JPH0729708A - 電圧非直線抵抗体 - Google Patents
電圧非直線抵抗体Info
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- JPH0729708A JPH0729708A JP5174169A JP17416993A JPH0729708A JP H0729708 A JPH0729708 A JP H0729708A JP 5174169 A JP5174169 A JP 5174169A JP 17416993 A JP17416993 A JP 17416993A JP H0729708 A JPH0729708 A JP H0729708A
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 バリスタ電圧を小さくして低電圧駆動のコン
ピュータ内蔵機器に対応できるとともに、サージ耐量，
静電気耐量等の電気的特性を向上できる電圧非直線抵抗
体を提供する。 【構成】 電圧非直線抵抗体を構成する場合に、酸化亜
鉛を主成分とし、これに副成分としてビスマス，マンガ
ン，コバルト，プラセオジム，あるいはランタンのうち
少なくとも１つの元素又はその化合物を添加する。また
上記ビスマス，マンガン，コバルト，プラセオジム，ラ
ンタンの各元素をその酸化物であるＢｉ2Ｏ3 ，Ｍｎ3
Ｏ4 ，ＣｏＯ，Ｐｒ6 Ｏ11, Ｌｅ2 Ｏ3 に換算してそれ
ぞれ0.10〜3.00mol ％,0.10 〜3.00mol ％, 0.10〜3.00
mol ％, 0.005 〜0.50mol ％,0.01〜0.50mol ％の範囲
で添加する。
ピュータ内蔵機器に対応できるとともに、サージ耐量，
静電気耐量等の電気的特性を向上できる電圧非直線抵抗
体を提供する。 【構成】 電圧非直線抵抗体を構成する場合に、酸化亜
鉛を主成分とし、これに副成分としてビスマス，マンガ
ン，コバルト，プラセオジム，あるいはランタンのうち
少なくとも１つの元素又はその化合物を添加する。また
上記ビスマス，マンガン，コバルト，プラセオジム，ラ
ンタンの各元素をその酸化物であるＢｉ2Ｏ3 ，Ｍｎ3
Ｏ4 ，ＣｏＯ，Ｐｒ6 Ｏ11, Ｌｅ2 Ｏ3 に換算してそれ
ぞれ0.10〜3.00mol ％,0.10 〜3.00mol ％, 0.10〜3.00
mol ％, 0.005 〜0.50mol ％,0.01〜0.50mol ％の範囲
で添加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、印加電圧に応じて抵抗
値が非直線的に変化する抵抗体素子（以下、バリスタと
称する）に関し、詳細には、バリスタ電圧を小さくして
低電圧駆動のコンピュータ内蔵機器に対応できるととも
に、漏れ電流を小さくでき、かつサージ耐量，静電気耐
量等の電気的特性を向上できるようにした組成物に関す
る。
値が非直線的に変化する抵抗体素子（以下、バリスタと
称する）に関し、詳細には、バリスタ電圧を小さくして
低電圧駆動のコンピュータ内蔵機器に対応できるととも
に、漏れ電流を小さくでき、かつサージ耐量，静電気耐
量等の電気的特性を向上できるようにした組成物に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、通信機器等の各種の電子機器の分
野においては、小型化とともに電子部品の集積化が急速
に進んでおり、これに伴ってノイズ吸収素子として採用
されるバリスタにおいても小型化，低電圧がの要求が強
くなっている。例えば、マイクロコンピュータが搭載さ
れた電子機器では、デジタル制御処理が行われることか
らＥＭＩノイズに起因する半導体素子の破壊や誤動作が
生じるおそれがある。このノイズの電子機器への侵入経
路は電源部分及び信号配線部分が多く、このため電源
部，信号配線部の入出力部分に用いられるノイズフィル
タの役割が重要視されている。
野においては、小型化とともに電子部品の集積化が急速
に進んでおり、これに伴ってノイズ吸収素子として採用
されるバリスタにおいても小型化，低電圧がの要求が強
くなっている。例えば、マイクロコンピュータが搭載さ
れた電子機器では、デジタル制御処理が行われることか
らＥＭＩノイズに起因する半導体素子の破壊や誤動作が
生じるおそれがある。このノイズの電子機器への侵入経
路は電源部分及び信号配線部分が多く、このため電源
部，信号配線部の入出力部分に用いられるノイズフィル
タの役割が重要視されている。
【０００３】上記ＥＭＩノイズの問題を解消するには、
ノイズを電子機器から出さず、かつ機器に侵入させない
ことが必要である。このようなノイズから電子機器を保
護する素子として、従来、酸化亜鉛を主成分としたバリ
スタが提案されている（例えば、特開昭５４−１６３３
