JPH0730394A - 電子スイッチ及び制御方法 - Google Patents

電子スイッチ及び制御方法

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Publication number
JPH0730394A
JPH0730394A JP16711793A JP16711793A JPH0730394A JP H0730394 A JPH0730394 A JP H0730394A JP 16711793 A JP16711793 A JP 16711793A JP 16711793 A JP16711793 A JP 16711793A JP H0730394 A JPH0730394 A JP H0730394A
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JP
Japan
Prior art keywords
switch
resistance state
circuit
electronic switch
state
Prior art date
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Pending
Application number
JP16711793A
Other languages
English (en)
Inventor
英三 ▲高▼橋
Eizo Takahashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH0730394A publication Critical patent/JPH0730394A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明は、同一電源出力よりスイッチを多数設
けて回路に電源を供給する場合に、スイッチ投入時の突
入電流を減少させることにより、電圧降下を防ぎ、既に
供給されている回路の電圧を安定に供給することによ
り、誤動作を防ぐものである。 【構成】本発明の電子スイッチは、電源と回路とを接続
するFETスイッチとFETスイッチのゲートに設けた
積分回路と、ゲートに一定期間方形波を供給するための
発信回路及びワンショット回路とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明の電子スイッチ及び制御方
法は電子機器のスイッチに関する。
【0002】
【従来の技術】従来この種の技術は、図5,6に示すよ
うに機械的接点を有するスイッチまたはトランジスタな
どにより構成される電気的スイッチであり、高抵抗状態
から低抵抗状態への変化が数ナノ秒から数十マイクロ秒
と速い時間で遷移していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では、あらかじめスイッチa10は投入されており、
抵抗負荷aと容量性負荷aには既に電源が供給されてい
る状態で、図5(b)の電圧波形変化に示すように図5
(a)のa部のスイッチb9が投入された時点で、負荷
は容量性を示すために、大きな突入電流を生じ、図5
(b)のb部の電圧波形に示される様にスイッチa10
により接続されている負荷側の電圧は急峻に変化する。
その結果スイッチの入力ではその突入電流を流しきれな
いような場合には、図5(b)のb部の電圧波形に示す
ような電圧降下となって現れる。そこで図5(a)の様
に回路毎にスイッチを設け、スイッチの投入のタイミン
グが異なるような場合には、電圧降下により先に動作し
ている回路は動作電圧より低下した場合に、誤動作を引
き起こすという問題を有する。本発明はこのような課題
を解決するためになされたものであり、スイッチの高抵
抗状態から低抵抗状態の変化を時間をかけて変化させる
ことにより、回路への突入電流を軽減し、電圧降下を軽
減することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】(1)本発明の電子スイ
ッチは高抵抗状態と低抵抗状態の2状態を有する半導体
スイッチ、入力信号によりコントロールされるパルス幅
可変可能なワンショットパルス発振手段とデューティ及
び周波数を可変可能な発振手段とを有し、入力信号によ
り半導体スイッチの抵抗変化を高抵抗状態から低抵抗状
態への遷移を時間軸に対して能動的に変化させ、電流制
限を行うことを特徴とする。
【0005】(2)本発明の電子スイッチの制御方法は
高抵抗状態と低抵抗状態の2状態を有する半導体スイッ
チを用い、その入力ゲートの入力信号の状態を変化させ
る場合に、所定数方形波を出力した後状態を確定させ、
半導体スイッチの抵抗変化を高抵抗状態から低抵抗状態
への遷移を時間軸に対して、能動的に変化させることを
特徴とする。
【0006】
【作用】本発明の上記の構成によれば、入力信号が入っ
た時、半導体スイッチのゲートが一定時間、断続的にス
イッチングされる。そのことにより、負荷への電流供給
量が一定時間制限される。また、NPNトランジスタを
スイッチングすることによりソースの電位に対してゲー
トの電位はゲート・ソース間の容量により徐々に降下
し、オン抵抗は高抵抗から低抵抗へ徐々に変化する。こ
のようにして半導体スイッチの状態を高抵抗状態から低
抵抗状態の変化を能動的に可変できるようになり負荷に
対しては電圧は0Vから電源電圧まで瞬時に立ち上がら
ずに、設定された時間内に徐々に立ち上がっていく事に
なる。
【0007】
【実施例】図1は本発明の実施例における電子スイッチ
を用いたシステムの回路構成図である。図1において
は、コントロール信号により入力に接続された電圧が出
力側に出力されるようになっている。図1は電子スイッ
チを利用し、そのコントロール信号を機械式スイッチを
使用し、直接電源ラインをコントロールするのではな
く、コントロール信号の断続をスイッチとして使用し、
実現した例を示している。図1では電子スイッチb19
から供給される負荷側の等価回路として抵抗負荷12と
容量性負荷14を並列に接続し、電子スイッチa18か
ら供給される負荷側の等価回路として抵抗負荷11と容
量性負荷13を並列に接続し現している。予めスイッチ
b10が投入されており、電子スイッチb19はオン状
態で負荷への電源供給が安定に行われている。そのとき
スイッチa9が投入された時点で電子スイッチa18は
容量性負荷13、抵抗負荷11に対して、徐々に電流を
供給し、電圧もその容量性負荷13に対して充電するよ
うに上昇していくことになる。そのため平滑用コンデン
サ15の電位は、電源16から供給される電流量と電子
スイッチa18を通して負荷へ流れる電流量の差が小さ
く、電位の変動を小さく抑えることになる。図2は図1
の電子スイッチ18、19内部を詳細に示したものであ
る。図3はその図2の動作を示すために現した図2の各
部のタイミング及び入力電圧、出力電圧の変化を示した
ものである。図2のコントロール信号aにより起動され
たワンショットパルス回路1はある一定時間Tの間パル
スbを出力する。ワンショットパルス回路1により発信
回路2も起動され発信回路2はパルスbの間、方形波c
を出力する。パルスbと方形波cはAND回路3により
論理積をとられ、排他的論理和回路4によりコントロー
ル信号aと演算され、図3dの波形となる。この波形が
NPNトランジスタ6を一定期間スイッチングし、その
後導通状態となることにより、P−ch・FET7を一
定期間スイッチングし、その後導通状態とする。P−c
h・FET7のゲートの電位はNPNトランジスタ6に
よりスイッチングされゲート電位が緩やかにソース電位
より低くなり、ソース・ドレイン間のオン抵抗は緩やか
に高抵抗状態から低抵抗状態へ遷移する。本実施例にお
いては半導体スイッチとしてP−ch・FETを使用し
て実現している。これらの動作によりドレイン側に出力
される電圧は回路の容量性負荷に対して徐々に充電をし
ながら上昇していく事になり、図2の出力には図3fの
様な電圧波形が出力されることになり、図2の入力電圧
は図3eの様にほとんど電圧降下が見られなくなる。図
4(a)は電子スイッチの入力信号を制御することによ
り実現した図であり、I/O内蔵型CPU17からソフ
トウェアにより出力ポート(OUT)にコントロール信
号として図4(b)に示す信号(一定期間方形波を出力
後、信号を確定させる)を与え実現している。このよう
にして図4(a)の電子スイッチの入力に所定数の方形
波を与える事により、NPNトランジスタ6のコレクタ
は高抵抗状態と低抵抗状態の2状態を繰り返すことにな
る。その間P−ch・FET7のゲートの電位はソース
電位に対してコンデンサ8に蓄えられた電荷を徐々に放
出し、徐々に下がっていく事になる。このようにしてP
−ch・FET7のソース・ドレイン間のオン抵抗は緩
やかに高抵抗状態から低抵抗状態へと変化していくので
ある。
【0008】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、負荷
をスイッチにより分離しているような回路構成におい
て、各負荷へのスイッチの投入のタイミングが異なる様
な場合でも電圧降下を起こす事無く、別の負荷へスイッ
チを投入でき、機器の誤動作を防ぐことができるという
効果を有し、また突入電流を抑える事ができるので保護
素子の選択が定常電流で設定できるという利点をも有す
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例を示す電子スイッチを用い
た回路構成図。
【図2】 本発明の一実施例を示す電子スイッチ内部詳
細図。
【図3】 図2の各部の動作波形を示す図。
【図4】 本発明の他の実施例を示す内部詳細図及びそ
の入力信号波形を示す図。
【図5】 従来の機械式接点スイッチによる回路構成を
示す図及び各部の電圧波形変化を示す図。
【図6】 従来の電子スイッチを示す半導体スイッチの
回路構成を示す図。
【符号の説明】
1 ワンショットパルス回路 2 発振回路 3 AND回路 4 排他的論理和回路 5 抵抗 6 NPNトランジスタ 7 P−ch FET 8 コンデンサ 9 スイッチa 10 スイッチb 11 負荷抵抗a 12 負荷抵抗b 13 容量性負荷a 14 容量性負荷b 15 平滑用コンデンサ 16 電源 17 I/O内蔵型CPU 18 電子スイッチa 19 電子スイッチb

