JPH10123696A - 位相シフトマスク及びその製造方法 - Google Patents
位相シフトマスク及びその製造方法Info
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- JPH10123696A JPH10123696A JP18405697A JP18405697A JPH10123696A JP H10123696 A JPH10123696 A JP H10123696A JP 18405697 A JP18405697 A JP 18405697A JP 18405697 A JP18405697 A JP 18405697A JP H10123696 A JPH10123696 A JP H10123696A
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ArFエキシマレーザーの波長（１９３nm）にお
いても適用可能なハーフトーン位相シフトマスク及びそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】露出光に対して透明な基板１１０と、基板
１１０の所定領域を露出させるように該基板上に形成さ
れた位相シフターパターン１２０ａを具備する。位相シ
フターパターン１２０ａをCr2O3とAl2O3との混合物また
は固溶体で形成することによりArFエキシマレーザーの
波長（１９３nm）を有する露出光を使用した場合におい
ても、位相反転法を用いて微細パターンを形成すること
ができる。
いても適用可能なハーフトーン位相シフトマスク及びそ
の製造方法を提供する。 【解決手段】露出光に対して透明な基板１１０と、基板
１１０の所定領域を露出させるように該基板上に形成さ
れた位相シフターパターン１２０ａを具備する。位相シ
フターパターン１２０ａをCr2O3とAl2O3との混合物また
は固溶体で形成することによりArFエキシマレーザーの
波長（１９３nm）を有する露出光を使用した場合におい
ても、位相反転法を用いて微細パターンを形成すること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、位相シフトマスク
及びその製造方法に関する。
及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、半導体装置の高集積化が進み、そ
のパターンが微細化されることにより従来のフォトマス
クでは所定の限界以下の線幅を有するパターンを実現す
ることが難しくなってきた。よって、パターンの解像度
が高く臨界線幅（critical dimension，CD）をさらに小
さくし得る位相シフトマスク（phase shift mask，PS
M）に関する研究が活発に行われている。
のパターンが微細化されることにより従来のフォトマス
クでは所定の限界以下の線幅を有するパターンを実現す
ることが難しくなってきた。よって、パターンの解像度
が高く臨界線幅（critical dimension，CD）をさらに小
さくし得る位相シフトマスク（phase shift mask，PS
M）に関する研究が活発に行われている。
【０００３】位相シフトマスクは、従来のフォトマスク
とは異なり、位相シフタを具備したマスクのことをい
う。位相シフトマスクを使用してパターンを形成する方
法は、位相シフタが存在する部分と存在しない部分とを
透過した光が互いに１８０°の位相差を有するように相
殺干渉させる原理に基づく。
とは異なり、位相シフタを具備したマスクのことをい
う。位相シフトマスクを使用してパターンを形成する方
法は、位相シフタが存在する部分と存在しない部分とを
透過した光が互いに１８０°の位相差を有するように相
殺干渉させる原理に基づく。
【０００４】位相シフタが存在する部分と存在しない部
分とを透過した光が、互いに位相差を生じることになる
原理を簡単に説明すれば次の通りである。
分とを透過した光が、互いに位相差を生じることになる
原理を簡単に説明すれば次の通りである。
【０００５】真空状態を進行していた光が位相シフタを
透過すると仮定する。この場合、位相シフタ内における
波長λはλ０／ｎで示すことができる。ここで、λ０は
真空状態を進行していた光の波長、ｎは位相シフタの屈
折率を示す。従って、位相シフタ内では波長が短くな
り、位相シフタを透過した光と透過しない光との間に位
相差が発生することになる。この場合の位相差は（式
１）で示すことができる。 δ＝２πｔ（ｎ−１）／λ０ ・・・（式１） ここで、δは位相差、ｔは位相シフタの厚さ、ｎは位相
シフタの屈折率、そしてλ０は真空状態を進行していた
光の波長を示す。従って、位相シフトマスクにおいて位
相シフタが存在する部分と存在しない部分とを透過した
光の位相差は、位相シフタの厚さ、屈折率及び使用され
た光の波長により変わる。
透過すると仮定する。この場合、位相シフタ内における
波長λはλ０／ｎで示すことができる。ここで、λ０は
真空状態を進行していた光の波長、ｎは位相シフタの屈
折率を示す。従って、位相シフタ内では波長が短くな
り、位相シフタを透過した光と透過しない光との間に位
相差が発生することになる。この場合の位相差は（式
１）で示すことができる。 δ＝２πｔ（ｎ−１）／λ０ ・・・（式１） ここで、δは位相差、ｔは位相シフタの厚さ、ｎは位相
シフタの屈折率、そしてλ０は真空状態を進行していた
光の波長を示す。従って、位相シフトマスクにおいて位
相シフタが存在する部分と存在しない部分とを透過した
光の位相差は、位相シフタの厚さ、屈折率及び使用され
た光の波長により変わる。
【０００６】位相シフトマスク中、特にハーフトーンシ
フトマスクは、製造方法が容易であり、ラインとスペー
スが高密度で繰り返されるパターン及び微細な大きさの
開口部を有するコンタクトホールの形成に有用であるた
め活発な研究がなされている。
フトマスクは、製造方法が容易であり、ラインとスペー
スが高密度で繰り返されるパターン及び微細な大きさの
開口部を有するコンタクトホールの形成に有用であるた
め活発な研究がなされている。
【０００７】フォトリソグラフィー工程へのハーフトー
ン位相シフトマスクの適用は、ｉ線（波長：３６５ｎ
ｍ）領域及び遠紫外線（deep UV、波長：２４８ｎｍ）
領域の露出光に対して透過率が１〜３０％で半透明であ
り、位相を１８０°反転させ得る位相シフト物質を位相
シフタとして使用することによりなされていた。
ン位相シフトマスクの適用は、ｉ線（波長：３６５ｎ
ｍ）領域及び遠紫外線（deep UV、波長：２４８ｎｍ）
領域の露出光に対して透過率が１〜３０％で半透明であ
り、位相を１８０°反転させ得る位相シフト物質を位相
