JPH07307003A - 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 - Google Patents
磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置Info
- Publication number
- JPH07307003A JPH07307003A JP9765094A JP9765094A JPH07307003A JP H07307003 A JPH07307003 A JP H07307003A JP 9765094 A JP9765094 A JP 9765094A JP 9765094 A JP9765094 A JP 9765094A JP H07307003 A JPH07307003 A JP H07307003A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnetic head
- film
- substrate
- potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気ヘッド状態で生じる磁性膜の腐食を抑制
し、信頼性の高い磁気ヘッドを得る。 【構成】 軟磁気特性を有する磁性薄膜１と導電性を有
する基板２より構成される磁気ヘッドにおいて、磁性膜
１が示す電気化学的な反応を生じる電位と基板２が示す
電気化学的な反応を生じる電位との差を１．０Ｖ以下と
する。 【効果】 導電性を有する基板と磁性膜との間に形成さ
れる腐食電池作用を抑制できるので、磁気ヘッド状態に
おいて生じる腐食を抑制することができる。
し、信頼性の高い磁気ヘッドを得る。 【構成】 軟磁気特性を有する磁性薄膜１と導電性を有
する基板２より構成される磁気ヘッドにおいて、磁性膜
１が示す電気化学的な反応を生じる電位と基板２が示す
電気化学的な反応を生じる電位との差を１．０Ｖ以下と
する。 【効果】 導電性を有する基板と磁性膜との間に形成さ
れる腐食電池作用を抑制できるので、磁気ヘッド状態に
おいて生じる腐食を抑制することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導電性基板と軟磁気特
性を有する磁性薄膜を含む磁気ヘッドに係り、特に、高
信頼性を有する磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再
生装置に関する。
性を有する磁性薄膜を含む磁気ヘッドに係り、特に、高
信頼性を有する磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再
生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の高度情報化社会の進展にともな
い、小型でしかも高密度な情報記憶装置へのニーズが高
まっている。この中で、磁気記録装置は高密度記録、ダ
ウンサイジングへの研究が急速に進められている。高密
度磁気記録を実現するためには、微小な記録磁区を安定
に存在させるための高保磁力を有する磁気記録媒体と、
その媒体に情報を安定に記録するための起磁力の大きな
高性能な磁気ヘッドが必要となる。高保磁力媒体を十分
に磁化して信号を記録できる磁気ヘッドを得るために
は、高飽和磁束密度を有して強い磁界を発生できる磁気
ヘッド材料が必要となる。
い、小型でしかも高密度な情報記憶装置へのニーズが高
まっている。この中で、磁気記録装置は高密度記録、ダ
ウンサイジングへの研究が急速に進められている。高密
度磁気記録を実現するためには、微小な記録磁区を安定
に存在させるための高保磁力を有する磁気記録媒体と、
その媒体に情報を安定に記録するための起磁力の大きな
高性能な磁気ヘッドが必要となる。高保磁力媒体を十分
に磁化して信号を記録できる磁気ヘッドを得るために
は、高飽和磁束密度を有して強い磁界を発生できる磁気
ヘッド材料が必要となる。
【０００３】高飽和磁束密度を有する磁性材料として
は、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃに代表されるＦｅ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｔ
ａ−ＮやＦｅ−Ｚｒ−Ｎに代表されるＦｅ−Ｎ系等鉄族
元素とＣあるいはＮとの化合物系が知られている。これ
らの磁性材料は、軟磁気特性を発現させるために、アル
ゴンや窒素等の不活性ガス気流中において、必要に応じ
て３〜１０ｋＯｅ程度の磁界を印加しながら、一定温度
で熱処理を行っていた。磁気ヘッドがメタル・イン・ギ
ャップ（ＭＩＧ）型ヘッドである場合には、ヘッド作製
工程にガラスボンディング工程を含み、熱処理温度はこ
のボンディング温度により決定されていた。
は、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃに代表されるＦｅ−Ｃ系、Ｆｅ−Ｔ
ａ−ＮやＦｅ−Ｚｒ−Ｎに代表されるＦｅ−Ｎ系等鉄族
元素とＣあるいはＮとの化合物系が知られている。これ
らの磁性材料は、軟磁気特性を発現させるために、アル
ゴンや窒素等の不活性ガス気流中において、必要に応じ
て３〜１０ｋＯｅ程度の磁界を印加しながら、一定温度
で熱処理を行っていた。磁気ヘッドがメタル・イン・ギ
ャップ（ＭＩＧ）型ヘッドである場合には、ヘッド作製
工程にガラスボンディング工程を含み、熱処理温度はこ
のボンディング温度により決定されていた。
【０００４】また、前記磁性材料は、Ｆｅを主体として
いるために、大気中の酸素や水と反応して水酸化物や酸
化物を生成し、磁気特性、特に、保磁力や飽和磁束密度
の変動を生じるために、磁気ヘッドの性能が低下する場
合があった。前記磁性材料を用いた磁気ヘッドの実用化
に当たっては、腐食による磁気特性の経時変化（劣化）
を抑制することが必要であり、その一つの方法として、
磁性元素以外に耐食性向上を目的とした元素を添加する
ことが特開平３−２０４４４号公報に記載されている。
いるために、大気中の酸素や水と反応して水酸化物や酸
化物を生成し、磁気特性、特に、保磁力や飽和磁束密度
の変動を生じるために、磁気ヘッドの性能が低下する場
合があった。前記磁性材料を用いた磁気ヘッドの実用化
に当たっては、腐食による磁気特性の経時変化（劣化）
を抑制することが必要であり、その一つの方法として、
磁性元素以外に耐食性向上を目的とした元素を添加する
ことが特開平３−２０４４４号公報に記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来、磁性膜自体の耐
食性に対する検討は行われていたが、この磁性膜を用い
た磁気ヘッドを作製すると、磁性膜の耐食性が磁性膜を
非導電性基板上に形成した場合より劣化し、この点につ
いては十分に検討されていなかった。そのため、高信頼
性を有する軟磁性膜を用いても、磁気ヘッドとしては必
ずしも十分な信頼性が得られず、使用の途中で再生出力
の低下や十分な記録特性が得られない等の問題を生じる
ことがあった。
食性に対する検討は行われていたが、この磁性膜を用い
た磁気ヘッドを作製すると、磁性膜の耐食性が磁性膜を
非導電性基板上に形成した場合より劣化し、この点につ
いては十分に検討されていなかった。そのため、高信頼
性を有する軟磁性膜を用いても、磁気ヘッドとしては必
ずしも十分な信頼性が得られず、使用の途中で再生出力
の低下や十分な記録特性が得られない等の問題を生じる
ことがあった。
【０００６】本発明は、軟磁気特性を有する磁性薄膜に
対して十分な耐食性を確保した信頼性の高い磁気ヘッド
及びそれを用いた磁気記録装置を提供することを目的と
する。本発明は、また、長時間使用しても磁気ヘッド用
磁性膜の劣化による記録再生特性の経時劣化が極僅かで
ある磁気ヘッドそれを用いた磁気記録装置を提供するこ
とを目的とする。
対して十分な耐食性を確保した信頼性の高い磁気ヘッド
及びそれを用いた磁気記録装置を提供することを目的と
する。本発明は、また、長時間使用しても磁気ヘッド用
磁性膜の劣化による記録再生特性の経時劣化が極僅かで
ある磁気ヘッドそれを用いた磁気記録装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】磁気ヘッドは、磁性膜の
みではなく、導電性基板、ボンディングガラス、メタル
層等の複合材料からなる。そのため、磁気ヘッドを構成
する材料間で電気化学的な腐食電池を構成するために磁
性膜自身の耐食性を向上させただけでは磁気ヘッドとし
