JPH07300669A - シート状プラズマを用いたスパッタリング装置 - Google Patents
シート状プラズマを用いたスパッタリング装置Info
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- JPH07300669A JPH07300669A JP9272394A JP9272394A JPH07300669A JP H07300669 A JPH07300669 A JP H07300669A JP 9272394 A JP9272394 A JP 9272394A JP 9272394 A JP9272394 A JP 9272394A JP H07300669 A JPH07300669 A JP H07300669A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 均一な厚さを有する膜を成膜できるスパッタ
リング装置を提供すること。 【構成】 ターゲット部１８近くの陰極１１側及び陽極
１７側に緩衝電極２５を備えた。
リング装置を提供すること。 【構成】 ターゲット部１８近くの陰極１１側及び陽極
１７側に緩衝電極２５を備えた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シート状プラズマを用
いたスパッタリング装置に関する。
いたスパッタリング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、この種のスパッタリング装置とし
て、プラズマ源として作用する陰極によって発生された
円柱状のプラズマをプラズマ成形室に設けられた永久磁
石によって、シート状にし、このシート状プラズマをス
パッタリング室に設けられた陽極に導く形式のシートプ
ラズマ装置が提案されている（例えば、特開昭６３−２
２３１７１号）。
て、プラズマ源として作用する陰極によって発生された
円柱状のプラズマをプラズマ成形室に設けられた永久磁
石によって、シート状にし、このシート状プラズマをス
パッタリング室に設けられた陽極に導く形式のシートプ
ラズマ装置が提案されている（例えば、特開昭６３−２
２３１７１号）。
【０００３】より具体的にいえば、このシートプラズマ
装置では、スパッタリング室内に、シート状プラズマを
挟むように、スパッタされるべき物質によって形成され
たターゲットと、ターゲットからスパッタされた物質を
被着するするための基板とが互いに対向して設けられて
いる。この装置では、実際にスパッタリングを行ってい
る間、ターゲットには、バイアス電圧を印加することに
より、ターゲットを広い範囲に亘ってスパッタすること
ができ、結果として、広い範囲に亘って基板上に成膜で
きるという利点を有している。
装置では、スパッタリング室内に、シート状プラズマを
挟むように、スパッタされるべき物質によって形成され
たターゲットと、ターゲットからスパッタされた物質を
被着するするための基板とが互いに対向して設けられて
いる。この装置では、実際にスパッタリングを行ってい
る間、ターゲットには、バイアス電圧を印加することに
より、ターゲットを広い範囲に亘ってスパッタすること
ができ、結果として、広い範囲に亘って基板上に成膜で
きるという利点を有している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような構成を備え
たシートプラズマ装置では、ターゲット及び陽極近傍に
おいて均一なシート状プラズマを生成しても、一旦、タ
ーゲットにバイアス電圧を印加してスパッタリングを行
うと、シート状プラズマがターゲットと陽極間において
プラズマ密度が大きくなるという現象が見られ、均一な
厚さを有する膜を成膜できない場合が多いという欠点が
あった。
たシートプラズマ装置では、ターゲット及び陽極近傍に
おいて均一なシート状プラズマを生成しても、一旦、タ
ーゲットにバイアス電圧を印加してスパッタリングを行
うと、シート状プラズマがターゲットと陽極間において
プラズマ密度が大きくなるという現象が見られ、均一な
厚さを有する膜を成膜できない場合が多いという欠点が
あった。
【０００５】本発明の課題は、シート状プラズマの上記
プラズマ密度のアンバランスの原因を究明し、プラズマ
密度のアンバランスを防止することにより均一な厚さを
有する膜を成膜できるスパッタリング装置を提供するこ
とである。
プラズマ密度のアンバランスの原因を究明し、プラズマ
密度のアンバランスを防止することにより均一な厚さを
有する膜を成膜できるスパッタリング装置を提供するこ
とである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、シート
状プラズマのプラズマ密度のアンバランスの原因が電圧
を印加されたターゲットと陽極との間における電界の乱
