JPH07311902A - Ｍｒヘッドの読出し回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ＭＲヘッド読出し回路に関し、書込みから読
出しに切替えた時、再生データが安定するまでの時間を
短縮させることを目的とする。 【構成】 一つの磁気抵抗効果素子を二つのトランジス
タＱ０２，Ｑ０３のベース間に接続し、二つのトランジ
スタのエミッタをスイッチを介して電流源Ｉ０１，Ｉ０
２に夫々接続して構成される複数の基本回路を備え、複
数の基本回路に共通に二つのトランジスタＱ０２，Ｑ０
３のエミッタ間を接続するコンデンサＣｘを設けた読出
し回路において、選択手段ＳＥＬ０に選択信号を与え
て、データの読出しを行う時の基本回路と、データの書
込みを行う時の基本回路とを別個に選択させ、データの
読出し時及び書込み時にコンデンサＣｘを充電させるこ
とにより、データ書込みから読出しに切替えた時の待ち
時間を短縮させるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗効果素子を用い
たＭＲヘッドにより、記録媒体に記録されたデータを再
生する回路に係り、特にＭＲヘッドを書込み状態から読
出し状態に切替えた際に、安定したデータ再生が可能と
なるまでの切替え時間を短縮させるＭＲヘッドの読出し
回路に関する。

【０００２】近年、電子式計算機の外部記憶装置として
の磁気記録再生装置においては、小型化、大容量化が進
み、データ再生用ヘッドも、薄膜ヘッドから磁気抵抗効
果素子を用いたＭＲヘッドが使用されるようになって来
た。

【０００３】これは、ＭＲヘッドを使用することによ
り、記録媒体の周速に依存しない再生出力が得られるた
め、記録媒体の周速を低くすることにより、高記録密度
化が可能となるためである。

【０００４】ＭＲヘッドでデータを再生する場合、磁気
抵抗効果素子にはセンス電流を流す必要があり、このた
め磁気抵抗効果素子の両端子間に電位差が発生する。そ
して、磁気抵抗効果素子の一方の端子を一方のトランジ
スタのベースに接続し、この磁気抵抗効果素子の他方の
端子を他方のトランジスタのベースに接続し、この二つ
のトランジスタのエミッタ間にコンデンサを接続して構
成される差動増幅器を用いる読出し回路では、このコン
デンサに前記電位差に相当する電圧を発生する電荷が蓄
積され、このコンデンサの電圧は前記二つのトランジス
タのバイアス電圧に電位差を与えている。

【０００５】ところで、磁気ディスク装置においては、
複数のＭＲヘッドが使用されているため、この複数のＭ
Ｒヘッドからデータの再生を夫々行う複数の読出し回路
は、一つのＬＳＩによって構成されており、前記コンデ
ンサを前記複数の読出し回路が共用している。

【０００６】そして、上位装置からの選択信号によって
指定された読出し回路が、対応するＭＲヘッドにセンス
電流を供給して、データの再生を行っているが、データ
の書込み時には、このセンス電流の供給を停止している
ため、前記コンデンサに蓄積された電荷が放電する。

【０００７】従って、再度データの読出しを行う際は、
磁気抵抗効果素子の両端子間に発生する電位差による前
記コンデンサの充電が完了するまでの間、前記差動増幅
器を構成するトランジスタのバイアス電圧が安定しない
ため、この間データの再生が不可能となるが、この時間
は短いことが必要である。

【０００８】

【従来の技術】図３９は従来のＭＲヘッド読出し回路の
一例を説明する図である。トランジスタＱ１と、抵抗Ｒ
１，Ｒ２と、磁気抵抗効果素子の抵抗Ｒｍｒと、電流源
Ｉｓとで、ＭＲヘッドバイアス回路を構成し、トランジ
スタＱ２，Ｑ３と、抵抗Ｒ３，Ｒ４と、コンデンサＣｘ
と、電流源Ｉ１，Ｉ２とで初段増幅器を構成し、増幅器
ＡＭＰ１と、電流源Ｉ３と、抵抗Ｒ５，Ｒ６とで後段増
幅器を構成する。

【０００９】トランジスタＱ１はベースに電源Ｖｘから
バイアス電圧を印加されて動作し、電源Ｖｃから供給さ
れる電流を抵抗Ｒ１と、磁気抵抗効果素子の抵抗Ｒｍｒ
と、抵抗Ｒ２とを経て、電流源Ｉｓに流す。

【００１０】従って、磁界の変化によりＲｍｒが変化す
ると、この変化量に対応して変化する信号が、トランジ
スタＱ２とＱ３のベース間に印加されて増幅され、更に
増幅器ＡＭＰ１によって増幅された信号が抵抗Ｒ５とＲ
６により抽出される。

【００１１】このＭＲヘッド読出し回路の特徴は、トラ
ンジスタＱ２とＱ３の夫々のベースに印加されるバイア
ス電圧が、磁気抵抗効果素子に流れる電流をＩｓとする
と、Ｒｍｒ×Ｉｓ分だけ電位差をもっていることであ
る。

【００１２】従って、データの読出し時のみにおいて、
電流源Ｉｓ及び電流源Ｉ１〜Ｉ３に電流を流すようにす
ると、データの書込み時には、交流信号を通過させるコ
ンデンサＣｘに蓄積された電荷が放電するため、データ
の読出し時には、このコンデンサＣｘに前記Ｒｍｒ×Ｉ
ｓ分の電位差を発生させる電荷が充電されるまでの間、
トランジスタＱ２とＱ３のベースに供給されるバイアス
電圧が変動することとなる。

【００１３】このバイアス電圧が安定するまでの時間Ｔ
ｘは、 Ｔｘ＝（Ｒｍｒ×Ｉｓ×Ｃｘ）／Ｉ２ … となり、磁気抵抗効果素子の抵抗Ｒｍｒと、電流源Ｉｓ
の電流値と、コンデンサＣｘの容量が大きい程、また、
電流源Ｉ２の電流が小さい程時間がかかる。

【００１４】図４０と図４１と図４２は従来技術の一例
を説明するブロック図である。ｎ＋１チャネルのＭＲヘ
ッド読出し回路を示し、各チャネル部分が図４０，図４
１，図４２の点線で囲んだ部分であり、それ以外は共通
部である。各チャネル部分はヘッド番号ＨＤ＃００〜Ｈ
Ｄ＃０ｎで示す如く、ｎ＋１個の図３９に示す基本回路
が形成されている。

【００１５】即ち、図４０はヘッド番号ＨＤ＃００の構
成を示し、図４１はヘッド番号ＨＤ＃０１の構成を示
し、図４２はヘッド番号ＨＤ＃０ｎの構成を示す。但
し、コンデンサＣｘと電流源Ｉｓとを各基本回路で共用
するのと、選択されたヘッド番号の基本回路のみが動作
するようにするため、図示する如く、電源Ｖｘとトラン
ジスタＱｘ１間にスイッチＳｘ１を、抵抗Ｒｘ２と電流
源Ｉｓ間にスイッチＳｘ２を、トランジスタＱｘ２と電
流源Ｉｘ１間にスイッチＳｘ３を、トランジスタＱｘ３
と電流源Ｉｘ２間にスイッチＳｘ４を、増幅器ＡＭＰ０
ｘと電流源Ｉｘ３間にスイッチＳｘ５を夫々挿入し、ス
イッチＳｘ２と電流源Ｉｓ間にスイッチＳ０６を挿入し
ている。尚、前記Ｑｘ，Ｓｘ，Ｉｘの各ｘの意味は、０
〜ｎまでの各ヘッド番号を示す。

【００１６】そして、スイッチＳ０６は読出し信号ＲＧ
のオン又はオフによってオン又はオフするように制御さ
れ、スイッチＳｘ１〜Ｓｘ５は、選択回路ＳＥＬに入力
する読出し信号ＲＧがオンの時、選択信号ＨＤＳ１〜Ｈ
Ｄ３によって指定されたヘッド番号のものがオンするよ
うになっている。

【００１７】従って、読出し信号ＲＧがオフの時は、ス
イッチＳ０６がオフとなっているため、電流源Ｉｓに電
流が流れず、どのヘッド番号の磁気抵抗効果素子にも電
流が流れていない。従って、各抵抗Ｒｍｒ０〜Ｒｍｒｎ
には電位差が発生しておらず、コンデンサＣｘの電荷は
放電したままである。

【００１８】図４３は読出し信号がオンとなった時の各
部の波形を説明する図である。図４３は、ＲＧに示す如
く、読出し信号が論理 "１”となって、読出しを指示
し、例えば、図４０に示す選択信号ＨＤＳ１，２，４が
共に論理 "０”で、選択回路ＳＥＬがヘッド番号ＨＤ＃
００を選択した場合の波形を示し、図４０の各スイッチ
Ｓ０１〜Ｓ０６がオフの時は、電流源Ｉｓ，Ｉ０１，Ｉ
０２が切り離されているため、トランジスタＱ０１と、
トランジスタＱ０２と、トランジスタＱ０３の各ベース
及びエミッタの電圧は、ほぼ電源Ｖｓの電圧と等しい。

【００１９】ここで、各スイッチＳ０１〜Ｓ０６がオン
となると、トランジスタＱ０１のエミッタは、Ｑ０１Ｅ
に示す如く、電源Ｖｘよりベース、エミッタ間の電圧Ｖ
_BE(Q01) だけ低い電圧となり、トランジスタＱ０２のベ
ースは、Ｑ０２Ｂに示す如く、Ｑ０１ＥよりＲ０１×Ｉ
ｓだけ低い電圧となり、トランジスタＱ０３のベース
は、Ｑ０３Ｂに示す如く、Ｑ０２ＢよりＲｍｒ０×Ｉｓ
だけ低い電圧となり、トランジスタＱ０２のエミッタ
は、Ｑ０２Ｅに示す如く、Ｑ０２Ｂよりベース、エミッ
タ間の電圧Ｖ_BE(Q02) だけ低い電圧となり、トランジス
タＱ０３のエミッタは、Ｑ０３Ｅに示す如く、一旦トラ
ンジスタＱ０２のエミッタ電圧Ｑ０２Ｅと同一電圧とな
るが、その後、ベース、エミッタ間の電圧Ｖ_BE(Q03) だ
け、トランジスタＱ０３のベース電圧Ｑ０３Ｂより低い
電圧となるまで低下する。

【００２０】これは、コンデンサＣｘに対し、Ｒｍｒ０
×Ｉｓで現される電圧により、前記式に示す時間Ｔｘ
が経過して充電が完了するまで、トランジスタＱ０３の
エミッタ電圧Ｑ０３Ｅが安定しないことを示す。

【００２１】通常の読出し状態では、外部磁界によっ
て、Ｒｍｒ０の両端に微小信号が生成されているため、
トランジスタＱ０２とＱ０３のベース及びエミッタの電
圧には、この生成された信号が重畳している。

【００２２】従って、トランジスタＱ０２とＱ０３のコ
レクタには、この再生された信号が出力されるが、図２
８のＶＱ０２Ｃ−ＶＱ０３Ｃに示す如く、前記のＴｘで
示す時間の間は、トランジスタＱ０３のエミッタ電圧が
安定しないため、トランジスタＱ０２とＱ０３で構成さ
れる初段増幅器は飽和状態となっており、この再生され
た信号は正常に増幅されない。

【００２３】この影響は後段増幅器ＡＭＰ００にも表れ
て、図４３のＶＯＵＴＰとＶＯＵＴＮに示す如く、Ｔｘ
で示す時間以上の範囲で信号の増幅が正常に行われず、
ＶＯＵＴＰ−ＶＯＵＴＮのＴｄで示す範囲の一定時間、
読出し機能が正常に動作しない。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】前記の如く、従来は読
出し信号を送出してから一定時間Ｔｄの間、読出し機能
が正常に動作しないため、読出し状態と書込み状態とを
繰り返す場合、このＴｄで示す時間の間は、読出し状態
として使用出来ないという問題がある。

【００２５】本発明はこのような問題点に鑑み、書込み
状態から読出し状態に切替えた直後の、読出し状態とし
て使用出来ない期間を可能な限り短くすることを目的と
している。

