JPH07296439A

JPH07296439A - 光ヘッド

Info

Publication number: JPH07296439A
Application number: JP9234994A
Authority: JP
Inventors: Shiyouhei Kobayashi; 章兵小林
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1994-04-28
Filing date: 1994-04-28
Publication date: 1995-11-10

Abstract

(57)【要約】【目的】複屈折性の平板を用いて、偏光方向が互いに
直交する２つの光束に偏光分離し、これらの光束を光検
出器上で確実に分離して検出できる光ヘッドを提供す
る。【構成】半導体レーザ１からの出射光を、ホログラム
素子６、ビームスプリッタ３および光学手段２を経て光
磁気記録媒体14に照射し、その戻り光を光学手段２を経
てビームスプリッタ３に入射させて、その一部を往路か
ら分離し、その分離された戻り光を複屈折性の平板４で
常光および異常光に偏光分離して第１の光検出器５で受
光して、情報の再生信号を検出し、ビームスプリッタ３
を経てホログラム素子６に入射する戻り光を、該ホログ
ラム素子６で回折分離して第２の光検出器７で受光し
て、フォーカスエラー信号を検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、光磁気記録媒体に対
して情報の記録再生を行う光ヘッドに関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】例えば、光磁気記録媒体に記録された情
報を再生する光ヘッドにおいては、半導体レーザからの
読み取り光を対物レンズを経て光磁気記録媒体にスポッ
ト状に照射し、この光磁気記録媒体で反射される戻り光
を、偏光方向が互いに直交する二つの光束に分離して、
それらの光束の強度変化から情報の再生信号を検出する
必要があると共に、その再生信号を正確に検出するた
め、光磁気記録媒体からの戻り光に基づいて、対物レン
ズの光磁気記録媒体に対する相対的位置ずれを表すフォ
ーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号を検出
する必要がある。

【０００３】このような光ヘッドとして、例えば、特開
昭６３−２４７９３８号公報には、サバール板を用い
て、戻り光を偏光方向が互いに直交する二つの光束に分
離するようにしたものが開示されている。なお、サバー
ル板は、光学技術ハンドブック（昭和４３年１０月２５
日初版発行、朝倉書店発行）第２８２頁、図３．８０
（ｂ）によれば、２枚の複屈折性の平板を貼り合わせた
ものとされているが、この従来例においては、１枚の複
屈折性の平板を含めてサバール板と称している。

【０００４】上記従来例の第１図に示されている光ヘッ
ドにおいては、その公報第４頁右上欄に述べられている
ように、サバール板によって光束を光軸に対して平行に
偏光分割し、その分割された２本の光ビームのうちの１
本の光ビームを、４分割光検出部に導いて、非点収差法
によりフォーカスエラー信号を検出するようにしてい
る。なお、非点収差はシリンドリカルにより与えてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記の従来例には、そ
の公報第４頁右下欄に、サバール板によって光束を光軸
に対して平行に偏光分割したときの分離幅ｄの式が示さ
れており、また、サバール板に方解石を用いた場合、サ
バール板の厚さをｔとすると、分離幅ｄは、ｄ≒０．１
０６ｔになると述べられている。したがって、例えば、
ｔ＝１ｍｍとすれば、ｄ≒０．１０６ｍｍとなる。この
場合、サバール板によって分割される２本の光ビーム
を、光検出器上で確実に分離するためには、光検出器上
の光スポットの大きさ（直径）を、ｄ／２≒０．０５３
ｍｍ以下とする必要がある。

【０００６】しかし、従来例では、シリンドリカルレン
ズにより戻り光に非点収差を与えているため、この非点
収差の影響で、光検出器上で光スポットを小さく絞れ
ず、これがためサバール板によって分割される２本の光
ビームを、光検出器上で確実に分離できないという問題
がある。

【０００７】また、上記従来例では、サバール板を、常
光線と異常光線との屈折率差の大きい方解石を用いて構
成することにより、分離幅ｄを大きくすることを考慮し
ているが、方解石は高価であり、実用的ではない。な
お、安価な材料を用いてサバール板を構成することもで
きるが、既知の安価な材料では、常光線と異常光線との
屈折率差が小さく、したがって分離幅ｄも小さくなっ
て、サバール板により分割される２本の光ビームを、光
検出器上で分離することがますます困難になるという問
題が生じることになる。

【０００８】この発明は、上述した問題点に着目してな
されたもので、複屈折性の平板を用いて、偏光方向が互
いに直交する２つの光束に偏光分離し、これら２つの光
束を光検出器上で確実に分離して検出できるよう適切に
構成した光ヘッドを提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、第１の発明は、半導体レーザと、この半導体レーザ
からの出射光を光磁気記録媒体にスポットとして照射す
ると共に、前記光磁気記録媒体で反射される反射光を集
光して戻り光とする光学手段と、前記戻り光の一部を前
記半導体レーザからの出射光の光路から分離するビーム
スプリッタと、このビームスプリッタで分離される前記
戻り光を、常光および異常光の２つの光束に偏光分離す
る複屈折性の平板と、この複屈折性の平板で偏光分離さ
れる前記常光および異常光の２つの光束を受光する第１
の光検出器と、前記半導体レーザと前記ビームスプリッ
タとの間に配置され、前記戻り光を前記半導体レーザか
らの出射光の光路から回折分離するホログラム素子と、
このホログラム素子で回折分離される前記戻り光を受光
する第２の光検出器とを有し、前記第１の光検出器の出
力に基づいて、前記光磁気記録媒体に記録されている情
報の再生信号を検出し、前記第２の光検出器の出力に基
づいて、前記光磁気記録媒体に対する前記光学手段のフ
ォーカスエラー信号を検出するよう構成したことを特徴
とするものである。

【００１０】前記第１の光検出器および第２の光検出器
のいずれか一方または両方の出力に基づいて、プッシュ
プル法により、前記光磁気記録媒体に対する前記光学手
段のトラッキングエラー信号を検出するのが、トラッキ
ングエラー信号を容易に検出する点で、好ましい。前記
半導体レーザと前記ホログラム素子との間に、前記半導
体レーザからの出射光を１本のメインビームと２本のサ
ブビームとに分離する回折素子を設け、前記第１の光検
出器および第２の光検出器のいずれか一方または両方
に、前記光磁気記録媒体で反射される戻り光のサブビー
ムを受光する領域を設けて、３ビーム法により、前記光
磁気記録媒体に対する前記光学手段のトラッキングエラ
ー信号を検出するのが、トラッキングエラー信号を安定
して検出する点で好ましい。前記ホログラム素子と前記
回折素子とを一体に形成するのが、部品点数を削減し
て、小型かつ安価にする点で好ましい。

