JPH07295201A - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクの製造方法Info
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- JPH07295201A JPH07295201A JP8423994A JP8423994A JPH07295201A JP H07295201 A JPH07295201 A JP H07295201A JP 8423994 A JP8423994 A JP 8423994A JP 8423994 A JP8423994 A JP 8423994A JP H07295201 A JPH07295201 A JP H07295201A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】位相シフトマスクのマスク面内での透過率の均
一性を向上させる。 【構成】エッチングストッパ膜２の上の遮光膜３をパタ
ーニングして遮光膜パターンを形成した後、位相シフタ
膜形成領域のエッチングストッパ膜を選択的に除去して
開口部６を形成し、次に、全面に設けた透明膜７をパタ
ーニングして開口部６上に位相シフタ膜７ａを形成し、
しかる後、露出しているエッチングストッパ膜２をすべ
てエッチング除去することにより、光透過領域の透過率
の均一性を向上させる。
一性を向上させる。 【構成】エッチングストッパ膜２の上の遮光膜３をパタ
ーニングして遮光膜パターンを形成した後、位相シフタ
膜形成領域のエッチングストッパ膜を選択的に除去して
開口部６を形成し、次に、全面に設けた透明膜７をパタ
ーニングして開口部６上に位相シフタ膜７ａを形成し、
しかる後、露出しているエッチングストッパ膜２をすべ
てエッチング除去することにより、光透過領域の透過率
の均一性を向上させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は位相シフトマスクの製造
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子を製造するためのリソグラフ
ィ技術として一般に使用されている光リソグラフィは、
半導体素子の高密度・高集積化の為これまで主に露光光
学系の高ＮＡ（開口数：Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ａｐｅｒ
ｔｕｒｅ）化，短波長化が進められ、より微細なパター
ンの形成が可能となってきた。そして現在、最小寸法が
０．５μｍ以下の半導体素子の量産も光リソグラフィに
より可能となっている。
ィ技術として一般に使用されている光リソグラフィは、
半導体素子の高密度・高集積化の為これまで主に露光光
学系の高ＮＡ（開口数：Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ａｐｅｒ
ｔｕｒｅ）化，短波長化が進められ、より微細なパター
ンの形成が可能となってきた。そして現在、最小寸法が
０．５μｍ以下の半導体素子の量産も光リソグラフィに
より可能となっている。
【０００３】しかし、露光光学系の高ＮＡ化、短波長化
により解像力は向上するものの、反対に焦点深度が減少
してしまい段差のあるデバイス上でのレジスト膜の解像
度が低下するという問題を生じ、そのため、焦点深度の
確保がより重要な問題となってきた。従って、焦点深度
の点から、これまでのような単純な高ＮＡ化、短波長化
による解像力の向上は困難となってきた。
により解像力は向上するものの、反対に焦点深度が減少
してしまい段差のあるデバイス上でのレジスト膜の解像
度が低下するという問題を生じ、そのため、焦点深度の
確保がより重要な問題となってきた。従って、焦点深度
の点から、これまでのような単純な高ＮＡ化、短波長化
による解像力の向上は困難となってきた。
【０００４】そこで近年、解像力及び焦点深度を向上さ
せ光リソグラフィの限界を延ばす方法として位相シフト
法が注目されている。位相シフト法は、１０年ほど前か
ら提案されていたが、位相シフトマスクの製造方法が困
難であったため実用化が遅れていた。この方法はフォト
マスク上の隣接する開口部の一方の上に透明膜を形成
し、この透明膜の厚さｔを、ｔ＝λ／２（ｎ−１）（但
し、λは露光光の波長、ｎは透明膜の屈折率）とするこ