シフタとして使用することによりなされていた。
【０００８】位相シフト物質が露出光に対して半透明性
を有するべき理由は、位相シフト物質を透過した光が、
感光膜を露光できる程度の強度を有してはならないから
である。このような位相シフト物質の代表的な例とし
て、MoSiON、MoSiO及びCr酸化物等を挙げられる。
を有するべき理由は、位相シフト物質を透過した光が、
感光膜を露光できる程度の強度を有してはならないから
である。このような位相シフト物質の代表的な例とし
て、MoSiON、MoSiO及びCr酸化物等を挙げられる。
【０００９】一般的に、位相シフト物質のエネルギーバ
ンドギャップ（Eg）が露出光のエネルギーより非常に大
きい場合には、大半の光が位相シフト物質を透過する
が、露出光のエネルギーが位相シフト物質のエネルギー
バンドギャップ（Eg）以上の場合には、大半の光は位相
シフト物質に吸収される。従って、露出光の波長が短い
ほど露出光の位相シフト物質に対する透過率は劣る。
ンドギャップ（Eg）が露出光のエネルギーより非常に大
きい場合には、大半の光が位相シフト物質を透過する
が、露出光のエネルギーが位相シフト物質のエネルギー
バンドギャップ（Eg）以上の場合には、大半の光は位相
シフト物質に吸収される。従って、露出光の波長が短い
ほど露出光の位相シフト物質に対する透過率は劣る。
【００１０】よって、従来の位相シフト物質が適用され
た位相シフトマスクは、近年の半導体装置の高集積化に
対応すべく開発及び製作されているArFエキシマレーザ
ーの波長（１９３ｎｍ）を使用する露光設備においては
使用できない。何故なら、１９３ｎｍの波長を有する光
に対しては、従来のMoSiON、MoSiO及びCr酸化物等の位
相シフト物質が不透明性を有するからである。
た位相シフトマスクは、近年の半導体装置の高集積化に
対応すべく開発及び製作されているArFエキシマレーザ
ーの波長（１９３ｎｍ）を使用する露光設備においては
使用できない。何故なら、１９３ｎｍの波長を有する光
に対しては、従来のMoSiON、MoSiO及びCr酸化物等の位
相シフト物質が不透明性を有するからである。
【００１１】前述したように従来の技術によるハーフト
ーン位相シフトマスクでは、ArFエキシマレーザーの波
長（１９３ｎｍ）を有する光を使用する露光設備におい
ては、位相反転法を用いて微細な感光膜パターンを形成
することができない。従って、ArFエクサイマーレーザ
ーの波長（１９３ｎｍ）領域においても半透明性を有す
る位相シフト物質の開発が要求されている。
ーン位相シフトマスクでは、ArFエキシマレーザーの波
長（１９３ｎｍ）を有する光を使用する露光設備におい
ては、位相反転法を用いて微細な感光膜パターンを形成
することができない。従って、ArFエクサイマーレーザ
ーの波長（１９３ｎｍ）領域においても半透明性を有す
る位相シフト物質の開発が要求されている。
【００１２】
【発明が解決しょうとする課題】本発明は、上記の背景
に鑑みてなされたものであり、その目的は、ArFエキシ
マレーザーの波長（１９３ｎｍ）を有する露出光に対し
ても半透明性を有すると共に位相反転法を用いて微細パ
ターンを形成し得る新規な位相シフタを具備した位相シ
フトマスクを提供することにある。
に鑑みてなされたものであり、その目的は、ArFエキシ
マレーザーの波長（１９３ｎｍ）を有する露出光に対し
ても半透明性を有すると共に位相反転法を用いて微細パ
ターンを形成し得る新規な位相シフタを具備した位相シ
フトマスクを提供することにある。
【００１３】本発明の他の目的は、上記の位相反転マス
クの製造に好適な製造方法を提供することにある。
クの製造に好適な製造方法を提供することにある。
【００１４】
【発明を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明に係る位相シフトマスクは、基板と前記基板の
所定領域を露出させるように前記基板上に形成された位
相シフターパターンを具備し、前記基板は露出光に対し
て透明であり、前記位相シフターパターンはCr 2O3とAl2
O3との混合物または固溶体よりなる。
の本発明に係る位相シフトマスクは、基板と前記基板の
所定領域を露出させるように前記基板上に形成された位
相シフターパターンを具備し、前記基板は露出光に対し
て透明であり、前記位相シフターパターンはCr 2O3とAl2
O3との混合物または固溶体よりなる。
【００１５】本発明に係る位相シフトマスクにおいて、
前記位相シフターパターンの所定領域上に遮光膜パター
ンを具備することが望ましい。ここで、前記遮光膜パタ
ーンは、露出光に対して０〜３０％の透過率を有するこ
とが望ましく、Cr、Al及びMoSiの中から選択される何れ
か１つで形成することが望ましい。
前記位相シフターパターンの所定領域上に遮光膜パター
ンを具備することが望ましい。ここで、前記遮光膜パタ
ーンは、露出光に対して０〜３０％の透過率を有するこ
とが望ましく、Cr、Al及びMoSiの中から選択される何れ
か１つで形成することが望ましい。
【００１６】本発明に係る位相シフトマスクにおいて、
前記位相シフターパターンは、露出光に対して１〜３０
％の透過率を有し、前記位相シフトパターンが形成され
た領域を透過した光と前記露出された基板領域を透過し
た光との間で９０°〜２７０°の位相差を生じさせるこ
とが望ましい。また、前記位相差は約１８０°であるこ
とがさらに望ましい。
前記位相シフターパターンは、露出光に対して１〜３０
％の透過率を有し、前記位相シフトパターンが形成され
た領域を透過した光と前記露出された基板領域を透過し
た光との間で９０°〜２７０°の位相差を生じさせるこ
とが望ましい。また、前記位相差は約１８０°であるこ
とがさらに望ましい。
【００１７】本発明に係る位相シフトマスクにおいて、
前記基板と前記位相シフターパターン間に挟まれるよう
に前記基板の全面に形成されたエッチストッパーを具備
することが望ましく、前記エッチストッパーはITO膜で
あることが望ましい。
前記基板と前記位相シフターパターン間に挟まれるよう
に前記基板の全面に形成されたエッチストッパーを具備
することが望ましく、前記エッチストッパーはITO膜で
あることが望ましい。
【００１８】前記他の目的を達成するための本発明に係
る位相シフトマスクの製造方法は、露出光に対して透明
な基板上にスパッタリング方でCr2O3とAl2O3との混合物
または固溶体よりなる位相シフターを形成する段階と、
前記基板の所定領域を露出させるように前記位相シフタ
ーをパタニングして位相シフターパターンを形成する段
階とを含む。
る位相シフトマスクの製造方法は、露出光に対して透明
な基板上にスパッタリング方でCr2O3とAl2O3との混合物
