JPH09283333A - 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド - Google Patents
軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッドInfo
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- JPH09283333A JPH09283333A JP9110596A JP9110596A JPH09283333A JP H09283333 A JPH09283333 A JP H09283333A JP 9110596 A JP9110596 A JP 9110596A JP 9110596 A JP9110596 A JP 9110596A JP H09283333 A JPH09283333 A JP H09283333A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 軟磁気特性、熱安定性、及び耐食性を向上し
た軟磁性薄膜を得る。 【解決手段】 Ｆｅを主体とし、Ｔａ及び／又はＨｆ
と、Ｃ及び／又はＮを含み、Ｆｅの（１１０）面が優先
配向しており、Ｆｅの結晶粒子のサイズｄ1 が１５ｎｍ
以下であり、Ｔａ−Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈｆ−Ｃ、或いはＨ
ｆ−Ｎ粒子のサイズｄ2 が３ｎｍ以下である軟磁性薄
膜。結晶粒子サイズの制御は、成膜初期にＦｅの結晶粒
子を析出させ、その後にＴａ−Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈｆ−
Ｃ，Ｈｆ−Ｎの結晶粒子を析出させることにより行う。
た軟磁性薄膜を得る。 【解決手段】 Ｆｅを主体とし、Ｔａ及び／又はＨｆ
と、Ｃ及び／又はＮを含み、Ｆｅの（１１０）面が優先
配向しており、Ｆｅの結晶粒子のサイズｄ1 が１５ｎｍ
以下であり、Ｔａ−Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈｆ−Ｃ、或いはＨ
ｆ−Ｎ粒子のサイズｄ2 が３ｎｍ以下である軟磁性薄
膜。結晶粒子サイズの制御は、成膜初期にＦｅの結晶粒
子を析出させ、その後にＴａ−Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈｆ−
Ｃ，Ｈｆ−Ｎの結晶粒子を析出させることにより行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高飽和磁束密度を
有する微結晶析出型のＦｅ系の軟磁性薄膜に係り、特
に、高性能でしかも高信頼性を有する軟磁性薄膜、並び
に、その軟磁性膜を用いて作製した磁気ヘッド及び磁気
記録装置に関する。
有する微結晶析出型のＦｅ系の軟磁性薄膜に係り、特
に、高性能でしかも高信頼性を有する軟磁性薄膜、並び
に、その軟磁性膜を用いて作製した磁気ヘッド及び磁気
記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の高度情報化社会の進展に伴い、小
型でしかも高密度な情報記憶装置に対するニーズが高ま
っている。この中で、磁気記録装置は、高密度記録、ダ
ウンサイジングへの研究が急速に進められている。高密
度記録を実現するために、記録した微小磁区が安定に存
在するように高保磁力を有する媒体と、この媒体に記録
できる高性能な磁気ヘッドが必要となる。高保磁力媒体
を十分に磁化して信号を記録するためには、強い磁界が
発生できる高飽和磁束密度を有する磁気ヘッド材料が必
要となる。
型でしかも高密度な情報記憶装置に対するニーズが高ま
っている。この中で、磁気記録装置は、高密度記録、ダ
ウンサイジングへの研究が急速に進められている。高密
度記録を実現するために、記録した微小磁区が安定に存
在するように高保磁力を有する媒体と、この媒体に記録
できる高性能な磁気ヘッドが必要となる。高保磁力媒体
を十分に磁化して信号を記録するためには、強い磁界が
発生できる高飽和磁束密度を有する磁気ヘッド材料が必
要となる。
【０００３】現在、提案されている高飽和磁束密度を有
する材料として、Ｆｅ−Ｃ系やＦｅ−Ｎ系等の材料があ
る。これらの材料は、軟磁気特性を発現させるために、
一定の温度で熱処理を行っている。この熱処理温度は、
結晶化温度により決定されるもので、用いる材料系及び
その組成に依存している。この他に、この材料を用いて
磁気ヘッドを作製する場合、特に、そのヘッドがメタル
・イン・ギャップ（ＭＩＧ）型ヘッドである場合には、
ヘッド製造工程にガラスボンディング工程を含むため
に、一定温度以上でのアニールが必要である。その場合
のボンディング温度は、用いる溶着ガラスの融解温度で
決定され、一般に、ボンディング温度は結晶化温度より
高くするのが普通である。それは、ボンディング温度が
高いとガラスの強度は優れ、逆に低い温度ではガラスは
十分な強度を有していないからである。そのために、通
常用いられているガラスでは、軟磁気特性が発現する温
度より高い場合が多い。その結果、少なくともガラスの
融解温度で耐えるだけの熱安定性を磁性膜は有していな
ければならない。特に、軟磁気特性は析出してくる微結
晶粒子サイズに依存していることから、良好な軟磁気特
性を有する磁性膜を得るためには、この結晶粒子サイズ
を制御しなければならない。
する材料として、Ｆｅ−Ｃ系やＦｅ−Ｎ系等の材料があ
る。これらの材料は、軟磁気特性を発現させるために、
一定の温度で熱処理を行っている。この熱処理温度は、
結晶化温度により決定されるもので、用いる材料系及び
その組成に依存している。この他に、この材料を用いて
磁気ヘッドを作製する場合、特に、そのヘッドがメタル
・イン・ギャップ（ＭＩＧ）型ヘッドである場合には、
ヘッド製造工程にガラスボンディング工程を含むため