とにより、透過する光の位相を互いに１８０度ずらすも
のである。位相シフト法を用いない場合、隣接する開口
部の間隔が狭くなると回析により開口部間の本来遮光部
となるべき領域に光が漏れ隣接する開口部が分離されな
くなる。一方、位相シフトマスクでは隣接する開口部を
透過する光の位相が互いに１８０度ずれているため、隣
接する開口部間で漏れた光が打ち消し合い遮光領域を形
成する。そのため、より微細な寸法まで分離して解像で
きる（特公昭６２−５０８１１号公報参照）ものであ
る。
せ光リソグラフィの限界を延ばす方法として位相シフト
法が注目されている。位相シフト法は、１０年ほど前か
ら提案されていたが、位相シフトマスクの製造方法が困
難であったため実用化が遅れていた。この方法はフォト
マスク上の隣接する開口部の一方の上に透明膜を形成
し、この透明膜の厚さｔを、ｔ＝λ／２（ｎ−１）（但
し、λは露光光の波長、ｎは透明膜の屈折率）とするこ
とにより、透過する光の位相を互いに１８０度ずらすも
のである。位相シフト法を用いない場合、隣接する開口
部の間隔が狭くなると回析により開口部間の本来遮光部
となるべき領域に光が漏れ隣接する開口部が分離されな
くなる。一方、位相シフトマスクでは隣接する開口部を
透過する光の位相が互いに１８０度ずれているため、隣
接する開口部間で漏れた光が打ち消し合い遮光領域を形
成する。そのため、より微細な寸法まで分離して解像で
きる（特公昭６２−５０８１１号公報参照）ものであ
る。
【０００５】次に、従来の位相シフトマスクの製造方法
について図面を参照して説明する。位相シフトマスクの
構造には主に２種類あるが、位相シフタ膜を遮光膜の上
に形成した、いわゆるシフタ上置き型の構造方法につい
て説明する。
について図面を参照して説明する。位相シフトマスクの
構造には主に２種類あるが、位相シフタ膜を遮光膜の上
に形成した、いわゆるシフタ上置き型の構造方法につい
て説明する。
【０００６】図３（ａ）〜（ｄ）は従来の位相シフトマ
スクの製造方法を説明するための工程順に示した断面図
である。
スクの製造方法を説明するための工程順に示した断面図
である。
【０００７】まず、図３（ａ）に示すように、合成石英
等の透明基板１の上にエッチングストッパ膜２を形成
し、エッチングストッパ膜２の上にクロム膜および酸化
クロム膜の積層膜からなる遮光膜３を形成してマスクブ
ランクを構成する。次に、このマスクブランクの遮光膜
３の上に感光性樹脂膜４を塗布してパターニングする。
等の透明基板１の上にエッチングストッパ膜２を形成
し、エッチングストッパ膜２の上にクロム膜および酸化
クロム膜の積層膜からなる遮光膜３を形成してマスクブ
ランクを構成する。次に、このマスクブランクの遮光膜
３の上に感光性樹脂膜４を塗布してパターニングする。
【０００８】次に、図３（ｂ）に示すように、感光性樹
脂膜４をマスクとして塩素系ガスを用いたドライエッチ
ングにより遮光膜３をエッチングして所定の遮光マスク
パターンを形成する。
脂膜４をマスクとして塩素系ガスを用いたドライエッチ
ングにより遮光膜３をエッチングして所定の遮光マスク
パターンを形成する。
【０００９】次に、図３（ｃ）に示すように、感光性樹
脂膜４を剥離した後、遮光膜３のパターンの検査および
修正を行い、全面にＳＯＧ膜をスピンコートして透明膜
７を形成し、透明膜７の上に位相シフタ膜形成用の感光
性樹脂膜８を選択的に形成する。
脂膜４を剥離した後、遮光膜３のパターンの検査および
修正を行い、全面にＳＯＧ膜をスピンコートして透明膜
７を形成し、透明膜７の上に位相シフタ膜形成用の感光
性樹脂膜８を選択的に形成する。
【００１０】次に、図３（ｄ）に示すように、感光性樹
脂膜８をマスクとして透明膜７を炭素および弗素を含む
ガスを用いるドライエッチングによりエッチングし、位
相シフタ膜７ａを形成する。ここで透明膜７のエッチン
グにより材料のほぼ同じ透明基板１が侵食されるのを防
ぐためのエッチングストッパ膜２としては次のような条
件を満足する材料を用いる必要がある。
脂膜８をマスクとして透明膜７を炭素および弗素を含む
ガスを用いるドライエッチングによりエッチングし、位
相シフタ膜７ａを形成する。ここで透明膜７のエッチン
グにより材料のほぼ同じ透明基板１が侵食されるのを防
ぐためのエッチングストッパ膜２としては次のような条
件を満足する材料を用いる必要がある。
【００１１】（Ａ） 位相シフタ膜として用いるＳｉＯ
