JPH07296435A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 消去比を大きくした磁界変調記録用の光磁気
記録媒体を提供すること。 【構成】 複数の案内溝を有する基板上に、誘電体層、
磁性層および金属層を積層した光磁気記録媒体におい
て、磁界変調方式で記録再生を行い、再生された信号の
評価を直流磁界の方向と強度を変化させて信号のＣＮ比
を検出し、ＣＮ比が０となる第１の方向の直流磁界（消
去磁界）と、ＣＮ比が飽和する第１の方向と反対の方向
の直流磁界（記録磁界）の和が、案内溝部において、そ
れ以外の平坦部より大きいことを特徴とする光磁気記録
媒体である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体、特
に、レーザー光により熱磁気的に記録を行い、磁気光学
効果を利用して情報の再生を行う光磁気記録媒体に関
し、特に良好な磁界変調記録が可能な光磁気記録媒体に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、書き換え可能な高密度記録媒体と
して、半導体レーザー光などの熱エネルギーを用いて、
磁性薄膜に磁区を書き込んで情報を記録し、磁気光学効
果を用いて、情報を読み出す光磁気記録媒体が注目され
ている。

【０００３】光磁気記録媒体の記録方式には、常に弱い
直流外部磁界を印加し、信号の有無に応じてレーザー光
を照射する光変調方式と、常に一定の強度のレーザー光
を照射し、信号の有無に応じて外部磁界を反転させる磁
界変調方式とがある。光変調方式については、装置の構
成が比較的簡単で済むため早くから研究が行われてき
た。しかし、既に記録された部分に重ねて再記録を行う
オーバーライトが不可能であり、実際のドライブでは新
しい情報を書き込む前に磁化の向きを一定方向に揃える
ための消去動作が必要となる。その分だけ情報の書き換
え速度が遅くなるという欠点を有している。

【０００４】一方の磁界変調方式は、装置構成がやや複
雑になるもののオーバーライトが可能でコンピュータ用
ハードディスクに匹敵する高速記録が可能なことから、
実用上の期待も大きく開発が進められている。

【０００５】従来の光磁気記録媒体の構成の一例を図６
に示す。記録情報を保持する垂直磁性薄膜４４としては
Ｔｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ等が
用いられ、また、再生磁性層４３としては、Ｇｄ−Ｆ
ｅ，Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃｏ等が用
いられ、それらは、スパッタリング等の真空薄膜形成技
術により形成しているので、その熱磁気的特性は面内に
わたり一様である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】実際に記録再生を行う
ドライブ装置においては、半導体レーザーの固体差や記
録時の環境温度の変化、トラッキング制御誤差等によっ
て記録領域におけるレーザーパワーの相対的強度が変化
するという事態が生じる。これにより磁界変調方式によ
りオーバーライトを行おうとする場合、最初に記録した
際の記録パワーの強度が高く、オーバーライト時の記録
パワーが低い場合が生じる。

【０００７】このとき、旧データが完全に消えず、記録
媒体が円盤状の場合には径方向端に消し残りが生じ、新
データの再生時に再生信号にノイズが混入して再生エラ
ーが発生する。この現象を消し残りと称する。記録パワ
ーを十分かけても消し残りの生じる原因は、主に旧デー
タが案内溝に残っているために発生すると考えられてい
る。新データに対する旧データの減少量を消去比と呼
び、通常ｄＢで表わされる。実用上、初期の記録パワー
がオーバーライトパワーに対して、１３％大きい場合の
消去比が−３０ｄＢ以上であれば、十分実用に供され
る。例えば、１０ｍＷで初期の記録を行い、８．８ｍＷ
以下のオーバーライトパワーで消去比が−３０ｄＢ以上
であれば、実用上問題のなく使用できる。従来技術で
は、１０ｍＷで記録後、８．８ｍＷのオーバーライトパ
ワーでオーバーライトしたときの消去比は−２５ｄＢと
不十分であり、実用に供されるレベルではないという問
題があった。