れによるものであることを見出だし、ターゲットと陽極
との間の電界をターゲットの陰極側の電界と実質上同じ
状態にすることにより、シート状プラズマのプラズマ密
度のアンバランスを防止できるスパッタリング装置が得
られる。
状プラズマのプラズマ密度のアンバランスの原因が電圧
を印加されたターゲットと陽極との間における電界の乱
れによるものであることを見出だし、ターゲットと陽極
との間の電界をターゲットの陰極側の電界と実質上同じ
状態にすることにより、シート状プラズマのプラズマ密
度のアンバランスを防止できるスパッタリング装置が得
られる。
【０００７】より具体的に言えば、本発明では、陰極か
らスパッタリング室に設置された陽極に向けてシート状
プラズマを発生させると共に、前記スパッタリング室に
は、ターゲット並びに基板を対向して配置したスパッタ
リング装置において、前記ターゲット近くの陰極側及び
陽極側の少なくとも陽極側に配置され、緩衝電極を備え
たことを特徴とする。
らスパッタリング室に設置された陽極に向けてシート状
プラズマを発生させると共に、前記スパッタリング室に
は、ターゲット並びに基板を対向して配置したスパッタ
リング装置において、前記ターゲット近くの陰極側及び
陽極側の少なくとも陽極側に配置され、緩衝電極を備え
たことを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明においては、ターゲットの陰極側と陽極
側における電界がスパッタリング中、実質上同一に保た
れるため、シート状プラズマの状態はターゲットの陰極
側においても、陽極側においても変化しない。したがっ
て、シート状プラズマはターゲットの陽極側で、プラズ
マ密度のアンバランスによるスパッタリングの不均一性
も防止できる。
側における電界がスパッタリング中、実質上同一に保た
れるため、シート状プラズマの状態はターゲットの陰極
側においても、陽極側においても変化しない。したがっ
て、シート状プラズマはターゲットの陽極側で、プラズ
マ密度のアンバランスによるスパッタリングの不均一性
も防止できる。
【０００９】
【実施例】図１を参照すると、本発明の一実施例に係る
シート状プラズマを用いたスパッタリング装置は、プラ
ズマ源として動作する陰極部１１を備え、この陰極部１
１は円柱状のプラズマを発生する。陰極部１１には、円
柱状プラズマをシート状に成形するシートプラズマ成形
室１２が開口部を介して接続されている。陰極部１１と
シートプラズマ成形室１２との間には、２つの中間電極
部１３が設けられており、これらの中間電極部１３によ
って、陰極部１１からのプラズマは陰極部より引き出さ
れる。この例では、シートプラズマ成形室１２の外側に
永久磁石（この例では上下１組として２組）１４が配置
されており、この永久磁石１４によって形成される磁場
により、円筒状プラズマはシート状プラズマ１０に成形
される。結果として、プラズマは図の表面に対して垂直
方向に広がり、シート状プラズマ１０を形成する。この
場合、プラズマの一部は、図示するように、永久磁石１
４によってシートプラズマ成形室１２の内壁の方向に吸
引され広がる。
シート状プラズマを用いたスパッタリング装置は、プラ
ズマ源として動作する陰極部１１を備え、この陰極部１
１は円柱状のプラズマを発生する。陰極部１１には、円
柱状プラズマをシート状に成形するシートプラズマ成形
室１２が開口部を介して接続されている。陰極部１１と
シートプラズマ成形室１２との間には、２つの中間電極
部１３が設けられており、これらの中間電極部１３によ
って、陰極部１１からのプラズマは陰極部より引き出さ
れる。この例では、シートプラズマ成形室１２の外側に
永久磁石（この例では上下１組として２組）１４が配置
されており、この永久磁石１４によって形成される磁場
により、円筒状プラズマはシート状プラズマ１０に成形
される。結果として、プラズマは図の表面に対して垂直
方向に広がり、シート状プラズマ１０を形成する。この
場合、プラズマの一部は、図示するように、永久磁石１
４によってシートプラズマ成形室１２の内壁の方向に吸
引され広がる。
【００１０】シートプラズマ成形室１２からのシート状
プラズマ１０は、スリット状の開口部を備えた中間電極
部１５を介して、スパッタリングを行うスパッタリング
室１６に導かれる。スパッタリング室１６内には、シー
ト状プラズマを受けることができるように、図の表面に
対して垂直方向に延びる陽極部１７が設けられている。
プラズマ１０は、スリット状の開口部を備えた中間電極
部１５を介して、スパッタリングを行うスパッタリング
室１６に導かれる。スパッタリング室１６内には、シー
ト状プラズマを受けることができるように、図の表面に
対して垂直方向に延びる陽極部１７が設けられている。
【００１１】また、スパッタリング室１６内の陽極部１
７前方、即ち、陽極部１７に対して陰極部１１側位置に