2 膜とのエッチング選択比が１０以上であること、
（Ｂ） 光学定数（ｎ，ｋ）が透明基板１および位相シ
フタ膜３に近いこと（光学定数が異なるとその界面での
反射が生じ透過率が低下する）、（Ｃ） 露光光により
変質しない（耐光性が大きい）こと、（Ｄ） マスクの
製造工程および製造ラインでの使用時に使用する酸およ
びアルカリ溶液により変質しない（耐薬品性が大きい）
こと、このような条件を満たすエッチングストッパ膜と
して酸化スズ等の金属酸化物が使用されている。
2 膜とのエッチング選択比が１０以上であること、
（Ｂ） 光学定数（ｎ，ｋ）が透明基板１および位相シ
フタ膜３に近いこと（光学定数が異なるとその界面での
反射が生じ透過率が低下する）、（Ｃ） 露光光により
変質しない（耐光性が大きい）こと、（Ｄ） マスクの
製造工程および製造ラインでの使用時に使用する酸およ
びアルカリ溶液により変質しない（耐薬品性が大きい）
こと、このような条件を満たすエッチングストッパ膜と
して酸化スズ等の金属酸化物が使用されている。
【００１２】また、位相シフトマスクの他の製造方法と
して、このように一旦位相シフタ膜をマスク全面に成膜
するのではなく、選択的に位相シフタ膜を形成する方
法、即ち、感光性樹脂膜をマスクとしてリフトオフによ
り位相シフタ膜を選択的に形成する方法が提案されてお
り、この方法ではエッチングストッパ膜が不要なため、
マスク面内の透過率のばらつきを生じないという利点が
あるが、このリフトオフを用いた位相シフトマスクの製
造方法では、位相シフタ膜形成前に感光性樹脂膜が付い
たままでのマスク洗浄しかできないために、異物（主に
感光性樹脂膜の塗布及びその現像時に付着する有機物）
が完全に除去されずにそのまま石英基板とシフタ膜の間
に残る可能性がある。
して、このように一旦位相シフタ膜をマスク全面に成膜
するのではなく、選択的に位相シフタ膜を形成する方
法、即ち、感光性樹脂膜をマスクとしてリフトオフによ
り位相シフタ膜を選択的に形成する方法が提案されてお
り、この方法ではエッチングストッパ膜が不要なため、
マスク面内の透過率のばらつきを生じないという利点が
あるが、このリフトオフを用いた位相シフトマスクの製
造方法では、位相シフタ膜形成前に感光性樹脂膜が付い
たままでのマスク洗浄しかできないために、異物（主に
感光性樹脂膜の塗布及びその現像時に付着する有機物）
が完全に除去されずにそのまま石英基板とシフタ膜の間
に残る可能性がある。
【００１３】また、位相シフタ膜の厚さの制御も困難で
あり、遮光膜の段差によりシフタ膜の厚さが変化してし
まうので実用的ではない。リフトオフ以外にも、特開平
４−２８４４５２号公報に記載されているように、遮光
膜を選択的に酸化して位相シフタ膜とする方法もある
が、これは、マスク全面にポリシリコン膜を遮光膜とし
て成膜した後、これを選択的に酸化しＳｉＯ2 膜とする
ことによりシフタ膜を形成するという方法であるが、こ
の位相シフトマスクでは、遮光部と光透過部の境界（酸
化の境界）が明確にならないため、マスクの寸法精度が
得られず、また、酸化の程度が不均一になり、位相及び
透過率の異常をきたすという問題があり、実用化できな
い。
あり、遮光膜の段差によりシフタ膜の厚さが変化してし
まうので実用的ではない。リフトオフ以外にも、特開平
４−２８４４５２号公報に記載されているように、遮光
膜を選択的に酸化して位相シフタ膜とする方法もある
が、これは、マスク全面にポリシリコン膜を遮光膜とし
て成膜した後、これを選択的に酸化しＳｉＯ2 膜とする
ことによりシフタ膜を形成するという方法であるが、こ
の位相シフトマスクでは、遮光部と光透過部の境界（酸
化の境界）が明確にならないため、マスクの寸法精度が
得られず、また、酸化の程度が不均一になり、位相及び
透過率の異常をきたすという問題があり、実用化できな
い。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の位相シフト
マスクでは、透明基板と位相シフタ膜はいずれもＳｉＯ
2 系の材料からなり、その屈折率はほとんど同じで１．
４６程度である。これに対して、エッチングストッパ膜
は金属酸化膜なので、どの金属を用いても屈折率は一般
に２以上となり、透明基板及び位相シフタ膜とは異なる
値を有している。よって、位相シフタ膜を設けた部分
（位相シフタ膜／エッチングストッパ膜／透明基板）と