【００１１】また、第２の発明は、半導体レーザと、こ
の半導体レーザからの出射光を光磁気記録媒体にスポッ
トとして照射すると共に、前記光磁気記録媒体で反射さ
れる反射光を集光して戻り光とする光学手段と、前記戻
り光の一部を前記半導体レーザからの出射光の光路から
分離するビームスプリッタと、このビームスプリッタで
分離される前記戻り光を、常光および異常光の２つの光
束に偏光分離する複屈折性の平板と、この複屈折性の平
板で偏光分離される前記常光および異常光の２つの光束
を受光する第１の光検出器と、前記ビームスプリッタと
前記光学手段との間に配置され、前記戻り光を前記半導
体レーザからの出射光の光路から回折分離するホログラ
ム素子と、このホログラム素子で回折分離される前記戻
り光を受光する第２の光検出器とを有し、前記第１の光
検出器の出力に基づいて、前記光磁気記録媒体に記録さ
れている情報の再生信号を検出し、前記第２の光検出器
の出力に基づいて、前記光磁気記録媒体に対する前記光
学手段のフォーカスエラー信号を検出するよう構成した
ことを特徴とするものである。

【００１２】前記第１の光検出器および第２の光検出器
のいずれか一方または両方の出力に基づいて、プッシュ
プル法により、前記光磁気記録媒体に対する前記光学手
段のトラッキングエラー信号を検出するのが、トラッキ
ングエラー信号を容易に検出する点で、好ましい。前記
半導体レーザと前記ビームスプリッタとの間に、前記半
導体レーザからの出射光を１本のメインビームと２本の
サブビームとに分離する回折素子を設け、前記第１の光
検出器および第２の光検出器のいずれか一方または両方
に、前記光磁気記録媒体で反射される戻り光のサブビー
ムを受光する領域を設けて、３ビーム法により、前記光
磁気記録媒体に対する前記光学手段のトラッキングエラ
ー信号を検出するのが、トラッキングエラー信号を安定
して検出する点で好ましい。前記回折素子を前記ビーム
スプリッタと一体に形成するのが、部品点数を削減し
て、小型かつ安価にする点で好ましい。前記第１の光検
出器および第２の光検出器を同一の半導体基板に形成す
るのが、部品点数を削減して、小型かつ安価にする点で
好ましい。

【００１３】第１，第２の発明において、前記ホログラ
ム素子を前記ビームスプリッタと一体に形成するのが、
部品点数を削減して、小型かつ安価にする点で好まし
い。また、前記複屈折性の平板で偏光分離される前記常
光および異常光の２つの光束のうち、前記複屈折性の平
板の非等方性により発生する非点収差を有する異常光
が、前記常光および異常光の分離方向に最も集光する位
置に、前記第１の光検出器を配置するのが、該第１の光
検出器上での前記常光および異常光の干渉を防止する点
で好ましい。

【００１４】

【作用】第１の発明において、半導体レーザからの出射
光は、ホログラム素子、ビームスプリッタおよび光学手
段を経て光磁気記録媒体にスポットとして照射される。
光磁気記録媒体で反射される反射光は、光学手段を経て
ビームスプリッタに入射し、その戻り光の一部が半導体
レーザからの出射光の光路から分離されて複屈折性の平
板に入射し、ここで常光および異常光の２つの光束に偏
光分離されて第１の光検出器に入射し、その受光出力に
基づいて光磁気記録媒体に記録されている情報の再生信
号が検出される。また、ビームスプリッタを経てホログ
ラム素子に入射する戻り光は、該ホログラム素子で回折
分離されて第２の光検出器に入射し、その受光出力に基
づいてフォーカスエラー信号が検出される。

【００１５】また、第２の発明において、半導体レーザ
からの出射光は、ビームスプリッタ、ホログラム素子お
よび光学手段を経て光磁気記録媒体にスポットとして照
射される。光磁気記録媒体で反射される反射光は、光学
手段を経てホログラム素子に入射し、その戻り光の０次
光は、ビームスプリッタにより半導体レーザからの出射
光の光路から分離されて複屈折性の平板に入射し、ここ
で常光および異常光の２つの光束に偏光分離されて第１
の光検出器に入射し、その受光出力に基づいて光磁気記
録媒体に記録されている情報の再生信号が検出される。
また、ホログラム素子により半導体レーザからの出射光
の光路から回折分離された戻り光は、第２の光検出器に
入射し、その受光出力に基づいてフォーカスエラー信号
が検出される。

【００１６】

【実施例】以下、この発明の実施例について説明する。
図１〜図４は、この発明の第１実施例を説明するための
図で、図１は全体の概略構成図、図２〜図４は図１の部
分詳細図である。この実施例の光ヘッドは、半導体レー
ザ１と、この半導体レーザ１からの出射光を光磁気記録
媒体１４にスポットとして照射すると共に、光磁気記録
媒体１４で反射された反射光を集光して戻り光とする光
学手段としての対物レンズ２と、光磁気記録媒体１４か
らの戻り光を半導体レーザ１からの出射光の光路から分
離するビームスプリッタ３と、このビームスプリッタ３
で分離される戻り光を常光と異常光との２つの光束に偏
光分離する複屈折性の平板４と、この複屈折性の平板４
で偏光分離される常光と異常光との２つの光束をそれぞ
れ受光する受光領域５ａ，５ｂ（図２参照）を有する第
１の光検出器５と、半導体レーザ１とビームスプリッタ
３との間の光路中に配置され、戻り光を半導体レーザ１
からの出射光の光路から回折分離するホログラム素子６
と、このホログラム素子６で回折分離される戻り光を受
光する受光領域７ａ〜７ｄ（図４参照）を有する第２の
光検出器７と、半導体レーザ１の後方出射光を受光する
図示しない第３の光検出器と、半導体レーザ１の前方出
射光を受光する図示しない第４の光検出器とを有する。

【００１７】第２の光検出器７は半導体基板９に、第３
の光検出器（図示せず）は半導体基板１０にそれぞれ形
成し、これら半導体基板９，１０を半導体レーザ１と共
に、ステム１１にマウントして、キャップ１２およびホ
ログラム素子６でハーメチックシールする。なお、半導
体レーザ１、第２の光検出器７および第３の光検出器
は、図示しないワイヤを介してリード１３にそれぞれ接
続する。

