JPH07302915A - 半導体センサの製造方法 - Google Patents
半導体センサの製造方法Info
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- JPH07302915A JPH07302915A JP9407894A JP9407894A JPH07302915A JP H07302915 A JPH07302915 A JP H07302915A JP 9407894 A JP9407894 A JP 9407894A JP 9407894 A JP9407894 A JP 9407894A JP H07302915 A JPH07302915 A JP H07302915A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 検出感度にバラツキの少ない半導体センサを
製造する方法を提案する。 【構成】 一方の面に半導体薄膜が形成された半導体基
板から成る半導体ウエハの半導体基板の一部をエッチン
グにより除去し、残された半導体基板を半導体薄膜（ヒ
ンジ２Ａ〜２Ｄ）によって支持し、ヒンジの変形量から
荷重或いは加速度を検出する構造の半導体センサの製造
方法の中のヒンジとなる半導体薄膜だけを残すように半
導体基板をエッチング除去する工程において、エッチン
グ装置の全体を遮光するか、エッチングすべき半導体ウ
エハＷの向きを一方に揃え光の照射量を均一化した。
製造する方法を提案する。 【構成】 一方の面に半導体薄膜が形成された半導体基
板から成る半導体ウエハの半導体基板の一部をエッチン
グにより除去し、残された半導体基板を半導体薄膜（ヒ
ンジ２Ａ〜２Ｄ）によって支持し、ヒンジの変形量から
荷重或いは加速度を検出する構造の半導体センサの製造
方法の中のヒンジとなる半導体薄膜だけを残すように半
導体基板をエッチング除去する工程において、エッチン
グ装置の全体を遮光するか、エッチングすべき半導体ウ
エハＷの向きを一方に揃え光の照射量を均一化した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は例えば加速度センサの
ようなセンサを半導体によって製造する場合に用いる半
導体センサの製造方法に関する。
ようなセンサを半導体によって製造する場合に用いる半
導体センサの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に加速度センサは例えばバネ材で形
成したヒンジによって重りを支持し、加速度が与えられ
ることにより重りの慣性に応じてヒンジが変形し、この
ヒンジの変形量を例えば圧電素子のような歪み検出素子
等により電気信号に変換して加速度を検出する構造が採
られる。
成したヒンジによって重りを支持し、加速度が与えられ
ることにより重りの慣性に応じてヒンジが変形し、この
ヒンジの変形量を例えば圧電素子のような歪み検出素子
等により電気信号に変換して加速度を検出する構造が採
られる。
【０００３】微小な加速度を検出できる高感度の加速度
センサを作るには微小な加速度で変形するヒンジを必要
とする。樹脂等のシートによってヒンジを形成した場
合、樹脂シートは熱膨張率が比較的大きいからゼロ点変
動が大きく実用的でない。このため従来より半導体基板
に例えば気相成長法等により、半導体基板とは逆の導電
形式を採る半導体薄膜を成長形成し、この半導体薄膜に
よってヒンジを形成するように構成した半導体センサが
実用されている。
センサを作るには微小な加速度で変形するヒンジを必要
とする。樹脂等のシートによってヒンジを形成した場
合、樹脂シートは熱膨張率が比較的大きいからゼロ点変
動が大きく実用的でない。このため従来より半導体基板
に例えば気相成長法等により、半導体基板とは逆の導電
形式を採る半導体薄膜を成長形成し、この半導体薄膜に
よってヒンジを形成するように構成した半導体センサが
実用されている。
【０００４】図３乃至図５を用いてこの半導体センサの
製造方法を概略説明する。図３に示すように、例えばＰ
型の導電形式を採る半導体基板１の一方の面に、この半
導体基板１の導電形式とは逆の導電形式を採る、つまり
Ｎ型の導電形式の薄膜２を被着形成する。この薄膜２は
例えば気相成長法によって成長形成され、例えば１０μ
m 程度の厚みに形成される。