【０００８】本発明の目的は、消去比を大きくし実用上
問題のない磁界変調記録用の光磁気記録媒体を提供する
ことである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに鋭意検討を行った結果、上記の目的は、複数の案内
溝を有する基板と該基板上に設けられた誘電体層、その
膜面に垂直方向に磁化容易軸を有する磁性層および金属
層とからなる光磁気記録媒体において、前記記録媒体に
直流磁界を印加しながら、信号に応じて変調された光ビ
ームで走査して前記信号を記録し、記録された信号を磁
気光学効果を用いて再生し、再生された信号のＣＮ比を
検出する過程（光変調方式）を前記直流磁界の方向およ
び強度を変化させながら行うことによって前記記録媒体
を評価したときに、ＣＮ比が０となる第１の方向の直流
磁界とＣＮ比が飽和する第１の方向と反対の方向の直流
磁界の和が、案内溝部において、それ以外の平坦部より
大きいことを特徴とする磁界変調記録用光磁気記録媒体
により達成される。光変調方式における記録時の飽和磁
界が大きいということは、磁化変調方式で用いられるフ
ライングヘッドによる小さい磁界では記録しにくいこと
を示しており、案内溝部において、それ以外の平坦部よ
り記録しにくくすることにより、案内溝部の消し残りを
低減させることができる。

【００１０】具体的には、案内溝部以外の平坦部におい
ては、ＣＮ比が０となる第一の方向の直流磁界強度が７
５〜２３０ Ｏｅであり、ＣＮ比が飽和する第１の方向
と反対の方向の直流磁界強度が２０〜１８０ Ｏｅであ
り、且つ、案内溝部でのＣＮ比が０となる第１の方向の
磁界強度が２３０ Ｏｅより大きいという構成にするこ
とが好ましい。一般に消去磁界が大きい記録媒体では、
記録媒体自身が発生する自己漏洩磁界が大きく、記録時
の飽和磁界も大きくなる。

【００１１】以下、図を用いて本発明を詳細に説明す
る。

【００１２】図１は、本発明の光磁気記録媒体の一実施
態様の構成を示す模式図である。図中、１は、ガラスあ
るいはプラスチックからなる光学的透明基板を示す。こ
の基板１上には干渉効果と腐食防止効果を得るための、
ＳｉＮ_x 等の無機誘電体から成る下引き層２が設けられ
ている。下引き層上には、案内溝部のみに面内に磁化容
易軸を有するＦｅ−Ｃｏ，Ｃｏ等の磁性膜３が設けられ
ている。さらに、この磁性膜３上に、再生層となる磁性
層４と、この磁性層４よりも大きい保磁力とキュリー温
度とを有する記録層５が形成されている。磁性層はいず
れも、その膜面に垂直に磁化容易軸を有する。さらに、
磁性層の腐食を防止するためと干渉効果を生み出すため
にＳｉＮ_x 等の無機誘電体から成る干渉層６と金属の反
射層７が設けられている。これらの膜は、真空を破らず
に成膜されることが望ましい。その後、紫外線硬化樹脂
等の保護コート８が形成される。

【００１３】再生層の磁性材料としては、Ｇｄ−Ｆｅ，
Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｇｄ−Ｎｄ−Ｆｅ−Ｃｏ等キュリー
温度が高く、保磁力の小さいものが望ましい。また、耐
食性を向上させるために、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａ等の元素を
添加してもよい。

【００１４】記録層の磁性材料としては、希土類元素で
あるＴｂ，Ｄｙと遷移金属元素であるＦｅ，Ｃｏが主体
のＴｂ−Ｆｅ，Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ，Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ，
Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｃｏ等キュリー温度が低く、保磁力
の大きいものが望ましい。また、耐食性を向上させるた
めに、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａ等の元素を添加してもよい。