ての信頼性を必ずしも十分に確保できない場合がある。
発明者らは、この点に着目して本発明を完成させた。
みではなく、導電性基板、ボンディングガラス、メタル
層等の複合材料からなる。そのため、磁気ヘッドを構成
する材料間で電気化学的な腐食電池を構成するために磁
性膜自身の耐食性を向上させただけでは磁気ヘッドとし
ての信頼性を必ずしも十分に確保できない場合がある。
発明者らは、この点に着目して本発明を完成させた。
【０００８】本発明による磁気ヘッドは、導電性基板
と、該基板上に設けられた軟磁気特性を有する磁性膜と
を含み、前記磁性膜が示す電気化学的な反応を生じる電
位と前記基板が示す電気化学的な反応を生じる電位との
差が１．０Ｖ以下であることを特徴とする。磁性膜が示
す電気化学的な反応を生じる電位は、前記基板が示す電
気化学的な反応を生じる電位より貴な電位であることが
好ましい。ここで、前記電気化学的な反応を生じる電位
は通常の使用環境での測定値、すなわちｐＨ５〜ｐＨ９
の範囲の水溶液中における値である。
と、該基板上に設けられた軟磁気特性を有する磁性膜と
を含み、前記磁性膜が示す電気化学的な反応を生じる電
位と前記基板が示す電気化学的な反応を生じる電位との
差が１．０Ｖ以下であることを特徴とする。磁性膜が示
す電気化学的な反応を生じる電位は、前記基板が示す電
気化学的な反応を生じる電位より貴な電位であることが
好ましい。ここで、前記電気化学的な反応を生じる電位
は通常の使用環境での測定値、すなわちｐＨ５〜ｐＨ９
の範囲の水溶液中における値である。
【０００９】導電性基板は磁性材料からなることが好ま
しく、単結晶のＭｎ・Ｚｎフェライトとすると磁気特性
が良好になるので好適である。磁性膜はＺｒ，Ｎｂ，Ｔ
ａの中から選ばれる少なくとも１種類の元素を５〜２０
ａｔ％、Ｎ，Ｃの中から選ばれる少なくとも１種類の元
素を１〜２０ａｔ％、Ｃｒ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｒｕ，
Ｒｈ，Ｔｉの中から選ばれる少なくとも１種類もしくは
２種類の添加元素を０．５〜１５ａｔ％含み、残部がＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選ばれる少なくとも１種類の元
素である合金であることが好ましく、添加元素の濃度を
制御することにより結晶化温度を制御することができ
る。ここで、Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａの群からＮｂを選択する
ときは、添加元素としてＮｂ以外のものを選択する。Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｔａの中からＺｒ又はＴａを選択したときに
は、添加元素としてＮｂを選択してもよい。
しく、単結晶のＭｎ・Ｚｎフェライトとすると磁気特性
が良好になるので好適である。磁性膜はＺｒ，Ｎｂ，Ｔ
ａの中から選ばれる少なくとも１種類の元素を５〜２０
ａｔ％、Ｎ，Ｃの中から選ばれる少なくとも１種類の元
素を１〜２０ａｔ％、Ｃｒ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｒｕ，
Ｒｈ，Ｔｉの中から選ばれる少なくとも１種類もしくは
２種類の添加元素を０．５〜１５ａｔ％含み、残部がＦ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中から選ばれる少なくとも１種類の元
素である合金であることが好ましく、添加元素の濃度を
制御することにより結晶化温度を制御することができ
る。ここで、Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａの群からＮｂを選択する
ときは、添加元素としてＮｂ以外のものを選択する。Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｔａの中からＺｒ又はＴａを選択したときに
は、添加元素としてＮｂを選択してもよい。
【００１０】前記合金は、具体的には、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ
−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｃ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆ
ｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ−Ｒ
ｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃ
ｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｎｂ−
Ｃ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｆｅ−Ｎｂ−
Ｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｎｂ−
Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−
Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，
Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，
Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ａｌ，
Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−
Ｒｈ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−
Ａｌ−Ｒｎ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｔａ
−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ
−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｏ
−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ，Ｃｏ
−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒ
ｈ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ−Ａ
ｌ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ｒｕ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｎｂ−
Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−
Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｏ−
Ｎｂ−Ｎ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−
Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，
Ｃｏ−Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｎ−Ａｌ−
Ｒｕ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−
Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−
Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｃｏ−Ｚｒ
−Ｎ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｚｒ
−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ
−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ−Ｒｕ−Ａ
ｌ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ｃ
ｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ｃ