に、一定温度以上でのアニールが必要である。その場合
のボンディング温度は、用いる溶着ガラスの融解温度で
決定され、一般に、ボンディング温度は結晶化温度より
高くするのが普通である。それは、ボンディング温度が
高いとガラスの強度は優れ、逆に低い温度ではガラスは
十分な強度を有していないからである。そのために、通
常用いられているガラスでは、軟磁気特性が発現する温
度より高い場合が多い。その結果、少なくともガラスの
融解温度で耐えるだけの熱安定性を磁性膜は有していな
ければならない。特に、軟磁気特性は析出してくる微結
晶粒子サイズに依存していることから、良好な軟磁気特
性を有する磁性膜を得るためには、この結晶粒子サイズ
を制御しなければならない。
【０００４】さらに、これらの材料は、Ｆｅを主体とし
ているために、大気中の酸素や水と反応して水酸化物や
酸化物を生成し、磁気特性、特に、保磁力や飽和磁束密
度の変動を生じるために、磁気ヘッドの性能が低下する
場合があった。そこで、この材料を用いた磁気ヘッドを
実用化するのに当り、磁性膜を使用環境中へ放置したと
きの腐食による磁気特性の変動を抑制するとともに、ガ
ラスボンディング工程を経ても磁気特性の変動が生じな
いようにすることが課題であった。
ているために、大気中の酸素や水と反応して水酸化物や
酸化物を生成し、磁気特性、特に、保磁力や飽和磁束密
度の変動を生じるために、磁気ヘッドの性能が低下する
場合があった。そこで、この材料を用いた磁気ヘッドを
実用化するのに当り、磁性膜を使用環境中へ放置したと
きの腐食による磁気特性の変動を抑制するとともに、ガ
ラスボンディング工程を経ても磁気特性の変動が生じな
いようにすることが課題であった。
【０００５】これらの課題を解決するために、磁性元素
以外に、耐食性を向上させるための元素を添加すること
が提案されているが、軟磁気特性と耐食性を両立させる
ことは困難であった。これらの点について検討したもの
に、特開平３−２０４４４号公報がある。
以外に、耐食性を向上させるための元素を添加すること
が提案されているが、軟磁気特性と耐食性を両立させる
ことは困難であった。これらの点について検討したもの
に、特開平３−２０４４４号公報がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記公報には、軟磁気
特性、熱安定性、或いは耐食性のいずれか１つの特性を
向上させるのに有効な方法が開示されている。しかしな
がら、これらの特性を同時に向上させる方法についての
十分な開示はない。特に、飽和磁束密度が１．５Ｔ以上
の軟磁性膜に対して前記特性を同時に向上させる方法に
ついては全く開示されていない。
特性、熱安定性、或いは耐食性のいずれか１つの特性を
向上させるのに有効な方法が開示されている。しかしな
がら、これらの特性を同時に向上させる方法についての
十分な開示はない。特に、飽和磁束密度が１．５Ｔ以上
の軟磁性膜に対して前記特性を同時に向上させる方法に
ついては全く開示されていない。
【０００７】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたもので、良好な軟磁気特性を有すると同
時に、高熱安定性を有し、かつ、高信頼性を有する軟磁
性薄膜を提供することを目的とする。
鑑みてなされたもので、良好な軟磁気特性を有すると同
時に、高熱安定性を有し、かつ、高信頼性を有する軟磁
性薄膜を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成できる本
発明による軟磁性薄膜は、Ｆｅを主体とする軟磁性薄膜
において、Ｔａ或いはＨｆの内から選択された少なくと
も１種類の元素と、Ｃ或いはＮの内から選択された少な
くとも１種類の元素を含み、Ｆｅの結晶粒子のサイズｄ
1 とＴａ−Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈｆ−Ｃ、或いはＨｆ−Ｎ粒
子のサイズｄ2の比ｄ1／ｄ2が５以下であることを特徴
とする。
発明による軟磁性薄膜は、Ｆｅを主体とする軟磁性薄膜
において、Ｔａ或いはＨｆの内から選択された少なくと
も１種類の元素と、Ｃ或いはＮの内から選択された少な
くとも１種類の元素を含み、Ｆｅの結晶粒子のサイズｄ
1 とＴａ−Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈｆ−Ｃ、或いはＨｆ−Ｎ粒
子のサイズｄ2の比ｄ1／ｄ2が５以下であることを特徴
とする。
【０００９】また、前記目的を達成できる本発明による
軟磁性薄膜は、Ｆｅを主体とする軟磁性薄膜において、
Ｔａ或いはＨｆの内から選択された少なくとも１種類の
元素と、Ｃ或いはＮの内から選択された少なくとも１種
類の元素を含み、Ｆｅの（１１０）面が優先配向してお
り、Ｆｅの結晶粒子のサイズｄ1 とＴａ−Ｃ，Ｔａ−
Ｎ，Ｈｆ−Ｃ、或いはＨｆ−Ｎ粒子のサイズｄ2 の比ｄ
1／ｄ2が５以下であることを特徴とする。
軟磁性薄膜は、Ｆｅを主体とする軟磁性薄膜において、
Ｔａ或いはＨｆの内から選択された少なくとも１種類の
元素と、Ｃ或いはＮの内から選択された少なくとも１種
類の元素を含み、Ｆｅの（１１０）面が優先配向してお
り、Ｆｅの結晶粒子のサイズｄ1 とＴａ−Ｃ，Ｔａ−
Ｎ，Ｈｆ−Ｃ、或いはＨｆ−Ｎ粒子のサイズｄ2 の比ｄ
1／ｄ2が５以下であることを特徴とする。
【００１０】また、前記目的を達成できる本発明による
軟磁性薄膜は、Ｆｅを主体とする軟磁性薄膜において、
Ｔａ或いはＨｆの内から選択された少なくとも１種類の
元素と、Ｃ或いはＮの内から選択された少なくとも１種
類の元素を含み、Ｆｅの（１１０）面が優先配向してお
り、Ｆｅの結晶粒子のサイズｄ1 が１５ｎｍ以下であ
り、Ｔａ−Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈｆ−Ｃ、或いはＨｆ−Ｎ粒
