JPH07309953A - ポリシラン類の製造方法 - Google Patents
ポリシラン類の製造方法Info
- Publication number
- JPH07309953A JPH07309953A JP7006086A JP608695A JPH07309953A JP H07309953 A JPH07309953 A JP H07309953A JP 7006086 A JP7006086 A JP 7006086A JP 608695 A JP608695 A JP 608695A JP H07309953 A JPH07309953 A JP H07309953A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- salt
- general formula
- group
- formula
- same
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 179
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 68
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical group [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 66
- 238000003411 electrode reaction Methods 0.000 claims abstract description 65
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims abstract description 55
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 55
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 52
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 49
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 76
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 47
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 45
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 39
- 229910008045 Si-Si Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229910006411 Si—Si Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 27
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 24
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 21
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 16
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 11
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 61
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 60
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 32
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 31
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 30
- GNEPOXWQWFSSOU-UHFFFAOYSA-N dichloro-methyl-phenylsilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 GNEPOXWQWFSSOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 25
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 23
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 17
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 15
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 9
- 239000011575 calcium Chemical class 0.000 description 8
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 8
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 5
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 5
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 5
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- AASUFOVSZUIILF-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanone;sodium Chemical compound [Na].C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 AASUFOVSZUIILF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 239000005054 phenyltrichlorosilane Substances 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N trichloro(phenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 4-(4-chlorophenyl)-4,5,6,7-tetrahydrothieno[3,2-c]pyridine Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C1C(C=CS2)=C2CCN1 CSDQQAQKBAQLLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N hexamethylphosphoric triamide Chemical compound CN(C)P(=O)(N(C)C)N(C)C GNOIPBMMFNIUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 3
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 229960002089 ferrous chloride Drugs 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 2
- NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L iron dichloride Chemical compound Cl[Fe]Cl NMCUIPGRVMDVDB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N lithium nitrate Chemical compound [Li+].[O-][N+]([O-])=O IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M lithium perchlorate Chemical compound [Li+].[O-]Cl(=O)(=O)=O MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910001486 lithium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- -1 sodium metal is used Chemical class 0.000 description 2
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJTPSDSWRMUCIG-UHFFFAOYSA-N C(C1=CC=C(C=C1)OC)C[SiH](Cl)Cl Chemical compound C(C1=CC=C(C=C1)OC)C[SiH](Cl)Cl FJTPSDSWRMUCIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010007269 Carcinogenicity Diseases 0.000 description 1
- 229910013553 LiNO Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000012752 auxiliary agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000007670 carcinogenicity Effects 0.000 description 1
- 231100000260 carcinogenicity Toxicity 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000012700 ceramic precursor Substances 0.000 description 1
- GOLGZJUZDAVNEZ-UHFFFAOYSA-N chloro-[4-(chloro-methyl-phenylsilyl)phenyl]-methyl-phenylsilane Chemical compound C=1C=C([Si](C)(Cl)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1[Si](Cl)(C)C1=CC=CC=C1 GOLGZJUZDAVNEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTTXLOLKUGXKAO-UHFFFAOYSA-N chloro-[chloro(dimethyl)silyl]-methyl-phenylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)[Si](C)(Cl)C1=CC=CC=C1 WTTXLOLKUGXKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- PGOOISPXVKTZJN-UHFFFAOYSA-N dibromo-methyl-phenylsilane Chemical compound C[Si](Br)(Br)C1=CC=CC=C1 PGOOISPXVKTZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVFRQXOSUYQVOR-UHFFFAOYSA-N dichloro(methoxymethyl)silane Chemical compound COC[SiH](Cl)Cl MVFRQXOSUYQVOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYHCACQLHNZLS-UHFFFAOYSA-N dichloro-cyclohexyl-methylsilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)C1CCCCC1 YUYHCACQLHNZLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKRMHVJQWMXYBZ-UHFFFAOYSA-N dichloro-hexyl-methylsilane Chemical compound CCCCCC[Si](C)(Cl)Cl KKRMHVJQWMXYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000005677 ethinylene group Chemical group [*:2]C#C[*:1] 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 1