【００１８】ビームスプリッタ３は、第１のプリズム３
ａと第２のプリズム３ｂとを偏光膜を介して面３ｃで貼
り合わせて構成する。この実施例では、この偏光膜を、
Ｓ偏光成分に対しては反射率が７０％以上、Ｐ偏光成分
に対しては透過率が８０％以上の特性を有するよう構成
する。

【００１９】ホログラム素子６には、半導体レーザ１側
の面６ｂまたは半導体レーザ１とは反対側の面６ａに、
図３に示すように、３つの領域６ｃ〜６ｅに分割された
直線状のホログラムパターンを形成する。

【００２０】第１の光検出器５は、半導体基板８に、図
２に示すように、受光領域５ａ，５ｂを形成して構成
し、この半導体基板８をリード１５にマウントして、樹
脂モールド１６で密封する。また、第４の光検出器（図
示せず）は、半導体基板１７に形成し、この半導体基板
１７をリード１８にマウントして、レンズ作用を有する
樹脂モールド１９で密封する。

【００２１】以下、この実施例の動作について説明す
る。半導体レーザ１の出射光のうち、後方出射光は、半
導体基板１０に形成された第３の光検出器で受光され、
その出力に基づいて半導体レーザ１の後方出射光のパワ
ーコントロールが行われる。また、半導体レーザ１の前
方出射光は、ホログラム素子６を０次光で透過し、ビー
ムスプリッタ３の貼り合わせ面３ｃにＳ偏光で入射す
る。このＳ偏光は、偏光膜の作用により、７０％以上の
光が貼り合わせ面３ｃで反射され、３０％未満の光が貼
り合わせ面３ｃを透過する。

【００２２】ビームスプリッタ３の貼り合わせ面３ｃを
透過した光は、ビームスプリッタ３の第２のプリズム３
ｂから出射し、レンズ作用を有する樹脂モールド１９に
より集光されて第４の光検出器で受光され、その出力に
基づいて半導体レーザ１の前方出射光のパワーコントロ
ールが行われる。また、ビームスプリッタ３の貼り合わ
せ面３ｃで反射された光は、ビームスプリッタ３の第１
のプリズム３ａから出射し、対物レンズ２により光磁気
記録媒体１４にスポットとして照射される。

【００２３】光磁気記録媒体１４で反射された反射光
は、対物レンズ２で集光されて、再びビームスプリッタ
３の貼り合わせ面３ｃに入射する。この戻り光は、光磁
気記録媒体１４で反射される際に、カー効果によって光
磁気記録媒体１４に記録されている磁化の方向に応じ
て、偏光方向がカー回転角だけ反対方向に回転してい
る。したがって、再びビームスプリッタ３の貼り合わせ
面３ｃに入射する戻り光は、Ｐ偏光成分を含んでいる。
このＰ偏光成分は、偏光膜の作用によりその８０％以上
が貼り合わせ面３ｃを透過し、残りの２０％未満が貼り
合わせ面３ｃで反射し、またＳ偏光成分は、７０％以上
が貼り合わせ面３ｃで反射し、残りの３０％未満が貼り
合わせ面３ｃを透過する。

【００２４】貼り合わせ面３ｃを透過した戻り光は、ビ
ームスプリッタ３の第２のプリズム３ｂから出射し、複
屈折性の平板４に入射して、常光と異常光との２つの光
束に偏光分離される。この戻り光は、上述したように、
カー効果により偏光方向がカー回転角だけ反対方向に回
転しているので、この偏光方向の変化は、複屈折性の平
板４の光学軸４ａに対する角度変化となり、これにより
分離される常光と異常光との２つの光束に強度変化が生
じる。

【００２５】なお、この偏光方向の変化を、効率よく常
光と異常光との２つの光束の強度変化に変換するために
は、好適には、光学軸４ａの方向を、戻り光の平均的な
偏光方向と、戻り光の光軸との張る面に対して、３０°
〜６０°傾いた面内にあるようにする。ただし、光学軸
４ａの方向は、複屈折性の平板４の表面に対して平行と
すると、常光および異常光の分離幅が０となり、また、
複屈折性の平板４の表面に対して垂直とすると、異常光
成分が０になるため、複屈折性の平板４の表面に対し
て、３０°〜６０°傾斜させる。

【００２６】複屈折性の平板４で偏光分離された常光お
よび異常光の２つの光束は、樹脂モールド１６を透過し
て、第１の光検出器５の受光領域５ａ，５ｂにそれぞれ
入射する。ここで、光磁気記録媒体１４に磁化の方向と
して記録されている情報は、常光と異常光との２つの光
束の強度の差として検出されるので、受光領域５ａ，５
ｂの出力をそれぞれＪａ，Ｊｂとすると、情報の再生信
号Ｓは、Ｓ＝Ｊａ−Ｊｂより得ることができる。

【００２７】また、貼り合わせ面３ｃで反射した戻り光
は、ビームスプリッタ３の第１のプリズム３ａから出射
し、ホログラム素子６の３つの領域６ｃ〜６ｅに入射す
る。このうち、領域６ｃに入射した戻り光は、回折分離
されて、第２の光選出器７の受光領域７ａおよび７ｂの
分割線上に入射し、また、領域６ｄに入射した戻り光
は、回折分離されて、第２の光選出器７の受光領域７ｄ
に入射する。同様に、領域６ｅに入射した戻り光は、回
折分離されて、第２の光選出器７の受光領域７ｃに入射
する。したがって、第２の光検出器７の受光領域７ａ〜
７ｂの出力を、それぞれＩａ〜Ｉｄとすると、フォーカ
スエラー信号ＦＥＳは、ナイフエッジ法を用いて、ＦＥＳ＝Ｉａ−Ｉｂより得ることができる。また、トラッキングエラー信号
ＴＥＳは、プッシュプル法を用いて、ＴＥＳ＝Ｉｃ−Ｉｄより得ることができる。

【００２８】この実施例によれば、複屈折性の平板４に
より偏光分離される常光および異常光の２つの光束のう
ち、異常光の光束に、複屈折性の平板４の非等方性によ
って非点収差が発生するほかは、ほとんど収差の発生が
ない。したがって、常光および異常光の２つの光束は、
第１の光検出器５上で充分小さいスポットに収束される
ので、複屈折性の平板４による分離幅が小さくても、確
実に分離して受光することができる。