位相シフタ膜のない部分（エッチングストッパ膜／透明
基板）ではその材料の屈折率の差により必然的に透過率
が異なることになる。
マスクでは、透明基板と位相シフタ膜はいずれもＳｉＯ
2 系の材料からなり、その屈折率はほとんど同じで１．
４６程度である。これに対して、エッチングストッパ膜
は金属酸化膜なので、どの金属を用いても屈折率は一般
に２以上となり、透明基板及び位相シフタ膜とは異なる
値を有している。よって、位相シフタ膜を設けた部分
（位相シフタ膜／エッチングストッパ膜／透明基板）と
位相シフタ膜のない部分（エッチングストッパ膜／透明
基板）ではその材料の屈折率の差により必然的に透過率
が異なることになる。
【００１５】また、この原理的な要因の他に、遮光膜あ
るいは位相シフタ膜のエッチング時のダメージによる透
過率変化の問題も生ずる。位相シフタ膜とエッチングス
トッパ膜のエッチング選択比は１０以上であるが、若干
エッチングストッパ膜もエッチングされてしまう。エッ
チングストッパ膜がエッチングされると、その膜厚が変
化し、またその表面が荒れるため透過率が変化してしま
い、マスク基板のドライエッチングの面内均一性が良く
ないこともあり、マスク面内の透過率にばらつきを生ず
る。また更に、遮光膜の修正には通常、イオンビームが
用いられるが、この際のイオンが透明基板に比べエッチ
ングストッパ膜に特に注入され易く、そのためイオン注
入部のエッチングストッパ膜の光学定数が変化し、局部
的に透過率が低下してしまうという問題があった。
るいは位相シフタ膜のエッチング時のダメージによる透
過率変化の問題も生ずる。位相シフタ膜とエッチングス
トッパ膜のエッチング選択比は１０以上であるが、若干
エッチングストッパ膜もエッチングされてしまう。エッ
チングストッパ膜がエッチングされると、その膜厚が変
化し、またその表面が荒れるため透過率が変化してしま
い、マスク基板のドライエッチングの面内均一性が良く
ないこともあり、マスク面内の透過率にばらつきを生ず
る。また更に、遮光膜の修正には通常、イオンビームが
用いられるが、この際のイオンが透明基板に比べエッチ
ングストッパ膜に特に注入され易く、そのためイオン注
入部のエッチングストッパ膜の光学定数が変化し、局部
的に透過率が低下してしまうという問題があった。
【００１６】本発明の目的はエッチングストッパ膜によ
る透過率の不均一性の問題を排除してマスクの面内均一
性を向上させた位相シフトマスクの製造方法を提供する
ことにある。
る透過率の不均一性の問題を排除してマスクの面内均一
性を向上させた位相シフトマスクの製造方法を提供する
ことにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の位相シフ
トマスクの製造方法は、透明基板上にエッチングストッ
パ膜および遮光膜を順次成膜して形成する工程と、前記
遮光膜を選択的にエッチングして遮光マスクパターンを
形成する工程と、前記遮光マスクパターンの光透過領域
に露出された前記エッチングストッパ膜を選択的にエッ
チングして前記透明基板の表面を露出させた位相シフト
膜形成用の第１の開口部を形成する工程と、前記第１の
開口部を含む表面に透明膜を形成してパターニングし前
記第１の開口部の前記透明基板上に直接積層する位相シ
フタ膜を形成する工程と、前記第１の開口部以外の光透
過領域に露出する前記エッチングストッパ膜をエッチン
グして前記透明基板の表面を露出させた第２の開口部を
形成する工程とを含んで構成される。
トマスクの製造方法は、透明基板上にエッチングストッ
パ膜および遮光膜を順次成膜して形成する工程と、前記
遮光膜を選択的にエッチングして遮光マスクパターンを
形成する工程と、前記遮光マスクパターンの光透過領域
に露出された前記エッチングストッパ膜を選択的にエッ
チングして前記透明基板の表面を露出させた位相シフト
膜形成用の第１の開口部を形成する工程と、前記第１の
開口部を含む表面に透明膜を形成してパターニングし前
記第１の開口部の前記透明基板上に直接積層する位相シ
フタ膜を形成する工程と、前記第１の開口部以外の光透
過領域に露出する前記エッチングストッパ膜をエッチン
グして前記透明基板の表面を露出させた第２の開口部を
形成する工程とを含んで構成される。
【００１８】本発明の第２の位相シフトマスクの製造方
法は、透明基板上に遮光膜を成膜して選択的にエッチン
グし遮光マスクパターンを形成した後前記遮光膜を含む