子のサイズｄ2 が３ｎｍ以下であることを特徴とする。
軟磁性薄膜は、Ｆｅを主体とする軟磁性薄膜において、
Ｔａ或いはＨｆの内から選択された少なくとも１種類の
元素と、Ｃ或いはＮの内から選択された少なくとも１種
類の元素を含み、Ｆｅの（１１０）面が優先配向してお
り、Ｆｅの結晶粒子のサイズｄ1 が１５ｎｍ以下であ
り、Ｔａ−Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈｆ−Ｃ、或いはＨｆ−Ｎ粒
子のサイズｄ2 が３ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００１１】また、前記目的を達成できる本発明による
軟磁性薄膜は、Ｆｅを主体とする軟磁性薄膜において、
Ｔａ或いはＨｆの内から選択された少なくとも１種類の
元素と、Ｃ或いはＮの内から選択された少なくとも１種
類の元素を含み、Ｆｅの（１１０）面が優先配向してお
り、Ｆｅの結晶粒子のサイズｄ1 が１５ｎｍ以下であ
り、Ｔａ−Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈｆ−Ｃ、或いはＨｆ−Ｎ粒
子のサイズｄ2 が３ｎｍ以下であり、比ｄ1／ｄ2が５以
下であることを特徴とする。
軟磁性薄膜は、Ｆｅを主体とする軟磁性薄膜において、
Ｔａ或いはＨｆの内から選択された少なくとも１種類の
元素と、Ｃ或いはＮの内から選択された少なくとも１種
類の元素を含み、Ｆｅの（１１０）面が優先配向してお
り、Ｆｅの結晶粒子のサイズｄ1 が１５ｎｍ以下であ
り、Ｔａ−Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈｆ−Ｃ、或いはＨｆ−Ｎ粒
子のサイズｄ2 が３ｎｍ以下であり、比ｄ1／ｄ2が５以
下であることを特徴とする。
【００１２】本発明による軟磁性薄膜の結晶粒子サイズ
の制御は、成膜初期にＦｅの結晶粒子を析出させ、その
後にＴａ−Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈｆ−Ｃ，Ｈｆ−Ｎの結晶粒
子を析出させて、結晶粒子の成長を制御することで実現
できる。このように、磁性膜の磁気特性、耐熱性、さら
には、信頼性を確保するには、Ｆｅ結晶粒子のサイズと
Ｔａ−Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈｆ−Ｃ，Ｈｆ−Ｎの結晶粒子の
サイズの比を一定値以下に保つとともに、各結晶粒子の
サイズを一定の値以下にすることが必要である。ここ
で、結晶粒子の長辺の寸法をもって結晶粒子のサイズと
する。
の制御は、成膜初期にＦｅの結晶粒子を析出させ、その
後にＴａ−Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈｆ−Ｃ，Ｈｆ−Ｎの結晶粒
子を析出させて、結晶粒子の成長を制御することで実現
できる。このように、磁性膜の磁気特性、耐熱性、さら
には、信頼性を確保するには、Ｆｅ結晶粒子のサイズと
Ｔａ−Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈｆ−Ｃ，Ｈｆ−Ｎの結晶粒子の
サイズの比を一定値以下に保つとともに、各結晶粒子の
サイズを一定の値以下にすることが必要である。ここ
で、結晶粒子の長辺の寸法をもって結晶粒子のサイズと
する。
【００１３】本発明は、磁性膜の飽和磁束密度が１．５
Ｔ以上の磁性膜に対して特に好適である。磁性膜の構造
は、Ｆｅの結晶相の結晶粒界にＴａ−Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈ
ｆ−ＣやＨｆ−Ｎの結晶粒子を分散させた構造であるこ
とが最も好ましい。さらに、Ｃ或いはＮの内から選択さ
れた少なくとも１種類の元素の一部がＦｅの結晶相中に
固溶しているのがより好ましい。このことにより、Ｆｅ
の結晶粒子を微細化できるとともに、結晶粒子の成長を
抑制できるため、軟磁気特性を向上できると同時に、耐
食性や耐熱性の向上を図ることができる。この場合、Ｆ
ｅの格子面間隔が増大するのは、Ｃ或いはＮの内から選
択された少なくとも１種類の元素の一部がＦｅの結晶相
中に固溶したことを示している。
Ｔ以上の磁性膜に対して特に好適である。磁性膜の構造
は、Ｆｅの結晶相の結晶粒界にＴａ−Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈ
ｆ−ＣやＨｆ−Ｎの結晶粒子を分散させた構造であるこ
とが最も好ましい。さらに、Ｃ或いはＮの内から選択さ
れた少なくとも１種類の元素の一部がＦｅの結晶相中に
固溶しているのがより好ましい。このことにより、Ｆｅ
の結晶粒子を微細化できるとともに、結晶粒子の成長を
抑制できるため、軟磁気特性を向上できると同時に、耐
食性や耐熱性の向上を図ることができる。この場合、Ｆ
ｅの格子面間隔が増大するのは、Ｃ或いはＮの内から選
択された少なくとも１種類の元素の一部がＦｅの結晶相
中に固溶したことを示している。
【００１４】さらに、上記の軟磁性薄膜において、Ｔａ
或いはＨｆの内より選択された少なくとも１種類の元素
とＮ或いはＣの内より選択された少なくとも１種類の元
素との化学量論比が〔Ｈｆ〕（或いは〔Ｔａ〕）／
〔Ｎ〕（或いは〔Ｃ〕）＝０．５０〜１．５の間である
ことが最も好ましい。これは、磁気特性及び耐食性の観
点から必須の組成範囲である。軟磁性薄膜において、Ｔ
ａ或いはＨｆの内より選択された少なくとも１種類の元
素とＮ或いはＣの内より選択された少なくとも１種類の
元素との化学量論比を制御することにより、イオンの価
数を制御することができる。
或いはＨｆの内より選択された少なくとも１種類の元素
とＮ或いはＣの内より選択された少なくとも１種類の元
素との化学量論比が〔Ｈｆ〕（或いは〔Ｔａ〕）／
〔Ｎ〕（或いは〔Ｃ〕）＝０．５０〜１．５の間である