または固溶体よりなる位相シフターを形成する段階と、
前記基板の所定領域を露出させるように前記位相シフタ
ーをパタニングして位相シフターパターンを形成する段
階とを含む。
【００１９】本発明に係る位相シフトマスクの製造方法
において、前記スパッタリング法では、CrとAlとが機械
的に混合された混合ターゲット、CrとAlとに分離された
マルチ金属ターゲット、CrとAlとの固溶体またはクロム
酸化物（Cr2０3）とアルミナ（Al2０3）との固溶体より
なる固溶体ターゲットの中から選択された何れかのター
ゲットを使用することが望ましい。
において、前記スパッタリング法では、CrとAlとが機械
的に混合された混合ターゲット、CrとAlとに分離された
マルチ金属ターゲット、CrとAlとの固溶体またはクロム
酸化物（Cr2０3）とアルミナ（Al2０3）との固溶体より
なる固溶体ターゲットの中から選択された何れかのター
ゲットを使用することが望ましい。
【００２０】本発明に係る位相シフトマスクの製造方法
において、前記位相シフターを形成する段階の前に、前
記基板上にエッチストッパーを形成する段階を含むこと
が望ましい。ここで、前記位相シフターパターンを形成
する段階は、前記エッチストッパーの所定領域を露出さ
せるように前記位相シフターをパタニングして位相シフ
ターパターンを形成することが望ましい。
において、前記位相シフターを形成する段階の前に、前
記基板上にエッチストッパーを形成する段階を含むこと
が望ましい。ここで、前記位相シフターパターンを形成
する段階は、前記エッチストッパーの所定領域を露出さ
せるように前記位相シフターをパタニングして位相シフ
ターパターンを形成することが望ましい。
【００２１】前記他の目的を達成するための本発明に係
る他の位相シフトマスクの製造方法は、露出光に対して
透明な基板上にスパッタリング方法でCr2O3とAl2O3との
混合物または固溶体よりなる位相シフターを形成する段
階と、前記位相シフター上に物質層を形成する段階と、
前記基板の所定領域を露出させるように前記物質層及び
位相シフターをパタニングして遮光膜及び位相シフター
パターンを形成する段階と、前記位相シフターパターン
の所定領域が露出されるように前記位相シフターパター
ン上に形成された遮光膜の所定部分を除去して遮光膜パ
ターンを形成する段階とを含む。
る他の位相シフトマスクの製造方法は、露出光に対して
透明な基板上にスパッタリング方法でCr2O3とAl2O3との
混合物または固溶体よりなる位相シフターを形成する段
階と、前記位相シフター上に物質層を形成する段階と、
前記基板の所定領域を露出させるように前記物質層及び
位相シフターをパタニングして遮光膜及び位相シフター
パターンを形成する段階と、前記位相シフターパターン
の所定領域が露出されるように前記位相シフターパター
ン上に形成された遮光膜の所定部分を除去して遮光膜パ
ターンを形成する段階とを含む。
【００２２】本発明に係る位相シフトマスクの製造方法
において、前記位相シフターを形成する段階前に、前記
基板上にエッチストッパーを形成する段階を含むことが
望ましい。ここで、前記遮光膜及び位相シフターパター
ンを形成する段階では、前記エッチストッパーの所定領
域を露出させるように前記物質層及び位相シフターをパ
タニングして遮光膜及び位相シフターパターンを形成す
ることが望ましい。
において、前記位相シフターを形成する段階前に、前記
基板上にエッチストッパーを形成する段階を含むことが
望ましい。ここで、前記遮光膜及び位相シフターパター
ンを形成する段階では、前記エッチストッパーの所定領
域を露出させるように前記物質層及び位相シフターをパ
タニングして遮光膜及び位相シフターパターンを形成す
ることが望ましい。
【００２３】本発明に係る位相シフトマスクの製造方法
において、前記遮光膜及び位相シフターパターンを形成
する段階では、同一のソース気体または相異なるソース
気体を使用して前記物質層及び位相シフターを順次的に
異方性蝕刻する段階を含むことが望ましい。
において、前記遮光膜及び位相シフターパターンを形成
する段階では、同一のソース気体または相異なるソース
気体を使用して前記物質層及び位相シフターを順次的に
異方性蝕刻する段階を含むことが望ましい。
【００２４】本発明に係る位相シフトマスクの製造方法
において、前記スパッタリング法では、CrとAlとが機械
的に混合された混合ターゲット、CrとAlとに分離された
マルチ金属ターゲット、CrとAlとの固溶体またはクロム
酸化物（Cr2０3）とアルミナ（Al2０3）との固溶体より
なる固溶体ターゲットの中から選択された何れかのター
ゲットを使用することが望ましい。
において、前記スパッタリング法では、CrとAlとが機械
的に混合された混合ターゲット、CrとAlとに分離された
マルチ金属ターゲット、CrとAlとの固溶体またはクロム
酸化物（Cr2０3）とアルミナ（Al2０3）との固溶体より
なる固溶体ターゲットの中から選択された何れかのター
ゲットを使用することが望ましい。
【００２５】本発明に係る位相シフトマスクの製造方法
において、前記遮光膜パターンを形成する段階は、前記
遮光膜及び位相シフターパターンが形成された基板の全
面に感光膜を形成する段階と、前記遮光膜の所定領域を
露出させるように前記感光膜をパタニングして感光膜パ
ターンを形成する段階と、前記感光膜パターンを蝕刻マ
スクとして前記遮光膜を除去して遮光膜パターンを形成
する段階とを含むことが望ましい。
において、前記遮光膜パターンを形成する段階は、前記
遮光膜及び位相シフターパターンが形成された基板の全
面に感光膜を形成する段階と、前記遮光膜の所定領域を
露出させるように前記感光膜をパタニングして感光膜パ
ターンを形成する段階と、前記感光膜パターンを蝕刻マ
スクとして前記遮光膜を除去して遮光膜パターンを形成
する段階とを含むことが望ましい。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の好適な実施の形態を説明する。
発明の好適な実施の形態を説明する。
【００２７】図１乃至図６は、本発明の好適な実施の形
態に係る位相シフトマスクを説明するための図面であ
る。
態に係る位相シフトマスクを説明するための図面であ
る。
【００２８】図１において、部材番号１１０は露出光に
対して透明な基板、例えば石英（Quartz）、１２０ａは
基板１１０上に形成され、基板１１０の所定領域を露出
させる位相シフターパターンを示す。
対して透明な基板、例えば石英（Quartz）、１２０ａは
基板１１０上に形成され、基板１１０の所定領域を露出
させる位相シフターパターンを示す。
【００２９】ここで、位相シフターパターン１２０ａ