９５号公報参照）。ところで酸化亜鉛を主成分とするバ
リスタでは、素子の厚さ１ｍｍ当たりのバリスタ電圧
（Ｖ1mA ）を100V以下にすることは困難であることか
ら、低電圧駆動のコンピュータ搭載機器には対応できな
い。ここで、バリスタ電圧は素子の電極間に存在する結
晶粒界の数に支配され、この結晶粒界の数が小さいほど
低くなる。このため従来では低電圧のバリスタ素子を得
るには、素子の厚さを薄くして電極間距離を小さくした
り、あるいは結晶粒子を成長させて電極間に存在する結
晶粒界数を少なくしたりする方法が採用されている。
ノイズを電子機器から出さず、かつ機器に侵入させない
ことが必要である。このようなノイズから電子機器を保
護する素子として、従来、酸化亜鉛を主成分としたバリ
スタが提案されている（例えば、特開昭５４−１６３３
９５号公報参照）。ところで酸化亜鉛を主成分とするバ
リスタでは、素子の厚さ１ｍｍ当たりのバリスタ電圧
（Ｖ1mA ）を100V以下にすることは困難であることか
ら、低電圧駆動のコンピュータ搭載機器には対応できな
い。ここで、バリスタ電圧は素子の電極間に存在する結
晶粒界の数に支配され、この結晶粒界の数が小さいほど
低くなる。このため従来では低電圧のバリスタ素子を得
るには、素子の厚さを薄くして電極間距離を小さくした
り、あるいは結晶粒子を成長させて電極間に存在する結
晶粒界数を少なくしたりする方法が採用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが上記従来のバ
リスタにおいて、素子厚さを薄くするとそれだけ強度が
低下することから製造上問題があり、また素子の体積が
小さくなるほどエネルギー耐量も小さい。さらに素子を
薄くすると焼成時に拡散電極材料の影響が大きくなり、
その結果素子の抵抗が小さくなって漏れ電流が増大する
という問題がある。
リスタにおいて、素子厚さを薄くするとそれだけ強度が
低下することから製造上問題があり、また素子の体積が
小さくなるほどエネルギー耐量も小さい。さらに素子を
薄くすると焼成時に拡散電極材料の影響が大きくなり、
その結果素子の抵抗が小さくなって漏れ電流が増大する
という問題がある。
【０００５】また、上記従来のバリスタにおいて結晶粒
子を成長させる場合、現状の焼結技術では粒径のばらつ
きが大きくなり易く、このためバリスタ電圧，静電容
量，電圧非直線係数等の電気的特性にばらつきが生じる
という問題がある。さらに結晶粒子の大きい部分に電流
集中が生じ易いことから、サージ耐量，静電気体量が低
下するという問題がある。
子を成長させる場合、現状の焼結技術では粒径のばらつ
きが大きくなり易く、このためバリスタ電圧，静電容
量，電圧非直線係数等の電気的特性にばらつきが生じる
という問題がある。さらに結晶粒子の大きい部分に電流
集中が生じ易いことから、サージ耐量，静電気体量が低
下するという問題がある。
【０００６】本発明は上記従来の状況に鑑みてなされた
もので、バリスタ電圧を小さくして低電圧駆動のコンピ
ュータ機器に対応できるとともに、漏れ電流を低減で
き、サージ耐量，静電気耐量等の電気的特性を向上でき
る電圧非直線抵抗体を提供することを目的としている。
もので、バリスタ電圧を小さくして低電圧駆動のコンピ
ュータ機器に対応できるとともに、漏れ電流を低減で
き、サージ耐量，静電気耐量等の電気的特性を向上でき
る電圧非直線抵抗体を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本件発明者らは、上記目
的を達成するために、主成分の酸化亜鉛に添加する各種
の副成分について検討したところ、これら添加物を選定
することにより素子の厚さ，及び結晶粒子のばらつきに
よる電気的特性の悪化を改善できることを見出し、本発
明を成したものである。
的を達成するために、主成分の酸化亜鉛に添加する各種
の副成分について検討したところ、これら添加物を選定
することにより素子の厚さ，及び結晶粒子のばらつきに
よる電気的特性の悪化を改善できることを見出し、本発
明を成したものである。
【０００８】そこで本発明は、主成分としての酸化亜鉛
に、副成分としてビスマス，マンガン，コバルト，プラ
セオジム，あるいはランタンのうち少なくとも１つの元
素又はその化合物を添加したことを特徴とする電圧非直
線抵抗体である。
に、副成分としてビスマス，マンガン，コバルト，プラ
セオジム，あるいはランタンのうち少なくとも１つの元
素又はその化合物を添加したことを特徴とする電圧非直
線抵抗体である。
【０００９】ここで、上記副成分を添加する場合、各元
素をその酸化物であるＢｉ2 Ｏ3 ，Ｍｎ3 Ｏ4 ，Ｃｏ
Ｏ，Ｐｒ6 Ｏ11, Ｌｅ2 Ｏ3 に換算してそれぞれ0.10〜
3.00mol ％,0.10 〜3.00mol ％, 0.10〜3.00mol ％, 0.
005 〜0.50mol ％,0.01 〜0.50mol ％の範囲で添加する
のが望ましい。これにより電気的特性の改善効果が顕著
に得られるからである。即ち、上記Ｐｒ6 Ｏ11, Ｌｅ2
Ｏ3 を所定量添加することにより非直線係数，及び静電
気耐量の向上を図ることができ、また上記Ｍｎ3Ｏ4 ，
ＣｏＯの添加により非直線係数，絶縁抵抗，サージ耐量
の向上が図れる。さらに上記Ｂｉ2 Ｏ3 を所定量添加す
ることによりバリスタ電圧を小さくできる。
素をその酸化物であるＢｉ2 Ｏ3 ，Ｍｎ3 Ｏ4 ，Ｃｏ
Ｏ，Ｐｒ6 Ｏ11, Ｌｅ2 Ｏ3 に換算してそれぞれ0.10〜
3.00mol ％,0.10 〜3.00mol ％, 0.10〜3.00mol ％, 0.
005 〜0.50mol ％,0.01 〜0.50mol ％の範囲で添加する
のが望ましい。これにより電気的特性の改善効果が顕著
に得られるからである。即ち、上記Ｐｒ6 Ｏ11, Ｌｅ2
Ｏ3 を所定量添加することにより非直線係数，及び静電
気耐量の向上を図ることができ、また上記Ｍｎ3Ｏ4 ，
ＣｏＯの添加により非直線係数，絶縁抵抗，サージ耐量
の向上が図れる。さらに上記Ｂｉ2 Ｏ3 を所定量添加す
ることによりバリスタ電圧を小さくできる。
【００１０】また上記電圧非直線抵抗体を製造するに
は、酸化亜鉛に上述の各種副成分を添加混合し、これを
所定形状に成形し、この成形体を高温焼成して焼結体を
得た後、該焼結体の両主面に電極を形成するという、従
来と略同様の方法でもって製造できる。
は、酸化亜鉛に上述の各種副成分を添加混合し、これを
所定形状に成形し、この成形体を高温焼成して焼結体を
得た後、該焼結体の両主面に電極を形成するという、従
来と略同様の方法でもって製造できる。
【００１１】
【作用】本発明に係る電圧非直線抵抗体によれば、酸化
亜鉛に副成分としてビスマス，マンガン，コバルト，プ
ラセオジム，ランタンを添加したので、素子の厚さを薄
くすることなくバリスタ電圧を小さくできることから、
機械的強度の低下やエネルギー耐量の低下を回避でき
る。また、結晶粒子のばらつきによる電流集中が生じに
くくなり、サージ耐量の特性を向上でき、ひいては低電
圧駆動の電子デバイスを、ＥＭＩノイズから保護するこ
とができる。
亜鉛に副成分としてビスマス，マンガン，コバルト，プ
ラセオジム，ランタンを添加したので、素子の厚さを薄
くすることなくバリスタ電圧を小さくできることから、
機械的強度の低下やエネルギー耐量の低下を回避でき
る。また、結晶粒子のばらつきによる電流集中が生じに
くくなり、サージ耐量の特性を向上でき、ひいては低電
圧駆動の電子デバイスを、ＥＭＩノイズから保護するこ
とができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。本実施例
は、本発明の電圧非直線抵抗体を製造し、これの効果を
確認するために行った特性試験について説明する。
は、本発明の電圧非直線抵抗体を製造し、これの効果を
確認するために行った特性試験について説明する。
【００１３】まず、本実施例の電圧非直線抵抗体の製造
方法について説明する。主成分であるＺｎＯを準備し、
これにＢｉ2 Ｏ3 ，Ｍｎ3 Ｏ4 ，ＣｏＯ，Ｐｒ 6 Ｏ11,
及びＬｅ2 Ｏ3 をそれぞれ所定量添加し、これを十分に
混合した後、700 〜900 ℃の温度で数時間仮焼成を行
う。
方法について説明する。主成分であるＺｎＯを準備し、
これにＢｉ2 Ｏ3 ，Ｍｎ3 Ｏ4 ，ＣｏＯ，Ｐｒ 6 Ｏ11,
及びＬｅ2 Ｏ3 をそれぞれ所定量添加し、これを十分に
混合した後、700 〜900 ℃の温度で数時間仮焼成を行
う。
【００１４】次に上記仮焼成粉をボールミルにより十分
粉砕した後、プレスで直径６ｍｍ×厚さ0.6 ｍｍの円板
状に成形する。次いで、この成形体を大気中にて1250〜
1400℃の温度で３時間加熱，焼成して焼結体を得る。こ
のようにして得られた焼結体にこれの厚さが0.5 ｍｍと
なるよう研磨加工を施し、次いでこれの両主面に直径３
ｍｍのＡｇペーストを塗布し、この後焼き付けて電極を
形成する。これにより本実施例の電圧非直線抵抗体が製
造される。
粉砕した後、プレスで直径６ｍｍ×厚さ0.6 ｍｍの円板
状に成形する。次いで、この成形体を大気中にて1250〜
1400℃の温度で３時間加熱，焼成して焼結体を得る。こ
のようにして得られた焼結体にこれの厚さが0.5 ｍｍと
なるよう研磨加工を施し、次いでこれの両主面に直径３
ｍｍのＡｇペーストを塗布し、この後焼き付けて電極を
形成する。これにより本実施例の電圧非直線抵抗体が製
造される。
【００１５】
【表１】
【００１６】表１は、上記製造方法により得られた電圧
非直線抵抗体の効果を確認するために行った特性試験の
結果を示す。この試験は、上記Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｍｎ
3 Ｏ4 ，ＣｏＯ，Ｐｒ6 Ｏ11, Ｌｅ2 Ｏ3 の添加量をそ
れぞれ0.00〜5.00mol ％,0.00 〜5.00mol ％,0.00 〜5.
00mol ％,0.000〜0.100 mol ％,0.000〜1.000 mol ％の
範囲で変化させて多数の試料を作成した（試料No. １〜
No. ３０参照）。表中、試料No. １〜６はＬｅ2 Ｏ
3 量、試料No. ７〜１２はＰｒ6 Ｏ11量、試料No. １３
〜１８はＣｏＯ量、試料No. １９〜２４はＭｎ3 Ｏ
4 量、試料No. ２５〜３０はＢｉ2 Ｏ3 量をそれぞれ上
記範囲内で変化させた。
非直線抵抗体の効果を確認するために行った特性試験の
結果を示す。この試験は、上記Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｍｎ
3 Ｏ4 ，ＣｏＯ，Ｐｒ6 Ｏ11, Ｌｅ2 Ｏ3 の添加量をそ
れぞれ0.00〜5.00mol ％,0.00 〜5.00mol ％,0.00 〜5.
00mol ％,0.000〜0.100 mol ％,0.000〜1.000 mol ％の
範囲で変化させて多数の試料を作成した（試料No. １〜
No. ３０参照）。表中、試料No. １〜６はＬｅ2 Ｏ
3 量、試料No. ７〜１２はＰｒ6 Ｏ11量、試料No. １３
〜１８はＣｏＯ量、試料No. １９〜２４はＭｎ3 Ｏ
4 量、試料No. ２５〜３０はＢｉ2 Ｏ3 量をそれぞれ上
記範囲内で変化させた。
【００１７】そして上記各試料No. １〜３０のバリスタ
電圧の50％の電圧を30秒間印加したときの絶縁抵抗値Ｉ
Ｒ、バリスタ電圧（Ｖ1mA ）、また各試料に１mA〜10mA
の電流が流れるときの非直線係数（α1-10mA）、及び静
電容量を測定するとともに、サージ耐量、静電気耐量を
測定した。上記サージ耐量は８×20μ秒の三角電流波を
印加してもバリスタ素子が破壊しない電流値を示し、静
電気耐量はＩＥＣ801-２準拠の静電気放電パルスを印加
しても素子が破壊しない放電電圧の最大値を示す。
電圧の50％の電圧を30秒間印加したときの絶縁抵抗値Ｉ
Ｒ、バリスタ電圧（Ｖ1mA ）、また各試料に１mA〜10mA
の電流が流れるときの非直線係数（α1-10mA）、及び静
電容量を測定するとともに、サージ耐量、静電気耐量を
測定した。上記サージ耐量は８×20μ秒の三角電流波を
印加してもバリスタ素子が破壊しない電流値を示し、静
電気耐量はＩＥＣ801-２準拠の静電気放電パルスを印加
しても素子が破壊しない放電電圧の最大値を示す。
【００１８】表１において、Ｐｒ6 Ｏ11, Ｌｅ2 Ｏ3 量
を０，0.001mol％とした各試料No.１，No. ７, No. ８
の場合、静電気耐量及び非直線係数が少し低くなってお
り、またＬｅ2 Ｏ3 量を1.0 とした試料No. ６の場合は
バリスタ電圧が若干高くなっている。一方、上記Ｐｒ6
Ｏ11量を0.005 〜0.100mol％ ,Ｌｅ2 Ｏ3 量を0.01〜0.
5 とした各試料No. ２〜５，９〜１２の場合は、非直線
係数が24.5〜35.2、静電気耐量が20〜30Kvと向上してお
り、これにより上記Ｐｒ6 Ｏ11, Ｌｅ2 Ｏ3 を所定量添
加することにより非直線係数, 静電気耐量を向上できる
ことがわかる。
を０，0.001mol％とした各試料No.１，No. ７, No. ８
の場合、静電気耐量及び非直線係数が少し低くなってお
り、またＬｅ2 Ｏ3 量を1.0 とした試料No. ６の場合は
バリスタ電圧が若干高くなっている。一方、上記Ｐｒ6
Ｏ11量を0.005 〜0.100mol％ ,Ｌｅ2 Ｏ3 量を0.01〜0.
5 とした各試料No. ２〜５，９〜１２の場合は、非直線
係数が24.5〜35.2、静電気耐量が20〜30Kvと向上してお
り、これにより上記Ｐｒ6 Ｏ11, Ｌｅ2 Ｏ3 を所定量添
加することにより非直線係数, 静電気耐量を向上できる
ことがわかる。
【００１９】また、上記Ｍｎ3 Ｏ4 ，ＣｏＯ量を０ mol
％とした各試料No. １３，No. １９の場合、絶縁抵抗
値，非直線係数が少し低くなっており、上記添加量を5.
0 とした試料No. １８，２４の場合はバリスタ電圧が比
較的高くなっている。これに対して、上記添加量を0.01
〜3.00 mol％とした各試料No. １４〜１７，２０〜２３
の場合は、抵抗値が20.3〜90.3 MΩ、非直線係数が22.9
〜36.6、サージ耐量, 静電耐量がそれぞれ200A,30Kv と
高くなっている。このことから上記Ｍｎ3 Ｏ4 ，ＣｏＯ
を所定量添加することによって、抵抗値, 非直線係数,
サージ耐量, 及び静電気耐量の各特性を向上できること
がわかる。
％とした各試料No. １３，No. １９の場合、絶縁抵抗
値，非直線係数が少し低くなっており、上記添加量を5.
0 とした試料No. １８，２４の場合はバリスタ電圧が比
較的高くなっている。これに対して、上記添加量を0.01
〜3.00 mol％とした各試料No. １４〜１７，２０〜２３
の場合は、抵抗値が20.3〜90.3 MΩ、非直線係数が22.9
〜36.6、サージ耐量, 静電耐量がそれぞれ200A,30Kv と
高くなっている。このことから上記Ｍｎ3 Ｏ4 ，ＣｏＯ
を所定量添加することによって、抵抗値, 非直線係数,
サージ耐量, 及び静電気耐量の各特性を向上できること
がわかる。
【００２０】さらに、上記Ｂｉ2 Ｏ3 量を０ mol％とし
た試料No. ２５，及び添加量を5.0mol％とした試料No.
３０の場合、両者ともバリスタ電圧が59V 以上と比較的
高くなっている。これに対してＢｉ2 Ｏ3 量を0.01〜3.
