JPH0729902A - 絶縁膜の形成方法 - Google Patents
絶縁膜の形成方法Info
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- JPH0729902A JPH0729902A JP17505693A JP17505693A JPH0729902A JP H0729902 A JPH0729902 A JP H0729902A JP 17505693 A JP17505693 A JP 17505693A JP 17505693 A JP17505693 A JP 17505693A JP H0729902 A JPH0729902 A JP H0729902A
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- Japan
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- insulating film
- wafer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 流動性の高い膜質の絶縁膜を、成膜ガスに塩
基性ガスを含むＣＶＤ法で形成できる絶縁膜の形成方法
を提供する。 【構成】 段差を有する半導体基板上に、ＲＦ出力を間
欠的に電極に印加しプラズマを発生させながらＴＥＯＳ
／Ｈ2Ｏ／ＮＨ3系ガスでＣＶＤを行う。これにより、活
性種の非励起時間が確保され、成膜中に流動性を有する
絶縁膜が得られ、膜質の良い平坦化絶縁膜の形成が達成
できる。
基性ガスを含むＣＶＤ法で形成できる絶縁膜の形成方法
を提供する。 【構成】 段差を有する半導体基板上に、ＲＦ出力を間
欠的に電極に印加しプラズマを発生させながらＴＥＯＳ
／Ｈ2Ｏ／ＮＨ3系ガスでＣＶＤを行う。これにより、活
性種の非励起時間が確保され、成膜中に流動性を有する
絶縁膜が得られ、膜質の良い平坦化絶縁膜の形成が達成
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、絶縁膜の形成方法に
関する。この発明は、例えば高度に微細化高集積化した
メモリ素子等の半導体集積回路等の製造分野に利用する
ことができる。
関する。この発明は、例えば高度に微細化高集積化した
メモリ素子等の半導体集積回路等の製造分野に利用する
ことができる。
【０００２】
【従来の技術及びこの発明が解決使用とする課題】デバ
イスの高度化に伴って配線技術は、微細化多層化の方向
に進んでいる。しかし、高集積化は信頼性を低下させる
要因になる場合がある。これは、配線の微細化と多層化
の進展によって層間絶縁膜の段差は大きく且つ急峻とな
りその上に形成される配線の加工精度、信頼性を低下さ
せる為である。このためＡｌ配線の段差被覆性の大幅な
改善が出来ない現在、層間絶縁膜の平坦性を向上させる
必要がある。
イスの高度化に伴って配線技術は、微細化多層化の方向
に進んでいる。しかし、高集積化は信頼性を低下させる
要因になる場合がある。これは、配線の微細化と多層化
の進展によって層間絶縁膜の段差は大きく且つ急峻とな
りその上に形成される配線の加工精度、信頼性を低下さ
せる為である。このためＡｌ配線の段差被覆性の大幅な
改善が出来ない現在、層間絶縁膜の平坦性を向上させる
必要がある。
【０００３】これまでに、下表１に示した各種の絶縁膜
の形成技術及び平坦化技術が開発されてきたが、微細
化、多層化した配線層に適用した場合、配線間隔が広い
場合の平坦化の不足や配線間隔に於ける層間膜での
“す”の発生により配線間における接続不良等が重要な
問題になっている。
の形成技術及び平坦化技術が開発されてきたが、微細
化、多層化した配線層に適用した場合、配線間隔が広い
場合の平坦化の不足や配線間隔に於ける層間膜での
“す”の発生により配線間における接続不良等が重要な