- 159000000002 lithium salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- NHGXDBSUJJNIRV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC NHGXDBSUJJNIRV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M tetrabutylazanium;perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- SIPHWXREAZVVNS-UHFFFAOYSA-N trichloro(cyclohexyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C1CCCCC1 SIPHWXREAZVVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Abstract
子量を有するポリシランを高収率で、操作性良く、安全
且つ安価に製造しうる新たな製造方法を提供することを
主な目的とする。 【構成】MgまたはMg合金を陽極とし、Li塩を支持
電解質とし、溶媒として非プロトン性溶媒を使用する電
極反応に原料ハロシランを供することにより、ポリシラ
ンを形成させる。
Description
る。
前駆体;フォトレジスト、有機感光体、光導波路、光メ
モリなどの光・電子材料などとして注目されている。
属ナトリウムなどのアルカリ金属を用いて、トルエン溶
媒中のジアルキルジハロシランあるいはジクロロテトラ
アルキルジシランを100℃以上の温度で長時間撹拌
し、還元的にカップリングさせる方法が知られている
{J.Am.Chem.Soc.,103(1981)7352}。しかしながら、こ
の方法は、過酷な反応条件(例えば、長時間の加熱が必
要である)を必要とすること、金属表面の酸化膜に由来
して主鎖中に酸素原子の混入が避けられないこと、工業
的規模での生産に際しては、アルカリ金属を大量に使用
するので、安全性に大きな問題があることなどの欠点を
有している。
に、ジハロシラン類を室温で電極還元してポリシラン類
を製造するという温和な条件下での方法が提案されてい
る。
銀あるいはカドミウムを使用し、陰極に白金、水銀など
を使用し、支持電解質として過塩素酸テトラ−n−ブチ
ルアンモニウムを使用し、溶媒として1,2−ジメトキ
シエタンを使用する方法{J.Organomet.Chem.,212(198
1)155}。
し、支持電解質として塩化テトラ−n−ブチルアンモニ
ウムなどの四級アンモニウム塩を使用し、溶媒として
1,2−ジメトキシエタンなどを使用する方法(特開平
3-104893号公報)。
し、支持電解質として過塩素酸リチウムなどを使用し、
溶媒としてテトラヒドロフラン(THF)などを用いる
方法{J.Chem.Soc.,Chem.Commun.,1160,1990、特開平4-
331235号公報、特開平6-73180号公報、特開平6-98075号
公報など}。
てTHF+ヘキサメチルリン酸トリアミド(HMPA)
などを使用し、支持電解質として塩化リチウムを使用す
る方法{NATO ASI Ser.Ser.E, 206,79-85,1992}。
て使用する金属(水銀或いはカドミウム)に起因して、
操作性、安全性、環境汚染などの点で問題があり、しか
もポリシランであると確認できる生成物は得られていな
い。
にはあまり活性の高い系ではなく、得られるポリシラン
の重合度は、20程度までである。ポリシラン類を光・
電子材料として用いるためには、薄膜化する必要がある
が、光・電子材料として実用に供し得る高品質な薄膜を
作製するためには、ポリシラン類は溶媒に可溶で、しか
も重合度が少なくとも30、望ましくは50以上である
必要がある。従って、(b)方法で作製したポリシラン
を光・電子材料として用いることは、実際上困難であ
る。また、この方法において支持電解質として使用する
四級アンモニウム塩は、高価なので、仮に所望のポリシ
ランが得られたとしても、その製造コストは、高くな
る。
い、かつ活性な電極還元系を提供しており、環境汚染の
心配なしに、操作性良く、高収率で分子量の揃った高分
子量ポリシランを製造できるものである。しかしなが
ら、支持電解質として用いる過塩素酸リチウムは高価な
ものであり、また取り扱いに留意も必要なことから、安
価で取り扱いの容易な支持電解質を用いる系が求められ
ていた。
塩化リチウムを支持電解質として用いるが、THF溶媒
だけでは、塩化リチウムの溶解度が小さく、通電すなわ
ち反応を行うことが困難であるため、発ガン性が疑われ
ているHMPAなどの溶媒を添加して初めて反応を行う
ことが可能となる。また、得られるポリシランの分子量
も930(重合度約8程度)であり、成膜すること自体
が不可能である。
目的は、分子量が揃っていて、高品質な成膜が可能な程
度の高い分子量を有するポリシラン類を、高収率で操作
性よく、安全かつ安価に製造し得る新たなポリシラン類
の製造方法を提供することにある。
従来技術の現状に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、ハロシ
ランを特定の金属を陽極として用い、特定の溶媒および
特定の支持電解質を用いて電極反応に供することによっ
て、従来技術の問題点が実質的に解消されるか乃至は大
幅に軽減されることを見出した。
応系に添加する場合には、通電性が大幅に改善されて、
ポリシランの製造に必要な時間が大幅に短縮されること
を見出した。
の製造方法を提供するものである: 1.ポリシラン類の製造方法であって、一般式
子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミ
ノ基を表す。m=1の場合には2つのRが、m=2の場
合には4つのRが、m=3の場合は6つのRが、それぞ
れ同一でもあるいは2つ以上が相異なっていてもよい:
Xは、ハロゲン原子を表す)で示されるジハロシランを
MgまたはMg系合金を陽極とし、Li塩を支持電解質
とし、溶媒として非プロトン性溶媒を使用する電極反応
に供することにより、一般式
じ:nは、20〜10000である)で示されるポリシ
ランを形成させることを特徴とする方法。
般式
子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミ
ノ基を表す。m=1の場合には2つのRが、m=2の場
合には4つのRが、m=3の場合は6つのRが、それぞ
れ同一でもあるいは2つ以上が相異なっていてもよい:
Xは、ハロゲン原子を表す)で示されるジハロシランを
MgまたはMg系合金を陽極とし、Li塩を支持電解質
とし、Al塩、Fe塩、Mg塩、Zn塩、Sn塩、Co
塩、Pd塩、V塩、Cu塩またはCa塩を通電助剤とし
て用い、溶媒として非プロトン性溶媒を使用する電極反
応に供することにより、一般式
じ:nは、20〜10000である)で示されるポリシ
ランを形成させることを特徴とする方法。
る上記項1または2に記載の方法。
l2、FeCl3、CoCl2またはCuCl2を使用する
上記項2または3に記載の方法。
般式
基、−(CH2)m−基または−(CH2−CH2−O)m
−基(mは、1〜20である)を表す:R1、R2、R3
およびR4は、それぞれ同一或いは相異なって、水素原
子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミ
ノ基を表す:Xは、ハロゲン原子を表す)で示される化
合物をMgまたはMg系合金を陽極とし、Li塩を支持
電解質とし、溶媒として非プロトン性溶媒を使用する電
極反応に供することにより、一般式
に同じ:nは、20〜10000である)で示されるS
i−Si結合を主鎖に含むポリマーを形成させることを
特徴とする方法。
般式
基、−(CH2)m−基または−(CH2−CH2−O)m
−基(mは、1〜20である)を表す:R1、R2、R3
およびR4は、それぞれ同一或いは相異なって、水素原
子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミ
ノ基を表す:Xは、ハロゲン原子を表す)で示される化
合物をMgまたはMg系合金を陽極とし、Li塩を支持
電解質とし、Al塩、Fe塩、Mg塩、Zn塩、Sn
塩、Co塩、Pd塩、V塩、Cu塩またはCa塩を通電
助剤として用い、溶媒として非プロトン性溶媒を使用す
る電極反応に供することにより、一般式
に同じ:nは、20〜10000である)で示されるS
i−Si結合を主鎖に含むポリマーを形成させることを
特徴とする方法。
る上記項5または6に記載の方法。
l2、FeCl3、CoCl2またはCuCl2を使用する
上記項6または7に記載の方法。
般式
リール基、アルコキシ基またはアミノ基を表す:Xは、
ハロゲン原子を表す)で示されるトリハロシランをMg
またはMg系合金を陽極とし、Li塩を支持電解質と
し、溶媒として非プロトン性溶媒を使用する電極反応に
供することにより、一般式
じ:nは、20〜10000である)で示されるシリコ
ンネットワークポリマーを形成させることを特徴とする
方法。 10.ポリシラン類の製造方法であって、一般式
リール基、アルコキシ基またはアミノ基を表す:Xは、
ハロゲン原子を表す)で示されるトリハロシランをMg
またはMg系合金を陽極とし、Li塩を支持電解質と
し、Al塩、Fe塩、Mg塩、Zn塩、Sn塩、Co
塩、Pd塩、V塩、Cu塩またはCa塩を通電助剤とし
て用い、溶媒として非プロトン性溶媒を使用する電極反
応に供することにより、一般式
じ:nは、20〜10000である)で示されるシリコ
ンネットワークポリマーを形成させることを特徴とする
方法。 11.支持電解質として、LiClを使用する上記項9
または10に記載の方法。
Cl2、FeCl3、CoCl2またはCuCl2を使用す
る上記項10または11に記載の方法。
一般式
原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはア
ミノ基を表す。m=1の場合には2つのRが、m=2の
場合には4つのRが、m=3の場合は6つのRが、それ
ぞれ同一でもあるいは2つ以上が相異なっていてもよ
い:Xは、ハロゲン原子を表す)で示されるジハロシラ
ンと一般式
リール基、アルコキシ基またはアミノ基を表す:Xは、
ハロゲン原子を表す)で示されるトリハロシランとをM
gまたはMg系合金を陽極とし、Li塩を支持電解質と
し、溶媒として非プロトン性溶媒を使用する電極反応に