【００１５】図１に示すような光磁気記録媒体に常に弱
い直流外部磁界を印加し、信号の有無に応じてレーザー
光を変調し照射する光変調方式において、上記直流外部
磁界の向き、大きさを変えて平坦部および案内溝部のそ
れぞれについて再生信号強度対雑音比（ＣＮ比）を測定
した１例を図２に示す。評価するに際しては、媒体の全
面の磁化の向きを一定の方向に揃える、いわゆる初期化
を行う。その後、ディスクを回転させ、外部磁界強度を
振りながら、変調されたレーザー光で情報を記録する。
その後、直流の弱いレーザー光により信号を再生しＣＮ
比を測定する。図２における外部磁場−は、消去方向、
すなわち初期化した磁化の方向を示す。−を付していな
い磁場は、記録方向、すなわち、初期化した磁化の方向
と反対の方向を表わす。ＣＮ比が０となる消去方向の磁
界強度を消去磁界と呼ぶ。一方、ＣＮ比が飽和する記録
方向の磁界強度を記録磁界と呼ぶ。

【００１６】図２の例では案内溝部の消去磁界が−６０
０ Ｏｅ、記録磁界は２００ Ｏｅでその絶対値の和が８
００ Ｏｅであり、これに対して平坦部では消去磁界−
１８０ Ｏｅ、記録磁界が１８０ Ｏｅであり絶対値の和
が３６０ Ｏｅであり、案内溝部の絶対値の和より明ら
かに小さい。

【００１７】この消去磁界と記録磁界の絶対値の和は磁
界に対する感度を表すもので、その値が小さいすなわち
Ｃ／Ｎ曲線の立ち上がりが急峻なほど磁界に対する感度
が良いことを示している。本発明においては、案内溝の
磁界に対する感度を平坦部より低くして案内溝部に信号
が書き込まれにくくすることにより、消去比を改善する
ものである。

【００１８】この発明の好ましい実施態様は、前述のよ
うに案内溝以外の平坦部において消去磁界が７５〜２３
０ Ｏｅであり、記録磁界が２０〜１８０ Ｏｅであり、
且、案内溝部での消去磁界が２３０ Ｏｅより大きいこ
とである。

【００１９】上記平坦部において消去磁界が７５〜２３
０ Ｏｅで、かつ記録磁界が２０〜１８０ Ｏｅとなるよ
うにするには、再生層用磁性層の飽和磁化量、膜厚、記
録層用磁性層の飽和磁化量、膜厚を調整することにより
可能である。

【００２０】案内溝部において消去磁界を２３０ Ｏｅ
より大きくなるようにするには、案内溝部の熱磁気的性
質を変化させるため、案内溝部にのみ磁性層に隣接して
面内磁化膜を積層したり、交換結合している磁性多層膜
の交換結合を切るもしくは、抑制するなどの方法により
実現することができる。

【００２１】この発明の好ましい他の実施態様は、案内
溝部の表面粗さを、案内溝部以外の平坦部の表面粗さよ
り大きくすることである。その方法については実施例中
に説明する。

【００２２】なお、図１ではその層の垂直方向に磁化容
易軸を有する磁性層として再生層３と記録層４から成る
交換結合二層膜を用いた構造を例として用いたが必要に
応じて単層膜や三層以上の多層磁性膜を用いることがで
きる。

【００２３】

【実施例】

実施例１ 以下に本発明に関する実施例を図を用いて詳述する。図
１に示すように、あらかじめ案内溝が形成されたポリカ
ーボネイト基板１上にＳｉＮ_x の誘電体（下引き層２）
を形成後、Ｆｅ−Ｃｏをスパッタリングにより１０〜２
０Åの膜厚で積層する。その後、前記スパッタリング装
置内で真空を破ることなく、乾式エッチングを施す。こ
のとき、凸部と凹部でエッチング速度が異なるため案内
溝部よりもそれ以外の平坦部の方が早く除去される。あ
らかじめ平坦部のＦｅＣｏ膜が完全に除去される時間を
測定しておき、その時間だけエッチングを行うと案内溝
部にのみ図１の３に示す面内磁性層のＦｅＣｏが形成さ
れる。その後再生磁性層となるＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏの垂直
磁化膜４、記録磁性層となる垂直磁化膜Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃ
ｏ５を形成する。

【００２４】さらに磁性層の腐食防止、干渉効果の増加
のためにＳｉＮ_x の干渉層６とＡｌの反射層７を設け
る。その後、紫外線硬化樹脂等の保護コート８が施され
る。磁性層の組成と膜厚を変えることによりサンプル１
とサンプル２を作成した。