ことが最も好ましい。これは、磁気特性及び耐食性の観
点から必須の組成範囲である。軟磁性薄膜において、Ｔ
ａ或いはＨｆの内より選択された少なくとも１種類の元
素とＮ或いはＣの内より選択された少なくとも１種類の
元素との化学量論比を制御することにより、イオンの価
数を制御することができる。
【００１５】前記軟磁性薄膜を用いた磁気ヘッドとして
は、メタル・イン・ギャップ型の磁気ヘッドが最も好適
である。この磁気ヘッドを用いた磁気記録装置は、テー
プ状或いは円板状の移動磁気記録媒体に画像情報や音声
情報を記録再生することができる。
は、メタル・イン・ギャップ型の磁気ヘッドが最も好適
である。この磁気ヘッドを用いた磁気記録装置は、テー
プ状或いは円板状の移動磁気記録媒体に画像情報や音声
情報を記録再生することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて説明する。ここでは、Ｆｅ79Ｈｆ12Ｎ9 合金膜を磁
性膜として用いた場合を例にとって本発明の詳細を説明
する。磁性膜は、スパッタ法により作製した。ターゲッ
トには、Ｆｅ87Ｈｆ13合金を用い、放電ガスにはＡｒ／
Ｎ2（体積比９２／８）混合ガスを用いた。投入ＲＦ電
力密度は４００Ｗ／１５０ｍｍ2φで、放電ガス圧力は
６ｍＴｏｒｒである。ただし、これらの条件は絶対的な
ものではなく、作製装置や作製方法に依存する。形成し
た磁性膜の膜厚は５μｍであった。
いて説明する。ここでは、Ｆｅ79Ｈｆ12Ｎ9 合金膜を磁
性膜として用いた場合を例にとって本発明の詳細を説明
する。磁性膜は、スパッタ法により作製した。ターゲッ
トには、Ｆｅ87Ｈｆ13合金を用い、放電ガスにはＡｒ／
Ｎ2（体積比９２／８）混合ガスを用いた。投入ＲＦ電
力密度は４００Ｗ／１５０ｍｍ2φで、放電ガス圧力は
６ｍＴｏｒｒである。ただし、これらの条件は絶対的な
ものではなく、作製装置や作製方法に依存する。形成し
た磁性膜の膜厚は５μｍであった。
【００１７】磁性膜の構造は、作製直後ではＸ線的に非
晶質であった。この磁性膜を６００℃で３０分間アニー
ルした。アニールは真空中或いはＡｒやＮ2 等の不活性
ガス中で行い、熱処理中は外部から１０ｋＯｅの磁界を
印加した。この膜の磁気特性を調べたところ、飽和磁束
密度：Ｂｓが１．６Ｔ、透磁率：μが５０００（５ＭＨ
ｚ）、保磁力：Ｈｃが０．１Ｏｅ、磁歪定数：λｓが２
×１０-7、そして、比抵抗：ρが９５×１０-8Ω・ｍで
あり、良好であった。特に、比抵抗が大きいので、渦電
流損失が小さく、高周波領域での記録や再生に好適であ
る。この磁性膜の構造は、Ｆｅの（１１０）面がメイン
ピークであり、Scherrerの式によりＦｅの結晶粒子サイ
ズを求めると、８ｎｍであった。この他に、Ｈｆ−Ｎに
起因するＸ線の回折ピークが観測された。ピークが非常
にブロードであるのでＦｅより正確な測定はできない
が、このピークから結晶粒子サイズを求めると、約２ｎ
ｍであった。先のＦｅの結晶粒子とのサイズ比を求める
と、Ｆｅ／Ｈｆ−Ｎ比は８／２＝４であった。
晶質であった。この磁性膜を６００℃で３０分間アニー
ルした。アニールは真空中或いはＡｒやＮ2 等の不活性
ガス中で行い、熱処理中は外部から１０ｋＯｅの磁界を
印加した。この膜の磁気特性を調べたところ、飽和磁束
密度：Ｂｓが１．６Ｔ、透磁率：μが５０００（５ＭＨ
ｚ）、保磁力：Ｈｃが０．１Ｏｅ、磁歪定数：λｓが２
×１０-7、そして、比抵抗：ρが９５×１０-8Ω・ｍで
あり、良好であった。特に、比抵抗が大きいので、渦電
流損失が小さく、高周波領域での記録や再生に好適であ
る。この磁性膜の構造は、Ｆｅの（１１０）面がメイン
ピークであり、Scherrerの式によりＦｅの結晶粒子サイ
ズを求めると、８ｎｍであった。この他に、Ｈｆ−Ｎに
起因するＸ線の回折ピークが観測された。ピークが非常
にブロードであるのでＦｅより正確な測定はできない
が、このピークから結晶粒子サイズを求めると、約２ｎ
ｍであった。先のＦｅの結晶粒子とのサイズ比を求める
と、Ｆｅ／Ｈｆ−Ｎ比は８／２＝４であった。
【００１８】また、この膜を０．５Ｎ ＮａＣｌａｑ中
へ１０００時間浸漬させたが、錆びの発生は見られず、
且つ、磁気特性の劣化は見られなかった。さらに、この
磁性膜を７００℃で熱処理しても磁気特性や耐食性の劣
化は見られなかった。次に、スパッタ条件及び熱処理条
件等を種々選択してＦｅ及びＴａＣの各結晶粒子サイズ
を制御することで、Ｆｅ結晶粒子サイズとＨｆ−Ｎの結
晶粒子サイズの異なる多数の磁性膜を作製し、Ｆｅ結晶
粒子サイズとＨｆ−Ｎの結晶粒子サイズと耐食性の関係
を調べた。その結果を図１に示す。図中、白丸（○）は
０．５Ｎ ＮａＣｌａｑ中へ１０００時間浸漬させても
錆びの発生が見られなかった膜であり、黒丸（●）は逆
に腐食が発生した膜である。錆の発生の有無は目視によ
って判定した。
へ１０００時間浸漬させたが、錆びの発生は見られず、
且つ、磁気特性の劣化は見られなかった。さらに、この
磁性膜を７００℃で熱処理しても磁気特性や耐食性の劣
化は見られなかった。次に、スパッタ条件及び熱処理条
件等を種々選択してＦｅ及びＴａＣの各結晶粒子サイズ
を制御することで、Ｆｅ結晶粒子サイズとＨｆ−Ｎの結
晶粒子サイズの異なる多数の磁性膜を作製し、Ｆｅ結晶
粒子サイズとＨｆ−Ｎの結晶粒子サイズと耐食性の関係
を調べた。その結果を図１に示す。図中、白丸（○）は
０．５Ｎ ＮａＣｌａｑ中へ１０００時間浸漬させても
錆びの発生が見られなかった膜であり、黒丸（●）は逆
に腐食が発生した膜である。錆の発生の有無は目視によ
って判定した。
【００１９】図１から、Ｆｅの結晶粒子サイズが１５ｎ
ｍを超えるか、或いは、Ｈｆ−Ｎ粒子サイズが３ｎｍを
超えると、耐食性が急激に劣化することがわかる。ま
た、Ｆｅの結晶粒子サイズが３ｎｍ以下では、逆に、軟
磁気特性、特に、保磁力が１Ｏｅ以上になるので、軟磁
性膜として用いることはできない。さらに、Ｈｆ−Ｎ結