は、Cr2O3とAl2O3との混合物または固溶体で形成する。
また、位相シフターパターン１２０ａは、露出光に対し
て０〜３０％の透過率を有し、位相シフターパターン１
２０ａが形成された領域を透過した光と、露出した基板
領域を透過した光との間に９０°〜２７０°の位相差を
生じさせる。勿論、位相差は１８０°の場合が最も望ま
しい。
は、Cr2O3とAl2O3との混合物または固溶体で形成する。
また、位相シフターパターン１２０ａは、露出光に対し
て０〜３０％の透過率を有し、位相シフターパターン１
２０ａが形成された領域を透過した光と、露出した基板
領域を透過した光との間に９０°〜２７０°の位相差を
生じさせる。勿論、位相差は１８０°の場合が最も望ま
しい。
【００３０】図２は、Cr2O3−Al2O3系の状態図である。
Cr2O3とAl2O3は全率固溶体（complete solid solutio
n）を成す。即ち、全組成においてα相を有するので組
成変化と関係なく均一な膜が得られる。従って、Cr2O3
とAl2O3の組成比を制御することにより容易に透過率及
び位相差を調整することができる。
Cr2O3とAl2O3は全率固溶体（complete solid solutio
n）を成す。即ち、全組成においてα相を有するので組
成変化と関係なく均一な膜が得られる。従って、Cr2O3
とAl2O3の組成比を制御することにより容易に透過率及
び位相差を調整することができる。
【００３１】具体的に説明すれば、１９３nmの波長を有
する露出光に対してCr2O3は不透明であり、一方Al2O3は
透明なので、Al2O3の組成比が増加するほど露出光の透
過率は増加する。また、１９３nmの波長を有する露出光
に対して、Cr2O3は２．３の屈折率を有し、一方Al2O3は
１．８の屈折率を有するので、Cr2O3の量が増加するほ
ど固溶体の屈折率が増加して、（式１）により位相差が
増加することになる。
する露出光に対してCr2O3は不透明であり、一方Al2O3は
透明なので、Al2O3の組成比が増加するほど露出光の透
過率は増加する。また、１９３nmの波長を有する露出光
に対して、Cr2O3は２．３の屈折率を有し、一方Al2O3は
１．８の屈折率を有するので、Cr2O3の量が増加するほ
ど固溶体の屈折率が増加して、（式１）により位相差が
増加することになる。
【００３２】図３は、図１に示す位相シフトマスクにエ
ッチストッパを設けた位相シフトマスクを説明するため
の断面図である。ここで、図１の部材番号と同一の部材
番号を付した部分は同一部材を示し、また、部材番号１
１５は基板１１０と位相シフターパターン１２０ａとの
間に挟まれるように基板１１０の全面に形成されたエッ
チストッパーを示す。
ッチストッパを設けた位相シフトマスクを説明するため
の断面図である。ここで、図１の部材番号と同一の部材
番号を付した部分は同一部材を示し、また、部材番号１
１５は基板１１０と位相シフターパターン１２０ａとの
間に挟まれるように基板１１０の全面に形成されたエッ
チストッパーを示す。
【００３３】エッチストッパー１１５は、位相シフター
パターン１２０ａの形成時に基板１１０を保護する役割
をする。従って、エッチストッパー１１５は、位相シフ
ターパターン１２０ａに対する蝕刻選択比が大きいこと
が好ましい。また、露出光に対するエッチストッパー１
１５の透過率は大きいことが好ましい。何故なら、位相
シフターパターン１２０ａの開口によりエッチストッパ
ー１１５が露出した領域を透過した光は、感光膜を露光
できる程度の強度を有する必要があるからである。以上
の２つの要求を考慮すると、エッチストッパー１１５は
ＩＴＯで形成することが望ましい。
パターン１２０ａの形成時に基板１１０を保護する役割
をする。従って、エッチストッパー１１５は、位相シフ
ターパターン１２０ａに対する蝕刻選択比が大きいこと
が好ましい。また、露出光に対するエッチストッパー１
１５の透過率は大きいことが好ましい。何故なら、位相
シフターパターン１２０ａの開口によりエッチストッパ
ー１１５が露出した領域を透過した光は、感光膜を露光
できる程度の強度を有する必要があるからである。以上
の２つの要求を考慮すると、エッチストッパー１１５は
ＩＴＯで形成することが望ましい。
【００３４】図４は、図１に示す位相シフトマスクの位
相シフターの所定領域上に遮光膜パターンを設けた位相
シフトマスクを説明するための断面図である。ここで、
図１の部材番号と同一の部材番号付した部分は同一部材
を示し、また、部材番号１３０ｂは位相シフターパター
ン１２０ａの所定領域上に形成された遮光膜パターンを
示す。
相シフターの所定領域上に遮光膜パターンを設けた位相
シフトマスクを説明するための断面図である。ここで、
図１の部材番号と同一の部材番号付した部分は同一部材
を示し、また、部材番号１３０ｂは位相シフターパター
ン１２０ａの所定領域上に形成された遮光膜パターンを
示す。
【００３５】遮光膜パターン１３０ｂが形成された部分
が露出光を遮断するようにするため、遮光膜パターン１
３０ｂは、露出光に対して０〜３０％の透過率を有する
ようにCr、Al及びMoSiの中から選択された何れかで形成
する。
が露出光を遮断するようにするため、遮光膜パターン１
３０ｂは、露出光に対して０〜３０％の透過率を有する
ようにCr、Al及びMoSiの中から選択された何れかで形成
する。
【００３６】遮光膜パターン１３０ｂが完全に不透明で
なくても良い理由は、露出光の少量が遮光膜パターン１
３０ｂを透過したとしても、更にその透過された光の中
の少量のみが位相シフターパターン１２０ａを透過する
からである。従って、位相シフターパターン１２０ａの
みが形成された部分よりも遮光膜パターン１３０ｂが形
成された部分の透過率が非常に低くなる。
なくても良い理由は、露出光の少量が遮光膜パターン１
３０ｂを透過したとしても、更にその透過された光の中
の少量のみが位相シフターパターン１２０ａを透過する
からである。従って、位相シフターパターン１２０ａの
みが形成された部分よりも遮光膜パターン１３０ｂが形
成された部分の透過率が非常に低くなる。
【００３７】図５は、図４に示す位相シフトマスクを透
過した光の強度を説明するためのグラフである。符号Ｃ
は遮光膜パターン１３０ｂが形成されておらず位相シフ
ターパターン１２０ａのみ形成された領域、Ｄは位相シ
フターパターン１２０ａの開口部により露出された基板
領域、Ｅは遮光膜パターン１３０ｂが形成された領域を
示す。
過した光の強度を説明するためのグラフである。符号Ｃ
は遮光膜パターン１３０ｂが形成されておらず位相シフ
ターパターン１２０ａのみ形成された領域、Ｄは位相シ
フターパターン１２０ａの開口部により露出された基板
領域、Ｅは遮光膜パターン１３０ｂが形成された領域を