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 高抵抗状態と低抵抗状態の2状態を有す
    る半導体スイッチ、入力信号によりコントロールされる
    パルス幅可変可能なワンショットパルス発振手段とデュ
    ーティ及び周波数を可変可能な発振手段とを有し、入力
    信号により半導体スイッチの抵抗変化を高抵抗状態から
    低抵抗状態への遷移を時間軸に対して能動的に変化さ
    せ、電流制限を行うことを特徴とする電子スイッチ。
  2. 【請求項2】 高抵抗状態と低抵抗状態の2状態を有す
    る半導体スイッチを用い、その入力ゲートの入力信号の
    状態を変化させる場合に、所定数方形波を出力した後状
    態を確定させ、半導体スイッチの抵抗変化を高抵抗状態
    から低抵抗状態への遷移を時間軸に対して、能動的に変
    化させることを特徴とする電子スイッチの制御方法。
JP16711793A 1993-07-06 1993-07-06 電子スイッチ及び制御方法 Pending JPH0730394A (ja)

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JP16711793A JPH0730394A (ja) 1993-07-06 1993-07-06 電子スイッチ及び制御方法

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JPH0730394A true JPH0730394A (ja) 1995-01-31

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JP (1) JPH0730394A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009041625A1 (ja) * 2007-09-26 2009-04-02 Daikin Industries, Ltd. 負荷の駆動方法及び負荷駆動装置
JP2012019640A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Canon Inc 電源回路
JP2015056751A (ja) * 2013-09-11 2015-03-23 ニチコン株式会社 スイッチ装置
JP2021125804A (ja) * 2020-02-05 2021-08-30 株式会社デンソー Mosfetの駆動回路

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JP2012019640A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Canon Inc 電源回路
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