【００２５】光変調方式による消去磁界、記録磁界およ
び消去比の評価結果を表１に示す。

【００２６】サンプル１、２の諸元は次のようである。 サンプル１ Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ層 膜厚 10nm．Ms=-250emn/cc． Co/TM=7.5at.% 組成比 Gd17.6 Fe74.2 Co8.2 Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ層 膜厚 20nm. Ms=+50emn/cc. Co/TM=12at.% 組成比 Tb22.4 Fe68.3 Co9.3 サンプル２ Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ層 膜厚 10nm. Ms=-230emn/cc. Co/TM=30at.% 組成比 Gd18.1 Fe57.3 Co24.6 Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ層 膜厚 20nm. Ms=-50emn/cc. Co/TM=9at.% 組成比 Tb19.8 Fe73.0 Co7.2 ただし、組成比は予測値 飽和磁化ＭｓはＶ．Ｓ．Ｍによる実測値

【００２７】

【表１】 上記のようにして作成された記録再生層を有する光磁気
記録媒体サンプル１における案内溝部とそれ以外の平坦
部それぞれの光変調方式での直流外部磁界に対するＣＮ
比を図２に示す。このような光磁気記録媒体の案内溝部
では面内磁化膜による磁気シールド効果により、消去磁
界が２３０ Ｏｅより大きくなる。このとき磁界変調方
式での磁界感度は、極度に低下し１５０ Ｏｅ以下の外
部磁界では情報を記録することができなくなるため、従
来の円盤状記録媒体の膜構成では、トラックピッチ１．
４μｍ、測定半径ｒ＝２４ｍｍ、回転数３６００ｒｐ
ｍ、磁界変調記録において、初期のパワーがオーバーラ
イトパワーに対して、１３％大きいパワーで記録を行っ
た際の消去比が−３０ｄＢとなるオーバーライトパワー
が８．９ｍＷであるのに対して、本発明の膜構成ではオ
ーバーライトパワーが７．２ｍＷ（初期記録パワー８．
１ｍＷ）で消去比−３０ｄＢが実現可能である。 実施例２ 図３に示すように、あらかじめ案内溝が形成されたポリ
カーボネイト基板９上にＳｉＮ_x の下引き層１０、再生
磁性層１１となるＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏを形成し、再びＳｉ
Ｎ_x １２をスパッタリングした後、実施例１と同様にエ
ッチングを行い、案内溝部以外の平坦部のＳｉＮ_x のみ
を除去する。その後、記録磁性層Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ１
３、干渉層１４、Ａｌの反射層１５を積層した後、保護
コート１６を施す。再生磁性層１１と記録磁性層１３の
組成および膜厚は実施例１と同じにしてサンプル１とサ
ンプル２を作成した。

【００２８】サンプル１においては前記作業により案内
溝部以外の平坦部では再生磁性層Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏと記
録磁性層Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏとが良好な交換結合を作るた
め、光変調方式における消去磁界が７５〜２３０ Ｏ
ｅ、記録磁界が０〜１８０ Ｏｅとなる。これに対し、
案内溝部では、再生磁性層Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏと記録磁性
層Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏとの間にＳｉＮ_x 層１２が挿入され
ることにより、交換結合が切れる。そのため、光変調記
録における消去磁界は２３０ Ｏｅ以上となり、磁界変
調記録方式における案内溝部への記録では１５０ Ｏｅ
以上の強い外部磁界が必要となり、オーバーライト時の
消去比を大きくすることが可能である。 実施例３ 実施例１では、磁性層がＧｄ−Ｆｅ−ＣｏとＴｂ−Ｆｅ
−Ｃｏの２層で構成される場合について記述したが、図
４に示すような磁性層２０がＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ単層の場
合でも、同様にして、案内溝部にのみ磁性層に隣接して
面内磁化膜１９を積層することにより、案内溝部とその
他の平坦部で記録磁界、消去磁界を変えることができ
る。 実施例４ 一般に、原盤作成工程において溝部分をレーザー光照射
しカッティング、現像を行うとカッティングを行った部
分はやや表面が粗れることが知られているが、この方法
では任意の表面粗さを制御するのは非常に難しい。そこ
で、次のような確実に表面粗さを制御できる方法で基板
を作成した。その模式図を図５に示す。