製造方法を概略説明する。図３に示すように、例えばＰ
型の導電形式を採る半導体基板１の一方の面に、この半
導体基板１の導電形式とは逆の導電形式を採る、つまり
Ｎ型の導電形式の薄膜２を被着形成する。この薄膜２は
例えば気相成長法によって成長形成され、例えば１０μ
m 程度の厚みに形成される。
【０００５】次にＰ型の半導体基板１の露出した面にマ
スクを施してエッチングにより図４に示すようにＰ型半
導体基板１に環状に凹溝３を形成する。この凹溝３の底
面にはＮ型半導体薄膜２が露出するようにする。つまり
Ｎ型の半導体薄膜２を残して環状に半導体基板１を除去
する。次に図５に示すように凹溝３の内側に残された半
導体基板の部分１Ａと外側の枠状に残された部分１Ｂと
の間を連結する部分２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄを残して他
の部分のＮ型半導体薄膜２を例えばエッチングにより除
去する。
スクを施してエッチングにより図４に示すようにＰ型半
導体基板１に環状に凹溝３を形成する。この凹溝３の底
面にはＮ型半導体薄膜２が露出するようにする。つまり
Ｎ型の半導体薄膜２を残して環状に半導体基板１を除去
する。次に図５に示すように凹溝３の内側に残された半
導体基板の部分１Ａと外側の枠状に残された部分１Ｂと
の間を連結する部分２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄを残して他
の部分のＮ型半導体薄膜２を例えばエッチングにより除
去する。
【０００６】この構造とすることにより、Ｐ型の半導体
基板１の中央に残された部分１Ａが重りとなり、外側に
残された部分１Ｂが支持枠となる。以下では部分１Ａを
重り、部分１Ｂを支持枠と称することにする。また部分
２Ａ〜２Ｄは重り１Ａを支持するヒンジとして作用す
る。ヒンジ２Ａ〜２Ｄには図６に示すように、例えばイ
オン打ち込み等の方法によりＰ型層を形成し、このＰ型
層により歪み検出素子Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４
及びＲ２１，Ｒ２２，Ｒ２３，Ｒ２４を形成し、これら
歪み検出素子Ｒ１１〜Ｒ１４及びＲ２１〜Ｒ２４により
ブリッジ回路を構成し、ヒンジ２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ
が重り１Ａに掛かる荷重に応じて変形するとき、その変
形量に応じて歪み検出素子Ｒ１１〜Ｒ１４及びＲ２１〜
Ｒ２４の抵抗値が変化してブリッジ回路からその変形量
に対応した電気出力を得ることができる。電気出力の大
小によって重り１Ａに掛かる荷重或いは加速度と、電気
出力の極性によって荷重の向き或いは加速度の向きを測
定することができる。
基板１の中央に残された部分１Ａが重りとなり、外側に
残された部分１Ｂが支持枠となる。以下では部分１Ａを
重り、部分１Ｂを支持枠と称することにする。また部分
２Ａ〜２Ｄは重り１Ａを支持するヒンジとして作用す
る。ヒンジ２Ａ〜２Ｄには図６に示すように、例えばイ
オン打ち込み等の方法によりＰ型層を形成し、このＰ型
層により歪み検出素子Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３，Ｒ１４
及びＲ２１，Ｒ２２，Ｒ２３，Ｒ２４を形成し、これら
歪み検出素子Ｒ１１〜Ｒ１４及びＲ２１〜Ｒ２４により
ブリッジ回路を構成し、ヒンジ２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ
が重り１Ａに掛かる荷重に応じて変形するとき、その変
形量に応じて歪み検出素子Ｒ１１〜Ｒ１４及びＲ２１〜
Ｒ２４の抵抗値が変化してブリッジ回路からその変形量
に対応した電気出力を得ることができる。電気出力の大
小によって重り１Ａに掛かる荷重或いは加速度と、電気
出力の極性によって荷重の向き或いは加速度の向きを測
定することができる。
【０００７】ここで図４に示した環状の凹溝３を形成す
るためのエッチング工程を図７に示す。図中４はエッチ
ング装置を構成するエッチング用容器、エッチング用容
器４には例えばＫＯＨ水溶液のようなエッチング液５が
満たされ、エッチング液５にエッチングすべき半導体ウ
エハＷが挿入される。半導体ウエハＷはエッチング用治
具６Ａ〜６Ｄに保持されてエッチング液５に浸されてい