示す。
【００３８】露出した基板領域Ｄを透過した光は、感光
膜を露光するのに十分な強度を有するが、位相シフター
パターン１２０ａのみが形成された領域Ｃを透過した光
は、該領域の透過率が１〜３０％であるため、感光膜を
露光するために十分な強度を有しない。また、遮光膜パ
ターン１３０ｂが形成された領域Ｅにおいても、該領域
は露出光に対して不透明なのため、感光膜は露光されな
い。
膜を露光するのに十分な強度を有するが、位相シフター
パターン１２０ａのみが形成された領域Ｃを透過した光
は、該領域の透過率が１〜３０％であるため、感光膜を
露光するために十分な強度を有しない。また、遮光膜パ
ターン１３０ｂが形成された領域Ｅにおいても、該領域
は露出光に対して不透明なのため、感光膜は露光されな
い。
【００３９】位相シフターパターン１２０ａのみが形成
された領域Ｃは、透過率は小さいが光が透過する。よっ
て、この部分に対応する感光膜が段差を有している場合
には、その部分で乱反射を起こし感光膜の特定部位に光
がフォーカシングされ、その結果、意図しないにも拘わ
らず当該部位が露光され得る。
された領域Ｃは、透過率は小さいが光が透過する。よっ
て、この部分に対応する感光膜が段差を有している場合
には、その部分で乱反射を起こし感光膜の特定部位に光
がフォーカシングされ、その結果、意図しないにも拘わ
らず当該部位が露光され得る。
【００４０】また、ウェーハに対して位相シフトマスク
の位置を相対的に変位させて、ウェーハ上に繰り返しパ
ターンを形成する場合に、位相シフトマスクのエッジ部
に対応する感光膜部分が重なることがあり得る。この場
合、たとえ位相シフトマスクのエッジ部に位相シフター
パターンが形成されていてもこの部分を透過した光が繰
返して感光膜に照射されるために露光すべきでない部分
の感光膜が露光され得ることになる。
の位置を相対的に変位させて、ウェーハ上に繰り返しパ
ターンを形成する場合に、位相シフトマスクのエッジ部
に対応する感光膜部分が重なることがあり得る。この場
合、たとえ位相シフトマスクのエッジ部に位相シフター
パターンが形成されていてもこの部分を透過した光が繰
返して感光膜に照射されるために露光すべきでない部分
の感光膜が露光され得ることになる。
【００４１】以上の観点から、露出光に対して不透明な
領域を形成するための遮光膜パターン１３０ｂが有用で
あると言える。
領域を形成するための遮光膜パターン１３０ｂが有用で
あると言える。
【００４２】図６は、図４に示す位相シフトマスクにエ
ッチストッパーを設けた位相シフトマスクを説明するた
めの断面図である。ここで、図４の部材番号と同一の部
材番号を付した部分は同一部材を示し、また、部材番号
１１５は、基板１１０と位相シフターパターン１２０ａ
との間に挟まれるように、基板１１０の全面に形成され
たエッチストッパーを示す。
ッチストッパーを設けた位相シフトマスクを説明するた
めの断面図である。ここで、図４の部材番号と同一の部
材番号を付した部分は同一部材を示し、また、部材番号
１１５は、基板１１０と位相シフターパターン１２０ａ
との間に挟まれるように、基板１１０の全面に形成され
たエッチストッパーを示す。
【００４３】エッチストッパー１１５は、位相シフター
パターン１２０ａの形成時に基板１１０を保護する役割
をする。従って、図３を参照して説明したように、エッ
チストッパー１１５はＩＴＯで形成することが望まし
い。
パターン１２０ａの形成時に基板１１０を保護する役割
をする。従って、図３を参照して説明したように、エッ
チストッパー１１５はＩＴＯで形成することが望まし
い。
【００４４】次いで、本発明の好適な実施の形態に係る
位相シフトマスク等を製造するために好適な製造方法を
説明する。
位相シフトマスク等を製造するために好適な製造方法を
説明する。
【００４５】図７乃至図１０は、本発明の好適な実施の
形態に係る位相シフトマスクの製造方法に関する実施の
形態を説明するための断面図である。
形態に係る位相シフトマスクの製造方法に関する実施の
形態を説明するための断面図である。
【００４６】図７及び図８は、図１に示す位相シフトマ
スクの製造方法を説明するための断面図である。
スクの製造方法を説明するための断面図である。
【００４７】図７は、基板１１０及び位相シフター１２
０を形成する工程を説明するための断面図である。この
工程では、露出光に対して透明な基板１１０上にCr2O3
とAl2O3との混合物または固溶体よりなる位相シフター
１２０を形成する。ここで、位相シフター１２０は、例
えばスパッタリング法で形成する。
０を形成する工程を説明するための断面図である。この
工程では、露出光に対して透明な基板１１０上にCr2O3
とAl2O3との混合物または固溶体よりなる位相シフター
１２０を形成する。ここで、位相シフター１２０は、例
えばスパッタリング法で形成する。
【００４８】このスパッタリング法では、CrとAlとが機
械的に混合された混合ターゲット、CrとAlとに分離され
たマルチ金属ターゲット、CrとAlとの固溶体またはクロ
ム酸化物（Cr2０3）とアルミナ（Al2０3）との固溶体よ
りなる固溶体ターゲットの中から選択された何れかのタ
ーゲットを使用する。ここで、混合ターゲットまたはマ
ルチ金属ターゲットを使用してスパッタリングを行う場
合には、酸素の十分な雰囲気中でスパッタリング工程を
実行することが好ましい。
械的に混合された混合ターゲット、CrとAlとに分離され
たマルチ金属ターゲット、CrとAlとの固溶体またはクロ
ム酸化物（Cr2０3）とアルミナ（Al2０3）との固溶体よ
りなる固溶体ターゲットの中から選択された何れかのタ
ーゲットを使用する。ここで、混合ターゲットまたはマ
ルチ金属ターゲットを使用してスパッタリングを行う場
合には、酸素の十分な雰囲気中でスパッタリング工程を
実行することが好ましい。
【００４９】図８は、位相シフターパターン１２０ａを
形成する工程を説明するための断面図である。この工程
では、基板１１０の所定領域が露出されるように位相シ
フター１２０をパタニングして位相シフターパターン１
２０ａを形成する。
形成する工程を説明するための断面図である。この工程
では、基板１１０の所定領域が露出されるように位相シ
フター１２０をパタニングして位相シフターパターン１
２０ａを形成する。
【００５０】図９及び図１０は、図３に示す位相シフト
マスクを製造する方法を説明するための断面図である。
マスクを製造する方法を説明するための断面図である。
【００５１】図９は、基板１１０、エッチストッパー１
１５及び位相シフター１２０を形成する工程を説明する
ための断面図である。この工程では、先ず、露出光に対
して透明な基板１１０上に、エッチストッパー１１５、