【００２９】また、複屈折性の平板４は、その表面が戻
り光の光軸に垂直になるように配置されているので、複
屈折性の平板４により偏光分離される常光には、非点収
差およびコマ収差が発生することはない。なお、この複
屈折性の平板４は、その表面で戻り光が反射して、再び
ビームスプリッタ３に戻るのを防止するため、その表面
が戻り光の光軸に対して１０°程度まで傾けて配置する
こともできる。この場合でも、非点収差およびコマ収差
を無視できる程度に小さくできる。

【００３０】図５〜図８は、この発明の第２実施例を説
明するための図で、図５は全体の概略構成図、図６〜図
８は図５の部分詳細図である。なお、第１実施例で説明
したのと同一作用をなすものには同一符号を付して、そ
の説明を省略する。この実施例では、図８に平面図をも
示すように、半導体基板２０の一部に、エッチングによ
り斜面２５ａ〜２５ｄを有する凹部を形成し、この凹部
の底面２３に半導体レーザ１をマウントする。また、半
導体基板２０の凹部の両側には、第２の光検出器７を構
成する３つの受光領域７ａ〜７ｃと、３つの受光領域７
ｄ〜７ｆとを形成し、半導体レーザ１の後方には、半導
体基板２０の上面および斜面２５ｃにかけて第３の光検
出器２４を形成する。

【００３１】半導体基板２０は、リード２１にマウント
し、周囲を樹脂モールド２２で囲んで、ホログラム素子
６で密封する。また、ホログラム素子６には、半導体レ
ーザ１側の面６ｂまたは半導体レーザ１とは反対側の面
６ａに、図７に示すように、わずかな曲率をもったホロ
グラムパターン６ｆを形成する。さらに、第１の光検出
器５は、図６に平面図を示すように、半導体基板８に形
成された、常光の光束を受光する２分割受光領域５ａ，
５ｂと、異常光の光束を受光する受光領域５ｃとを有す
る。

【００３２】この実施例において、半導体レーザ１の後
方出射光は、半導体基板２０の上面および斜面２５ｃに
かけて形成された第３の光検出器２４で受光され、その
出力に基づいて半導体レーザ１の後方出射光のパワーコ
ントロールが行われる。また、半導体レーザ１の前方出
射光は、半導体基板２０に形成された凹部の斜面２５ａ
で反射された後、ホログラム素子６を０次光で透過し
て、ビームスプリッタ３に入射する。なお、この実施例
では、斜面２５ａの反射率を高めるため、斜面２５ａに
金をコーティングする。

【００３３】複屈折性の平板４は、樹脂モールド１６に
接着し、この複屈折性の平板４で偏光分離される常光お
よび異常光の２つの光束のうち、常光の光束は、第１の
光検出器５の受光領域５ａおよび５ｂの分割線上に入射
し、異常光の光束は、第１の光検出器５の受光領域５ｃ
に入射する。したがって、情報の再生信号Ｓは、受光領
域５ａ〜５ｃの出力をそれぞれＪａ〜Ｊｃとすると、Ｓ＝Ｊａ＋Ｊｂ−Ｊｃより得ることができる。また、トラッキングエラー信号
ＴＥＳはプッシュプル法を用いて、ＴＥＳ＝Ｊａ−Ｊｂより得ることができる。

【００３４】また、貼り合わせ面３ｃで反射される戻り
光は、ビームスプリッタ３の第１のプリズム３ａから出
射し、ホログラム素子６のわずかな曲率をもったホログ
ラムパターン６ｆに入射する。このホログラムパターン
６ｆで回折分離される±１次回折光は、ホログラムパタ
ーン６ｆの作用により、光軸方向に互いに逆方向の像点
移動が与えられて、それぞれ受光領域７ａ〜７ｃおよび
受光領域７ｄ〜７ｆに入射する。したがって、受光領域
７ａ〜７ｆの出力を、それぞれＩａ〜Ｉｆとすると、フ
ォーカスエラー信号ＦＥＳは、ビームサイズ法を用い
て、ＦＥＳ＝（Ｉａ＋Ｉｅ＋Ｉｃ）−（Ｉｄ＋Ｉｂ＋Ｉｆ）より得ることができる。なお、その他の構成および作用
については、第１実施例と同様である。

【００３５】この実施例によれば、ホログラム素子６で
回折分離した±１次回折光の両方を用いてフォーカスエ
ラー信号を検出するようにしているので、第１実施例に
比べて、光の利用効率を高めることができると共に、組
み立て誤差による信号の誤差成分を打ち消すことができ
る。したがって、フォーカスエラー信号を高感度かつ高
精度で検出することができる。

【００３６】図９〜図１３は、この発明の第３実施例を
説明するための図で、図９は全体の概略構成図、図１０
〜図１５は図９の部分詳細図である。なお、第１および
第２実施例で説明したのと同一作用をなすものには同一
符号を付して、その説明を省略する。この実施例では、
半導体レーザ１とホログラム素子６との間に回折素子２
６を設け、この回折素子２６の半導体レーザ１側の面２
６ａに、図１２に平面図を示すように、格子パターン２
６ｃを形成して、半導体レーザ１からの出射光を１本の
メインビームと２本のサブビームとに分離する。また、
回折素子２６の半導体レーザ１と反対側の面２６ｂと、
ホログラム素子６の半導体レーザ１側の面６ｂとは、互
いに接着し、このホログラム素子６の半導体レーザ１と
は反対側の面６ａに、図１１に平面図を示すように、わ
ずかな曲率をもったホログラムパターン６ｆ′を形成す
る。なお、このホログラムパターン６ｆ′は、第２実施
例のホログラムパターン６ｆと同じ作用をもつものであ
る。

【００３７】半導体基板８には、図１０に平面図を示す
ように、第１実施例と同じ構成の第１の光検出器５を形
成する。また、半導体基板２０の凹部の両側には、第２
の光検出器７を構成する５つの受光領域７ａ〜７ｃ，７
ｇ，７ｈと、５つの受光領域７ｄ〜７ｆ，７ｉ，７ｊと
を形成する。この半導体基板２０は、リード２１にマウ
ントし、周囲を樹脂モールド２２で囲んで、回折素子２
６で密封する。

【００３８】この実施例において、半導体レーザ１の前
方出射光は、半導体基板２０に形成された凹部の斜面２
５ａで反射されて、回折素子２６に入射し、格子パター
ン２６ｃにより１本のメインビームと２本のサブビーム
とに分離された後、ホログラム素子６を０次光で透過し
て、ビームスプリッタ３に入射する。ビームスプリッタ
３の貼り合わせ面３ｃで反射した１本のメインビームお
よび２本のサブビームは、ビームスプリッタ３の第１の
プリズム３ａから出射され、対物レンズ２により、光磁
気記録媒体１４にスポットとして照射される。このと
き、３つのスポットの並びの方向は、光磁気記録媒体１
４の記録トラックと所定の角度だけ傾けられている。

【００３９】貼り合わせ面３ｃで反射した戻り光の１本
のメインビームおよび２本のサブビームは、ビームスプ
リッタ３の第１のプリズム３ａから出射され、ホログラ
ム素子６のわずかな曲率をもったホログラムパターン６
ｆ′に入射してそれぞれ回折分離される。このホログラ
ムパターン６ｆ′で回折分離されたメインビームの±１
次回折光は、ホログラムパターン６ｆ′の作用により、
光軸方向に互いに逆方向の像点移動を与えられて、それ
ぞれ受光領域７ａ〜７ｃと、受光領域７ｄ〜７ｆに入射
する。

【００４０】また、ホログラムパターン６ｆ′で回折分
離された一方のサブビームの±１次回折光は、それぞれ
受光領域７ｇ，７ｉに入射し、他方のサブビームの±１
次回折光は、それぞれ受光領域７ｈ，７ｊに入射する。
したがって、受光領域７ａ〜７ｊの出力を、それぞれＩ
ａ〜Ｉｊとすると、フォーカスエラー信号ＦＥＳは、第
２実施例と同様にして、ビームサイズ法を用いて、ＦＥＳ＝（Ｉａ＋Ｉｅ＋Ｉｃ）−（Ｉｄ＋Ｉｂ＋Ｉｆ）より得ることができる。また、トラキッングエラー信号
ＴＥＳは、３ビーム法を用いて、ＴＥＳ＝（Ｉｇ＋Ｉｉ）−（Ｉｈ＋Ｉｊ）より得ることができる。

【００４１】なお、情報の再生信号Ｓは、第１の光検出
器５の受光領域５ａ，５ｂの出力に基づいて、第１実施
例と同様にして、Ｓ＝Ｊａ−Ｊｂより得ることができる。

【００４２】この実施例によれば、特性の安定した３ビ
ーム法を用いてトラッキングエラー信号を検出するよう
にしているので、トラッキングエラー信号を常に安定し
て検出できるという利点がある。なお、この実施例で
は、回折素子２６とホログラム素子６とを別々に構成し
たが、ホログラム素子６の半導体レーザ１側の面６ｂに
格子パターン２６ｃを形成して、ホログラム素子と回折
素子とを一体に形成することもできる。このようにすれ
ば、部品点数を削減することができる。

【００４３】図１４〜図１８は、この発明の第４実施例
を説明するための図で、図１４は全体の概略構成図、図
１５〜図１８は図１４の部分詳細図である。なお、第１
〜３実施例で説明したのと同一作用をなすものには同一
符号を付して、その説明を省略する。この実施例では、
ホログラム素子と回折素子とを素子２７に一体に形成す
る。このため、素子２７の半導体レーザ１とは反対側の
面２７ａには、図１６に示すように、２つの領域に分割
されたピッチの異なる直線状のホログラムパターン２７
ｃ，２７ｄを形成し、素子２７の半導体レーザ１側の面
２７ｂには、図１７に示すように、格子パターン２７ｅ
を形成する。

【００４４】また、半導体基板８には、図１５に平面図
を示すように、第１実施例と同じ構成の第１の光検出器
５を形成し、半導体基板９には、図１８に平面図を示す
ように、第２の光検出器７を構成する５つの受光領域７
ａ〜７ｅを形成する。

【００４５】この実施例において、貼り合わせ面３ｃで
反射した戻り光の１本のメインビームと２本のサブビー
ムは、ビームスプリッタ３の第１のプリズム３ａから出
射され、素子２７のホログラムパターン２７ｃ，２７ｄ
に入射する。このうち、ホログラムパターン２７ｃで回
折分離されるメインビームは、受光領域７ｃに入射し、
ホログラムパターン２７ｄで回折分離されるメインビー
ムは、受光領域７ａと７ｂとの分割線上に入射する。ま
た、ホログラムパターン２７ｃおよび２７ｄで回折分離
される一方のサブビームは、受光領域７ｄに入射し、他
方のサブビームは、受光領域７ｅに入射する。

【００４６】したがって、第２の光検出器７の受光領域
７ａ〜７ｅの出力を、それぞれＩａ〜Ｉｅとすると、フ
ォーカスエラー信号ＦＥＳは、第１実施例と同様に、ナ
イフエッジ法を用いて、ＦＥＳ＝Ｉａ−Ｉｂより得ることができる。また、トラッキングエラー信号
ＴＥＳは、第３の実施例と同様に３ビーム法を用いて、ＴＥＳ＝Ｉｄ−Ｉｅより得ることができる。

【００４７】なお、情報の再生信号Ｓは、第１の光検出
器５の受光領域５ａ，５ｂの出力に基づいて、第１実施
例と同様にして、Ｓ＝Ｊａ−Ｊｂより得ることができる。

【００４８】この実施例によれば、素子２７にホログラ
ム素子と回折素子とを一体に形成したので、部品点数を
削減できるという利点がある。

【００４９】図１９は、この発明の第５実施例を示すも
のである。この実施例は、第２実施例において、ホログ
ラム素子６を、ビームスプリッタ３と対物レンズ２との
間に配置すると共に、半導体基板２０を樹脂モールド２
２を介してビームスプリッタ３の第１のプリズム３ａに
取り付けて密封し、さらに複屈折性の平板４をビームス
プリッタ３の第２のプリズム３ｂに接着固定したもの
で、その他の構成は、第２実施例と同様である。

【００５０】この実施例においては、半導体レーザ１か
ら出射された出射光は、先にビームスプリッタ３に入射
し、その貼り合わせ面３ｃで反射した光が、第１のプリ
ズム３ａから出射して、ホログラム素子６を０次光で透
過する。また、光磁気記録媒体１４で反射された戻り光
は、先にホログラム素子６に入射し、このホログラム素
子６を０次光で透過した戻り光が、ビームスプリッタ
３、複屈折性の平板４および樹脂モールド１６を透過し
て第１の光検出器５に入射する。