【００２９】ガラス原盤３１に感度が低い第１レジスト
層３２を塗布した後、所定の表面粗さになるようにテク
スチャー処理を施す。次に必要溝深さ＋平滑化処理によ
る減少分の膜厚の感度の良い第２レジスト層３３を塗布
する。（ただし、第２レジスト層は第１レジスト層とは
溶剤系が異なり、第１レジスト層のテクスチャー処理に
影響を与えないものを選択する必要がある。）この後、
所定の手順で第２レジスト層表面の平滑化処理を施す。
平滑化処理は第２レジスト層の膜厚が必要溝深さ分にな
るところで終了する。次に所定の溝形状及びフォーマッ
トになるように強度を固定及び変調されたレーザー光で
カッティングを行う。溝については弱いレーザー光でカ
ッティングをおこない、プリピットについては強いレー
ザー光で行う。カッティングされた原盤を現像、Ｎｉス
パッタ、Ｎｉ電鋳、裏面研磨、剥離、打ち抜きカッティ
ングし、基板成形用のスタンパーを作成する。

【００３０】このスタンパーを用いて転写率９０％以上
で成形（インジェクション成形、ガラス２Ｐ成形のいず
れの方法でも良い。）された基板は、案内溝部を除いた
平坦部で非常に平滑であり、案内溝部では所定の表面粗
さを持つ基板となる。

【００３１】この基板上にＳｉＮ_x の下引き層、Ｔｂ−
Ｆｅ−Ｃｏ磁性層、ＳｉＮ_x の干渉層、Ａｌの反射層を
積層した後、保護コートを施す。

【００３２】表面粗さの異なる２枚の基板上に成膜条件
を同一にして、ＳｉＮ_x をスパッタリングにより３００
０Åに成長させた場合の走査形電子顕微鏡による断面写
真によると基板表面が平滑な方はその上に形成されるＳ
ｉＮ_x も緻密な膜が形成されているのに対し、平滑化処
理をしなかった方では基板表面を反映して凹凸の大きい
柱状構造のＳｉＮ_x が形成されていることが観察され
た。後者のような基板表面上に形成される磁性膜では磁
壁のピンニング効果が生じるため、保磁力が増大し、小
さい磁界では磁化反転しにくくなる。

【００３３】したがって案内溝部のみ基板の表面粗さを
粗くした場合、案内溝部への情報記録が困難になるた
め、オーバーライト時の消し残りが低減し、消去比を大
きくすることが可能である。 比較例１ 図６に従来用いられている光磁気記録媒体の構成の一例
を断面図で模式的に表す。実施例１〜３で使用したもの
と同じポリカーボネイト基板４１を用い、ＳｉＮ_x の下
引き層４２、再生磁性層４３ Ｇｄ−Ｆｅ−Ｃｏ、記録
磁性層４４ Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、干渉層４５ ＳｉＮ
_x 、反射層４６ ＡｌＣｒをスパッタリング装置内で真
空を破ることなく、連続して成膜を行う。その後、紫外
線硬化樹脂等の保護コート４７を施す。

【００３４】表１に示す比較例のサンプル１およびサン
プル２はそれぞれ実施例１、２のサンプル１およびサン
プル２に対応し、膜厚、組成等は平坦部においては同じ
である。