例えばＩＴＯ膜を形成する。次いで、図７を参照して説
明した方法と同一の方法で、エッチストッパー１１５上
に位相シフター１２０を形成する。
１５及び位相シフター１２０を形成する工程を説明する
ための断面図である。この工程では、先ず、露出光に対
して透明な基板１１０上に、エッチストッパー１１５、
例えばＩＴＯ膜を形成する。次いで、図７を参照して説
明した方法と同一の方法で、エッチストッパー１１５上
に位相シフター１２０を形成する。
【００５２】図１０は、位相シフターパターン１２０ａ
を形成する工程を説明するための断面図である。この工
程では、エッチストッパー１１５の所定領域が露出され
るように位相シフター１２０をパタニングして位相シフ
ターパターン１２０ａを形成する。
を形成する工程を説明するための断面図である。この工
程では、エッチストッパー１１５の所定領域が露出され
るように位相シフター１２０をパタニングして位相シフ
ターパターン１２０ａを形成する。
【００５３】ここで、エッチストッパー１１５は、位相
シフター１２０をパタニングする工程において基板１１
０が損傷されないように、該基板を保護する役割をす
る。このように基板１１０を保護する層を設ける理由
は、基板１１０が損傷された場合には、その部分により
透過光の位相差が変わるからである。
シフター１２０をパタニングする工程において基板１１
０が損傷されないように、該基板を保護する役割をす
る。このように基板１１０を保護する層を設ける理由
は、基板１１０が損傷された場合には、その部分により
透過光の位相差が変わるからである。
【００５４】図１１乃至図１８は、本発明の好適な実施
の形態に係る位相シフトマスクの製造方法に関する他の
実施の形態を説明するための断面図である。
の形態に係る位相シフトマスクの製造方法に関する他の
実施の形態を説明するための断面図である。
【００５５】図１１乃至図１４は、図４に示す相シフト
マスクの製造方法を説明するための断面図である。
マスクの製造方法を説明するための断面図である。
【００５６】図１１は、位相シフター１２０及び物質層
を形成する工程を説明するための断面図である。この工
程では、先ず、露出光に対して透明な基板１１０上に、
図７を参照して説明した方法と同一の方法で位相シフタ
ー１２０を形成する。次いで、位相シフター１２０上
に、露出光に対する透過率が０〜３０％となるように、
Cr、Al及びMoSiの中から選択された何れかで物質層１３
０を形成する。
を形成する工程を説明するための断面図である。この工
程では、先ず、露出光に対して透明な基板１１０上に、
図７を参照して説明した方法と同一の方法で位相シフタ
ー１２０を形成する。次いで、位相シフター１２０上
に、露出光に対する透過率が０〜３０％となるように、
Cr、Al及びMoSiの中から選択された何れかで物質層１３
０を形成する。
【００５７】図１２は、遮光膜１３０ａ及び位相シフタ
ーパターン１２０ａを形成する工程を説明するための断
面図である。この工程では、基板１２０の所定領域を露
出させるように、物質層１３０及び位相シフター１２０
をパタニングして遮光膜１３０ａ及び位相シフターパタ
ーン１２０ａを形成する。
ーパターン１２０ａを形成する工程を説明するための断
面図である。この工程では、基板１２０の所定領域を露
出させるように、物質層１３０及び位相シフター１２０
をパタニングして遮光膜１３０ａ及び位相シフターパタ
ーン１２０ａを形成する。
【００５８】ここで、物質層１３０をCrまたはAlで形成
した場合は、物質層１３０と位相シフター１２０とが類
似した成分を有することになるため、物質層１３０の蝕
刻時に使用したソース気体を変更せずに同一のソース気
体を使用して物質層１３０と位相シフター１２０とを連
続的に異方性蝕刻することにより、遮光膜１３０ａ及び
位相シフターパターン１２０ａを形成することができ
る。この場合、工程を単純化することができる。勿論、
物質層１３０の成分に関係なく他のソース気体を使用し
て異方性蝕刻をすることもできる。
した場合は、物質層１３０と位相シフター１２０とが類
似した成分を有することになるため、物質層１３０の蝕
刻時に使用したソース気体を変更せずに同一のソース気
体を使用して物質層１３０と位相シフター１２０とを連
続的に異方性蝕刻することにより、遮光膜１３０ａ及び
位相シフターパターン１２０ａを形成することができ
る。この場合、工程を単純化することができる。勿論、
物質層１３０の成分に関係なく他のソース気体を使用し
て異方性蝕刻をすることもできる。
【００５９】図１３は、感光膜パターン１４０を形成す
る工程を説明するための断面図である。この工程では、
先ず、遮光膜１３０ａ及び位相シフターパターン１２０
ａが形成された基板の全面に感光膜を形成する。次い
で、遮光膜１３０ａの所定領域を露出させるように、当
該感光膜をパタニングして感光膜パターン１４０を形成
する。
る工程を説明するための断面図である。この工程では、
先ず、遮光膜１３０ａ及び位相シフターパターン１２０
ａが形成された基板の全面に感光膜を形成する。次い
で、遮光膜１３０ａの所定領域を露出させるように、当
該感光膜をパタニングして感光膜パターン１４０を形成
する。
【００６０】図１４は、遮光膜パターン１３０ｂを形成
する工程を説明するための断面図である。この工程で
は、感光膜パターン１４０を蝕刻マスクとして遮光膜１
３０ａを異方性蝕刻することにより遮光膜パターン１３
０ｂを形成する。
する工程を説明するための断面図である。この工程で
は、感光膜パターン１４０を蝕刻マスクとして遮光膜１
３０ａを異方性蝕刻することにより遮光膜パターン１３
０ｂを形成する。
【００６１】図１５乃至図１８は、図６に示す位相シフ
トマスクの製造方法を説明するための断面図である。
トマスクの製造方法を説明するための断面図である。
【００６２】図１５は、エッチストッパー１１５、位相
シフター１２０及び物質層１３０を形成する工程を説明
するための断面図である。この工程では、先ず、露出光
に対して透明な基板１１０上に、エッチストッパー１１
５、例えばＩＴＯ膜を形成する。次いで、エッチストッ
パー１１５上に、図１１を参照して説明した方法と同一
の方法で、位相シフター１２０及び物質層１３０を順に
形成する。
シフター１２０及び物質層１３０を形成する工程を説明
するための断面図である。この工程では、先ず、露出光
に対して透明な基板１１０上に、エッチストッパー１１
５、例えばＩＴＯ膜を形成する。次いで、エッチストッ
パー１１５上に、図１１を参照して説明した方法と同一
の方法で、位相シフター１２０及び物質層１３０を順に
形成する。
【００６３】図１６は、遮光膜１３０ａ及び位相シフタ
ーパターン１２０ａを形成する工程を説明するための断
面図である。この工程では、エッチストッパー１１５の
所定領域を露出させるように物質層１３０及び前記位相
シフター１２０をパタニングして遮光膜１３０ａ及び位
相シフターパターン１２０ａを形成する。
ーパターン１２０ａを形成する工程を説明するための断
面図である。この工程では、エッチストッパー１１５の
所定領域を露出させるように物質層１３０及び前記位相
シフター１２０をパタニングして遮光膜１３０ａ及び位
相シフターパターン１２０ａを形成する。
【００６４】ここでは、図１２を参照して説明したよう
に、同一のソース気体または異なるソース気体を使用し
て前記物質層１３０及び位相シフター１２０を異方性蝕
刻することにより遮光膜１３０ａ及び位相シフターパタ
ーン１２０ａを形成する。
に、同一のソース気体または異なるソース気体を使用し
て前記物質層１３０及び位相シフター１２０を異方性蝕
刻することにより遮光膜１３０ａ及び位相シフターパタ
ーン１２０ａを形成する。
【００６５】図１７は、感光膜パターン１４０ａを形成
する工程を説明するための断面図である。この工程で
は、先ず、遮光膜１３０ａ及び位相シフターパターン１
２０ａが形成された基板の全面に感光膜を形成する。次
いで、遮光膜１３０ａの所定領域を露出させるように、
当該感光膜をパタニングして感光膜パターン１４０ａを
形成する。
する工程を説明するための断面図である。この工程で
は、先ず、遮光膜１３０ａ及び位相シフターパターン１
２０ａが形成された基板の全面に感光膜を形成する。次
いで、遮光膜１３０ａの所定領域を露出させるように、
当該感光膜をパタニングして感光膜パターン１４０ａを
形成する。
【００６６】図１８は、遮光膜パターン１３０ｂを形成
する工程を説明するための断面図である。この工程で
は、感光膜パターン１４０を蝕刻マスクとして遮光膜１
３０ａを異方性蝕刻することにより遮光膜パターン１３
０ｂを形成する。
する工程を説明するための断面図である。この工程で
は、感光膜パターン１４０を蝕刻マスクとして遮光膜１
３０ａを異方性蝕刻することにより遮光膜パターン１３
０ｂを形成する。
【００６７】以上、種々の実施の形態を挙げて本発明を
説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定され
ず、本発明の技術的思想の範囲内において、様々な変形
が可能である。
説明したが、本発明は、これらの実施の形態に限定され
ず、本発明の技術的思想の範囲内において、様々な変形
が可能である。
【００６８】
【発明の効果】本発明に拠れば、位相シフターパターン
をCr2O3とAl2O3との混合物または固溶体で形成すること
により、ArFエキシマレーザーの波長（１９３nm）を有
する露出光を使用した場合においても、位相反転法を用
いて微細パターンを形成することが可能である。
をCr2O3とAl2O3との混合物または固溶体で形成すること
により、ArFエキシマレーザーの波長（１９３nm）を有
する露出光を使用した場合においても、位相反転法を用
いて微細パターンを形成することが可能である。
【００６９】
【図１】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマ
スクを説明するための図である。
スクを説明するための図である。
【図２】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマ
スクを説明するための図である。
スクを説明するための図である。
【図３】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマ
スクを説明するための図である。
スクを説明するための図である。
【図４】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマ
スクを説明するための図である。
スクを説明するための図である。
【図５】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマ
スクを説明するための図である。
スクを説明するための図である。
【図６】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマ
スクを説明するための図である。
スクを説明するための図である。
【図７】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマ
スクの製造方法を説明するための断面図である。
スクの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマ
スクの製造方法を説明するための断面図である。
スクの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフトマ
スクの製造方法を説明するための断面図である。
スクの製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフト
マスクの製造方法を説明するための断面図である。
マスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフト
マスクの製造方法を説明するための断面図である。
マスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフト
マスクの製造方法を説明するための断面図である。
マスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフト
マスクの製造方法を説明するための断面図である。
マスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフト
マスクの製造方法を説明するための断面図である。
マスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図１５】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフト
マスクの製造方法を説明するための断面図である。
マスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図１６】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフト
マスクの製造方法を説明するための断面図である。
マスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図１７】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフト
マスクの製造方法を説明するための断面図である。
マスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図１８】本発明の好適な実施の形態に係る位相シフト
マスクの製造方法を説明するための断面図である。
マスクの製造方法を説明するための断面図である。
１１０ 基板 １１５ エッチストッパー １２０ 位相シフター １２０ａ 位相シフターパターン １３０ 物質層 １３０ａ 遮光膜 １３０ｂ 遮光膜パターン １４０ 感光膜パターン １４０ａ 感光膜パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 盧光洙 大韓民国大田市儒城区魚隱洞99番地ハンビ ットアパート106棟1205号
Claims (18)
- 【請求項１】 露出光に対して透明な基板と、 Cr2O3とAl2O3との混合物または固溶体よりなり、前記基
板の所定領域を露出させるように前記基板上に形成され
た位相シフターパターンと、 を具備することを特徴とする位相シフトマスク。 - 【請求項２】 前記位相シフターパターンの所定領域上
に遮光膜パターンを具備することを特徴とする請求項１
に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項３】 前記遮光膜パターンは、露出光に対して
０〜３０％の透過率を有することを特徴とする請求項２
に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項４】 前記遮光膜パターンは、Cr、Al及びMoSi
の中から選択される何れか１つで形成されていることを
特徴とする請求項３に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項５】 前記位相シフターパターンは、露出光に
対して１〜３０％の透過率を有することを特徴とする請
求項１に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項６】 前記位相シフターパターンは、前記位相
シフトパターンが形成された領域を透過した光と前記露
出した基板領域を透過した光との間で９０°〜２７０°
の位相差を生じさせることを特徴とする請求項５に記載
の位相シフトマスク。 - 【請求項７】 前記位相シフターパターンは、前記位相
差が約１８０°となるようにすることを特徴とする請求
項６に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項８】 前記基板と前記位相シフターパターンと
の間に挟まれるように前記基板の全面に形成されたエッ
チストッパーを更に具備することを特徴とする請求項１
に記載の位相シフトマスク。 - 【請求項９】 前記エッチストッパーは、ＩＴＯ膜であ
ることを特徴とする請求項８に記載の位相シフトマス
ク。 - 【請求項１０】 露出光に対して透明な基板上にスパッ
タリング法でCr2O3とAl2O3との混合物または固溶体より
なる位相シフターを形成する段階と、 前記基板の所定領域を露出させるように前記位相シフタ
ーをパタニングして位相シフターパターンを形成する段
階と、 を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項１１】 前記スパッタリング法では、CrとAlと
が機械的に混合された混合ターゲット、CrとAlとに分離
されたマルチ金属ターゲット、CrとAlとの固溶体または
クロム酸化物とアルミナとの固溶体よりなる固溶体ター
ゲットの中から選択された何れかのターゲットを使用す
ることを特徴とする請求項１０に記載の位相シフトマス
クの製造方法。 - 【請求項１２】 前記位相シフターを形成する段階前
に、前記基板上にエッチストッパーを形成する段階を含
み、 前記位相シフターパターンを形成する段階では、前記エ
ッチストッパーの所定領域を露出させるように前記位相
シフターをパタニングして位相シフターパターンを形成
することを特徴とする請求項１０に記載の位相シフトマ
スクの製造方法。 - 【請求項１３】 露出光に対して透明な基板上にスパッ
タリング法でCr2O3とAl2O3との混合物または固溶体より
なる位相シフターを形成する段階と、 位相シフター上に物質層を形成する段階と、 前記基板の所定領域を露出させるように前記物質層及び
位相シフターをパタニングして遮光膜及び位相シフター
パターンを形成する段階と、 前記位相シフターパターンの所定領域が露出されるよう
に前記位相シフターパターン上に形成された遮光膜の所
定部分を除去して遮光膜パターンを形成する段階と、 を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項１４】 前記位相シフターを形成する段階前
に、前記基板上にエッチストッパーを形成する段階を含
み、 前記遮光膜及び位相シフターパターンを形成する段階で
は、前記エッチストッパーの所定領域を露出させるよう
に前記物質層及び位相シフターをパタニングして遮光膜
及び位相シフターパターンを形成することを特徴とする
請求項１３に記載の位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項１５】 前記遮光膜及び位相シフターパターン
を形成する段階は、同一のソース気体を使用して前記物
質層及び位相シフターを順に異方性蝕刻する段階を含む
ことを特徴とする請求項１３に記載の位相シフトマスク
の製造方法。 - 【請求項１６】 前記遮光膜及び位相シフターパターン
を形成する段階は、相異なるソース気体を使用して前記
物質層及び位相シフターを順に異方性蝕刻する段階を含
むことを特徴とする請求項１３に記載の位相シフトマス
クの製造方法。 - 【請求項１７】 前記スパッタリング法では、CrとAlと
が機械的に混合された混合ターゲット、CrとAlとに分離
されたマルチ金属ターゲット、CrとAlとの固溶体または
クロム酸化物とアルミナとの固溶体よりなる固溶体ター
ゲットの中から選択された何れかのターゲットを使用す
ることを特徴とする請求項１３に記載の位相シフトマス
クの製造方法。 - 【請求項１８】 前記遮光膜パターンを形成する段階
は、 前記遮光膜及び位相シフターパターンが形成された基板
の全面に感光膜を形成する段階と、 前記遮光膜の所定領域を露出させるように前記感光膜を
パタニングして感光膜パターンを形成する段階と、 前記感光膜パターンを蝕刻マスクとして前記遮光膜を除
去して遮光膜パターンを形成する段階と、 を含むことを特徴とする請求項１３に記載の位相シフト
マスクの製造方法。
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