JPH07311990A - 光ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 信号成分の損失を最小限に抑え、Ｃ／Ｎの高
い光磁気信号が得られる光ヘッドを提供する。 【構成】 半導体レーザ１からの出射光を、一軸性複屈
折結晶からなるプリズム２の第１の面2aに設けた偏光膜
３で反射された後、ホログラム５および集光手段４を経
て光磁気記録媒体８にスポットとして照射し、その戻り
光を集光手段４を経てホログラム５に入射させ、ここで
の＋１次回折光および／または−１次回折光を第１の光
検出器６で受光してエラー信号を検出し、０次光を偏光
膜３を透過させ、さらにプリズム２を屈折透過させて非
点収差を有する常光および異常光に分離し、これら常光
および異常光をプリズム２の第２の面2bから出射され
て、非点収差の焦線位置近傍に配置した第２の光検出器
７で受光して光磁気信号を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、光磁気記録媒体に対
して情報の記録再生を行う光ヘッドに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】例えば、光磁気記録媒体に記録された情
報を再生する光ヘッドにおいては、半導体レーザからの
読み取り光を、対物レンズ経て光磁気記録媒体にスポッ
ト状に照射し、この光磁気記録媒体で反射される戻り光
を、偏光方向が互いに直交する二つの光束に分離して、
それらの光束の強度変化から光磁気信号を検出すると共
に、その光磁気信号を正確に検出するために、光磁気記
録媒体からの戻り光に基づいて、対物レンズの光磁気記
録媒体に対する相対的位置ずれを表すフォーカスエラー
信号およびトラッキングエラー信号を検出する必要があ
る。

【０００３】このような光ヘッドとして、本願人は、例
えば、特開平５−１２０７５５号公報において、図１７
に示すようなものを提案している。この光ヘッドにおい
ては、図１８に平面図をも示すように、シリコン基板２
１に半導体レーザ２２をマウントし、この半導体レーザ
２１からの出射光を、同様にシリコン基板２１にマウン
トした立ち上げミラー２４で反射させて、ホログラム素
子２５および対物レンズ２６を経て光磁気記録媒体２７
に照射している。ホログラム素子２５には、シリコン基
板２１に面する表面に、格子方向が光磁気記録媒体２７
の情報トラック方向Ｘとほぼ平行で、±１次回折光に逆
方向のフォーカルパワーを与えるレンズ作用を有する第
１のホログラム２５ａを形成し、反対側の表面には、格
子方向がＸ方向と直交するＹ方向にほぼ平行な第２のホ
ログラム２５ｂを形成し、これら第１，第２のホログラ
ム２５ａ，２５ｂを０次光で透過する半導体レーザ２１
からの光を、対物レンズ２６を経て光磁気記録媒体２７
に照射している。

【０００４】また、光磁気記録媒体２７で反射される戻
り光は、対物レンズ２６を経てホログラム素子２５の第
２のホログラム２５ｂに入射させ、ここで回折される±
１次回折光を、それぞれ第１の稠密格子２８ａを形成し
た第１の偏光分離素子２８Ａおよび、第２の稠密格子２
８ｂを形成した第２の偏光分離素子２８Ｂを経て、シリ
コン基板２１に形成した第３および第４の光検出器２３
Ｃおよび２３Ｄで分離して受光している。ここで、第
１，第２の偏光分離素子２８Ａ，２８Ｂは、それぞれ第
３，第４の光検出器２３Ｃ，２３Ｄ上にマウントされ、
第１，第２の稠密格子２８ａ，２８ｂは、それらの格子
方向が互いに直交するように、Ｙ方向に対して±４５°
傾いて形成されている。また、第３，第４の光検出器２
３Ｃ，２３Ｄは、それぞれＸ方向の分割線で２分割され
た二つの受光領域２３ｇ，２３ｈ；２３ｉ，２３ｊをも
って構成されている。

【０００５】このようにして、第３，第４の光検出器２
３Ｃ，２３Ｄで、第１，第２の稠密格子２８ａ，２８ｂ
を０次光で透過する互いに直交する偏光方向の戻り光を
受光することにより、これら第３，第４の光検出器２３
Ｃ，２３Ｄの出力に基づいて、光磁気信号を検出すると
共に、プッシュプル法によりトラッキングエラー信号を
検出するようにしている。

【０００６】他方、第２のホログラム２５ｂを０次光で
透過する光磁気記録媒体２７からの戻り光は、第１のホ
ログラム２５ａに入射させ、ここで回折される互いに逆
方向のフォーカルパワーを有する±１次回折光を、シリ
コン基板２１にそれぞれ形成した第１および第２の光検
出器２３Ａおよび２３Ｂで分離して受光している。ここ
で、第１，第２の光検出器２３Ａ，２３Ｂは、それぞれ
Ｙ方向の分割線で分割した三つの受光領域２３ａ，２３
ｂ，２３ｃ；２３ｄ，２３ｅ，２３ｆをもって構成され
ている。このようにして、第１，第２の光検出器２３
Ａ，２３Ｂの出力に基づいて、ビームサイズ法によりフ
ォーカスエラー信号を検出するようにしている。

【０００７】また、従来の他の光ヘッドとして、例え
ば、特開平３−２１２８２８号公報には、図１９に示す
ようなものが開示されている。この光ヘッドにおいて
は、半導体レーザ３１、台形プリズム３２、光検出器３
３ａ，３３ｂ等の光学素子をパッケージ３４内に収納し
ている。また、台形プリズム３２は、複屈折性材料をも
って構成され、その上面３２ａは４５°傾斜していると
共に、この面上にハーフミラー３５が設けられている。

【０００８】図１９では、半導体レーザ３１からの光束
を、ハーフミラー３５に入射させ、ここで反射される光
束をパッケージ３４に形成したガラス窓３６から出射さ
せて、対物レンズ３７により光磁気記録媒体３８に照射
している。また、光磁気記録媒体３８で反射される戻り
光は、対物レンズ３７およびガラス窓３６を経てハーフ
ミラー３５に入射させ、このハーフミラー３５を透過す
る戻り光を、台形プリズム３２に入射させてこれを下面
３２ｂを経て透過させることにより、非点収差を与える
と共に、偏光方向が直交する２つの光束に分離し、それ
らの光束をそれぞれ４分割受光領域からなる光検出器３
３ａ，３３ｂで受光している。

