジ回路９，発振 回路２１および差動増幅回路３１に一のバイアス電圧ＶS0を印加するようにし、 かつ前記発振回路２１から発生する交流電圧Ｖ′の振幅Ｖ00を一のバイアス電圧 ＶS0とグランドとの間の電圧差に近づくようにしたから、前記ブリッジ回路９の 接続点ａ，ｂに入力される交流電圧Ｖ′の振幅Ｖ00を大きくすることができ、励 磁および検出コイル７，８を流れる電流ｉ1 ，ｉ2 を大きくでき透磁率μの変化 を自己インダクタンスの変化として感度良く検出することができる。

【００５４】 従って、図４に示すように、磁歪シャフト１にトルクが加わった場合には、差 動増幅回路３１からの検出電圧Ｖ3 ′は一のバイアス電圧ＶS0を中心とする２点 鎖線で示す特性線４０が出力される。また、検波処理回路１４を介してＬＰＦ１ ５から出力される直流の出力電圧Ｖ4 ′は特性線４１となって増幅回路１６に出 力される。これにより、従来技術の図７に示した特性線１８，１９と比較して、 差動増幅回路３１から出力される検出電圧Ｖ3 ′の特性線４０の振幅を従来技術 の特性線１８の振幅よりも大きくでき、高精度のトルク検出を行うことができる 。そして、ＬＰＦ１５からの直流の出力電圧Ｖ4 （特性線４１）も従来技術の特 性線１９よりも大きい出力電圧にすることができる。

【００５５】 このように、本実施例においては、発振回路２１からは一のバイアス電圧ＶS0 を中心とする振幅Ｖ00の交流電圧Ｖ′を出力し、磁歪シャフト１に加わるトルク を高感度に検出すると共に、差動増幅回路３１からの検出電圧Ｖ3 ′も従来技術 の出力（振幅）よりも大きい変化として出力することができ、磁歪シャフト１に 加わるトルクの検出感度を著しく向上させることができる。

【００５６】 さらに、実施例では一のバイアス電圧ＶS0とバッテリ電圧ＶCC（≒１２Ｖ）と の関係を、ＶS0≒１／２ＶCC（≒６Ｖ）とし、発振回路２１からの交流電圧Ｖ′ の振幅Ｖ00，一のバイアス電圧ＶS0およびバッテリ電圧ＶCCとの関係を、Ｖ00＝ ＶS0＝１／２ＶCCに設定しているから、磁歪シャフト１に加わる微小なトルクで あってもブリッジ回路９からの出力電圧Ｖ1 ′，Ｖ2 ′を大きな出力として検出 できる。そして、差動増幅回路３１からの検出電圧Ｖ3 ′およびＬＰＦ１５から の直流の出力電圧Ｖ4 ′も大きい電圧にでき、磁歪シャフト１に加わる微小なト ルクも検出することができる。

【００５７】 そして、交流電圧Ｖの波高値ＶP-P をバッテリ電圧ＶCCのフルレンジを用いる ことで、誤差が少なく、Ｓ／Ｎ比を高めた磁歪式トルクセンサの検出回路を構成 することができる。

【００５８】 なお、前記実施例では２コイル式のトルクセンサについて説明したが、本考案 はこれに限らず、４コイル式のトルクセンサに用いてもよい。

【００５９】

【考案の効果】

以上詳述した如く、本考案によれば、検出回路のうち、一対の検出コイルを含 んで構成されたブリッジ回路，発振回路および差動増幅回路に印加される一のバ イアス電圧を直流変換回路および増幅回路に印加される他のバイアス電圧と異な った電圧値に設定することにより、ブリッジ回路に印加される発振回路からの交 流電圧の振幅を大きくすることができ、差動増幅回路から出力される信号を大き な信号にできる。そして、ノイズの少ない高精度のトルク検出を行うことができ る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例による磁歪式トルクセンサの検出回路を
示す回路構成図である。

【図２】図１中の発振回路の具体的な構成を示す回路図
である。

【図３】図１中の差動増幅回路の具体的な構成を示す回
路図である。

【図４】実施例によるトルク零時の発振回路，差動増幅
回路，ＬＰＦの電圧波形を示す波形図である。

【図５】従来技術による磁歪式トルクセンサの構成図で
ある。

【図６】従来技術による磁歪式トルクセンサの検出回路
を示す回路構成図である。

【図７】従来技術によるトルク零時の発振回路，差動増
幅回路，ＬＰＦの電圧波形を示す波形図である。

【符号の説明】

１ 磁歪シャフト ７，８ 励磁および検出コイル ９ ブリッジ回路 １４ 検波処理回路 １５ ＬＰＦ（直流変換回路） ２１ 発振回路 ３１ 差動増幅回路 ＶS0 一のバイアス電圧 ＶS 他のバイアス電圧

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁歪シャフトと、該磁歪シャフトの外周
   側に設けられた少なくとも一対の検出コイルと、該各検
   出コイルからのインダクタンスの変化により前記磁歪シ
   ャフトにかかるトルクを検出する検出回路とを備え、該
   検出回路は前記各検出コイルを含んで構成されたブリッ
   ジ回路と、該ブリッジ回路に印加する交流電圧を発生す
   る発振回路と、前記ブリッジ回路からの各検出コイルの
   検出信号を差動増幅する差動増幅回路と、該差動増幅回
   路からの出力信号を直流信号として処理する直流変換回
   路と、該直流変換回路からの信号を増幅する増幅回路と
   から構成してなる磁歪式トルクセンサにおいて、前記検
   出回路のうち、ブリッジ回路，発振回路および差動増幅
   回路に印加される一のバイアス電圧を直流変換回路およ
   び増幅回路に印加される他のバイアス電圧と異なる電圧
   値に設定したことを特徴とする磁歪式トルクセンサ。