JPH0729446A - 真空インタラプタ用電極の製造方法 - Google Patents
真空インタラプタ用電極の製造方法Info
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- JPH0729446A JPH0729446A JP5173876A JP17387693A JPH0729446A JP H0729446 A JPH0729446 A JP H0729446A JP 5173876 A JP5173876 A JP 5173876A JP 17387693 A JP17387693 A JP 17387693A JP H0729446 A JPH0729446 A JP H0729446A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 接触抵抗、遮断性能にすぐれ、しかも生産性
の高い真空インタラプタ用電極の製造方法を提供する。 【構成】 粒径が１００μｍ以下のＣｕと平均粒径が８
μｍで、かつ粒径２０μｍ以下の含有量が８０％以上で
あるＣｒ粉体とを８２：１８の重量比で混合した混合粉
末を、電極形状の金型に充填して、５ton/cm2 の圧力で
加圧成形し、得られた成形体を分圧が0.１Torrとなるよ
うにＡｒガスが導入された真空圧下でＣｕの融点直下の
１０６０℃で２時間加熱して焼結体を得、これをそのま
ま真空インタラプタの電極として用いる。
の高い真空インタラプタ用電極の製造方法を提供する。 【構成】 粒径が１００μｍ以下のＣｕと平均粒径が８
μｍで、かつ粒径２０μｍ以下の含有量が８０％以上で
あるＣｒ粉体とを８２：１８の重量比で混合した混合粉
末を、電極形状の金型に充填して、５ton/cm2 の圧力で
加圧成形し、得られた成形体を分圧が0.１Torrとなるよ
うにＡｒガスが導入された真空圧下でＣｕの融点直下の
１０６０℃で２時間加熱して焼結体を得、これをそのま
ま真空インタラプタの電極として用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は真空インタラプタ用電極
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、真空インタラプタ用電極として
は、アークを横に拡散するスパイラル形状のもの、縦磁
界を加える縦磁界印加方式のものなどが提供されてい
る。このような電極は主に粉末治金法、溶浸法、焼結・
溶浸法などにより作られている。
は、アークを横に拡散するスパイラル形状のもの、縦磁
界を加える縦磁界印加方式のものなどが提供されてい
る。このような電極は主に粉末治金法、溶浸法、焼結・
溶浸法などにより作られている。
【０００３】銅（以下、Ｃｕと記す）−クロム（以下、
Ｃｒと記す）系電極のような二成分の複合電極を例にあ
げて、これらの方法を説明する。粉末治金法は、Ｃｕ
粉体、Ｃｒ粉体を混合後、混合粉体を金型に充填してプ
レス成形し、得られた成形体をＣｕの融点以下の温度で
加熱焼結し、場合によってで得られた焼結体をさら
に加圧し、場合によってはで得られた焼結体をさら
に焼結し、のいずれかにより得られたものを機械
加工により電極形状とするものである。
Ｃｒと記す）系電極のような二成分の複合電極を例にあ
げて、これらの方法を説明する。粉末治金法は、Ｃｕ
粉体、Ｃｒ粉体を混合後、混合粉体を金型に充填してプ
レス成形し、得られた成形体をＣｕの融点以下の温度で
加熱焼結し、場合によってで得られた焼結体をさら
に加圧し、場合によってはで得られた焼結体をさら
に焼結し、のいずれかにより得られたものを機械
加工により電極形状とするものである。
【０００４】溶浸法は、Ｃｒ粉体を１０００℃以上の
温度で十分に脱ガス、焼結し、得られたスケルトンにＣ
ｕ塊を載置し、Ｃｕの融点以上の温度に加熱して、スケ
ルトンの空隙にＣｕを溶浸する方法、Ｃｒ粉体を加圧
圧縮したものをと同様の工程により、焼結し、溶浸す
る方法である。
温度で十分に脱ガス、焼結し、得られたスケルトンにＣ
ｕ塊を載置し、Ｃｕの融点以上の温度に加熱して、スケ
ルトンの空隙にＣｕを溶浸する方法、Ｃｒ粉体を加圧
圧縮したものをと同様の工程により、焼結し、溶浸す
る方法である。