ｒ−Ｔｉ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｎｉ−Ｔａ−
Ｎ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｔａ−
Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−
Ｔａ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ，
Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−
Ｒｈ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−
Ｔｉ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−
Ｒｕ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−
Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｎｂ
−Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ
−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ，Ｎｉ
−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎ
ｂ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒ
ｕ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃ
ｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｚｒ−
Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ等とすることができる。
−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｃ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｔ
ａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆ
ｅ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ−Ｒ
ｕ，Ｆｅ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃ
ｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｎｂ−
Ｃ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｆｅ−Ｎｂ−
Ｎ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｎｂ−
Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−
Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，
Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，
Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ａｌ，
Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−
Ｒｈ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｃ−
Ａｌ−Ｒｎ，Ｆｅ−Ｚｒ−Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｔａ
−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ
−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｏ
−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ，Ｃｏ
−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒ
ｈ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｃ−Ａ
ｌ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｔａ−Ｎ−Ｒｕ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｎｂ−
Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−
Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｏ−
Ｎｂ−Ｎ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−
Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，
Ｃｏ−Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｎ−Ａｌ−
Ｒｕ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−
Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−
Ｃｒ−Ｔｉ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｃｏ−Ｚｒ
−Ｎ−Ａｌ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｚｒ
−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｃｏ
−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎ−Ｒｕ−Ａ
ｌ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ｃ
ｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ｃ
ｒ−Ｔｉ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎｂ，Ｎｉ−Ｔａ−
Ｎ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｔａ−
Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−
Ｔａ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ，
Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−
Ｒｈ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ｃｒ−
Ｔｉ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−
Ｒｕ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｎ−
Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｎｂ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｎｂ
−Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｕ，Ｎｉ
−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ，Ｎｉ
−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｔｉ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ｃｒ−Ｎ