表面にエッチングストッパ膜を形成する工程と、前記エ
ッチングストッパ膜を選択的にエッチングして前記遮光
マスクパターンの光透過領域の前記透明基板の表面を露
出させた位相シフト膜形成用の第１の開口部を形成する
工程と、前記第１の開口部を含む表面に透明膜を形成し
てパターニングし前記第１の開口部の前記透明基板上に
直接積層する位相シフタ膜を形成する工程と、残された
前記エッチングストッパ膜をエッチング除去して前記第
１の開口部以外の光透過領域の前記透明基板の表面を露
出させた第２の開口部を形成する工程とを含んで構成さ
れる。
法は、透明基板上に遮光膜を成膜して選択的にエッチン
グし遮光マスクパターンを形成した後前記遮光膜を含む
表面にエッチングストッパ膜を形成する工程と、前記エ
ッチングストッパ膜を選択的にエッチングして前記遮光
マスクパターンの光透過領域の前記透明基板の表面を露
出させた位相シフト膜形成用の第１の開口部を形成する
工程と、前記第１の開口部を含む表面に透明膜を形成し
てパターニングし前記第１の開口部の前記透明基板上に
直接積層する位相シフタ膜を形成する工程と、残された
前記エッチングストッパ膜をエッチング除去して前記第
１の開口部以外の光透過領域の前記透明基板の表面を露
出させた第２の開口部を形成する工程とを含んで構成さ
れる。
【００１９】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００２０】図１（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施
例を説明するための工程順に示した断面図である。
例を説明するための工程順に示した断面図である。
【００２１】まず、図１（ａ）に示すように、合成石英
等からなる透明基板１の上に酸化スズからなるエッチン
グストッパ膜２をスパッタにより２０ｎｍの厚さに形成
し、エッチングストッパ膜２の上に厚さ７０ｎｍのクロ
ム膜と厚さ３０ｎｍの酸化クロム膜を順次堆積した積層
膜による遮光膜３を堆積する。次に、遮光膜３の上に感
光性樹脂膜４を塗布してパターニングする。
等からなる透明基板１の上に酸化スズからなるエッチン
グストッパ膜２をスパッタにより２０ｎｍの厚さに形成
し、エッチングストッパ膜２の上に厚さ７０ｎｍのクロ
ム膜と厚さ３０ｎｍの酸化クロム膜を順次堆積した積層
膜による遮光膜３を堆積する。次に、遮光膜３の上に感
光性樹脂膜４を塗布してパターニングする。
【００２２】次に、図１（ｂ）に示すように、感光性樹
脂膜４をマスクとして塩素系ガスを用いるドライエッチ
ングにより遮光膜３をエッチングし遮光マスクパターン
を形成する。
脂膜４をマスクとして塩素系ガスを用いるドライエッチ
ングにより遮光膜３をエッチングし遮光マスクパターン
を形成する。
【００２３】次に、図１（ｃ）に示すように、感光性樹
脂膜４を剥離した後、遮光膜３を含む表面に感光性樹脂
膜５を塗布してパターニングし、この感光性樹脂膜５を
マスクとして遮光マスクの光透過領域に露出したエッチ
ングストッパ膜２をウェットエッチングにより選択的に
除去し、位相シフタ膜形成領域に開口部６を形成し、透
明基板１の表面を露出させる。
脂膜４を剥離した後、遮光膜３を含む表面に感光性樹脂
膜５を塗布してパターニングし、この感光性樹脂膜５を
マスクとして遮光マスクの光透過領域に露出したエッチ
ングストッパ膜２をウェットエッチングにより選択的に
除去し、位相シフタ膜形成領域に開口部６を形成し、透
明基板１の表面を露出させる。
【００２４】次に、図１（ｄ）に示すように、感光性樹
脂膜５を剥離した後、全面にＳＯＧ膜を３８０ｎｍの厚
さにスピンコートし透明膜７を形成する。次に透明膜７
の上に感光性樹脂膜８を塗布してパターニングし、開口
部６上の位相シフタ膜形成用パターンを形成する。
脂膜５を剥離した後、全面にＳＯＧ膜を３８０ｎｍの厚
さにスピンコートし透明膜７を形成する。次に透明膜７
の上に感光性樹脂膜８を塗布してパターニングし、開口
部６上の位相シフタ膜形成用パターンを形成する。
【００２５】次に、図１（ｅ）に示すように、感光性樹
脂膜８をマスクとしてフッ素ガスを用いたドライエッチ
ングによりエッチングストッパ膜２をエッチングストッ
パとして透明膜７をエッチングして除去し、開口部６の
透明基板１の表面に直接積層する位相シフト膜７ａを形
成する。次に、ウェットエッチングにより残りの光透過