問題になっている。
【０００４】
【表１】
【０００５】そこで、この問題を改善する手段として水
を添加した有機シリコン化合物のプラズマＣＶＤにより
高アスペクト比のＡｌ配線上を平坦化する技術が注目さ
れている。この種の技術については例えば、１９９３年
第３８回応用物理学会関係連合講演会（Ｐ．６３２、２
９ｐ−ｖ−８、２９ｐ−ｖ−９）に記載がある。
を添加した有機シリコン化合物のプラズマＣＶＤにより
高アスペクト比のＡｌ配線上を平坦化する技術が注目さ
れている。この種の技術については例えば、１９９３年
第３８回応用物理学会関係連合講演会（Ｐ．６３２、２
９ｐ−ｖ−８、２９ｐ−ｖ−９）に記載がある。
【０００６】これに対してセルフフロー形状を維持し、
膜中の有機成分を除去する手法として有機成分を含まず
さらにフロー形状が得られる分子量の高い反応生成物を
ウェハ表面に形成することが必要とされており、加水分
解速度に比べて脱水縮合反応の速度を著しく向上できる
触媒としての塩基性ガスを添加する方法が提案されてい
る。
膜中の有機成分を除去する手法として有機成分を含まず
さらにフロー形状が得られる分子量の高い反応生成物を
ウェハ表面に形成することが必要とされており、加水分
解速度に比べて脱水縮合反応の速度を著しく向上できる
触媒としての塩基性ガスを添加する方法が提案されてい
る。
【０００７】しかし、塩基性ガスの添加では脱水縮合反
応により有機成分が除去できるものの、脱水縮合反応に
よる流動性の低下が見られる。このため今後の高アスペ
クト比の溝埋め込みが必要となるため流動性の向上がさ
らに望まれる。
応により有機成分が除去できるものの、脱水縮合反応に
よる流動性の低下が見られる。このため今後の高アスペ
クト比の溝埋め込みが必要となるため流動性の向上がさ
らに望まれる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、少なくとも
塩基性ガス，水及び有機シリコン化合物を用いてプラズ
マＣＶＤ法によって基体表面に絶縁膜を形成する方法に
おいて、プラズマ励起手段としての交流出力又は直流出
力を間欠的に印加することを、解決手段としている。
塩基性ガス，水及び有機シリコン化合物を用いてプラズ
マＣＶＤ法によって基体表面に絶縁膜を形成する方法に
おいて、プラズマ励起手段としての交流出力又は直流出
力を間欠的に印加することを、解決手段としている。
【０００９】
【作用】本出願の発明にかかる絶縁膜の形成方法は交流
及び直流を間欠的に印加することによりプラズマを間欠
的に発生させ、活性種の非励起時間を確保することで反
応中間体の流動を円滑に行うものである。これにより塩
基性触媒添加により低減した流動性が回復し膜質の良好
な層間絶縁膜の形成が可能になる。
及び直流を間欠的に印加することによりプラズマを間欠
的に発生させ、活性種の非励起時間を確保することで反
応中間体の流動を円滑に行うものである。これにより塩
基性触媒添加により低減した流動性が回復し膜質の良好
な層間絶縁膜の形成が可能になる。
【００１０】また、本発明は通常用いている平行平板型
プラズマＣＶＤ装置を使用すればかかるプロセスは充分
に実現可能である。
プラズマＣＶＤ装置を使用すればかかるプロセスは充分
に実現可能である。
【００１１】
【実施例】以下に本発明の具体的実施例について説明す
る。ここで、実際の絶縁膜形成プロセスの説明に先立ち
本発明を実施するために使用した平行平板型ＣＶＤ装置
について図４を参照しながら説明する。
る。ここで、実際の絶縁膜形成プロセスの説明に先立ち
本発明を実施するために使用した平行平板型ＣＶＤ装置
について図４を参照しながら説明する。
【００１２】図中１１は反応容器であり、この反応容器
１１の上部には有機金属化合物（例えばＴＥＯＳ）と酸
化剤である酸素ガスなどを矢印Ｂ１の方向から導入する
ための導入管１２が設けられている。反応容器１１には