ｂ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ａｌ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒ
ｕ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｎ−Ｃ
ｒ−Ｒｈ，Ｎｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ａｌ−Ｒｕ，Ｎｉ−Ｚｒ−
Ｎ−Ａｌ−Ｒｕ等とすることができる。
【００１１】ここで、Ｚｒ，Ｎｂ，Ｔａの中から選ばれ
る少なくとも１種類の元素の濃度を５〜２０ａｔ％とし
たのは、５ａｔ％未満であると良好な軟磁気特性を有す
る磁性膜が得られず、２０ａｔ％を超えると保磁力が増
大し、軟磁気特性が劣化したり、磁性そのものが失われ
るからである。なお、５〜１５ａｔ％の範囲とすると保
磁力が１．０Ｏｅより小さくなるので、より好ましい。
る少なくとも１種類の元素の濃度を５〜２０ａｔ％とし
たのは、５ａｔ％未満であると良好な軟磁気特性を有す
る磁性膜が得られず、２０ａｔ％を超えると保磁力が増
大し、軟磁気特性が劣化したり、磁性そのものが失われ
るからである。なお、５〜１５ａｔ％の範囲とすると保
磁力が１．０Ｏｅより小さくなるので、より好ましい。
【００１２】Ｎ，Ｃの中から選ばれる少なくとも１種類
の元素の濃度を１〜２０ａｔ％としたのは、１ａｔ％未
満又は２０ａｔ％を超えると熱処理しても良好な軟磁気
特性が得られないからである。なお、８〜１５ａｔ％の
範囲とするとより良好な軟磁気特性が得られるので、よ
り好ましい。Ｃｒ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｔ
ｉの中から選ばれる少なくとも１種類もしくは２種類の
元素の濃度を０．５〜１５ａｔ％としたのは、０．５ａ
ｔ％未満であると磁性膜の耐食性及び耐熱性が確保でき
ず、１５ａｔ％を超えると保磁力の増大等軟磁気特性が
劣化するからである。なお、３〜１０ａｔ％とすると軟
磁気特性の劣化が小さく、かつ耐食性及び耐熱性が確保
できるので、より好ましい。これらの添加元素は、結晶
粒界に化合物として析出したり、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の
金属と金属間化合物などの合金を形成することにより結
晶粒の成長を抑制する作用をし、その結果、磁気特性を
低下させずに耐食性を向上させることができる。これら
の材料の中で、Ｆｅ系材料を用いる場合が最も大きな飽
和磁束密度が得られるので最も好ましい。
の元素の濃度を１〜２０ａｔ％としたのは、１ａｔ％未
満又は２０ａｔ％を超えると熱処理しても良好な軟磁気
特性が得られないからである。なお、８〜１５ａｔ％の
範囲とするとより良好な軟磁気特性が得られるので、よ
り好ましい。Ｃｒ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｔ
ｉの中から選ばれる少なくとも１種類もしくは２種類の
元素の濃度を０．５〜１５ａｔ％としたのは、０．５ａ
ｔ％未満であると磁性膜の耐食性及び耐熱性が確保でき
ず、１５ａｔ％を超えると保磁力の増大等軟磁気特性が
劣化するからである。なお、３〜１０ａｔ％とすると軟
磁気特性の劣化が小さく、かつ耐食性及び耐熱性が確保
できるので、より好ましい。これらの添加元素は、結晶
粒界に化合物として析出したり、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の
金属と金属間化合物などの合金を形成することにより結
晶粒の成長を抑制する作用をし、その結果、磁気特性を
低下させずに耐食性を向上させることができる。これら
の材料の中で、Ｆｅ系材料を用いる場合が最も大きな飽
和磁束密度が得られるので最も好ましい。
【００１３】軟磁性膜の軟磁気特性は析出する微結晶粒
子サイズに依存していることから、良好な軟磁気特性を
有する磁性膜を得るためにはこの結晶粒子サイズを制御
しなければならない。本発明による軟磁性膜は、熱処理
を施すことにより軟磁気特性を発現させた軟磁性薄膜と
することができ、成膜直後の薄膜が有する結晶化温度を
制御し、粒子サイズが１〜１５ｎｍであるα−Ｆｅ相の
微結晶を含むことが好ましい。
子サイズに依存していることから、良好な軟磁気特性を
有する磁性膜を得るためにはこの結晶粒子サイズを制御
しなければならない。本発明による軟磁性膜は、熱処理
を施すことにより軟磁気特性を発現させた軟磁性薄膜と
することができ、成膜直後の薄膜が有する結晶化温度を
制御し、粒子サイズが１〜１５ｎｍであるα−Ｆｅ相の
微結晶を含むことが好ましい。
【００１４】導電性基板における電気化学的な反応を生
じる電位を制御するためには、基板の組成を制御するこ
とが有効である。これは、基板材中に含まれる元素が変
化するためである。例えば、Ｍｎ・Ｚｎフェライト基板
では、２価のＦｅイオンの濃度を大きく変化させると、
酸化が生じる見かけ上の電位を変化させることができ
る。この他に、多結晶の基板と単結晶の基板、あるいは
単結晶における結晶方位を制御してもよい。
じる電位を制御するためには、基板の組成を制御するこ
とが有効である。これは、基板材中に含まれる元素が変
化するためである。例えば、Ｍｎ・Ｚｎフェライト基板
では、２価のＦｅイオンの濃度を大きく変化させると、
酸化が生じる見かけ上の電位を変化させることができ
る。この他に、多結晶の基板と単結晶の基板、あるいは
単結晶における結晶方位を制御してもよい。
【００１５】また、軟磁気特性を有する磁性膜における
電気化学的な反応を生じる電位を制御するには、磁性膜
の組成を制御してもよいし、電位制御のために元素を添
加したり、その添加濃度を制御してもよい。本発明によ
る磁気ヘッドは、メタル・イン・ギャップ（ＭＩＧ）型
磁気ヘッドとすることができる。しかし、導電性基板と
磁性膜とを有する磁気ヘッドであれば、その形態にこだ
わるものではないことはいうまでもない。
電気化学的な反応を生じる電位を制御するには、磁性膜
の組成を制御してもよいし、電位制御のために元素を添
加したり、その添加濃度を制御してもよい。本発明によ
る磁気ヘッドは、メタル・イン・ギャップ（ＭＩＧ）型
磁気ヘッドとすることができる。しかし、導電性基板と
磁性膜とを有する磁気ヘッドであれば、その形態にこだ
わるものではないことはいうまでもない。
【００１６】磁気記録再生装置に本発明による磁気ヘッ
ドを用い、移動する情報記録媒体に画像情報や音声情報
等の情報を磁気的に記録再生すると、再生信号を増大す
ることができ、良好な記録再生を行うことができる。情
報記録媒体としては、磁気テープ又は円板上に磁気記録
媒体層が形成された磁気ディスクを用いることができ
る。
ドを用い、移動する情報記録媒体に画像情報や音声情報
等の情報を磁気的に記録再生すると、再生信号を増大す
ることができ、良好な記録再生を行うことができる。情
報記録媒体としては、磁気テープ又は円板上に磁気記録
媒体層が形成された磁気ディスクを用いることができ
る。
【００１７】
【作用】磁気ヘッドを構成する磁性膜と導電性基板の間
に生じる電気化学反応は磁性膜の酸化反応である。導電
性基板が示す電気化学的な反応を生じる電位が、磁性膜
が示す電気化学的な反応を生じる電位より高い場合は、
導電性を有する基板が腐食され、磁性膜が示す電気化学
的な反応を生じる電位が導電性基板が示す電気化学的な
反応を生じる電位より高い場合には磁性膜が腐食され
る。
に生じる電気化学反応は磁性膜の酸化反応である。導電
性基板が示す電気化学的な反応を生じる電位が、磁性膜
が示す電気化学的な反応を生じる電位より高い場合は、
導電性を有する基板が腐食され、磁性膜が示す電気化学
的な反応を生じる電位が導電性基板が示す電気化学的な
反応を生じる電位より高い場合には磁性膜が腐食され
る。
【００１８】したがって、この酸化反応が生じる電位を
制御することにより磁性膜の腐食を抑制することができ
る。すなわち、軟磁性薄膜の酸化電位と導電性基板の酸
化電位の差が１．０Ｖ以下である場合には、軟磁性薄膜
の酸化反応速度が小さく、ほとんど無視できる。なお、
電気化学反応が生じる電位はｐＨに依存して変化（６３
ｍＶ／ｐＨ）するので、酸化電位を測定する環境として
通常の使用環境、すなわちｐＨ５〜ｐＨ９で測定する必
要がある。
制御することにより磁性膜の腐食を抑制することができ
る。すなわち、軟磁性薄膜の酸化電位と導電性基板の酸
化電位の差が１．０Ｖ以下である場合には、軟磁性薄膜