供することにより、一般式
造単位と一般式
造単位とからなるSi−Si結合を骨格とする網目状ポ
リマーを形成させることを特徴とする方法。
一般式
原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはア
ミノ基を表す。m=1の場合には2つのRが、m=2の
場合には4つのRが、m=3の場合は6つのRが、それ
ぞれ同一でもあるいは2つ以上が相異なっていてもよ
い:Xは、ハロゲン原子を表す)で示されるジハロシラ
ンと一般式
リール基、アルコキシ基またはアミノ基を表す:Xは、
ハロゲン原子を表す)で示されるトリハロシランとをM
gまたはMg系合金を陽極とし、Li塩を支持電解質と
し、Al塩、Fe塩、Mg塩、Zn塩、Sn塩、Co
塩、Pd塩、V塩、Cu塩またはCa塩を通電助剤とし
て用い、溶媒として非プロトン性溶媒を使用する電極反
応に供することにより、一般式
造単位と一般式
造単位とからなるSi−Si結合を骨格とする網目状ポ
リマーを形成させることを特徴とする方法。
する上記項13または14に記載の方法。
Cl2、FeCl3、CoCl2またはCuCl2を使用す
る上記項14または15に記載の方法。
一般式
原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはア
ミノ基を表す。m=1の場合には2つのRが、m=2の
場合には4つのRが、m=3の場合は6つのRが、それ
ぞれ同一でもあるいは2つ以上が相異なっていてもよ
い:Xは、ハロゲン原子を表す)で示されるジハロシラ
ンと一般式
されるテトラハロシランとをMgまたはMg系合金を陽
極とし、Li塩を支持電解質とし、溶媒として非プロト
ン性溶媒を使用する電極反応に供することにより、一般
式
造単位と一般式
結合を骨格とする網目状ポリマーを形成させることを特
徴とする方法。
一般式
原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはア
ミノ基を表す。m=1の場合には2つのRが、m=2の
場合には4つのRが、m=3の場合は6つのRが、それ
ぞれ同一でもあるいは2つ以上が相異なっていてもよ
い:Xは、ハロゲン原子を表す)で示されるジハロシラ
ンと一般式
されるテトラハロシランとをMgまたはMg系合金を陽
極とし、Li塩を支持電解質とし、Al塩、Fe塩、M
g塩、Zn塩、Sn塩、Co塩、Pd塩、V塩、Cu塩
またはCa塩を通電助剤として用い、溶媒として非プロ
トン性溶媒を使用する電極反応に供することにより、一
般式
造単位と一般式
結合を骨格とする網目状ポリマーを形成させることを特
徴とする方法。
する上記項17または18に記載の方法。
Cl2、FeCl3、FeCl2、CoCl2またはCuC
l2を使用する上記項18または19に記載の方法。
一般式
リール基、アルコキシ基またはアミノ基を表す;Xは、
ハロゲン原子を表す)で示されるトリハロシランと一般
式
されるテトラハロシランとをMgまたはMg系合金を陽
極とし、Li塩を支持電解質とし、溶媒として非プロト
ン性溶媒を使用する電極反応に供することにより、一般
式
造単位と一般式
結合を骨格とする網目状ポリマーを形成させることを特
徴とする方法。
一般式
リール基、アルコキシ基またはアミノ基を表す;Xは、
ハロゲン原子を表す)で示されるトリハロシランと一般
式
されるテトラハロシランとをMgまたはMg系合金を陽
極とし、Li塩を支持電解質とし、Al塩、Fe塩、M
g塩、Zn塩、Sn塩、Co塩、Pd塩、V塩、Cu塩
またはCa塩を通電助剤として用い、溶媒として非プロ
トン性溶媒を使用する電極反応に供することにより、一
般式
造単位と一般式
結合を骨格とする網目状ポリマーを形成させることを特
徴とする方法。
する上記項21または22に記載の方法。
Cl2、FeCl3、CoCl2またはCuCl2を使用す
る上記項22または23に記載の方法。
一般式
原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはア
ミノ基を表す。m=1の場合には2つのRが、m=2の
場合には4つのRが、m=3の場合は6つのRが、それ
ぞれ同一でもあるいは2つ以上が相異なっていてもよ
い:Xは、ハロゲン原子を表す)で示されるジハロシラ
ンと一般式
アルコキシ基またはアミノ基を表す:Xは、ハロゲン原
子を表す)で示されるトリハロシランと一般式
されるテトラハロシランとをMgまたはMg系合金を陽
極とし、Li塩を支持電解質とし、溶媒として非プロト
ン性溶媒を使用する電極反応に供することにより、一般
式
造単位と一般式
造単位一般式
目状ポリマーを形成させることを特徴とする方法。
一般式
原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはア
ミノ基を表す。m=1の場合には2つのRが、m=2の
場合には4つのRが、m=3の場合は6つのRが、それ
ぞれ同一でもあるいは2つ以上が相異なっていてもよ
い:Xは、ハロゲン原子を表す)で示されるジハロシラ
ンと一般式
アルコキシ基またはアミノ基を表す:Xは、ハロゲン原
子を表す)で示されるトリハロシランと一般式
されるテトラハロシランとをMgまたはMg系合金を陽
極とし、Li塩を支持電解質とし、Al塩、Fe塩、M
g塩、Zn塩、Sn塩、Co塩、Pd塩、V塩、Cu塩
またはCa塩を通電助剤として用い、溶媒として非プロ
トン性溶媒を使用する電極反応に供することにより、一
般式
造単位と一般式
造単位と一般式
結合を骨格とする網目状ポリマーを形成させることを特
徴とする方法。
する上記項25または26に記載の方法。
Cl2、FeCl3、CoCl2またはCuCl2を使用す
る上記項26または27に記載の方法。
式で記載された請求項1の発明とそれに従属する請求項
に記載された発明」を本願第1発明の様にいい、すべて
の発明を総括して単に本願発明という。
ランは、一般式
原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはア
ミノ基を表す。m=1の場合には2つのRが、m=2の
場合には4つのRが、m=3の場合は6つのRが、それ
ぞれ同一でもあるいは2つ以上が相異なっていてもよ
い:Xはハロゲン原子を表す)で示されるジハロシラン
である。
は、一般式
じ;nは、10〜11000である)で示されるポリシ
ランである。
いて、mは、1〜3であり、Rで示される水素原子、ア
ミノ基および有機置換基(アルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基、アミノ基)は、それぞれが同一であっても
よく、2つ以上が相異なっていても良い。より具体的に
は、m=1の場合には2つのRが、m=2の場合には4
つのRが、m=3の場合には6つのRが、それぞれ同一
であっても或いは2つ以上が相異なっていても良い。
mが1または2であることが、より好ましい。アルキル
基としては、炭素数1〜10程度のものが挙げられ、こ
れらの中でも炭素数1〜6のものがより好ましい。アリ
ール基としては、フェニル基、炭素数1〜6個のアルキ
ル基を1つ以上置換基として有するフェニル基、p−ア
ルコキシフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。ア
ルコキシ基としては、炭素数1〜10程度のものが挙げ
られ、これらの中でも炭素数1〜6のものがより好まし
い。Rが上記のアミノ基および有機置換基である場合に
は、その水素原子の少なくとも1つが、他のアルキル
基、アリール基、アルコキシ基などの官能基により置換
されていても良い。この様な官能基としては、上記と同
様なものが挙げられる。
ゲン原子(Cl,F,Br,I)を表す。ハロゲン原子
としては、Clがより好ましい。
表されるジハロシランの1種を単独で使用しても良く、
或いは2種を混合使用しても良い。ジハロシランは、で
きるだけ高純度のものであることが好ましく、例えば、
液体のジハロシランについては、水素化カルシウムによ
り乾燥し、蒸留して使用することが好ましく、また、固
体のジハロシランについては、再結晶法により、精製
し、使用することが好ましい。
解して使用する。溶媒としては、非プロトン性溶媒が広
く使用でき、より具体的には、テトラヒドロフラン、
1,2−ジメトキシエタン、プロピレンカーボネート、
アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスル
ホキシド、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、p−
ジオキサン、塩化メチレンなどのエーテル系の溶媒が例
示される。これらの溶媒は、単独でも、或いは2種以上
の混合物としても使用できる。溶媒としては、テトラヒ
ドロフランおよび1,2−ジメトキシエタンがより好ま
しい。溶媒中のジハロシランの濃度は、低すぎる場合に
は、電流効率が低下するのに対し、高すぎる場合には、
支持電解質が溶解しないことがある。従って、溶媒中の
ジハロシランの濃度は、通常0.05〜20mol/l
程度であり、より好ましくは0.2〜15mol/l程
度であり、特に好ましくは0.3〜13mol/l程度
である。
は、LiCl、LiNO3、Li2CO3などの安価なリ
チウム塩が例示される。これらの支持電解質は、単独で
使用しても良く、或いは2種以上を併用しても良い。こ
れら支持電解質の中でも、LiClが最も好ましい。
通電が困難乃至不可能となって反応が進行しないのに対
し、高すぎる場合には、還元されて析出したリチウムの
量が多すぎて、所望の生成物であるポリシランのSi−
Si主鎖結合が開裂して、その分子量が低下する。従っ
て、溶媒中の支持電解質の濃度は、通常0.05〜5m
ol/l程度であり、より好ましくは0.1〜3mol
/l程度であり、特に好ましくは0.15〜2.0mo
l/l程度である。
gまたはMgを主成分とする合金を使用する。Mgを主
成分とする合金としては、例えばAlを3〜10%程度
含有するものが挙げられる。また、JIS H 612
5−1961に規定されている1種(MGA1)、2種
(MGA2、通称AZ63)、3種(MGA3)などが
挙げられる。陰極としては、電流を通じ得る物質であれ
ば特に限定されないが、SUS304、316などのス
テンレス鋼;Mg、Cu、Zn、Sn、Al、Ni、C
oなどの各種金属類;炭素材料などが例示される。電極
の形状は、通電を安定して行いうる限り特に限定されな
いが、棒状、板状、筒状、円錐状、円盤状、球状体また
はペレットをバスケットに収容したもの、板状体をコイ
ル状に巻いたものなどが好ましい。電極表面の酸化被膜
は、必要ならば、予め除去しておく。電極からの酸化被
膜の除去は、任意の方法で行えばよく、例えば、電極を
酸により洗浄した後、エタノールおよびエーテルなどに
より洗浄し、減圧下に乾燥する方法、窒素雰囲気下に電
極を研磨する方法、或いはこれらの方法を組み合わせた
方法などにより行うことができる。
び陰極を設置した密閉可能な反応容器に一般式(1)で
表されるジハロシランおよび支持電解質を溶媒とともに
収容し、好ましくは機械的もしくは時期的に撹拌しつ
つ、所定量の電流を通電することにより電極反応を行わ
せる方法、(b)陽極および陰極を設置した電解槽、反
応液貯槽、ポンプ、配管などから構成される流動式電極
反応装置を用いて、反応液貯槽に投入したハロシラン、
支持電解質および溶媒からなる反応溶液をポンプにより
電極反応装置内を循環させつつ、所定量の電流を通電す
ることにより、電解槽内で電極反応を行わせる方法など
により行うことができる。
いが、反応の進行に伴って反応溶液中に溶け出して消耗
する陽極を簡便に補給する形式の構造とすることが出来
る。より具体的には、例えば、図1に斜面図として概要
を示す様に、陽極をバスケット乃至かご状容器1に収容
した小さな球状体乃至ペレット3により構成し、その消
耗に従って、上部から球状体乃至ペレットを補給する形
式の電解槽とすることが出来る。或いは、図2に示す様