【０００５】焼結・溶浸法は、Ｃｕ−Ｃｒ焼結体にＣｕ
を溶浸する粉末治金法と溶浸法とを併用したものであ
る。
を溶浸する粉末治金法と溶浸法とを併用したものであ
る。
【０００６】溶浸法、焼結・溶浸法いずれの場合も、得
られたインゴットを機械加工して電極とする。スパイラ
ル形電極とする場合には、図５に示すようにスパイラル
状に機械加工する。図５においては、１がスパイラル形
の電極、２がスパイラル溝、３がペダルである。粉末治
金法により得られたインゴットの機械加工も同様にして
なされる。
られたインゴットを機械加工して電極とする。スパイラ
ル形電極とする場合には、図５に示すようにスパイラル
状に機械加工する。図５においては、１がスパイラル形
の電極、２がスパイラル溝、３がペダルである。粉末治
金法により得られたインゴットの機械加工も同様にして
なされる。
【０００７】しかし、上記製造方法では、スパイラル形
電極とするためには機械加工が必要である。そのため、
上記製造方法による電極には、切削加工によることか
ら素材のロスが大きい、機械加工によることから加工
費が嵩む、納期が長くなることから製品の日程管理、
在庫調整が煩雑である、近年の素材価格の上昇、加工
費用、人件費の増大により電極のコストも上昇してい
る、という問題がある。
電極とするためには機械加工が必要である。そのため、
上記製造方法による電極には、切削加工によることか
ら素材のロスが大きい、機械加工によることから加工
費が嵩む、納期が長くなることから製品の日程管理、
在庫調整が煩雑である、近年の素材価格の上昇、加工
費用、人件費の増大により電極のコストも上昇してい
る、という問題がある。
【０００８】上記問題を解決するため、粉末治金法によ
る無加工をめざし、価格低下を図った電極材料の製造方
法として、特開昭５３−１４９６７６号公報等に開示の
ものが提供されている。この方法は、金属の粉末材料を
スパイラル形電極形状に加圧成形し、これを焼結するも
のである。
る無加工をめざし、価格低下を図った電極材料の製造方
法として、特開昭５３−１４９６７６号公報等に開示の
ものが提供されている。この方法は、金属の粉末材料を
スパイラル形電極形状に加圧成形し、これを焼結するも
のである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記製造方
法において、成形体の焼結を真空中で行うと、Ｃｕの蒸
気圧が高いため、成形体中のＣｕが選択的に飛散し、電
極表面がＣｒリッチとなり、接触抵抗が上昇してしまう
という問題があった。また、真空中で焼結する場合、加
熱工程で原料粉体が含有している水分、ガスが放出さ
れ、真空度が低下してしまうという問題もあった。尚、
真空中で、焼結する技術は、特公昭６１−３１１７２号
公報などに開示されているものである。
法において、成形体の焼結を真空中で行うと、Ｃｕの蒸
気圧が高いため、成形体中のＣｕが選択的に飛散し、電
極表面がＣｒリッチとなり、接触抵抗が上昇してしまう
という問題があった。また、真空中で焼結する場合、加
熱工程で原料粉体が含有している水分、ガスが放出さ
れ、真空度が低下してしまうという問題もあった。尚、
真空中で、焼結する技術は、特公昭６１−３１１７２号
公報などに開示されているものである。
【００１０】そのため、炉内に設置する成形体の数量が
限定されてしまい、また、焼結時の昇温速度をゆるやか
にしたり昇温過程での保持回数、時間を多くとる必要が
あった。このような状況から、生産性の高い電極材料製
造方法が望まれていた。しかし、その一方において、近
年における真空インタラプタの性能向上等の要求に応え
るため、遮断性能の向上を図る必要もある。
限定されてしまい、また、焼結時の昇温速度をゆるやか
にしたり昇温過程での保持回数、時間を多くとる必要が
あった。このような状況から、生産性の高い電極材料製
造方法が望まれていた。しかし、その一方において、近
年における真空インタラプタの性能向上等の要求に応え
るため、遮断性能の向上を図る必要もある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】そこで、先ず、粒径８μ
ｍのＣｒの粉体とＣｕの粉体とを配合比を変えて混合
し、得られた混合粉末を金型に充填し、５ton/cm2 の圧
