JPH07307033A - 光学式記録装置用半導体レーザ駆動回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体レーザ駆動電流のオーバシュートおよ
びアンダーシュートの増大を抑圧できる半導体レーザ駆
動回路を提供する。 【構成】 それぞれ定電流回路２、３を内蔵する第１及
び第２パルス電流駆動回路４、５にはスイッチング回路
Ｓ１，Ｓ２とＳ３、Ｓ４がそれぞれ接続され、スイッチ
ング速度の遅いスイッチング回路Ｓ３，Ｓ４の制御端に
ディレイライン８により遅延されたライトデータＤ１，
Ｄ２をバッファ９等を介して印加することにより、スイ
ッチング速度が速いスイッチング回路Ｓ１，Ｓ２のＯＮ
／ＯＦＦに伴う第１の駆動電流にオーバシュート及びア
ンダーシュートが発生しても、遅い方のスイッチング回
路Ｓ３，Ｓ４による第２の駆動電流と加算して半導体レ
ーザ６に供給することによりオーバシュート等が抑圧さ
れた駆動電流を供給できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はパルス電流駆動回路のス
イッチング回路のタイミングを調整する手段を設けた光
学式記録装置用半導体レーザ駆動回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクの高密度記録の１方式として
長穴記録方式は公知の技術であるが、通常のパルス波形
による半導体レーザ駆動電流では記録マーク形状が前後
対称でなく涙滴状に歪むという問題があり、特に記録マ
ーク長をデータとする長穴記録では再生時のジッタ増加
の原因となり、エラー発生を増大させる。

【０００３】その対策として、特開平３−１８５６２８
号公報の従来例では記録時に幾つかのレーザパワーを用
いる記録補償方式および半導体レーザ駆動回路を開示し
ている。これは、バイアス電流駆動回路とパルス電流駆
動回路に加えて記録パワーの値に応じて複数のパルス電
流駆動回路により構成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、１つの
記録マークを形成するのにレーザパワーを何段階かにわ
たり変化させるため、スイッチング速度は同一記録密度
であっても数倍に跳ね上がるため、従来のパルス電流駆
動回路と比較して高速なスイッチング素子を使用する必
要がある。

【０００５】しかし、高速スイッチング素子を使用する
場合スイッチング素子のスイッチングスピード能力を最
大限に発揮しようとすると、半導体レーザ駆動電流には
単一のパルス電流駆動回路においても従来と比較して大
きなオーバシュートおよびアンダーシュートが発生す
る。

【０００６】特開平３−１８５６２８号公報に開示され
ている図１１（ａ）のような記録ドメインを形成するデ
ータ領域以外の区間でも、図１１（ｂ）に示す光波形と
なるように記録媒体のしきい値パワーレベル以下の半導
体レーザパワーをバイアスパワーとして印加する記録法
においては、前記バイアスパワーの立上がりエッジにお
いて高速スイッチング回路による大きなオーバーシュー
トが発生する。

【０００７】この時、前記オーバシュートによる振幅レ
ベルが記録媒体の記録パワーレベルを越える恐れがあ
る。この場合、記録媒体には記録ドメインが形成され記
録エラーが発生する。

【０００８】また、データ領域において大きなパワーレ
ベルのレーザ光を発生させる場合にも、オーバシュート
により必要以上のパワーが媒体に照射されることにな
り、予定された大きさの記録マーク形状が得られないと
言う問題が発生する。なお、単にオーバシュート期間に
生じるピーク値が記録に適したレベルとなるように駆動
電流を制御すると、今度はオーバシュート期間が過ぎて
安定した出力が発生する期間に、出力が不足するため問
題は解決できない。

【０００９】上記のように、複数の半導体レーザ駆動回
路を組み合わせて多値の半導体レーザパワーで記録を行
う記録方式における高密度化において、スイッチング回
路のオーバシュートおよびアンダーシュートは大きな弊
害となる。

【００１０】このため、オーバシュートおよびアンダー
シュートを抑制するためにダンピング回路を介装するこ
とが考えられるが、立ち上がり及び立ち下がり波形が緩
やかになってしまい、高速にデータの記録を行うための
パルス状波形が得られず、目的とする半導体レーザを駆
動する電流波形を生成できない。その結果、所望とする
記録補償効果が得られない。

【００１１】また、長穴記録（マーク長記録）に限ら
ず、マーク間記録を行う場合においても、記録密度を増
大するために、スイッチング速度の高速化による短いパ
ルス波形の駆動電流で半導体レーザを駆動することが考
えられる。しかし、スイッチング速度を高速化すると、
オーバシュートおよびアンダーシュートが増大する。

【００１２】このため、スイッチング速度の高速化によ
る高密度で記録された記録ピット或は記録ドメインの形
状が、記録密度が低いときとは異なり、再生時の信号波
形が歪んで、エラーの発生率が大きくなることが予想さ
れる。

