JPH07299048A - 磁気共鳴撮像装置 - Google Patents
磁気共鳴撮像装置Info
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- JPH07299048A JPH07299048A JP6159404A JP15940494A JPH07299048A JP H07299048 A JPH07299048 A JP H07299048A JP 6159404 A JP6159404 A JP 6159404A JP 15940494 A JP15940494 A JP 15940494A JP H07299048 A JPH07299048 A JP H07299048A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 構造が簡易で、高い磁界の均一性が得られる
磁気共鳴撮像装置を提供する。 【構成】 磁気共鳴撮像装置の磁界アセンブリは、環状
真空チャンバ24内に搭載された環状超伝導マグネット10
を有している。円筒形部材26は超伝導マグネットが均一
で安定した磁界を生成する中心ボアを限定する。円筒形
誘電性形成体46は、円筒形部材から僅かな距離だけ離れ
ているボア内に搭載されている。無線周波数コイル32
は、円筒形部材内に搭載されていて被検体を収容する検
査領域を限定する。ＲＦ遮蔽34は、形成体の外側環状表
面周辺に搭載されている。主勾配コイル40は、ＲＦ遮蔽
周辺の誘電性形成体の外側周辺に設置されている。図３
に示すように、遮蔽されていない勾配コイルが使用され
た場合、主勾配コイルおよびＲＦ遮蔽が、円筒形部材26
の外側直径周辺に設置される。
磁気共鳴撮像装置を提供する。 【構成】 磁気共鳴撮像装置の磁界アセンブリは、環状
真空チャンバ24内に搭載された環状超伝導マグネット10
を有している。円筒形部材26は超伝導マグネットが均一
で安定した磁界を生成する中心ボアを限定する。円筒形
誘電性形成体46は、円筒形部材から僅かな距離だけ離れ
ているボア内に搭載されている。無線周波数コイル32
は、円筒形部材内に搭載されていて被検体を収容する検
査領域を限定する。ＲＦ遮蔽34は、形成体の外側環状表
面周辺に搭載されている。主勾配コイル40は、ＲＦ遮蔽
周辺の誘電性形成体の外側周辺に設置されている。図３
に示すように、遮蔽されていない勾配コイルが使用され
た場合、主勾配コイルおよびＲＦ遮蔽が、円筒形部材26
の外側直径周辺に設置される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気共鳴勾配コイルお
よびＲＦスクリーンに関し、特に、磁気共鳴撮像装置用
自己遮蔽勾配コイルアセンブリに関する。しかしながら
本発明はまた、磁気共鳴分光装置および他のＲＦ磁界と
勾配磁界を必要とするものに応用される。
よびＲＦスクリーンに関し、特に、磁気共鳴撮像装置用
自己遮蔽勾配コイルアセンブリに関する。しかしながら
本発明はまた、磁気共鳴分光装置および他のＲＦ磁界と
勾配磁界を必要とするものに応用される。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気共鳴撮像装置は、室温のボア
つまりマグネットアセンブリの中心円筒を軸方向に通過
する一時的に安定した主磁界を生成する超伝導マグネッ
トを使用していた。超伝導マグネット巻線は低温維持装
置内の液体ヘリウムの温度に維持されている。これは二
重壁構造であり、真空の空間、中冷遮蔽および超断熱用
室が提供される。低温維持装置を有することによりヘリ
ウムの蒸発を最小限に抑えることができる。マグネット
の室温のボアは、撮像される被検体（人間）はもちろん
のこと勾配磁界コイル、ＲＦコイル用の空間を提供す
る。
つまりマグネットアセンブリの中心円筒を軸方向に通過
する一時的に安定した主磁界を生成する超伝導マグネッ
トを使用していた。超伝導マグネット巻線は低温維持装
置内の液体ヘリウムの温度に維持されている。これは二
重壁構造であり、真空の空間、中冷遮蔽および超断熱用
室が提供される。低温維持装置を有することによりヘリ
ウムの蒸発を最小限に抑えることができる。マグネット
の室温のボアは、撮像される被検体（人間）はもちろん
のこと勾配磁界コイル、ＲＦコイル用の空間を提供す
る。
【０００３】勾配コイルは、三種類の共通し直交する軸
ｘ、ｙ、ｚの勾配をもつ軸場を生成する。電流波形は、
ＭＲ処理中に勾配に適用される。すると、勾配がマグネ
ット低温維持装置の金属性装置内にエディ電流を誘発す
る。そしてエディ電流の磁界は、撮像される被検体によ
り検知される磁界の一部分となる。エディ電流を引き起
こした勾配を模倣できる範囲において、エディ電流はプ
レエンファシスにより修正される。一般的には、エディ
電流がプレエンファシスにより修正されることにより、
エディ電流を保持する可能性のある勾配およびマグネッ
ト装置間に、ある程度の空間が得られる。さらに近年に
なって、マグネット装置内のエディ電流を除去するため
の自己遮蔽勾配が開発された。
ｘ、ｙ、ｚの勾配をもつ軸場を生成する。電流波形は、
ＭＲ処理中に勾配に適用される。すると、勾配がマグネ
ット低温維持装置の金属性装置内にエディ電流を誘発す
る。そしてエディ電流の磁界は、撮像される被検体によ
り検知される磁界の一部分となる。エディ電流を引き起
こした勾配を模倣できる範囲において、エディ電流はプ
レエンファシスにより修正される。一般的には、エディ
電流がプレエンファシスにより修正されることにより、
エディ電流を保持する可能性のある勾配およびマグネッ
ト装置間に、ある程度の空間が得られる。さらに近年に
なって、マグネット装置内のエディ電流を除去するため
の自己遮蔽勾配が開発された。
【０００４】自己遮蔽勾配により円筒形形成体上に一連
の主コイルが、また、第２の形成体上に一連の遮蔽コイ
ルがより大きい半径で構成される。それら遮蔽勾配の外
側の半径において、主コイルにより生成された磁界は一
連の遮蔽コイルにより、実質的に相殺される。一連の主
コイルおよび遮蔽コイルの勾配磁界は整合され、軸方向
付けされｘ、ｙ、ｚ方向の実質的に第１の序列強度勾配
をもつ磁界を生成する。主および遮蔽コイルは半径係数
１．３以上であることが望ましく、それにより撮像体積
内の主コイルの磁界を必要以上に相殺することはなくな
る。自己遮蔽勾配コイルにより、主勾配コイルとマグネ