領域に露出したエッチングストッパ膜２を除去して開口
部９を形成し、感光性樹脂膜８を剥離して位相シフトマ
スクを形成する。
脂膜８をマスクとしてフッ素ガスを用いたドライエッチ
ングによりエッチングストッパ膜２をエッチングストッ
パとして透明膜７をエッチングして除去し、開口部６の
透明基板１の表面に直接積層する位相シフト膜７ａを形
成する。次に、ウェットエッチングにより残りの光透過
領域に露出したエッチングストッパ膜２を除去して開口
部９を形成し、感光性樹脂膜８を剥離して位相シフトマ
スクを形成する。
【００２６】ここで、透明基板１のみの開口部９と透明
基板と位相シフタ膜７ａを有する開口部６の露光光ｉ線
（λ＝０．３６５μｍ）による透過率は共に９２．５％
であり両者の透過率の差を無くすことができる。
基板と位相シフタ膜７ａを有する開口部６の露光光ｉ線
（λ＝０．３６５μｍ）による透過率は共に９２．５％
であり両者の透過率の差を無くすことができる。
【００２７】図２（ａ）〜（ｅ）は本発明の第２の実施
例を説明するための工程順に示した断面図である。
例を説明するための工程順に示した断面図である。
【００２８】まず、図２（ａ）に示すように透明基板１
の上にクロム膜と酸化クロム膜の積層膜からなる遮光膜
３を形成した後、遮光膜３の上に感光性樹脂膜４を塗布
してパターニングする。次に、感光性樹脂膜４をマスク
として遮光膜３をドライエッチングして遮光マスクパタ
ーンを形成する。
の上にクロム膜と酸化クロム膜の積層膜からなる遮光膜
３を形成した後、遮光膜３の上に感光性樹脂膜４を塗布
してパターニングする。次に、感光性樹脂膜４をマスク
として遮光膜３をドライエッチングして遮光マスクパタ
ーンを形成する。
【００２９】次に、図２（ｂ）に示すように、感光性樹
脂膜４を剥離した後、全面にＩＴＯ膜を２０ｎｍの厚さ
に成膜してエッチングストッパ膜２を形成する。次に、
エッチングストッパ膜２の上に感光性樹脂膜５を塗布し
てパターニングする。
脂膜４を剥離した後、全面にＩＴＯ膜を２０ｎｍの厚さ
に成膜してエッチングストッパ膜２を形成する。次に、
エッチングストッパ膜２の上に感光性樹脂膜５を塗布し
てパターニングする。
【００３０】次に、図２（ｃ）に示すように、感光性樹
脂膜５をマスクとして酸を用いたウェットエッチングに
よりエッチングストッパ膜２を除去し、位相シフタ膜形
成領域に開口部６を形成して透明基板１の表面を露出さ
せる。次に感光性樹脂膜５を剥離した後開口部６を含む
表面にＳＯＧ膜を３８０ｎｍの厚さにスピンコートし透
明膜７を形成する。次に、透明膜７の上に感光性樹脂膜
８を塗布してパターニングし開口部６上の位相シフタ膜
形成用パターンを形成する。
脂膜５をマスクとして酸を用いたウェットエッチングに
よりエッチングストッパ膜２を除去し、位相シフタ膜形
成領域に開口部６を形成して透明基板１の表面を露出さ
せる。次に感光性樹脂膜５を剥離した後開口部６を含む
表面にＳＯＧ膜を３８０ｎｍの厚さにスピンコートし透
明膜７を形成する。次に、透明膜７の上に感光性樹脂膜
８を塗布してパターニングし開口部６上の位相シフタ膜
形成用パターンを形成する。
【００３１】次に、図２（ｄ）に示すように、感光性樹
脂膜８をマスクとして透明膜７をドライエッチングし、
透明基板１上に直接積層する位相シフタ膜７ａを形成す
る。
脂膜８をマスクとして透明膜７をドライエッチングし、
透明基板１上に直接積層する位相シフタ膜７ａを形成す
る。
【００３２】次に、図２（ｅ）に示すように、酸を用い
るウェットエッチングにより残されたエッチングストッ
パ膜２を全部除去して開口部９を形成し、感光性樹脂膜
８を剥離し、位相シフトマスクを形成する。
るウェットエッチングにより残されたエッチングストッ
パ膜２を全部除去して開口部９を形成し、感光性樹脂膜
８を剥離し、位相シフトマスクを形成する。
【００３３】本実施例では、エッチングストッパ膜を完
全に除去しているので、マスクの洗浄が容易になり、ま
た、耐薬品性のない材料、例えばＩＴＯ、アルミナ等を
エッチングストッパ膜として使用できる利点がある。ま
た、エキシマレーザにたいして耐光性を有するエッチン
グストッパ膜の材料が無かったのでエキシマレーザ用の
位相シフトマスクの製造が困難であったが、本実施例で
はエッチングストッパ膜がマスク上に残らないため、耐
光性の制約がなくなり、エキシマレーザ用の位相シフト