力で加圧成形し、成形体を得た。得られた成形体を炉内
に設置し、炉内を５×１０-3Torrに排気し、次いで、ア
ルゴン（以下Ａｒと記す）ガスを炉内に導入し、分圧が
0.１Torrとなるように調整し、Ａｒガスを流しながら加
熱を開始した。加熱は、Ｃｕの融点直下の１０６０℃
で、２時間行った。
ｍのＣｒの粉体とＣｕの粉体とを配合比を変えて混合
し、得られた混合粉末を金型に充填し、５ton/cm2 の圧
力で加圧成形し、成形体を得た。得られた成形体を炉内
に設置し、炉内を５×１０-3Torrに排気し、次いで、ア
ルゴン（以下Ａｒと記す）ガスを炉内に導入し、分圧が
0.１Torrとなるように調整し、Ａｒガスを流しながら加
熱を開始した。加熱は、Ｃｕの融点直下の１０６０℃
で、２時間行った。
【００１２】焼結により得られた電極の充填密度は９８
％であった。この電極を真空インタラプタの電極として
組み込み、接触抵抗を測定後、遮断試験を実施した。そ
の結果を表１及び図１に示す。
％であった。この電極を真空インタラプタの電極として
組み込み、接触抵抗を測定後、遮断試験を実施した。そ
の結果を表１及び図１に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】表１及び図１より、Ｃｒの含有量が１３重
量％以上になると、遮断電流特性が向上することがわか
る。ただし、Ｃｒの割合が３５重量％以上になると、初
期の接触抵抗が高くなり、遮断後は一層高くなり、接点
としての使用に向かないものとなる。
量％以上になると、遮断電流特性が向上することがわか
る。ただし、Ｃｒの割合が３５重量％以上になると、初
期の接触抵抗が高くなり、遮断後は一層高くなり、接点
としての使用に向かないものとなる。
【００１５】また、真空インタラプタの遮断性能はＣｒ
の粉末の粒径に左右されることが知られている。Ｃｒの
平均粒径を８μｍ、４０μｍ、１００μｍと変えて前述
を同様にして作製した電極の遮断性能は、表２に示すよ
うに粒径が大きくなると低下することがわかる。これを
図で表すと、図２の如くなる。Ｃｒ粒径が１３μｍより
大きくなると、遮断性能の低下が実用上不適のものとな
る。しかし、Ｃｒ粒径が５μｍより小さくなると、製造
自体が困難であり、粉砕工程中にＦｅ等の不純物が混入
してきてしまう。
の粉末の粒径に左右されることが知られている。Ｃｒの
平均粒径を８μｍ、４０μｍ、１００μｍと変えて前述
を同様にして作製した電極の遮断性能は、表２に示すよ
うに粒径が大きくなると低下することがわかる。これを
図で表すと、図２の如くなる。Ｃｒ粒径が１３μｍより
大きくなると、遮断性能の低下が実用上不適のものとな
る。しかし、Ｃｒ粒径が５μｍより小さくなると、製造
自体が困難であり、粉砕工程中にＦｅ等の不純物が混入
してきてしまう。
【００１６】
【表２】
【００１７】Ｃｒの平均粒径が５〜１３μｍであって
も、その分布が不適切であると、所期の遮断性能が得ら
れない。そこで、粒度分布を調べたところ、粒径２０μ
ｍのものが８０％以上含まれていることが必要であるこ
とがわかった。これより少ないと、粒径の大きいものが
増し、場所により大きな粒子が存在することとなり、遮
断性能の低下を招くことになるからである。
も、その分布が不適切であると、所期の遮断性能が得ら
れない。そこで、粒度分布を調べたところ、粒径２０μ
ｍのものが８０％以上含まれていることが必要であるこ
とがわかった。これより少ないと、粒径の大きいものが
増し、場所により大きな粒子が存在することとなり、遮
断性能の低下を招くことになるからである。
【００１８】また、焼結に際し、Ｃｕの蒸発を防止する
ためには炉内の圧力を調整することが効果的である。そ
のため、炉内に不活性ガスとしてＡｒガスを導入し、Ａ
ｒガスの分圧を焼結温度におけるＣｕの蒸気圧より大き
くしたのである。
ためには炉内の圧力を調整することが効果的である。そ
のため、炉内に不活性ガスとしてＡｒガスを導入し、Ａ
ｒガスの分圧を焼結温度におけるＣｕの蒸気圧より大き
くしたのである。
【００１９】残留酸素、窒素を除去するため大気から真
空ポンプで１０-3Torr程度まで排気後Ａｒガスを導入
し、加熱を開始する。不活性ガス雰囲気を作製する場