晶粒子サイズが１ｎｍ程度、かつＦｅの結晶粒子サイズ
が３ｎｍを超える膜はプロセスの関係から作製できなか
った。Ｈｆ−Ｎ結晶粒子サイズは、２ｎｍ程度が実質的
な下限値となる。しかし、透過型電子顕微鏡レベルで観
察して、Ｆｅ粒子サイズが２ｎｍでＨｆ−Ｎ粒子サイズ
が１ｎｍの膜は、耐食性は良好であるが、保磁力が大き
く、磁気ヘッド材料としては不適当である。
ｍを超えるか、或いは、Ｈｆ−Ｎ粒子サイズが３ｎｍを
超えると、耐食性が急激に劣化することがわかる。ま
た、Ｆｅの結晶粒子サイズが３ｎｍ以下では、逆に、軟
磁気特性、特に、保磁力が１Ｏｅ以上になるので、軟磁
性膜として用いることはできない。さらに、Ｈｆ−Ｎ結
晶粒子サイズが１ｎｍ程度、かつＦｅの結晶粒子サイズ
が３ｎｍを超える膜はプロセスの関係から作製できなか
った。Ｈｆ−Ｎ結晶粒子サイズは、２ｎｍ程度が実質的
な下限値となる。しかし、透過型電子顕微鏡レベルで観
察して、Ｆｅ粒子サイズが２ｎｍでＨｆ−Ｎ粒子サイズ
が１ｎｍの膜は、耐食性は良好であるが、保磁力が大き
く、磁気ヘッド材料としては不適当である。
【００２０】また、ＨｆとＮの化学量論比は１：１では
なく、透過型電子顕微鏡を用いた格子像観察結果から、
その格子面間隔を推定すると、Ｈｆ4Ｎ3 である。ここ
で、Ｈｆ／Ｎ＝１．３であるが、化学量論比を変化させ
ても０．５から１．５の範囲であれば所望の磁気特性及
び耐食性を得ることができる。この条件は、成膜時の放
電ガス中の窒素濃度を変化させることにより実現でき
る。
なく、透過型電子顕微鏡を用いた格子像観察結果から、
その格子面間隔を推定すると、Ｈｆ4Ｎ3 である。ここ
で、Ｈｆ／Ｎ＝１．３であるが、化学量論比を変化させ
ても０．５から１．５の範囲であれば所望の磁気特性及
び耐食性を得ることができる。この条件は、成膜時の放
電ガス中の窒素濃度を変化させることにより実現でき
る。
【００２１】このようなＦｅ相中にＨｆ−Ｎを分散させ
た磁性膜は、通常は成膜直後は非晶質であり、５００℃
〜６００℃で熱処理してＦｅ相とＨｆ−Ｎ相とに分離、
析出させる。そして、Ｆｅ／Ｈｆ−Ｎ結晶粒子サイズ比
が５以下になるように制御する。さらに制御精度を向上
させるには、作業性は低下するが、成膜直後にＦｅの結
晶粒子を予め析出させ、５００℃〜６００℃で熱処理す
ることによりＨｆ−Ｎ相を析出させると、Ｆｅの結晶粒
子の成長を抑制できると同時にＨｆ−Ｎ粒子の成長を押
さえることができる。その結果、Ｆｅ相を最大で１５ｎ
ｍに、また、Ｈｆ−Ｎ相を最大で３ｎｍに抑制でき、し
かも、その精度は、組成変動、スパッタ条件の変動、熱
処理条件の変動のいずれに対しても強い。添加した窒素
は、Ｈｆと化合物を形成する以外に、Ｆｅ相中に侵入型
固溶体を形成している。これによっても磁性膜の耐食性
を向上させることができる。
た磁性膜は、通常は成膜直後は非晶質であり、５００℃
〜６００℃で熱処理してＦｅ相とＨｆ−Ｎ相とに分離、
析出させる。そして、Ｆｅ／Ｈｆ−Ｎ結晶粒子サイズ比
が５以下になるように制御する。さらに制御精度を向上
させるには、作業性は低下するが、成膜直後にＦｅの結
晶粒子を予め析出させ、５００℃〜６００℃で熱処理す
ることによりＨｆ−Ｎ相を析出させると、Ｆｅの結晶粒
子の成長を抑制できると同時にＨｆ−Ｎ粒子の成長を押
さえることができる。その結果、Ｆｅ相を最大で１５ｎ
ｍに、また、Ｈｆ−Ｎ相を最大で３ｎｍに抑制でき、し
かも、その精度は、組成変動、スパッタ条件の変動、熱
処理条件の変動のいずれに対しても強い。添加した窒素
は、Ｈｆと化合物を形成する以外に、Ｆｅ相中に侵入型
固溶体を形成している。これによっても磁性膜の耐食性
を向上させることができる。
【００２２】以上述べてきた効果は、Ｈｆ−Ｎ粒子に固
有なものではなく、この粒子以外に、Ｈｆ−Ｃ、Ｔａ−
Ｃ、或いは、Ｔａ−Ｎのいずれを分散させても同様の効
果が得られる。炭素を用いた場合には、炭化物以外に炭
素はＦｅ相中へ金属間化合物を形成して存在する。化合
物の材質による違いは、耐食性の観点から電気化学的な
溶解電位を測定すると、Ｈｆ−Ｎ粒子を分散させた場合
が最も高く、０．７５Ｖ（Ａｇ／ＡｇＣｌ電極基準、ｐ
Ｈ＝８．３）であり、最も高い耐食性を有している。そ
して、Ｈｆ−Ｃがこれに続き（０．７Ｖ）、Ｔａ−Ｃ及
びＴａ−Ｎが中でも低い（０．６Ｖ）が、いずれの膜も
実用上は十分な耐食性を有している。
有なものではなく、この粒子以外に、Ｈｆ−Ｃ、Ｔａ−
Ｃ、或いは、Ｔａ−Ｎのいずれを分散させても同様の効
果が得られる。炭素を用いた場合には、炭化物以外に炭
素はＦｅ相中へ金属間化合物を形成して存在する。化合
物の材質による違いは、耐食性の観点から電気化学的な
溶解電位を測定すると、Ｈｆ−Ｎ粒子を分散させた場合
が最も高く、０．７５Ｖ（Ａｇ／ＡｇＣｌ電極基準、ｐ
Ｈ＝８．３）であり、最も高い耐食性を有している。そ
して、Ｈｆ−Ｃがこれに続き（０．７Ｖ）、Ｔａ−Ｃ及
びＴａ−Ｎが中でも低い（０．６Ｖ）が、いずれの膜も
実用上は十分な耐食性を有している。
【００２３】上記の磁性膜を用いて、ＭＩＧ（メタル・
イン・ギャップ）型ヘッドを作製した。図２は、作製し
たＭＩＧ型ヘッドの概略図である。軟磁性薄膜１を単結
晶のフェライト基板２上に形成した。ここで用いた磁性
膜の組成は、Ｆｅ80Ｈｆ8Ｎ12である。ギャップ部３
は、フェライト基板２上に形成した軟磁性薄膜１の上
に、ＳｉＯ2 を２００ｎｍの膜厚に形成した後にＣｒを
１０ｎｍの膜厚に形成して作った。これを窒素気流中に
て６００℃で３０分間熱処理し、同一形状のヘッド基板
を低融点ガラス４によりボンディングした。
イン・ギャップ）型ヘッドを作製した。図２は、作製し
たＭＩＧ型ヘッドの概略図である。軟磁性薄膜１を単結
晶のフェライト基板２上に形成した。ここで用いた磁性
膜の組成は、Ｆｅ80Ｈｆ8Ｎ12である。ギャップ部３
は、フェライト基板２上に形成した軟磁性薄膜１の上
に、ＳｉＯ2 を２００ｎｍの膜厚に形成した後にＣｒを