の酸化反応速度が小さく、ほとんど無視できる。なお、
電気化学反応が生じる電位はｐＨに依存して変化（６３
ｍＶ／ｐＨ）するので、酸化電位を測定する環境として
通常の使用環境、すなわちｐＨ５〜ｐＨ９で測定する必
要がある。
【００１９】この様に、本発明によると、磁性膜の酸化
反応（磁性膜の腐食反応に相当）が制御できるので、磁
性膜の腐食を抑制することができる。これは、電気化学
的電位差を制御することにより磁性膜と導電性を有する
基板との間で形成される電気化学的電池の作用を制御す
ることに相当する。また、本発明では、磁気ヘッドの耐
食性向上を軟磁性薄膜と基板の電気化学的特性の制御に
よって実現しており、磁性膜の磁気特性を劣化させない
ので、高飽和磁束密度を有する等高性能な磁気ヘッドを
提供することができる。
反応（磁性膜の腐食反応に相当）が制御できるので、磁
性膜の腐食を抑制することができる。これは、電気化学
的電位差を制御することにより磁性膜と導電性を有する
基板との間で形成される電気化学的電池の作用を制御す
ることに相当する。また、本発明では、磁気ヘッドの耐
食性向上を軟磁性薄膜と基板の電気化学的特性の制御に
よって実現しており、磁性膜の磁気特性を劣化させない
ので、高飽和磁束密度を有する等高性能な磁気ヘッドを
提供することができる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の詳細を実施例によって説明す
る。 〔実施例１〕磁性薄膜として、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−
Ｎｂ合金膜を用いた。磁性膜の成膜にはスパッタ法を用
いた。スパッタのターゲットには、Ｆｅ，Ｔａ，Ｃ，Ｎ
ｂ，Ｃｒの各元素の粉体を熱間静圧プレス法（ＨＩＰ
法）により成型したものを用いた。ターゲットの組成は
（Ｆｅ73Ｔａ7Ｃ8）95（Ｃｒ50Ｎｂ50）5 とした。この
ターゲットを用いると、薄膜化しても得られた膜の組成
はほとんど変わらず、ターゲット組成とほぼ同じであっ
た。なお、ＣをＴａＣ，ＮｂＣ或いはＣｒＣとして、そ
の粉体を熱間静圧プレス法（ＨＩＰ法）により成型して
も良いことは言うまでもない。
る。 〔実施例１〕磁性薄膜として、Ｆｅ−Ｔａ−Ｃ−Ｃｒ−
Ｎｂ合金膜を用いた。磁性膜の成膜にはスパッタ法を用
いた。スパッタのターゲットには、Ｆｅ，Ｔａ，Ｃ，Ｎ
ｂ，Ｃｒの各元素の粉体を熱間静圧プレス法（ＨＩＰ
法）により成型したものを用いた。ターゲットの組成は
（Ｆｅ73Ｔａ7Ｃ8）95（Ｃｒ50Ｎｂ50）5 とした。この
ターゲットを用いると、薄膜化しても得られた膜の組成
はほとんど変わらず、ターゲット組成とほぼ同じであっ
た。なお、ＣをＴａＣ，ＮｂＣ或いはＣｒＣとして、そ
の粉体を熱間静圧プレス法（ＨＩＰ法）により成型して
も良いことは言うまでもない。
【００２１】結晶化ガラス基板上に、前記合金ターゲッ
トを用い、放電ガスにＡｒを用いてスパッタした。この
ようにして形成した磁性膜の膜厚は５μｍである。スパ
ッタの条件は、放電ガス圧力５ｍＴｏｒｒ、投入ＲＦ電
力４００Ｗとした。得られた磁性膜の磁気特性は、飽和
磁束密度が１．６Ｔ、保磁力が０．１Ｏｅ、５ＭＨｚに
おける比透磁率が４５００、磁歪定数が５×１０-7であ
った。
トを用い、放電ガスにＡｒを用いてスパッタした。この
ようにして形成した磁性膜の膜厚は５μｍである。スパ
ッタの条件は、放電ガス圧力５ｍＴｏｒｒ、投入ＲＦ電
力４００Ｗとした。得られた磁性膜の磁気特性は、飽和
磁束密度が１．６Ｔ、保磁力が０．１Ｏｅ、５ＭＨｚに
おける比透磁率が４５００、磁歪定数が５×１０-7であ
った。
【００２２】このようにして作製した磁性膜及びフェラ
イト基板の分極曲線を電位走査法により測定（１００ｍ
Ｖ／ｍｉｎ）した。電解液のｐＨは、硼酸緩衝液により
８．３に調整した。その結果を図１に示す。Ｍｎ・Ｚｎ
フェライト基板としては、ＭｎＯとＺｎＯの比が２．
２、１．９、１．５と異なる３種類のものを用いた。こ
こで、Ｍｎ・Ｚｎフェライト基板は、０．３Ｔ〜０．５
Ｔ程度の飽和磁束密度を有する磁性体である。
イト基板の分極曲線を電位走査法により測定（１００ｍ
Ｖ／ｍｉｎ）した。電解液のｐＨは、硼酸緩衝液により
８．３に調整した。その結果を図１に示す。Ｍｎ・Ｚｎ
フェライト基板としては、ＭｎＯとＺｎＯの比が２．
２、１．９、１．５と異なる３種類のものを用いた。こ
こで、Ｍｎ・Ｚｎフェライト基板は、０．３Ｔ〜０．５
Ｔ程度の飽和磁束密度を有する磁性体である。
【００２３】図１に破線で示す各分極曲線の外挿値か
ら、磁性膜の酸化電位は−０．１Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ
Ｃｌ電極基準、以下同じ）であり、Ｍｎ・Ｚｎフェライ
ト基板の酸化電位は、０．２Ｖ（ＭｎＯ／ＺｎＯ＝１．
５）、０．７Ｖ（ＭｎＯ／ＺｎＯ＝１．９）及び１．２
Ｖ（ＭｎＯ／ＺｎＯ＝２．２）であることが分かる。次
に、前記磁性膜を用い、Ｍｎ・Ｚｎフェライト基板とし
て、ＭｎＯとＺｎＯの比が２．２、１．９、１．５と異
なる３種類のフェライト基板を用いて、図２に概略を示
すＭＩＧ（メタルインギャップ）型の磁気ヘッドを作製
した。
ら、磁性膜の酸化電位は−０．１Ｖ（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ
Ｃｌ電極基準、以下同じ）であり、Ｍｎ・Ｚｎフェライ
ト基板の酸化電位は、０．２Ｖ（ＭｎＯ／ＺｎＯ＝１．
５）、０．７Ｖ（ＭｎＯ／ＺｎＯ＝１．９）及び１．２
Ｖ（ＭｎＯ／ＺｎＯ＝２．２）であることが分かる。次
に、前記磁性膜を用い、Ｍｎ・Ｚｎフェライト基板とし
て、ＭｎＯとＺｎＯの比が２．２、１．９、１．５と異
なる３種類のフェライト基板を用いて、図２に概略を示
すＭＩＧ（メタルインギャップ）型の磁気ヘッドを作製
した。
【００２４】磁気ヘッドの作製に当たり、前記軟磁性薄
膜１は単結晶のフェライト基板２上に形成した。ギャッ
プ部３として、前記フェライト基板２上に形成した軟磁
性薄膜１上に、ＳｉＯ2 を１４０ｎｍの膜厚に形成した
後にＣｒを１００ｎｍの膜厚に形成した。これを窒素気
流中にて６００℃で１時間熱処理して軟磁気特性を発現
させ、同一形状のヘッド基板を低融点ガラス４によりボ
ンディングした。基板と磁性膜の間には、両者の接着性
の向上のための接合層を設けても良い。軟磁気特性を発
現させるための熱処理の温度は磁性膜の結晶化温度で決
まるので、この値に限られるものではない。
膜１は単結晶のフェライト基板２上に形成した。ギャッ
プ部３として、前記フェライト基板２上に形成した軟磁
性薄膜１上に、ＳｉＯ2 を１４０ｎｍの膜厚に形成した
後にＣｒを１００ｎｍの膜厚に形成した。これを窒素気
流中にて６００℃で１時間熱処理して軟磁気特性を発現
させ、同一形状のヘッド基板を低融点ガラス４によりボ
ンディングした。基板と磁性膜の間には、両者の接着性
の向上のための接合層を設けても良い。軟磁気特性を発
現させるための熱処理の温度は磁性膜の結晶化温度で決
まるので、この値に限られるものではない。
【００２５】この磁気ヘッドを０．５規定塩化ナトリウ
ム水溶液中に１００時間浸漬させ、目視観察により磁気
ヘッドの信頼性を評価した。その結果、ＭｎＯとＺｎＯ
の比が１．５及び１．９のフェライト基板を用いた磁気
ヘッドには、腐食の発生は全く見られなかった。これに
対して、ＭｎＯとＺｎＯの比が２．２のフェライト基板
を用いた磁気ヘッドでは５時間の浸漬により磁性膜全面
に腐食が発生した。腐食を生じなかった前記２種類の磁
気ヘッドを８０℃で９５％ＲＨ環境中へ２０００時間以
上放置したが、腐食の発生や磁気特性の変化は見られな
かった。
ム水溶液中に１００時間浸漬させ、目視観察により磁気
ヘッドの信頼性を評価した。その結果、ＭｎＯとＺｎＯ
の比が１．５及び１．９のフェライト基板を用いた磁気
ヘッドには、腐食の発生は全く見られなかった。これに
対して、ＭｎＯとＺｎＯの比が２．２のフェライト基板
を用いた磁気ヘッドでは５時間の浸漬により磁性膜全面
に腐食が発生した。腐食を生じなかった前記２種類の磁
気ヘッドを８０℃で９５％ＲＨ環境中へ２０００時間以
上放置したが、腐食の発生や磁気特性の変化は見られな
かった。
【００２６】この結果から、磁性膜の酸化電位と導電性
を有する基板の酸化電位の差が１Ｖ以内の場合は、磁性
膜には腐食が生じないことがわかる。Ｆｅ及びＴａＣの
結晶粒サイズをそれぞれ５〜２０ｎｍ、３〜８ｎｍに制
御することにより、良好な軟磁気特性が得られる。特
に、Ｆｅの粒子サイズは、一定の粒子サイズの領域では