に、特開昭62−56589号公報に示された“鉛筆削
り型電解槽”に準じて、陰極シート5内に陽極ブロック
7を積層する形式の電解層としても良い。この様な連続
補給型の陽極を備えた電解槽を使用する場合には、消耗
する陽極を1回或いは数回の反応毎に交換する必要がな
くなるので、長期にわたる繰り返し反応が可能となり、
陽極交換に要する経費が軽減され、ポリシラン類の製造
コストが低下する。
気であればよいが、乾燥した窒素または不活性ガス雰囲
気であることがより好ましく、さらに脱酸素し、乾燥し
た窒素雰囲気或いは不活性ガス雰囲気であることが特に
好ましい。通電量は、ジハロシラン中のハロゲンを基準
として、1F/mol程度以上あれば良く、通電量を調
整することにより、分子量の制御が可能となる。また、
0.1F/mol程度以上の通電量で生成したポリシラ
ンを系外に取り出し、残存する原料ジハロシランを回収
して、再使用することも可能である。反応時間は、原料
ジハロシランの量、支持電解質の量などに関係する電解
液の抵抗などにより異なり得るので、適宜定めればよ
い。反応時の温度は、通常−20℃から使用する溶媒の
沸点までの温度範囲内にあり、より好ましくは−5〜3
0℃程度の範囲内にあり、最も好ましくは0〜25℃程
度の範囲内にある。本願第1発明においては、通常の電
極還元反応においては必須とされている隔膜は、使用し
てもよいが、必須ではないので、操作が簡便となり、実
用上有利である。
ために、支持電解質に加えて通電助剤を併用することに
より、通電性の向上をはかる以外の点では、本願第1発
明と実質的に異なるところはない。
Et)3などのAl塩;FeCl2、FeCl3などのF
e塩;MgCl2などのMg塩;ZnCl2などのZn
塩;SnCl2などのSn塩;CoCl2などのCo塩;
PdCl2などのPd塩;VCl3などのV塩;CuCl
2などのCu塩;CaCl2などのCa塩などが好ましい
ものとして例示される。これらの通電助剤は、単独で使
用しても良く、或いは2種以上を併用しても良い。これ
ら通電助剤の中でも、AlCl3、FeCl2、FeCl
3、CoCl2、CuCl2などがより好ましい。溶媒中
の通電助剤の濃度は、低すぎる場合には、通電性の向上
が十分に達成されず、一方、高すぎる場合には、通電助
剤が還元されて、反応に関与しなくなる。従って、溶媒
中の通電助剤の濃度は、通常0.01〜6mol/l程
度であり、より好ましくは0.03〜4mol/l程度
であり、特に好ましくは0.05〜3mol/l程度で
ある。このような通電助剤の添加により、反応時間が大
幅に短縮され、効率的なポリシランの製造が可能とな
る。反応時間の短縮の程度は、通電助剤の濃度、支持電
解質および原料ジハロシランの濃度などにより異なる
が、通常、通電助剤を用いない場合の1/4〜3/4程
度となる。
ランは、一般式
基、−(CH2)m−基または−(CH2−CH2−O)m
−基(mは、1〜20である)を表す:R1、R2、R3
およびR4は、それぞれ同一或いは相異なって、水素原
子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基またはアミ
ノ基を表す:Xは、ハロゲン原子を表す)で示される化
合物である。
は、一般式
に同じ:nは、20〜10000である)で示されるS
i−Si結合を主鎖に含むポリマーである。
るハロシランが相違し、その結果得られる反応生成物
(Si−Si結合を主鎖に含むポリマー)が対応して相
違する以外の点では、本願第1発明と実質的に異なると
ころはない。すなわち、一般式(3)で示されるハロシ
ランを原料として、本願第1発明と同様の電極還元反応
を行うことにより、一般式(4)で示されるポリシラン
類を製造する。
部としては、下記の如きものが挙げられる; a)フェニレン、ナフタニレン、ビフェニレン、
Nをしめす。)などの二価の芳香族基。
不飽和脂肪族基。
である。) d)−(CH2−CH2−O)m−基(mは、1〜20で
ある。) 一般式(5)において、R1、R2、R3およびR4で示さ
れる水素原子、アミノ基ならびに有機置換基(アルキル
基、アリール基、アルコキシ基)は、それぞれが相異な
っていても良く、あるいは2個以上が同一であっても良
い。有機置換基としてのアルキル基としては、炭素数1
〜10程度のものが挙げられ、これらの中でも炭素数1
〜6のものがより好ましい。アリール基としては、フェ
ニル基、炭素数1〜6のアルキル基の少なくとも1つ以
上を置換基として有するフェニル基、p−アルコキシフ
ェニル基、ナフチル基などが挙げられる。アルコキシ基
としては、炭素数1〜10程度のものが挙げられ、これ
らの中でも炭素数1〜6のものがより好ましい。R1、
R2、R3およびR4が、上記のアミノ基および有機置換
基である場合には、その水素原子の少なくとも1個がさ
らに他のアルキル基、アリール基、アルコキシ基などの
官能基により置換されていても良い。
ゲン原子(Cl,F,Br,I)を表す。ハロゲン原子
としては、Clがより好ましい。
表されるハロシランの1種を単独で使用しても良く、或
いは2種を混合使用しても良い。ハロシランは、できる
だけ高純度のものであることが好ましく、例えば、液体
のハロシランについては、水素化カルシウムにより乾燥
し、蒸留して使用することが好ましく、また、固体のハ
ロシランについては、再結晶法により、精製し、使用す
ることが好ましい。
ために、支持電解質に加えて通電助剤を併用することに
より、通電性の向上をはかる以外の点では、本願第3発
明と実質的に異なるところはない。通電助剤の種類およ
び濃度などは、本願第2発明の場合と同様でよい。
アルコキシ基またはアミノ基を表す:Xは、ハロゲン原
子を表す)で示されるトリハロシランである。
は、一般式
じ:nは、20〜10000である)で示されるシリコ
ンネットワークポリマーである。
(5)のトリハロシランを使用することおよびそれに対
応して生成されるポリマーが一般式(6)のシリコンネ
ットワークポリマーであること以外の点では、本願第1
発明と実質的に異なるところはない。
おいて、アルキル基としては、炭素数1〜10程度のも
のが挙げられ、これらの中でも炭素数1〜6のものがよ
り好ましい。アリール基としては、フェニル基、炭素数
1〜6のアルキル基の少なくとも1つ以上を置換基とし
て有するフェニル基、p−アルコキシフェニル基、ナフ
チル基などが挙げられる。アルコキシ基としては、炭素
数1〜10程度のものが挙げられ、これらの中でも炭素
数1〜6のものがより好ましい。Rが、上記のアミノ基
および有機置換基(アルキル基、アリール基、アルコキ
シ基)である場合には、その水素原子の少なくとも1つ
が、さらに他のアルキル基、アリール基、アルコキシ基
などの官能基により置換されていても良い。
ランにおいて、Xは、ハロゲン原子(Cl,F,Br,
I)を表す。ハロゲン原子としては、Clがより好まし
い。
表されるトリハロシランの1種を単独で使用しても良
く、或いは2種以上を混合使用しても良い。トリハロシ
ランは、できるだけ高純度のものであることが好まし
く、例えば、液体のトリハロシランについては、水素化
カルシウムにより乾燥し、蒸留して使用することが好ま
しく、また、固体のトリハロシランについては、再結晶
法により、精製し、使用することが好ましい。
ために、支持電解質に加えて通電助剤を併用することに
より、通電性の向上をはかる以外の点では、本願第5発
明と実質的に異なるところはない。通電助剤の種類およ
び濃度などは、本願第2発明の場合と同様でよい。
で示されるジハロシランと前出の一般式(5)で示され
るトリハロシランである。
は、一般式
じ。)で示される構造単位と一般式
結合を骨格とする網目状ポリマーである。
(1)のジハロシランの少なくとも1種と一般式(5)
のトリハロシランの少なくとも1種とを併用することお
よびそれに対応して生成されるポリマーが一般式(7)
で示される構造単位と一般式(8)で示される構造単位
とからなる網目状ポリマーであること以外の点では、本
願第1発明と実質的に異なるところはない。
表されるジハロシランの1種または2種以上と一般式
(5)で表されるトリハロシランの1種または2種以上
との混合割合は、ジハロシラン(1):トリハロシラン
(5)=1000:1〜50000の範囲とすることが
好ましい。この範囲内の混合割合とする場合には、混合
物が有機溶媒に可溶であり、且つ生成するポリマーが直
鎖状のポリマーと網目状のシリコンネットワークポリマ
ーとの両方の特性を兼ね備えた複合的な機能を発揮する
ので、好適である。
合を骨格とする網目状ポリマーの重量平均分子量は、通
常2000〜100万程度である。
ために、支持電解質に加えて通電助剤を併用することに
より、通電性の向上をはかる以外の点では、本願第7発
明と実質的に異なるところはない。通電助剤の種類およ
び濃度などは、本願第2発明の場合と同様でよい。
合を骨格とする網目状ポリマーの重量平均分子量は、や
はり通常2000〜100万程度である。
で示されるジハロシランと一般式
示されるテトラハロシランである。
は、一般式(7)で示される構造単位と一般式
結合を骨格とする網目状ポリマーである。
(1)のジハロシランの少なくとも1種と一般式(9)
のテトラハロシランの少なくとも1種とを併用すること
およびそれに対応して生成されるポリマーが一般式
(7)で示される構造単位と一般式(10)で示される
構造単位とからなる網目状ポリマーであること以外の点
では、本願第1発明と実質的に異なるところはない。
表されるジハロシランの1種または2種以上と一般式
(9)で表されるテトラハロシランの1種または2種以
上との混合割合は、ジハロシラン(1):テトラハロシ
ラン(9)=1000:1〜1000の範囲とすること
が好ましい。この範囲内の混合割合とする場合には、混
合物が有機溶媒に可溶であり、且つ生成するポリマーが
直鎖状のポリマーと網目状のシリコンネットワークポリ
マーとの両方の特性を兼ね備えた複合的な機能を発揮す
るので、好適である。
合を骨格とする網目状ポリマーの重量平均分子量は、通
常2000〜100万程度である。
うために、支持電解質に加えて通電助剤を併用すること
により、通電性の向上をはかる以外の点では、本願第9
発明と実質的に異なるところはない。通電助剤の種類お
よび濃度などは、本願第2発明の場合と同様でよい。
結合を骨格とする網目状ポリマーの重量平均分子量は、
やはり通常2000〜100万程度である。
(5)で示されるトリハロシランと前出の一般式(9)
で示されるテトラハロシランである。
は、一般式(8)で示される構造単位と一般式(10)
で示される構造単位とからなるSi−Si結合を骨格と
する網目状ポリマーである。
(5)のトリハロシランの少なくとも1種と一般式
(9)のテトラハロシランの少なくとも1種とを併用す
ることおよびそれに対応して生成されるポリマーが一般
式(8)で示される構造単位と一般式(10)で示され
る構造単位とからなる網目状ポリマーであること以外の
点では、本願第1発明と実質的に異なるところはない。
表されるトリハロシランの1種または2種以上と一般式
(9)で表されるテトラハロシランの1種または2種以
上との混合割合は、トリハロシラン(5):テトラハロ
シラン(9)=1000:1〜100の範囲とすること
が好ましい。この範囲内の混合割合とする場合には、混
合物が有機溶媒に可溶であり、且つ生成するポリマーが
直鎖状のポリマーと網目状のシリコンネットワークポリ
マーとの両方の特性を兼ね備えた複合的な機能を発揮す
るので、好適である。
結合を骨格とする網目状ポリマーの重量平均分子量は、
通常2000〜100万程度である。
うために、支持電解質に加えて通電助剤を併用すること
により、通電性の向上をはかる以外の点では、本願第1
1発明と実質的に異なるところはない。通電助剤の種類
および濃度などは、本願第2発明の場合と同様でよい。
結合を骨格とする網目状ポリマーの重量平均分子量は、
やはり通常2000〜100万程度である。
(1)で示されるジハロシランと前出の一般式(5)で