【００５１】また、ホログラム素子６で回折分離された
±１次回折光は、ビームスプリッタ３の貼り合わせ面３
ｃで反射されて第１のプリズム３ａから出射され、第２
の光検出器７に入射する。

【００５２】したがって、第２実施例と同様にして、第
１の光検出器５の出力に基づいて情報の再生信号Ｓおよ
びトラッキングエラー信号ＴＥＳを検出することがで
き、また、第２の光検出器７の出力に基づいて、フォー
カスエラー信号ＦＥＳを検出することができる。

【００５３】この実施例は、ホログラム素子６を、ビー
ムスプリッタ３と対物レンズ２との間に配置したが、こ
のような構成は、第１および第３実施例においても可能
である。また、第４実施例においては、素子２７を、ホ
ログラム素子と回折素子とに分けることにより、ホログ
ラム素子を、ビームスプリッタ３と対物レンズ２との間
に配置することが可能となる。

【００５４】また、このようにホログラム素子を、ビー
ムスプリッタ３と対物レンズ２との間に配置するように
すれば、回折素子を用いる構成にあっては、回折素子を
ビームスプリッタ３の第１のプリズム３ａの半導体レー
ザ１側の面に接着固定することも可能である。さらに
は、ビームスプリッタ３の第１のプリズム３ａの半導体
レーザ１側の面に格子パターンを形成することにより、
ビームスプリッタ３と回折素子とを一体化して、部品点
数を削減することも可能である。

【００５５】図２０および図２１は、この発明の第６実
施例を説明するための図で、図２０は全体の概略構成
図、図２１は図２０の部分詳細図である。なお、上述し
た実施例で説明したのと同一作用をなすものには同一符
号を付して、その説明を省略する。この実施例では、半
導体レーザ２８として、現在最も一般的に市販されてい
るものを用いると共に、第１の光検出器５および第２の
光検出器７を、図２１に平面図を示すように、同一の半
導体基板８に形成する。なお、ホログラム素子６は、第
２実施例と同様に構成する。

【００５６】この実施例において、半導体レーザ２８か
らの出射光は、ビームスプリッタ３に入射し、その貼り
合わせ面３ｃで反射された後、ビームスプリッタ３の第
１のプリズム３ａから出射され、ホログラム素子６を０
次光で透過して、対物レンズ２により光磁気記録媒体１
４にスポットとして照射される。

【００５７】また、光磁気記録媒体１４での反射光は、
対物レンズ２で集光され、再びホログラム素子６を０次
光で透過して、ビームスプリッタ３に入射する。このビ
ームスプリッタ３の貼り合わせ面３ｃを透過した戻り光
は、ビームスプリッタ３の第２のプリズム３ｂから出射
され、複屈折性の平板４に入射して常光と異常光との２
つの光束に偏光分離される。これら２つの光束は、樹脂
モールド１６を透過して、第１の光検出器５の受光領域
５ａ，５ｂおよび５ｃにそれぞれ入射する。

【００５８】したがって、情報の再生信号Ｓは、第２実
施例と同様に、Ｓ＝Ｊａ＋Ｊｂ−Ｊｃより得ることができる。また、トラッキングエラー信号
ＴＥＳも、第２実施例と同様に、プッシュプル法を用い
て、ＴＥＳ＝Ｊａ−Ｊｂより得ることができる。

【００５９】一方、光磁気記録媒体１４からの戻り光の
うち、ホログラム素子６で回折分離された±１次回折光
は、ビームスプリッタ３の貼り合わせ面３ｃを透過し
て、ビームスプリッタ３の第２のプリズム３ｂから出射
され、樹脂モールド１６を透過して、第２の光検出器の
受光領域７ａ〜７ｃおよび７ｄ〜７ｆにそれぞれ入射す
る。なお、複屈折性の平板４は、ホログラム素子６で回
折分離される戻り光が、該複屈折性の平板４を透過する
ことのないように、十分小さいものとする。

【００６０】したがって、フォーカスエラー信号ＦＥＳ
は、第２実施例と同様に、ビームサイズ法を用いて、ＦＥＳ＝（Ｉａ＋Ｉｅ＋Ｉｃ）−（Ｉｄ＋Ｉｂ＋Ｉｆ）より得ることができる。

【００６１】この実施例によれば、現在最も一般的に市
販されている半導体レーザ２８を使用できるという利点
がある。また、第１の光検出器５と第２の光検出器７と
を同一の半導体基板８に形成したので、これらを別々の
半導体基板に形成する場合に比べて、安価にできるとい
う利点がある。

【００６２】なお、第６実施例では、ホログラム素子６
を、第２実施例と同様に構成したが、これを第１実施例
と同様に構成することもできる。この場合には、図２お
よび図４に示した第１の光検出器５および第２の光検出
器７を、図２２に示すように、同一の半導体基板８に形
成する。

【００６３】また、第６実施例において、ホログラム素
子６を、第３実施例と同様に構成することもできる。こ
の場合には、図１０および図１３に示した第１の光検出
器５および第２の光検出器７を、図２３に示すように、
同一の半導体基板８に形成する。

【００６４】さらに第６実施例において、ホログラム素
子６を、第４実施例と同様に構成することもできる。こ
の場合には、素子２７をホログム素子と回折素子とに分
けると共に、図１５および図１８に示した第１の光検出
器５および第２の光検出器７を、図２４に示すように、
同一の半導体基板８に形成する。

【００６５】図２５〜図２７は、この発明の第７実施例
の要部を説明するための図である。この実施例では、半
導体レーザ１、ビームスプリッタ３、複屈折性の平板４
およびホログラム素子６と、半導体基板８とを、ステム
１１、キャップ１２および窓ガラス３０によってパッケ
ージ３１に収納する。なお、図２５には、半導体レーザ
１からの出射光を、光磁気記録媒体にスポットとして照
射すると共に、光磁気記録媒体での反射光を集光して戻
り光とする光学手段は、図示していない。

【００６６】半導体基板８には、図２７に平面図を示す
ように、第６実施例と同様に、第１の光検出器５および
第２の光検出器７を形成する。この半導体基板８は、ス
テム１１上にマウントし、この半導体基板８上に、金属
または半導体よりなるサブマウント２９を介して半導体
レーザ１をマウントすると共に、図２６に図２５の部分
側面図をも示すように、複屈折性の平板４、ビームスプ
リッタ３およびホログラム素子６を重ね合わせて半導体
基板８上にマウントする。なお、ホログラム素子６は、
第２実施例と同様に構成する。