サイズが大きいほど飽和磁束密度Ｂｓは増大するが、保
磁力も増大するので、そのサイズにはおのずと限界があ
る。また、ＴａＣの粒子サイズはＦｅ相との腐食電池の
関係から、微細化した方が好ましく、良好な耐食性が得
られるサイズ領域は３〜８ｎｍである。このように各相
の粒子サイズは磁気特性に影響を及ぼすので、制御する
必要がある。
を有する基板の酸化電位の差が１Ｖ以内の場合は、磁性
膜には腐食が生じないことがわかる。Ｆｅ及びＴａＣの
結晶粒サイズをそれぞれ５〜２０ｎｍ、３〜８ｎｍに制
御することにより、良好な軟磁気特性が得られる。特
に、Ｆｅの粒子サイズは、一定の粒子サイズの領域では
サイズが大きいほど飽和磁束密度Ｂｓは増大するが、保
磁力も増大するので、そのサイズにはおのずと限界があ
る。また、ＴａＣの粒子サイズはＦｅ相との腐食電池の
関係から、微細化した方が好ましく、良好な耐食性が得
られるサイズ領域は３〜８ｎｍである。このように各相
の粒子サイズは磁気特性に影響を及ぼすので、制御する
必要がある。
【００２７】この３種類のＭＩＧ（メタルインギャッ
プ）型の磁気ヘッドを用いて、ＶＴＲ装置を作製し、磁
気テープを走行させ画像情報を記録した。ハイビジョン
のディジタル情報を記録して再生したところ、Ｓ／Ｎは
４０ｄＢであった。ここで、磁気ヘッドと磁気テープの
相対速度は３６ｍ／ｓ、データレートは４６．１Ｍｂｐ
ｓ、トラック幅は４０μｍである。
プ）型の磁気ヘッドを用いて、ＶＴＲ装置を作製し、磁
気テープを走行させ画像情報を記録した。ハイビジョン
のディジタル情報を記録して再生したところ、Ｓ／Ｎは
４０ｄＢであった。ここで、磁気ヘッドと磁気テープの
相対速度は３６ｍ／ｓ、データレートは４６．１Ｍｂｐ
ｓ、トラック幅は４０μｍである。
【００２８】この磁気ヘッドに対し０．５規定塩化ナト
リウム水溶液中への浸漬試験法、及び高温高湿度環境
（６０℃、相対湿度９５％）中での結露試験法を行い、
記録再生特性の面から評価した。まず、ＭＩＧ型ヘッド
チップを０．５規定塩化ナトリウム水溶液中へ２００時
間浸漬させた。その後、このヘッドを再び装置にセット
して記録再生特性を測定した。その結果、ＭｎＯとＺｎ
Ｏの比が１．５及び１．９の基板を用いた磁気ヘッドを
用いた装置では、Ｓ／Ｎは４０ｄＢであり、浸漬前とな
んら記録再生特性に違いは見られなかった。また、高温
高湿度環境（８０℃、相対湿度９５％）中での結露試験
法による評価は、前記ＭＩＧヘッドをペルチェ素子上に
固定して１０℃に保ち、全体を８０℃、相対湿度９５％
環境中へ放置した。その結果、ヘッド全体に結露が生
じ、その状態で２０００時間以上この環境中へ放置した
が、腐食の発生や記録や再生信号の劣化は見られなかっ
た。
リウム水溶液中への浸漬試験法、及び高温高湿度環境
（６０℃、相対湿度９５％）中での結露試験法を行い、
記録再生特性の面から評価した。まず、ＭＩＧ型ヘッド
チップを０．５規定塩化ナトリウム水溶液中へ２００時
間浸漬させた。その後、このヘッドを再び装置にセット
して記録再生特性を測定した。その結果、ＭｎＯとＺｎ
Ｏの比が１．５及び１．９の基板を用いた磁気ヘッドを
用いた装置では、Ｓ／Ｎは４０ｄＢであり、浸漬前とな
んら記録再生特性に違いは見られなかった。また、高温
高湿度環境（８０℃、相対湿度９５％）中での結露試験
法による評価は、前記ＭＩＧヘッドをペルチェ素子上に
固定して１０℃に保ち、全体を８０℃、相対湿度９５％
環境中へ放置した。その結果、ヘッド全体に結露が生
じ、その状態で２０００時間以上この環境中へ放置した
が、腐食の発生や記録や再生信号の劣化は見られなかっ
た。
【００２９】これに対して、ＭｎＯとＺｎＯの比が２．
２の基板を用いた磁気ヘッドでは、高温高湿度環境（８
０℃、相対湿度９５％）中での結露試験及び０．５規定
塩化ナトリウム水溶液中に２００時間浸漬させた場合と
もに、記録及び再生ともにできなかった。これは、磁性
膜の腐食により磁気特性が劣化したことによるものであ
る。以上、ＶＴＲ用の磁気ヘッドを例に説明してきた
が、本発明は磁気ディスクやヘリカルスキャンを用いた
磁気テープ装置等の磁気ヘッドに対しても適用でき、適
用する装置の種類等には左右されない。
２の基板を用いた磁気ヘッドでは、高温高湿度環境（８
０℃、相対湿度９５％）中での結露試験及び０．５規定
塩化ナトリウム水溶液中に２００時間浸漬させた場合と
もに、記録及び再生ともにできなかった。これは、磁性
膜の腐食により磁気特性が劣化したことによるものであ
る。以上、ＶＴＲ用の磁気ヘッドを例に説明してきた
が、本発明は磁気ディスクやヘリカルスキャンを用いた
磁気テープ装置等の磁気ヘッドに対しても適用でき、適
用する装置の種類等には左右されない。
【００３０】〔実施例２〕磁性薄膜として、Ｆｅ−Ｔａ
−Ｃ−Ａｌ合金膜を用いた。磁性膜の成膜にはスパッタ
法を用いた。スパッタのターゲットには、Ｆｅ，Ｔａ，
Ｃ，Ａｌの各元素の粉体を熱間静圧プレス法（ＨＩＰ
法）により成型したものを用いた。ターゲットの組成は
（Ｆｅ80Ｔａ8Ｃ12）91Ａｌ9 とした。このターゲット
を用いると、薄膜化しても得られた膜の組成はほとんど
変わらず、ターゲット組成とほぼ同じであった。
−Ｃ−Ａｌ合金膜を用いた。磁性膜の成膜にはスパッタ
法を用いた。スパッタのターゲットには、Ｆｅ，Ｔａ，
Ｃ，Ａｌの各元素の粉体を熱間静圧プレス法（ＨＩＰ
法）により成型したものを用いた。ターゲットの組成は
（Ｆｅ80Ｔａ8Ｃ12）91Ａｌ9 とした。このターゲット
を用いると、薄膜化しても得られた膜の組成はほとんど
変わらず、ターゲット組成とほぼ同じであった。
【００３１】結晶化ガラス基板上に、前記合金ターゲッ
トを用い、放電ガスにＡｒを用いてスパッタした。この
ようにして形成した磁性膜の膜厚は５μｍである。スパ
ッタの条件は、放電ガス圧力５ｍＴｏｒｒ、投入ＲＦ電
力４００Ｗとした。得られた磁性膜の磁気特性は、飽和
磁束密度が１．４Ｔ、保磁力が０．２Ｏｅ、５ＭＨｚに
おける比透磁率が３５００、磁歪定数が２×１０-6であ
った。
トを用い、放電ガスにＡｒを用いてスパッタした。この
ようにして形成した磁性膜の膜厚は５μｍである。スパ
ッタの条件は、放電ガス圧力５ｍＴｏｒｒ、投入ＲＦ電
力４００Ｗとした。得られた磁性膜の磁気特性は、飽和
磁束密度が１．４Ｔ、保磁力が０．２Ｏｅ、５ＭＨｚに
おける比透磁率が３５００、磁歪定数が２×１０-6であ
った。
【００３２】このようにして作製した磁性膜及びＭｎＯ
とＺｎＯの比が１．０のＭｎ・Ｚｎフェライト基板の分
極曲線を電位走査法により測定（１００ｍＶ／ｍｉｎ）
した。電解液のｐＨは、硼酸緩衝液により８．３に調整
した。その結果を図３に示す。図３に破線で示す各分極
曲線の外挿値から、磁性膜の酸化電位は０．１Ｖ（ｖ
ｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ電極基準、以下同じ）であり、Ｍｎ
・Ｚｎフェライト基板の酸化電位は、−０．０５Ｖであ
ることが分かる。
とＺｎＯの比が１．０のＭｎ・Ｚｎフェライト基板の分
極曲線を電位走査法により測定（１００ｍＶ／ｍｉｎ）
した。電解液のｐＨは、硼酸緩衝液により８．３に調整
した。その結果を図３に示す。図３に破線で示す各分極
曲線の外挿値から、磁性膜の酸化電位は０．１Ｖ（ｖ
ｓ．Ａｇ／ＡｇＣｌ電極基準、以下同じ）であり、Ｍｎ
・Ｚｎフェライト基板の酸化電位は、−０．０５Ｖであ
ることが分かる。
【００３３】次に、この磁性膜とＭｎ・Ｚｎフェライト
基板を用い、前記実施例と同様にして、図２に概略を示
すＭＩＧ（メタルインギャップ）型の磁気ヘッドを作製
した。この磁気ヘッドを０．５規定塩化ナトリウム水溶
液中に１００時間浸漬させ、目視観察により磁気ヘッド
の信頼性を評価した。その結果、腐食の発生は全く見ら
れなかった。この磁気ヘッドを８０℃で９５％ＲＨ環境
中へ２０００時間以上放置しても、腐食の発生や磁気特
性の変化は見られなかった。
基板を用い、前記実施例と同様にして、図２に概略を示
すＭＩＧ（メタルインギャップ）型の磁気ヘッドを作製
した。この磁気ヘッドを０．５規定塩化ナトリウム水溶
液中に１００時間浸漬させ、目視観察により磁気ヘッド
の信頼性を評価した。その結果、腐食の発生は全く見ら
れなかった。この磁気ヘッドを８０℃で９５％ＲＨ環境
中へ２０００時間以上放置しても、腐食の発生や磁気特
性の変化は見られなかった。
【００３４】このように、導電性を有する基板の酸化電
位が磁性膜の酸化電位より卑な電位である場合にも磁性
膜に腐食が生じない。ただし、酸化電位の差が１Ｖ以上