【００３５】この場合、案内溝部、平坦部を含め、磁性
膜の熱磁気的特性は面内方向でほぼ一様である。このた
め、初期のパワーに対して、小さいパワーでオーバーラ
イトを行った場合には消し残りが生じやすい。上記サン
プルの場合、初期に記録パワーをオーバーライトパワー
より１３％大きくした場合、オーバーライトパワー８．
８ｍＷの消去比が−３０ｄＢを越えず実用上不十分であ
る。 比較例２ 比較例１は従来用いられている光磁気記録媒体で再生磁
性層と記録磁性層の磁性層２層で構成されている場合に
ついて記述した。比較例２は磁性層がＴｂ−Ｆｅ−Ｃｏ
単層で構成され、本発明を用いない光磁気記録媒体の一
例である。 実施例／比較例の総括 実施例１、２と比較例１は各々の磁性層の組成と膜厚を
変えることにより磁界変調記録における磁界感度が高い
（小さい変調磁界強度で磁化が反転する）サンプル１と
磁界感度が低い（大きい変調磁界強度でないと磁化反転
しない）サンプル２を作成した。比較例では本発明を実
施せず、組成、膜厚は同等とした。表１に示されるよう
に消去比が−３０ｄＢとなるオーバーライトパワーは、
本発明を実施した場合、すべてのサンプルでどの比較例
よりも減少した。しかし、磁界感度が低いサンプル２で
はその効果は小さく、磁界感度が高いサンプル１の方が
その効果は大きい。すなわち前述の好ましい実施態様に
属する磁界感度が高い場合の方が消し残りを低減する効
果が大きいことが示された。

【００３６】

【発明の効果】本発明を適用することにより様々な外乱
に起因してレーザーパワーの変動が生じても、案内溝部
にはデータが記録されにくいため、ノイズとなる消し残
りが減少し、オーバーライト時における再生信号の品質
を保ち、高信頼性を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体の構成の一例を模式的
に示す断面図である。

【図２】光変調方式の場合の案内溝部および平坦部の直
流外部磁界の向きと大きさと、ＣＮ比との関係の一例を
示す図である。

【図３】本発明の光磁気記録媒体の他の例の構成を模式
的に示す断面図である。

【図４】本発明の光磁気記録媒体の別な例の構成を模式
的に示す断面図である。

【図５】本発明の光磁気記録媒体において、案内溝部と
平坦部の表面粗さを異にする基板を作成する一方法を示
す説明図である。

【図６】従来の光磁気記録媒体の構成の一例を示す断面
図である。

【符号の説明】

１ 透明基板 ２ 下引き層 ３ 面内磁性層 ４ 再生磁性層 ５ 記録磁性層 ６ 干渉層 ７ 反射層 ８ 保護コート ９ 透明基板 １０ 下引き層 １１ 再生磁性層 １２ 誘電体層 １３ 記録磁性層 １４ 干渉層 １５ 反射層 １６ 保護コート １７ 透明基板 １８ 下引き層 １９ 面内磁性層 ２０ 記録磁性層 ２１ 干渉層 ２２ 反射層 ２３ 保護コート ３１ ガラス原盤 ３２ 第１レジスト層 ３３ 第２レジスト層 ４１ 透明基板 ４２ 下引き層 ４３ 再生磁性層 ４４ 記録磁性層 ４５ 干渉層 ４６ 反射層 ４７ 保護コート

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の案内溝を有する基板と該基板上に
   設けられた誘電体層、その膜面に垂直方向に磁化容易軸
   を有する磁性層および金属層とからなる光磁気記録媒体
   において、前記記録媒体に直流磁界を印加しながら信号
   に応じて変調された光ビームで走査して前記信号を記録
   し、記録された信号を磁気光学効果を用いて再生し、再
   生された信号のＣＮ比を検出する過程を前記直流磁界の
   方向および強度を変化させながら行うことによって前記
   記録媒体を評価したときに、ＣＮ比が０となる第１の方
   向の直流磁界とＣＮ比が飽和する第１の方向と反対の方
   向の直流磁界の和が、案内溝部において、それ以外の平
   坦部より大きいことを特徴とする磁界変調記録用光磁気
   記録媒体。
2. 【請求項２】 案内溝部以外の平坦部において、ＣＮ比
   が０となる第１の方向の直流磁界強度が７５〜２３０
   Ｏｅであり、ＣＮ比が飽和する第１の方向と反対の方向
   の直流磁界強度が２０〜１８０ Ｏｅであり、且つ、案
   内溝部でのＣＮ比が０となる第１の方向の磁界強度が２
   ３０ Ｏｅより大きいことを特徴とする請求項１に記載
   の磁界変調記録用光磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 案内溝部の表面粗さが案内溝部以外の平
   坦部の表面粗さより大きいことを特徴とする請求項１ま
   たは２に記載の磁界変調記録用光磁気記録媒体。