る。エッチング用治具６Ａ〜６Ｄはエッチングすべき半
導体基板１の面を露出させるための窓を有し、この窓に
半導体基板１の面を圧接させてエッチング用治具６Ａ〜
６Ｄの内部にエッチング液が侵入しない構造とされる。
従って半導体基板１の反対側の面に形成したＮ型半導体
薄膜２にはエッチング液５は触れない状態とされる。こ
のようなエッチング用治具６Ａ〜６Ｄを複数並設し、各
エッチング用治具６Ａ〜６Ｄ内のＰ型の半導体基板１に
ポテンショスタッドと呼ばれる電圧源７から負電圧を与
え、Ｎ型の半導体薄膜２には正電圧を印加する。この極
性の電圧印加により半導体基板１と半導体薄膜２との間
は逆バイアスされ、半導体基板１と半導体薄膜２との間
には電流が流れない状態に維持される。半導体基板１に
与えた負電圧と、電極８に与えた中間電圧（半導体基板
１と半導体薄膜２との間の中間の電圧）とにより電解エ
ッチングが行われる。なお電極９は半導体基板１が除去
されて半導体薄膜２がエッチング面に露出したことを検
出するための電極である。つまり、半導体薄膜２がエッ
チング液５に触れる状態に露出すると正電位がエッチン
グ液５に接触することになり、電極９に電流が流れ始ま
る。この電流の流れ始めを検出してエッチングを終了す
る。
るためのエッチング工程を図７に示す。図中４はエッチ
ング装置を構成するエッチング用容器、エッチング用容
器４には例えばＫＯＨ水溶液のようなエッチング液５が
満たされ、エッチング液５にエッチングすべき半導体ウ
エハＷが挿入される。半導体ウエハＷはエッチング用治
具６Ａ〜６Ｄに保持されてエッチング液５に浸されてい
る。エッチング用治具６Ａ〜６Ｄはエッチングすべき半
導体基板１の面を露出させるための窓を有し、この窓に
半導体基板１の面を圧接させてエッチング用治具６Ａ〜
６Ｄの内部にエッチング液が侵入しない構造とされる。
従って半導体基板１の反対側の面に形成したＮ型半導体
薄膜２にはエッチング液５は触れない状態とされる。こ
のようなエッチング用治具６Ａ〜６Ｄを複数並設し、各
エッチング用治具６Ａ〜６Ｄ内のＰ型の半導体基板１に
ポテンショスタッドと呼ばれる電圧源７から負電圧を与
え、Ｎ型の半導体薄膜２には正電圧を印加する。この極
性の電圧印加により半導体基板１と半導体薄膜２との間
は逆バイアスされ、半導体基板１と半導体薄膜２との間
には電流が流れない状態に維持される。半導体基板１に
与えた負電圧と、電極８に与えた中間電圧（半導体基板
１と半導体薄膜２との間の中間の電圧）とにより電解エ
ッチングが行われる。なお電極９は半導体基板１が除去
されて半導体薄膜２がエッチング面に露出したことを検
出するための電極である。つまり、半導体薄膜２がエッ
チング液５に触れる状態に露出すると正電位がエッチン
グ液５に接触することになり、電極９に電流が流れ始ま
る。この電流の流れ始めを検出してエッチングを終了す
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した構造の半導体
センサによればヒンジ２Ａ〜２Ｄの膜厚によって荷重乃
至加速度の検出感度が決定されることは容易に理解でき
よう。ヒンジ２Ａ〜２Ｄの膜厚は主にＮ型の半導体薄膜
２の膜厚によって決まる。Ｎ型の半導体薄膜２の膜厚は
比較的容易に均一に作ることができる。しかしながら、
図７に示したエッチング工程を経てヒンジ２Ａ〜２Ｄを
形成し、半導体センサを完成させると各センサごとに感
度に大きくバラツキを持つことが解った。この原因を追
求した結果凹溝３を形成するエッチング工程に問題があ
ることが解明された。
センサによればヒンジ２Ａ〜２Ｄの膜厚によって荷重乃
至加速度の検出感度が決定されることは容易に理解でき
よう。ヒンジ２Ａ〜２Ｄの膜厚は主にＮ型の半導体薄膜
２の膜厚によって決まる。Ｎ型の半導体薄膜２の膜厚は
比較的容易に均一に作ることができる。しかしながら、
図７に示したエッチング工程を経てヒンジ２Ａ〜２Ｄを
形成し、半導体センサを完成させると各センサごとに感
度に大きくバラツキを持つことが解った。この原因を追
求した結果凹溝３を形成するエッチング工程に問題があ
ることが解明された。
【０００９】エッチング工程においてヒンジ２Ａ〜２Ｄ
となる部分の膜厚にバラツキが生じる原因としてはエッ
チング面に照射される光量の差であることが考えられ
る。つまり図７に示したエッチング工程において、容器