は、シート状プラズマを挟んで対向するように、ターゲ
ット部１８と、成膜されるべき基板を搭載したテーブル
１９とが設置されている。
７前方、即ち、陽極部１７に対して陰極部１１側位置に
は、シート状プラズマを挟んで対向するように、ターゲ
ット部１８と、成膜されるべき基板を搭載したテーブル
１９とが設置されている。
【００１２】更に、スパッタリング室１６の外側には、
スパッタリング室１６の陰極側と陽極側とにそれぞれ、
一対の外部磁場発生用の大径コイル２０が備えられてお
り、これらの大径コイル２０による磁場によって、シー
ト状プラズマ１０は陽極部１７方向に導かれている。
スパッタリング室１６の陰極側と陽極側とにそれぞれ、
一対の外部磁場発生用の大径コイル２０が備えられてお
り、これらの大径コイル２０による磁場によって、シー
ト状プラズマ１０は陽極部１７方向に導かれている。
【００１３】図示されているように、ターゲット部１８
には、バイアス電源２１によって、負のバイアス電圧が
スパッタリング室１６に対して印加されている。また、
スパッタリング室１６、シートプラズマ成形室１２、並
びに、２つの中間電極部１３は、それぞれ外部抵抗Ｒ１
〜Ｒ４を介して、主放電電源２２の＋側に接続されてい
る。中間電極部１５は陽極部１７と同電位になってい
る。
には、バイアス電源２１によって、負のバイアス電圧が
スパッタリング室１６に対して印加されている。また、
スパッタリング室１６、シートプラズマ成形室１２、並
びに、２つの中間電極部１３は、それぞれ外部抵抗Ｒ１
〜Ｒ４を介して、主放電電源２２の＋側に接続されてい
る。中間電極部１５は陽極部１７と同電位になってい
る。
【００１４】図１において、ターゲット部１８近くの陰
極側及び陽極側には、緩衝電極２５が設けられている。
具体的には、図示されたターゲット部１８は緩衝電極２
５によって外周を囲まれている。更に、図１の緩衝電極
２５はシート状プラズマ１０を挟んで、ターゲット部１
８と対称なシート状プラズマ１０の下側位置にも設けら
れている。
極側及び陽極側には、緩衝電極２５が設けられている。
具体的には、図示されたターゲット部１８は緩衝電極２
５によって外周を囲まれている。更に、図１の緩衝電極
２５はシート状プラズマ１０を挟んで、ターゲット部１
８と対称なシート状プラズマ１０の下側位置にも設けら
れている。
【００１５】図２（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）を参照し
て緩衝電極２５の第１の例について説明する。この例で
は、導電性金属による２つのコ字形のパイプ２５−１を
支持部材２５−２で連結して矩形状に構成した矩形体
を、導電性金属棒２５−３で連結すると共に、絶縁体を
介して支持脚２５−４によりシート状プラズマ１０の上
下に位置せしめるようにしている。支持脚２５−４は、
テーブル１９を支持した支柱に取り付けられたブラケッ
ト２５−５に支持されている。矩形体の大きさは、上下
共にターゲット部１８あるいはテーブル１９を囲むこと
ができるようにこれらよりやや大き目にしている。この
緩衝電極２５もまた、外部抵抗Ｒ５（図１）を介して主
放電電源２２の＋側に接続され、緩衝電極２５のパイプ
２５−１と支持部材２５−２と導電性金属棒２５−３が
同電位に保持されるようになっている。
て緩衝電極２５の第１の例について説明する。この例で
は、導電性金属による２つのコ字形のパイプ２５−１を
支持部材２５−２で連結して矩形状に構成した矩形体
を、導電性金属棒２５−３で連結すると共に、絶縁体を
介して支持脚２５−４によりシート状プラズマ１０の上
下に位置せしめるようにしている。支持脚２５−４は、
テーブル１９を支持した支柱に取り付けられたブラケッ
ト２５−５に支持されている。矩形体の大きさは、上下
共にターゲット部１８あるいはテーブル１９を囲むこと
ができるようにこれらよりやや大き目にしている。この
緩衝電極２５もまた、外部抵抗Ｒ５（図１）を介して主
放電電源２２の＋側に接続され、緩衝電極２５のパイプ
２５−１と支持部材２５−２と導電性金属棒２５−３が
同電位に保持されるようになっている。
【００１６】一例を示すと、シート状プラズマ１０の厚
さ方向の中心とターゲット部１８間の距離を２０ｍｍ、
シート状プラズマ１０の厚さ方向の中心とテーブル１９
上の基板間の距離を３０ｍｍとした場合、ターゲット部
１８の長さは２５０ｍｍ、上下の矩形体は４０ｍｍの間
隔をおいて配置される。
さ方向の中心とターゲット部１８間の距離を２０ｍｍ、
シート状プラズマ１０の厚さ方向の中心とテーブル１９
上の基板間の距離を３０ｍｍとした場合、ターゲット部
１８の長さは２５０ｍｍ、上下の矩形体は４０ｍｍの間
隔をおいて配置される。
【００１７】図３は緩衝電極の第２の例を示しており、
この緩衝電極３０は、シート状プラズマ１０の下側に位
置した導電性金属による２本のパイプ３０−１を支持部