ット装置との距離は、重大ではない。
の主コイルが、また、第２の形成体上に一連の遮蔽コイ
ルがより大きい半径で構成される。それら遮蔽勾配の外
側の半径において、主コイルにより生成された磁界は一
連の遮蔽コイルにより、実質的に相殺される。一連の主
コイルおよび遮蔽コイルの勾配磁界は整合され、軸方向
付けされｘ、ｙ、ｚ方向の実質的に第１の序列強度勾配
をもつ磁界を生成する。主および遮蔽コイルは半径係数
１．３以上であることが望ましく、それにより撮像体積
内の主コイルの磁界を必要以上に相殺することはなくな
る。自己遮蔽勾配コイルにより、主勾配コイルとマグネ
ット装置との距離は、重大ではない。
【０００５】総合電気効率つまり勾配コイルにより消費
される電流は、主勾配コイルと遮蔽勾配コイルとの間の
距離によるところが大きい。総合電気効率はできる限り
能率的に使用される。つまり、主勾配磁界コイルの直径
が縮小され、遮蔽コイルの直径が拡大されることにより
消費電力は抑制される。しかしながら、材料費等の関係
により、直径１００ｃｍのボアマグネットは例えば直径
９０ｃｍのマグネットよりも一般的に高価である。マグ
ネットにかかる費用を削減するため、均一性との兼ね合
いからボアの直径を縮小するのが普通である。また、勾
配効率を向上させ強制アンペア毎の勾配をより多く得る
ために、遮蔽コイルの外側コイルに対しての空間を最大
限割り当てるのが普通である。遮蔽勾配コイルアセンブ
リの最大直径は、超伝導マグネットの内部ボア、通常は
主磁界の均一性を向上させるためのボア内に搭載されて
いる金属製シムのシムセットにより制限されている。
される電流は、主勾配コイルと遮蔽勾配コイルとの間の
距離によるところが大きい。総合電気効率はできる限り
能率的に使用される。つまり、主勾配磁界コイルの直径
が縮小され、遮蔽コイルの直径が拡大されることにより
消費電力は抑制される。しかしながら、材料費等の関係
により、直径１００ｃｍのボアマグネットは例えば直径
９０ｃｍのマグネットよりも一般的に高価である。マグ
ネットにかかる費用を削減するため、均一性との兼ね合
いからボアの直径を縮小するのが普通である。また、勾
配効率を向上させ強制アンペア毎の勾配をより多く得る
ために、遮蔽コイルの外側コイルに対しての空間を最大
限割り当てるのが普通である。遮蔽勾配コイルアセンブ
リの最大直径は、超伝導マグネットの内部ボア、通常は
主磁界の均一性を向上させるためのボア内に搭載されて
いる金属製シムのシムセットにより制限されている。
【０００６】勾配コイル内に挿入されている円筒形ＲＦ
コイルは一般的に５５〜６０ｃｍの内部直径を有してい
た。ＲＦコイルの浪費ではない周知のエディ電流を生成
するためのＲＦコイルを超えたある半径でＲＦスクリー
ンは設置される。更に、ＲＦコイルと勾配コイルとの間
にある程度の距離がおかれている。例えば、ＲＦスクリ
ーンは勾配コイル形成体の内部表面に設置されている。
形成体表面を完全に被覆するように約２〜３インチ幅の
裏面に粘着性のある被覆用銅板により構成されている。
被覆される領域は、２１〜６４ＭＨｚで銅板を完全に結
合させるためのものである。それにより銅板の表面は適
度に伝導性を帯びる。銅板の粘着面がＲＦコイルの浪費
である場合、ＲＦコイルのＱファクタを低減する。そし
てＮＭＲのＳ／Ｎ比が大きくなる。銅が細長い板状であ
ることにより、勾配エディ電流は抑制される。
コイルは一般的に５５〜６０ｃｍの内部直径を有してい
た。ＲＦコイルの浪費ではない周知のエディ電流を生成
するためのＲＦコイルを超えたある半径でＲＦスクリー
ンは設置される。更に、ＲＦコイルと勾配コイルとの間
にある程度の距離がおかれている。例えば、ＲＦスクリ
ーンは勾配コイル形成体の内部表面に設置されている。
形成体表面を完全に被覆するように約２〜３インチ幅の
裏面に粘着性のある被覆用銅板により構成されている。
被覆される領域は、２１〜６４ＭＨｚで銅板を完全に結
合させるためのものである。それにより銅板の表面は適
度に伝導性を帯びる。銅板の粘着面がＲＦコイルの浪費
である場合、ＲＦコイルのＱファクタを低減する。そし
てＮＭＲのＳ／Ｎ比が大きくなる。銅が細長い板状であ
ることにより、勾配エディ電流は抑制される。
【０００７】ＲＦスクリーンの重要な設計上の案のひと
つに、ＲＦコイル伝導性形成体とスクリーンとの間の距
離がある。スクリーン内のエディ電流も、ＲＦコイルの
磁界と対向する磁界を生成し、全体的な磁界を低減させ
てしまう。ある意味では、これら“画像電流”は、機能
面において勾配コイルの遮蔽コイルを模倣することとな
る。スクリーンは、予測可能で再生可能な結果をＲＦ浪
費なしで生成しなければならない。ＲＦスクリーン以外
には、実質的に零のＲＦ磁界がある。
つに、ＲＦコイル伝導性形成体とスクリーンとの間の距
離がある。スクリーン内のエディ電流も、ＲＦコイルの
磁界と対向する磁界を生成し、全体的な磁界を低減させ
てしまう。ある意味では、これら“画像電流”は、機能
面において勾配コイルの遮蔽コイルを模倣することとな
る。スクリーンは、予測可能で再生可能な結果をＲＦ浪
費なしで生成しなければならない。ＲＦスクリーン以外
には、実質的に零のＲＦ磁界がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ＲＦコイル遮蔽内に裏
面に粘着性のある銅板を使用する問題点は、労力を集約
するところにある。特に、３２以上のセグメントが勾配
コイルボアの内側直径の周辺に設置される必要がある。
またさらに、粘着面がＲＦコイルの浪費になり、Ｓ／Ｎ
比を向上させることができなくなるという問題点もあっ
た。
面に粘着性のある銅板を使用する問題点は、労力を集約
するところにある。特に、３２以上のセグメントが勾配
コイルボアの内側直径の周辺に設置される必要がある。
またさらに、粘着面がＲＦコイルの浪費になり、Ｓ／Ｎ
比を向上させることができなくなるという問題点もあっ
た。
【０００９】ＲＦ遮蔽を構成する他の方法として、低い
浪費率の基板を用いた印刷回路板を使用するものがあ
る。
浪費率の基板を用いた印刷回路板を使用するものがあ
る。
【００１０】しかし、低い浪費率の基板を用いた印刷回
路板を使用すると、費用がかかりすぎるという問題点も
あった。基板用物質は、所望の低い浪費率の特徴が得ら
れ、かつ勾配内部直径上にスクリーンを搭載する手段が