【０００９】このようにして、一方の光検出器３３ａま
たは３３ｂの４分割受光領域の出力に基づいて非点収差
法によりフォーカスエラー信号を検出し、また光検出器
３３ａの４分割受光領域の出力の総和と、光検出器３３
ｂの４分割受光領域の出力の総和との差により光磁気信
号を検出するようにしている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】図１７に示した光ヘッ
ドによれば、光磁気記録媒体２７からの戻り光のうち、
第１のホログラム２５ａで回折された光と、第２のホロ
グラム２５ｂで回折された光とで、フォーカスエラー信
号と光磁気信号とを別々に検出するようにしているの
で、フォーカスエラー信号の検出に第１，第２の偏光分
離素子２８Ａ，２８Ｂの影響が及ぶことがなく、フォー
カスエラー信号を正確に検出できると共に、各光検出器
２３Ａ〜２３Ｄの受光領域の分割線を、対応するホログ
ラムの回折方向と平行とすることで、波長変化による光
検出器上でのスポットの移動を、その分割線方向とする
ことができ、したがって、波長変化が生じても、フォー
カスエラー信号およびトラッキングエラー信号にオフセ
ットが生じることがないという利点がある。

【００１１】しかしながら、本発明者による種々の実験
によれば、この光ヘッドには、以下に説明する改良すべ
き点があることが判明した。すなわち、通常、情報の記
録時または消去時には、光磁気記録媒体に高出力の光を
照射する必要があり、図１７において、この要求を満た
すためには、第１，第２のホログラム２５ａ，２５ｂを
０次光として透過する光の透過率を高く（例えば、７０
％以上）して、半導体レーザ２２からの光を、ホログラ
ム素子２５および対物レンズ２６を経て光磁気記録媒体
２７に効率良く集光する必要がある。

【００１２】しかし、このようにホログラム素子２５に
おける０次光の透過率を高くすると、±１次回折光の回
折効率が低く（例えば、それぞれ１５％以下）なるた
め、復路において、光磁気記録媒体２７からの戻り光の
うち、第２のホログラム２５ｂで回折される±１次回折
光が、ごく僅かとなり、信号成分を含んだ戻り光のほと
んどが、第２のホログラム２５ｂを０次光として透過し
てしまう。このため、信号成分の損失が大きくなり、Ｃ
／Ｎの高い光磁気信号が得られにくくなる。

【００１３】また、図１９に示した従来例では、その公
報第４頁左下欄に、フォーカス信号検出範囲δは、

【数１】 で表される、と記載されている。ここで、Ｌは台形プリ
ズム３２の上面３２ａと下面３２ｂの間隔、ｎは台形プ
リズム３２の屈折率、Ｍは対物レンズ３７の横倍率であ
る。また、同公報第４頁右下欄には、台形プリズム３２
として、ｎ＝１．５の一般的な光学ガラスを用い、Ｍ＝
１／５、Ｌ＝２．０〜３．０ｍｍとした場合には、現行
の光ピックアップと同等な１０〜１５μｍのフォーカス
検出範囲を得ることができる旨、記載されている。

【００１４】これに対し、台形プリズム３２を複屈折性
材料で構成した場合の同様の考察はなされていないが、
例えば、複屈折性材料として水晶を用いた場合には、以
下のようになる。この場合、水晶の常光の屈折率は約
１．５３９、異常光の屈折率は約１．５４８である。ま
た、光磁気の場合には、半導体レーザ３１から出射され
る光を、ある程度高効率で光磁気記録媒体３８に照射す
る必要があるため、対物レンズ３７の横倍率Ｍは、０．
２７３程度、必要となる。これらのことを考慮して、δ
＝１０μｍ、ｎ＝１．５３９、Ｍ＝０．２７３とし、
（１）式をＬについて解くと（（１）式に、対物レンズ
３７の開口数がパラメータとして入っていないのは疑問
であるが）、Ｌ＝１．０５ｍｍが得られる。これらの数
値をもとに、光検出器３３ａ，３３ｂ上でのスポットダ
イアグラムを計算すると、図２０に示すようになる。す
なわち、この場合には、常光と異常光とが重なり合い、
光検出器３３ａ，３３ｂで完全に分離して受光すること
ができないことがわかる。

【００１５】なお、同公報には、図２１に示すように、
台形プリズム３２を、２種類の複屈折性材料よりなる三
角または台形プリズム４１ａ，４１ｂを貼り合わせて構
成することにより、光検出器３３ａ，３３ｂの間隔を広
げて、互いに他の光検出器への光の漏れ込みを防ぐよう
にしたものも開示されている。この場合、分離すべき光
の分離角を大きくすることが可能となるが、フォーカス
エラー信号の検出法として、再生専用の光ピックアップ
において最も一般的な非点収差法を用いる場合には、所
定の非点収差が得られるように、プリズムの材質やＬの
長さを選定する必要があるため、やはり分離することが
できなくなる。

【００１６】したがって、光検出器３３ａの４分割受光
領域の出力の総和と、光検出器３３ｂの４分割受光領域
の出力の総和との差を演算しても、結局は、光磁気信号
を検出することができないことになる。

【００１７】また、図１９に示した従来例においては、
光磁気記録媒体３８からの戻り光を、ハーフミラー３５
を透過させて台形プリズム３２に入射させているため、
ハーフミラー３５によって信号成分の半分が損失してし
まうという問題もある。

【００１８】この発明は、上述した種々の問題点に着目
してなされたもので、信号成分の損失を最小限に抑える
と共に、光磁気信号を検出するための互いに直交する偏
光成分を確実に分離して受光でき、したがってＣ／Ｎの
高い光磁気信号が得られるよう適切に構成した光ヘッド
を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明においては、半導体レーザと、この半導
体レーザからの出射光を反射させる第１の面を有する一
軸性複屈折結晶からなるプリズムと、このプリズムの第
１の面に設けた偏光膜と、この偏光膜で反射される前記
半導体レーザからの出射光を、光磁気記録媒体にスポッ
トとして照射する集光手段と、この集光手段と前記プリ
ズムとの間に設けたホログラムと、前記光磁気記録媒体
で反射され、前記集光手段を経て前記ホログラムに入射
する戻り光のうち、該ホログラムで回折される＋１次回
折光および／または−１次回折光を受光する第１の光検
出器と、前記ホログラムを０次光で透過する戻り光のう
ち、前記偏光膜を透過し、さらに前記プリズムを屈折透
過して、該プリズムの第２の面から出射される常光およ
び異常光を受光するように、これら常光および異常光の
屈折により発生する非点収差の焦線位置近傍に配置した
第２の光検出器とを有し、前記第１の光検出器の出力に
基づいて、前記集光手段の前記光磁気記録媒体に対する
相対的位置ずれを表すエラー信号を検出し、前記第２の
光検出器の出力に基づいて前記光磁気記録媒体に記録さ
れている光磁気信号を検出し得るよう構成したことを特
徴とするものである。