示されるトリハロシランと前出の一般式(9)で示され
るテトラハロシランである。
は、一般式(7)で示される構造単位と一般式(8)で
示される構造単位と一般式(10)で示される構造単位
とからなるSi−Si結合を骨格とする網目状ポリマー
である。
(1)のジハロシランの少なくとも1種と一般式(5)
のトリハロシランの少なくとも1種と一般式(9)のテ
トラハロシランの少なくとも1種とを併用することおよ
びそれに対応して生成されるポリマーが一般式(7)で
示される構造単位と一般式(8)で示される構造単位と
一般式(10)で示される構造単位とからなる網目状ポ
リマーであること以外の点では、本願第1発明と実質的
に異なるところはない。
で表されるジハロシランの1種または2種以上と一般式
(5)で表されるトリハロシランの1種または2種以上
と一般式(9)で表されるテトラハロシランの1種また
は2種以上との混合割合は、ジハロシラン(1):トリ
ハロシラン(5):テトラハロシラン(9)=100
0:0.5〜800:0.5〜100の範囲とすること
が好ましい。この範囲内の混合割合とする場合には、混
合物が有機溶媒に可溶であり、且つ生成するポリマーが
直鎖状のポリマーと網目状のシリコンネットワークポリ
マーとの両方の特性を兼ね備えた複合的な機能を発揮す
るので、好適である。
結合を骨格とする網目状ポリマーの重量平均分子量は、
通常2000〜100万程度である。
うために、支持電解質に加えて通電助剤を併用すること
により、通電性の向上をはかる以外の点では、本願第1
3発明と実質的に異なるところはない。通電助剤の種類
および濃度などは、本願第2発明の場合と同様でよい。
結合を骨格とする網目状ポリマーの重量平均分子量は、
やはり通常2000〜100万程度である。
果が達成される。
0以上のポリシラン類が製造できる。
などの危険な材料を使用しないので、安全でかつ環境汚
染などの危険性なく、ポリシラン類が製造できる。
安価にポリシランが製造できる。
性がより良好となるので、通電助剤を使用しない場合に
比して、反応時間が1/4〜3/4程度に大幅に短縮さ
れ、効率よくポリシラン類を製造することができる。
いる場合には、反応終了後に反応溶液を中和する必要が
ないので、後処理が極めて簡単となる。
ころをより一層明確にする。
よびステンレス鋼(SUS304)製陰極(1cm×1
cm×5cm)を装着した内容積30mlの3つ口フラ
スコ(以下反応器という)に無水塩化リチウム(LiC
l)0.4gを収容し、50℃で1mmHgに加熱減圧
して、LiClを乾燥した後、脱酸素した乾燥窒素を反
応器内に導入し、さらに予めナトリウム−ベンゾフェノ
ンケチルで乾燥したテトラヒドロフラン15mlを加え
た。これに予め蒸留により精製したメチルフェニルジク
ロロシラン1.6ml(10mmol)をシリンジで加
え、マグネティックスターラーにより反応溶液を撹拌し
ながら、ウォーターバスにより反応器を室温に保持しつ
つ、定電流電源により通電した。通電は、メチルフェニ
ルジクロロシラン中の塩素を基準として1.8F/mo
lの通電量となるよう約31時間行った。
を加えて、さらに蒸留水80mlを加え、エーテル10
0mlで抽出し、貧溶媒エタノール80ml、良溶媒テ
トラヒドロフラン4mlを用いて再沈した。
均重合度102程度)のメチルフェニルポリシランが収
率51.6%で得られた。
wt%トルエン溶液を調製し、その0.2mlを用いて
ガラス基板上にキャスト法により塗布し、減圧下50℃
に加熱して乾燥し、ポリシラン薄膜を得た。この薄膜
は、くもり、ひび割れ、うねりなどがなく、平坦で透明
性の高く、光・電子材料用途に好適なものであった。
精製したシクロヘキシルメチルジクロロシラン1.9m
lを使用する以外は実施例1と同様にして電極反応を行
った。
を加えて、さらに蒸留水80mlを加え、n−ヘキサン
100mlで抽出し、貧溶媒アセトン80ml、良溶媒
n−ヘキサン4mlを用いて再沈した。
均重合度91程度)のシクロヘキシルメチルポリシラン
が収率61.2%で得られた。
精製したn−ヘキシルメチルジクロロシラン2.0ml
を使用する以外は実施例1と同様にして電極反応を行っ
た。
を加えて、さらに蒸留水80mlを加え、エーテル10
0mlで抽出し、貧溶媒アセトン80ml、良溶媒n−
ヘキサン4mlを用いて再沈した。
均重合度82程度)のn−ヘキシルメチルポリシランが
収率53.2%で得られた。
精製したメトキシメチルジクロロシラン1.5mlを使
用する以外は実施例1と同様にして電極反応を行った。
を加えて、さらに蒸留水80mlを加え、エーテル10
0mlで抽出し、貧溶媒エタノール80ml、良溶媒テ
トラヒドロフラン(THF)4mlを用いて再沈した。
重合度73程度)のメトキシメチルポリシランが収率2
3%で得られた。
法で精製したp−アニシルメチルジクロロシラン1.9
mlを使用する以外は実施例1と同様にして電極反応を
行った。
を加えて、さらに蒸留水80mlを加え、エーテル10
0mlで抽出し、貧溶媒エタノール80ml、良溶媒T
HF4mlを用いて再沈した。
重合度66程度)のp−アニシルメチルポリシランが収
率51.1%で得られた。
法で精製した1,2−ジクロロ−1,1,2−トリメチ
ル−2−フェニルジシラン1.5mlを使用する以外は
実施例1と同様にして電極反応を行った。
を加えて、さらに蒸留水80mlを加え、エーテル10
0mlで抽出し、貧溶媒エタノール80ml、良溶媒T
HF4mlを用いて再沈した。
高収率で得られた。
ルフェニルジブロモシランを使用する以外は実施例1と
同様にして電極反応を行った。その結果、重量平均分子
量10200(平均重合度85程度)のメチルフェニル
ポリシランが、42.1%の収率で得られた。
%:1cm×1cm×5cm)を使用する以外は実施例
1と同様にして、メチルフェニルジクロロシランを電極
反応に供した。その結果、重量平均分子量15300
(平均重合度128程度)のメチルフェニルポリシラン
が、55.3%の収率で得られた。
1%、Mn0.5%、1cm×1cm×5cm)を使用
する以外は実施例1と同様にして、メチルフェニルジク
ロロシランを電極反応に供した。その結果、重量平均分
子量12200(平均重合度102程度)のメチルフェ
ニルポリシランが、61.3%の収率で得られた。
5cm)を使用する以外は実施例1と同様にして、メチ
ルフェニルジクロロシランを電極反応に供した。その結
果、高分子量のメチルフェニルポリシランが高収率で得
られた。
外は実施例1と同様にして、メチルフェニルジクロロシ
ランを電極反応に供した。その結果、高分子量のメチル
フェニルポリシランが高収率で得られた。
外は実施例1と同様にして、メチルフェニルジクロロシ
ランを電極反応に供した。その結果、高分子量のメチル
フェニルポリシランが高収率で得られた。
よびステンレス鋼(SUS316)製陰極(1cm×1
cm×5cm)を装着した内容積30mlの3つ口フラ
スコ(以下反応器という)に無水塩化リチウム(LiC
l)0.40gと無水塩化アルミニウム(AlCl3)
0.25gを収容し、50℃、1mmHgに加熱減圧し
て、LiClおよびAlCl3を乾燥した後、脱酸素し
た乾燥窒素を反応器内に導入し、さらに予めナトリウム
−ベンゾフェノンケチルで乾燥したテトラヒドロフラン
15mlを加えた。これに予め蒸留により精製したメチ
ルフェニルジクロロシラン1.6ml(10mmol)
をシリンジで加え、マグネティックスターラーにより反
応溶液を撹拌しながら、ウォーターバスにより反応器を
室温に保持しつつ、定電圧電源により通電した。通電
は、メチルフェニルジクロロシラン中の塩素を基準とし
て1.8F/molの通電量となるよう行ったところ、
反応時間は約10時間であった。
を加えて、さらに蒸留水80mlを加え、エーテル10
0mlで抽出し、貧溶媒エタノール80ml、良溶媒テ
トラヒドロフラン4mlを用いて再沈した。
均重合度143程度)のメチルフェニルポリシランが、
収率54.8%で得られた。
様にしてメチルフェニルジクロロシランを電極反応に供
した。この場合、原料中の塩素を基準として、通電量が
1.8F/molとなるまでに約9時間を要した。
均重合度203程度)のメチルフェニルポリシランが収
率40.6%で得られた。
は実施例13と同様にしてメチルフェニルジクロロシラ
ンを電極反応に供した。この場合、原料中の塩素を基準
として、通電量が1.8F/molとなるまでに約15
時間を要した。
重合度83程度)のメチルフェニルポリシランが収率4
7.5%で得られた。
は実施例13と同様にしてメチルフェニルジクロロシラ
ンを電極反応に供した。この場合、原料中の塩素を基準
として、通電量が1.8F/molとなるまでに約17
時間を要した。
均重合度88程度)のメチルフェニルポリシランが収率
43.1%で得られた。
は実施例13と同様にしてメチルフェニルジクロロシラ
ンを電極反応に供した。この場合、原料中の塩素を基準
として、通電量が1.8F/molとなるまでに約20
時間を要した。
重合度71程度)のメチルフェニルポリシランが収率4
9.0%で得られた。
燥したDME15mlを使用する以外は実施例13と同
様にしてメチルフェニルジクロロシランを電極反応に供
した。
重合度63程度)のメチルフェニルポリシランが収率3
9.5%で得られた。
ニルジクロロシラン6.4mlを使用する以外は実施例
13と同様にして電極反応を行った。
均重合度332程度)のメチルフェニルポリシランが収
率48.5%で得られた。
(メチルフェニルクロロシリル)ベンゼンを1.3ml
を使用する以外は実施例13と同様にして電極反応を行
った。
均重合度41程度)のポリ[p−(ジシラニレン)フェ
ニレン]が収率33.9%で得られた。
クロロシランを使用する以外は実施例13と同様にして
電極反応を行った。通電は、原料中の塩素を基準とし
て、通電量が2.0mol/lとなるよう行った。
均重合度124程度)のフェニル基を有するシリコンネ
ットワークポリマーが収率41.5%で得られた。
ルトリクロロシランを使用する以外は実施例13と同様
にして電極反応を行った。通電は、原料中の塩素を基準
として、通電量が2.0mol/lとなるよう行った。
均重合度102程度)のシクロヘキシル基を有するシリ
コンネットワークポリマーが収率62.3%で得られ
た。
ルジクロロシラン1.45mlおよびフェニルトリクロ
ロシラン0.16mlの混合物を使用する以外は実施例
13と同様にして電極反応を行った。通電は、通電量が
原料中の塩素を基準として2.0F/molとなるよう
行った。
−Si結合を骨格とする網目状ポリマーが収率61.5
%で得られた。
ルジクロロシラン1.13mlおよびテトラクロロシラ
ン0.34mlの混合物を使用する以外は実施例13と
同様にして電極反応を行った。通電は、通電量が原料中
の塩素を基準として2.0F/molとなるよう行っ
た。
−Si結合を骨格とする網目状ポリマーが収率38.5
%で得られた。
クロロシラン1.60mlおよびテトラクロロシラン
0.06mlの混合物を使用する以外は実施例13と同
様にして電極反応を行った。通電は、通電量が原料中の
塩素を基準として2.0F/molとなるよう行った。
−Si結合を骨格とする網目状ポリマーが収率34.0
%で得られた。
ルジクロロシラン1.60ml、フェニルトリクロロシ
ラン0.16mlおよびテトラクロロシラン0.06m
lの混合物を使用する以外は実施例13と同様にして電
極反応を行った。通電は、通電量が原料中の塩素を基準
として2.0F/molとなるよう行った。
−Si結合を骨格とする網目状ポリマーが収率52.2
%で得られた。
は実施例13と同様にしてメチルフェニルジクロロシラ
ンを電解反応に供した。この場合、原料中の塩素を基準
として、通電量が1.8F/molとなるまで約11時
間を要した。その結果、重要平均分子量22300(平
均重合度186程度)のメチルフェニルポリシランが収
率60.5%で得られた。
は実施例13と同様にしてメチルフェニルジクロロシラ
ンを電解反応に供した。この場合、原料中の塩素を基準