マスクが容易に製造できる利点がある。
全に除去しているので、マスクの洗浄が容易になり、ま
た、耐薬品性のない材料、例えばＩＴＯ、アルミナ等を
エッチングストッパ膜として使用できる利点がある。ま
た、エキシマレーザにたいして耐光性を有するエッチン
グストッパ膜の材料が無かったのでエキシマレーザ用の
位相シフトマスクの製造が困難であったが、本実施例で
はエッチングストッパ膜がマスク上に残らないため、耐
光性の制約がなくなり、エキシマレーザ用の位相シフト
マスクが容易に製造できる利点がある。
【００３４】なお、実施例ではシフタ上置型について説
明したが、シフト下置型についても同様の構成と効果を
得ることができる。
明したが、シフト下置型についても同様の構成と効果を
得ることができる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、透明基板
上に形成した遮光マスクパターンの光透過領域からエッ
チングストッパ膜を完全に除去することにより、光透過
領域の位相シフタ膜とエッチングストッパ膜との積層に
より透過率の低下を無くし、エッチングストッパ膜の有
無による透過率の不均一性を排除し、マスクの面内均一
性を向上させるという効果を有する。
上に形成した遮光マスクパターンの光透過領域からエッ
チングストッパ膜を完全に除去することにより、光透過
領域の位相シフタ膜とエッチングストッパ膜との積層に
より透過率の低下を無くし、エッチングストッパ膜の有
無による透過率の不均一性を排除し、マスクの面内均一
性を向上させるという効果を有する。
【００３６】また、エッチングストッパ膜をマスクの全
面から完全に除去するものでは耐薬品性あるいは耐光性
の低い材料もエッチングストッパ膜として使用できると
いう効果を有する。
面から完全に除去するものでは耐薬品性あるいは耐光性
の低い材料もエッチングストッパ膜として使用できると
いう効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための工程順
に示した断面図。
に示した断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を説明するための工程順
に示した断面図。
に示した断面図。
【図３】従来の位相シフトマスクの製造方法を説明する
ための工程順に示した断面図。
ための工程順に示した断面図。
１ 透明基板 ２ エッチングストッパ膜 ２ 遮光膜 ４，５，８ 感光性樹脂膜 ６，９ 開口部 ７ 透明膜 ７ａ 位相シフタ膜
Claims (5)
- 【請求項１】 透明基板上にエッチングストッパ膜およ
び遮光膜を順次成膜して形成する工程と、前記遮光膜を
選択的にエッチングして遮光マスクパターンを形成する
工程と、前記遮光マスクパターンの光透過領域に露出さ
れた前記エッチングストッパ膜を選択的にエッチングし
て前記透明基板の表面を露出させた位相シフト膜形成用
の第１の開口部を形成する工程と、前記第１の開口部を
含む表面に透明膜を形成してパターニングし前記第１の
開口部の前記透明基板上に直接積層する位相シフタ膜を
形成する工程と、前記第１の開口部以外の光透過領域に
露出する前記エッチングストッパ膜をエッチングして前
記透明基板の表面を露出させた第２の開口部を形成する
工程とを含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造
方法。 - 【請求項２】 エッチングストッパ膜が酸化スズである
請求項１記載の位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項３】 透明基板上に遮光膜を成膜して選択的に
エッチングし遮光マスクパターンを形成した後前記遮光
膜を含む表面にエッチングストッパ膜を形成する工程
と、前記エッチングストッパ膜を選択的にエッチングし
て前記遮光マスクパターンの光透過領域の前記透明基板
の表面を露出させた位相シフト膜形成用の第１の開口部
を形成する工程と、前記第１の開口部を含む表面に透明
膜を形成してパターニングし前記第１の開口部の前記透
明基板上に直接積層する位相シフタ膜を形成する工程
と、残された前記エッチングストッパ膜をエッチング除
去して前記第１の開口部以外の光透過領域の前記透明基
板の表面を露出させた第２の開口部を形成する工程とを