あると基板が腐食してしまうので注意しなければならな
い。本実施例のＭＩＧ（メタルインギャップ）型の磁気
ヘッドを用いて、ＶＴＲ装置を作製し、磁気テープを走
行させ画像情報を記録した。ハイビジョンのディジタル
情報を記録して再生したところ、Ｓ／Ｎは３９ｄＢであ
った。ここで、磁気ヘッドと磁気テープの相対速度は３
６ｍ／ｓ、データレートは４６．１Ｍｂｐｓ、トラック
幅は４０μｍである。
位が磁性膜の酸化電位より卑な電位である場合にも磁性
膜に腐食が生じない。ただし、酸化電位の差が１Ｖ以上
あると基板が腐食してしまうので注意しなければならな
い。本実施例のＭＩＧ（メタルインギャップ）型の磁気
ヘッドを用いて、ＶＴＲ装置を作製し、磁気テープを走
行させ画像情報を記録した。ハイビジョンのディジタル
情報を記録して再生したところ、Ｓ／Ｎは３９ｄＢであ
った。ここで、磁気ヘッドと磁気テープの相対速度は３
６ｍ／ｓ、データレートは４６．１Ｍｂｐｓ、トラック
幅は４０μｍである。
【００３５】この磁気ヘッドに対し０．５規定塩化ナト
リウム水溶液中への浸漬試験法、及び高温高湿度環境
（６０℃、相対湿度：９５％）中での結露試験法を行
い、前記実施例と同様に記録再生特性の面から評価した
ところ、Ｓ／Ｎは３９ｄＢであり、浸漬前となんら記録
再生特性に違いは見られなかった。
リウム水溶液中への浸漬試験法、及び高温高湿度環境
（６０℃、相対湿度：９５％）中での結露試験法を行
い、前記実施例と同様に記録再生特性の面から評価した
ところ、Ｓ／Ｎは３９ｄＢであり、浸漬前となんら記録
再生特性に違いは見られなかった。
【００３６】〔実施例３〕磁性薄膜として、フェライト
基板上にスパッタリングによって５μｍの厚さに成膜し
たＦｅ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ合金膜を用いた。スパッタの条
件は、放電ガスにＡｒ／Ｎ2 （＝９０／１０）を用い、
放電ガス圧力５ｍＴｏｒｒ、投入ＲＦ電力４００Ｗと
し、ターゲットとしてＦｅ板上にＴａ，Ａｌペレットを
置いた複合体ターゲットを用いた。磁性膜は、アルゴン
雰囲気中で、結晶化温度より６０℃高い温度で３０分間
熱処理して軟磁気特性を発現させた。
基板上にスパッタリングによって５μｍの厚さに成膜し
たＦｅ−Ｔａ−Ｎ−Ａｌ合金膜を用いた。スパッタの条
件は、放電ガスにＡｒ／Ｎ2 （＝９０／１０）を用い、
放電ガス圧力５ｍＴｏｒｒ、投入ＲＦ電力４００Ｗと
し、ターゲットとしてＦｅ板上にＴａ，Ａｌペレットを
置いた複合体ターゲットを用いた。磁性膜は、アルゴン
雰囲気中で、結晶化温度より６０℃高い温度で３０分間
熱処理して軟磁気特性を発現させた。
【００３７】得られた磁性膜の磁気特性は、飽和磁束密
度が１．４Ｔ、保磁力が０．２Ｏｅ、５ＭＨｚにおける
比透磁率が４５００、磁歪定数が８×１０-7であった。
このようにして作製した磁性膜の分極曲線を電位走査法
により測定（１００ｍＶ／ｍｉｎ）したところ、−０．
１Ｖであった。電解液のｐＨは、硼酸緩衝液により８．
３に調整した。
度が１．４Ｔ、保磁力が０．２Ｏｅ、５ＭＨｚにおける
比透磁率が４５００、磁歪定数が８×１０-7であった。
このようにして作製した磁性膜の分極曲線を電位走査法
により測定（１００ｍＶ／ｍｉｎ）したところ、−０．
１Ｖであった。電解液のｐＨは、硼酸緩衝液により８．
３に調整した。
【００３８】次に、この磁性膜とＭｎＯ／ＺｎＯが１．
５（酸化電位は０．２Ｖ）、１．９（酸化電位は０．７
Ｖ）及び２．２（酸化電位は１．２Ｖ）の３種類のＭｎ
・Ｚｎフェライト基板を用い、前記実施例１と同様にし
て、図２に概略を示すＭＩＧ（メタルインギャップ）型
の磁気ヘッドを作製した。この磁気ヘッドを０．５規定
塩化ナトリウム水溶液中に１００時間浸漬させ、目視観
察により磁気ヘッドの信頼性を評価した。その結果、Ｍ
ｎＯとＺｎＯの比が１．５及び１．９のフェライト基板
を用いた磁気ヘッドには、腐食の発生は全く見られなか
った。これに対して、ＭｎＯとＺｎＯの比が２．２のフ
ェライト基板を用いた磁気ヘッドでは５時間の浸漬によ
り磁性膜全面に腐食が発生した。
５（酸化電位は０．２Ｖ）、１．９（酸化電位は０．７
Ｖ）及び２．２（酸化電位は１．２Ｖ）の３種類のＭｎ
・Ｚｎフェライト基板を用い、前記実施例１と同様にし
て、図２に概略を示すＭＩＧ（メタルインギャップ）型
の磁気ヘッドを作製した。この磁気ヘッドを０．５規定
塩化ナトリウム水溶液中に１００時間浸漬させ、目視観
察により磁気ヘッドの信頼性を評価した。その結果、Ｍ
ｎＯとＺｎＯの比が１．５及び１．９のフェライト基板
を用いた磁気ヘッドには、腐食の発生は全く見られなか
った。これに対して、ＭｎＯとＺｎＯの比が２．２のフ
ェライト基板を用いた磁気ヘッドでは５時間の浸漬によ
り磁性膜全面に腐食が発生した。
【００３９】この３種類のＭＩＧ（メタルインギャッ
プ）型の磁気ヘッドを用いて、ＶＴＲ装置を作製し、磁
気テープを走行させ画像情報を記録した。ハイビジョン
のディジタル情報を記録して再生したところ、Ｓ／Ｎは
４０ｄＢであった。ここで、磁気ヘッドと磁気テープの
相対速度は３６ｍ／ｓ、データレートは４６．１Ｍｂｐ
ｓ、トラック幅は４０μｍである。この磁気ヘッドに対
し、前記実施例１と同様に、０．５規定塩化ナトリウム
水溶液中への浸漬試験法、及び高温高湿度環境（６０
℃、相対湿度：９５％）中での結露試験法を行い、記録
再生特性の面から評価した。
プ）型の磁気ヘッドを用いて、ＶＴＲ装置を作製し、磁
気テープを走行させ画像情報を記録した。ハイビジョン
のディジタル情報を記録して再生したところ、Ｓ／Ｎは
４０ｄＢであった。ここで、磁気ヘッドと磁気テープの
相対速度は３６ｍ／ｓ、データレートは４６．１Ｍｂｐ
ｓ、トラック幅は４０μｍである。この磁気ヘッドに対
し、前記実施例１と同様に、０．５規定塩化ナトリウム
水溶液中への浸漬試験法、及び高温高湿度環境（６０
℃、相対湿度：９５％）中での結露試験法を行い、記録
再生特性の面から評価した。
【００４０】その結果、ＭｎＯとＺｎＯの比が１．５及
び１．９の基板を用いた磁気ヘッドを用いた装置では、
Ｓ／Ｎは４０ｄＢであり、浸漬試験及び結露試験前とな
んら記録再生特性に違いは見られなかった。これに対し
て、ＭｎＯとＺｎＯの比が２．２の基板を用いた磁気ヘ
ッドでは、浸漬試験及び結露試験のいずれの場合にも記
録及び再生ともにできなかった。これは、磁性膜の腐食
により磁気特性が劣化したことによるものである。以上
の結果から明らかなように、本発明の効果は材料系に依
存したものではなく、磁性膜とそれを形成する基板との
電気化学的な酸化電位の差に基づくものである。
び１．９の基板を用いた磁気ヘッドを用いた装置では、
Ｓ／Ｎは４０ｄＢであり、浸漬試験及び結露試験前とな
んら記録再生特性に違いは見られなかった。これに対し
て、ＭｎＯとＺｎＯの比が２．２の基板を用いた磁気ヘ
ッドでは、浸漬試験及び結露試験のいずれの場合にも記
録及び再生ともにできなかった。これは、磁性膜の腐食
により磁気特性が劣化したことによるものである。以上
の結果から明らかなように、本発明の効果は材料系に依
存したものではなく、磁性膜とそれを形成する基板との
電気化学的な酸化電位の差に基づくものである。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、導電性を有する基板と
磁性膜との間に形成される腐食電池作用を抑制できるの
で、磁気ヘッド状態において生じる腐食を抑制すること
ができる。酸化還元電位の制御のために行う磁性膜の組
成制御において磁性膜の磁気特性を劣化させることなく
高飽和磁束密度を有しながら良好な軟磁気特性が得ら
れ、しかも、磁性膜の耐食性向上、さらには磁気ヘッド
の特性向上を図ることができる。この磁気ヘッドを用い
ると、高性能でしかも高信頼性を有する磁気記録装置が
得られる。
磁性膜との間に形成される腐食電池作用を抑制できるの
で、磁気ヘッド状態において生じる腐食を抑制すること
ができる。酸化還元電位の制御のために行う磁性膜の組
成制御において磁性膜の磁気特性を劣化させることなく
高飽和磁束密度を有しながら良好な軟磁気特性が得ら
れ、しかも、磁性膜の耐食性向上、さらには磁気ヘッド
の特性向上を図ることができる。この磁気ヘッドを用い
ると、高性能でしかも高信頼性を有する磁気記録装置が
得られる。
【図１】磁性膜及び導電性を有する基板の分極曲線を示
す図。
す図。
【図２】メタルインギャップ（ＭＩＧ）型磁気ヘッドの
構造を示す図。
構造を示す図。
【図３】磁性膜及び導電性を有する基板の分極曲線を示
す図。
す図。