１０ｎｍの膜厚に形成して作った。これを窒素気流中に
て６００℃で３０分間熱処理し、同一形状のヘッド基板
を低融点ガラス４によりボンディングした。
【００２４】基板と磁性膜の間に両者の接着性の向上の
ための接合層を設けても良い。この接合層は、例えば、
ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，Ｃｒ2Ｏ3，Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｒ等と
することができる。この下地膜を磁性を有するものとす
ると、磁気ヘッドの性能をより向上させることができ
る。このようにして作製した磁気ヘッドにおいては、膜
剥離などは生じなかった。
ための接合層を設けても良い。この接合層は、例えば、
ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4，Ｃｒ2Ｏ3，Ｃｒ，Ｆｅ−Ｃｒ等と
することができる。この下地膜を磁性を有するものとす
ると、磁気ヘッドの性能をより向上させることができ
る。このようにして作製した磁気ヘッドにおいては、膜
剥離などは生じなかった。
【００２５】この磁気ヘッドをＶＴＲ装置に組み込み、
テープを走行させ画像情報を記録した。図３は、ＶＴＲ
装置の機能ブロック図である。図３に示した磁気ヘッド
２０は、図２のＭＩＧ型磁気ヘッドである。磁気ヘッド
２０は、記録／再生時には磁気ヘッド操作機構（図示せ
ず）により変位し、所定速度で走行する磁気テープＴに
接触せしめられる。磁気テープＴの駆動は、図示しない
磁気テープ駆動系により行われる。
テープを走行させ画像情報を記録した。図３は、ＶＴＲ
装置の機能ブロック図である。図３に示した磁気ヘッド
２０は、図２のＭＩＧ型磁気ヘッドである。磁気ヘッド
２０は、記録／再生時には磁気ヘッド操作機構（図示せ
ず）により変位し、所定速度で走行する磁気テープＴに
接触せしめられる。磁気テープＴの駆動は、図示しない
磁気テープ駆動系により行われる。
【００２６】記録時には、入力ビデオ信号は、まずプリ
・エンファシス３１に送られ、さらにＦＭ変調器３２、
記録イコライザ３３、記録増幅器３４を介して回転トラ
ンス３５に送られる。さらに、回転トランス３５から磁
気ヘッド２０に伝達され、磁気ヘッド２０によりそれに
接触して走行する磁気テープＴに記録される。再生時に
は、磁気テープＴに記録されたビデオ信号は、まず磁気
ヘッド２０により読み取られてから回転トランス３５に
伝達される。さらに、回転トランス３５から、再生前置
増幅器３６、再生イコライザ３７、リミッタ３８、ＦＭ
復調器３９、低域フィルタ４０及びタイムベース・コレ
クタ４１を介して出力ビデオ信号となる。
・エンファシス３１に送られ、さらにＦＭ変調器３２、
記録イコライザ３３、記録増幅器３４を介して回転トラ
ンス３５に送られる。さらに、回転トランス３５から磁
気ヘッド２０に伝達され、磁気ヘッド２０によりそれに
接触して走行する磁気テープＴに記録される。再生時に
は、磁気テープＴに記録されたビデオ信号は、まず磁気
ヘッド２０により読み取られてから回転トランス３５に
伝達される。さらに、回転トランス３５から、再生前置
増幅器３６、再生イコライザ３７、リミッタ３８、ＦＭ
復調器３９、低域フィルタ４０及びタイムベース・コレ
クタ４１を介して出力ビデオ信号となる。
【００２７】このＶＴＲ装置によりハイビジョンのディ
ジタル情報を記録したところ、Ｓ／Ｎは４０ｄＢ以上が
得られた。ここで、磁気ヘッド２０と磁気テープＴの相
対速度は３６ｍ／ｓ、データ転送レートは４６．１Ｍｂ
ｐｓ、トラック幅は４０μｍとした。次に、この磁気ヘ
ッドの耐食性を０．５規定塩化ナトリウム水溶液中への
浸漬試験法、及び、高温高湿度環境（６０℃、相対湿
度：９５％）中での結露試験法により評価した。まず、
ＭＩＧ型ヘッドチップを０．５規定塩化ナトリウム水溶
液中へ５００時間浸漬させた。その後、このヘッドを再
び装置にセットして記録再生特性を測定した。その結
果、浸漬前となんら記録再生特性に違いは見られなかっ
た。また、高温高湿度環境（６０℃、相対湿度９５％）
中での結露試験法による評価は、先のＭＩＧヘッドをペ
ルチェ素子上に固定して１０℃に保ち、全体を６０℃、
相対湿度９５％環境中へ放置した。その結果、ヘッド全
体に、結露が生じた。この状態で２０００時間以上この
環境中へ放置したが、腐食の発生や記録特性や再生信号
の劣化は見られなかった。
ジタル情報を記録したところ、Ｓ／Ｎは４０ｄＢ以上が
得られた。ここで、磁気ヘッド２０と磁気テープＴの相
対速度は３６ｍ／ｓ、データ転送レートは４６．１Ｍｂ
ｐｓ、トラック幅は４０μｍとした。次に、この磁気ヘ
ッドの耐食性を０．５規定塩化ナトリウム水溶液中への
浸漬試験法、及び、高温高湿度環境（６０℃、相対湿
度：９５％）中での結露試験法により評価した。まず、
ＭＩＧ型ヘッドチップを０．５規定塩化ナトリウム水溶
液中へ５００時間浸漬させた。その後、このヘッドを再
び装置にセットして記録再生特性を測定した。その結
果、浸漬前となんら記録再生特性に違いは見られなかっ
た。また、高温高湿度環境（６０℃、相対湿度９５％）
中での結露試験法による評価は、先のＭＩＧヘッドをペ
ルチェ素子上に固定して１０℃に保ち、全体を６０℃、
相対湿度９５％環境中へ放置した。その結果、ヘッド全
体に、結露が生じた。この状態で２０００時間以上この
環境中へ放置したが、腐食の発生や記録特性や再生信号
の劣化は見られなかった。
【００２８】ここではＶＴＲ用の磁気ヘッドを例に説明
したが、本発明の軟磁性膜を用いた磁気ヘッドは磁気デ
ィスクやヘリカルスキャンを用いた磁気テープ装置等に
対しても適用できる。また、ここではＦｅ−Ｈｆ系を例
にとって説明した。しかし、ここに述べた効果は、Ｆｅ
−Ｈｆ系に固有のものではなく、Ｈｆの他にＬａ，Ｃ