４の上部に光源Ｐが存在したとすると、エッチング用治
具６Ａ及び６Ｃに収納した半導体ウエハＷに照射される
光の量は少なく、エッチング用治具６Ｂと６Ｄに収納し
たウエハに照射される光の量は多い。この光量差からヒ
ンジ２Ａ〜２Ｄの部分の膜厚が異なることが判明した。
つまり、光の照射量が多い場合はヒンジ２Ａ〜２Ｄの膜
厚が薄く、照射量が少ない場合はヒンジ２Ａ〜２Ｄの膜
厚が厚くなることが解った。
となる部分の膜厚にバラツキが生じる原因としてはエッ
チング面に照射される光量の差であることが考えられ
る。つまり図７に示したエッチング工程において、容器
４の上部に光源Ｐが存在したとすると、エッチング用治
具６Ａ及び６Ｃに収納した半導体ウエハＷに照射される
光の量は少なく、エッチング用治具６Ｂと６Ｄに収納し
たウエハに照射される光の量は多い。この光量差からヒ
ンジ２Ａ〜２Ｄの部分の膜厚が異なることが判明した。
つまり、光の照射量が多い場合はヒンジ２Ａ〜２Ｄの膜
厚が薄く、照射量が少ない場合はヒンジ２Ａ〜２Ｄの膜
厚が厚くなることが解った。
【００１０】その理由としてはＰ型の半導体基板１に負
電圧を印加し、Ｎ型の半導体薄膜２に正電圧を印加した
状態でエッチングを行うから、ＰＮ接合部は逆バイアス
が掛けられている。この状態でエッチング面に光が照射
されると、ＰＮ接合界面で電子−ホール対の発生が起こ
り、逆バイアス電流の増加が引き起こされ、Ｐ型の半導
体基板１及びＮ型の半導体薄膜２間に印加している電圧
が低下する。このためＰＮ界面の空乏層幅が減少し、結
果的に光の照射量の多いウエハはヒンジが薄く、光の照
射量の少ないウエハとヒンジが厚くなるものと考えられ
る。
電圧を印加し、Ｎ型の半導体薄膜２に正電圧を印加した
状態でエッチングを行うから、ＰＮ接合部は逆バイアス
が掛けられている。この状態でエッチング面に光が照射
されると、ＰＮ接合界面で電子−ホール対の発生が起こ
り、逆バイアス電流の増加が引き起こされ、Ｐ型の半導
体基板１及びＮ型の半導体薄膜２間に印加している電圧
が低下する。このためＰＮ界面の空乏層幅が減少し、結
果的に光の照射量の多いウエハはヒンジが薄く、光の照
射量の少ないウエハとヒンジが厚くなるものと考えられ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明ではヒンジ構造
を持つ半導体センサの製造方法の中の半導体基板を環状
に除去するエッチングを複数の半導体ウエハに対して同
時に施す工程において複数の半導体ウエハに当たる光の
照射量を各半導体ウエハごとに等しくすることにより、
各半導体ウエハに形成するヒンジの厚みのバラツキを低
減させる製造方法を提案するものである。
を持つ半導体センサの製造方法の中の半導体基板を環状
に除去するエッチングを複数の半導体ウエハに対して同
時に施す工程において複数の半導体ウエハに当たる光の
照射量を各半導体ウエハごとに等しくすることにより、
各半導体ウエハに形成するヒンジの厚みのバラツキを低
減させる製造方法を提案するものである。
【００１２】複数の半導体ウエハに当たる光の照射量を
各半導体ウエハごとに等しくする具体的な方法として
は、エッチング装置の全体に遮光性の覆いを被せ、半導
体ウエハに当たる光を遮光する方法と、エッチング装置
に装着する複数の導体ウエハの向きを一方向に揃え、各
半導体ウエハに当たる光の照射量を均一化する方法、或
いはこれら二つの方法を併用する方法とがある。
各半導体ウエハごとに等しくする具体的な方法として
は、エッチング装置の全体に遮光性の覆いを被せ、半導
体ウエハに当たる光を遮光する方法と、エッチング装置
に装着する複数の導体ウエハの向きを一方向に揃え、各
半導体ウエハに当たる光の照射量を均一化する方法、或
いはこれら二つの方法を併用する方法とがある。
【００１３】
【作 用】この発明の製造方法によれば、複数の半導体
ウエハを一度にエッチング処理する場合において、各半
導体ウエハに照射される光の照射量が均一化されるので
ヒンジとして残される半導体薄膜の膜厚のバラツキを小
さく抑えることができる。よって均一な検出感度を持つ
半導体センサを量産することができる利点が得られる。
ウエハを一度にエッチング処理する場合において、各半
導体ウエハに照射される光の照射量が均一化されるので
ヒンジとして残される半導体薄膜の膜厚のバラツキを小
さく抑えることができる。よって均一な検出感度を持つ