合、一般にはＡｒガスの他に安価な窒素ガスを用いる
が、焼結加熱中でのＣｒの窒化を避けるためＡｒガスを
用いる。
空ポンプで１０-3Torr程度まで排気後Ａｒガスを導入
し、加熱を開始する。不活性ガス雰囲気を作製する場
合、一般にはＡｒガスの他に安価な窒素ガスを用いる
が、焼結加熱中でのＣｒの窒化を避けるためＡｒガスを
用いる。
【００２０】Ａｒガスの分圧は、焼結温度、即ちＣｕの
融点直下の温度１０６０℃におけるＣｕの蒸気圧である
１×１０-4Torrより大きい範囲とする。実際には、炉内
の構造、ガス導入条件に依存する。例えば、架台に設置
した成形体の位置、架台の構造、ガス導入位置、導入口
の数と排気位置、ガス導入の流量などに依存するのであ
る。このため、実用的には、１×１０-2Torrより大きい
圧力で安定して製作される。圧力が大きい場合の効果は
同等であるので、ガスの消費量を少なくするため、５×
１０0 Torr程度とする。
融点直下の温度１０６０℃におけるＣｕの蒸気圧である
１×１０-4Torrより大きい範囲とする。実際には、炉内
の構造、ガス導入条件に依存する。例えば、架台に設置
した成形体の位置、架台の構造、ガス導入位置、導入口
の数と排気位置、ガス導入の流量などに依存するのであ
る。このため、実用的には、１×１０-2Torrより大きい
圧力で安定して製作される。圧力が大きい場合の効果は
同等であるので、ガスの消費量を少なくするため、５×
１０0 Torr程度とする。
【００２１】表３には、Ａｒガスの分圧0.１Torr下で焼
結した場合の電極と、５×１０-5Torrの真空下で焼結し
た場合のものとを比較して示す。
結した場合の電極と、５×１０-5Torrの真空下で焼結し
た場合のものとを比較して示す。
【００２２】
【表３】
【００２３】この表３に示すように、得られた電極の表
面はＡｒガス導入のものは淡銅色をなし、Ａｒガスを導
入しなかったものは灰銅色を程する。これは、Ａｒガス
の導入により、Ｃｕの蒸発が抑制されたことによるもの
と考えられる。電極の断面の顕微鏡写真をみると、真空
下で焼結を行ったものは表面層のＣｕが減少してしまっ
ているのに対し、Ａｒガス導入下で焼結を行ったもの
は、Ｃｕの減少が抑制されていることがわかる。事実得
られた電極をそれぞれ真空インタラプタに組み込み、接
触抵抗を調べたところ、Ａｒガス導入のものの方が良い
値を示した。
面はＡｒガス導入のものは淡銅色をなし、Ａｒガスを導
入しなかったものは灰銅色を程する。これは、Ａｒガス
の導入により、Ｃｕの蒸発が抑制されたことによるもの
と考えられる。電極の断面の顕微鏡写真をみると、真空
下で焼結を行ったものは表面層のＣｕが減少してしまっ
ているのに対し、Ａｒガス導入下で焼結を行ったもの
は、Ｃｕの減少が抑制されていることがわかる。事実得
られた電極をそれぞれ真空インタラプタに組み込み、接
触抵抗を調べたところ、Ａｒガス導入のものの方が良い
値を示した。
【００２４】さらに、ＣｕとＣｒの混合粉末を金型で加
圧成形し、それを金型から取り出して炉内に設置するこ
とから、成形体がハンドリング等に支障のないものであ
ることが必要である。そこで、前述の成分、粒度の混合
粉末について、種々の成形密度で成形体を成形し、加熱
焼結して電極材料を得たところ、理論密度に対する成形
体の密度を７０％以上とすると、ハンドリング等に支障
がなく、成形体にカケなども生ぜず、また、焼結後の導
電率を問題がないことがわかった。
圧成形し、それを金型から取り出して炉内に設置するこ
とから、成形体がハンドリング等に支障のないものであ
ることが必要である。そこで、前述の成分、粒度の混合
粉末について、種々の成形密度で成形体を成形し、加熱
焼結して電極材料を得たところ、理論密度に対する成形
体の密度を７０％以上とすると、ハンドリング等に支障
がなく、成形体にカケなども生ぜず、また、焼結後の導
電率を問題がないことがわかった。
【００２５】以上の実験結果からの考察により、所期の
目的を達成する本発明に係る真空インタラプタ用電極の
製造方法は、平均粒径が５〜１５μｍで、かつ粒径２０
μｍ以下の含有量が８０％以上である１３重量％から３
５重量％のＣｒ粉末と６５重量％から８７重量％のＣｕ
粉末との混合粉末を加圧成形し、得られた成形体を高純