提供されるようなものが使用されてきた。これにより、
処理費用および設置費用も高額になってしまう。
路板を使用すると、費用がかかりすぎるという問題点も
あった。基板用物質は、所望の低い浪費率の特徴が得ら
れ、かつ勾配内部直径上にスクリーンを搭載する手段が
提供されるようなものが使用されてきた。これにより、
処理費用および設置費用も高額になってしまう。
【００１１】３つ目あるいはそれ以上の費用効果のある
方法として、ウインドスクリーンのような薄型銅製メッ
シュを使用するものがある。しかし、低周波エディ電流
を生成する上では、編まれているメッシュの断続的なパ
ターンは、固形の銅と比べて本質的に劣っている。
方法として、ウインドスクリーンのような薄型銅製メッ
シュを使用するものがある。しかし、低周波エディ電流
を生成する上では、編まれているメッシュの断続的なパ
ターンは、固形の銅と比べて本質的に劣っている。
【００１２】ＲＦメッシュを使用すると、勾配コイルの
内部直径にメッシュを搭載するのが困難になるという問
題点があった。スクリーンは、正確な寸法を計り、しっ
かりと設置されなければならない。メッシュを支持する
ためには、一般的に付随する基板が必要となる。これに
より製造費用が高くなり、設置面積が大きくなってしま
っていた。
内部直径にメッシュを搭載するのが困難になるという問
題点があった。スクリーンは、正確な寸法を計り、しっ
かりと設置されなければならない。メッシュを支持する
ためには、一般的に付随する基板が必要となる。これに
より製造費用が高くなり、設置面積が大きくなってしま
っていた。
【００１３】結果として、従来の遮蔽ＲＦおよび勾配コ
イルアセンブリは半径が大きくなってしまっていた。こ
のような半径の大きいＲＦおよび勾配コイルは、直径１
００ｃｍのような大型のボア超伝導マグネットが使用さ
れる場合のような、従来のボアの内部直径には利用され
保持できる。しかしながら、その直径の大きさにより超
伝導マグネットの費用は様々である。従って、一般的に
はマグネットの内部ボアの直径を拡大ではなく縮小する
ことが望まれている。
イルアセンブリは半径が大きくなってしまっていた。こ
のような半径の大きいＲＦおよび勾配コイルは、直径１
００ｃｍのような大型のボア超伝導マグネットが使用さ
れる場合のような、従来のボアの内部直径には利用され
保持できる。しかしながら、その直径の大きさにより超
伝導マグネットの費用は様々である。従って、一般的に
はマグネットの内部ボアの直径を拡大ではなく縮小する
ことが望まれている。
【００１４】主および遮蔽勾配コイルの間の距離を狭め
ることにより、効率低下および多大な熱をもってしまう
という問題がでてきてしまう。つまり、勾配コイルによ
り消費される電流は熱になって発生してしまうのであ
る。熱が大量に発生してしまう不完全な装置において
は、その発生した熱消散の問題点がでてきてしまう。同
様に、たとえ主ＲＦおよび遮蔽コイルの直径の増分が僅
かであっても、消費電力は大きく変化してしまう。例え
ば、勾配遮蔽コイルの直径が２％しか増加しなかったと
しても、熱消散率は２０％も低下してしまう。
ることにより、効率低下および多大な熱をもってしまう
という問題がでてきてしまう。つまり、勾配コイルによ
り消費される電流は熱になって発生してしまうのであ
る。熱が大量に発生してしまう不完全な装置において
は、その発生した熱消散の問題点がでてきてしまう。同
様に、たとえ主ＲＦおよび遮蔽コイルの直径の増分が僅
かであっても、消費電力は大きく変化してしまう。例え
ば、勾配遮蔽コイルの直径が２％しか増加しなかったと
しても、熱消散率は２０％も低下してしまう。
【００１５】したがって、本発明は、新規でより発達し
た遮蔽ＲＦおよび勾配コイル装置を提供することを目的
とする。
た遮蔽ＲＦおよび勾配コイル装置を提供することを目的
とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、勾配遮
蔽コイルは超伝導マグネットアセンブリの超伝導マグネ
ットの真空チャンバのボアの外側直径表面上に設置され
ていることを特徴とする。
蔽コイルは超伝導マグネットアセンブリの超伝導マグネ
ットの真空チャンバのボアの外側直径表面上に設置され
ていることを特徴とする。
【００１７】また、本発明の他の様態によれば、磁気共
鳴撮像装置は、一次的に安定している磁界を検査領域を
通過するように生成し、前記検査領域周辺に延長される
縦方向延長ボアを限定する通常は円筒形の誘電性部材を
有している環状超伝導マグネットアセンブリと、前記ボ
ア内に磁界勾配を引き起こし、前記円筒形部材の外側周
辺および前記真空チャンバ内に被覆されている第１の勾
配コイルアセンブリを有している勾配コイル手段と、前
記ボア内に設置されていて前記検査領域に無線周波数パ
ルスを送出する無線周波数コイルアセンブリと、前記勾
配コイル手段および前記無線周波数コイルアセンブリを
制御するシーケンス制御手段とを有することを特徴とす
る。
鳴撮像装置は、一次的に安定している磁界を検査領域を
通過するように生成し、前記検査領域周辺に延長される
縦方向延長ボアを限定する通常は円筒形の誘電性部材を
有している環状超伝導マグネットアセンブリと、前記ボ
ア内に磁界勾配を引き起こし、前記円筒形部材の外側周
辺および前記真空チャンバ内に被覆されている第１の勾
配コイルアセンブリを有している勾配コイル手段と、前
記ボア内に設置されていて前記検査領域に無線周波数パ
ルスを送出する無線周波数コイルアセンブリと、前記勾
配コイル手段および前記無線周波数コイルアセンブリを
制御するシーケンス制御手段とを有することを特徴とす
る。
【００１８】またさらに、本発明の様態によれば、第２
の勾配コイルアセンブリが、前記ボア内に設置され前記
第１の勾配コイルアセンブリと置き換えられた円筒形誘
電性形成体の外側周辺に被覆されていることを特徴とす
る。
の勾配コイルアセンブリが、前記ボア内に設置され前記
第１の勾配コイルアセンブリと置き換えられた円筒形誘
電性形成体の外側周辺に被覆されていることを特徴とす
る。
【００１９】さらなる本発明の様態によれば、無線周波
数遮蔽が、前記第２の勾配コイルアセンブリの少なくと
も一部分と前記形成体の外側との間に設置されているこ
とを特徴とする。
数遮蔽が、前記第２の勾配コイルアセンブリの少なくと
も一部分と前記形成体の外側との間に設置されているこ
とを特徴とする。
【００２０】本発明の様態によればまた、前記ＲＦスク
リーンは、前記内部磁界コイルの切り離せない部分とし
て設置されていることを特徴とする。
リーンは、前記内部磁界コイルの切り離せない部分とし
て設置されていることを特徴とする。
【００２１】さらに本発明の他の様態によれば、磁気共
鳴撮像装置は、中心ボアを限定する円筒形部材と前記ボ
アを通過するような主磁界を生成する超伝導マグネット
を内部に含んでいる真空チャンバにより構成される伝導
マグネットアセンブリと、前記円筒形部材と同心円の前
記ボア内に設置されていて、前記円筒形部材の内部表面
と置き換えられた外側表面を有している円筒形誘電性形
成体と、前記形成体の外側表面に沿って設置されている
ＲＦ遮蔽と、前記形成体内に設置されている主無線周波
数コイルとを有することを特徴とする。
鳴撮像装置は、中心ボアを限定する円筒形部材と前記ボ
アを通過するような主磁界を生成する超伝導マグネット
を内部に含んでいる真空チャンバにより構成される伝導
マグネットアセンブリと、前記円筒形部材と同心円の前
記ボア内に設置されていて、前記円筒形部材の内部表面
と置き換えられた外側表面を有している円筒形誘電性形
成体と、前記形成体の外側表面に沿って設置されている
ＲＦ遮蔽と、前記形成体内に設置されている主無線周波
数コイルとを有することを特徴とする。
【００２２】またさらなる本発明の他の様態によれば、
主勾配コイルアセンブリは、前記無線遮蔽周辺の形成体
外側表面に設置され、前記ボア内に磁界勾配を選択的に
生成することを特徴とする。
主勾配コイルアセンブリは、前記無線遮蔽周辺の形成体
外側表面に設置され、前記ボア内に磁界勾配を選択的に
生成することを特徴とする。
【００２３】
【実施例】次に、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１を参照すると、超伝導磁界コイル10および18
が示されている。超伝導磁界コイル10および18は一時的
に安定した磁界を生成する。中心ボア12の撮像領域内に
おいて、この磁界は実質的に均一で縦方向つまりｚ軸に
沿っている。さらに、通常、ｘ軸、ｙ軸が縦および横方
向に指定され、ともに直交するように構成される。超伝
導マグネットの内部超伝導マグネット磁界コイル10は、
環状ヘリウムチャンバ16の一部分である形成体14により
支持されている。ヘリウムチャンバは液体ヘリウムによ
り満たされていて、印加されている磁界が超伝導性を維
持できるように超伝導マグネットを冷却する。必要であ
れば、遮蔽コイル18は、超伝導マグネットを囲む領域内
のコイル10、18の整合された磁界を制限するために設置
される。
する。図１を参照すると、超伝導磁界コイル10および18
が示されている。超伝導磁界コイル10および18は一時的
に安定した磁界を生成する。中心ボア12の撮像領域内に
おいて、この磁界は実質的に均一で縦方向つまりｚ軸に
沿っている。さらに、通常、ｘ軸、ｙ軸が縦および横方
向に指定され、ともに直交するように構成される。超伝
導マグネットの内部超伝導マグネット磁界コイル10は、
環状ヘリウムチャンバ16の一部分である形成体14により
支持されている。ヘリウムチャンバは液体ヘリウムによ
り満たされていて、印加されている磁界が超伝導性を維
持できるように超伝導マグネットを冷却する。必要であ
れば、遮蔽コイル18は、超伝導マグネットを囲む領域内
のコイル10、18の整合された磁界を制限するために設置
される。
【００２４】ヘリウムの蒸発を抑制するために、環状ヘ
リウムチャンバ16は、第１の冷却遮蔽20に覆われていて
約２０°Ｋに維持されている。第２の冷却遮蔽アセンブ
リ22は約７０°Ｋに冷却されている。第１、第２の冷却
遮蔽は、図示しない機械冷凍により冷却されることが望
ましい。環状真空チャンバ24は、冷却遮蔽を囲んで真空
レザーバを限定している。真空チャンバ24は、円筒形で
誘電性がありボア12を限定しｚ軸に平行に延長される部
材26を有している。主磁界が円筒形部材26を通過するよ
うに生成される。マイラー絶縁材が真空チャンバと冷却
遮蔽との間に設置される。
リウムチャンバ16は、第１の冷却遮蔽20に覆われていて
約２０°Ｋに維持されている。第２の冷却遮蔽アセンブ
リ22は約７０°Ｋに冷却されている。第１、第２の冷却
遮蔽は、図示しない機械冷凍により冷却されることが望
ましい。環状真空チャンバ24は、冷却遮蔽を囲んで真空
レザーバを限定している。真空チャンバ24は、円筒形で
誘電性がありボア12を限定しｚ軸に平行に延長される部
材26を有している。主磁界が円筒形部材26を通過するよ
うに生成される。マイラー絶縁材が真空チャンバと冷却
遮蔽との間に設置される。
【００２５】さらに図１、および図２を参照すると、Ｒ
Ｆコイルアセンブリ30がボア12内に搭載されている。さ
らに詳しく述べると、ＲＦコイルアセンブリ30は、ＲＦ
コイル32とＲＦ遮蔽つまりスクリーン34を有している。
この主ＲＦコイル32は、直角位相または鳥篭タイプのコ
イルであることが望ましく、内部直径が少なくとも５５
ｃｍの被検体収容ボアを限定することが望ましい。
Ｆコイルアセンブリ30がボア12内に搭載されている。さ
らに詳しく述べると、ＲＦコイルアセンブリ30は、ＲＦ
コイル32とＲＦ遮蔽つまりスクリーン34を有している。
この主ＲＦコイル32は、直角位相または鳥篭タイプのコ
イルであることが望ましく、内部直径が少なくとも５５
ｃｍの被検体収容ボアを限定することが望ましい。
【００２６】自己遮蔽勾配コイルアセンブリ40は、主勾
配コイルアセンブリ42と第２のコイルアセンブリ44とを
有している。主勾配コイルアセンブリ42は、円筒形で誘
電性のある形成体46を有している。形成体46は、超伝導
コイル10および18の大きな安定磁界内の磁界勾配生成に
関連する影響力のもとにおいて形成体本来の構造を維持
できるだけの十分な厚さを持っていることが望ましい。
例えば、５−１０ｍｍ、好ましくは７．５ｍｍの厚さの
ガラス補強プラスチックであることが望ましい。また、
形成体46は、ｚ勾配コイル50のパターンに関連している
外側表面により限定または切断されている一連の溝48を
含んでいる。
配コイルアセンブリ42と第２のコイルアセンブリ44とを
有している。主勾配コイルアセンブリ42は、円筒形で誘
電性のある形成体46を有している。形成体46は、超伝導
コイル10および18の大きな安定磁界内の磁界勾配生成に
関連する影響力のもとにおいて形成体本来の構造を維持
できるだけの十分な厚さを持っていることが望ましい。
例えば、５−１０ｍｍ、好ましくは７．５ｍｍの厚さの
ガラス補強プラスチックであることが望ましい。また、
形成体46は、ｚ勾配コイル50のパターンに関連している
外側表面により限定または切断されている一連の溝48を
含んでいる。
【００２７】ＲＦ遮蔽34は、被覆され断熱された銅片つ
まり薄型銅製メッシュであることが望ましく、そのよう
なＲＦ遮蔽は、形成体46の外側表面およびｚコイルをは
め込む溝48に適用される。電着された、つまり被覆され
た薄型電導膜のようなその他の種類のＲＦ遮蔽34も考え
られている。ＲＦ遮蔽メッシュは、しっかりと変形され
て断熱されたｚ勾配ワイヤ巻線により溝に取り付けら
れ、溝に延長された半田接続、被覆セグメント等を含ん
でいる。溝48は、ｚ勾配コイルの厚さと同様の深さであ
り、ｚ勾配コイルが挿入されると、実質的に円形の表面
が提供され、ｘ、ｙ勾配コイル52、54がはめ込まれる。
ｚ勾配コイルが巻線である場合、またはＲＦ周波数での
多大なエディ電流を保持しない構成である場合、ＲＦ遮
蔽はｚ勾配コイルの全て、または一部分の外側に設置さ
れる。ｘ、ｙ勾配コイル52、54は、特願平５−２４６２
７８号に示されているように指紋タイプのコイルである
ことが望ましい。円形であるために、実質的にｘ、ｙ勾
配コイルは夫々独立したものであるが、夫々が直角にな
るように設置されている。ｘ、ｙ勾配コイル、ＲＦ遮
蔽、およびｚ勾配コイルは、エポキシあるいは他の誘電
性物質内に設置されている。変形されたスクリーンＲＦ
遮蔽および指紋タイプのコイルは、ポッチング用物質が
入流する経路を提供するのでポッチング処理に有用であ
る。
まり薄型銅製メッシュであることが望ましく、そのよう
なＲＦ遮蔽は、形成体46の外側表面およびｚコイルをは
め込む溝48に適用される。電着された、つまり被覆され
た薄型電導膜のようなその他の種類のＲＦ遮蔽34も考え
られている。ＲＦ遮蔽メッシュは、しっかりと変形され
て断熱されたｚ勾配ワイヤ巻線により溝に取り付けら
れ、溝に延長された半田接続、被覆セグメント等を含ん
でいる。溝48は、ｚ勾配コイルの厚さと同様の深さであ
り、ｚ勾配コイルが挿入されると、実質的に円形の表面
が提供され、ｘ、ｙ勾配コイル52、54がはめ込まれる。
ｚ勾配コイルが巻線である場合、またはＲＦ周波数での
多大なエディ電流を保持しない構成である場合、ＲＦ遮
蔽はｚ勾配コイルの全て、または一部分の外側に設置さ
れる。ｘ、ｙ勾配コイル52、54は、特願平５−２４６２
７８号に示されているように指紋タイプのコイルである
ことが望ましい。円形であるために、実質的にｘ、ｙ勾
配コイルは夫々独立したものであるが、夫々が直角にな
るように設置されている。ｘ、ｙ勾配コイル、ＲＦ遮
蔽、およびｚ勾配コイルは、エポキシあるいは他の誘電
性物質内に設置されている。変形されたスクリーンＲＦ
遮蔽および指紋タイプのコイルは、ポッチング用物質が
入流する経路を提供するのでポッチング処理に有用であ
る。
【００２８】また、さらなる多様性のある構成も考えら
れている。まず、ｚ勾配コイルに溝が提供される必要が
ないものがある。ｚ勾配コイル50は、ＲＦ遮蔽54の先端
の層に被覆されている。また、指紋タイプまたは他の
ｘ、ｙ勾配コイルが先端に設置されたＲＦスクリーン
と、また後部に設置されたｚ勾配コイル上に被覆された
ものも考えられている。次に、ｚ勾配コイルに溝48が提
供されると、フォイル片または他のＲＦ遮蔽物質が溝に
はめ込まれ、そして連続したシート状または小片状のＲ
ＦメッシュつまりＲＦ遮蔽がｚ勾配コイルに巻きつけら
れる。半田接続、容量被覆接続のような接続法によりｚ
勾配コイルの下方に挿入されたＲＦ遮蔽およびＲＦ遮蔽
を保持するものとの間が電気的に接続される。さらに、
断熱性ｚ勾配コイルが独立した束状巻線コイル、または
分配コイルであるもの。またさらに、ある力でｚ勾配コ
イルを巻くことにより、ＲＦ遮蔽スクリーンは溝にはめ
込まれるものがある。
れている。まず、ｚ勾配コイルに溝が提供される必要が
ないものがある。ｚ勾配コイル50は、ＲＦ遮蔽54の先端
の層に被覆されている。また、指紋タイプまたは他の
ｘ、ｙ勾配コイルが先端に設置されたＲＦスクリーン
と、また後部に設置されたｚ勾配コイル上に被覆された
ものも考えられている。次に、ｚ勾配コイルに溝48が提
供されると、フォイル片または他のＲＦ遮蔽物質が溝に
はめ込まれ、そして連続したシート状または小片状のＲ
ＦメッシュつまりＲＦ遮蔽がｚ勾配コイルに巻きつけら
れる。半田接続、容量被覆接続のような接続法によりｚ
勾配コイルの下方に挿入されたＲＦ遮蔽およびＲＦ遮蔽
を保持するものとの間が電気的に接続される。さらに、
断熱性ｚ勾配コイルが独立した束状巻線コイル、または
分配コイルであるもの。またさらに、ある力でｚ勾配コ
イルを巻くことにより、ＲＦ遮蔽スクリーンは溝にはめ
込まれるものがある。
【００２９】複数のＩビームまたは他の機械装置56は、
勾配形成体46を超伝導マグネットの円筒形部材26の外側
表面に設置する。複数のＩビームまたは他の機械支持56
は、主マグネット磁界シムを収容するための十分な間隙
を限定し（図示せず）、特に複数の鉄製部材により主磁
界の均一性がシムされる。
勾配形成体46を超伝導マグネットの円筒形部材26の外側
表面に設置する。複数のＩビームまたは他の機械支持56
は、主マグネット磁界シムを収容するための十分な間隙
を限定し（図示せず）、特に複数の鉄製部材により主磁
界の均一性がシムされる。
【００３０】第２の勾配コイル44は、好ましくはｚ勾配
遮蔽コイル62を収容する溝60を含んでいる円筒形の誘電
性部材26を有している。ｘ、ｙ勾配遮蔽つまり第２のコ
イル64、66が、形成体26の外側円筒形の周辺およびエポ
キシポッチング68内に設置されている。
遮蔽コイル62を収容する溝60を含んでいる円筒形の誘電
性部材26を有している。ｘ、ｙ勾配遮蔽つまり第２のコ
イル64、66が、形成体26の外側円筒形の周辺およびエポ
キシポッチング68内に設置されている。
【００３１】ｘ、ｙ、ｚ勾配コイルおよび遮蔽遮蔽コイ
ルの構造は、上記特願平５−２４６２７８号に記載の構
造であることが望ましい。主および第２の勾配コイル
は、ボア12内に適切な勾配磁界を生成するために接続さ
れ、ボアの外側、特に真空チャンバ内の磁界を相殺す
る。直径３３ｍｍ以上のリングが主勾配コイル形成体46
と円筒形部材26との間に設置されている。それにより空
気冷却用経路が提供され、また、主および遮蔽勾配コイ
ルが最大限置き換えられ、主磁界の均一性をシムする磁
界シムが挿入される場所が提供される。円筒形部材26
は、Ｏリング接続部70により真空チャンバ24の他の部分
と接続されていて、真空チャンバ24が冷却遮蔽アセンブ
リが設置される部分を最大限拡張するような構造におい
て保持されている。
ルの構造は、上記特願平５−２４６２７８号に記載の構
造であることが望ましい。主および第２の勾配コイル
は、ボア12内に適切な勾配磁界を生成するために接続さ
れ、ボアの外側、特に真空チャンバ内の磁界を相殺す
る。直径３３ｍｍ以上のリングが主勾配コイル形成体46
と円筒形部材26との間に設置されている。それにより空
気冷却用経路が提供され、また、主および遮蔽勾配コイ
ルが最大限置き換えられ、主磁界の均一性をシムする磁
界シムが挿入される場所が提供される。円筒形部材26
は、Ｏリング接続部70により真空チャンバ24の他の部分
と接続されていて、真空チャンバ24が冷却遮蔽アセンブ
リが設置される部分を最大限拡張するような構造におい
て保持されている。
【００３２】また、多様性のある様々な実施例も考えら
れている。まず、ｚ勾配コイル50が銅または他の電導性
管により限定された分配コイルであり、その管に冷却剤
を流し込むことにより高い冷却効果が得られ、高い電力
レベルつまり高い勾配力が得られるものがある。
れている。まず、ｚ勾配コイル50が銅または他の電導性
管により限定された分配コイルであり、その管に冷却剤
を流し込むことにより高い冷却効果が得られ、高い電力
レベルつまり高い勾配力が得られるものがある。
【００３３】冷却コイル22は、円筒形誘電性形成体74上
に搭載された細型管状円筒形冷却遮蔽部72を有している
ことが望ましい。
に搭載された細型管状円筒形冷却遮蔽部72を有している
ことが望ましい。
【００３４】シーケンス制御手段80は、勾配コイル制御
手段82および送出器84を制御する。勾配コイル制御手段
82は電流パルス生成器86と直列に接続され、電流パルス
生成器86は、主勾配コイル50、52、54および第２の勾配
コイル62、64、66と接続されている。送出器84は、デジ
タル送出器であることが望ましく、また、ボア内の被検
体の一部分の選択された双極アンテナ内の磁気共鳴を励
起し制御する無線周波数信号のパルスを生成する主無線
周波数コイルと接続されていることが望ましい。無線周
波数受信器88は、デジタル受信器であることが望まし
く、また、被検体の検査された部分からでてきた磁気共
鳴信号を復調する無線周波数主コイルまたは表面コイル
（図示せず）と接続されていることが望ましい。逆二次
フーリエ変換修復手段のような画像修復手段90は、受信
された磁気共鳴信号を、画像メモリ９２に記録される電
気画像表示用に修復する。ビデオ処理器９４は、画像メ
モリ９２に記録された電気画像をビデオモニタ96表示に
適する様式に変換する。
手段82および送出器84を制御する。勾配コイル制御手段
82は電流パルス生成器86と直列に接続され、電流パルス
生成器86は、主勾配コイル50、52、54および第２の勾配
コイル62、64、66と接続されている。送出器84は、デジ
タル送出器であることが望ましく、また、ボア内の被検
体の一部分の選択された双極アンテナ内の磁気共鳴を励
起し制御する無線周波数信号のパルスを生成する主無線
周波数コイルと接続されていることが望ましい。無線周
波数受信器88は、デジタル受信器であることが望まし
く、また、被検体の検査された部分からでてきた磁気共
鳴信号を復調する無線周波数主コイルまたは表面コイル
（図示せず）と接続されていることが望ましい。逆二次
フーリエ変換修復手段のような画像修復手段90は、受信
された磁気共鳴信号を、画像メモリ９２に記録される電
気画像表示用に修復する。ビデオ処理器９４は、画像メ
モリ９２に記録された電気画像をビデオモニタ96表示に
適する様式に変換する。
【００３５】図３を参照すると、本発明は、遮蔽されて
いない勾配コイルにも適用可能であることがわかる。遮
蔽されていない勾配コイルでの実施例では、ＲＦ遮蔽メ
ッシュ34が真空チャンバ円筒形部材26の外側直径周辺に
被覆されていて、溝60に挿入されている部分がある。上
記されている主ｘ、ｙ、ｚ勾配コイル52、54、56は、Ｒ
Ｆ遮蔽32周辺に被覆されエポキシ内に設置されている。
超伝導マグネットアセンブリ内に主ｘ、ｙ、ｚ勾配コイ
ルを設置することにより、磁気共鳴撮像装置の有用なボ
アは、ＲＦ主コイルアセンブリ32の厚さ分だけ円筒形部
材26の内部直径よりも小さくなる。冷却遮蔽20、22およ
びヘリウムチャンバ16は、実質的に勾配遮蔽周波数での
エディ電流を保持しない物質で構成されている。ヘリウ
ムチャンバは、誘電性物質でできていることが利点とな
っている。冷却遮蔽20、22は熱伝導性はあるが、電気的
には抵抗性のあるグラファイトまたはダイヤモンド性の
物質でできている。また、冷却遮蔽は、熱伝導性および
電導性のある物質でできているが、複数の十分に狭くて
薄く、それにより低周波数のエディ電流が保持されない
ような銅またはアルミニウムメッシュで構成されること
もある。さらにまた、勾配遮蔽コイルは、増幅した熱荷
重を補償するための機械冷却が増幅されると冷却遮蔽22
により支持されることもある。
いない勾配コイルにも適用可能であることがわかる。遮
蔽されていない勾配コイルでの実施例では、ＲＦ遮蔽メ
ッシュ34が真空チャンバ円筒形部材26の外側直径周辺に
被覆されていて、溝60に挿入されている部分がある。上
記されている主ｘ、ｙ、ｚ勾配コイル52、54、56は、Ｒ
Ｆ遮蔽32周辺に被覆されエポキシ内に設置されている。
超伝導マグネットアセンブリ内に主ｘ、ｙ、ｚ勾配コイ
ルを設置することにより、磁気共鳴撮像装置の有用なボ
アは、ＲＦ主コイルアセンブリ32の厚さ分だけ円筒形部
材26の内部直径よりも小さくなる。冷却遮蔽20、22およ
びヘリウムチャンバ16は、実質的に勾配遮蔽周波数での
エディ電流を保持しない物質で構成されている。ヘリウ
ムチャンバは、誘電性物質でできていることが利点とな
っている。冷却遮蔽20、22は熱伝導性はあるが、電気的
には抵抗性のあるグラファイトまたはダイヤモンド性の
物質でできている。また、冷却遮蔽は、熱伝導性および
電導性のある物質でできているが、複数の十分に狭くて
薄く、それにより低周波数のエディ電流が保持されない
ような銅またはアルミニウムメッシュで構成されること
もある。さらにまた、勾配遮蔽コイルは、増幅した熱荷
重を補償するための機械冷却が増幅されると冷却遮蔽22
により支持されることもある。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、磁気共鳴撮像装置は、
主および遮蔽勾配コイルとの間の距離を最大限拡張する
ことにより自己遮蔽勾配コイルの効率を向上することが
できるという利点がある。
主および遮蔽勾配コイルとの間の距離を最大限拡張する
ことにより自己遮蔽勾配コイルの効率を向上することが
できるという利点がある。
【００３７】また、本発明によれば、主ＲＦコイルＲＦ
遮蔽のと間の間隙が拡張され、Ｓ／Ｎ比が大きくなりＲ
Ｆ送出電流が低減されるという利点もある。
遮蔽のと間の間隙が拡張され、Ｓ／Ｎ比が大きくなりＲ
Ｆ送出電流が低減されるという利点もある。
【００３８】さらに、本発明によれば、超伝導マグネッ
トの内部直径を縮小する一方で、ＭＲＩマグネットの内
部使用ボアを最大限拡張できるという利点もある。
トの内部直径を縮小する一方で、ＭＲＩマグネットの内
部使用ボアを最大限拡張できるという利点もある。
【００３９】本発明によればさらに、設備の小型化が可
能となる。
能となる。
【図１】本発明による磁気共鳴撮像装置を示す図であ
る。
る。
【図２】ＲＦ主および遮蔽コイル、勾配主および遮蔽コ
イル、超伝導マグネット真空チャンバと冷却遮蔽との関
係を示した拡大詳細断面図である。
イル、超伝導マグネット真空チャンバと冷却遮蔽との関
係を示した拡大詳細断面図である。
【図３】超伝導マグネットの真空チャンバ内に設置され
ている主勾配コイルアセンブリの他の実施例を示す図で
ある。
ている主勾配コイルアセンブリの他の実施例を示す図で
ある。
【符号の説明】 10、18 超伝導コイル 12 ボア 16 ヘリウムチャンバ 20、22 冷却遮蔽 24 真空チャンバ 26 円筒形部材26 30 無線周波数コイルアセンブリ 32 ＲＦ主コイルアセンブリ 34 ＲＦ遮蔽メッシュ 40 自己遮蔽勾配コイルアセンブリ 42 主勾配コイルアセンブリ 44 第２のコイルアセンブリ 46 主勾配コイル形成体 48 溝 50 ｚ勾配コイル 52 ｘ勾配コイル 54 ｙ勾配コイル 56 ｚ勾配コイル 60 溝 62、64、66 第２の勾配コイル 68 エポキシポッチング 70 Ｏリング接続部 72 細型管状円筒形冷却遮蔽部 74 円筒形誘電性形成体 80 シーケンス制御手段 82 勾配コイル制御手段 84 ＲＦ送出器 86 電流パルス生成器 88 受信器 90 画像修復装置 92 画像メモリ 94 ビデオ処理器 96 ビデオモニタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マイケル エイ．モリッチ アメリカ合衆国 オハイオ州 44060，メ ントー，ジェリミイ アヴェニュ 7580 (72)発明者 ジョン エル． パトリック アメリカ合衆国 オハイオ州 44022，シ ャグリン フォールズ，スタフォード ド ライヴ 9495 (72)発明者 ズーミング （エヌエムアイ） ズー アメリカ合衆国 オハイオ州 44026，チ ェスターフィールド，チェスターフィール ド レーン 12690
Claims (20)
- 【請求項１】 磁気共鳴撮像装置において、該装置は、 検査領域を通過する一時的な安定磁界を生成する環状超
伝導マグネットアセンブリ（10、18、14、16、20、22、
24、26）を含み、 前記超伝導マグネットアセンブリ（10、18、14、16、2
0、22、24、26）は、 前記検査領域周辺に延長されるボア12を限定する円筒形
部材26と、 前記ボア12内において磁界勾配を発生させる自己遮蔽勾
配コイル手段40とを有し、 前記自己遮蔽勾配コイル手段40は、 前記円筒形部材26から置き換えられたボア12内に設置さ
れている円筒形形成体46と、 前記形成体46により支持されている主勾配コイルアセン
ブリ42と、 前記主勾配コイルアセンブリ42と接続され、前記形成体
46内において整合された磁界が選択された磁界勾配を生
成し、少なくとも前記遮蔽勾配コイルアセンブリ44の外
側の選択された領域において前記整合された磁界は実質
的に零である前記主勾配コイルアセンブリ42と置き換え
られその周辺に設置された遮蔽勾配コイルアセンブリ44
と、 前記検査領域に無線周波数パルスを送出する前記ボア12
内に設置されているＲＦコイルアセンブリ30と、 前記勾配コイル手段40と前記無線周波数コイルアセンブ
リ30を制御するシーケンス制御手段80とを有することを
特徴とする磁気共鳴撮像装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の装置において、前記Ｒ
Ｆコイルアセンブリ30は、前記形成体内に設置されてい
る無線周波数コイルおよび、前記形成体と前記主勾配コ
イルアセンブリ間に設置されている無線周波数遮蔽とを
有することを特徴とする磁気共鳴撮像装置。 - 【請求項３】 磁気共鳴撮像装置において、該装置は、 前記検査領域周辺に延長される縦方向延長ボアを限定す
るための、おおむね円筒形で誘電性のある部材を有する
環状超伝導マグネットアセンブリと、 前記円筒形部材の外側により支持されている第１の勾配
コイルアセンブリを含む、前記ボア内において磁界勾配
を引き起こす勾配コイル手段と、 前記検査領域に無線周波数パルスを送出する、前記ボア
内に設置されているＲＦコイルアセンブリと、 前記勾配コイル手段と前記無線周波数コイルアセンブリ
とを制御するシーケンス制御手段とを有することを特徴
とする磁気共鳴撮像装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の装置において、前記勾
配コイルアセンブリはさらに、 前記円筒形部材と置き換えられた前記ボア内に設置され
ている円筒形誘電形成体と、 前記形成体の外側により支持されている第２の勾配コイ
ルアセンブリとを有することを特徴とする磁気共鳴撮像
装置。 - 【請求項５】 請求項３に記載の装置において、前記Ｒ
Ｆコイルアセンブリは、前記ボア内に設置されている無
線周波数コイルと、前記円筒形部材周辺に被覆されてい
る無線周波数遮蔽とを有することを特徴とする磁気共鳴
撮像装置。 - 【請求項６】 磁気共鳴装置において、該装置は、 円筒形部材を含み中心ボアを限定する真空チャンバ、お
よび前記真空チャンバ内に設置され主磁界を前記ボアを
通過するように生成する超伝導マグネットを含む超伝導
マグネットアセンブリと、 前記円筒形部材の内側表面と置き換えられた外側表面を
構成し、前記円筒形部材と同心円上にある前記ボア内に
設置されている円筒形誘電性形成体と、 前記形成体の外側表面に沿って設置されているＲＦ遮蔽
と、 前記形成体内に設置されている無線周波数コイルとを有
することを特徴とする磁気共鳴装置。 - 【請求項７】 請求項６に記載の装置において、該装置
はさらに、前記形成体の外側表面により支持されている
主勾配コイルを含む自己遮蔽勾配コイルアセンブリを有
することを特徴とする磁気共鳴装置。 - 【請求項８】 請求項７に記載の装置において、前記無
線周波数遮蔽は、前記自己遮蔽勾配コイルアセンブリと
前記形成体の外側表面の間に設置されている電導性のあ
るメッシュを有することを特徴とする磁気共鳴装置。 - 【請求項９】 請求項６に記載の装置において、該装置
はさらに、前記無線周波数遮蔽周辺の前記形成体の外側
表面に搭載されていて、前記ボア内において選択的に磁
界勾配を生成する主勾配コイルアセンブリを有すること
を特徴とする磁気共鳴装置。 - 【請求項１０】 請求項９に記載の装置において、該装
置はさらに、前記真空チャンバ内の前記円筒形部材周辺
に搭載されていて、前記真空チャンバ内において主勾配
コイルアセンブリにより生成された磁界勾配を相殺する
磁界勾配遮蔽コイルアセンブリを有することを特徴とす
る磁気共鳴装置。 - 【請求項１１】 磁気共鳴撮像装置において、該装置
は、 おおむね環状の真空チャンバであり、前記検査領域を通
過するように延長されたボアを限定する円筒形の誘電性
部材と、前記ボアおよび検査領域を縦方法に通過する主
磁界を生成するための前記環状真空チャンバ内に設置さ
れている環状超伝導マグネットと、前記環状真空チャン
バ内および前記環状超伝導マグネット周辺に設置されて
いて前記超伝導マグネットを超伝導性を保持できる温度
に維持するヘリウムチャンバを含むような真空チャンバ
と、 第１、第２、第３の共通に直交する軸に沿って設置され
ている前記ボア内に磁界勾配を引き起こす勾配コイルア
センブリで、前記真空チャンバ内の円筒形誘電性部材の
外側表面により支持されていて前記第１、第２、第３の
軸に沿って磁界勾配を生成する第１の直径勾配コイルを
含むような勾配コイルアセンブリと、 前記検査領域に無線周波数パルスを送出し前記検査領域
内の選択された双極アンテナの磁気共鳴を誘発し制御す
るための前記ボア内に設置されている無線周波数コイル
アセンブリと、 磁気共鳴撮像用勾配およびＲＦパルスシーケンスを生成
する前記勾配コイルアセンブリと前記無線周波数コイル
アセンブリを制御するシーケンス制御手段とにより構成
されている通常均一な磁界を検査領域を通過するように
生成する超伝導マグネットアセンブリを有することを特
徴とする磁気共鳴撮像装置。 - 【請求項１２】 請求項11に記載の装置において、前記
勾配コイルアセンブリはさらに、 前記ボア内に設置され前記真空チャンバ円筒形部材と置
き換えられた円筒形で誘電性のある形成体と、 前記第１の直径勾配コイルと接続され、前記第１の直径
勾配コイルの外側の選択された領域においては実質的に
零である整合された磁界が生成される、前記形成体の外
側表面により支持されていて前記第１、第２、第３の軸
に沿って磁界勾配を生成する複数の第２の直径勾配コイ
ルとを有することを特徴とする磁気共鳴撮像装置。 - 【請求項１３】 請求項12に記載の装置において、前記
無線周波数コイルアセンブリは、前記形成体内に設置さ
れている主無線周波数コイルと、実質的に前記形成体の
外側表面に沿って設置されている無線周波数遮蔽とを有
することを特徴とする磁気共鳴撮像装置。 - 【請求項１４】 請求項13に記載の装置において、前記
形成体は、前記第２の直径勾配コイルと、前記第２の直
径勾配コイルの一部分の下方の溝を通過するように延長
されそれにより前記第２の直径勾配コイルと前記主ＲＦ
コイルの間に設置されるＲＦ遮蔽とをはめ込むための、
形成体の外側表面によって限定された溝を含むことを特
徴とする磁気共鳴撮像装置。 - 【請求項１５】 請求項13に記載の装置において、前記
無線周波数遮蔽は薄型の金属製メッシュを有することを
特徴とする磁気共鳴撮像装置。 - 【請求項１６】 請求項15に記載の装置において、前記
ＲＦ遮蔽および前記勾配コイルアセンブリはエポキシ内
およびポッティングを行うエポキシ流出経路を限定する
前記ＲＦ遮蔽メッシュ内において被覆されていることを
特徴とする磁気共鳴撮像装置。 - 【請求項１７】 請求項12に記載の装置において、前記
真空チャンバ円筒形部材は、少なくとも前記第１の直径
勾配コイルアセンブリの一部分をはめ込むための真空チ
ャンバの外側表面の溝を限定することを特徴とする磁気
共鳴撮像装置。 - 【請求項１８】 請求項12に記載の装置において、該装
置はさらに、一定の間隔をもって前記真空チャンバ円筒
形部材を囲み前記エディ電流の発生を抑制する熱伝導性
管を含み、前記ヘリウムチャンバと前記円筒形真空チャ
ンバとの間に設置されている少なくとも一つの冷却遮蔽
を有することを特徴とする磁気共鳴撮像装置。 - 【請求項１９】 請求項11に記載の装置において、前記
ＲＦコイルアセンブリは、前記真空チャンバ円筒形部材
内に設置されている無線周波数コイルおよび実質的に前
記真空チャンバ円筒形部材の外側表面に沿って設置され
ている無線周波数遮蔽とを有することを特徴とする磁気
共鳴撮像装置。 - 【請求項２０】 請求項19に記載の装置において、前記
円筒形部材は、円筒形部材の外側表面により限定され、
さらに大きい直径勾配コイルの一部分と、前記第１の直
径勾配コイルと前記無線周波数ＲＦコイルの少なくとも
幾つかの間に設置されている前記さらに大きい直径勾配
コイルの一部分の下方の溝を通過して延長されるＲＦ遮
蔽をはめ込むための溝を有することを特徴とする磁気共
鳴撮像装置。
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