ｅ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｂ，Ａｇ，Ｔｌ等の元素を添加して
も同様の効果が得られる。ただし、磁気特性、熱安定性
及び耐食性のすべての観点から最も効果が大きいのは、
Ｈｆを添加した場合である。しかもこの元素は状態図的
にはＦｅに固溶しないのでその効果が最も大きい。これ
にＬａ及びＣｅがこれに続き、Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｂ，Ａ
ｇ，Ｔｌがその次である。
したが、本発明の軟磁性膜を用いた磁気ヘッドは磁気デ
ィスクやヘリカルスキャンを用いた磁気テープ装置等に
対しても適用できる。また、ここではＦｅ−Ｈｆ系を例
にとって説明した。しかし、ここに述べた効果は、Ｆｅ
−Ｈｆ系に固有のものではなく、Ｈｆの他にＬａ，Ｃ
ｅ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｂ，Ａｇ，Ｔｌ等の元素を添加して
も同様の効果が得られる。ただし、磁気特性、熱安定性
及び耐食性のすべての観点から最も効果が大きいのは、
Ｈｆを添加した場合である。しかもこの元素は状態図的
にはＦｅに固溶しないのでその効果が最も大きい。これ
にＬａ及びＣｅがこれに続き、Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｂ，Ａ
ｇ，Ｔｌがその次である。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、Ｂｓ≧１．５Ｔ以上の
高飽和磁束密度を有し、且つ、良好な軟磁気特性を示
し、しかも、高熱安定性及び高耐食性を有する軟磁性膜
を得ることができる。これにより、高性能でしかも高信
頼性を有する磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録装置
が得られる。特に、ＶＴＲ装置、磁気テープ装置や磁気
ディスク装置等の各種磁気記録装置において、高保磁力
を有する磁気記録媒体を十分に磁化できるので、高密度
記録が可能になる。
高飽和磁束密度を有し、且つ、良好な軟磁気特性を示
し、しかも、高熱安定性及び高耐食性を有する軟磁性膜
を得ることができる。これにより、高性能でしかも高信
頼性を有する磁気ヘッド及びそれを用いた磁気記録装置
が得られる。特に、ＶＴＲ装置、磁気テープ装置や磁気
ディスク装置等の各種磁気記録装置において、高保磁力
を有する磁気記録媒体を十分に磁化できるので、高密度
記録が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ｆｅ系軟磁性膜のＦｅ結晶粒子サイズ及びＨｆ
−Ｎ結晶粒子サイズと耐食性との関係を示す図。
−Ｎ結晶粒子サイズと耐食性との関係を示す図。
【図２】磁気ヘッドの構造を示す図。
【図３】ＶＴＲ装置の機能ブロック図。
１…軟磁性薄膜、２…フェライト基板、３…ギャップ
部、４…低融点ガラス
部、４…低融点ガラス
Claims (16)
- 【請求項１】 Ｆｅを主体とする軟磁性薄膜において、
Ｔａ或いはＨｆの内から選択された少なくとも１種類の
元素と、Ｃ或いはＮの内から選択された少なくとも１種
類の元素を含み、Ｆｅの結晶粒子のサイズｄ1 とＴａ−
Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈｆ−Ｃ、或いはＨｆ−Ｎ粒子のサイズ
ｄ2 の比ｄ1／ｄ2が５以下であることを特徴とする軟磁
性薄膜。 - 【請求項２】 Ｆｅを主体とする軟磁性薄膜において、
Ｔａ或いはＨｆの内から選択された少なくとも１種類の
元素と、Ｃ或いはＮの内から選択された少なくとも１種
類の元素を含み、Ｆｅの（１１０）面が優先配向してお
り、Ｆｅの結晶粒子のサイズｄ1 とＴａ−Ｃ，Ｔａ−
Ｎ，Ｈｆ−Ｃ、或いはＨｆ−Ｎ粒子のサイズｄ2 の比ｄ
1／ｄ2が５以下であることを特徴とする軟磁性薄膜。 - 【請求項３】 Ｆｅを主体とする軟磁性薄膜において、
Ｔａ或いはＨｆの内から選択された少なくとも１種類の
元素と、Ｃ或いはＮの内から選択された少なくとも１種
類の元素を含み、Ｆｅの（１１０）面が優先配向してお
り、Ｆｅの結晶粒子のサイズｄ1 が１５ｎｍ以下であ
り、Ｔａ−Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈｆ−Ｃ、或いはＨｆ−Ｎ粒
子のサイズｄ2 が３ｎｍ以下であることを特徴とする軟
磁性薄膜。 - 【請求項４】 Ｆｅを主体とする軟磁性薄膜において、
Ｔａ或いはＨｆの内から選択された少なくとも１種類の
元素と、Ｃ或いはＮの内から選択された少なくとも１種
類の元素を含み、Ｆｅの（１１０）面が優先配向してお
り、Ｆｅの結晶粒子のサイズｄ1 が１５ｎｍ以下であ
り、Ｔａ−Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈｆ−Ｃ、或いはＨｆ−Ｎ粒
子のサイズｄ2 が３ｎｍ以下であり、比ｄ1／ｄ2が５以
下であることを特徴とする軟磁性薄膜。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の軟
磁性薄膜において、磁性膜の飽和磁束密度が１．５Ｔ以
上であることを特徴とする軟磁性薄膜。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の軟
磁性薄膜において、Ｆｅの結晶相の結晶粒界にＴａ−
Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈｆ−Ｃ、或いはＨｆ−Ｎの内より選択
された少なくとも１種類の結晶粒子が分散していること
を特徴とする軟磁性薄膜。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項に記載の軟
磁性薄膜において、Ｃ或いはＮの内より選択された少な
くとも１種類の元素の一部がＦｅの結晶相中に固溶して