半導体センサを量産することができる利点が得られる。
【００１４】
【実施例】図１にこの発明の一実施例を示す。この発明
ではエッチング装置の全体を遮光体１１で覆い、光源Ｐ
からの光をエッチング装置を構成するエッチング用容器
４の内部に侵入させない構造とした場合を示す。この構
造とすることにより、半導体ウエハＷの向きがどの方向
に向いていても、エッチング面には光が照射されないか
ら、各半導体ウエハＷに照射される光の量をほぼゼロ
に、つまり均一化することができる。この結果、エッチ
ングにより凹溝３（図４参照）を形成する工程において
残される半導体薄膜２の厚みを各半導体ウエハごとに均
一化することができる。これによりヒンジ２Ａ〜２Ｄの
厚みを均一化することができるから、検出感度のバラツ
キの少ない半導体センサを得ることができる。
ではエッチング装置の全体を遮光体１１で覆い、光源Ｐ
からの光をエッチング装置を構成するエッチング用容器
４の内部に侵入させない構造とした場合を示す。この構
造とすることにより、半導体ウエハＷの向きがどの方向
に向いていても、エッチング面には光が照射されないか
ら、各半導体ウエハＷに照射される光の量をほぼゼロ
に、つまり均一化することができる。この結果、エッチ
ングにより凹溝３（図４参照）を形成する工程において
残される半導体薄膜２の厚みを各半導体ウエハごとに均
一化することができる。これによりヒンジ２Ａ〜２Ｄの
厚みを均一化することができるから、検出感度のバラツ
キの少ない半導体センサを得ることができる。
【００１５】図２はこの発明の他の実施例を示す。この
例ではエッチング装置に装着した半導体ウエハＷの向き
を一方向に揃え、これにより光源Ｐから照射される光の
照射量を均一化するように構成した場合を示す。このよ
うに構成した場合も各半導体ウエハに形成されるヒンジ
２Ａ〜２Ｄの厚みを均一化することができるから、検出
感度のバラツキの少ない半導体センサを容易に作ること
ができる。
例ではエッチング装置に装着した半導体ウエハＷの向き
を一方向に揃え、これにより光源Ｐから照射される光の
照射量を均一化するように構成した場合を示す。このよ
うに構成した場合も各半導体ウエハに形成されるヒンジ
２Ａ〜２Ｄの厚みを均一化することができるから、検出
感度のバラツキの少ない半導体センサを容易に作ること
ができる。
【００１６】なお、図１に示した遮光構造と、図２に示
した半導体ウエハＷの向きを一方向に揃える方法の双方
を併用することもできる。
した半導体ウエハＷの向きを一方向に揃える方法の双方
を併用することもできる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
簡単な方法によって各半導体ウエハＷに形成されるヒン
ジ２Ａ〜２Ｄの厚みを均一化することができる。この結
果、検出感度のバラツキの少ない半導体センサを容易に
作ることができる利点が得られる。
簡単な方法によって各半導体ウエハＷに形成されるヒン
ジ２Ａ〜２Ｄの厚みを均一化することができる。この結
果、検出感度のバラツキの少ない半導体センサを容易に
作ることができる利点が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例を示す図。
【図２】この発明の他の実施例を示す図。
【図３】ヒンジ構造を持つ半導体センサの製造方法を説
明するための斜視図。
明するための斜視図。
【図４】図３と同様の斜視図。
【図５】図３と同様の斜視図。
【図６】ヒンジ構造を持つ半導体センサの構造を説明す
るための平面図。
るための平面図。
【図７】従来の製造方法を説明するための断面図。
１ 半導体基板 ２ 半導体薄膜 ２Ａ〜２Ｄ ヒンジ Ｗ 半導体ウエハ ３ 凹溝 ４ エッチング用容器 ５ エッチング液 ６Ａ〜６Ｄ エッチング用治具 ７ 電圧源 ８ 電極 ９ 電流検出用電極
Claims (3)
- 【請求項１】 一方の導電形式を採る半導体基板の一方
の面に他方の導電形式の半導体薄膜を成長形成して半導
体ウエハを形成すると共に、上記半導体ウエハを構成す
る半導体基板の一部を選択的にエッチング除去して上記
半導体薄膜だけが残された部分を環状に形成し、環状に
残された薄膜を更に一部を残して除去し残された半導体
薄膜によってヒンジを形成し、このヒンジによって内側
に残された半導体基板を重りとして支持し、この重りを