【００２６】

【課題を解決するための手段】そして、この目的は、図
１〜図１２に示されるように、ＭＲヘッドの読出し回路
は、磁気抵抗効果素子の一方の端子を一方のトランジス
タ(Q02〜Qn2)のベースに接続し、この磁気抵抗効果素子
の他方の端子を他方のトランジスタ(Q03〜Qn3)のベース
に接続すると共に、前記一方のトランジスタ(Q02〜Qn2)
のエミッタを第１の切替手段(S03〜Sn3)を介して第１の
電流源(I01〜In1)に接続し、前記他方のトランジスタ(Q
03〜Qn3)のエミッタを第２の切替手段(S04〜Sn4)を介し
て第２の電流源(I02〜In2)に接続し、前記第１と第２の
切替手段(S03〜Sn3)(S04〜Sn4)が動作した時、前記磁気
抵抗効果素子が再生する信号を増幅するように構成され
た前段増幅器と、第３の切替手段(S05〜Sn5)を介して第
３の電流源(I03〜In3)に接続され、この第３の切替手段
(S05〜Sn5)が動作した時、前記前段増幅器の増幅した信
号を更に増幅する後段増幅器(AMP00〜AMP0n)と、第４の
切替手段(S01〜Sn1)を介してバイアス電圧を与えられ前
記磁気抵抗効果素子に電流を供給するトランジスタ(Q01
〜Qn1)と、前記磁気抵抗効果素子を第４の電流源(Is)に
接続する第５の切替手段(S02〜Sn2)とから構成される複
数の増幅手段を備えている。

【００２７】そして、前記複数の増幅手段の前記一方の
トランジスタ(Q02〜Qn2)のエミッタと、前記他方のトラ
ンジスタ(Q03〜Qn3)のエミッタとの間に共通に接続され
た一つのコンデンサ(Cx)と、複数の前記第５の切替手段
(S02〜Sn2)を夫々前記第４の電流源(Is)に接続する第６
の切替手段(S06) と、データの読出し時と書込み時に該
第６の切替手段(S06) に動作信号を送出する送出手段(O
R)と、与えられた選択信号に基づき、前記第１〜第５の
切替手段(S03〜Sn3)(S04〜Sn4)(S05〜Sn5)(S01〜Sn1)(S
02〜Sn2)に夫々動作信号を送出する選択手段(SEL0 〜SE
L2) とを設けている。

【００２８】そして、図１〜図３に示す如く、データの
読出し時には、必要とする前記増幅手段の前記第１〜第
５の切替手段に動作信号を送出し、データの書込み時に
は、前記必要とする増幅手段を除く他の増幅手段の前記
第１〜第５の切替手段に動作信号を送出するか、又は、
図４〜図６に示す如く、データの読出し時には、必要と
する前記増幅手段の前記第１と第２と第４及び第５の切
替手段に動作信号を送出すると共に、前記必要とする増
幅手段の前記第３の切替手段に動作信号を送出し、デー
タの書込み時には、前記必要とする増幅手段を除く他の
増幅手段の前記第１と第２と第４と第５の切替手段に動
作信号を送出するか、又は、図７〜図９に示す如く、デ
ータの読出し時には、必要とする前記増幅手段の前記第
４及び第５の切替手段に動作信号を送出し、データの書
込み時には、前記必要とする増幅手段を除く他の増幅手
段の前記第４と第５の切替手段に動作信号を送出し、デ
ータの読出し時と書込み時に、前記必要とする増幅手段
の前記第１〜第３の切替手段に動作信号を送出するか、
又は、図１０〜図１２に示す如く、データの読出し時に
は、必要とする前記増幅手段の前記第４及び第５の切替
手段に動作信号を送出し、データの書込み時には、前記
必要とする増幅手段を除く他の増幅手段の前記第４と第
５の切替手段に動作信号を送出し、データの読出し時と
書込み時に、前記必要とする前記増幅手段の第１及び第
２の切替手段に動作信号を送出すると共に、データの読
出し時にのみ、前記必要とする増幅手段の前記第３の切
替手段に動作信号を送出することにより達成される。

【００２９】又、図１３〜図１５に示されるように、Ｍ
Ｒヘッドの読出し回路は、磁気抵抗効果素子の一方の端
子を一方のトランジスタ(Q02〜Qn2)のベースに接続し、
この磁気抵抗効果素子の他方の端子を他方のトランジス
タ(Q03〜Qn3)のベースに接続すると共に、前記一方のト
ランジスタ(Q02〜Qn2)のエミッタを第１の切替手段(S03
〜Sn3)を介して第１の電流源(I01〜In1)に接続し、前記
他方のトランジスタ(Q03〜Qn3)のエミッタを第２の切替
手段(S04〜Sn4)を介して第２の電流源(I02〜In2)に接続
し、前記第１と第２の切替手段(S03〜Sn3)(S04〜Sn4)が
動作した時、前記磁気抵抗効果素子が再生する信号を増
幅するように構成された第１の前段増幅器と、第３の切
替手段(S05〜Sn5)を介して第３の電流源(I03〜In3)に接
続され、この第３の切替手段(S05〜Sn5)が動作した時、
前記第１の前段増幅器の増幅した信号を更に増幅する第
１の後段増幅器(AMP00〜AMP0n)と、第４の切替手段(S01
〜Sn1)を介してバイアス電圧を与えられ前記磁気抵抗効
果素子に電流を供給するトランジスタ(Q01〜Qn1)と、前
記磁気抵抗効果素子を第４の電流源(Is)に接続する第５
の切替手段(S02〜Sn2)とから構成される複数の増幅手段
と、基準抵抗(Rx)の一つの端子を一つのトランジスタ(Q
D2) のベースに接続し、この基準抵抗(Rx)の他の端子を
他のトランジスタ(QD3) のベースに接続すると共に、前
記一つのトランジスタ(QD2) のエミッタを第７の切替手
段(SD3) を介して第５の電流源(ID1) に接続し、前記他
のトランジスタ(QD3) のエミッタを第８の切替手段(SD
4) を介して第６の電流源(ID2) に接続し、前記第７と
第８の切替手段(SD3)(SD4)が動作した時、前記基準抵抗
(Rx)の出力を増幅するように構成された第２の前段増幅
器と、第９の切替手段(SD5) を介して第７の電流源(ID
3) に接続され、この第９の切替手段(SD5) が動作した
時、前記第２の前段増幅器の増幅した信号を更に増幅す
る第２の後段増幅器(AMP0D) と、第１０の切替手段(SD
1) を介してバイアス電圧を与えられ前記基準抵抗(Rx)
に電流を供給するトランジスタ(QD1) と、この基準抵抗
(Rx)を前記第４の電流源(Is)に接続する第１１の切替手
段(SD2) とから構成される疑似増幅手段とを備えてい
る。

【００３０】そして、前記複数の増幅手段の前記一方の
トランジスタ(Q02〜Qn2)及び前記疑似増幅手段の前記一
つのトランジスタ(QD2) のエミッタと、前記複数の増幅
手段の前記他方のトランジスタ(Q03〜Qn3)及び前記疑似
増幅手段の前記他のトランジスタ(QD3) のエミッタとの
間に共通に接続された一つのコンデンサ(Cx)と、前記複
数の増幅手段の前記第５の切替手段(S02〜Sn2)及び前記
疑似増幅手段の前記第１１の切替手段(SD2) を夫々前記
第４の電流源(Is)に接続する第６の切替手段(S06) と、
データの読出し時と書込み時に前記第６の切替手段(S0
6) に動作信号を送出する送出手段(OR)と、データの読
出し時には与えられた選択信号に基づき、必要とする前
記増幅手段の前記第１〜第５の切替手段に動作信号を送
出する第１の選択手段(SEL1)とを設けており、データの
読出し時には、前記必要とする増幅手段の前記第１〜第
５の切替手段に動作信号を送出し、データの書込み時に
は、前記疑似増幅手段の第７〜第１１の切替手段(SD1〜
SD5)に動作信号を送出することにより達成される。

【００３１】又、図１６〜図１８に示されるように、Ｍ
Ｒヘッドの読出し回路は、磁気抵抗効果素子の一方の端
子を一方のトランジスタ(Q02〜Qn2)のベースに接続し、
この磁気抵抗効果素子の他方の端子を他方のトランジス
タ(Q03〜Qn3)のベースに接続すると共に、前記一方のト
ランジスタ(Q02〜Qn2)のエミッタを第１の切替手段(S03
〜Sn3)を介して第１の電流源(I01〜In1)に接続し、前記
他方のトランジスタ(Q03〜Qn3)のエミッタを第２の切替
手段(S04〜Sn4)を介して第２の電流源(I02〜In2)に接続
し、前記第１と第２の切替手段(S03〜Sn3)(S04〜Sn4)が
動作した時、前記磁気抵抗効果素子が再生する信号を増
幅するように構成された第１の前段増幅器と、第３の切
替手段(S05〜Sn5)を介して第３の電流源(I03〜In3)に接
続され、この第３の切替手段(S05〜Sn5)が動作した時、
前記第１の前段増幅器の増幅した信号を更に増幅する後
段増幅器(AMP00〜AMP0n)と、第４の切替手段(S01〜Sn1)
を介してバイアス電圧を与えられ前記磁気抵抗効果素子
に電流を供給するトランジスタ(Q01〜Qn1)と、この磁気
抵抗効果素子を第４の電流源(Is)に接続する第５の切替
手段(S02〜Sn2)とから構成される複数の増幅手段と、基
準抵抗(Rx)の一つの端子を一つのトランジスタ(QD2) の
ベースに接続し、この基準抵抗(Rx)の他の端子を他のト
ランジスタ(QD3) のベースに接続すると共に、前記一つ
のトランジスタ(QD2) のエミッタを第７の切替手段(SD
3) を介して第５の電流源(ID1) に接続し、前記他のト
ランジスタ(QD3) のエミッタを第８の切替手段(SD4) を
介して第６の電流源(ID2) に接続し、前記第７と第８の
切替手段(SD3)(SD4)が動作した時、前記基準抵抗(Rx)の
出力を増幅するように構成された第２の前段増幅器と、
第９の切替手段(SD1) を介してバイアス電圧を与えられ
前記基準抵抗(Rx)に電流を供給するトランジスタ(QD1)
と、前記基準抵抗(Rx)を前記第４の電流源(Is)に接続す
る第１０の切替手段(SD2) とから構成される疑似増幅手
段とを備えている。

【００３２】そして、前記複数の増幅手段の前記一方の
トランジスタ(Q02〜Qn2)及び前記疑似増幅手段の前記一
つのトランジスタ(QD2) のエミッタと、前記複数の増幅
手段の前記他方のトランジスタ(Q03〜Qn3)及び前記疑似
増幅手段の前記他のトランジスタ(QD3) のエミッタとの
間に共通に接続された一つのコンデンサ(Cx)と、前記複
数の増幅手段の前記第５の切替手段(S02〜Sn2)及び前記
疑似増幅手段の前記第１０の切替手段(SD2) を夫々前記
第４の電流源(Is)に接続する第６の切替手段(S06) と、
データの読出し時と書込み時に、この第６の切替手段(S
06) に動作信号を送出する送出手段(OR)と、データの読
出し時には与えられた選択信号に基づき、必要とする前
記増幅手段の前記第１〜第５の切替手段に動作信号を送
出する選択手段(SEL1)とを設けており、データの読出し
時には、前記必要とする増幅手段の前記第１〜第５の切
替手段に動作信号を送出し、データの書込み時には、前
記疑似増幅手段の第７〜第１０の切替手段(SD1〜SD4)に
動作信号を送出することにより達成される。

【００３３】又、図１９〜図２１に示されるように、Ｍ
Ｒヘッドの読出し回路は、磁気抵抗効果素子の一方の端
子を一方のトランジスタ(Q02〜Qn2)のベースに接続し、
この磁気抵抗効果素子の他方の端子を他方のトランジス
タ(Q03〜Qn3)のベースに接続すると共に、前記一方のト
ランジスタ(Q02〜Qn2)のエミッタを第１の切替手段(S03
〜Sn3)を介して第１の電流源(I01〜In1)に接続し、前記
他方のトランジスタ(Q03〜Qn3)のエミッタを第２の切替
手段(S04〜Sn4)を介して第２の電流源(I02〜In2)に接続
し、前記第１と第２の切替手段(S03〜Sn3)(S04〜Sn4)が
動作した時、前記磁気抵抗効果素子が再生する信号を増
幅するように構成された前段増幅器と、第３の切替手段
(S05〜Sn5)を介して第３の電流源(I03〜In3)に接続さ
れ、この第３の切替手段(S05〜Sn5)が動作した時、前記
前段増幅器の増幅した信号を更に増幅する後段増幅器(A
MP00〜AMP0n)と、第４の切替手段(S01〜Sn1)を介してバ
イアス電圧を与えられ前記磁気抵抗効果素子に電流を供
給するトランジスタ(Q01〜Qn1)と、前記磁気抵抗効果素
子を第４の電流源(Is)に接続する第５の切替手段(S02〜
Sn2)とから構成される複数の増幅手段と、基準抵抗(Rx)
の一つの端子を一つのトランジスタ(QD2) のベースに接
続し、この基準抵抗(Rx)の他の端子を他のトランジスタ
(QD3) のベースに接続し、この基準抵抗(Rx)の出力を増
幅するように構成された増幅器と、第７の切替手段(SD
1)を介してバイアス電圧を与えられ前記基準抵抗(Rx)に
電流を供給するトランジスタ(QD1) と、前記基準抵抗(R
x)を前記第４の電流源(Is)に接続する第８の切替手段(S
D2) とから構成される疑似増幅手段とを備えている。

【００３４】そして、前記複数の増幅手段の前記一方の
トランジスタ(Q02〜Qn2)及び前記疑似増幅手段の前記一
つのトランジスタ(QD2) のエミッタと、前記複数の増幅
手段の前記他方のトランジスタ(Q03〜Qn3)及び前記疑似
増幅手段の前記他のトランジスタ(QD3) のエミッタとの
間に共通に接続された一つのコンデンサ(Cx)と、前記複
数の増幅手段の前記第５の切替手段(S02〜Sn2)及び前記
疑似増幅手段の前記第８の切替手段(SD2) を夫々前記第
４の電流源(Is)に接続する第６の切替手段(S06) と、デ
ータの読出し時と書込み時に、この第６の切替手段(S0
6) に動作信号を送出する送出手段(OR)と、データの読
出し時には与えられた選択信号に基づき、必要とする前
記増幅手段の前記第３〜第５の切替手段に動作信号を送
出する選択手段(SEL1)と、データの読出し時と書込み時
に、与えられた選択信号に基づき、必要とする前記増幅
手段の前記第１と第２の切替手段に動作信号を送出する
選択手段(SEL2)とを設けており、データの読出し時に
は、前記必要とする増幅手段の前記第１〜第５の切替手
段に動作信号を送出し、データの書込み時には、前記必
要とする増幅手段の前記第１と第２の切替手段及び前記
疑似増幅手段の第７と第８の切替手段(SD1, SD2)に動作
信号を送出することにより達成される。

【００３５】又、図２２〜図３０に示されるように、Ｍ
Ｒヘッドの読出し回路は、磁気抵抗効果素子の一方の端
子を一方のトランジスタ(Q02〜Qn2)のベースに接続し、
この磁気抵抗効果素子の他方の端子を他方のトランジス
タ(Q03〜Qn3)のベースに接続すると共に、前記一方のト
ランジスタ(Q02〜Qn2)のエミッタを共用する第１の切替
手段(S3)を介して第１の電流源(I1)に接続し、前記他方
のトランジスタ(Q03〜Qn3)のエミッタを共用する第２の
切替手段(S4)を介して第２の電流源(I2)に接続し、前記
第１と第２の切替手段(S3)(S4)が動作した時、前記磁気
抵抗効果素子が再生する信号を増幅するように構成され
た前段増幅器と、第４の切替手段(S01〜Sn1)を介してバ
イアス電圧を与えられ前記磁気抵抗効果素子に電流を供
給するトランジスタ(Q01〜Qn1)と、この磁気抵抗効果素
子を第４の電流源(Is)に接続する第５の切替手段(S02〜
Sn2)とから構成される複数の増幅手段を備えている。

【００３６】そして、第３の切替手段(S5)を介して第３
の電流源(I3)に接続され、この第３の切替手段(S5)が動
作した時、前記各増幅手段の前記前段増幅器が増幅した
信号を更に増幅する後段増幅器(AMP) と、前記複数の増
幅手段の前記一方のトランジスタ(Q02〜Qn2)のエミッタ
と、前記他方のトランジスタ(Q03〜Qn3)のエミッタとの
間に共通に接続された一つのコンデンサ(Cx)と、複数の
前記第５の切替手段(S02〜Sn2)を夫々前記第４の電流源
(Is)に接続する第６の切替手段(S6)と、与えられた選択
信号に基づき、前記第４と第５の切替手段(S01〜Sn1)(S
02〜Sn2)に夫々動作信号を送出する選択手段(SEL0)と、
データの読出し時と書込み時に、前記第１と第２と第３
と第６の切替手段(S3 〜S6) に動作信号を送出するか、
又は、前記第１と第２と第６の切替手段(S3,S4,S6)に動
作信号を送出するか、又は、前記第６の切替手段(S6)に
動作信号を送出する送出手段(OR)とを設けている。

【００３７】そして、図２２〜図２４に示されるよう
に、データの読出し時には、必要とする前記増幅手段の
前記第４と第５の切替手段に動作信号を送出し、データ
の書込み時には、前記必要とする増幅手段を除く他の増
幅手段の前記第４と第５の切替手段に動作信号を送出す
るか、又は、図２５〜図２７に示されるように、データ
の読出し時には、必要とする前記増幅手段の前記第４と
第５の切替手段に動作信号を送出すると共に、前記第３
の切替手段(S5)に動作信号を送出し、データの書込み時
には、前記必要とする増幅手段を除く他の増幅手段の前
記第４と第５の切替手段に動作信号を送出するか、又
は、図２８〜図３０に示されるように、データの読出し
時には、必要とする前記増幅手段の前記第４と第５の切
替手段に動作信号を送出すると共に、前記第１と第２と
第３の切替手段(S3,S4,S5)に動作信号を送出し、データ
の書込み時には、前記必要とする増幅手段を除く他の増
幅手段の前記第４と第５の切替手段に動作信号を送出す
ることにより達成される。

【００３８】又、図３１〜図３３に示されるように、Ｍ
Ｒヘッドの読出し回路は、磁気抵抗効果素子の一方の端
子を一方のトランジスタ(Q02〜Qn2)のベースに接続し、
この磁気抵抗効果素子の他方の端子を他方のトランジス
タ(Q03〜Qn3)のベースに接続すると共に、前記一方のト
ランジスタ(Q02〜Qn2)のエミッタを共用する第１の切替
手段(S3)を介して第１の電流源(I1)に接続し、前記他方
のトランジスタ(Q03〜Qn3)のエミッタを共用する第２の
切替手段(S4)を介して第２の電流源(I2)に接続し、前記
第１と第２の切替手段(S3)(S4)が動作した時、前記磁気
抵抗効果素子が再生する信号を増幅するように構成され
た前段増幅器と、第４の切替手段(S01〜Sn1)を介してバ
イアス電圧を与えられ前記磁気抵抗効果素子に電流を供
給するトランジスタ(Q01〜Qn1)と、前記磁気抵抗効果素
子を第４の電流源(Is)に接続する第５の切替手段(S02〜
Sn2)とから構成される複数の増幅手段と、基準抵抗(Rx)
の一つの端子を一つのトランジスタ(QD2)のベースに接
続し、この基準抵抗(Rx)の他の端子を他のトランジスタ
(QD3) のベースに接続すると共に、前記一つのトランジ
スタ(QD2) のエミッタを前記第１の切替手段(S3)を介し
て第１の電流源(I1)に接続し、前記他のトランジスタ(Q
D3)のエミッタを前記第２の切替手段(S4)を介して第２
の電流源(I2)に接続し、前記第１と第２の切替手段(S3)
(S4)が動作した時、前記基準抵抗(Rx)の出力を増幅する
ように構成された疑似前段増幅器と、第７の切替手段(S
D1) を介してバイアス電圧を与えられ前記基準抵抗(Rx)
に電流を供給するトランジスタ(QD1) と、前記基準抵抗
(Rx)を前記第４の電流源(Is)に接続する第８の切替手段
(SD2) とから構成される疑似増幅手段とを備えている。

【００３９】そして、第３の切替手段(S5)を介して第３
の電流源(I3)に接続され、この第３の切替手段(S5)が動
作した時、前記各増幅手段の前記前段増幅器が増幅した
信号と、前記疑似増幅手段の前記疑似前段増幅器が増幅
した信号を更に増幅する後段増幅器(AMP) と、前記複数
の増幅手段の前記一方のトランジスタ(Q02〜Qn2)及び前
記疑似増幅手段の前記一つのトランジスタ(QD2) のエミ
ッタと、複数の増幅手段の前記他方のトランジスタ(Q03
〜Qn3)及び前記疑似増幅手段の前記他のトランジスタ(Q
D3) のエミッタとの間に共通に接続された一つのコンデ
ンサ(Cx)と、前記複数の増幅手段の前記第５の切替手段
(S02〜Sn2)及び前記疑似増幅手段の前記第８の切替手段
(SD2) を夫々前記第４の電流源(Is)に接続する第６の切
替手段(S6)と、データの読出し時と書込み時に、前記第
１と第２と第３と第６の切替手段(S3,S4,S5,S6) に動作
信号を送出する送出手段(OR)と、データの読出し時にの
み、与えられた選択信号に基づき、必要とする前記増幅
手段の前記第４と第５の切替手段に動作信号を送出する
選択手段(SEL1)とを設けており、データの書込み時にの
み、前記疑似増幅手段の第７と第８の切替手段(SD1,SD
2) に動作信号を送出することにより達成される。

【００４０】又、図３４〜図３５に示されるように、Ｍ
Ｒヘッドの読出し回路は、磁気抵抗効果素子の一方の端
子を一方のトランジスタ(Q02〜Qn2)のベースに接続し、
この磁気抵抗効果素子の他方の端子を他方のトランジス
タ(Q03〜Qn3)のベースに接続すると共に、前記一方のト
ランジスタ(Q02〜Qn2)のエミッタを共用する第１の切替
手段(S3)を介して第１の電流源(I1)に接続し、前記他方
のトランジスタ(Q03〜Qn3)のエミッタを共用する第２の
切替手段(S4)を介して第２の電流源(I2)に接続し、前記
第１と第２の切替手段(S3)(S4)が動作した時、前記磁気
抵抗効果素子が再生する信号を増幅するように構成され
た前段増幅器と、第４の切替手段(S01〜Sn1)を介してバ
イアス電圧を与えられ前記磁気抵抗効果素子に電流を供
給するトランジスタ(Q01〜Qn1)と、前記磁気抵抗効果素
子を第４の電流源(Is)に接続する第５の切替手段(S02〜
Sn2)とから構成される複数の増幅手段と、基準抵抗(Rx)
の一つの端子を一つのトランジスタ(QD2)のベースに接
続し、この基準抵抗(Rx)の他の端子を他のトランジスタ
(QD3) のベースに接続すると共に、前記一つのトランジ
スタ(QD2) のエミッタを前記第１の切替手段(S3)を介し
て第１の電流源(I1)に接続し、前記他のトランジスタ(Q
D3)のエミッタを前記第２の切替手段(S4)を介して第２
の電流源(I2)に接続し、前記第１と第２の切替手段(S3)
(S4)が動作した時、前記基準抵抗(Rx)の出力を増幅する
ように構成された疑似前段増幅器と、第７の切替手段(S
D1) を介してバイアス電圧を与えられ前記基準抵抗(Rx)
に電流を供給するトランジスタ(QD1) と、前記基準抵抗
(Rx)を前記第４の電流源(Is)に接続する第８の切替手段
(SD2) とから構成される疑似増幅手段とを備えている。

【００４１】そして、第３の切替手段(S5)を介して第３
の電流源(I3)に接続され、この第３の切替手段(S5)が動
作した時、前記各増幅手段の前記前段増幅器が増幅した
信号と、前記疑似増幅手段の前記疑似前段増幅器が増幅
した信号を更に増幅する後段増幅器(AMP) と、前記複数
の増幅手段の前記一方のトランジスタ(Q02〜Qn2)及び前
記疑似増幅手段の前記一つのトランジスタ(QD2) のエミ
ッタと、複数の増幅手段の前記他方のトランジスタ(Q03
〜Qn3)及び前記疑似増幅手段の前記他のトランジスタ(Q
D3) のエミッタとの間に共通に接続された一つのコンデ
ンサ(Cx)と、前記複数の増幅手段の前記第５の切替手段
(S02〜Sn2)及び前記疑似増幅手段の前記第８の切替手段
(SD2) を夫々前記第４の電流源(Is)に接続する第６の切
替手段(S6)と、データの読出し時と書込み時に、前記第
１と第２と第６の切替手段(S3,S4,S6)に動作信号を送出
する送出手段(OR)と、データの読出し時にのみ、与えら
れた選択信号に基づき、必要とする前記増幅手段の前記
第４と第５の切替手段に動作信号を送出する選択手段(S
EL1)とを設けており、データの書込み時には、前記疑似
増幅手段の第７と第８の切替手段(SD1,SD2) に動作信号
を送出し、データの読出し時には、前記第３の切替手段
(S5)に動作信号を送出することにより達成される。

【００４２】

【作用】前記の如く構成することにより、図１〜図３に
示すＭＲヘッドの読出し回路は、指定されたチャネルの
データ読出しが行われた後、データの書込みが行われて
いる間、指定されたチャネルを除く他のチャネルの一つ
が動作しているため、コンデンサＣｘの電荷が放電する
ことが無く、再び指定されたチャネルがデータの読出し
を行う際に、前記読出し状態として使用出来ない時間Ｔ
ｄを短縮することが出来る。

【００４３】又、図４〜図６に示すＭＲヘッドの読出し
回路は、データの書込み時に動作させるチャネルの後段
増幅器のみを動作させないようにしているため、図１〜
図３に示すものと同様に読出し状態として使用出来ない
時間Ｔｄを短縮することが出来ると共に、消費電力を節
減することが出来る。

【００４４】又、図７〜図９に示すＭＲヘッドの読出し
回路は、データの書込みが行われている間、指定された
チャネルを除く他のチャネルの図３９で説明したＭＲヘ
ッドバイアス回路を動作させており、指定されたチャネ
ルの、その他の回路はデータの読出し及び書込みの何れ
の状態の時も動作している。

【００４５】即ち、ＭＲヘッドバイアス回路のみ切替え
ているため、図１〜図３に示すものより切替えるスイッ
チの数が少なく、余分な切替え時間を見込まなくて良い
ため、その分切替え時間を短くすることが出来る。

【００４６】又、図１０〜図１２に示すＭＲヘッドの読
出し回路は、データの書込み時において、図７〜図９に
示すものより後段増幅器が動作しない分消費電力を節減
することが出来る。

【００４７】又、図１３〜図１５に示すＭＲヘッドの読
出し回路は、データの書込み時に、疑似増幅手段を動作
させているため、基準抵抗Ｒｘの抵抗値を磁気抵抗効果
素子の抵抗Ｒｍｒ０〜Ｒｍｒｎの平均値に設定しておけ
ば、データの読出し時と書込み時の切替えに基づくコン
デンサＣｘの電圧変動を、各磁気抵抗効果素子の抵抗値
の偏差の１／２に低下させることが可能となり、その分
更に切替え時間を短くすることが出来る。

【００４８】又、図１６〜図１８に示すＭＲヘッドの読
出し回路は、データの書込み時において、図１３〜図１
５に示すものより後段増幅器が動作しない分消費電力を
節減することが出来る。

【００４９】又、図１９〜図２１に示すＭＲヘッドの読
出し回路は、図１３〜図１８に示すものより疑似増幅手
段の構成が簡単であり、データの読出し又は書込み時の
切替え速度も速くすることが出来る。

【００５０】又、図２２〜図２４に示すＭＲヘッドの読
出し回路は、図１〜図３に示すものより抵抗Ｒ３とＲ
４、後段増幅器ＡＭＰ、スイッチＳ３〜Ｓ５及び電流源
Ｉ１〜Ｉ３を複数の増幅手段で共用するため、経済的に
図１〜図３に示すものと同一の効果、即ち、読出し状態
として使用出来ない時間Ｔｄを短縮することが出来る。

【００５１】又、図２５〜図２７に示すＭＲヘッドの読
出し回路は、図４〜図６に示すものより抵抗Ｒ３とＲ
４、後段増幅器ＡＭＰ、スイッチＳ３〜Ｓ５及び電流源
Ｉ１〜Ｉ３を複数の増幅手段で共用するため、経済的に
図４〜図６に示すものと同一の効果、即ち、読出し状態
として使用出来ない時間Ｔｄを短縮することが出来ると
共に、消費電力を節減することが出来る。

【００５２】又、図２８〜図３０に示すＭＲヘッドの読
出し回路は、データの書込み時には、指定されたチャネ
ル以外のＭＲヘッドバイアス回路のみが動作しているた
め、読出し状態として使用出来ない時間Ｔｄを短縮する
ことが出来ると共に、消費電力を最も少なくすることが
出来る。

【００５３】又、図３１〜図３３に示すＭＲヘッドの読
出し回路は、図１３〜図１５に示すものより抵抗Ｒ３と
Ｒ４、後段増幅器ＡＭＰ、スイッチＳ３〜Ｓ５及び電流
源Ｉ１〜Ｉ３を複数の増幅手段と疑似増幅手段とで共用
するため、経済的に図１３〜図１５に示すものと同一の
効果を実現することが出来る。

【００５４】又、図３４〜図３６に示すＭＲヘッドの読
出し回路は、データ書込み時において、図３１〜図３３
に示すものより、後段増幅器が動作しない分だけ消費電
力を節減することが出来る。

【００５５】

【実施例】図１と図２と図３は本発明の第１の実施例を
示す回路のブロック図である。本実施例は選択回路ＳＥ
Ｌ０の動作と、データの読出し時及び書込み時にスイッ
チＳ０６を動作させるため、論理和回路０Ｒを設けたこ
とが図４０〜４２と異なるのみで、その他は同一であ
る。

【００５６】従って、データの読出し時の動作は従来と
同一であるが、データの書込み時には、データ読出し時
に選択されたヘッド番号の基本回路を除く他のヘッド番
号の基本回路が選択されて動作するようになっている。

【００５７】即ち、読出し信号ＲＧと書込み信号ＷＧが
論理 "１”の時、論理和回路ＯＲは論理 "１”をスイッ
チＳ０６に送出するため、スイッチＳ０６はデータ読出
し時と書込み時に動作して接点を閉じている。

【００５８】選択回路ＳＥＬ０は、下記の条件で信号線
Ｇ００〜Ｇ０Ｎに夫々論理 "１”を送出し、選択した基
本回路のスイッチＳｘ１〜Ｓｘ５を動作させる。例え
ば、基本回路が８個であり、ヘッド番号がＨＤ＃００〜
ＨＤ＃０７であり、−符号が論理 "０”で＋符号が論理
"１”を示すものとすると、 G00 ＝ (−HD4)× (−HD2)× (−HD1)× (＋RG) ＋ (＋HD4)× (＋HD2)× (＋HD1)× (＋WG) …(1) G01 ＝ (−HD4)× (−HD2)× (＋HD1)× (＋RG) ＋ (＋HD4)× (＋HD2)× (−HD1)× (＋WG) …(2) G02 ＝ (−HD4)× (＋HD2)× (−HD1)× (＋RG) ＋ (＋HD4)× (−HD2)× (＋HD1)× (＋WG) …(3) G03 ＝ (−HD4)× (＋HD2)× (＋HD1)× (＋RG) ＋ (＋HD4)× (−HD2)× (−HD1)× (＋WG) …(4) G04 ＝ (＋HD4)× (−HD2)× (−HD1)× (＋RG) ＋ (−HD4)× (＋HD2)× (＋HD1)× (＋WG) …(5) G05 ＝ (＋HD4)× (−HD2)× (＋HD1)× (＋RG) ＋ (−HD4)× (＋HD2)× (−HD1)× (＋WG) …(6) G06 ＝ (＋HD4)× (＋HD2)× (−HD1)× (＋RG) ＋ (−HD4)× (−HD2)× (＋HD1)× (＋WG) …(7) G07 ＝ (＋HD4)× (＋HD2)× (＋HD1)× (＋RG) ＋ (−HD4)× (−HD2)× (−HD1)× (＋WG) …(8) 即ち、データ読出し時に、読出し信号ＲＧが論理 "１”
となり、選択信号ＨＤＳ１，ＨＤＳ２及びＨＤＳ４とし
て、(1) 式に示す論理値が入力すると、信号線G00 に論
理 "１”が送出され、データ書込み時に、書込み信号Ｗ
Ｇが論理 "１”となり、選択信号ＨＤＳ１，ＨＤＳ２及
びＨＤＳ４に(1) 式に示す論理値が入力すると、信号線
G07 に論理 "１”が送出される。

【００５９】従って、データの読出しはヘッド番号ＨＤ
＃００の基本回路が実行し、コンデンサＣｘはＶＱ０２
Ｅ−ＶＱ０３Ｅ（トランジスタＱ０２のエミッタ電圧−
トランジスタＱ０３のエミッタ電圧）で現される電圧に
より充電され、データの書込み時には、ヘッド番号ＨＤ
＃０７の基本回路が動作してＶＱ７２Ｅ−ＶＱ７３Ｅで
現される電圧でコンデンサＣｘが充電される。

【００６０】又、データ読出し時に、読出し信号ＲＧが
論理 "１”となり、選択信号ＨＤＳ１，ＨＤＳ２及びＨ
ＤＳ４として、(2) 式に示す論理値が入力すると、信号
線G01 に論理 "１”が送出され、データ書込み時に、書
込み信号ＷＧが論理 "１”となり、選択信号ＨＤＳ１，
ＨＤＳ２及びＨＤＳ４に(2) 式に示す論理値が入力する
と、信号線G06 に論理 "１”が送出される。

【００６１】従って、データの読出しはヘッド番号ＨＤ
＃０１の基本回路が実行し、コンデンサＣｘはＶＱ１２
Ｅ−ＶＱ１３Ｅで現される電圧により充電され、データ
の書込み時には、ヘッド番号ＨＤ＃０６の基本回路が動
作してＶＱ６２Ｅ−ＶＱ６３Ｅで現される電圧でコンデ
ンサＣｘが充電される。

【００６２】尚、(3) 〜(8) 式の場合も前記同様であり
詳細説明は省略する。図３７は図１〜図３の動作を説明
する波形図である。データの読出し時におけるトランジ
スタＱ０１のエミッタ電圧Ｑ０１Ｅと、トランジスタＱ
０２のベース及びエミッタ電圧Ｑ０２Ｂ，Ｑ０２Ｅと、
トランジスタＱ０３のベース及びエミッタの電圧Ｑ０３
Ｂ，Ｑ０３Ｅは、図２８と同様である。

【００６３】データの書込み時に前記の如くヘッド番号
ＨＤ＃０７の基本回路が動作すると、トランジスタＱ０
１のエミッタ電圧と、トランジスタＱ０２のベース及び
エミッタ電圧と、トランジスタＱ０３のベース及びエミ
ッタの電圧は、再びＶｓ近傍まで低下するが、代わりに
トランジスタＱ７１のエミッタ電圧Ｑ７１Ｅと、トラン
ジスタＱ７２のベース及びエミッタ電圧Ｑ７２Ｂ，Ｑ７
２Ｅと、トランジスタＱ７３のベース及びエミッタの電
圧Ｑ７３Ｂ，Ｑ７３Ｅは、図示する如く夫々上昇する。

【００６４】従って、トランジスタＱ０２のコレクタ電
圧とトランジスタＱ０３のコレクタ電圧の差と、トラン
ジスタＱ７２のコレクタ電圧とトランジスタＱ７３のコ
レクタ電圧の差は、夫々図２２のＶＱ０２Ｃ−ＶＱ０３
ＣとＶＱ７２Ｃ−ＶＱ７３Ｃで示す如くになり、後段増
幅器の出力であるＶＯＵＴＰ−ＶＯＵＴＮは、図示する
如く、読出し信号ＲＧの立ち下がりと書込み信号ＷＧの
立ち上がり及び読出し信号ＲＧの立ち上がりと書込み信
号ＷＧの立ち下がりで示す切替えの時点で乱れるが、そ
の他は安定している。

【００６５】読出し時のコンデンサＣｘの両端に与えら
れる電圧Ｖｒｄは前記の如く Ｖrd＝ＶQ02E−ＶQ03E …(9) 書込み時のコンデンサＣｘの両端に与えられる電圧Ｖｗ
ｔは前記の如く Ｖwt＝ＶQ72E−ＶQ73E …(10) ＶQ02E＝Ｖｓ−ＶBE(Q01) −Ｉｓ×Ｒ01−ＶBE(Q02) …(11) ＶQ03E＝Ｖｓ−ＶBE(Q01) −Ｉｓ×Ｒ01−Ｉｓ×Ｒmr0 −ＶBE(Q03) …(12) ＶQ72E＝Ｖｓ−ＶBE(Q71) −Ｉｓ×Ｒ71−ＶBE(Q72) …(13) ＶQ73E＝Ｖｓ−ＶBE(Q71) −Ｉｓ×Ｒ71−Ｉｓ×Ｒmr7 −ＶBE(Q73) …(14) 従って、(9) 〜(14)式から、 Ｖrd＝Ｉｓ×Ｒmr0 ＋ＶBE(Q03) −ＶBE(Q02) Ｖwt＝Ｉｓ×Ｒmr7 ＋ＶBE(Q73) −ＶBE(Q72) Ｖrd−Ｖwt＝Is×Rmr0＋VBE(Q03)−VBE(Q02)−Is×Rmr7
−VBE(Q73)＋VBE(Q72)＝Is×(Rmr0 −Rmr7) ＋[VBE(Q0
3) −VBE(Q73)] ＋[VBE(Q72) −VBE(Q02)] ＬＳＩ等では、VBE(Q03)−VBE(Q73)及びVBE(Q72)−VBE
(Q02)を極力０とすることが可能であり、従って、 Ｖrd−Ｖwt＝Is×(Rmr0 −Rmr7) となり、磁気抵抗効果素子の抵抗値のバラツキの範囲内
の精度で、前記Ｔｄの時間を極力０に近くすることが出
来る。

【００６６】図４と図５と図６は本発明の第２の実施例
を示す回路のブロック図である。本実施例は前記第１の
実施例における後段増幅器ＡＭＰ００〜ＡＭＰ０ｎを、
データの書込み時に選択されるヘッド番号の基本回路で
は動作しないように、スイッチＳｘ５の駆動回路をスイ
ッチＳｘ１〜Ｓｘ４とは別のものにすると共に、このス
イッチＳｘ５をデータ読出し時にのみ選択して動作させ
る選択回路ＳＥＬ１を設けた点が相違する。

【００６７】従って、スイッチＳｘ１〜Ｓｘ４は図１〜
図３の場合と同様に、(1) 〜(8) 式に示す論理値で選択
回路ＳＥＬ０が送出する選択信号により動作させ、選択
回路ＳＥＬ１は下記の条件で信号線Ｇ１０〜Ｇ１Ｎに夫
々論理 "１”を送出し、選択した基本回路のスイッチＳ
ｘ５を動作させる。

【００６８】例えば、基本回路が８個であり、ヘッド番
号がＨＤ＃００〜ＨＤ＃０７であり、−符号が論理
"０”で＋符号が論理 "１”を示すものとすると、 G10 ＝ (−HD4)× (−HD2)× (−HD1)× (＋RG) …(15) G11 ＝ (−HD4)× (−HD2)× (＋HD1)× (＋RG) …(16) G12 ＝ (−HD4)× (＋HD2)× (−HD1)× (＋RG) …(17) G13 ＝ (−HD4)× (＋HD2)× (＋HD1)× (＋RG) …(18) G14 ＝ (＋HD4)× (−HD2)× (−HD1)× (＋RG) …(19) G15 ＝ (＋HD4)× (−HD2)× (＋HD1)× (＋RG) …(20) G16 ＝ (＋HD4)× (＋HD2)× (−HD1)× (＋RG) …(21) G17 ＝ (＋HD4)× (＋HD2)× (＋HD1)× (＋RG) …(22) 即ち、データ読出し時に、読出し信号ＲＧが論理 "１”
となり、選択信号ＨＤＳ１，ＨＤＳ２及びＨＤＳ４とし
て、(15)式に示す論理値が入力すると、信号線G10 に論
理 "１”が送出される。

【００６９】従って、データの読出し時にはヘッド番号
ＨＤ＃００の後段増幅器ＡＭＰ００が動作するが、デー
タの書込み時には、信号線G10 〜G1N には論理 "０”が
送出されたままとなるため、ヘッド番号ＨＤ＃０７の後
段増幅器ＡＭＰ０７は動作しない。

【００７０】又、データ読出し時に、読出し信号ＲＧが
論理 "１”となり、選択信号ＨＤＳ１，ＨＤＳ２及びＨ
ＤＳ４として、(16)式に示す論理値が入力すると、信号
線G11 に論理 "１”が送出される。

【００７１】従って、データの読出し時にはヘッド番号
ＨＤ＃０１の後段増幅器ＡＭＰ０１が動作するが、デー
タの書込み時には、信号線G10 〜G1N には論理 "０”が
送出されたままとなるため、ヘッド番号ＨＤ＃０６の後
段増幅器ＡＭＰ０６は動作しない。

【００７２】尚、(17)〜(22)式の場合も前記同様であり
詳細説明は省略する。図３８は図４〜図６の動作を説明
する波形図である。データの読出し時におけるトランジ
スタＱ０１のエミッタ電圧と、トランジスタＱ０２のベ
ース及びエミッタ電圧と、トランジスタＱ０３のベース
及びエミッタの電圧と、データの書込み時のトランジス
タＱ７１のエミッタ電圧と、トランジスタＱ７２のベー
ス及びエミッタ電圧と、トランジスタＱ７３のベース及
びエミッタの電圧は、図３７と同様である。

【００７３】後段増幅器ＡＭＰ０７がデータ書込み時に
は動作しないため、書込み信号ＷＧが論理 "１”となっ
た時、抵抗Ｒ５とＲ６に電流が流れない。従って、ＶＯ
ＵＴＰ及びＶＯＵＴＮの波形は、図示する如く電源Ｖｃ
と同一電圧まで上昇し、ＶＯＵＴＰ−ＶＯＵＴＮはデー
タ読出し時のみ磁気抵抗効果素子が読出した信号を出力
しており、データ書込み時には、出力信号は送出されな
い。

【００７４】第１の実施例に比し、後段増幅器の時間特
性に依存して、前記Ｔｄ時間は少し長くなるが、消費電
力低下が可能となる。図７と図８と図９は本発明の第３
の実施例を示す回路のブロック図である。本実施例は前
記第１の実施例におけるスイッチＳｘ１とＳｘ２を図１
〜図３の場合と同様に、(1) 〜(8) 式に示す論理値で選
択回路ＳＥＬ０が送出する選択信号により動作させ、ス
イッチＳｘ３とＳｘ４とＳｘ５をデータ読出し時及び書
込み時に選択して動作させる選択回路ＳＥＬ２を設けた
もので、ＭＲヘッドバイアス回路のみ、データ書込み時
に他のチャネルに切替えてコンデンサＣｘの充電を行わ
せるものである。

【００７５】従って、スイッチＳｘ１とＳｘ２は図１〜
図３の場合と同様に、(1) 〜(8) 式に示す論理値で選択
回路ＳＥＬ０が送出する選択信号により動作させ、選択
回路ＳＥＬ２は下記の条件で信号線Ｇ２０〜Ｇ２Ｎに夫
々論理 "１”を送出し、選択した基本回路のスイッチＳ
ｘ３〜Ｓｘ５を動作させる。

【００７６】例えば、基本回路が８個であり、ヘッド番
号がＨＤ＃００〜ＨＤ＃０７であり、−符号が論理
"０”で＋符号が論理 "１”を示すものとすると、 G20 ＝ (−HD4)× (−HD2)× (−HD1)×[(＋RG) ＋( ＋WG)] …(23) G21 ＝ (−HD4)× (−HD2)× (＋HD1)×[(＋RG) ＋( ＋WG)] …(24) G22 ＝ (−HD4)× (＋HD2)× (−HD1)×[(＋RG) ＋( ＋WG)] …(25) G23 ＝ (−HD4)× (＋HD2)× (＋HD1)×[(＋RG) ＋( ＋WG)] …(26) G24 ＝ (＋HD4)× (−HD2)× (−HD1)×[(＋RG) ＋( ＋WG)] …(27) G25 ＝ (＋HD4)× (−HD2)× (＋HD1)×[(＋RG) ＋( ＋WG)] …(28) G26 ＝ (＋HD4)× (＋HD2)× (−HD1)×[(＋RG) ＋( ＋WG)] …(29) G27 ＝ (＋HD4)× (＋HD2)× (＋HD1)×[(＋RG) ＋( ＋WG)] …(30) 即ち、データ読出し時に、読出し信号ＲＧが論理 "１”
となり、選択信号ＨＤＳ１，ＨＤＳ２及びＨＤＳ４とし
て、(23)式に示す論理値が入力すると、信号線G20 に論
理 "１”が送出される。

【００７７】又、データ書込み時に、書込み信号ＷＧが
論理 "１”となり、選択信号ＨＤＳ１，ＨＤＳ２及びＨ
ＤＳ４として、(23)式に示す論理値が入力すると、信号
線G20 に論理 "１”が送出される。

【００７８】従って、データの読出し時及び書込み時に
はヘッド番号ＨＤ＃００の基本回路が動作するが、デー
タの書込み時には、信号線G00 には論理 "０”が送出さ
れ、信号線G07 には論理 "１”が送出されるため、ヘッ
ド番号ＨＤ＃００のＭＲヘッドバイアス回路は動作せ
ず、ヘッド番号ＨＤ＃０７のＭＲヘッドバイアス回路が
動作する。

【００７９】尚、(24)〜(30)式の場合も前記同様である
ため、詳細説明は省略する。本実施例はスイッチＳｘ１
とＳｘ２のみ切替えるため、第１の実施例よりも余分な
切替え時間を見なくてもよい分切替え時間が短くなる。

【００８０】図１０と図１１と図１２は本発明の第４の
実施例を示す回路のブロック図である。本実施例は前記
第２の実施例と第３の実施例とを組み合わせたものであ
り、スイッチＳｘ１とＳｘ２は、前記(1) 〜(8) 式に示
す論理値で選択回路ＳＥＬ０が送出する選択信号により
動作させ、スイッチＳｘ３とＳｘ４は、前記(23)〜(30)
式に示す論理値で選択回路ＳＥＬ２が送出する選択信号
により動作させ、スイッチＳｘ５を前記(15)〜(22)式に
示す論理値で選択回路ＳＥＬ１が送出する選択信号によ
り動作させる。

【００８１】従って、第３の実施例より、データ書込み
時に後段増幅器ＡＭＰ００〜ＡＭＰ０ｎの消費電力を節
減することが出来る。図１３と図１４と図１５は本発明
の第５の実施例を示す回路のブロック図である。

【００８２】本実施例は図１〜図３に示す第１の実施例
の基本回路と同一構成の基本回路を必要とするチャネル
数備え、スイッチＳｘ１〜Ｓｘ５を前記(15)〜(22)式に
示す論理値で選択回路ＳＥＬ１が送出する選択信号によ
り動作させ、データ書込み時には、書込み信号ＷＧによ
って、図１５に示すスイッチＳＤ１〜ＳＤ５を動作させ
ることにより、磁気抵抗効果素子の代わりに基準抵抗Ｒ
ｘを接続した疑似的な基本回路を構成するヘッド番号Ｈ
Ｄ＃ＤＭＭＹを動作させるようにしたものである。

【００８３】本実施例では、磁気抵抗効果素子の抵抗Ｒ
ｍｒ０〜Ｒｍｒｎと、基準抵抗Ｒｘの抵抗値を選択して
接続することにより、基準抵抗Ｒｘの各抵抗値を磁気抵
抗効果素子の抵抗値の平均値に設定することで、コンデ
ンサＣｘの端子電圧変動を磁気抵抗効果素子の抵抗値偏
差の１／２に低下させることが出来る。

【００８４】図１６と図１７と図１８は本発明の第６の
実施例を示す回路のブロック図である。本実施例は図１
５に示す第５の実施例の疑似基本回路から、図１８に示
す如く、後段増幅器ＡＭＰ０Ｄと、スイッチＳＤ５と、
電流源ＩＤ３とを除いたもので、データ書込み時の電力
消費を第５の実施例より節減することが出来る。

【００８５】図１９と図２０と図２１は本発明の第７の
実施例を示す回路のブロック図である。本実施例は図１
８に示す第６の実施例の疑似基本回路から、図２１に示
す如く、スイッチＳＤ３とＳＤ４及び電流源ＩＤ１とＩ
Ｄ２を除いたもので、疑似基本回路の構成が簡単であ
り、スイッチの数が少ない分データの読出し又は書込み
時の切替え速度も速くすることが出来る。

【００８６】図２２と図２３と図２４は本発明の第８の
実施例を示す回路のブロック図である。本実施例は図１
〜図３に示す第１の実施例の基本回路から、抵抗Ｒ０３
〜Ｒｎ３，Ｒ０４〜Ｒｎ４，後段増幅器ＡＭＰ００〜Ａ
ＭＰ０ｎ，スイッチＳ０３〜Ｓｎ３，Ｓ０４〜Ｓｎ４，
Ｓ０５〜Ｓｎ５及び電流源Ｉ０１〜Ｉｎ１，Ｉ０２〜Ｉ
ｎ２，Ｉ０３〜Ｉｎ３を除き、図２４に示す如く、共通
部に抵抗Ｒ３とＲ４，スイッチＳ３とＳ４とＳ５及び電
流源Ｉ１とＩ２とＩ３と後段増幅器ＡＭＰとを設け、複
数の基本回路で共用するようにしたものである。

【００８７】選択回路ＳＥＬ０の動作は図１〜図３の場
合と同一であり、第１の実施例で説明した如く、データ
の読出し時にヘッド番号ＨＤ＃００の基本回路が選択さ
れると、スイッチＳ０１とＳ０２が動作し、データ書込
み時には、ヘッド番号ＨＤ＃０７の基本回路が選択され
て、スイッチＳ７１とＳ７２が動作し、且つ、スイッチ
Ｓ３〜Ｓ６はデータ書込み時も読出し時も動作している
ため、コンデンサＣｘは第１の実施例と同様に充電され
る。

【００８８】従って、経済的な構成で第１の実施例と同
一の効果を得ることが出来る。図２５と図２６と図２７
は本発明の第９の実施例を示す回路のブロック図であ
る。

【００８９】本実施例は第８の実施例の場合と同様に、
基本回路から、抵抗Ｒ０３〜Ｒｎ３，Ｒ０４〜Ｒｎ４，
後段増幅器ＡＭＰ００〜ＡＭＰ０ｎ，スイッチＳ０３〜
Ｓｎ３，Ｓ０４〜Ｓｎ４，Ｓ０５〜Ｓｎ５及び電流源Ｉ
０１〜Ｉｎ１，Ｉ０２〜Ｉｎ２，Ｉ０３〜Ｉｎ３を除
き、図２７に示す如く、共通部に抵抗Ｒ３とＲ４，スイ
ッチＳ３とＳ４とＳ５及び電流源Ｉ１とＩ２とＩ３と後
段増幅器ＡＭＰとを設け、複数の基本回路で共用するよ
うにしたものである。

【００９０】そして、選択回路ＳＥＬ０の動作は第８の
実施例の場合と同様であり、スイッチＳ５を読出し信号
ＲＧにより、データ読出し時にのみ動作させるようにし
たため、第８の実施例に比し、データ書込み時におい
て、後段増幅器ＡＭＰの電力消費分を節減することが出
来る。

【００９１】尚、コンデンサＣｘは前段増幅器が第８の
実施例と同様に、データ書込み時もデータ読出し時にも
動作することで充電される。図２８と図２９と図３０は
本発明の第１０の実施例を示す回路のブロック図であ
る。

【００９２】本実施例は第８の実施例の場合と同様に、
基本回路から、抵抗Ｒ０３〜Ｒｎ３，Ｒ０４〜Ｒｎ４，
後段増幅器ＡＭＰ００〜ＡＭＰ０ｎ，スイッチＳ０３〜
Ｓｎ３，Ｓ０４〜Ｓｎ４，Ｓ０５〜Ｓｎ５及び電流源Ｉ
０１〜Ｉｎ１，Ｉ０２〜Ｉｎ２，Ｉ０３〜Ｉｎ３を除
き、図３０に示す如く、共通部に抵抗Ｒ３とＲ４，スイ
ッチＳ３とＳ４とＳ５及び電流源Ｉ１とＩ２とＩ３と後
段増幅器ＡＭＰとを設け、複数の基本回路で共用するよ
うにしたものである。

【００９３】そして、スイッチＳ３とＳ４とＳ５を読出
し信号ＲＧにより、データ読出し時にのみ動作させるよ
うにしたものである。このため、データの書込み時に
は、データ読出しを指示されたチャネル以外のチャネル
の磁気抵抗効果素子にのみ電流が流れ、コンデンサＣｘ
を充電する。従って、第８の実施例に比し、前段増幅器
と後段増幅器ＡＭＰとが動作しないため、消費電力を最
も少なくすることが出来る。

【００９４】図３１と図３２と図３３は本発明の第１１
の実施例を示す回路のブロック図である。本実施例は第
８の実施例の場合と同様に、基本回路から、抵抗Ｒ０３
〜Ｒｎ３，Ｒ０４〜Ｒｎ４，後段増幅器ＡＭＰ００〜Ａ
ＭＰ０ｎ，スイッチＳ０３〜Ｓｎ３，Ｓ０４〜Ｓｎ４，
Ｓ０５〜Ｓｎ５及び電流源Ｉ０１〜Ｉｎ１，Ｉ０２〜Ｉ
ｎ２，Ｉ０３〜Ｉｎ３を除くと共に、第５の実施例で説
明した疑似基本回路を構成するヘッド番号ＨＤ＃ＤＭＭ
Ｙの基本回路から、抵抗ＲＤ３，ＲＤ４，後段増幅器Ａ
ＭＰ０Ｄ，スイッチＳＤ３，ＳＤ４，ＳＤ５及び電流源
ＩＤ１，ＩＤ２，ＩＤ３を除き、図３３に示す如く、共
通部に抵抗Ｒ３とＲ４，スイッチＳ３とＳ４とＳ５及び
電流源Ｉ１とＩ２とＩ３と後段増幅器ＡＭＰとを設け、
複数の基本回路と疑似基本回路で共用するようにしたも
のである。

【００９５】そして、選択回路ＳＥＬ１の動作は第５の
実施例と同一であり、スイッチＳ３とＳ４とＳ５は、論
理和回路ＯＲが送出する書込み信号ＷＧと読出し信号Ｒ
Ｇにより、データ書込み時もデータ読出し時も動作する
ため、第５の実施例と同一機能を経済的な構成で実現す
ることが出来る。

【００９６】図３４と図３５と図３６は本発明の第１２
の実施例を示す回路のブロック図である。本実施例は第
３のスイッチＳ５を読出し信号ＲＧにより動作させてい
る点が第１１の実施例の場合と異なる。従って、第１１
の実施例よりデータ書込み時における後段増幅器ＡＭＰ
の消費電力を節減することが出来る。

【００９７】

【発明の効果】以上説明した如く、本発明はデータ書込
み時にコンデンサの電荷が放電しないため、再び指定さ
れたチャネルがデータの読出しを行う際に、読出し状態
として使用出来ない時間を短縮することが出来る。

【００９８】又、データ書込み時に動作させるチャネル
の後段増幅器を動作させないようにしているため、前記
同様読出し状態として使用出来ない時間を短縮すること
が出来ると共に、消費電力を節減することが出来る。

【００９９】又、ＭＲヘッドバイアス回路のみ切替える
ことを可能としたため、切替えるスイッチの数が少な
く、余分な切替え時間を見込まなくて良くなり、その分
切替え時間を短くすることが出来る。

【０１００】又、データの書込み時に、疑似増幅手段を
動作させているため、基準抵抗の抵抗値を磁気抵抗効果
素子の抵抗値の平均値に設定しておけば、データの読出
し時と書込み時の切替えに基づくコンデンサの電圧変動
を、各磁気抵抗効果素子の抵抗値の偏差の１／２に低下
させることが可能となり、その分更に切替え時間を短く
することが出来る。

【０１０１】又、データの書込み時において、疑似増幅
手段の後段増幅器が動作しない分消費電力を節減するこ
とが出来る。又、更に疑似増幅手段の構成を簡単にする
ことが可能となるため、データの読出し又は書込み時の
切替え速度も速くすることが出来る。

【０１０２】又、後段増幅器や電流源及びスイッチ等を
複数の基本回路で共用するので経済的に前記効果を実現
することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施例を示す回路のブロック
図（その１）

【図２】 本発明の第１の実施例を示す回路のブロック
図（その２）

【図３】 本発明の第１の実施例を示す回路のブロック
図（その３）

【図４】 本発明の第２の実施例を示す回路のブロック
図（その１）

【図５】 本発明の第２の実施例を示す回路のブロック
図（その２）

【図６】 本発明の第２の実施例を示す回路のブロック
図（その３）

【図７】 本発明の第３の実施例を示す回路のブロック
図（その１）

【図８】 本発明の第３の実施例を示す回路のブロック
図（その２）

【図９】 本発明の第３の実施例を示す回路のブロック
図（その３）

【図１０】 本発明の第４の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その１）

【図１１】 本発明の第４の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その２）

【図１２】 本発明の第４の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その３）

【図１３】 本発明の第５の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その１）

【図１４】 本発明の第５の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その２）

【図１５】 本発明の第５の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その３）

【図１６】 本発明の第６の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その１）

【図１７】 本発明の第６の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その２）

【図１８】 本発明の第６の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その３）

【図１９】 本発明の第７の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その１）

【図２０】 本発明の第７の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その２）

【図２１】 本発明の第７の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その３）

【図２２】 本発明の第８の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その１）

【図２３】 本発明の第８の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その２）

【図２４】 本発明の第８の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その３）

【図２５】 本発明の第９の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その１）

【図２６】 本発明の第９の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その２）

【図２７】 本発明の第９の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その３）

【図２８】 本発明の第10の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その１）

【図２９】 本発明の第10の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その２）

【図３０】 本発明の第10の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その３）

【図３１】 本発明の第11の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その１）

【図３２】 本発明の第11の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その２）

【図３３】 本発明の第11の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その３）

【図３４】 本発明の第12の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その１）

【図３５】 本発明の第12の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その２）

【図３６】 本発明の第12の実施例を示す回路のブロッ
ク図（その３）

【図３７】 図１〜図３の動作を説明する図

【図３８】 図４〜図６の動作を説明する図

【図３９】 従来のＭＲヘッド読出し回路の一例を説明
する図

【図４０】 従来技術の一例を説明するブロック図（そ
の１）

【図４１】 従来技術の一例を説明するブロック図（そ
の２）

【図４２】 従来技術の一例を説明するブロック図（そ
の３）

【図４３】 読出し信号がオンとなった時の各部の波形
を説明する図

【符号の説明】

Ｑ トランジスタ Ｒ 抵抗 Ｉ 電流源 Ｃｘ コンデンサ Ｒｍｒ 磁気抵抗効果素子の抵抗 ＯＲ 論理和回路 ＡＭＰ 増幅器 ＳＥＬ 選択回路 Ｓ スイッチ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁気抵抗効果素子の一方の端子を一方の
   トランジスタ(Q02〜Qn2)のベースに接続し、該磁気抵抗
   効果素子の他方の端子を他方のトランジスタ(Q03〜Qn3)
   のベースに接続すると共に、該一方のトランジスタ(Q02
   〜Qn2)のエミッタを第１の切替手段(S03〜Sn3)を介して
   第１の電流源(I01〜In1)に接続し、該他方のトランジス
   タ(Q03〜Qn3)のエミッタを第２の切替手段(S04〜Sn4)を
   介して第２の電流源(I02〜In2)に接続し、前記第１と第
   ２の切替手段(S03〜Sn3)(S04〜Sn4)が動作した時、該磁
   気抵抗効果素子が再生する信号を増幅するように構成さ
   れた前段増幅器と、第３の切替手段(S05〜Sn5)を介して
   第３の電流源(I03〜In3)に接続され、該第３の切替手段
   (S05〜Sn5)が動作した時、該前段増幅器の増幅した信号
   を更に増幅する後段増幅器(AMP00〜AMP0n)と、第４の切
   替手段(S01〜Sn1)を介してバイアス電圧を与えられ前記
   磁気抵抗効果素子に電流を供給するトランジスタ(Q01〜
   Qn1)と、該磁気抵抗効果素子を第４の電流源(Is)に接続
   する第５の切替手段(S02〜Sn2)とから構成される複数の
   増幅手段を備えた読出し回路において、 前記複数の増幅手段の前記一方のトランジスタ(Q02〜Qn
   2)のエミッタと、前記他方のトランジスタ(Q03〜Qn3)の
   エミッタとの間に共通に接続された一つのコンデンサ(C
   x)と、 複数の前記第５の切替手段(S02〜Sn2)を夫々前記第４の
   電流源(Is)に接続する第６の切替手段(S06) と、 データの読出し時と書込み時に該第６の切替手段(S06)
   に動作信号を送出する送出手段(OR)と、 与えられた選択信号に基づき、前記第１〜第５の切替手
   段(S03〜Sn3)(S04〜Sn4)(S05〜Sn5)(S01〜Sn1)(S02〜Sn
   2)に夫々動作信号を送出する選択手段(SEL0 〜SEL2)
   と、 を設け、データの読出し時には、必要とする前記増幅手
   段の前記第１〜第５の切替手段に動作信号を送出し、デ
   ータの書込み時には、該必要とする増幅手段を除く他の
   増幅手段の前記第１〜第５の切替手段に動作信号を送出
   するか、 又は、データの読出し時には、必要とする前記増幅手段
   の前記第１と第２と第４及び第５の切替手段に動作信号
   を送出すると共に、該必要とする増幅手段の前記第３の
   切替手段に動作信号を送出し、データの書込み時には、
   該必要とする増幅手段を除く他の増幅手段の前記第１と
   第２と第４と第５の切替手段に動作信号を送出するか、 又は、データの読出し時には、必要とする前記増幅手段
   の前記第４及び第５の切替手段に動作信号を送出し、デ
   ータの書込み時には、該必要とする増幅手段を除く他の
   増幅手段の前記第４と第５の切替手段に動作信号を送出
   し、データの読出し時と書込み時に、前記必要とする増
   幅手段の前記第１〜第３の切替手段に動作信号を送出す
   るか、 又は、データの読出し時には、必要とする前記増幅手段
   の前記第４及び第５の切替手段に動作信号を送出し、デ
   ータの書込み時には、該必要とする増幅手段を除く他の
   増幅手段の前記第４と第５の切替手段に動作信号を送出
   し、データの読出し時と書込み時に、前記必要とする前
   記増幅手段の第１及び第２の切替手段に動作信号を送出
   すると共に、データの読出し時にのみ、前記必要とする
   増幅手段の前記第３の切替手段に動作信号を送出するこ
   とを特徴とするＭＲヘッドの読出し回路。
2. 【請求項２】 磁気抵抗効果素子の一方の端子を一方の
   トランジスタ(Q02〜Qn2)のベースに接続し、該磁気抵抗
   効果素子の他方の端子を他方のトランジスタ(Q03〜Qn3)
   のベースに接続すると共に、該一方のトランジスタ(Q02
   〜Qn2)のエミッタを第１の切替手段(S03〜Sn3)を介して
   第１の電流源(I01〜In1)に接続し、該他方のトランジス
   タ(Q03〜Qn3)のエミッタを第２の切替手段(S04〜Sn4)を
   介して第２の電流源(I02〜In2)に接続し、前記第１と第
   ２の切替手段(S03〜Sn3)(S04〜Sn4)が動作した時、該磁
   気抵抗効果素子が再生する信号を増幅するように構成さ
   れた第１の前段増幅器と、第３の切替手段(S05〜Sn5)を
   介して第３の電流源(I03〜In3)に接続され、該第３の切
   替手段(S05〜Sn5)が動作した時、該第１の前段増幅器の
   増幅した信号を更に増幅する第１の後段増幅器(AMP00〜
   AMP0n)と、第４の切替手段(S01〜Sn1)を介してバイアス
   電圧を与えられ前記磁気抵抗効果素子に電流を供給する
   トランジスタ(Q01〜Qn1)と、該磁気抵抗効果素子を第４
   の電流源(Is)に接続する第５の切替手段(S02〜Sn2)とか
   ら構成される複数の増幅手段と、 基準抵抗(Rx)の一つの端子を一つのトランジスタ(QD2)
   のベースに接続し、該基準抵抗(Rx)の他の端子を他のト
   ランジスタ(QD3) のベースに接続すると共に、該一つの
   トランジスタ(QD2) のエミッタを第７の切替手段(SD3)
   を介して第５の電流源(ID1) に接続し、該他のトランジ
   スタ(QD3) のエミッタを第８の切替手段(SD4) を介して
   第６の電流源(ID2) に接続し、前記第７と第８の切替手
   段(SD3)(SD4)が動作した時、該基準抵抗(Rx)の出力を増
   幅するように構成された第２の前段増幅器と、第９の切
   替手段(SD5) を介して第７の電流源(ID3) に接続され、
   該第９の切替手段(SD5) が動作した時、該第２の前段増
   幅器の増幅した信号を更に増幅する第２の後段増幅器(A
   MP0D) と、第１０の切替手段(SD1) を介してバイアス電
   圧を与えられ前記基準抵抗(Rx)に電流を供給するトラン
   ジスタ(QD1) と、該基準抵抗(Rx)を前記第４の電流源(I
   s)に接続する第１１の切替手段(SD2) とから構成される
   疑似増幅手段とを備えた読出し回路において、 前記複数の増幅手段の前記一方のトランジスタ(Q02〜Qn
   2)及び前記疑似増幅手段の前記一つのトランジスタ(QD
   2) のエミッタと、前記複数の増幅手段の前記他方のト
   ランジスタ(Q03〜Qn3)及び前記疑似増幅手段の前記他の
   トランジスタ(QD3) のエミッタとの間に共通に接続され
   た一つのコンデンサ(Cx)と、 前記複数の増幅手段の前記第５の切替手段(S02〜Sn2)及
   び前記疑似増幅手段の前記第１１の切替手段(SD2) を夫
   々前記第４の電流源(Is)に接続する第６の切替手段(S0
   6) と、 データの読出し時と書込み時に該第６の切替手段(S06)
   に動作信号を送出する送出手段(OR)と、 データの読出し時には与えられた選択信号に基づき、必
   要とする前記増幅手段の前記第１〜第５の切替手段に動
   作信号を送出する第１の選択手段(SEL1)と、 を設け、データの読出し時には、前記必要とする増幅手
   段の前記第１〜第５の切替手段に動作信号を送出し、デ
   ータの書込み時には、前記疑似増幅手段の第７〜第１１
   の切替手段(SD1〜SD5)に動作信号を送出することを特徴
   とするＭＲヘッドの読出し回路。
3. 【請求項３】 磁気抵抗効果素子の一方の端子を一方の
   トランジスタ(Q02〜Qn2)のベースに接続し、該磁気抵抗
   効果素子の他方の端子を他方のトランジスタ(Q03〜Qn3)
   のベースに接続すると共に、該一方のトランジスタ(Q02
   〜Qn2)のエミッタを第１の切替手段(S03〜Sn3)を介して
   第１の電流源(I01〜In1)に接続し、該他方のトランジス
   タ(Q03〜Qn3)のエミッタを第２の切替手段(S04〜Sn4)を
   介して第２の電流源(I02〜In2)に接続し、前記第１と第
   ２の切替手段(S03〜Sn3)(S04〜Sn4)が動作した時、該磁
   気抵抗効果素子が再生する信号を増幅するように構成さ
   れた第１の前段増幅器と、第３の切替手段(S05〜Sn5)を
   介して第３の電流源(I03〜In3)に接続され、該第３の切
   替手段(S05〜Sn5)が動作した時、該第１の前段増幅器の
   増幅した信号を更に増幅する後段増幅器(AMP00〜AMP0n)
   と、第４の切替手段(S01〜Sn1)を介してバイアス電圧を
   与えられ前記磁気抵抗効果素子に電流を供給するトラン
   ジスタ(Q01〜Qn1)と、該磁気抵抗効果素子を第４の電流
   源(Is)に接続する第５の切替手段(S02〜Sn2)とから構成
   される複数の増幅手段と、 基準抵抗(Rx)の一つの端子を一つのトランジスタ(QD2)
   のベースに接続し、該基準抵抗(Rx)の他の端子を他のト
   ランジスタ(QD3) のベースに接続すると共に、該一つの
   トランジスタ(QD2) のエミッタを第７の切替手段(SD3)
   を介して第５の電流源(ID1) に接続し、該他のトランジ
   スタ(QD3) のエミッタを第８の切替手段(SD4) を介して
   第６の電流源(ID2) に接続し、前記第７と第８の切替手
   段(SD3)(SD4)が動作した時、該基準抵抗(Rx)の出力を増
   幅するように構成された第２の前段増幅器と、第９の切
   替手段(SD1) を介してバイアス電圧を与えられ前記基準
   抵抗(Rx)に電流を供給するトランジスタ(QD1) と、該基
   準抵抗(Rx)を前記第４の電流源(Is)に接続する第１０の
   切替手段(SD2) とから構成される疑似増幅手段とを備え
   た読出し回路において、 前記複数の増幅手段の前記一方のトランジスタ(Q02〜Qn
   2)及び前記疑似増幅手段の前記一つのトランジスタ(QD
   2) のエミッタと、前記複数の増幅手段の前記他方のト
   ランジスタ(Q03〜Qn3)及び前記疑似増幅手段の前記他の
   トランジスタ(QD3) のエミッタとの間に共通に接続され
   た一つのコンデンサ(Cx)と、 前記複数の増幅手段の前記第５の切替手段(S02〜Sn2)及
   び前記疑似増幅手段の前記第１０の切替手段(SD2) を夫
   々前記第４の電流源(Is)に接続する第６の切替手段(S0
   6) と、 データの読出し時と書込み時に該第６の切替手段(S06)
   に動作信号を送出する送出手段(OR)と、 データの読出し時には与えられた選択信号に基づき、必
   要とする前記増幅手段の前記第１〜第５の切替手段に動
   作信号を送出する選択手段(SEL1)と、 を設け、データの読出し時には、前記必要とする増幅手
   段の前記第１〜第５の切替手段に動作信号を送出し、デ
   ータの書込み時には、前記疑似増幅手段の第７〜第１０
   の切替手段(SD1〜SD4)に動作信号を送出することを特徴
   とするＭＲヘッドの読出し回路。
4. 【請求項４】 磁気抵抗効果素子の一方の端子を一方の
   トランジスタ(Q02〜Qn2)のベースに接続し、該磁気抵抗
   効果素子の他方の端子を他方のトランジスタ(Q03〜Qn3)
   のベースに接続すると共に、該一方のトランジスタ(Q02
   〜Qn2)のエミッタを第１の切替手段(S03〜Sn3)を介して
   第１の電流源(I01〜In1)に接続し、該他方のトランジス
   タ(Q03〜Qn3)のエミッタを第２の切替手段(S04〜Sn4)を
   介して第２の電流源(I02〜In2)に接続し、前記第１と第
   ２の切替手段(S03〜Sn3)(S04〜Sn4)が動作した時、該磁
   気抵抗効果素子が再生する信号を増幅するように構成さ
   れた前段増幅器と、第３の切替手段(S05〜Sn5)を介して
   第３の電流源(I03〜In3)に接続され、該第３の切替手段
   (S05〜Sn5)が動作した時、該前段増幅器の増幅した信号
   を更に増幅する後段増幅器(AMP00〜AMP0n)と、第４の切
   替手段(S01〜Sn1)を介してバイアス電圧を与えられ前記
   磁気抵抗効果素子に電流を供給するトランジスタ(Q01〜
   Qn1)と、該磁気抵抗効果素子を第４の電流源(Is)に接続
   する第５の切替手段(S02〜Sn2)とから構成される複数の
   増幅手段と、 基準抵抗(Rx)の一つの端子を一つのトランジスタ(QD2)
   のベースに接続し、該基準抵抗(Rx)の他の端子を他のト
   ランジスタ(QD3) のベースに接続し、該基準抵抗(Rx)の
   出力を増幅するように構成された増幅器と、第７の切替
   手段(SD1) を介してバイアス電圧を与えられ前記基準抵
   抗(Rx)に電流を供給するトランジスタ(QD1) と、該基準
   抵抗(Rx)を前記第４の電流源(Is)に接続する第８の切替
   手段(SD2) とから構成される疑似増幅手段とを備えた読
   出し回路において、 前記複数の増幅手段の前記一方のトランジスタ(Q02〜Qn
   2)及び前記疑似増幅手段の前記一つのトランジスタ(QD
   2) のエミッタと、前記複数の増幅手段の前記他方のト
   ランジスタ(Q03〜Qn3)及び前記疑似増幅手段の前記他の
   トランジスタ(QD3) のエミッタとの間に共通に接続され
   た一つのコンデンサ(Cx)と、 前記複数の増幅手段の前記第５の切替手段(S02〜Sn2)及
   び前記疑似増幅手段の前記第８の切替手段(SD2) を夫々
   前記第４の電流源(Is)に接続する第６の切替手段(S06)
   と、 データの読出し時と書込み時に該第６の切替手段(S06)
   に動作信号を送出する送出手段(OR)と、 データの読出し時には与えられた選択信号に基づき、必
   要とする前記増幅手段の前記第３〜第５の切替手段に動
   作信号を送出する選択手段(SEL1)と、 データの読出し時と書込み時に、与えられた選択信号に
   基づき、必要とする前記増幅手段の前記第１と第２の切
   替手段に動作信号を送出する選択手段(SEL2)と、 を設け、データの読出し時には、前記必要とする増幅手
   段の前記第１〜第５の切替手段に動作信号を送出し、デ
   ータの書込み時には、該必要とする増幅手段の前記第１
   と第２の切替手段及び前記疑似増幅手段の第７と第８の
   切替手段(SD1,SD2)に動作信号を送出することを特徴と
   するＭＲヘッドの読出し回路。
5. 【請求項５】 磁気抵抗効果素子の一方の端子を一方の
   トランジスタ(Q02〜Qn2)のベースに接続し、該磁気抵抗
   効果素子の他方の端子を他方のトランジスタ(Q03〜Qn3)
   のベースに接続すると共に、該一方のトランジスタ(Q02
   〜Qn2)のエミッタを共用する第１の切替手段(S3)を介し
   て第１の電流源(I1)に接続し、該他方のトランジスタ(Q
   03〜Qn3)のエミッタを共用する第２の切替手段(S4)を介
   して第２の電流源(I2)に接続し、前記第１と第２の切替
   手段(S3)(S4)が動作した時、該磁気抵抗効果素子が再生
   する信号を増幅するように構成された前段増幅器と、第
   ４の切替手段(S01〜Sn1)を介してバイアス電圧を与えら
   れ前記磁気抵抗効果素子に電流を供給するトランジスタ
   (Q01〜Qn1)と、該磁気抵抗効果素子を第４の電流源(Is)
   に接続する第５の切替手段(S02〜Sn2)とから構成される
   複数の増幅手段を備えた読出し回路において、 第３の切替手段(S5)を介して第３の電流源(I3)に接続さ
   れ、該第３の切替手段(S5)が動作した時、前記各増幅手
   段の前記前段増幅器が増幅した信号を更に増幅する後段
   増幅器(AMP) と、 前記複数の増幅手段の前記一方のトランジスタ(Q02〜Qn
   2)のエミッタと、前記他方のトランジスタ(Q03〜Qn3)の
   エミッタとの間に共通に接続された一つのコンデンサ(C
   x)と、 複数の前記第５の切替手段(S02〜Sn2)を夫々前記第４の
   電流源(Is)に接続する第６の切替手段(S6)と、 与えられた選択信号に基づき、前記第４と第５の切替手
   段(S01〜Sn1)(S02〜Sn2)に夫々動作信号を送出する選択
   手段(SEL0)と、 データの読出し時と書込み時に、前記第１と第２と第３
   と第６の切替手段(S3〜S6) に動作信号を送出するか、
   又は、前記第１と第２と第６の切替手段(S3,S4,S6)に動
   作信号を送出するか、又は、前記第６の切替手段(S6)に
   動作信号を送出する送出手段(OR)と、 を設け、データの読出し時には、必要とする前記増幅手
   段の前記第４と第５の切替手段に動作信号を送出し、デ
   ータの書込み時には、該必要とする増幅手段を除く他の
   増幅手段の前記第４と第５の切替手段に動作信号を送出
   するか、 又は、データの読出し時には、必要とする前記増幅手段
   の前記第４と第５の切替手段に動作信号を送出すると共
   に、前記第３の切替手段(S5)に動作信号を送出し、デー
   タの書込み時には、該必要とする増幅手段を除く他の増
   幅手段の前記第４と第５の切替手段に動作信号を送出す
   るか、 又は、データの読出し時には、必要とする前記増幅手段
   の前記第４と第５の切替手段に動作信号を送出すると共
   に、前記第１と第２と第３の切替手段(S3,S4,S5)に動作
   信号を送出し、データの書込み時には、該必要とする増
   幅手段を除く他の増幅手段の前記第４と第５の切替手段
   に動作信号を送出することを特徴とするＭＲヘッドの読
   出し回路。
6. 【請求項６】 磁気抵抗効果素子の一方の端子を一方の
   トランジスタ(Q02〜Qn2)のベースに接続し、該磁気抵抗
   効果素子の他方の端子を他方のトランジスタ(Q03〜Qn3)
   のベースに接続すると共に、該一方のトランジスタ(Q02
   〜Qn2)のエミッタを共用する第１の切替手段(S3)を介し
   て第１の電流源(I1)に接続し、該他方のトランジスタ(Q
   03〜Qn3)のエミッタを共用する第２の切替手段(S4)を介
   して第２の電流源(I2)に接続し、前記第１と第２の切替
   手段(S3)(S4)が動作した時、該磁気抵抗効果素子が再生
   する信号を増幅するように構成された前段増幅器と、第
   ４の切替手段(S01〜Sn1)を介してバイアス電圧を与えら
   れ前記磁気抵抗効果素子に電流を供給するトランジスタ
   (Q01〜Qn1)と、該磁気抵抗効果素子を第４の電流源(Is)
   に接続する第５の切替手段(S02〜Sn2)とから構成される
   複数の増幅手段と、 基準抵抗(Rx)の一つの端子を一つのトランジスタ(QD2)
   のベースに接続し、該基準抵抗(Rx)の他の端子を他のト
   ランジスタ(QD3) のベースに接続すると共に、該一つの
   トランジスタ(QD2) のエミッタを前記第１の切替手段(S
   3)を介して第１の電流源(I1)に接続し、該他のトランジ
   スタ(QD3) のエミッタを前記第２の切替手段(S4)を介し
   て第２の電流源(I2)に接続し、前記第１と第２の切替手
   段(S3)(S4)が動作した時、該基準抵抗(Rx)の出力を増幅
   するように構成された疑似前段増幅器と、第７の切替手
   段(SD1) を介してバイアス電圧を与えられ前記基準抵抗
   (Rx)に電流を供給するトランジスタ(QD1) と、該基準抵
   抗(Rx)を前記第４の電流源(Is)に接続する第８の切替手
   段(SD2) とから構成される疑似増幅手段とを備えた読出
   し回路において、 第３の切替手段(S5)を介して第３の電流源(I3)に接続さ
   れ、該第３の切替手段(S5)が動作した時、前記各増幅手
   段の前記前段増幅器が増幅した信号と、前記疑似増幅手
   段の前記疑似前段増幅器が増幅した信号を更に増幅する
   後段増幅器(AMP) と、 前記複数の増幅手段の前記一方のトランジスタ(Q02〜Qn
   2)及び前記疑似増幅手段の前記一つのトランジスタ(QD
   2) のエミッタと、複数の増幅手段の前記他方のトラン
   ジスタ(Q03〜Qn3)及び前記疑似増幅手段の前記他のトラ
   ンジスタ(QD3) のエミッタとの間に共通に接続された一
   つのコンデンサ(Cx)と、 前記複数の増幅手段の前記第５の切替手段(S02〜Sn2)及
   び前記疑似増幅手段の前記第８の切替手段(SD2) を夫々
   前記第４の電流源(Is)に接続する第６の切替手段(S6)
   と、 データの読出し時と書込み時に、前記第１と第２と第３
   と第６の切替手段(S3,S4,S5,S6) に動作信号を送出する
   送出手段(OR)と、 データの読出し時にのみ、与えられた選択信号に基づ
   き、必要とする前記増幅手段の前記第４と第５の切替手
   段に動作信号を送出する選択手段(SEL1)と、 を設け、データの書込み時にのみ、前記疑似増幅手段の
   第７と第８の切替手段(SD1,SD2) に動作信号を送出する
   ことを特徴とするＭＲヘッドの読出し回路。
7. 【請求項７】 磁気抵抗効果素子の一方の端子を一方の
   トランジスタ(Q02〜Qn2)のベースに接続し、該磁気抵抗
   効果素子の他方の端子を他方のトランジスタ(Q03〜Qn3)
   のベースに接続すると共に、該一方のトランジスタ(Q02
   〜Qn2)のエミッタを共用する第１の切替手段(S3)を介し
   て第１の電流源(I1)に接続し、該他方のトランジスタ(Q
   03〜Qn3)のエミッタを共用する第２の切替手段(S4)を介
   して第２の電流源(I2)に接続し、前記第１と第２の切替
   手段(S3)(S4)が動作した時、該磁気抵抗効果素子が再生
   する信号を増幅するように構成された前段増幅器と、第
   ４の切替手段(S01〜Sn1)を介してバイアス電圧を与えら
   れ前記磁気抵抗効果素子に電流を供給するトランジスタ
   (Q01〜Qn1)と、該磁気抵抗効果素子を第４の電流源(Is)
   に接続する第５の切替手段(S02〜Sn2)とから構成される
   複数の増幅手段と、 基準抵抗(Rx)の一つの端子を一つのトランジスタ(QD2)
   のベースに接続し、該基準抵抗(Rx)の他の端子を他のト
   ランジスタ(QD3) のベースに接続すると共に、該一つの
   トランジスタ(QD2) のエミッタを前記第１の切替手段(S
   3)を介して第１の電流源(I1)に接続し、該他のトランジ
   スタ(QD3) のエミッタを前記第２の切替手段(S4)を介し
   て第２の電流源(I2)に接続し、前記第１と第２の切替手
   段(S3)(S4)が動作した時、該基準抵抗(Rx)の出力を増幅
   するように構成された疑似前段増幅器と、第７の切替手
   段(SD1) を介してバイアス電圧を与えられ前記基準抵抗
   (Rx)に電流を供給するトランジスタ(QD1) と、該基準抵
   抗(Rx)を前記第４の電流源(Is)に接続する第８の切替手
   段(SD2) とから構成される疑似増幅手段とを備えた読出
   し回路において、 第３の切替手段(S5)を介して第３の電流源(I3)に接続さ
   れ、該第３の切替手段(S5)が動作した時、前記各増幅手
   段の前記前段増幅器が増幅した信号と、前記疑似増幅手
   段の前記疑似前段増幅器が増幅した信号を更に増幅する
   後段増幅器(AMP) と、 前記複数の増幅手段の前記一方のトランジスタ(Q02〜Qn
   2)及び前記疑似増幅手段の前記一つのトランジスタ(QD
   2) のエミッタと、複数の増幅手段の前記他方のトラン
   ジスタ(Q03〜Qn3)及び前記疑似増幅手段の前記他のトラ
   ンジスタ(QD3) のエミッタとの間に共通に接続された一
   つのコンデンサ(Cx)と、 前記複数の増幅手段の前記第５の切替手段(S02〜Sn2)及
   び前記疑似増幅手段の前記第８の切替手段(SD2) を夫々
   前記第４の電流源(Is)に接続する第６の切替手段(S6)
   と、 データの読出し時と書込み時に、前記第１と第２と第６
   の切替手段(S3,S4,S6)に動作信号を送出する送出手段(O
   R)と、 データの読出し時にのみ、与えられた選択信号に基づ
   き、必要とする前記増幅手段の前記第４と第５の切替手
   段に動作信号を送出する選択手段(SEL1)と、 を設け、データの書込み時には、前記疑似増幅手段の第
   ７と第８の切替手段(SD1,SD2) に動作信号を送出し、デ
   ータの読出し時には、前記第３の切替手段(S5)に動作信
   号を送出することを特徴とするＭＲヘッドの読出し回
   路。