【００６７】この実施例によれば、第６実施例における
と同様にして、情報の再生信号Ｓ、トラッキングエラー
信号ＴＥＳおよびフォーカスエラー信号ＦＥＳを得るこ
とができると共に、第６実施例に比べて装置を小型にで
きるという利点がある。

【００６８】図２８〜図３０は、この発明の第８実施例
の要部を説明するための図である。この実施例は、第７
実施例において、窓ガラス３０を廃止し、ホログラム素
子６をキャップ１２に接着したもので、その他の基本的
構成は第７実施例と同様である。すなわち、半導体レー
ザ１、ビームスプリッタ３、複屈折性の平板４および半
導体基板８は、スラム１１、キャップ１２およびホログ
ラム素子６によってパッケージ３１に収納する。また、
半導体基板８には、図３０に平面図を示すように、第６
実施例と同様に、第１の光検出器５および第２の光検出
器７を形成し、この半導体基板８をステム１１上にマウ
ントして、この半導体基板８上に、金属または半導体よ
りなるサブマウント２９を介して半導体レーザ１をマウ
ントすると共に、図２９に図２８の部分側面図をも示す
ように、複屈折性の平板４およびビームスプリッタ３を
重ね合わせて半導体基板８上にマウントする。なお、ホ
ログラム素子６は、第２実施例と同様に構成する。な
お、図２８には、半導体レーザ１からの出射光を光磁気
記録媒体にスポットとして照射すると共に、光磁気記録
媒体での反射光を集光して戻り光とする光学手段は、図
示していない。

【００６９】この実施例によれば、第６実施例における
と同様にして、情報の再生信号Ｓ、トラッキングエラー
信号ＴＥＳおよびフォーカスエラー信号ＦＥＳを得るこ
とができる。また、この実施例の場合、ホログラム素子
６で回折分離される戻り光は、ビームスプリッタ３を透
過することなく、直接第２の光検出器７に入射するの
で、第７実施例に比べて、ビームスプリッタ３による光
量ロスがないという利点があると共に、複屈折性の平板
４を大きくでき、ビームスプリッタ３の安定性をよくで
きるという利点がある。

【００７０】なお、上記の第７および第８実施例におい
ては、ホログラム素子６を、第２実施例のものと同様に
構成したが、これを第１実施例のものと同様に構成する
こともできる。この場合には、図２および図４に示した
第１の光検出器５および第２の光検出器７を、図３１に
示すように、同一の半導体基板８に形成する。

【００７１】また、第７および第８実施例において、ホ
ログラム素子６を、第４実施例のものと同様に構成する
こともできる。この場合には、素子２７をホログラム素
子としてのみ作用させると共に、第１の光検出器５およ
び第２の光検出器７を、図３２に示すように、同一の半
導体基板８に形成する。この場合、フォーカスエラー信
号ＦＥＳは、ナイフエッジ法を用いて、ＦＥＳ＝Ｉａ−Ｉｂより得ることができ、また、トラッキングエラー信号Ｔ
ＥＳは、プッシュプル法を用いて、ＴＥＳ＝Ｊａ−Ｊｂより得ることができる。

【００７２】以上の各実施例においては、単独のホログ
ラム素子６を用いたが、ビームスプリッタ３の第１のプ
リズム３ａの表面にホログラムパターンを直接形成し
て、ホログラム素子とビームスプリッタとを一体にし、
これにより部品点数を削減することもできる。

【００７３】また、複屈折性の平板４としては、例え
ば、水晶，ニオブ酸リチウム，ルチル，方解石，ＫＤＰ
（ＫＨ₂ＰＯ₄），ＡＤＰ（ＮＨ₄Ｈ₂ＰＯ₄），Ｍｇ
Ｆ₂等の一軸性結晶を用いることができるが、方解石は
高価であるため、安価でしかも常光と異常光との屈折率
差が比較的大きいニオブ酸リチウムを用いるのが好適で
ある。

【００７４】なお、一軸性結晶の平板で、常光と異常光
とに偏光分離し、これらの光束を第１の光検出器で受光
して、常光成分からプッシュプル法によりトラッキング
エラー信号を得る場合、第１の光検出器上の常光のスポ
ットは、できるだけ大きいことが調整の面からいって好
ましい。しかし、スポットを大きくするために、単に第
１の光検出器を常光の焦点位置からずらして配置する
と、常光と異常光とが第１の光検出器上で干渉すること
になる。

【００７５】これを防止するためには、例えば、一軸性
結晶の非等方性により異常光に非点収差が発生するのを
利用して、図３３に示すように、常光と異常光との分離
方向に異常光が最も集光する位置に、第１の光検出器を
配置するのが望ましい。このような配置は、常光成分か
らプッシュプル法によりトラッキングエラー信号を得る
場合でなくても、第１の光検出器上での常光と異常光と
の干渉を避ける点で有効である。

【００７６】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、光磁
気記録媒体で反射される戻り光を、非点収差を与えるこ
となく、複屈折性の平板を用いて、偏光方向が互いに直
交する２つの光束に偏光分離することができるので、こ
れら２つの光束を光検出器上で確実に分離して検出する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施例を示す図である。