【００２０】また、第２の発明においては、半導体レー
ザと、この半導体レーザからの出射光を反射させる第１
の面を有する一軸性複屈折結晶からなるプリズムと、こ
のプリズムの第１の面に偏光膜を介して設けたガラスプ
リズムと、前記偏光膜で反射される前記半導体レーザか
らの出射光を、光磁気記録媒体にスポットとして照射す
る集光手段と、この集光手段と前記プリズムとの間に設
けたホログラムと、前記光磁気記録媒体で反射され、前
記集光手段を経て前記ホログラムに入射する戻り光のう
ち、該ホログラムで回折される＋１次回折光および／ま
たは−１次回折光を受光する第１の光検出器と、前記ホ
ログラムを０次光で透過する戻り光のうち、前記ガラス
プリズムおよび偏光膜を透過し、さらに前記プリズムを
屈折透過して、該プリズムの第２の面から出射される常
光および異常光を受光する第２の光検出器とを有し、前
記第１の光検出器の出力に基づいて、前記集光手段の前
記光磁気記録媒体に対する相対的位置ずれを表すエラー
信号を検出し、前記第２の光検出器の出力に基づいて前
記光磁気記録媒体に記録されている光磁気信号を検出し
得るよう構成したことを特徴とするものである。

【００２１】第２の発明において、前記プリズムによる
前記常光および異常光の屈折率は、ともに１．８未満と
し、前記ガラスプリズムの屈折率は、前記常光と異常光
との屈折率の中間の値にするのが、前記常光および異常
光の収差の発生を小さくして、これらを確実に分離する
点で好ましい。

【００２２】第２の発明において、前記プリズムによる
前記常光および異常光の屈折率は、ともに１．８以上と
し、前記ガラスプリズムの屈折率は１．６以上とするの
が、前記常光および異常光の収差の発生を小さくして、
これらを確実に分離する点で好ましい。

【００２３】第２の発明において、前記第２の光検出器
は、前記常光および異常光の屈折により発生する非点収
差の焦線位置近傍に配置するのが、前記常光および異常
光を確実に分離して受光する点で好ましい。

【００２４】第１および第２の発明において、前記偏光
膜は、Ｓ偏光成分の反射率が５０％以上、Ｐ偏光成分の
透過率が８０％以上の特性を有することが、光の利用効
率を高めて、光磁気信号を高感度で検出する点で好まし
い。

【００２５】第１および第２の発明において、前記第１
の光検出器および第２の光検出器は、異なる半導体基板
上に形成するのが、前記第１の光検出器と前記ホログラ
ムとの光学的距離および前記第２の光検出器と前記ホロ
グラムとの光学的距離を自由に変えられ、設計の自由度
を上げる点で好ましい。

【００２６】第１および第２の発明において、前記偏光
膜に入射する前記半導体レーザからの出射光のうち、前
記偏光膜を透過し、さらに前記プリズムを屈折透過し
て、該プリズムの第２の面または第３の面から出射され
る光束を受光する第３の光検出器を設け、この第３の光
検出器の出力に基づいて、前記半導体レーザの出射光の
パワーを制御するのが、所望のパワーの出射光を安定し
て得る点で好ましい。

【００２７】

【作用】第１の発明において、半導体レーザからの出射
光は、一軸性複屈折結晶からなるプリズムの第１の面に
設けた偏光膜で反射された後、ホログラムおよび集光手
段を経て光磁気記録媒体にスポットとして照射される。
また、該光磁気記録媒体で反射される戻り光は、集光手
段を経てホログラムに入射し、ここで回折される＋１次
回折光および／または−１次回折光は、第１の光検出器
で受光され、その出力に基づいて、集光手段の光磁気記
録媒体に対する相対的位置ずれを表すエラー信号が検出
され、０次光は、偏光膜を透過し、さらにプリズムを屈
折透過して非点収差を有する常光および異常光に分離さ
れ、これら常光および異常光がプリズムの第２の面から
出射されて、非点収差の焦線位置近傍に配置された第２
の光検出器で受光され、その出力に基づいて光磁気信号
が検出される。

【００２８】また、第２の発明において、半導体レーザ
からの出射光は、ガラスプリズムに入射して、一軸性複
屈折結晶からなるプリズムの第１の面に設けた偏光膜で
反射され、その後、ガラスプリズムを透過してホログラ
ムおよび集光手段を経て光磁気記録媒体にスポットとし
て照射される。また、該光磁気記録媒体で反射される戻
り光は、集光手段を経てホログラムに入射し、ここで回
折される＋１次回折光および／または−１次回折光は、
第１の光検出器で受光され、その出力に基づいて集光手
段の光磁気記録媒体に対する相対的位置ずれを表すエラ
ー信号が検出され、０次光は、ガラスプリズムに入射し
た後、偏光膜を透過し、さらに一軸性複屈折結晶からな
るプリズムを屈折透過して常光および異常光に分離さ
れ、これら常光および異常光がプリズムの第２の面から
出射されて第２の光検出器で受光され、その出力に基づ
いて光磁気信号が検出される。

【００２９】

【実施例】図１および図２は、この発明の第１実施例を
示すものである。この光ヘッドは、半導体レーザ１、一
軸性複屈折結晶としてのニオブ酸リチウムからなるプリ
ズム２、第１の光検出器６および第２の光検出器７を有
する半導体基板９と、ホログラム５と、対物レンズ４と
を有する。半導体レーザ１は、金属または半導体よりな
る台１０を介して半導体基板９上に設け、該半導体レー
ザ１から半導体基板９に対して水平方向にレーザ光を出
射させる。また、プリズム２は、半導体基板９上に設
け、その第１の面（斜面）２ａには、Ｓ偏光成分の反射
率が５０％以上、Ｐ偏光成分の透過率が８０％以上の特
性を有する偏光膜３を設けて、半導体レーザ１からの出
射光を、偏光膜３で半導体基板９のほぼ法線方向に反射
させ、ホログラム５に入射させるようにする。

【００３０】ホログラム５には、わずかな曲率をもった
ホログラムパターン５ａを形成し、このホログラムパタ
ーン５ａを透過する光束を、対物レンズ４により集束し
て、光磁気記録媒体８にスポット状に照射するようにす
る。

【００３１】また、光磁気記録媒体８で反射される戻り
光は、対物レンズ４を経てホログラム５のホログラムパ
ターン５ａに入射させ、ここで回折される±１次回折光
を第１の光検出器６で分離して受光するようにし、０次
光を偏光膜３に入射させる。偏光膜３に入射した戻り光
のうち、該偏光膜３を透過する戻り光は、プリズム２の
第１の面２ａを屈折透過させて、常光と異常光とに分離
し、これら常光および異常光をプリズム２の第２の面２
ｂから出射させて、第２の光検出器７で分離して受光す
るようにする。なお、プリズム２を構成する一軸性複屈
折結晶の光学軸２ｃの方向は、戻り光の光軸に垂直な面
内で、Ｓ偏光方向に対して４５°傾いた方向とする。

【００３２】第１の光検出器６は、半導体基板９に形成
する。この第１の光検出器６は、戻り光のホログラムパ
ターン５ａでの±１次回折光を分離して受光するため、
２つの受光部６−１，６−２をもって構成すると共に、
各受光部を、光磁気記録媒体８の記録トラックと平行な
方向の分割線で分割した３分割受光領域６ａ，６ｂ，６
ｃ；６ｄ，６ｅ，６ｆをもって構成する。また、第２の
光検出器７は、プリズム２による常光および異常光の屈
折により発生する非点収差の焦線位置近傍に位置するよ
うに、半導体基板９に形成する。この第２の光検出器７
は、プリズム２による常光および異常光を分離して受光
するため、２つの受光領域７ａ，７ｂをもって構成す
る。

【００３３】以下、この実施例の動作を説明する。この
実施例では、半導体レーザ１からの出射光を、偏光膜３
を設けたプリズム２の第１の面２ａにＳ偏光で入射させ
る。このように、Ｓ偏光で入射させると、偏光膜３はＳ
偏光成分の反射率が５０％以上、Ｐ偏光成分の透過率が
８０％以上の特性を有するので、その５０％以上が反射
されて、ホログラム５のホログラムパターン５ａに入射
することになる。ホログラムパターン５ａに入射した半
導体レーザ１からの出射光は、７０％以上が０次光とし
て透過し、その０次光が対物レンズ４により光磁気記録
媒体８にスポットとして照射されることになる。

【００３４】また、光磁気記録媒体８で反射される戻り
光は、再び対物レンズ４で集光されて、ホログラム５の
ホログラムパターン５ａに入射し、その７０％以上が０
次光で透過し、残りの一部が±１次回折となる。これら
±１次回折光は、わずかな曲率をもったホログラムパタ
ーン５ａの作用により、光軸方向に互いに逆方向の像点
移動が与えられ、それぞれ第１の光検出器６の第１の受
光部６−１を構成する受光領域６ａ〜６ｃおよび第２の
受光部６−２を構成する受光領域６ｄ〜６ｆに入射す
る。

【００３５】したがって、フォーカスエラー信号ＦＥＳ
は、受光領域６ａ〜６ｆのそれぞれの出力をＩａ〜１ｆ
とすると、ビームサイズ法を用いて、 ＦＥＳ＝（Ｉａ＋１ｅ＋１ｃ）−（１ｄ＋Ｉｂ＋１ｆ） により得ることができる。また、トラッキングエラー信
号ＴＥＳは、プッシュプル法により、 ＴＥＳ＝（Ｉａ＋１ｆ）−（１ｃ＋１ｄ） により得ることができる。

【００３６】また、ホログラム５を０次光で透過する光
磁気記録媒体８からの戻り光は、再び偏光膜３に入射す
る。ここで、光磁気記録媒体８には、情報が磁化の方向
として記録されているので、光磁気記録媒体８で反射さ
れる戻り光の偏光方向は、磁化の方向に応じて反対方向
にわずかに回転したものとなる。したがって、再び偏光
膜３に入射する光磁気記録媒体８からの戻り光は、Ｐ偏
光成分を含むことになる。この光磁気記録媒体８からの
戻り光は、偏光膜３の作用により、Ｓ偏光成分の５０％
未満がプリズム２の第１の面２ａを屈折透過し、Ｐ偏光
成分の８０％以上がプリズム２の第１の面２ａを屈折透
過して、一軸性複屈折結晶の作用により常光と異常光と
に分離され、プリズム２の第２の面２ｂから出射され
る。

【００３７】プリズム２の第２の面２ｂから出射される
常光および異常光は、プリズム２の第１の面２ａを屈折
透過することで、非点収差およびコマ収差が発生し、そ
の非点収差により常光および異常光が焦線状に結像する
位置近傍に配置された第２の光検出器７の受光領域７ａ
および受光領域７ｂにそれぞれ入射する。ここで、プリ
ズム２を構成する一軸性複屈折結晶の光学軸２ｃは、光
磁気記録媒体８からの戻り光の光軸に垂直な面内で、Ｓ
偏光方向に対して４５°傾いているので、戻り光の偏光
方向は、光学軸２ｃに対して角度が変化し、常光および
異常光の強度が変化することになる。したがって、この
強度変化を受光領域７ａ，７ｂで検出すれば、光磁気記
録媒体８に記録された情報に対応する光磁気信号を得る
ことができる。すなわち、第２の光検出器７の受光領域
７ａ，７ｂのそれぞれの出力をＪａ，Ｊｂとすると、光
磁気信号Ｓは、 Ｓ＝Ｊａ−Ｊｂ により得ることができる。

【００３８】この実施例によれば、光磁気記録媒体８か
らの戻り光のうち、ホログラム５を０次光で透過する戻
り光に基づいて光磁気信号を検出するようにしているの
で、ホログラム５での０次光として、戻り光の７０％以
上が透過、すなわちホログラムによる信号成分の損失
を、３０％未満と小さくできる。また、光磁気記録媒体
８からの戻り光のうち、信号成分であるＰ偏光成分の８
０％以上が、偏光膜３を透過し、さらにプリズム２の第
１の面２ａを屈折透過するので、図１９に示した従来例
で問題であったハーフミラーによる信号成分の損失に比
べ、偏光膜３による信号成分の損失を２０％未満と小さ
くすることができる。さらに、第２の光検出器７を、常
光と異常光とが焦線状に結像する位置近傍（焦線位置近
傍）に配置したので、プリズム２の第２の面２ｂから出
射される常光および異常光を確実に分離して受光するこ
とができる。

【００３９】以上のことから、この実施例によれば、Ｃ
／Ｎの高い光磁気信号を得ることができる。なお、Ｃ／
Ｎをより高めるためには、好ましくは、ホログラム５の
０次光の透過率を８０％以上、偏光膜３のＰ偏光成分の
透過率を９０％以上、より好ましくは、偏光膜３のＰ偏
光成分の透過率を９５％以上とする。

【００４０】図３は、この発明の第２実施例を示すもの
である。この実施例は、一軸性複屈折結晶からなるプリ
ズム２の形状を台形としたもので、その他の構成は第１
実施例と同じである。このように、プリズム２を台形と
すれば、それが三角形の場合よりも、第２の光検出器７
を、プリズム２による常光および異常光の焦線位置近傍
に容易に配置できる利点がある。このように、第２の光
検出器７を常光および異常光の焦線位置近傍に配置する
ことにより、図４に第２の光検出器７上でのスポットダ
イアグラムを示すように、常光と異常光とをそれぞれ完
全に分離して受光することができる。

【００４１】図５は、この発明の第３実施例を示すもの
である。この実施例は、第１実施例において、プリズム
２と第２の光検出器７との間に、ガラス、プラスチック
等の透明部材１１を配置したものである。このように構
成すれば、第２実施例におけると同様に、第２の光検出
器７を、プリズム２による常光および異常光の焦線位置
近傍に容易に配置できる利点がある。

【００４２】図６は、この発明の第４実施例を示すもの
である。この実施例は、第１実施例において、プリズム
２の第２の面２ｂと半導体基板９との間に空間１３を有
するように、プリズム２を支持部材１２を介して半導体
基板９上に設けたものである。この場合も、第２および
第３実施例におけると同様に、第２の光検出器７を、プ
リズム２による常光および異常光の焦線位置近傍に容易
に配置できる利点がある。

【００４３】なお、第４実施例においては、プリズム２
として、ニオブ酸リチウムを用いると、ニオブ酸リチウ
ムによる常光および異常光の屈折率が高く、プリズム２
の第２の面２ｂで全反射が生じるため、この場合には、
プリズム２として、常光および異常光の屈折率が低い一
軸性複屈折結晶を用いる。また、空間１３は、空気また
は窒素で満たすようにする。

【００４４】図７は、この発明の第５実施例を示すもの
である。この実施例は、第１実施例において、プリズム
２の第１の面２ａに偏光膜１４を介してガラスプリズム
１５を貼り合わせて設けると共に、半導体基板９に形成
した第２の光検出器７を構成する受光領域７ａ，７ｂ
を、プリズム２の第２の面２ｂから出射される常光およ
び異常光の屈折により発生する非点収差の焦線位置近傍
に限ることなく、これらを分離して受光し得る任意の位
置に配置したもので、その他の構成は第１実施例と同様
である。

【００４５】この実施例において、光磁気記録媒体８か
らの戻り光のうち、ホログラム５のホログラムパターン
５ａで回折される±１次回折光は、第１の光検出器６を
構成する第１，第２の受光部６−１，６−２にそれぞれ
入射するので、これら第１，第２の受光部６−１，６−
２の出力に基づいて、第１実施例と同様にして、フォー
カスエラー信号ＦＥＳおよびトラッキングエラー信号Ｔ
ＥＳを検出することができる。

【００４６】また、ホログラム５を０次光で透過する光
磁気記録媒体８からの戻り光は、ガラスプリズム１５を
透過して、再び偏光膜１４に入射する。ここで、光磁気
記録媒体８には情報が磁化の方向として記録されてお
り、光磁気記録媒体８で反射される戻り光の偏光方向
は、磁化の方向に応じて反対方向にわずかに回転するの
で、再び偏光膜１４に入射する光磁気記録媒体８からの
戻り光は、Ｐ偏光成分を含むことになる。この光磁気記
録媒体８からの戻り光は、偏光膜１４で、Ｓ偏光成分の
５０％未満がプリズム２の第１の面２ａを屈折透過し、
Ｐ偏光成分の８０％以上がプリズム２の第１の面２ａを
屈折透過して、一軸性複屈折結晶の常光と異常光とに分
離され、これら常光および異常光が、プリズム２の第２
の面２ｂから出射して、第２の光検出器７を構成する受
光領域７ａおよび受光領域７ｂに分離して入射すること
になる。

【００４７】ここで、一軸性複屈折結晶の光学軸２ｃ
は、光磁気記録媒体８からの戻り光の光軸に垂直な面内
で、Ｓ偏光方向に対して４５°傾いているので、戻り光
の偏光方向は、光学軸２ｃに対して角度が変化し、常光
と異常光の強度が変化することになる。したがって、こ
の強度変化を受光領域７ａ，７ｂで検出すれば、光磁気
記録媒体８に記録された情報に対応する光磁気信号を得
ることができる。すなわち、第２の光検出器７の受光領
域７ａ、７ｂのそれぞれの出力をＪａ、Ｊｂとすると、
光磁気信号Ｓは、 Ｓ＝Ｊａ−Ｊｂ により得ることができる。

【００４８】この実施例によれば、第１実施例における
と同様に、光磁気記録媒体８からの戻り光のうち、ホロ
グラム５を０次光で透過する戻り光に基づいて光磁気信
号を検出するようにしているので、ホログラム５での０
次光として、戻り光の７０％以上が透過、すなわちホロ
グラムによる信号成分の損失を、３０％未満と小さくで
きる。また、光磁気記録媒体８からの戻り光のうち、信
号成分であるＰ偏光成分の８０％以上が、偏光膜１４を
透過し、さらにプリズム２の第１の面２ａを屈折透過す
るので、図１９に示した従来例で問題であったハーフミ
ラーによる信号成分の損失に比べ、偏光膜１４による信
号成分の損失を２０％未満と小さくすることができる。

【００４９】さらに、プリズム２の第１の面２ａに偏光
膜１４を介してガラスプリズム１５を貼り合わせたの
で、プリズム２の第１の面２ａを屈折透過することによ
り発生する非点収差およびコマ収差を小さく抑えること
ができる。したがって、プリズム２の第２の面２ｂから
出射される常光および異常光をそれぞれ受光する２つの
受光領域７ａ、７ｂを、特に、常光および異常光の屈折
により発生する非点収差の焦線位置近傍に配置しなくて
も、常光と異常光とを確実に分離して受光することがで
き、設計の自由度を増すことができる。

【００５０】以上のことから、この実施例においても、
Ｃ／Ｎの高い光磁気信号を得ることができる。なお、Ｃ
／Ｎをより高めるためには、好ましくは、ホログラム５
の０次光の透過率を８０％以上、偏光膜１４のＰ偏光成
分の透過率を９０％以上、より好ましくは、偏光膜１４
のＰ偏光成分の透過率を９５％以上とする。

【００５１】この第５実施例においても、第２〜４実施
例に示したのと同様の構成が可能である。すなわち、プ
リズム２の形状を三角形から台形に変更したり、プリズ
ム２と第２の光検出器７との間に透明部材を配置した
り、さらには、プリズム２と半導体基板９との間に空間
が形成されるように、プリズム２を支持部材１２を介し
て半導体基板９に設けることもできる。なお、プリズム
２と半導体基板９との間に空間を設ける場合には、第４
の実施例の場合と異なり、プリズム２の第１の面２ａを
屈折透過する際の屈折角が小さく、プリズム２の第２の
面２ｂで全反射が生じないので、プリズム２を構成する
一軸性複屈折結晶として、常光および異常光の屈折率の
高いものを用いることができる。

【００５２】なお、この発明は上述した実施例にのみ限
定されるものではなく、幾多の変形または変更が可能で
ある。例えば、第１，第２，第３および第５実施例で
は、プリズム２を一軸性複屈折結晶であるニオブ酸リチ
ウムを用いて構成したが、他の一軸性複屈折結晶、例え
ば、水晶、ルチル、方解石、ＫＤＰ（ＫＨ₂ ＰＯ₄ ）、
ＡＤＰ（ＮＨ₄ Ｈ₂ ＰＯ₄ ）、ＭｇＦ₂ 等をもって構成
することもできる。

【００５３】また、第５実施例においては、プリズム２
の第１の面２ａに偏光膜１４を介してガラスプリズム１
５を貼り合わせることで、プリズム２の第１の面２ａを
屈折透過することにより発生する非点収差およびコマ収
差を小さく抑えるようにしたが、一軸性複屈折結晶とし
て、常光および異常光の屈折率が１．８未満の通常使わ
れるガラスの屈折率に近いものを用いる場合には、常光
および異常光の屈折率の中間の屈折率を有するガラスプ
リズムを用いることにより、収差をより小さく抑えるこ
とができる。これに対して、一軸性複屈折結晶として、
ニオブ酸リチウムやルチルのように、常光および異常光
の屈折率が、通常使われる高屈折率ガラスの屈折率（せ
いぜい１．８程度）を越えるものを用いる場合には、偏
光膜１４を介して貼り合わせるガラスプリズム１５とし
ては、屈折率が１．６以上の高屈折率ガラスを使うこと
が収差の点から望ましい。

【００５４】さらに、第５実施例においても、第２の光
検出器７を、常光および異常光の屈折により発生する非
点収差の焦線位置近傍に配置することもできる。このよ
うにすれば、プリズム２の第１の面２ａを屈折透過する
ことにより発生する非点収差およびコマ収差が十分小さ
く抑えられない場合でも、プリズム２の第２の面２ｂか
ら出射される常光および異常光を確実に分離して受光す
ることができる。

【００５５】また、上述した各実施例では、ホログラム
パターン５ａで回折された戻り光の±１次回折光を、第
１の光検出器６を構成する３分割受光領域６ａ，６ｂ，
６ｃおよび６ｄ，６ｅ，６ｆで分離して受光して、これ
ら受光領域の出力に基づいてフォーカスエラー信号ＦＥ
Ｓおよびトラッキングエラー信号ＴＥＳを検出するよう
にしたが、第１の光検出器６を図８に示すように構成す
ると共に、ホログラムパターン５ａを図９に示すように
構成して、フォーカスエラー信号ＦＥＳおよびトラッキ
ングエラー信号ＴＥＳを検出するようにすることもでき
る。

【００５６】すなわち、第１の光検出器６を、図８に示
すように、第１の受光部６−１に受光領域６ｇを、第２
の受光部６−２に受光領域６ｈをそれぞれ付加して構成
する。ただし、３分割受光領域６ａ，６ｂ，６ｃおよび
６ｄ，６ｅ，６ｆの各分割線は、光磁気記録媒体８の記
録トラックに垂直な方向とする。また、ホログラムパタ
ーン５ａは、図９に示すように、２つの領域５ｂおよび
５ｃに分割して構成する。ここで、領域５ｂ、５ｃの分
割線は、光磁気記録媒体８の記録トラックに平行である
ことが望ましい。また、領域５ｂのパターンは、直線状
とし、領域５ｃのパターンは、わずかな曲率をもったパ
ターンとする。

【００５７】このようにして、光磁気記録媒体８からの
戻り光のうち、ホログラムパターン５ａの領域５ｃで回
折される±１次回折光を、わずかな曲率をもったパター
ンの作用により、光軸方向に互いに逆方向の像点移動を
与えて、３分割受光領域６ａ，６ｂ，６ｃおよび６ｄ，
６ｅ，６ｆで分離して受光する。また、ホログラムパタ
ーン５ａの領域５ｂで回折される±１次回折光は、それ
ぞれ受光領域６ｇおよび６ｈで分離して受光する。この
ようにすれば、受光領域６ａ〜６ｈのそれぞれの出力を
Ｉａ〜Ｉｈとすると、フォーカスエラー信号ＦＥＳは、
ビームサイズ法を用いて、 ＦＥＳ＝（Ｉａ＋Ｉｅ＋Ｉｃ）−（Ｉｄ＋Ｉｂ＋Ｉｆ） により得ることができる。またトラッキングエラー信号
ＴＥＳは、プッシュプル法を用いて、 ＴＥＳ＝（Ｉａ＋Ｉｂ＋Ｉｃ＋Ｉｄ＋Ｉｅ＋Ｉｆ）−
（Ｉｇ＋Ｉｈ） により得ることができる。

【００５８】また、フォーカスエラー信号ＦＥＳおよび
トラッキングエラー信号ＴＥＳは、第１の光検出器６を
図１０に示すように構成すると共に、ホログラムパター
ン５ａを図１１に示すように構成して検出するようにす
ることもできる。すなわち、図１０に示すように、第１
の光検出器６の第１の受光部６−１を、受光領域６ｉ，
６ｌおよび２分割受光領域６ｊ，６ｋをもって構成し、
第２の受光部６−２を受光領域６ｍ，６ｎ，６ｏをもっ
て構成する。なお、２分割受光領域６ｊ，６ｋの分割線
は、光磁気記録媒体８の記録トラックと垂直な方向とす
る。また、ホログラム５のホログラムパターン５ａは、
図１１に示すように、３つの領域５ｄ〜５ｆに分割す
る。ここで、ホログラムパターン５ａの領域５ｄと、領
域５ｅ、５ｆとの分割線は、光磁気記録媒体８の記録ト
ラックに垂直な方向とし、領域５ｅと領域５ｆとの分割
線は、光磁気記録媒体８の記録トラックに平行な方向と
するのが望ましい。なお、領域５ｄ〜５ｆのパターン
は、いずれ直線状とする。

【００５９】このようにして、光磁気記録媒体８からの
戻り光のうち、ホログラムパターン５ａの領域５ｄでの
＋１次回折光を、２分割受光領域６ｊ，６ｋの分割線上
に入射させて受光し、−１次回折光を受光領域６ｎで受
光する。また、ホログラムパターン５ａの領域５ｅでの
±１次回折光は、それぞれ受光領域６ｉおよび受光領域
６ｏで受光し、ホログラムパターン５ａの領域５ｆでの
±１次回折光を、それぞれ受光領域６ｌおよび受光領域
６ｍで受光する。このようにすれば、受光領域６ｉ〜６
ｏのそれぞれの出力をＩｉ〜Ｉｏとすると、フォーカス
エラー信号ＦＥＳは、ナイフエッジ法を用いて、 ＦＥＳ＝Ｉｊ−Ｉｋ により検出することができる。また、トラッキングエラ
ー信号ＴＥＳは、プッシュプル法により、 ＴＥＳ＝（Ｉｉ＋Ｉｏ）−（Ｉｌ＋Ｉｍ） により検出することができる。

【００６０】さらに、図１０において、受光領域６ｍ〜
６ｏを省略して、受光領域６ｉ〜６ｌの出力に基づい
て、フォーカスエラー信号ＦＥＳおよびトラッキングエ
ラー信号ＴＥＳを検出することもできる。この場合、フ
ォーカスエラー信号ＦＥＳは、ナイフエッジ法を用い
て、 ＦＥＳ＝Ｉｊ−Ｉｋ により検出することができる。また、トラッキングエラ
ー信号ＴＥＳは、プッシュプル法により、 ＴＥＳ＝Ｉｉ−Ｉｌ により検出することができる。

【００６１】また、上述した各実施例では、第１の光検
出器６および第２の光検出器７を同一の半導体基板９上
に形成したが、これらを別々の半導体基板上に形成する
こともできる。例えば、第１実施例の変形例として、図
１２に上面図を、図１３にその側面図をそれぞれ示すよ
うに、第１の光検出器６を第１の半導体基板９−１に形
成し、第２の光検出器７を第２の半導体基板９−２に形
成する。第１の半導体基板９−１には、２つの受光部６
−１，６−２間に、エッチング等により切り欠き部９ａ
を形成し、この切り欠き部９ａに第２の光検出器７が位
置するように、第１の半導体基板９−１と第２の半導体
基板９−２とを接合する。また、半導体レーザ１は、そ
の端面が切り欠き部９ａの稜線９ｂに一致するように、
第１の半導体基板９−１に固定し、プリズム２は、受光
部６−１，６−２の中間に位置するように、切り欠き部
９ａにおいて第２の半導体基板９−２に固定する。

【００６２】このように、第１の光検出器６と第２の光
検出器７とを、別々の半導体基板９−１，９−２上に形
成するようにすれば、ホログラム５と第１の光検出器６
との光学的距離、およびホログラム５と第２の光検出器
７との光学的距離を自由に変えることができるので、設
計の自由度を上げることができる。

【００６３】さらに、第２実施例の変形例として、図１
４に示すように、半導体レーザ１を台１０を介して第１
の半導体基板９−１に固定するようにすれば、半導体レ
ーザ１とホログラム５との光学的距離も自由に変えて設
計することができるようになる。

【００６４】また、上述した各実施例および変形例にお
いて、半導体レーザ１の出射光を受光する第３の光検出
器を設け、その出力に基づいて半導体レーザ１の出射光
のパワーを制御するよう構成することもできる。例え
ば、図１５に示すように、偏光膜３に入射する半導体レ
ーザ１からの出射光のうち、偏光膜３を透過し、さらに
プリズム２を屈折透過して、プリズム２の第２の面２ｂ
より出射される光束（常光と異常光とに分離される光束
を略して１本の光線で示す）を受光するように、半導体
基板９上に第３の光検出器１６を設け、この第３の光検
出器１６の出力に基づいて、半導体レーザ１の出射光の
パワーを制御するように構成する。あるいは、図１６に
示すように、偏光膜３に入射する半導体レーザ１からの
出射光のうち、偏光膜３を透過し、さらにプリズム２を
屈折透過して、プリズム２の第３の面２ｃより出射され
る光束を受光するように、半導体基板９上に第３の光検
出器１６を設け、この第３の光検出器１６の出力に基づ
いて、半導体レーザ１の出射光のパワーを制御するよう
に構成する。

【００６５】このように、半導体レーザ１の出射光を受
光するように第３の光検出器１６を設けて、その出力に
基づいて半導体レーザ１の出射光のパワーを制御するよ
うにすれば、所望のパワーの出射光を安定して得ること
ができるので、情報の記録再生を常に正確に行うことが
できる。なお、この第３の光検出器１６は、必ずしも第
１，第２の光検出器６，７と同一の半導体基板上に形成
する必要はない。

【００６６】また、上述した各実施例では、半導体レー
ザ１からの出射光を、偏光膜３または１４を設けたプリ
ズム２の第１の面２ａで、光磁気ディスク８の記録面に
対してほぼ垂直方向に反射させて、光磁気記録媒体８に
照射するようにしたが、対物レンズ４とホログラム５と
の間にミラーを設けて、光軸を９０°曲げることもでき
る。このようにすれば、光ヘッドの薄型が可能になる利
点がある。

【００６７】さらに、対物レンズ４とホログラム５との
間にミラーを設けると共に、このミラーとホログラム５
との間にコリメータレンズを設けて、半導体レーザ１か
ら出射される発散光を、コリメータレンズで平行光に変
換した後、ミラーで反射させて対物レンズを経て光磁気
記録媒体８に照射するよう構成することもできる。この
ようにすれば、ミラーとコリメータレンズとの間の距離
を自由にかえることができるので、対物レンズおよびミ
ラーのみを、光磁気記録媒体８の記録トラックを横切る
方向に移動させて、光磁気記録媒体８の任意の記録トラ
ックをアクセスすることができ、これにより光ヘッド全
体を移動させて任意の記録トラックをアクセスする場合
に比べて、高速アクセスが可能となる。

【００６８】

【発明の効果】以上のように、第１の発明によれば、光
磁気記録媒体からの戻り光のうち、ホログラムを０次光
で透過し、さらに偏光膜を透過する光に基づいて光磁気
信号を検出するようにしたので、信号成分の損失を最小
限に抑えることができ、Ｃ／Ｎの高い光磁気信号を得る
ことができる。また、一軸性複屈折結晶よりなるプリズ
ムの第１の面を屈折透過する常光および異常光の非点収
差の焦線位置近傍に第２の光検出器を配置したので、常
光および異常光を確実に分離して受光することができ
る。

【００６９】また、第２の発明によれば、第１の発明と
同様に、信号成分の損失を最小限に抑えて、Ｃ／Ｎの高
い光磁気信号を得ることができる他、この第２の発明に
おいては、一軸性複屈折結晶よりなるプリズムの第１の
面に偏光膜を介してガラスプリズムを設けたので、プリ
ズムの第１の面を屈折透過する常光および異常光の収差
を小さく抑えることができ、これにより常光および異常
光を確実に分離して第２の光検出器で受光することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施例を示す図である。

【図２】図１の部分側面図である。

【図３】この発明の第２実施例を説明するための図であ
る。

【図４】第１，第２実施例における第２の光検出器上で
のスポットダイアグラムを示す図である。

【図５】この発明の第３実施例を説明するための図であ
る。

【図６】同じく、第４実施例を説明するための図であ
る。

【図７】同じく、第５実施例を説明するための図であ
る。

【図８】この発明の変形例を説明するための第１の光検
出器の構成を示す図である。

【図９】同じく、ホログラムパターンの構成を示す図で
ある。

【図１０】この発明の他の変形例を説明するための第１
の光検出器の構成を示す図である。

【図１１】同じく、ホログラムパターンの構成を示す図
である。

【図１２】第１実施例の変形例を示す上面図である。

【図１３】図１２の側面図である。

【図１４】第２実施例の変形例を示す側面図である。

【図１５】第３の光検出器を有するこの発明の光ヘッド
の一例の構成を示す側面図である。

【図１６】同じく、他の例の構成示す側面図である。

【図１７】従来の光ヘッドの一例を説明するための図で
ある。

【図１８】図１７の部分詳細図である。

【図１９】従来の光ヘッドの他の例を説明するための図
である。

【図２０】図１９に示す構成の光ヘッドにおけるスポッ
トダイアグラムの計算例を示す図である。

【図２１】従来の光ヘッドのさらに他の例を説明するた
めの図である。

【符号の説明】

１ 半導体レーザ ２ プリズム ２ａ 第１の面 ２ｂ 第２の面 ３ 偏光膜 ４ 対物レンズ ５ ホログラム ５ａ ホログラムパターン ６ 第１の光検出器 ６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ 受光領域 ７ 第２の光検出器 ７ａ，７ｂ 受光領域 ８ 光磁気記録媒体 ９ 半導体基板 １０ 台 １６ 第３の光検出器

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体レーザと、 この半導体レーザからの出射光を反射させる第１の面を
   有する一軸性複屈折結晶からなるプリズムと、 このプリズムの第１の面に設けた偏光膜と、 この偏光膜で反射される前記半導体レーザからの出射光
   を、光磁気記録媒体にスポットとして照射する集光手段
   と、 この集光手段と前記プリズムとの間に設けたホログラム
   と、 前記光磁気記録媒体で反射され、前記集光手段を経て前
   記ホログラムに入射する戻り光のうち、該ホログラムで
   回折される＋１次回折光および／または−１次回折光を
   受光する第１の光検出器と、 前記ホログラムを０次光で透過する戻り光のうち、前記
   偏光膜を透過し、さらに前記プリズムを屈折透過して、
   該プリズムの第２の面から出射される常光および異常光
   を受光するように、これら常光および異常光の屈折によ
   り発生する非点収差の焦線位置近傍に配置した第２の光
   検出器とを有し、 前記第１の光検出器の出力に基づいて、前記集光手段の
   前記光磁気記録媒体に対する相対的位置ずれを表すエラ
   ー信号を検出し、前記第２の光検出器の出力に基づいて
   前記光磁気記録媒体に記録されている光磁気信号を検出
   し得るよう構成したことを特徴とする光ヘッド。
2. 【請求項２】 半導体レーザと、 この半導体レーザからの出射光を反射させる第１の面を
   有する一軸性複屈折結晶からなるプリズムと、 このプリズムの第１の面に偏光膜を介して設けたガラス
   プリズムと、 前記偏光膜で反射される前記半導体レーザからの出射光
   を、光磁気記録媒体にスポットとして照射する集光手段
   と、 この集光手段と前記プリズムとの間に設けたホログラム
   と、 前記光磁気記録媒体で反射され、前記集光手段を経て前
   記ホログラムに入射する戻り光のうち、該ホログラムで
   回折される＋１次回折光および／または−１次回折光を
   受光する第１の光検出器と、 前記ホログラムを０次光で透過する戻り光のうち、前記
   ガラスプリズムおよび偏光膜を透過し、さらに前記プリ
   ズムを屈折透過して、該プリズムの第２の面から出射さ
   れる常光および異常光を受光する第２の光検出器とを有
   し、 前記第１の光検出器の出力に基づいて、前記集光手段の
   前記光磁気記録媒体に対する相対的位置ずれを表すエラ
   ー信号を検出し、前記第２の光検出器の出力に基づいて
   前記光磁気記録媒体に記録されている光磁気信号を検出
   し得るよう構成したことを特徴とする光ヘッド。
3. 【請求項３】 前記プリズムによる前記常光および異常
   光の屈折率をともに１．８未満とし、前記ガラスプリズ
   ムの屈折率を、前記常光と異常光との屈折率の中間の値
   にしたことを特徴とする請求項２記載の光ヘッド。
4. 【請求項４】 前記プリズムによる前記常光および異常
   光の屈折率をともに１．８以上とし、前記ガラスプリズ
   ムの屈折率を１．６以上としたことを特徴とする請求項
   ２記載の光ヘッド。
5. 【請求項５】 前記第２の光検出器を、前記常光および
   異常光の屈折により発生する非点収差の焦線位置近傍に
   配置したことを特徴とする請求項２，３または４記載の
   光ヘッド。
6. 【請求項６】 前記偏光膜は、Ｓ偏光成分の反射率が５
   ０％以上、Ｐ偏光成分の透過率が８０％以上の特性を有
   することを特徴とする請求項１，２，３，４または５記
   載の光ヘッド。
7. 【請求項７】 前記第１の光検出器および第２の光検出
   器を、異なる半導体基板上に形成したことを特徴とする
   請求項１，２，３，４，５または６記載の光ヘッド。
8. 【請求項８】 前記偏光膜に入射する前記半導体レーザ
   からの出射光のうち、前記偏光膜を透過し、さらに前記
   プリズムを屈折透過して、該プリズムの第２の面または
   第３の面から出射される光束を受光する第３の光検出器
   を設け、この第３の光検出器の出力に基づいて、前記半
   導体レーザの出射光のパワーを制御するよう構成したこ
   とを特徴とする請求項１，２，３，４，５，６または７
   記載の光ヘッド。