含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項４】 エッチングストッパ膜がＩＴ０，アルミ
ナ，酸化スズのいずれか１種からなる請求項３記載の位
相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項５】 透明膜のエッチングが異方性ドライエッ
チングであり、且つエッチングストッパ膜のエッチング
がウェットエッチングである請求項１，２，３又は４記
載の位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8423994A JP2591469B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8423994A JP2591469B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07295201A true JPH07295201A (ja) | 1995-11-10 |
| JP2591469B2 JP2591469B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=13824921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8423994A Expired - Lifetime JP2591469B2 (ja) | 1994-04-22 | 1994-04-22 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2591469B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10123696A (ja) * | 1996-10-16 | 1998-05-15 | Samsung Electron Co Ltd | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
| JP2009217282A (ja) * | 2009-05-15 | 2009-09-24 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| JPWO2014103867A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-01-12 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
| JP2023050611A (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-11 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 |
-
1994
- 1994-04-22 JP JP8423994A patent/JP2591469B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10123696A (ja) * | 1996-10-16 | 1998-05-15 | Samsung Electron Co Ltd | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
| JP2009217282A (ja) * | 2009-05-15 | 2009-09-24 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| JPWO2014103867A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-01-12 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
| JP2023050611A (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-11 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2591469B2 (ja) | 1997-03-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961029 |