【図２】図１に示す第１の光検出器の平面図である。

【図３】同じく、ホログラム素子の平面図である。

【図４】同じく、第２の光検出器の平面図である。

【図５】この発明の第２実施例を示す図である。

【図６】図６に示す第１の光検出器の平面図である。

【図７】同じく、ホログラム素子の平面図である。

【図８】同じく、第２の光検出器を有する半導体基板の
平面図である。

【図９】この発明の第３実施例を示す図である。

【図１０】図９に示す第１の光検出器の平面図である。

【図１１】同じく、ホログラム素子の平面図である。

【図１２】同じく、回折素子の平面図である。

【図１３】同じく、第２の光検出器を有する半導体基板
の平面図である。

【図１４】この発明の第４実施例を示す図である。

【図１５】図１４に示す第１の光検出器を示す平面図で
ある。

【図１６】同じく、ホログラムパターンを示す平面図で
ある。

【図１７】同じく、格子パターンを示す平面図である。

【図１８】同じく、第２の光検出器を示す平面図であ
る。

【図１９】この発明の第５実施例を示す図である。

【図２０】同じく、第６実施例を示す図である。

【図２１】図２０に示す第１の光検出器および第２の光
検出器を有する半導体基板の平面図である。

【図２２】第６実施例の変形例を説明するための図であ
る。

【図２３】同じく、他の変形例を説明するための図であ
る。

【図２４】同じく、さらに他の変形例を説明するための
図である。

【図２５】この発明の第７実施例の要部を示す図であ
る。

【図２６】図２５の部分側面図である。

【図２７】図２５に示す第１の光検出器および第２の光
検出器を有する半導体基板の平面図である。

【図２８】この発明の第８実施例の要部を示す図であ
る。

【図２９】図２８の部分側面図である。

【図３０】図２８に示す第１の光検出器および第２の光
検出器を有する半導体基板の平面図である。

【図３１】第７および第８実施例の変形例を説明するた
めの図である。

【図３２】同じく、他の変形例を説明するための図であ
る。

【図３３】第１の光検出器の配置例を説明するための図
である。

【符号の説明】

１半導体レーザ２対物レンズ３ビームスプリッタ４複屈折性の平板５第１の光検出器６ホログラム素子７第２の光検出器８，９，１０半導体基板１４光磁気記録媒体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザと、この半導体レーザからの出射光を光磁気記録媒体にスポ
ットとして照射すると共に、前記光磁気記録媒体で反射
される反射光を集光して戻り光とする光学手段と、前記戻り光の一部を前記半導体レーザからの出射光の光
路から分離するビームスプリッタと、このビームスプリッタで分離される前記戻り光を、常光
および異常光の２つの光束に偏光分離する複屈折性の平
板と、この複屈折性の平板で偏光分離される前記常光および異
常光の２つの光束を受光する第１の光検出器と、前記半導体レーザと前記ビームスプリッタとの間に配置
され、前記戻り光を前記半導体レーザからの出射光の光
路から回折分離するホログラム素子と、このホログラム素子で回折分離される前記戻り光を受光
する第２の光検出器とを有し、前記第１の光検出器の出力に基づいて、前記光磁気記録
媒体に記録されている情報の再生信号を検出し、前記第
２の光検出器の出力に基づいて、前記光磁気記録媒体に
対する前記光学手段のフォーカスエラー信号を検出する
よう構成したことを特徴とする光ヘッド。
【請求項２】請求項１記載の光ヘッドにおいて、前記
第１の光検出器および第２の光検出器のいずれか一方ま
たは両方の出力に基づいて、プッシュプル法により、前
記光磁気記録媒体に対する前記光学手段のトラッキング
エラー信号を検出するよう構成したことを特徴とする光
ヘッド。
【請求項３】請求項１記載の光ヘッドにおいて、前記
半導体レーザと前記ホログラム素子との間に、前記半導
体レーザからの出射光を１本のメインビームと２本のサ
ブビームとに分離する回折素子を設け、前記第１の光検
出器および第２の光検出器のいずれか一方または両方
に、前記光磁気記録媒体で反射される戻り光のサブビー
ムを受光する領域を設けて、３ビーム法により、前記光
磁気記録媒体に対する前記光学手段のトラッキングエラ
ー信号を検出するよう構成したことを特徴とする光ヘッ
ド。
【請求項４】請求項３記載の光ヘッドにおいて、前記
ホログラム素子と前記回折素子とを一体に形成したこと
を特徴とする光ヘッド。
【請求項５】半導体レーザと、この半導体レーザからの出射光を光磁気記録媒体にスポ
ットとして照射すると共に、前記光磁気記録媒体で反射
される反射光を集光して戻り光とする光学手段と、前記戻り光の一部を前記半導体レーザからの出射光の光
路から分離するビームスプリッタと、このビームスプリッタで分離される前記戻り光を、常光
および異常光の２つの光束に偏光分離する複屈折性の平
板と、この複屈折性の平板で偏光分離される前記常光および異
常光の２つの光束を受光する第１の光検出器と、前記ビームスプリッタと前記光学手段との間に配置さ
れ、前記戻り光を前記半導体レーザからの出射光の光路
から回折分離するホログラム素子と、このホログラム素子で回折分離される前記戻り光を受光
する第２の光検出器とを有し、前記第１の光検出器の出力に基づいて、前記光磁気記録
媒体に記録されている情報の再生信号を検出し、前記第
２の光検出器の出力に基づいて、前記光磁気記録媒体に
対する前記光学手段のフォーカスエラー信号を検出する
よう構成したことを特徴とする光ヘッド。
【請求項６】請求項５記載の光ヘッドにおいて、前記
第１の光検出器および第２の光検出器のいずれか一方ま
たは両方の出力に基づいて、プッシュプル法により、前
記光磁気記録媒体に対する前記光学手段のトラッキング
エラー信号を検出するよう構成したことを特徴とする光
ヘッド。
【請求項７】請求項５記載の光ヘッドにおいて、前記
半導体レーザと前記ビームスプリッタとの間に、前記半
導体レーザからの出射光を１本のメインビームと２本の
サブビームとに分離する回折素子を設け、前記第１の光
検出器および第２の光検出器のいずれか一方または両方
に、前記光磁気記録媒体で反射される戻り光のサブビー
ムを受光する領域を設けて、３ビーム法により、前記光
磁気記録媒体に対する前記光学手段のトラッキングエラ
ー信号を検出するよう構成したことを特徴とする光ヘッ
ド。
【請求項８】請求項７記載の光ヘッドにおいて、前記
回折素子を前記ビームスプリッタと一体に形成したこと
を特徴とする光ヘッド。
【請求項９】請求項５〜８のいずれか１項記載の光ヘ
ッドにおいて、前記第１の光検出器および第２の光検出
器を同一の半導体基板に形成したことを特徴とする光ヘ
ッド。
【請求項１０】請求項１〜３，５〜９のいずれか１項
記載の光ヘッドにおいて、前記ホログラム素子を前記ビ
ームスプリッタと一体に形成したことを特徴とする光ヘ
ッド。
【請求項１１】請求項１〜１０のいずれか１項記載の
光ヘッドにおいて、前記複屈折性の平板で偏光分離され
る前記常光および異常光の２つの光束のうち、前記複屈
折性の平板の非等方性により発生する非点収差を有する
異常光が、前記常光および異常光の分離方向に最も集光
する位置に、前記第１の光検出器を配置したことを特徴
とする光ヘッド。