【００１３】再生装置側で２値化のためのスレッショル
ドレベルの変更等の対策も考えられるが、記録側で望ま
しい形状で記録ピット或は記録ドメインを形成するよう
にすることが望まれる。このため、上記のようにオーバ
シュートおよびアンダーシュートが少ないパルス波形の
半導体レーザ駆動回路を実現することが望まれる。

【００１４】本発明は上述した問題点に鑑みてなされた
もので、半導体レーザ駆動回路の前記スイッチング回路
の高速化に伴う半導体レーザ駆動電流のオーバシュート
の増大を抑圧できる光学式記録装置用半導体レーザ駆動
回路を提供するを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段および作用】記録信号によ
り変調された半導体レーザのレーザ光を用いて情報の記
録を行う光学式記録装置に使用される光学式記録装置用
半導体レーザ駆動回路において、一定の大きさの振幅の
出力信号を出力する第１の定電流回路と、前記第１の定
電流回路の出力電流を前記半導体レーザに選択的に供給
する第１のスイッチング回路とを含む第１のパルス電流
駆動回路と、一定の大きさの振幅の出力信号を出力する
第２の定電流回路と、前記第２の定電流回路の出力電流
を前記半導体レーザに選択的に供給し、前記第１のスイ
ッチング回路よりも低速のスイッチング速度を持つ第２
のスイッチング回路とにより構成された第２のパルス電
流駆動回路と、前記第１のスイッチング回路を閉じるタ
イミングを制御する第１の制御信号と、前記第２のスイ
ッチング回路を閉じるタイミングを前記第１のスイッチ
ング回路のタイミングから遅れて閉じるように制御する
第２の制御信号とを前記記録信号に基づいて発生する制
御信号発生手段とを備えることにより、各パルス電流駆
動回路のスイッチング回路のスイッチングタイミングが
一致するような点でのオーバシュートを抑え、かつ高速
スイッチング素子のスイッチングスピード能力を最大限
に発揮した半導体レーザ駆動電流波形が得られ、記録補
償効果が十分得られたライトジッタの少ない記録ドメイ
ンが記録可能となる。

【００１６】また、全てのスイッチング素子を高速駆動
する必要がないため高価な高速スイッチング素子の使用
個数も少なくて良い。

【００１７】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１ないし図３は本発明の第１実施例に係り、図
１は第１実施例の半導体レーザ駆動回路の基本的な構成
を示すブロック図、図２はライトデータ波形と各電流波
形のタイミング図、図３は第１実施例の半導体レーザ駆
動回路の具体的回路構成を示す。

【００１８】図１に示すように本発明の第１実施例の光
学式記録装置用半導体レーザ駆動回路１は、電流Ｉ１、
Ｉ２（Ｉ１＞Ｉ２）の一定電流を供給する２つの定電流
回路２、３と、それぞれの定電流回路２、３の出力端に
それぞれの一端が接続された２つのスイッチング回路Ｓ
１とＳ２、Ｓ３とＳ４とでそれぞれ構成される第１及び
第２パルス電流駆動回路４、５を有する。

【００１９】定電流回路２、３の入力端はそれぞれ正の
電源端Ｖｃに接続され、スイッチング回路Ｓ１、Ｓ３の
他端は半導体レーザ６を介してＧＮＤに接続され、スイ
ッチング回路Ｓ２、Ｓ４の他端はＧＮＤに接続されてい
る。

【００２０】また、スイッチング回路Ｓ１とＳ２をそれ
ぞれＯＮ／ＯＦＦするスイッチング制御端にはパルス発
生器１０を経てそれぞれ第１ライトデータＤ１がバッフ
ァ７及び反転バッファ７Ａを介して印加されるようにし
ている。

【００２１】また、スイッチング回路Ｓ３とＳ４をそれ
ぞれＯＮ／ＯＦＦするスイッチング制御端には遅延手段
としてのディレイライン８によりディレイされた第２ラ
イトデータＤ２がバッファ９及び反転バッファ９Ａを介
して印加されるようにしている。

【００２２】上記スイッチング回路Ｓ１とＳ２、Ｓ３と
Ｓ４はそれぞれ同一スイッチング特性を有するスイッチ
ング素子により構成され、それぞれ定電流回路２、３に
対して左右対称な構成となっている。また、スイッチン
グ回路Ｓ１、Ｓ３のスイッチング速度（時間）Ｔ１、Ｔ
３は、Ｔ３＞Ｔ１（Ｓ１の方が高速）に設定されている
（スイッチング回路Ｓ２、Ｓ４のスイッチング速度（時
間）は同様にＴ１、Ｔ３となる）。また、ディレイライ
ン８のディレイ量τは、τ＝Ｔ１に設定されている。

【００２３】上記第１ライトデータＤ１は記録マークの
エッジを決定するようなスイッチングタイミングデータ
であり、ライトデータＤ２は記録マーク形状（マーク
長）調整の為のスイッチングタイミングデータであると
する。第１及び第２ライトデータＤ１，Ｄ２は図２
（ｂ），（ｃ）に示すように同じタイミングで立ち上が
る部分と立ち下がる部分を持つ。