１…軟磁性薄膜、２…フェライト基板、３…ギャップ
部、４…低融点ガラス部
部、４…低融点ガラス部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大友 茂一 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (12)
- 【請求項１】 導電性基板と、該基板上に設けられた軟
磁気特性を有する磁性膜とを含み、前記磁性膜が示す電
気化学的な反応を生じる電位と前記基板が示す電気化学
的な反応を生じる電位との差が１．０Ｖ以下であること
を特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記磁性膜が示す電気化学的な反応を生
じる電位は前記基板が示す電気化学的な反応を生じる電
位より貴な電位であることを特徴とする請求項１記載の
磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記電気化学的な反応は酸化反応である
ことを特徴とする請求項１又は２記載の磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記導電性基板は磁性材料からなること
を特徴とする請求項１、２又は３記載の磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記磁性材料は単結晶のＭｎ・Ｚｎフェ
ライトであることを特徴とする請求項４記載の磁気ヘッ
ド。 - 【請求項６】 前記磁性膜はＺｒ，Ｎｂ，Ｔａの中から
選ばれる少なくとも１種類の元素を５〜２０ａｔ％、
Ｎ，Ｃの中から選ばれる少なくとも１種類の元素を１〜
２０ａｔ％、Ｃｒ，Ｎｂ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｔ
ｉの中から選ばれる少なくとも１種類もしくは２種類の
元素を０．５〜１５ａｔ％含み、残部がＦｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉの中から選ばれる少なくとも１種類の元素である合金
であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記
載の磁気ヘッド。 - 【請求項７】 前記磁性膜は熱処理を施すことにより軟
磁気特性を発現させた軟磁性薄膜であって、粒子サイズ
が１〜１５ｎｍであるα−Ｆｅ相の微結晶を含むことを
特徴とする請求項６記載の磁気ヘッド。 - 【請求項８】 前記磁性膜は成膜後に熱処理を施して軟
磁気特性を発現させた軟磁性薄膜であることを特徴とす
る請求項７記載の磁気ヘッド。 - 【請求項９】 前記磁気ヘッドはメタル・イン・ギャッ
プ型磁気ヘッドであることを特徴とする請求項１〜８の
いずれか１項記載の磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれか１項記載の磁
気ヘッドと、磁気記録媒体駆動手段と、信号処理手段と
を含むことを特徴とする磁気記録再生装置。 - 【請求項１１】 前記磁気記録媒体駆動手段は、テープ
状の磁気記録媒体又は円板状の磁気記録媒体を駆動する
ことを特徴とする請求項１０記載の磁気記録再生装置。 - 【請求項１２】 画像情報及び／又は音声情報を記録再
生することを特徴とする請求項１０又は１１記載の磁気
記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9765094A JPH07307003A (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9765094A JPH07307003A (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07307003A true JPH07307003A (ja) | 1995-11-21 |
Family
ID=14197974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9765094A Pending JPH07307003A (ja) | 1994-05-11 | 1994-05-11 | 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07307003A (ja) |
-
1994
- 1994-05-11 JP JP9765094A patent/JPH07307003A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0234879B1 (en) | Ferromagnetic thin film and magnetic head using it | |
| KR0178080B1 (ko) | 연자성막 및 그것을 사용한 자기헤드와 자기기록장치 | |
| US5962153A (en) | Soft magnetic thin film, and magnetic head and magnetic recording apparatus using the film | |
| US6033792A (en) | Soft magnetic thin film, and magnetic head and magnetic recording device using the same | |
| JPH07116563B2 (ja) | Ｆｅ基軟磁性合金 | |
| JP2844604B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US5873955A (en) | Soft magnetic thin film, and magnetic head and magnetic recording device using the same | |
| JPH07307003A (ja) | 磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置 | |
| JPH09283333A (ja) | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド | |
| JP3386270B2 (ja) | 磁気ヘッド及び磁気記録装置 | |
| JP2775770B2 (ja) | 軟磁性薄膜の製造方法 | |
| JPH07288207A (ja) | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド | |
| JP2001351226A (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法及び磁気記録装置 | |
| JPH07282410A (ja) | 磁気ヘッドの構造及びそれを用いた磁気記録装置 | |
| JPH07288208A (ja) | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド | |
| JPH0887710A (ja) | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド、磁気記録装置 | |
| JPH08306529A (ja) | 軟磁性薄膜、それを用いた磁気ヘッドおよび磁気記録装置 | |
| JPH08107036A (ja) | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気記録装置 | |
| JPH09134818A (ja) | 軟磁性薄膜、それを用いた磁気ヘッド及び磁気記録装置 | |
| JPH08316032A (ja) | 軟磁性薄膜、それを用いた磁気ヘッドおよび磁気記録装置 | |
| JPH04252006A (ja) | 耐食軟磁性膜及びこれを用いた磁気ヘッド | |
| JPH0130219B2 (ja) | ||
| JPH09320845A (ja) | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド，磁気記録装置 | |
| JPH09326313A (ja) | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド，磁気記録装置 | |
| JPH07283027A (ja) | 軟磁性薄膜、及び、それを用いた磁気ヘッドおよび磁気記録装置 |