度のアルゴンガス導入下の真空中で加熱焼結することを
特徴とするものである。
目的を達成する本発明に係る真空インタラプタ用電極の
製造方法は、平均粒径が５〜１５μｍで、かつ粒径２０
μｍ以下の含有量が８０％以上である１３重量％から３
５重量％のＣｒ粉末と６５重量％から８７重量％のＣｕ
粉末との混合粉末を加圧成形し、得られた成形体を高純
度のアルゴンガス導入下の真空中で加熱焼結することを
特徴とするものである。
【００２６】また、上記製造方法において、前記混合粉
末をスパイラル形に加圧成形することを特徴とするもの
である。
末をスパイラル形に加圧成形することを特徴とするもの
である。
【００２７】さらに、上記製造方法において、前記成形
体の密度が理論密度の７０％以上であることを特徴とす
るものである。
体の密度が理論密度の７０％以上であることを特徴とす
るものである。
【００２８】
【実施例】次に、本発明に係る電極材料の製造方法の一
実施例について説明する。出発原料として、粒径−１０
０μｍのＣｕ粉体と、平均粒径が８μｍＣｒ粉末とを８
２：１８の重量比で、Ｖ型混合器で１時間十分に混合し
た。使用したＣｒ粉末は、その粒度分布を図３に示すよ
うに、粒径２０μｍ以下のものが８０％以上含まれるも
のである。
実施例について説明する。出発原料として、粒径−１０
０μｍのＣｕ粉体と、平均粒径が８μｍＣｒ粉末とを８
２：１８の重量比で、Ｖ型混合器で１時間十分に混合し
た。使用したＣｒ粉末は、その粒度分布を図３に示すよ
うに、粒径２０μｍ以下のものが８０％以上含まれるも
のである。
【００２９】得られた混合粉末をスパイラル電極形状の
直径６０mmの金型に充填し、５ton/cm2 の圧力で加圧成
形し、成形体を得る。この成形体の密度は、理論密度の
７０％以上とする。
直径６０mmの金型に充填し、５ton/cm2 の圧力で加圧成
形し、成形体を得る。この成形体の密度は、理論密度の
７０％以上とする。
【００３０】得られた成形体を金型から取り出し、炉内
に設置する。このとき、成形体は所定の密度で形成され
ているので、ハンドリングの際に支障が生じることはな
い。
に設置する。このとき、成形体は所定の密度で形成され
ているので、ハンドリングの際に支障が生じることはな
い。
【００３１】次に、真空ポンプにより炉内を真空引き
し、５×１０-3Torr程度の真空圧とする。次いで、炉内
にＡｒガスを導入し、分圧が0.１Torrとなるように調整
する。Ａｒガスとしては、酸素含有量が１ppm 以下、窒
素含有量が５ppm 以下の純度９９.9９％以上のものを使
った。
し、５×１０-3Torr程度の真空圧とする。次いで、炉内
にＡｒガスを導入し、分圧が0.１Torrとなるように調整
する。Ａｒガスとしては、酸素含有量が１ppm 以下、窒
素含有量が５ppm 以下の純度９９.9９％以上のものを使
った。
【００３２】Ａｒガスを流しながら、分圧0.１Torrを保
った状態で加熱を行った。加熱は、Ｃｕの融点直下の１
０６０℃で２時間行い、成形体を焼結した。焼結後の電
極の充填密度は９８％であった。
った状態で加熱を行った。加熱は、Ｃｕの融点直下の１
０６０℃で２時間行い、成形体を焼結した。焼結後の電
極の充填密度は９８％であった。
【００３３】図４に示すように、得られた電極を固定電
極２１、可動電極２２として、固定リード棒２３、可動
リード２４にそれぞれろう付けし、真空インタラプタ２
５を得た。この真空インタラプタ２５の接触抵抗を測定
後、遮断試験を実施した結果、同一組成物を機械加工し
て得られた電極を使用した真空インタラプタと同等の遮
断性能を有していた。また、この真空インタラプタ２５
を操作機構に取付けて開閉寿命試験を２００００回実施
したが、電極２１、２２に割れや欠け等の異常は生じな
かった。
極２１、可動電極２２として、固定リード棒２３、可動
リード２４にそれぞれろう付けし、真空インタラプタ２
５を得た。この真空インタラプタ２５の接触抵抗を測定
後、遮断試験を実施した結果、同一組成物を機械加工し
て得られた電極を使用した真空インタラプタと同等の遮
断性能を有していた。また、この真空インタラプタ２５
を操作機構に取付けて開閉寿命試験を２００００回実施
したが、電極２１、２２に割れや欠け等の異常は生じな
