JPH0729869B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0729869B2 JPH0729869B2 JP61155404A JP15540486A JPH0729869B2 JP H0729869 B2 JPH0729869 B2 JP H0729869B2 JP 61155404 A JP61155404 A JP 61155404A JP 15540486 A JP15540486 A JP 15540486A JP H0729869 B2 JPH0729869 B2 JP H0729869B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- diffraction grating
- film
- manufacturing
- manufacturing semiconductor
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/16—Heating of the molten zone
- C30B13/22—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge
- C30B13/24—Heating of the molten zone by irradiation or electric discharge using electromagnetic waves
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体装置の製造方法に関するものである。
従来の技術 近年、半導体の集積度は年々高まってきており、そのた
めに、素子を三次元的に集積していく方法の研究がさか
んに進められている。
めに、素子を三次元的に集積していく方法の研究がさか
んに進められている。
素子を三次元的に集積するためには、絶縁膜上に単結晶
シリコンを形成する。いわゆるSOI（Si on Insulator）
形成技術の確立が重要である。
シリコンを形成する。いわゆるSOI（Si on Insulator）
形成技術の確立が重要である。
ここで、第３図に従って、従来のSOI膜の製造方法につ
いて説明する。31は単結晶Si基板、32はシリコン酸化
膜、33は多結晶シリコン膜、34はレーザービームであ
る。従来は第３図に示すように、レーザービーム34の走
査によってシリコン酸化膜32上に形成した多結晶シリコ
ン膜33を溶融後、急冷させて結晶化させる方法がしばし
ばとられていた。
いて説明する。31は単結晶Si基板、32はシリコン酸化
膜、33は多結晶シリコン膜、34はレーザービームであ
る。従来は第３図に示すように、レーザービーム34の走
査によってシリコン酸化膜32上に形成した多結晶シリコ
ン膜33を溶融後、急冷させて結晶化させる方法がしばし
ばとられていた。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら、前記の製造方法では、レーザービーム34
のエネルギー分布がガウス分布であるため、ビームの周
辺部から固化が始まり、再結晶化領域に細かい欠陥が入
るという問題があった。
のエネルギー分布がガウス分布であるため、ビームの周
辺部から固化が始まり、再結晶化領域に細かい欠陥が入
るという問題があった。
本発明は、上記の問題点を解決するもので、再結晶化領
域に欠陥が入らない半導体装置の製造方法を提供するも
のである。
域に欠陥が入らない半導体装置の製造方法を提供するも
のである。
問題点を解決するための手段 前記問題点を解決するためにレーザービームを回折格子
を通過させることにより、ビーム内のエネルギー分布を
ガウス型から、中心部が小さく周辺部が大きい分布に変
換させた後、多結晶シリコン膜に照射することから構成
されている。
を通過させることにより、ビーム内のエネルギー分布を
ガウス型から、中心部が小さく周辺部が大きい分布に変
換させた後、多結晶シリコン膜に照射することから構成
されている。
作 用 前記の製造方法によれば、ビーム内の温度分布を、中心
部が低く、周辺部を高くすることができるので、再結晶
化は、中心部からおこる。即ち再結晶化領域に欠陥の少
ない再結晶膜を形成することができる。
部が低く、周辺部を高くすることができるので、再結晶
化は、中心部からおこる。即ち再結晶化領域に欠陥の少
ない再結晶膜を形成することができる。
実施例 第１図は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を
示したものである。
示したものである。
11は単結晶Si基板、12はシリコン酸化膜、13は多結晶シ
リコン膜、14は回折格子、15はレーザービームである。
リコン膜、14は回折格子、15はレーザービームである。
ここで、まず初めにここで使っている回折格子について
説明する。
説明する。
第２図は回折格子の回折現象について説明したもので、
21がＸ方向に有限のスリットの大きさＳをもち、間隔ｄ
の回折格子、22が波長λのレーザービーム、23が強度分
布を表わしたものである。フラウンホーファーの回折理
論によると大きさＳのスリットによる振動数ｕ（ｘ）は で表わされる。従って強度分布Ｊ（ｘ）は （２）式は、ｘ＝０で最大となり、 （ｍは自然数）で０となる関数である。従ってd,Sを適
当に選べば、（即ち ２つのスリットによる強度分布23は第２図のようにな
る。
21がＸ方向に有限のスリットの大きさＳをもち、間隔ｄ
の回折格子、22が波長λのレーザービーム、23が強度分
布を表わしたものである。フラウンホーファーの回折理
論によると大きさＳのスリットによる振動数ｕ（ｘ）は で表わされる。従って強度分布Ｊ（ｘ）は （２）式は、ｘ＝０で最大となり、 （ｍは自然数）で０となる関数である。従ってd,Sを適
当に選べば、（即ち ２つのスリットによる強度分布23は第２図のようにな
る。
よって、第１図において多結晶シリコン膜13上のエネル
ギー分布は、ビームの中心部が小さく、周辺部が大きい
分布となる。従って、再結晶化はビームの中心部からお
こるので、欠陥のない再結晶化領域を形成することがで
きる。
ギー分布は、ビームの中心部が小さく、周辺部が大きい
分布となる。従って、再結晶化はビームの中心部からお
こるので、欠陥のない再結晶化領域を形成することがで
きる。
発明の効果 以上述べてきたように、本発明によれば、回折格子を使
うというきわめて簡単な方法で、欠陥のない再結晶を形
成することができ、実用的にきわめて有効な方法であ
る。
うというきわめて簡単な方法で、欠陥のない再結晶を形
成することができ、実用的にきわめて有効な方法であ
る。
第１図は本発明の一実施例を示す概念図、第２図は本発
明に使われる回折格子を説明するための説明図、第３図
は従来の方法を表わした概念図である。 11……単結晶シリコン基板、12……シリコン酸化膜、13
……多結晶シリコン膜、14……回折格子、15……レーザ
ービーム。
明に使われる回折格子を説明するための説明図、第３図
は従来の方法を表わした概念図である。 11……単結晶シリコン基板、12……シリコン酸化膜、13
……多結晶シリコン膜、14……回折格子、15……レーザ
ービーム。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁膜上に多結晶膜を形成する工程と、エ
ネルギービームを回折格子を通して中心部が小さく周辺
部が大きいエネルギー分布に変換した後、前記多結晶膜
上に照射し、再結晶化させる工程とを含むことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61155404A JPH0729869B2 (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61155404A JPH0729869B2 (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6311592A JPS6311592A (ja) | 1988-01-19 |
| JPH0729869B2 true JPH0729869B2 (ja) | 1995-04-05 |
Family
ID=15605234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61155404A Expired - Lifetime JPH0729869B2 (ja) | 1986-07-02 | 1986-07-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0729869B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6029680B2 (ja) * | 1979-12-24 | 1985-07-11 | 日本電信電話株式会社 | 配向した結晶薄膜の製造法 |
-
1986
- 1986-07-02 JP JP61155404A patent/JPH0729869B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6311592A (ja) | 1988-01-19 |
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