導入したガスを高い面内均一性を確保出来るように均一
にガスを分散出来る分散板１３及びシャワーヘッド１４
が設けられている。更に、反応容器１１の内部には、被
処理基板であるウェハ１５を載置するウェハ載置台１６
が設けられている。また、ウェハ１５を所定の温度に保
つためのヒータ１７が埋設されている。
１１の上部には有機金属化合物（例えばＴＥＯＳ）と酸
化剤である酸素ガスなどを矢印Ｂ１の方向から導入する
ための導入管１２が設けられている。反応容器１１には
導入したガスを高い面内均一性を確保出来るように均一
にガスを分散出来る分散板１３及びシャワーヘッド１４
が設けられている。更に、反応容器１１の内部には、被
処理基板であるウェハ１５を載置するウェハ載置台１６
が設けられている。また、ウェハ１５を所定の温度に保
つためのヒータ１７が埋設されている。
【００１３】次に、反応容器１１を用いたプラズマＣＶ
Ｄ法について実際のプロセス例について説明する。
Ｄ法について実際のプロセス例について説明する。
【００１４】（実施例１）本実施例は半導体回路製造の
際に段差を有する基体上に平坦化絶縁膜を形成して半導
体装置を得る場合にこの発明を適用したものである。す
なわち、本実施例はＨ2Ｏ−ＴＥＯＳプラズマＣＶＤ方
法において分子量の高いＴＥＯＳの反応生成物をウェハ
表面に形成することが可能な塩基性触媒としてアンモニ
アを添加し、しかも反応生成物のウェハ上での流動を円
滑に進行させるためにＲＦ出力を間欠的に印加したもの
である。ＲＦ出力を間欠的に印加する方法としては、Ｒ
Ｆ発信機にパルス発生器を接続しパルス発生器に同期さ
せることでＲＦ出力を間欠的に電極に印加しプラズマを
発生させたものである。
際に段差を有する基体上に平坦化絶縁膜を形成して半導
体装置を得る場合にこの発明を適用したものである。す
なわち、本実施例はＨ2Ｏ−ＴＥＯＳプラズマＣＶＤ方
法において分子量の高いＴＥＯＳの反応生成物をウェハ
表面に形成することが可能な塩基性触媒としてアンモニ
アを添加し、しかも反応生成物のウェハ上での流動を円
滑に進行させるためにＲＦ出力を間欠的に印加したもの
である。ＲＦ出力を間欠的に印加する方法としては、Ｒ
Ｆ発信機にパルス発生器を接続しパルス発生器に同期さ
せることでＲＦ出力を間欠的に電極に印加しプラズマを
発生させたものである。
【００１５】本実施例においては図１（Ａ）に示したよ
うに、シリコン等からなる半導体基板２１上に酸化シリ
コン等からなる層間絶縁膜２２及びＡｌ配線層２３が形
成されたウェハを用意した。次いで図１（Ｂ）に示した
ように常法により層間膜２４を形成した。層間膜２４は
次工程での塩基性ガス（塩基性触媒）添加によるプラズ
マＣＶＤの膜質を補う目的で形成した。
うに、シリコン等からなる半導体基板２１上に酸化シリ
コン等からなる層間絶縁膜２２及びＡｌ配線層２３が形
成されたウェハを用意した。次いで図１（Ｂ）に示した
ように常法により層間膜２４を形成した。層間膜２４は
次工程での塩基性ガス（塩基性触媒）添加によるプラズ
マＣＶＤの膜質を補う目的で形成した。
【００１６】次いで図１（Ｃ）に示したよう層間絶縁膜
２５を以下の条件で行った。
２５を以下の条件で行った。
【００１７】ガス流量：ＴＥＯＳ／Ｈ2Ｏ／ＮＨ3＝５０
０／１００／１０［ｓｃｃｍ］ 圧力 ： １３３０ ［Ｐａ］ Ｔｅｍｐ： １００ ［℃］ ＲＦ ： ３５０ ［Ｗ］ Ｄｕｔｙ Ｒａｔｉｏ＝０．１ （但しＲＦ出力の印加割合についてはＤｕｔｙ Ｒａｔ
ｉｏ＝Ｔｅ／Ｔａｌｌ Ｔｅ；実際のＲＦ印加時間，Ｔ
ａｌｌ；全時間として全時間に対する実際のＲＦ印加時
間によりＤｕｔｙ比として定義した。）次いで図１
（Ｄ）に示したように、必要な膜厚にするように層間膜
２６を層間膜２４を形成したと同様な条件で形成し、層
間の平坦化が完成する。又、層間膜の形成にはテトラエ
トキシシランを用いたが、絶縁膜形成が可能である有機
金属アルコキシドに適宜変更可能である。例えば、ＯＭ
ＣＴＳ（ｏｃｔａ ｍｅｔｈｙｌ ｃｙｃｌｏ ｔｅｔ
ｒａ ｓｉｌｏｘａｎｅ），ＴＰＯＳ（ｔｅｔｒａｐｒ
ｏｐｏｘｙ ｓｉｌａｎｅ），ＴＭＣＴＳ（ｔｅｔｒａ
ｍｅｔｈｙｌ ｃｙｃｌｏ ｔｅｔｒａ ｓｉｌｏｘ
ａｎｅ）等でも可能である。
０／１００／１０［ｓｃｃｍ］ 圧力 ： １３３０ ［Ｐａ］ Ｔｅｍｐ： １００ ［℃］ ＲＦ ： ３５０ ［Ｗ］ Ｄｕｔｙ Ｒａｔｉｏ＝０．１ （但しＲＦ出力の印加割合についてはＤｕｔｙ Ｒａｔ
ｉｏ＝Ｔｅ／Ｔａｌｌ Ｔｅ；実際のＲＦ印加時間，Ｔ
ａｌｌ；全時間として全時間に対する実際のＲＦ印加時
間によりＤｕｔｙ比として定義した。）次いで図１
（Ｄ）に示したように、必要な膜厚にするように層間膜
２６を層間膜２４を形成したと同様な条件で形成し、層
間の平坦化が完成する。又、層間膜の形成にはテトラエ
トキシシランを用いたが、絶縁膜形成が可能である有機
金属アルコキシドに適宜変更可能である。例えば、ＯＭ
ＣＴＳ（ｏｃｔａ ｍｅｔｈｙｌ ｃｙｃｌｏ ｔｅｔ
ｒａ ｓｉｌｏｘａｎｅ），ＴＰＯＳ（ｔｅｔｒａｐｒ
ｏｐｏｘｙ ｓｉｌａｎｅ），ＴＭＣＴＳ（ｔｅｔｒａ
ｍｅｔｈｙｌ ｃｙｃｌｏ ｔｅｔｒａ ｓｉｌｏｘ
ａｎｅ）等でも可能である。
【００１８】（実施例２）本実施例も半導体回路製造の
際に段差を有する基体上に平坦化絶縁膜を形成して半導
体装置を得る場合にこの発明を適用したものである。す
なわち、本発明はＨ2Ｏ−ＴＥＯＳプラズマＣＶＤ方法
において分子量の高いＴＥＯＳの反応生成物をウェハ表
面に形成することが可能な塩基性触媒としてメチルアミ
ンを添加し、しかも反応生成物のウェハ上での流量を円
滑に進行させるために直流電圧を間欠的に印加する方法
として、直流電源にパルス発生器を接続しパルス発生器
に同期させることで直流電圧を間欠的に電極の印加にプ
ラズマを発生させたものである。
際に段差を有する基体上に平坦化絶縁膜を形成して半導
体装置を得る場合にこの発明を適用したものである。す
なわち、本発明はＨ2Ｏ−ＴＥＯＳプラズマＣＶＤ方法
において分子量の高いＴＥＯＳの反応生成物をウェハ表
面に形成することが可能な塩基性触媒としてメチルアミ
ンを添加し、しかも反応生成物のウェハ上での流量を円
滑に進行させるために直流電圧を間欠的に印加する方法
として、直流電源にパルス発生器を接続しパルス発生器
に同期させることで直流電圧を間欠的に電極の印加にプ
ラズマを発生させたものである。
【００１９】本実施例においては図２（Ａ）に示したよ
うにシリコン等からなる半導体基板３１上に酸化シリコ
ン等からなる層間絶縁膜３２及びＡｌ配線層３３が形成
されたウェハを用意した。次いで図２（Ｂ）に示したよ
うに、常法により層間膜３４を形成した。層間膜３４は
次工程での塩基性ガス添加によるプラズマＣＶＤの膜質
を補う目的で形成した。
うにシリコン等からなる半導体基板３１上に酸化シリコ
ン等からなる層間絶縁膜３２及びＡｌ配線層３３が形成
されたウェハを用意した。次いで図２（Ｂ）に示したよ
うに、常法により層間膜３４を形成した。層間膜３４は
次工程での塩基性ガス添加によるプラズマＣＶＤの膜質
を補う目的で形成した。
【００２０】次いで図２（Ｃ）に示したように、層間絶
縁膜３５を以下の条件で行った。
縁膜３５を以下の条件で行った。
【００２１】ガス流量：ＴＥＯＳ／Ｈ2Ｏ／ＣＨ3ＮＨ2
＝５００／１００／１００［ｓｃｃｍ］ 圧力 ： １３３０ ［Ｐａ］ Ｔｅｍｐ： １００ ［℃］ ＤＣ ： ３５０ ［Ｗ］ Ｄｕｔｙ Ｒａｔｉｏ＝０．２ （但しＤＣ出力の印加割合についてはＤｕｔｙ Ｒａｔ
ｉｏ＝Ｔｅ／Ｔａｌｌ Ｔｅ；実際のＲＦ印加時間，Ｔ
ａｌｌ；全時間として全時間に対する実際のＤＣ印加時
間によりＤｕｔｙ比として定義した。） 次いで図２
（Ｄ）に示したように、必要な膜厚にするように層間膜
３６を層間膜３４を形成したと同様な条件で形成し、層
間の平坦化が完成する。
＝５００／１００／１００［ｓｃｃｍ］ 圧力 ： １３３０ ［Ｐａ］ Ｔｅｍｐ： １００ ［℃］ ＤＣ ： ３５０ ［Ｗ］ Ｄｕｔｙ Ｒａｔｉｏ＝０．２ （但しＤＣ出力の印加割合についてはＤｕｔｙ Ｒａｔ
ｉｏ＝Ｔｅ／Ｔａｌｌ Ｔｅ；実際のＲＦ印加時間，Ｔ
ａｌｌ；全時間として全時間に対する実際のＤＣ印加時
間によりＤｕｔｙ比として定義した。） 次いで図２
（Ｄ）に示したように、必要な膜厚にするように層間膜
３６を層間膜３４を形成したと同様な条件で形成し、層
間の平坦化が完成する。
【００２２】（実施例３）本実施例も半導体回路製造の
際に段差を有する基体上に平坦化絶縁膜を形成して半導
体装置を得る場合にこの発明を適用したものである。す
なわち、本発明はＨ2Ｏ−ＴＥＯＳプラズマＣＶＤ方法
において分子量の高いＴＥＯＳの反応生成物をウェハ表
面に形成することが可能な塩基性触媒としてメチルアミ
ンを添加し、しかも反応生成物のウェハ上での流量を円
滑に進行させるためにＲＦ出力を上下に電極に間欠的に
印加したものである。ＲＦ出力を間欠的に印加する方法
としてはＲＦ発信機にパルス発生器を接続し、パルス発
生器に同期させることでＲＦ出力を間欠的に上下の電極
に印加しプラズマを発生させたものである。
際に段差を有する基体上に平坦化絶縁膜を形成して半導
体装置を得る場合にこの発明を適用したものである。す
なわち、本発明はＨ2Ｏ−ＴＥＯＳプラズマＣＶＤ方法
において分子量の高いＴＥＯＳの反応生成物をウェハ表
面に形成することが可能な塩基性触媒としてメチルアミ
ンを添加し、しかも反応生成物のウェハ上での流量を円
滑に進行させるためにＲＦ出力を上下に電極に間欠的に
印加したものである。ＲＦ出力を間欠的に印加する方法
としてはＲＦ発信機にパルス発生器を接続し、パルス発
生器に同期させることでＲＦ出力を間欠的に上下の電極
に印加しプラズマを発生させたものである。
【００２３】本実施例においては図３（Ａ）に示したよ
うにシリコン等からなる半導体基板４１上に酸化シリコ
ン等からなる層間絶縁膜４２及びＡｌ配線層４３が形成
されたウェハを用意した。次いで図３（Ｂ）に示したよ
うに常法により層間膜４４を形成した。層間膜４４は次
工程での塩基性ガス添加によるプラズマＣＶＤの膜質を
補う目的で形成した。
うにシリコン等からなる半導体基板４１上に酸化シリコ
ン等からなる層間絶縁膜４２及びＡｌ配線層４３が形成
されたウェハを用意した。次いで図３（Ｂ）に示したよ
うに常法により層間膜４４を形成した。層間膜４４は次
工程での塩基性ガス添加によるプラズマＣＶＤの膜質を
補う目的で形成した。
【００２４】次いで図３（Ｃ）に示しように、層間絶縁
膜４５を以下の条件で行った。
膜４５を以下の条件で行った。
【００２５】ガス流量：ＴＥＯＳ／Ｈ2Ｏ／ＮＨ2＝５０
０／１００／１００［ｓｃｃｍ］ 圧力 ： １３３０ ［Ｐａ］ Ｔｅｍｐ： １００ ［℃］ ＲＦ ： ３５０ ［Ｗ］ Ｄｕｔｙ Ｒａｔｉｏ＝０．１〜０．５ （但しＲＦ出力の印加割合についてはＤｕｔｙ Ｒａｔ
ｉｏ＝Ｔｅ／Ｔａｌｌ Ｔｅ；実際のＲＦ印加時間，Ｔ
ａｌｌ；全時間として全時間に対する実際のＤＣ印加時
間によりＤｕｔｙ比として定義した。） 次いで図３
（Ｄ）に示したように、必要な膜厚にするように層間膜
４６を層間膜４４を形成したと同様な条件で形成し、層
間の平坦化が完成する。本実施例では上下の電極に印加
したＲＦの周波数は１６．５６ＭＨｚとしたが、特に上
下の電極に印加するＲＦの周波数を同一または同期する
必要はなく適宜変更可能である。
０／１００／１００［ｓｃｃｍ］ 圧力 ： １３３０ ［Ｐａ］ Ｔｅｍｐ： １００ ［℃］ ＲＦ ： ３５０ ［Ｗ］ Ｄｕｔｙ Ｒａｔｉｏ＝０．１〜０．５ （但しＲＦ出力の印加割合についてはＤｕｔｙ Ｒａｔ
ｉｏ＝Ｔｅ／Ｔａｌｌ Ｔｅ；実際のＲＦ印加時間，Ｔ
ａｌｌ；全時間として全時間に対する実際のＤＣ印加時
間によりＤｕｔｙ比として定義した。） 次いで図３
（Ｄ）に示したように、必要な膜厚にするように層間膜
４６を層間膜４４を形成したと同様な条件で形成し、層
間の平坦化が完成する。本実施例では上下の電極に印加
したＲＦの周波数は１６．５６ＭＨｚとしたが、特に上
下の電極に印加するＲＦの周波数を同一または同期する
必要はなく適宜変更可能である。
【００２６】尚、本発明は当然のことながら上記実施例
に限定されるものではなく本発明の主旨を逸脱しない範
囲内で構造、条件等は適宜変更可能である。
に限定されるものではなく本発明の主旨を逸脱しない範
囲内で構造、条件等は適宜変更可能である。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、塩基性触媒添加より低減した流動性が、出
力の間欠的な印加により回復し、膜質の良好な平坦化絶
縁膜が形成できる効果を奏する。
明によれば、塩基性触媒添加より低減した流動性が、出
力の間欠的な印加により回復し、膜質の良好な平坦化絶
縁膜が形成できる効果を奏する。
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）はこの発明の実施例１の工程断
面図。
面図。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は実施例２の工程断面図。
【図３】（Ａ）〜（Ｄ）は実施例３の工程断面図。
【図４】実施例で用いたＣＶＤ装置の説明図。
２１…半導体基板 ２３…Ａｌ配線層 ２５…層間絶縁膜
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも塩基性ガス，水及び有機シリ
コン化合物を用いてプラズマＣＶＤ法によって基体表面
に絶縁膜を形成する方法において、 プラズマ励起手段としての交流出力又は直流出力を間欠
的に印加することを特徴とする絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17505693A JPH0729902A (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17505693A JPH0729902A (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729902A true JPH0729902A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15989467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17505693A Pending JPH0729902A (ja) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0729902A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5763018A (en) * | 1995-06-20 | 1998-06-09 | Sony Corporation | Method for forming dielectric layer |
-
1993
- 1993-07-15 JP JP17505693A patent/JPH0729902A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5763018A (en) * | 1995-06-20 | 1998-06-09 | Sony Corporation | Method for forming dielectric layer |
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