【００２４】上記回路構成において、各パルス電流駆動
回路４、５のスイッチング回路Ｓ１とＳ２、Ｓ３とＳ４
のスイッチングタイミングが一致するような点が存在す
る図２（ｂ）及び図２（ｃ）に示すような（第１の制御
信号となる）第１ライトデータＤ１と（第３の制御信号
となる）第２ライトデータＤ２のスイッチングタイミン
グデータを入力する。

【００２５】なお、図２（ａ）はＮＲＺＩで長穴記録さ
れるライトデータを示し、このライトデータは２値信号
の“０”から“１”の変化点で立ち上がり、“１”から
“０”の変化点で立ち下がる（反転する）。

【００２６】ライトデータＤ１，Ｄ２はこのライトデー
タに基づいて、制御信号発生手段を構成するパルス発生
器１０において作られる。このパルス発生器１０として
は、例えば特開平３ー１８５６２８号公報の第６〜７図
の回路を用いることができる。この回路は、ライトデー
タの各パルス幅を測定する手段と、パルス幅に対応した
パルスパターンを出力するパルスパターン発生器（メモ
リ）と、パルス幅に対応したパルスパターンを記憶する
パルスパターン設定器とからなる。この回路は、ライト
データの各パルス幅を測定し、測定値に応じてパルスパ
ターンをメモリから読み出して出力するものである。従
って、本実施例では、１つのパルス幅に対応して、２種
類のパターンを出力するようにメモリの記憶内容を設定
しておけば、ライトデータＤ１，Ｄ２を作ることができ
る。

【００２７】以下、第１パルス電流駆動回路４の基本動
作を説明する。定電流回路２は、図示しない指示電圧に
より指示された所定の定電流Ｉ１を供給する。下方に配
置されたスイッチング回路Ｓ１は第１の制御信号となる
第１ライトデータＤ１の非反転信号に従いＯＮ／ＯＦＦ
し、スイッチング回路Ｓ２は第２ライトデータＤ２の反
転信号に従いＯＮ／ＯＦＦする。

【００２８】したがってスイッチング回路Ｓ１がＯＮし
た区間で、半導体レーザ６に電流振幅Ｉ１（但し、オー
バシュート及びアンダシュートを除く）の半導体レーザ
駆動電流が流れる。また、スイッチング回路Ｓ１がＯＦ
Ｆの区間では、スイッチング回路Ｓ２がＯＮし、ＧＮＤ
へ電流Ｉ１が流れる。これにより、定電流回路２は、常
に一定電流Ｉ１を出力することになり、安定した電流動
作を保持する。第１パルス電流駆動回路４および第２パ
ルス電流駆動回路５は、過渡的な部分を除くと基本的に
は動作原理は同様である。

【００２９】以下、半導体レーザ６に供給される半導体
レーザ駆動電流を考えると、第１パルス電流駆動回路４
は上述のように第１ライトデータＤ１に従って動作し、
図２（ｅ）に示す第１ＬＤ電流Ｉ１のような半導体レー
ザ駆動電流を供給する。この時、スイッチング回路Ｓ１
及びＳ２は高速なスイッチング素子を使用し、高速スイ
ッチング動作しているため図２（ｅ）のようなオーバー
シュート及びアンダーシュートが発生する。

【００３０】これに対して、第２パルス電流駆動回路５
はディレイライン８を通過し、時間τだけ遅れた（第２
の制御信号となる）ライトデータＤ２″（図１及び図２
（ｄ）でＴＰ１で示す）に従って、スイッチング回路Ｓ
３及びＳ４が低速のスイッチング動作を行う。これによ
り第２パルス電流駆動回路５は図２（ｆ）に示す第２Ｌ
Ｄ電流Ｉ２のような半導体レーザ駆動電流を供給する。

【００３１】ここで、スイッチング回路Ｓ３及びＳ４は
上記スイッチング回路Ｓ１及びＳ２と比較して、低速な
スイッチング素子により構成されていることから図２
（ｆ）のような緩やかな立ち上がり及び立ち下がり変化
の第２ＬＤ駆動電流を供給することになる。

【００３２】スイッチング回路Ｓ１及びＳ３から供給さ
れる半導体レーザ駆動電流は以下のようになる。上述の
ように、第１及び第２パルス電流駆動回路４及び５のス
イッチングタイミングはτ（＝Ｔ１）だけずれており、
Ｔ１はスイッチング回路Ｓ１のスイッチング時間であ
る。

【００３３】従って半導体レーザ駆動電流は、第１パル
ス電流駆動回路４（スイッチング回路Ｓ１）がＯＮして
時間Ｔ１の間に電流振幅Ｉ１だけ高速に立ち上がる。第
１パルス電流駆動回路４がオーバシュートの領域になる
と第２パルス電流駆動回路５（スイッチング回路Ｓ３）
がＴ１遅れてＯＮして滑らかな電流波形で立ち上がる。

【００３４】この結果、第１及び第２パルス電流駆動回
路４及び５の半導体レーザ駆動電流が加算される。ここ
で電流値はＩ１＞Ｉ２より、振幅の大半である電流Ｉ１
をＴ１で立ち上がり、第２パルス電流駆動回路５の滑ら
かな立ち上がりにより、第１パルス電流駆動回路４のオ
ーバシュートが緩和される。

【００３５】立ち下がり特性に関しても同様にＴ１で立
ち下がり、アンダーシュートも緩和される。従って、図
２（ｇ）に示すような半導体レーザ駆動電流が得られ
る。なお、図２（ｇ）における最初のパルスによる駆動
電流部分の波形はオーバシュート及びアンダーシュート
が存在するが、これは余熱に使用されるためのもので悪
影響を及ぼさないので、整形処理を行っていない（第２
パルス及び第３パルスのようにオーバシュート及びアン
ダーシュートを除去する整形処理を行うこともでき
る）。

【００３６】図３は図１の具体的な回路構成例を示す。
第１パルス電流駆動回路４は差動型のＰＮＰトランジス
タＱ１、Ｑ２のエミッタが共通にされて定電流回路２を
介して正の電源端Ｖｃに接続され、ＰＮＰトランジスタ
Ｑ１、Ｑ２のベースはそれぞれ抵抗Ｒ１、Ｒ２を介して
正の電源端Ｖｃに接続されると共に、それぞれスイッチ
ング回路Ｓ１及びＳ２を形成するＮＰＮトランジスタＱ
３、Ｑ４のコレクタに接続され、ＰＮＰトランジスタＱ
１、Ｑ２のコレクタはそれぞれ半導体レーザ６及び抵抗
Ｒ３を介してＧＮＤに接続されている。

【００３７】ＮＰＮトランジスタＱ３、Ｑ４のエミッタ
はそれぞれ抵抗Ｒ４、Ｒ５を介してＧＮＤに接続され、
ＮＰＮトランジスタＱ３、Ｑ４のベースはそれぞれバッ
ファ７及び反転バッファ７Ａの出力端に接続されてい
る。

【００３８】第２パルス電流駆動回路５の具体的な回路
構成は、第１パルス電流駆動回路４と同じであり、対応
する構成要素に′を付けて示し、その構成の説明を省略
する。なお、ディレイライン８は、非反転素子（又は非
反転素子）等のバッファ素子を用いて形成されている。

【００３９】この第１実施例によれば、２つのパルス電
流駆動回路４及び５の２組みのスイッチング回路Ｓ１、
Ｓ２と、Ｓ３、Ｓ４との一方を高速のスイッチング素子
で形成し、他方を低速のスイッチング素子で形成し、後
者のスイッチング回路Ｓ３、Ｓ４のスイッチングタイミ
ングをディレイライン８等のディレイ素子でずらすタイ
ミング調整する制御信号生成手段を形成することによ
り、高速のスイッチング素子で形成した第１パルス電流
駆動回路４の駆動電流波形には図２（ｅ）に示すよう
に、オーバシュート及びアンダーシュートが存在して
も、低速のスイッチング素子で形成した第２パルス電流
駆動回路５の駆動電流波形を（タイミング調整して）加
算することにより図２（ｇ）に示すようにオーバシュー
ト及びアンダーシュートが抑圧された駆動電流を生成で
きる。

【００４０】従って、この実施例を用いて長穴記録を行
うための半導体レーザ６を駆動すれば、涙滴形状等にな
ることなく（つまり記録補償された）記録ドメイン或は
記録ピットを形成できる。このため、再生した場合にも
ジッタ等発生することを防止でき、エラー発生の少ない
情報の再生が可能になる。

【００４１】また、この実施例ではスイッチング回路Ｓ
１〜Ｓ４全てに高速のスイッチング素子を必要としない
ので、低コスト化できるメリットもある。

【００４２】なお、第１のスイッチング回路Ｓ１を通し
て半導体レーザ６に流れる電流により発生するオーバシ
ュート分の電流の振幅と、第３のスイッチング回路Ｓ３
を通して前記半導体レーザ６に流れる電流の振幅とがほ
ぼ一致するように定電流回路２及び３の定電流Ｉ１及び
Ｉ２の値を設定することが、オーバシュートの抑圧の機
能を最も大きくできるので望ましいことであるが、この
値に限定されるものでない。

【００４３】また、第１のスイッチング回路Ｓ１を通し
て半導体レーザ６に流れる電流により発生するオーバシ
ュート状態である場合に、記録媒体上に発生する記録状
態が適切になるように、前記第１の定電流回路２（或は
第２の定電流回路３）から出力される出力電流の振幅を
設定するようにしても良い。

【００４４】また、遅延手段等で構成される制御信号発
生手段は、第２の制御信号の立ち上がり又は立ち下がり
のタイミングが、前記第１のスイッチング回路Ｓ１を通
して半導体レーザ６に流れる電流がオーバシュート状態
を経過した後のタイミングとなるように前記第２の制御
信号を発生するようにしても良い。

【００４５】図３は図１のような基本的構成に対する具
体例を示したが、図４に示す変形例のような基本的構成
でも良い。定電流回路２はスイッチング回路Ｓ１及び定
電流回路２′を介してＧＮＤに接続されている。また、
定電流回路３もスイッチング回路Ｓ３及び定電流回路
３′を介してＧＮＤに接続されている。定電流回路２′
及び３′はそれぞれ定電流回路２及び３と同じ回路構成
であり、それぞれ定電流Ｉ１，Ｉ２が流れる。

【００４６】また、スイッチング回路Ｓ１は第１ライト
データＤ１により反転バッファ１０を介してＯＮ／ＯＦ
Ｆされ、スイッチング回路Ｓ３は第２ライトデータＤ２
によりディレイライン８及び反転バッファ１０Ａを介し
てＯＮ／ＯＦＦされる。また、スイッチング回路Ｓ１と
Ｓ３は第１実施例と同様に、前者が高速のスイッチング
素子で構成され、後者が低速のスイッチング素子で構成
されている。

【００４７】この変形例の動作としては第１ライトデー
タＤ１が反転バッファ１０で反転されたデータでスイッ
チング回路Ｓ１がＯＮ／ＯＦＦされ、このスイッチング
回路Ｓ１がＯＦＦにされた時に定電流回路２からの電流
Ｉ１が半導体レーザ６に供給される。

【００４８】同様に第２ライトデータＤ２がディレイラ
イン８で遅延され、さらに反転バッファ１０Ａで反転さ
れたデータでスイッチング回路Ｓ２がＯＮ／ＯＦＦさ
れ、このスイッチング回路Ｓ２がＯＦＦにされた時に定
電流回路３からの電流Ｉ２が半導体レーザ６に供給され
る。

【００４９】従って、第１及び２ライトデータＤ１及び
Ｄ２の信号波形に対する半導体レーザ６に供給される駆
動電流は第１実施例と同様になる。また、この変形例の
効果としは、第１実施例に比較して定電流源の数が多く
なるが、スイッチング回路の数を削減できると共に、ス
イッチング回路Ｓ１，Ｓ２がＮＰＮトランジスタで構成
できる為、より高速スイッチングが実現可能である。そ
の他の効果は第１実施例と同様である。このように第１
実施例はパルス電流駆動回路の回路方式に制限されるこ
となく適用できる。

【００５０】なお、上記第１実施例において、ディレイ
ライン８のディレイ量（ディレイ時間）τとスイッチン
グ回路Ｓ３（及びＳ４）のスイッチング時間Ｔ１とはτ
＝Ｔ１としたが、この条件に限定されるものでない。

【００５１】次に本発明の第２実施例を図５を参照して
説明する。この第２実施例の半導体レーザ駆動回路２１
は図１に示す第１実施例の構成において、第２ライトデ
ータＤ２はディレイライン８を介することなく、バッフ
ァ９及び反転バッファ９Ａに印加され、且つバッファ９
の出力端はスイッチング回路Ｓ３のスイッチング制御端
に接続されると共に、抵抗Ｒを介してＧＮＤに接続され
ている。

【００５２】この実施例ではバッファ９の負荷側（つま
りスイッチング回路Ｓ３のスイッチング制御端）に抵抗
Ｒを設けて、負荷を大きくして第２パルス電流駆動回路
５のスイッチングタイミングをずらすタイミング調整手
段（つまり制御信号生成手段）を構成している。

【００５３】その他の構成は図１と同様である。次にこ
の実施例の作用を説明する。第１及び第２ライトデータ
Ｄ１及びＤ２は、図２（ｂ）及び（ｃ）と同様に、図６
（ｂ）及び（ｃ）に示すような信号とする。この時、ス
イッチング回路Ｓ１及びＳ３にはライトデータ信号Ｄ１
の非反転信号が入力され、スイッチング回路Ｓ２及びＳ
４にはライトデータ信号Ｄ２の反転信号が入力される。

【００５４】ここで、定電流回路２及び３は電流Ｉ１及
びＩ２（Ｉ１＞Ｉ２）の一定電流を供給する。スイッチ
ング回路Ｓ１とＳ２、Ｓ３とＳ４は同一スイッチング特
性を有するスイッチング素子により構成され、左右対称
な構造となっている。また、スイッチング回路Ｓ１（及
びＳ２）と、Ｓ３（及びＳ４）のスイッチング速度（時
間）はＴ１及びＴ３であり、Ｔ３＞Ｔ１（Ｓ１の方が高
速）とする。また、第１及び第２ライトデータＤ１、Ｄ
２は第１実施例で説明したデータである。

【００５５】ここで、第２パルス電流駆動回路５のスイ
ッチング回路Ｓ３の制御端（図５のＴＰ１）に抵抗Ｒを
挿入することにより、図７に示すように抵抗Ｒ未挿入時
の点線のようにＴＰ２と等しい電圧振幅が、抵抗Ｒの挿
入によるインピーダンスの減少に伴い、ＴＰ１の実際の
電圧波形が実線のごとく減少する。

【００５６】この結果、スイッチング回路Ｓ３及びＳ４
のスイッチング素子は等しい（スイッチング素子のスレ
ッショルド電圧が等しい）ことから、スイッチング回路
Ｓ３及びＳ４のスイッチングタイミングが図７のように
前後でτずつずれる。この結果、スイッチング回路Ｓ３
のスイッチングタイミングは図６（ｄ）のようになる。

【００５７】よって、第１パルス電流駆動回路４により
発生するオーバシュートは第１実施例と同様に相殺され
ている。アンダーシュートとに関しても図８に示すよう
に抑圧するように働く。その結果、図６（ｇ）に示すよ
うなオーバシュートおよびアンダーシュートが抑圧さ
れ、かつ高速スイッチングスピードを有する半導体レー
ザ駆動電流波形が得られる。

【００５８】上述した実施例及び変形例は複数のライト
データＤ１、Ｄ２で長穴記録（マーク長記録）を行う場
合の半導体レーザ駆動回路を説明したが、本発明はマー
ク長記録の場合に限定されるものでなく、以下に述べる
マーク間記録を行う場合の半導体レーザ駆動回路にも適
用できる。

【００５９】図９は本発明の第３実施例を備えた光学式
記録装置３１の主要部の構成を示す。スピンドルモータ
３２で回転駆動される円板状の光学式記録媒体としての
光ディスク３３に対向して光ピックアップ３４が配置さ
れ、この光ピックアップ３４は図示しないピックアップ
送り機構で光ディスク３３の半径方向に移動自在であ
る。

【００６０】光ピックアップ３４には半導体レーザ６が
収納され、図示しないビームスプリッタ、対物レンズ３
６を経てレーザ光が集光されて光ディスク３３のトラッ
クに照射される。

【００６１】トラックで反射された光は、対物レンズ３
６等の光学素子を経て光検出器３７で受光され、光電変
換された出力信号は信号生成回路３８に入力され、サー
ボ信号となるトラックエラー信号ＴＥＳ、フォーカスエ
ラー信号ＦＥＳが生成され、トラッキング及びフォーカ
シングに使用される。

【００６２】半導体レーザ６には第３実施例の半導体レ
ーザ駆動回路４１が接続され、この半導体レーザ駆動回
路４１は記録信号が変調回路４２を介して変調されたラ
イトデータＤで駆動される。

【００６３】この半導体レーザ駆動回路４１の構成は、
例えば図１の構成において、第１ライトデータ入力端と
第２ライトデータ入力端とを共通にしたライトデータ入
力端とした構成に等しい。このため、その構成を図示す
ることを省略する。この場合には共通のライトデータ
（第１の制御信号）を遅延手段で遅延することにより第
２の制御信号となる遅延された（タイミング調整され
た）信号が生成される。

【００６４】次にこの半導体レーザ駆動回路４１の作用
を図１０（及び図１の構成）を参照して説明する。この
実施例の動作は第１実施例において、第１ライトデータ
Ｄ１と第２ライトデータとを同じとした場合の動作に該
当することになる。

【００６５】つまり、図１０（ａ）に示すようなライト
データＤがライトデータ入力端に印加されると、ディレ
イライン８を通した後の波形は図１０（ｂ）に示すよう
に（図１０（ａ）のライトデータＤを）τだけ遅延され
た波形になる。この実施例ではライトデータＤは全て遅
延される（第１実施例等では第１ライトデータの全てで
なく、一部が遅延されている）。

【００６６】ライトデータＤにより、第１パルス電流駆
動回路４のスイッチング回路Ｓ１、Ｓ２がそれぞれＯ
Ｎ，ＯＦＦ及びＯＦＦ，ＯＮされることにより、第１パ
ルス電流駆動回路４から図１０（ｃ）に示すようなオー
バシュート及びアンダシュートのある第１ＬＤ電流が半
導体レーザ６に流れる。

【００６７】また、ディレイライン８を通したライトデ
ータＤにより、第２パルス電流駆動回路５のスイッチン
グ回路Ｓ３、Ｓ４がそれぞれＯＮ／ＯＦＦ及びＯＦＦ／
ＯＮされることにより、第２パルス電流駆動回路５から
図１０（ｄ）に示すように緩やかな立ち上がり及び立ち
下がりの第２ＬＤ電流が半導体レーザ６に流れる。

【００６８】従って、半導体レーザ６にはこれら第１Ｌ
Ｄ電流及び第２ＬＤ電流が加算されて図１０（ｄ）に示
すようにオーバシュート及びアンダシュートが抑圧され
て急峻な立ち上がり及び立ち下がり波形のＬＤ駆動電流
が流れる。

【００６９】従って、この第３実施例によれば、スイッ
チング速度を上げてもオーバシュート及びアンダシュー
トが抑圧された、かつ急峻な立ち上がり及び立ち下がり
波形のＬＤ駆動電流を半導体レーザ６に供給できるの
で、高密度でピット等を形成する場合にも低密度で記録
する場合と同様な形状の記録ピット等を形成できる。

【００７０】このため、記録密度の変更に対する再生装
置或は再生時での再生条件の変更を少なくできる。な
お、第３実施例は図１の構成に限らず、例えば図５にお
いて第１ライトデータ入力端と第２ライトデータ入力端
とを共通にした構成にしても良い。

【００７１】上記第３実施例の半導体レーザ駆動回路４
１においては、入力されるライトデータＤにより半導体
レーザ駆動回路４１を構成するスイッチング回路Ｓ１〜
Ｓ４をＯＮ／ＯＦＦしてオーバシュート及びアンダシュ
ートが抑圧された、かつ急峻な立ち上がり及び立ち下が
り波形のＬＤ駆動電流を半導体レーザ６に供給できるこ
とを説明した。

【００７２】この第３実施例は半導体レーザ６を駆動す
るものに限定されるものでなく、高速でパルス的に電流
駆動する回路、つまりパルス電流駆動回路に広く使用で
きる。

【００７３】この場合、ライトデータ入力端にスイッチ
ングさせるパルスデータを印加し、半導体レーザ６の代
わりにパルス的に電流駆動される負荷を接続すれば良
い。この場合にも負荷に対してオーバシュート及びアン
ダシュートが抑圧された、かつ急峻な立ち上がり波形及
び立ち下がり波形のパルス状の駆動電流を供給できる。

【００７４】更に、第１、第２実施例は、ライトデータ
Ｄ２を遅延させる遅延手段を設けているが、ライトデー
タＤ２自身がライトデータＤ１に対して遅れを持って発
生するようにしても良い。すなわち、パルスパターン発
生器（メモリ）内の記憶パターンをライトデータＤ１に
対してライトデータＤ２が時間τの立ち上がりの遅れを
持つように設定しても良い。この場合には、遅延した信
号を始めから発生させるので、ディレイライン８や抵抗
Ｒを省略することができ、構成が簡略にできる。

【００７５】なお、上述した実施例を部分的等で組み合
わせた実施例も本発明に属する。さて、本明細書は以下
のような技術思想も含むものである。

【００７６】

【請求項４】 前記制御信号発生手段は、記録信号に対
応した第１のパルスパターンと第２のパルスパターンを
記録するパターン発生手段を含み、前記第２のパルスパ
ターンの立ち上がりが前記第１のパルスパターンの立ち
上がりから遅れるように設定されることを特徴とする請
求項１記載の光学式記録装置用半導体レーザ駆動回路。

【００７７】この構成によれば、遅延していない信号を
一旦発生させてから遅延させるのではなく、遅延した信
号を始めから発生させるので、構成が簡略となる効果が
ある。

【００７８】

【請求項５】 前記パターン発生手段は、記録信号のパ
ルス幅を検出する手段を含み、検出されたパルス幅に対
応して前記第１のパルスパターンと第２のパルスパター
ンを出力することを特徴とする請求項４記載の光学式記
録装置用半導体レーザ駆動回路。

【００７９】

【請求項６】 前記第１のスイッチング回路を通して前
記半導体レーザに流れる電流振幅より前記第２のスイッ
チング回路を通して前記半導体レーザに流れる電流振幅
が多いように、前記第１の定電流回路と第２の定電流回
路より出力される出力電流が設定されることを特徴とす
る請求項１記載の光学式記録装置用半導体レーザ駆動回
路。

【００８０】

【請求項７】 前記第１のスイッチング回路を通して前
記半導体レーザに流れる電流により発生するオーバシュ
ート分の電流の振幅と、前記第２のスイッチング回路を
通して前記半導体レーザに流れる電流の振幅とが、ほぼ
同じであることを特徴とする請求項１記載の光学式記録
装置用半導体レーザ駆動回路。

【００８１】

【請求項８】 前記第１のスイッチング回路を通して前
記半導体レーザに流れる電流がオーバシュート状態であ
るときに記録媒体上に発生する記録状態が適切になるよ
うに、前記第１の定電流回路から出力される出力電流の
振幅を設定することを特徴とする請求項７記載の光学式
記録装置用半導体レーザ駆動回路。

【００８２】

【請求項９】 前記制御信号発生手段は、前記第２の制
御信号の立ち上がりまたは立ち下がりのタイミングが、
前記第１のスイッチング回路を通して前記半導体レーザ
に流れる電流がオーバシュート状態を経過した後のタイ
ミングになるように前記第２の制御信号を発生すること
を特徴とする請求項８記載の光学式記録装置用半導体レ
ーザ駆動回路。