として、通電量が1.8F/molとなるまで約12時
間を要した。その結果、重要平均分子量15000(平
均重合度125程度)のメチルフェニルポリシランが収
率43.7%で得られた。
は実施例13と同様にしてメチルフェニルジクロロシラ
ンを電解反応に供した。この場合、原料中の塩素を基準
として、通電量が1.8F/molとなるまで約22時
間を要した。その結果、重要平均分子量9100(平均
重合度76程度)のメチルフェニルポリシランが収率5
6.2%で得られた。
は実施例13と同様にしてメチルフェニルジクロロシラ
ンを電解反応に供した。この場合、原料中の塩素を基準
として、通電量が1.8F/molとなるまで約17時
間を要した。その結果、重要平均分子量13000(平
均重合度108程度)のメチルフェニルポリシランが収
率61.8%で得られた。
は実施例13と同様にしてメチルフェニルジクロロシラ
ンを電解反応に供した。この場合、原料中の塩素を基準
として、通電量が1.8F/molとなるまで約23時
間を要した。その結果、重要平均分子量7400(平均
重合度61程度)のメチルフェニルポリシランが収率3
6.7%で得られた。
実施例13と同様にしてメチルフェニルジクロロシラン
を電解反応に供した。この場合、原料中の塩素を基準と
して、通電量が1.8F/molとなるまで約23時間
を要した。その結果、重要平均分子量15700(平均
重合度131程度)のメチルフェニルポリシランが収率
26.4%で得られた。
は実施例13と同様にしてメチルフェニルジクロロシラ
ンを電解反応に供した。この場合、原料中の塩素を基準
として、通電量が1.8F/molとなるまで約18時
間を要した。その結果、重要平均分子量10400(平
均重合度86程度)のメチルフェニルポリシランが収率
41.8%で得られた。
ンレス鋼(SUS316)製陰極(12cm×15cm
×1cm)を装着したフィルタープレス型電解槽(電極
間間隔5mm)、容積3lの反応液貯槽、ベローズ式ポ
ンプおよび配管からなる流動式電極反応装置の反応液貯
槽に無水塩化リチウム(LiCl)27gと無水塩化ア
ルミニウム(AlCl3)17gとを収容し、50℃、
1mmHgに加熱減圧して、LiClおよびAlCl3
を乾燥した後、脱酸素した乾燥窒素を反応装置内に導入
し、さらに予めナトリウム−ベンゾフェノンケチルで乾
燥したテトラヒドロフラン1.0lを加えた。これに予
め蒸留により精製したメチルフェニルジクロロシラン1
07.9ml(0.67mol)をシリンジで加え、ベ
ローズ式ポンプにより反応液を循環させながら(電極間
を通過する際の線速度は、20cm/秒)、冷却器によ
り反応温度を室温に保持しつつ、定電圧電源により通電
した。通電は、原料中の塩素を基準として1.8F/m
olの通電量となる様、約36時間行った。
加え、エーテル1.5lで抽出し、貧溶媒エタノール2
l、良溶媒ベンゼン50mlを用いて再沈した。
均重合度154程度)のメチルフェニルポリシランが、
収率39.9%で得られた。
した。すなわち、円錐部11(高さ105cm×直径2
2cm)と円柱部13(直径22cm×45cm;但
し、15cmのブロック3枚により構成)とからなるM
g積層体を陽極とし、陽極円錐部11と5mmの間隔で
配置されたSUS304製シート15を陰極(電解槽の
外壁を兼ねる)とする鉛筆削り型電解槽17、容量20
lの反応液貯槽(図示せず)、反応液循環ポンプ(図示
せず)、配管類(図示せず)などを主要構成要素として
備えた流動式電極反応装置に無水塩化リチウム(LiC
l)400gと無水塩化第一鉄(FeCl2)250g
とを収容し、50℃、1mmHgに加熱減圧して、Li
ClおよびFeCl2を乾燥した後、脱酸素した乾燥窒
素を反応装置内に導入し、さらに乾燥したテトラヒドロ
フラン15lを加えた。これにメチルフェニルジクロロ
シラン1.5kgを加え、反応液循環ポンプにより、反
応溶液を矢印の方向に循環させながら(電極間の中間点
を通過する際の線速度は、20cm/秒)、冷却器によ
り反応温度を室温に保持しつつ、電流値34Aで定電流
電解を行った。通電は、原料を基準として3.5F/m
olの通電量となる様、約22時間行った。
し、抽出し、再沈したところ、メチルフェニルポリシラ
ン385gが得られた。
たところ、Mg電極は上端が5mm低下していた。この
消耗の程度から、Mg陽極の厚さ45cm(15cmの
ブロック3枚)の上部円柱部13が完全に消失して、M
gブロックを補充する必要を生じるのは、上記と同様な
反応を90回程度繰り返した後であることが明らかであ
る。
使用して、本発明を実施した。すなわち、直径20cm
×高さ40cmのPTFE製のバスケット1に直径1c
mのMg球状体3を高さ35cmのところまで収容した
ものを陽極とし、バスケット1と5mmの間隔で配置さ
れたSUS304製円筒型容器21を陰極(電解槽の外
壁を兼ねる)とする電解槽23、容量20lの反応液貯
槽(図示せず)、反応液循環ポンプ(図示せず)、配管
類(図示せず)などを主要構成要素として備えた流動式
電解反応装置に無水塩化リチウム(LiCl)400g
と無水塩化第一鉄(FeCl2)250gとを収容し、
50℃、1mmHgに加熱減圧して、LiClおよびF
eCl2を乾燥した後、脱酸素した乾燥窒素を反応装置
内に導入し、さらに乾燥したテトラヒドロフラン15l
を加えた。これにメチルフェニルジクロロシラン1.5
kgを加え、反応液循環ポンプにより、反応溶液を矢印
の方向に循環させながら(電極間の中間点を通過する際
の線速度は、20cm/秒)、冷却器により反応温度を
室温に保持しつつ、電流値34Aで定電流電解を行っ
た。通電は、原料を基準として3.5F/molの通電
量となる様、約22時間行った。
し、抽出し、再沈したところ、メチルフェニルポリシラ
ン339gが得られた。
ころ、Mg球状体の上端が1cm低下していた。この消
耗の程度から、Mg球状体の上端がバスケットの高さの
約1/3にまで低下して、Mg球状体を補充する必要を
生じるのは、上記と同様な反応を20回程度繰り返した
後であることが明らかとなった。
かご状容器乃至バスケットに収容して使用する本発明方
法の大要を示す斜面図である。
した場合の概要を示す模式的な断面図である。
概要を示す模式的な断面図である。
して使用する電解槽の概要を示す模式的な断面図であ
る。
Claims (28)
- 【請求項1】ポリシラン類の製造方法であって、一般式 【化1】 (式中mは、1〜3である:Rは、水素原子、アルキル
基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表す。
m=1の場合には2つのRが、m=2の場合には4つの
Rが、m=3の場合は6つのRが、それぞれ同一でもあ
るいは2つ以上が相異なっていてもよい:Xは、ハロゲ
ン原子を表す)で示されるジハロシランをMgまたはM
g系合金を陽極とし、Li塩を支持電解質とし、溶媒と
して非プロトン性溶媒を使用する電極反応に供すること
により、一般式 【化2】 (式中Rは、出発原料に対応して上記に同じ:nは、2
0〜10000である)で示されるポリシランを形成さ
せることを特徴とする方法。 - 【請求項2】ポリシラン類の製造方法であって、一般式 【化3】 (式中mは、1〜3である:Rは、水素原子、アルキル
基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表す。
m=1の場合には2つのRが、m=2の場合には4つの
Rが、m=3の場合は6つのRが、それぞれ同一でもあ
るいは2つ以上が相異なっていてもよい:Xは、ハロゲ
ン原子を表す)で示されるジハロシランをMgまたはM
g系合金を陽極とし、Li塩を支持電解質とし、Al
塩、Fe塩、Mg塩、Zn塩、Sn塩、Co塩、Pd
塩、V塩、Cu塩またはCa塩を通電助剤として用い、
溶媒として非プロトン性溶媒を使用する電極反応に供す
ることにより、一般式 【化4】 (式中Rは、出発原料に対応して上記に同じ:nは、2
0〜10000である)で示されるポリシランを形成さ
せることを特徴とする方法。 - 【請求項3】支持電解質として、LiClを使用する請
求項1または2に記載の方法。 - 【請求項4】通電助剤として、AlCl3、FeCl2、
FeCl3、CoCl2またはCuCl2を使用する請求
項2または3に記載の方法。 - 【請求項5】ポリシラン類の製造方法であって、一般式 【化5】 (式中、Rは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−(C
H2)m−基または−(CH2−CH2−O)m−基(m
は、1〜20である)を表す:R1、R2、R3およびR4
は、それぞれ同一或いは相異なって、水素原子、アルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表
す:Xは、ハロゲン原子を表す)で示される化合物をM
gまたはMg系合金を陽極とし、Li塩を支持電解質と
し、溶媒として非プロトン性溶媒を使用する電極反応に
供することにより、一般式 【化6】 (式中、R1、R2、R3およびR4は、上記に同じ:n
は、20〜10000である)で示されるSi−Si結
合を主鎖に含むポリマーを形成させることを特徴とする
方法。 - 【請求項6】ポリシラン類の製造方法であって、一般式 【化7】 (式中、Rは、芳香族基、不飽和脂肪族基、−(C
H2)m−基または−(CH2−CH2−O)m−基(m
は、1〜20である)を表す:R1、R2、R3およびR4
は、それぞれ同一或いは相異なって、水素原子、アルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表
す:Xは、ハロゲン原子を表す)で示される化合物をM
gまたはMg系合金を陽極とし、Li塩を支持電解質と
し、Al塩、Fe塩、Mg塩、Zn塩、Sn塩、Co
塩、Pd塩、V塩、Cu塩またはCa塩を通電助剤とし
て用い、溶媒として非プロトン性溶媒を使用する電極反
応に供することにより、一般式 【化8】 (式中、R1、R2、R3およびR4は、上記に同じ:n
は、20〜10000である)で示されるSi−Si結
合を主鎖に含むポリマーを形成させることを特徴とする
方法。 - 【請求項7】支持電解質として、LiClを使用する請
求項5または6に記載の方法。 - 【請求項8】通電助剤として、AlCl3、FeCl2、
FeCl3、CoCl2またはCuCl2を使用する請求
項6または7に記載の方法。 - 【請求項9】ポリシラン類の製造方法であって、一般式 【化9】 (式中、Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基またはアミノ基を表す:Xは、ハロゲン原子
を表す)で示されるトリハロシランをMgまたはMg系
合金を陽極とし、Li塩を支持電解質とし、溶媒として
非プロトン性溶媒を使用する電極反応に供することによ
り、一般式 【化10】 (式中、Rは、出発原料に応じて上記に同じ:nは、2
0〜10000である)で示されるシリコンネットワー
クポリマーを形成させることを特徴とする方法。 - 【請求項10】ポリシラン類の製造方法であって、一般
式 【化11】 (式中、Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基またはアミノ基を表す:Xは、ハロゲン原子
を表す)で示されるトリハロシランをMgまたはMg系
合金を陽極とし、Li塩を支持電解質とし、Al塩、F
e塩、Mg塩、Zn塩、Sn塩、Co塩、Pd塩、V
塩、Cu塩またはCa塩を通電助剤として用い、溶媒と
して非プロトン性溶媒を使用する電極反応に供すること
により、一般式 【化12】 (式中、Rは、出発原料に応じて上記に同じ:nは、2
0〜10000である)で示されるシリコンネットワー
クポリマーを形成させることを特徴とする方法。 - 【請求項11】支持電解質として、LiClを使用する
請求項9または10に記載の方法。 - 【請求項12】通電助剤として、AlCl3、FeC