材３０−２で連結して矩形状に構成し、支持部材３０−
２に立設された導電性金属棒３０−３を介してシート状
プラズマ１０の上側に位置した導電性金属による２本の
パイプ３０−１を支持部材３０−４で支持すると共に、
絶縁体を介して支持脚３０−５により支持部材３０−２
を支持するようにしている。パイプ３０−１の位置は、
図２に示されたものと同程度で良い。
この緩衝電極３０は、シート状プラズマ１０の下側に位
置した導電性金属による２本のパイプ３０−１を支持部
材３０−２で連結して矩形状に構成し、支持部材３０−
２に立設された導電性金属棒３０−３を介してシート状
プラズマ１０の上側に位置した導電性金属による２本の
パイプ３０−１を支持部材３０−４で支持すると共に、
絶縁体を介して支持脚３０−５により支持部材３０−２
を支持するようにしている。パイプ３０−１の位置は、
図２に示されたものと同程度で良い。
【００１８】図４は緩衝電極の第３、第４の例を示して
いる。図４（ａ）において、この緩衝電極３５は、図
２、図３に示した上下のパイプ及び支持部材等をひとつ
の導電性金属板で構成できるようにしたものである。す
なわち、四角枠状の金属板の互いに対向する辺にそれぞ
れ、シート状プラズマ１０の通過可能なスリット３５−
１を設けて成る。この矩形状の金属板の支持構造につい
ては、図２、図３に示したものと同じものを利用するこ
とができる。
いる。図４（ａ）において、この緩衝電極３５は、図
２、図３に示した上下のパイプ及び支持部材等をひとつ
の導電性金属板で構成できるようにしたものである。す
なわち、四角枠状の金属板の互いに対向する辺にそれぞ
れ、シート状プラズマ１０の通過可能なスリット３５−
１を設けて成る。この矩形状の金属板の支持構造につい
ては、図２、図３に示したものと同じものを利用するこ
とができる。
【００１９】図４（ｂ）は図４（ａ）の緩衝電極３５の
変形例で、所定間隔（図４ａのスリット３５−１と同程
度の間隔）をおいた上下一対の導電性金属板３７−１に
よる緩衝電極３７をターゲット部１８近くの陰極側及び
陽極側にそれぞれ配置し、互いに同電位に保持するよう
に構成する。
変形例で、所定間隔（図４ａのスリット３５−１と同程
度の間隔）をおいた上下一対の導電性金属板３７−１に
よる緩衝電極３７をターゲット部１８近くの陰極側及び
陽極側にそれぞれ配置し、互いに同電位に保持するよう
に構成する。
【００２０】再び図１を参照して、ターゲット部１８に
バイアス電圧を印加すると、緩衝電極が無い場合にはタ
ーゲット部１８付近のシート状プラズマ１０と陽極１７
間の電界が他の領域よりも大きくなるため、陽極部１７
付近のシート状プラズマ１０の密度が大きくなり、この
状態でスパッタリングを行うと膜厚ムラが生じ、膜厚分
布の対称性が壊れてしまうことは前述した通りである。
バイアス電圧を印加すると、緩衝電極が無い場合にはタ
ーゲット部１８付近のシート状プラズマ１０と陽極１７
間の電界が他の領域よりも大きくなるため、陽極部１７
付近のシート状プラズマ１０の密度が大きくなり、この
状態でスパッタリングを行うと膜厚ムラが生じ、膜厚分
布の対称性が壊れてしまうことは前述した通りである。
【００２１】これは、バイアス電圧を印加する前には均
一なシート状プラズマ１０を生成していても、一旦、タ
ーゲット部１８にバイアス電圧を印加した場合、この電
圧の影響によりターゲット部１８の直下のシート状プラ
ズマ１０から陽極部１７側や陰極側等の周囲に向かって
シート状プラズマ１０中に新たな電位が重畳されてしま
う。特に、ターゲット部１８と陽極部１７の間には、電
界が大きくなるように作用するため、この部分でのプラ
ズマ密度も大きくなってしまう。
一なシート状プラズマ１０を生成していても、一旦、タ
ーゲット部１８にバイアス電圧を印加した場合、この電
圧の影響によりターゲット部１８の直下のシート状プラ
ズマ１０から陽極部１７側や陰極側等の周囲に向かって
シート状プラズマ１０中に新たな電位が重畳されてしま
う。特に、ターゲット部１８と陽極部１７の間には、電
界が大きくなるように作用するため、この部分でのプラ
ズマ密度も大きくなってしまう。
【００２２】これに対し、ターゲット部１８の上流と下
流に緩衝電極を配置して等電位にした場合、ターゲット
部１８にバイアス電圧を印加することにより生ずる新た
な電界は、シート状プラズマ１０にとってターゲット部
１８の上流と下流とでは同じように影響を受けるので、
この部分では、従来のように電界の偏りによるプラズマ
密度のアンバランスが発生しない。
流に緩衝電極を配置して等電位にした場合、ターゲット
部１８にバイアス電圧を印加することにより生ずる新た
な電界は、シート状プラズマ１０にとってターゲット部
１８の上流と下流とでは同じように影響を受けるので、
この部分では、従来のように電界の偏りによるプラズマ
密度のアンバランスが発生しない。
【００２３】この時、緩衝電極の電位は、陽極部１７の
電位でも、中間電極部１５の電位でもスパッタリング室
１６の電位でも良い。また、ターゲット部１８にバイア
ス電圧を印加することによる影響は、ターゲット部１８
と陽極部１７との間とのシート状プラズマ１０のプラズ
マ密度に生ずるため、必ずしも、緩衝電極をターゲット
部１８の上流と下流に設ける必要な無く、ターゲット部
１８と陽極部１７との間にのみ設けるだけでも良い。ま
た、緩衝電極をスパッタリング室１６の電位や、中間電
極部１５の電位にすることでも、陽極部１７の影響を低
減することができる。
電位でも、中間電極部１５の電位でもスパッタリング室
１６の電位でも良い。また、ターゲット部１８にバイア
ス電圧を印加することによる影響は、ターゲット部１８
と陽極部１７との間とのシート状プラズマ１０のプラズ
マ密度に生ずるため、必ずしも、緩衝電極をターゲット
部１８の上流と下流に設ける必要な無く、ターゲット部
１８と陽極部１７との間にのみ設けるだけでも良い。ま
た、緩衝電極をスパッタリング室１６の電位や、中間電
極部１５の電位にすることでも、陽極部１７の影響を低
減することができる。
【００２４】従って、緩衝電極はターゲット部１８近く
の陰極側及び陽極側の少なくとも陽極側にあれば良いの
であり、ターゲット部１８を囲み得るような矩形状にし
たり、パイプ状のものを使用する必要は無い。言い換え
れば、緩衝電極はターゲット部１８近くの陰極側及び陽
極側に個別に配置されても良いし、少なくともターゲッ
ト部１８近くの陽極側に配置されていれば良い。また、
シート状プラズマ１０を挟む上下に配置する必要も無
い。更に、陽極がプラズマ源側にある場合にも、その側
にのみ配置すれば良い。
の陰極側及び陽極側の少なくとも陽極側にあれば良いの
であり、ターゲット部１８を囲み得るような矩形状にし
たり、パイプ状のものを使用する必要は無い。言い換え
れば、緩衝電極はターゲット部１８近くの陰極側及び陽
極側に個別に配置されても良いし、少なくともターゲッ
ト部１８近くの陽極側に配置されていれば良い。また、
シート状プラズマ１０を挟む上下に配置する必要も無
い。更に、陽極がプラズマ源側にある場合にも、その側
にのみ配置すれば良い。
【００２５】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ばターゲット部付近に緩衝電極を配置してターゲット部
付近の電界の乱れを防ぐようにしたことにより、ターゲ
ット部付近において一様なシート状プラズマを形成維持
することができる。その結果、基板上に広い範囲に亘っ
て均一な厚さの被膜を形成することができる。
ばターゲット部付近に緩衝電極を配置してターゲット部
付近の電界の乱れを防ぐようにしたことにより、ターゲ
ット部付近において一様なシート状プラズマを形成維持
することができる。その結果、基板上に広い範囲に亘っ
て均一な厚さの被膜を形成することができる。
【図１】本発明によるスパッタリング装置を側面から見
た縦断面図である。
た縦断面図である。
【図２】本発明の要部である緩衝電極の第１の例を示し
た図であり、図ａは平面図、図ｂは側面図、図ｃは正面
図である。
た図であり、図ａは平面図、図ｂは側面図、図ｃは正面
図である。
【図３】本発明の要部である緩衝電極の第２の例を示し
た図であり、図ａは平面図、図ｂは側面図、図ｃは正面
図である。
た図であり、図ａは平面図、図ｂは側面図、図ｃは正面
図である。
【図４】本発明の要部である緩衝電極の第３、第４の例
を示した図である。
を示した図である。
１０ シート状プラズマ １１ 陰極部 １２ シートプラズマ成形室 １３、１５ 中間電極部 １４ 永久磁石 １６ スパッタリング室 １７ 陽極部 １８ ターゲット部 １９ テーブル ２０ 大径コイル ２１ バイアス電源 ２２ 主放電電源 ２５、３０、３５、３７ 緩衝電極
Claims (5)
- 【請求項１】 陰極からスパッタリング室に設置された
陽極に向けてシート状プラズマを発生させると共に、前
記スパッタリング室には、ターゲット並びに基板を対向
して配置したスパッタリング装置において、前記ターゲ
ット近くの陰極側及び陽極側の少なくとも陽極側に配置
され、導電性の緩衝電極を備えたことを特徴とするシー
ト状プラズマを用いたスパッタリング装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のスパッタリング装置にお
いて、前記緩衝電極は、前記シート状プラズマを上下か
ら挟むように構成されていることを特徴とするシート状
プラズマを用いたスパッタリング装置。 - 【請求項３】 請求項２記載のスパッタリング装置にお
いて、前記緩衝電極は、導電性の四角枠状の金属板の互
いに対向する辺にそれぞれ前記シート状プラズマの通過
可能なスリットを設けて構成されることを特徴とするシ
ート状プラズマを用いたスパッタリング装置。 - 【請求項４】 請求項１記載のスパッタリング装置にお
いて、前記緩衝電極は、前記シート状プラズマより上方
のターゲット側だけに、該ターゲットを囲むように位置
付けられていることを特徴とするシート状プラズマを用
いたスパッタリング装置。 - 【請求項５】 請求項１記載のスパッタリング装置にお
いて、前記緩衝電極は、前記シート状プラズマより下方
の基板側だけに、該ターゲットを囲むように位置付けら
れていることを特徴とするシート状プラズマを用いたス
パッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6092723A JP3023745B2 (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | シート状プラズマを用いたスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6092723A JP3023745B2 (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | シート状プラズマを用いたスパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07300669A true JPH07300669A (ja) | 1995-11-14 |
| JP3023745B2 JP3023745B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=14062374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6092723A Expired - Fee Related JP3023745B2 (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | シート状プラズマを用いたスパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3023745B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008149513A1 (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-11 | Shinmaywa Industries, Ltd. | シートプラズマ成膜装置 |
| WO2009040972A1 (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-02 | Shinmaywa Industries, Ltd. | シートプラズマ成膜装置 |
| JP2010121184A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Shinmaywa Industries Ltd | スパッタリング装置 |
| JP2011066085A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Shinmaywa Industries Ltd | スパッタリング装置およびスパッタリング方法並びに成膜システム |
-
1994
- 1994-04-28 JP JP6092723A patent/JP3023745B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008149513A1 (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-11 | Shinmaywa Industries, Ltd. | シートプラズマ成膜装置 |
| WO2009040972A1 (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-02 | Shinmaywa Industries, Ltd. | シートプラズマ成膜装置 |
| JP2010121184A (ja) * | 2008-11-20 | 2010-06-03 | Shinmaywa Industries Ltd | スパッタリング装置 |
| JP2011066085A (ja) * | 2009-09-15 | 2011-03-31 | Shinmaywa Industries Ltd | スパッタリング装置およびスパッタリング方法並びに成膜システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3023745B2 (ja) | 2000-03-21 |
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