かった。
【００３４】尚、本発明はスパイラル形電極だけでな
く、縦磁界印加形の電極にも同様適用できる。
く、縦磁界印加形の電極にも同様適用できる。
【００３５】
【発明の効果】本発明に係る真空インタラプタ用電極の
製造方法によれば、平均粒径が５〜１５μｍで、かつ粒
径２０μｍ以下の含有量が８０％以上である微細Ｃｒ粉
末を用いていることから、遮断性能のすぐれた電極を得
ることができ、ひいては、真空インタラプタの小型化を
図ることができる。また、真空圧下で、しかもＡｒガス
導入下で加熱焼結を行うようにしたので、電極表面から
のＣｕの飛散が防止でき、接触抵抗を低減した電極を得
ることができる。
製造方法によれば、平均粒径が５〜１５μｍで、かつ粒
径２０μｍ以下の含有量が８０％以上である微細Ｃｒ粉
末を用いていることから、遮断性能のすぐれた電極を得
ることができ、ひいては、真空インタラプタの小型化を
図ることができる。また、真空圧下で、しかもＡｒガス
導入下で加熱焼結を行うようにしたので、電極表面から
のＣｕの飛散が防止でき、接触抵抗を低減した電極を得
ることができる。
【００３６】本発明に係る真空インタラプタ用電極の製
造方法によれば、Ｃｒ−Ｃｕ粉末を成形体密度が理論密
度の７０％以上となるように加圧成形し、得られた成形
体をＣｕの融点以下の温度で焼結して電極材料を得ると
いうように、出発原料、成形時の密度、焼結温度を特定
したことにより、カケ、ワレのない焼結体を得ることが
できる。電極形状で成形し、加熱焼結するため、得られ
た焼結体がそのまま電極として使用できることから、機
械加工がなく、材料の無駄がなく、材料費の低減が図
れ、機械加工費も不要となり、さらに短期製造が可能と
なり、ひいては、生産工程の管理、在庫管理が容易とな
る。
造方法によれば、Ｃｒ−Ｃｕ粉末を成形体密度が理論密
度の７０％以上となるように加圧成形し、得られた成形
体をＣｕの融点以下の温度で焼結して電極材料を得ると
いうように、出発原料、成形時の密度、焼結温度を特定
したことにより、カケ、ワレのない焼結体を得ることが
できる。電極形状で成形し、加熱焼結するため、得られ
た焼結体がそのまま電極として使用できることから、機
械加工がなく、材料の無駄がなく、材料費の低減が図
れ、機械加工費も不要となり、さらに短期製造が可能と
なり、ひいては、生産工程の管理、在庫管理が容易とな
る。
【００３７】設備の面から、設備のメンテナンスや作業
時間の短縮ができ、また投入量の増加による生産性の向
上とコストの低減ができる。さらに、高真空を得るため
の高価な排気装置が不要となり、排気から加熱工程への
時間も短縮する。加熱時、粉体から発生したガスは、Ａ
ｒガスが速やかに運び去るため真空焼結のように発生ガ
スにより昇温スピードを緩やかにしたり、昇温工程での
保持時間を長くしたりする必要がない。
時間の短縮ができ、また投入量の増加による生産性の向
上とコストの低減ができる。さらに、高真空を得るため
の高価な排気装置が不要となり、排気から加熱工程への
時間も短縮する。加熱時、粉体から発生したガスは、Ａ
ｒガスが速やかに運び去るため真空焼結のように発生ガ
スにより昇温スピードを緩やかにしたり、昇温工程での
保持時間を長くしたりする必要がない。
【図１】Ｃｒの含有量と遮断性能との関係を示すグラフ
である。
である。
【図２】Ｃｒ粒径と遮断性能との関係を示すグラフであ
る。
る。
【図３】実施例で使用したＣｕ粉末の粒度分布を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図４】得られた電極を組み込んだ真空インタラプタの
断面図である。
断面図である。
【図５】スパイラル形真空インタラプタ用電極の平面図
と側面図である。
と側面図である。
１ 電極 ２ スパイラル溝 ２１ 固定電極 ２２ 可動電極 ２３ 固定リード棒 ２４ 可動リード棒 ２５ 真空インタラプタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 伸尚 東京都品川区大崎二丁目１番17号 株式会 社明電舎内
Claims (3)
- 【請求項１】 平均粒径が５〜１５μｍで、かつ粒径２
０μｍ以下の含有量が８０％以上である１３重量％から