支持する半導体薄膜の部分に応力検出素子を形成し、重
りに掛かる荷重を検出する構造の半導体センサの製造方
法の中の上記半導体基板を環状に除去するエッチングを
複数の半導体ウエハに対して同時に施す工程において、 複数の半導体ウエハに当たる光の照射量を各半導体ウエ
ハごとに等しくすることにより、各半導体ウエハに形成
するヒンジの厚みのバラツキを低減させることを特徴と
する半導体センサの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体センサの製造方法
において、エッチング装置の全体を遮光し、この遮光に
よって各半導体ウエハに対する光の照射量を等しくする
ようにしたことを特徴とする半導体センサの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体センサの製造方法
において、エッチング液内の各半導体ウエハの向きを一
方向に揃えることにより、各半導体ウエハに対する光の
照射量を等しくするようにしたことを特徴とする半導体
センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9407894A JPH07302915A (ja) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | 半導体センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9407894A JPH07302915A (ja) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | 半導体センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07302915A true JPH07302915A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14100460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9407894A Pending JPH07302915A (ja) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | 半導体センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07302915A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4985966A (ja) * | 1972-12-22 | 1974-08-17 | ||
| JPS63148641A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-21 | Nec Corp | エツチング方法 |
| JPH0414223A (ja) * | 1990-05-07 | 1992-01-20 | Nec Corp | シリコン薄膜の形成方法 |
| JPH04181781A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-06-29 | Fujikura Ltd | 半導体加速度センサの製造方法 |
-
1994
- 1994-05-06 JP JP9407894A patent/JPH07302915A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4985966A (ja) * | 1972-12-22 | 1974-08-17 | ||
| JPS63148641A (ja) * | 1986-12-12 | 1988-06-21 | Nec Corp | エツチング方法 |
| JPH0414223A (ja) * | 1990-05-07 | 1992-01-20 | Nec Corp | シリコン薄膜の形成方法 |
| JPH04181781A (ja) * | 1990-11-16 | 1992-06-29 | Fujikura Ltd | 半導体加速度センサの製造方法 |
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