いることを特徴とする軟磁性薄膜。 - 【請求項８】 請求項７に記載の軟磁性薄膜において、
Ｃ或いはＮの内より選択された少なくとも１種類の元素
の一部をＦｅの結晶相中に固溶させることによりＦｅの
格子面間隔を増大させたことを特徴とする軟磁性薄膜。 - 【請求項９】 請求項７又は８に記載の軟磁性薄膜にお
いて、Ｃ或いはＮの内より選択された少なくとも１種類
の元素の一部をＦｅの結晶相中に固溶させることによ
り、Ｆｅの結晶粒子サイズを１５ｎｍ以下に制御したこ
とを特徴とする軟磁性薄膜。 - 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれか１項に記載の
軟磁性薄膜において、Ｔａ或いはＨｆの内より選択され
た少なくとも１種類の元素とＮ或いはＣの内より選択さ
れた少なくとも１種類の元素との化学量論比が〔Ｈｆ〕
（或いは〔Ｔａ〕）／〔Ｎ〕（或いは〔Ｃ〕）＝０．５
０〜１．５の間であることを特徴とする軟磁性薄膜。 - 【請求項１１】 請求項１〜１０のいずれか１項に記載
の軟磁性薄膜において、Ｔａ或いはＨｆの内より選択さ
れた少なくとも１種類の元素とＮ或いはＣの内より選択
された少なくとも１種類の元素との化学量論比を制御す
ることにより、イオンの価数を制御したことを特徴とす
る軟磁性薄膜。 - 【請求項１２】 請求項１〜１１のいずれか１項に記載
の軟磁性薄膜を用いたことを特徴とするメタル・イン・
ギャップ型の磁気ヘッド。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載の磁気ヘッドを備
え、移動する磁気記録媒体に情報の記録、再生を行うこ
とを特徴とする磁気記録装置。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の磁気記録装置にお
いて、画像情報及び／又は音声情報を記録することを特
徴とする磁気記録装置。 - 【請求項１５】 請求項１３に記載の磁気記録装置にお
いて、前記磁気記録媒体はテープ状又は円板状であるこ
とを特徴とする磁気記録装置。 - 【請求項１６】 Ｆｅを主体とし、Ｔａ或いはＨｆの内
より選択された少なくとも１種類の元素と、Ｃ或いはＮ
の内より選択された少なくとも１種類の元素を含み、Ｆ
ｅの（１１０）面が優先配向した軟磁性薄膜の製造方法
において、 成膜初期にＦｅの結晶粒子を析出させ、その後にＴａ−
Ｃ，Ｔａ−Ｎ，Ｈｆ−Ｃ，Ｈｆ−Ｎの結晶粒子を析出さ
せることにより、結晶粒子の成長を制御して、Ｆｅの結
晶粒子のサイズｄ1 を１５ｎｍ以下とし、Ｔａ−Ｃ，Ｔ
ａ−Ｎ，Ｈｆ−Ｃ、或いはＨｆ−Ｎ粒子のサイズｄ2 を
３ｎｍ以下とすることを特徴とする軟磁性薄膜の製造方
法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9110596A JPH09283333A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド |
| US08/831,537 US5962153A (en) | 1996-04-12 | 1997-04-08 | Soft magnetic thin film, and magnetic head and magnetic recording apparatus using the film |
| KR1019970013278A KR100279786B1 (ko) | 1996-04-12 | 1997-04-10 | 연자성 박막과 그것을 사용한 자기헤드 및 자기기록장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9110596A JPH09283333A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283333A true JPH09283333A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14017255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9110596A Pending JPH09283333A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | 軟磁性薄膜及びそれを用いた磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283333A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1312686C (zh) * | 2001-11-23 | 2007-04-25 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 多堆叠光学数据存储介质和这种介质的使用 |
| CN110660554A (zh) * | 2019-09-29 | 2020-01-07 | 苏州科技大学 | 一种高磁导率高频率平面电感及其制备方法 |
-
1996
- 1996-04-12 JP JP9110596A patent/JPH09283333A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1312686C (zh) * | 2001-11-23 | 2007-04-25 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 多堆叠光学数据存储介质和这种介质的使用 |
| CN110660554A (zh) * | 2019-09-29 | 2020-01-07 | 苏州科技大学 | 一种高磁导率高频率平面电感及其制备方法 |
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