３５重量％のクロム粉末と６５重量％から８７重量％の
銅粉末との混合粉末を加圧成形し、得られた成形体を高
純度のアルゴンガス導入下の真空中で加熱焼結すること
を特徴とする真空インタラプタ用電極の製造方法。 - 【請求項２】 前記混合粉末をスパイラル形に加圧成形
する請求項１に記載の真空インタラプタ用電極の製造方
法。 - 【請求項３】 前記成形体の密度が理論密度の７０％以
上である請求項１に記載の真空インタラプタ用電極の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5173876A JPH0729446A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 真空インタラプタ用電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5173876A JPH0729446A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 真空インタラプタ用電極の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729446A true JPH0729446A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15968768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5173876A Pending JPH0729446A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 真空インタラプタ用電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0729446A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6597428B1 (en) | 1997-07-10 | 2003-07-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method and apparatus for forming photographic images |
| JP2009076218A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Hitachi Ltd | 電気接点 |
| KR101503318B1 (ko) * | 2013-12-20 | 2015-03-17 | 엘에스산전 주식회사 | 진공회로차단기용 진공인터럽터의 제조방법 |
| JP2019192464A (ja) * | 2018-04-24 | 2019-10-31 | 株式会社東芝 | 真空バルブ用接点材料および真空バルブ用接点材料の製造方法 |
-
1993
- 1993-07-14 JP JP5173876A patent/JPH0729446A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6597428B1 (en) | 1997-07-10 | 2003-07-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method and apparatus for forming photographic images |
| JP2009076218A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Hitachi Ltd | 電気接点 |
| KR101503318B1 (ko) * | 2013-12-20 | 2015-03-17 | 엘에스산전 주식회사 | 진공회로차단기용 진공인터럽터의 제조방법 |
| JP2019192464A (ja) * | 2018-04-24 | 2019-10-31 | 株式会社東芝 | 真空バルブ用接点材料および真空バルブ用接点材料の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040406 |