l2、FeCl3、CoCl2またはCuCl2を使用する
請求項10または11に記載の方法。 - 【請求項13】ポリシラン類の製造方法であって、一般
式 【化13】 (式中、mは、1〜3である:Rは、水素原子、アルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表
す。m=1の場合には2つのRが、m=2の場合には4
つのRが、m=3の場合は6つのRが、それぞれ同一で
もあるいは2つ以上が相異なっていてもよい:Xは、ハ
ロゲン原子を表す)で示されるジハロシランと一般式 【化14】 (式中、Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基またはアミノ基を表す:Xは、ハロゲン原子
を表す)で示されるトリハロシランとをMgまたはMg
系合金を陽極とし、Li塩を支持電解質とし、溶媒とし
て非プロトン性溶媒を使用する電極反応に供することに
より、一般式 【化15】 (式中、Rは、上記に同じ)で示される構造単位と一般
式 【化16】 (式中、Rは、上記に同じ)で示される構造単位とから
なるSi−Si結合を骨格とする網目状ポリマーを形成
させることを特徴とする方法。 - 【請求項14】ポリシラン類の製造方法であって、一般
式 【化17】 (式中、mは、1〜3である:Rは、水素原子、アルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表
す。m=1の場合には2つのRが、m=2の場合には4
つのRが、m=3の場合は6つのRが、それぞれ同一で
もあるいは2つ以上が相異なっていてもよい:Xは、ハ
ロゲン原子を表す)で示されるジハロシランと一般式 【化18】 (式中、Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基またはアミノ基を表す:Xは、ハロゲン原子
を表す)で示されるトリハロシランとをMgまたはMg
系合金を陽極とし、Li塩を支持電解質とし、Al塩、
Fe塩、Mg塩、Zn塩、Sn塩、Co塩、Pd塩、V
塩、Cu塩またはCa塩を通電助剤として用い、溶媒と
して非プロトン性溶媒を使用する電極反応に供すること
により、一般式 【化19】 (式中、Rは、上記に同じ)で示される構造単位と一般
式 【化20】 (式中、Rは、上記に同じ)で示される構造単位とから
なるSi−Si結合を骨格とする網目状ポリマーを形成
させることを特徴とする方法。 - 【請求項15】支持電解質として、LiClを使用する
請求項13または14に記載の方法。 - 【請求項16】通電助剤として、AlCl3、FeC
l2、FeCl3、CoCl2またはCuCl2を使用する
請求項14または15に記載の方法。 - 【請求項17】ポリシラン類の製造方法であって、一般
式 【化21】 (式中、mは、1〜3である:Rは、水素原子、アルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表
す。m=1の場合には2つのRが、m=2の場合には4
つのRが、m=3の場合は6つのRが、それぞれ同一で
もあるいは2つ以上が相異なっていてもよい:Xは、ハ
ロゲン原子を表す)で示されるジハロシランと一般式 【化22】 (式中、Xは、ハロゲン原子を表す)で示されるテトラ
ハロシランとをMgまたはMg系合金を陽極とし、Li
塩を支持電解質とし、溶媒として非プロトン性溶媒を使
用する電極反応に供することにより、一般式 【化23】 (式中、Rは、上記に同じ)で示される構造単位と一般
式 【化24】 で示される構造単位とからなるSi−Si結合を骨格と
する網目状ポリマーを形成させることを特徴とする方
法。 - 【請求項18】ポリシラン類の製造方法であって、一般
式 【化25】 (式中、mは、1〜3である:Rは、水素原子、アルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表
す。m=1の場合には2つのRが、m=2の場合には4
つのRが、m=3の場合は6つのRが、それぞれ同一で
もあるいは2つ以上が相異なっていてもよい:Xは、ハ
ロゲン原子を表す)で示されるジハロシランと一般式 【化26】 (式中、Xは、ハロゲン原子を表す)で示されるテトラ
ハロシランとをMgまたはMg系合金を陽極とし、Li
塩を支持電解質とし、Al塩、Fe塩、Mg塩、Zn
塩、Sn塩、Co塩、Pd塩、V塩、Cu塩またはCa
塩を通電助剤として用い、溶媒として非プロトン性溶媒
を使用する電極反応に供することにより、一般式 【化27】 (式中、Rは、上記に同じ)で示される構造単位と一般
式 【化28】 で示される構造単位とからなるSi−Si結合を骨格と
する網目状ポリマーを形成させることを特徴とする方
法。 - 【請求項19】支持電解質として、LiClを使用する
請求項17または18に記載の方法。 - 【請求項20】通電助剤として、AlCl3、FeC
l2、FeCl3、CoCl2またはCuCl2を使用する
請求項18または19に記載の方法。 - 【請求項21】ポリシラン類の製造方法であって、一般
式 【化29】 (式中、Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基またはアミノ基を表す;Xは、ハロゲン原子
を表す)で示されるトリハロシランと一般式 【化30】 (式中、Xは、ハロゲン原子を表す)で示されるテトラ
ハロシランとをMgまたはMg系合金を陽極とし、Li
塩を支持電解質とし、溶媒として非プロトン性溶媒を使
用する電極反応に供することにより、一般式 【化31】 (式中、Rは、上記に同じ)で示される構造単位と一般
式 【化32】 で示される構造単位とからなるSi−Si結合を骨格と
する網目状ポリマーを形成させることを特徴とする方
法。 - 【請求項22】ポリシラン類の製造方法であって、一般
式 【化33】 (式中、Rは、水素原子、アルキル基、アリール基、ア
ルコキシ基またはアミノ基を表す;Xは、ハロゲン原子
を表す)で示されるトリハロシランと一般式 【化34】 (式中、Xは、ハロゲン原子を表す)で示されるテトラ
ハロシランとをMgまたはMg系合金を陽極とし、Li
塩を支持電解質とし、Al塩、Fe塩、Mg塩、Zn
塩、Sn塩、Co塩、Pd塩、V塩、Cu塩またはCa
塩を通電助剤として用い、溶媒として非プロトン性溶媒
を使用する電極反応に供することにより、一般式 【化35】 (式中、Rは、上記に同じ)で示される構造単位と一般
式 【化36】 で示される構造単位とからなるSi−Si結合を骨格と
する網目状ポリマーを形成させることを特徴とする方
法。 - 【請求項23】支持電解質として、LiClを使用する
請求項21または22に記載の方法。 - 【請求項24】通電助剤として、AlCl3、FeC
l2、FeCl3、CoCl2またはCuCl2を使用する
請求項22または23に記載の方法。 - 【請求項25】ポリシラン類の製造方法であって、一般
式 【化37】 (式中、mは、1〜3である:Rは、水素原子、アルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表
す。m=1の場合には2つのRが、m=2の場合には4
つのRが、m=3の場合は6つのRが、それぞれ同一で
もあるいは2つ以上が相異なっていてもよい:Xは、ハ
ロゲン原子を表す)で示されるジハロシランと一般式 【化38】 (式中、Rは、アルキル基、アリール基、アルコキシ基
またはアミノ基を表す:Xは、ハロゲン原子を表す)で
示されるトリハロシランと一般式 【化39】 (式中、Xは、ハロゲン原子を表す)で示されるテトラ
ハロシランとをMgまたはMg系合金を陽極とし、Li
塩を支持電解質とし、溶媒として非プロトン性溶媒を使
用する電極反応に供することにより、一般式 【化40】 (式中、Rは、上記に同じ)で示される構造単位と一般
式 【化41】 (式中、Rは、上記に同じ)で示される構造単位と一般
式 【化42】 で示される構造単位とからなるSi−Si結合を骨格と
する網目状ポリマーを形成させることを特徴とする方
法。 - 【請求項26】ポリシラン類の製造方法であって、一般
式 【化43】 (式中、mは、1〜3である:Rは、水素原子、アルキ
ル基、アリール基、アルコキシ基またはアミノ基を表
す。m=1の場合には2つのRが、m=2の場合には4
つのRが、m=3の場合は6つのRが、それぞれ同一で
もあるいは2つ以上が相異なっていてもよい:Xは、ハ
ロゲン原子を表す)で示されるジハロシランと一般式 【化44】 (式中、Rは、アルキル基、アリール基、アルコキシ基
またはアミノ基を表す:Xは、ハロゲン原子を表す)で
示されるトリハロシランと一般式 【化45】 (式中、Xは、ハロゲン原子を表す)で示されるテトラ
ハロシランとをMgまたはMg系合金を陽極とし、Li
塩を支持電解質とし、Al塩、Fe塩、Mg塩、Zn
塩、Sn塩、Co塩、Pd塩、V塩、Cu塩またはCa
塩を通電助剤として用い、溶媒として非プロトン性溶媒
を使用する電極反応に供することにより、一般式 【化46】 (式中、Rは、上記に同じ)で示される構造単位と一般
式 【化47】 (式中、Rは、上記に同じ)で示される構造単位と一般
式 【化48】 で示される構造単位とからなるSi−Si結合を骨格と
する網目状ポリマーを形成させることを特徴とする方
法。 - 【請求項27】支持電解質として、LiClを使用する
請求項25または26に記載の方法。 - 【請求項28】通電助剤として、AlCl3、FeC
l2、FeCl3、CoCl2またはCuCl2を使用する
請求項26または27に記載の方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP608695A JP3598388B2 (ja) | 1994-03-22 | 1995-01-18 | ポリシラン類の製造方法 |
| US08/406,526 US5641849A (en) | 1994-03-22 | 1995-03-20 | Method for producing polysilanes |
| AT95104220T ATE187468T1 (de) | 1994-03-22 | 1995-03-22 | Verfahren zur herstellung von polysilanen |
| EP95104220A EP0673960B1 (en) | 1994-03-22 | 1995-03-22 | Method for producing polysilanes |
| DE69513710T DE69513710T2 (de) | 1994-03-22 | 1995-03-22 | Verfahren zur Herstellung von Polysilanen |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-50577 | 1994-03-22 | ||
| JP5057794 | 1994-03-22 | ||
| JP608695A JP3598388B2 (ja) | 1994-03-22 | 1995-01-18 | ポリシラン類の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07309953A true JPH07309953A (ja) | 1995-11-28 |
| JP3598388B2 JP3598388B2 (ja) | 2004-12-08 |
Family
ID=26340156
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP608695A Expired - Fee Related JP3598388B2 (ja) | 1994-03-22 | 1995-01-18 | ポリシラン類の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5641849A (ja) |