【００８３】

【発明の効果】本発明によれば、記録信号により変調さ
れた半導体レーザのレーザ光を用いて情報の記録を行う
光学式記録装置に使用される光学式記録装置用半導体レ
ーザ駆動回路において、 一定の大きさの振幅の出力信
号を出力する第１の定電流回路と、前記第１の定電流回
路の出力電流を前記半導体レーザに選択的に供給する第
１のスイッチング回路とを含む第１のパルス電流駆動回
路と、一定の大きさの振幅の出力信号を出力する第２の
定電流回路と、前記第２の定電流回路の出力電流を前記
半導体レーザに選択的に供給し、前記第１のスイッチン
グ回路よりも低速のスイッチング速度を持つ第２のスイ
ッチング回路とにより構成された第２のパルス電流駆動
回路と、前記第１のスイッチング回路を閉じるタイミン
グを制御する第１の制御信号と、前記第２のスイッチン
グ回路を閉じるタイミングを前記第１のスイッチング回
路のタイミングから遅れて閉じるように制御する第２の
制御信号とを前記記録信号に基づいて発生する制御信号
発生手段とを備えているので、オーバシュートが少な
く、かつ高速スイッチング素子のスイッチングスピード
能力を最大限に発揮した半導体レーザ駆動電流波形が得
られる。

【００８４】したがって、記録補償効果が十分得られた
ライトジッタの少ない記録ドメイン或は記録ピットを形
成可能となる。また、使用するスイッチング素子におけ
る高速スイッチング素子の使用個数も低減できるので、
低コスト化できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の半導体レーザ駆動回路の
基本的構成を示す図。

【図２】第１パルス駆動回路等の電流波形等を示すタイ
ミング図。

【図３】第１実施例の半導体レーザ駆動回路の具体的構
成を示す回路図。

【図４】第１実施例の変形例の半導体レーザ駆動回路の
基本的構成を示す図。

【図５】本発明の第２実施例の半導体レーザ駆動回路の
基本的構成を示す図。

【図６】第１パルス駆動回路等の電流波形等を示すタイ
ミング図。

【図７】第２パルス電流駆動回路のスイッチング回路の
制御端の電圧波形を示す図。

【図８】第１及び第２ＬＤ駆動電流の立ち下がり波形を
示す図。

【図９】本発明の第３実施例を有する光ディスク装置の
概略構成図。

【図１０】第３実施例の動作説明用のタイミング図。

【図１１】従来例における記録データ及び光波形を示す
説明図。

【符号の説明】

１…半導体レーザ駆動回路 ２、３…定電流回路 ４…第１パルス電流駆動回路 ５…第２パルス電流駆動回路 ６…半導体レーザ ７、９…バッファ ７Ａ，９Ａ…反転バッファ ８…ディレイライン １０…パルス発生器 Ｄ１…第１ライトデータ Ｄ２…第２ライトデータ Ｓ１〜Ｓ４…スイッチング回路

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 記録信号により変調された半導体レーザ
   のレーザ光を用いて情報の記録を行う光学式記録装置に
   使用される光学式記録装置用半導体レーザ駆動回路にお
   いて、 一定の大きさの振幅の出力信号を出力する第１の定電流
   回路と、前記第１の定電流回路の出力電流を前記半導体
   レーザに選択的に供給する第１のスイッチング回路とを
   含む第１のパルス電流駆動回路と、 一定の大きさの振幅の出力信号を出力する第２の定電流
   回路と、前記第２の定電流回路の出力電流を前記半導体
   レーザに選択的に供給し、前記第１のスイッチング回路
   よりも低速のスイッチング速度を持つ第２のスイッチン
   グ回路とにより構成された第２のパルス電流駆動回路
   と、 前記第１のスイッチング回路を閉じるタイミングを制御
   する第１の制御信号と、前記第２のスイッチング回路を
   閉じるタイミングを前記第１のスイッチング回路のタイ
   ミングから遅れて閉じるように制御する第２の制御信号
   とを前記記録信号に基づいて発生する制御信号発生手段
   とを備えたことを特徴とする光学式記録装置用半導体レ
   ーザ駆動回路。
2. 【請求項２】 前記制御信号発生手段は、前記記録信号
   に基づいて前記第１の制御信号と同じタイミングで立ち
   上がる又は立ち下がる部分をもつ第３の制御信号を発生
   し、この第３の制御信号の少なくとも一部を遅延させる
   遅延手段を含み、この遅延手段の出力を第２の制御信号
   とすることを特徴とする請求項１記載の光学式記録装置
   用半導体レーザ駆動回路。
3. 【請求項３】 前記制御信号発生手段は、抵抗手段より
   なり、この抵抗手段の一端は前記第２の制御信号と第３
   の制御信号が流れる制御線に接続され、他端は接地され
   ることを特徴とする請求項２記載の光学式記録装置用半
   導体レーザ駆動回路。