00 mol％とした各試料２６〜２９では、バリスタ電圧が
28.2〜43.2V と小さくなっており、このＢｉ2 Ｏ3を所
定量添加することによりバリスタ電圧を下げることがで
きる。
た試料No. ２５，及び添加量を5.0mol％とした試料No.
３０の場合、両者ともバリスタ電圧が59V 以上と比較的
高くなっている。これに対してＢｉ2 Ｏ3 量を0.01〜3.
00 mol％とした各試料２６〜２９では、バリスタ電圧が
28.2〜43.2V と小さくなっており、このＢｉ2 Ｏ3を所
定量添加することによりバリスタ電圧を下げることがで
きる。
【００２１】このように本実施例によれば、上述のよう
にＺｎＯに、Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｍｎ3 Ｏ 4 ，ＣｏＯ，Ｐｒ6
Ｏ11, Ｌｅ2 Ｏ3 を添加することにより、各試料No. １
〜３０の何れにおいてもバリスタ電圧，サージ耐量，静
電気耐量等の特性を向上でき、ひいては低電圧駆動のコ
ンピュータが搭載された電子機器に対応できる。なかで
も上記各副成分の添加量を上述の範囲内とした場合は、
各電気的特性をさらに向上でき、品質に対する信頼性を
向上できる。
にＺｎＯに、Ｂｉ2 Ｏ3 ，Ｍｎ3 Ｏ 4 ，ＣｏＯ，Ｐｒ6
Ｏ11, Ｌｅ2 Ｏ3 を添加することにより、各試料No. １
〜３０の何れにおいてもバリスタ電圧，サージ耐量，静
電気耐量等の特性を向上でき、ひいては低電圧駆動のコ
ンピュータが搭載された電子機器に対応できる。なかで
も上記各副成分の添加量を上述の範囲内とした場合は、
各電気的特性をさらに向上でき、品質に対する信頼性を
向上できる。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本発明に係る電圧非直線抵
抗体によれば、主成分の酸化亜鉛に副成分としてビスマ
ス，マンガン，コバルト，プラセオジム，ランタンのう
ち少なくとも１つの元素又はその化合物を添加したの
で、バリスタ電圧を小さくして低電圧駆動のコンピュー
タ内蔵機器に対応できるとともに、漏れ電流を小さくで
き、かつサージ耐量，静電気耐量等の電気的特性を向上
できる効果がある。
抗体によれば、主成分の酸化亜鉛に副成分としてビスマ
ス，マンガン，コバルト，プラセオジム，ランタンのう
ち少なくとも１つの元素又はその化合物を添加したの
で、バリスタ電圧を小さくして低電圧駆動のコンピュー
タ内蔵機器に対応できるとともに、漏れ電流を小さくで
き、かつサージ耐量，静電気耐量等の電気的特性を向上
できる効果がある。
Claims (2)
- 【請求項１】 酸化亜鉛を主成分とし、これに副成分と
してビスマス，マンガン，コバルト，プラセオジム，あ
るいはランタンのうち少なくとも１つの元素又はその化
合物を添加したことを特徴とする電圧非直線抵抗体。 - 【請求項２】 請求項１において、上記ビスマス，マン
ガン，コバルト，プラセオジム，ランタンの各元素をそ
の酸化物であるＢｉ2 Ｏ3 ，Ｍｎ3 Ｏ4 ，ＣｏＯ，Ｐｒ
6 Ｏ11, Ｌｅ2 Ｏ3 に換算してそれぞれ0.10〜3.00mol
％,0.10 〜3.00mol ％, 0.10〜3.00mol ％, 0.005 〜0.
50mol ％,0.01 〜0.50mol ％の範囲で添加したことを特
徴とする電圧非直線抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5174169A JPH0729708A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 電圧非直線抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5174169A JPH0729708A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 電圧非直線抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729708A true JPH0729708A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15973916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5174169A Withdrawn JPH0729708A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 電圧非直線抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0729708A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100666188B1 (ko) * | 2004-11-17 | 2007-01-09 | 학교법인 동의학원 | 고전압용 프라세오디미아계 산화아연 바리스터 및 그 제조방법 |
-
1993
- 1993-07-14 JP JP5174169A patent/JPH0729708A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100666188B1 (ko) * | 2004-11-17 | 2007-01-09 | 학교법인 동의학원 | 고전압용 프라세오디미아계 산화아연 바리스터 및 그 제조방법 |
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