| EP (1) | EP0673960B1 (ja) |
| JP (1) | JP3598388B2 (ja) |
| AT (1) | ATE187468T1 (ja) |
| DE (1) | DE69513710T2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002128897A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-09 | Osaka Gas Co Ltd | ポリシラン系コポリマーの製造方法 |
| JP2006188620A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Osaka Gas Co Ltd | ポリシラン類の製造方法 |
| CN100402584C (zh) * | 2005-10-31 | 2008-07-16 | 杭州师范学院 | 有机聚硅烷的制备方法 |
| US8404881B2 (en) | 2009-03-05 | 2013-03-26 | Fuji Xerox Co., Ltd. | White particles for display, particle dispersion for display, display medium and display device |
| JP2013511459A (ja) * | 2009-11-18 | 2013-04-04 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | ヒドリドシランの製造方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3409613B2 (ja) * | 1996-10-21 | 2003-05-26 | 信越化学工業株式会社 | ポリシランの処理方法及びこれにより得られた高導電性ポリシラン |
| US5905139A (en) * | 1996-12-19 | 1999-05-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Purification of polysilane |
| WO1998029476A1 (fr) * | 1996-12-27 | 1998-07-09 | Osaka Gas Company Limited | Procede de preparation de polysilanes |
| JP3869403B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2007-01-17 | 株式会社東芝 | ホログラム記録媒体、その製造方法、およびホログラム記録方法 |
| US7270931B2 (en) * | 2003-10-06 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Silicon-containing compositions for spin-on ARC/hardmask materials |
| KR20070013329A (ko) * | 2004-05-14 | 2007-01-30 | 다우 코닝 코포레이션 | 분지된 폴리실란의 제조방법 |
| DE102004038145A1 (de) * | 2004-08-05 | 2006-03-16 | Wacker Chemie Ag | Vernetzte und verzweigte Organopolysilane |
| US8524065B2 (en) * | 2008-09-19 | 2013-09-03 | Metokote Corporation | Systems and methods for electrocoating a part |
| DE102010062984A1 (de) | 2010-12-14 | 2012-06-14 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung höherer Halogen- und Hydridosilane |
| DE102010063823A1 (de) | 2010-12-22 | 2012-06-28 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Hydridosilanen |
| DE102012224202A1 (de) | 2012-12-21 | 2014-07-10 | Evonik Industries Ag | Verfahren zum Hydrieren höherer Halogen-haltiger Silanverbindungen |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3028348B2 (ja) * | 1990-01-18 | 2000-04-04 | 達哉 庄野 | ポリシランの製造方法 |
| EP0558760B1 (en) * | 1991-09-19 | 1997-08-06 | Osaka Gas Co., Ltd. | Process for producing silicon network polymer |
-
1995
- 1995-01-18 JP JP608695A patent/JP3598388B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1995-03-20 US US08/406,526 patent/US5641849A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-22 AT AT95104220T patent/ATE187468T1/de not_active IP Right Cessation
- 1995-03-22 EP EP95104220A patent/EP0673960B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-22 DE DE69513710T patent/DE69513710T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002128897A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-09 | Osaka Gas Co Ltd | ポリシラン系コポリマーの製造方法 |
| JP2006188620A (ja) * | 2005-01-07 | 2006-07-20 | Osaka Gas Co Ltd | ポリシラン類の製造方法 |
| CN100402584C (zh) * | 2005-10-31 | 2008-07-16 | 杭州师范学院 | 有机聚硅烷的制备方法 |
| US8404881B2 (en) | 2009-03-05 | 2013-03-26 | Fuji Xerox Co., Ltd. | White particles for display, particle dispersion for display, display medium and display device |
| US8717282B2 (en) | 2009-03-05 | 2014-05-06 | Fuji Xerox Co., Ltd. | White particles for display, particle dispersion for display, display medium and display device |
| JP2013511459A (ja) * | 2009-11-18 | 2013-04-04 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | ヒドリドシランの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0673960A1 (en) | 1995-09-27 |
| DE69513710D1 (de) | 2000-01-13 |
| EP0673960B1 (en) | 1999-12-08 |
| DE69513710T2 (de) | 2000-07-13 |
| ATE187468T1 (de) | 1999-12-15 |
| JP3598388B2 (ja) | 2004-12-08 |
| US5641849A (en) | 1997-06-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3598388B2 (ja) | ポリシラン類の製造方法 | |
| JP3028348B2 (ja) | ポリシランの製造方法 | |
| JP3668818B2 (ja) | ジシランの製造方法 | |
| JP3538686B2 (ja) | Si−Si結合を骨格とする網目状ポリマーを製造する方法 | |
| JP3692434B2 (ja) | ポリシラン系ブロックコポリマーの製造方法 | |
| JPH07316304A (ja) | ゲルマニウム系高分子材料を製造する方法 | |
| JP3584341B2 (ja) | シランゲルマンコポリマーの製造方法 | |
| JP3718735B2 (ja) | ポリシラン系ブロックコポリマーの製造方法 | |
| JPH07316305A (ja) | ポリゲルマン類の製造方法 | |
| JPH07316860A (ja) | Si−Ge結合を有する化合物の製造方法 | |
| JP3028349B2 (ja) | Si−Si結合を主鎖に含むポリマーの製造方法 | |
| JP4664686B2 (ja) | ポリシラン類の製造方法 | |
| JPH10120908A (ja) | 高導電性重合体組成物及びその製造方法 | |
| JP3291564B2 (ja) | Si−Si結合を骨格とする網目状ポリマーの製造方法 | |
| JP3184907B2 (ja) | Si−Si結合を骨格とする網目状ポリマーを製造する方法 | |
| JP3674205B2 (ja) | ポリシラン類の製造方法 | |
| JPH07252272A (ja) | 有機ケイ素化合物とその製造方法 | |
| JP3608014B2 (ja) | 正孔輸送材料の製造方法 | |
| JPH0673180A (ja) | ポリシランの製造方法 | |
| JPH06256524A (ja) | フェノール基を有するポリシランの製造方法 | |
| JPH05247218A (ja) | Si−Si結合を骨格とする網目状ポリマーの製造方法 | |
| JPH05247217A (ja) | シリコンネットワークポリマーの製造方法 | |
| JPH0673181A (ja) | ポリシランの製造方法 | |
| JPWO1993006152A1 (ja) | シリコンネットワークポリマーの製造方法 | |
| JPH05306341A (ja) | シランゲルマンコポリマーの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040225 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040422 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040818 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040830 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100924 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |