JPH07312406A

JPH07312406A - リードフレーム及びその製造方法

Info

Publication number: JPH07312406A
Application number: JP6125888A
Authority: JP
Inventors: Tomonori Matsuura; 友紀松浦; Shinichi Kobayashi; 信一小林
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1994-05-17
Filing date: 1994-05-17
Publication date: 1995-11-28

Abstract

(57)【要約】【目的】樹脂封止型の半導体装置において、放熱性に
優れ、多ピン化、狭ピッチ化にも対応でき、且つ、電気
的特性にも優れ、配線の自由度の向上でき、電極間のイ
オンマイグレーションの恐れのない、比較的簡単な構成
のものを作製できるリードフレームを提供する。【構成】金属プレーンを１層有する半導体装置用のリ
ードフレームであって、金属プレーン上に、孤立してな
る絶縁層を介して該絶縁層と略同形状のインナーリード
とは独立した導電性薄膜部からなる電極を設けている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，リードフレームとその
製造方法に関し、詳しくは、放熱用および／または接地
用の金属プレーンを１層有する半導体装置用のリードフ
レーム及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、樹脂封止型の半導体装置の組
立て部材として用いられているリードフレーム（単層リ
ードフレーム６０１と言う）は、一般に、図６に示すよ
うな形状をしており、半導体素子を搭載するためのダイ
パッド６０２とダイパッド６０２の周囲に設けられ、半
導体素子と結線を行うためのインナーリード６０３と、
該インナーリード６０３に連続し外部回路との結線を行
うためのアウターリード６０４を備えていた。このよう
な単層リードフレーム６０１は、通常、コバール、４２
合金（４２％Ｎｉ−鉄）、銅系合金等の導電性に優れ、
且つ強度が大きい金属板をフオトリソグラフイー技術を
用いたエッチング加工方法やスタンピング法等により、
図６に示すような形状に加工して作製されていた。そし
てこの単層リードフレーム６０１を用いた半導体装置
は、図７に示すようにリードフレームのダイパッドに半
導体素子７０５（以下単に素子とも言う）を搭載すると
ともに、素子のボンデイングパッド（図示せず）と、金
や銀等の貴金属のメッキを施してあるインナーリード７
０３の先端部とを金等からなるワイヤにより電気的に接
続していた。しかしながら、近年、半導体装置は、電子
機器の高性能化と軽薄短小化の傾向（時流）からＬＳＩ
のＡＳＩＣに代表されるように、ますます高集積化、高
機能化になっている。このようなＬＳＩの大規模集積化
（高集積化）はウエハープロセスでの微細加工技術の進
歩の上に成り立っており、より多くのゲートを１チップ
に収容でき、さらにチップサイズを小さくすることがで
きるようになっている。ところが、半導体チップの高集
積化、高機能化は半導体チップの消費電力増大を招き、
発熱量が増加し、半導体チップの温度が上昇することに
よる、半導体装置の動作スピード低下や信頼性の低下が
問題になってきて、パッケージの放熱（熱放散）の改善
も要求されてきた。これに対して、４２合金（４２％Ｎ
ｉ−鉄）等の鉄系合金に比べ熱伝導率で１桁高い銅系合
金を積極的にリードフレーム材として採用したり、金属
の放熱板をリードフレームに組み合わせたりしてきた。
また、信号の高速処理に対しては、半導体チップ内の信
号遅れより、パッケージ配線での信号の遅れの方が支配
的になってきて、ノイズの問題も含めて半導体パッケー
ジ内の電気的特性を改善する必要に迫られてきた。これ
に対して、電源、グランドの接続端子数を多くし、実質
的なインダクタンスを下げるようにして、ノイズの低減
等電気的特性の改善をしてきた。しかしながら、電源、
グランドの接続端子数の増大は、半導体装置の総ピン数
の増大にもなる。この端子数の増大は、リードフレーム
の加工限界から、インナーリード部をチップから離す傾
向となり、リードフレームのインナーリード部を含むサ
イズは大きくなってしまい、半導体装置自体を逆に大き
いものとしてしまった。この為、半導体チップの入出力
（Ｉ／Ｏ）パッドとインナーリード先端部との距離が長
くなり、ワイヤボンデイング法による電気的接続のワイ
ヤが長ループとなり、半導体装置をレジンでモールドし
て形成する際にワイヤ流れによるショートが問題となっ
ている。

【０００３】これらの問題に対応するものとして、特開
昭６３−２４６８５１号のような、半導体装置の総ピン
数を増加させずに半導体パッケージ内の配線の電気特性
を改善できるリードフレームが提案されてきた。特開昭
６３−２４６８５１号の場合は、図３に示すように、リ
ードフレームのインナーリード部を絶縁層３０７を介し
て信号層（ＧＮＤピン３１０）、電源層（金属プレーン
３０９Ｂ））、グランド層（金属プレーン３０９Ａ））
の３層構造にしたものである。このようにリードフレー
ムを多層化することにより、線間のクロストークノイズ
が低減され、インダクタンスや線間容量が減少し、その
結果として優れた電気特性が得られ高速素子をパッケー
ジングすることができた。又、ワイヤ流れによるショー
トの防止と多ピン、狭ピッチ化に対応するリードフレー
ムとしては特開昭５８−１９２３３４号のようなもの
が提案されてきた。特開昭５８−１９２３３４号の場
合、図５に示すように、ダイパッド５０２を大寸法化
し、インナーリード５０３の配置領域を拡げたリードフ
レームを用い、インナーリード５０３に対応する数のイ
ンナーリードとは別の、インナーリード先端部と半導体
素子との独立した電極基板をダイパッド５０２上に固着
して中継電極５１７を配設したものである。このよう
に、中継電極５１７の形成されたリードフレームのダイ
パッド５０２の中央部に半導体素子５０５を搭載し、半
導体素子５０５の電極パッドと中継電極５１７の内端
と、中継電極５１７の外端とインナーリード５０３の端
部とをそれぞれワイヤ５０６にて結線することによりワ
イヤ長を短かくし、長ループワイヤのワイヤ流れによる
ショートを防止することができる。さらに中継電極５１
７部が薄膜の導電体となっているため微細配線の形成が
可能となり、多ピン、狭ピッチ化に対応できた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６３−２４６８５１号に代表される多層リードフレーム
では薄膜の導電体からなる中継電極を有する電極基板を
使用していないため、従来の図６に示すような単層リー
ドフレームの加工限界以上の狭いピッチに対応できなか
った。これは、リードフレーム素材の板厚に対してエッ
チング加工法では８０％程度、スタンピング法では板厚
程度がほぼ加工限界であることによった。さらに、金型
などを用いて金属プレーンもしくはリードフレームをダ
ウンセットし、ポリイミド製の絶縁テープを金型を用い
て任意の形状に打ち抜く必要があるため、一つの多層リ
ードフレームを製造するのに多数の金型を必要とし少量
品にはコスト高になりかねなかった。また、特開昭５８
−１９２３３４号に代表される中継電極付きリードフレ
ームでは、放熱用の金属板を備えていないため、多層リ
ードフレーム並み熱特性（熱放散性）は得られなかっ
た。熱伝導解析シュミレーションによるリードフレーム
の熱抵抗シュミレーションでも、放熱用の金属板をリー
ドフレームに組み合わせることにより２０℃／Ｗ程度の
熱抵抗が減少するという結果が得られている。さらに、
中継電極は絶縁被膜で一体化されているため、中継電極
部導電体のマイグレーションの恐れもある。このような
状況のもと、本発明は、上記問題を解決しようとするも
ので、熱的、電気的特性に優れ、狭ピッチ化対応可能
で、電極部におけるイオンマイグレーションの恐れのな
い高信頼性のリードフレームを提供しようとするもので
ある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、金属プレーンを１層有する半導体装置用のリードフ
レームであって、金属プレーン上に、孤立してなる絶縁
層を介して該絶縁と略同形状のインナーリードとは独立
した導電性薄膜部からなる電極を設けていることを特徴
とするものである。そして、上記の金属プレーンが半導
体素子搭載部を兼ねていることを特徴とするものであ
る。また、本発明のリードフレームは、上記金属プレー
ンがインナーリードの内側開口部より大きく、インナー
リードとオーバーラップしており、且つ、インナーリー
ド部は、テーピング材ないし粘着性を有する絶縁材で金
属プレーンに固定され、インナーリード部と前記導電性
薄膜部とが絶縁されていることを特徴とするものであ
る。そして、上記絶縁層が電着粘着性の絶縁層であるこ
とを特徴とするものであり、上記導電性薄膜が、Ｃｕ、
Ａｕ、Ａｇ等の金属単体、導電性電着樹脂等の導電性電
析物質、あるいはこれら導電性電析物質を多層に積層し
たものであることを特徴とするものである。又、本発明
のリードフレームの製造方法は、金属プレーンを１層有
する半導体装置用のリードフレームで、金属プレーン上
に、孤立してなる絶縁層を介して該絶縁と略同形状のイ
ンナーリードとは独立した電極を設けているリードフレ
ームの製造方法であり、少なくとも、順に、（Ａ）レジ
スト等からなる絶縁性のパターン開口部を形成した導電
性の版基材上に、該絶縁性のパターンの開口部に導電性
薄膜をメッキ形成する工程、（Ｂ）前記メッキにより導
電性薄膜上に、電着性及び粘着性を有する有機絶縁材料
を電着法により形成する工程、（Ｃ）前記電着性及び粘
着性を有する有機絶縁材料を介して、有機絶縁材料と導
電性薄膜を、前記金属プレーン上に転写する工程、
（Ｄ）有機絶縁材料と導電性薄膜を転写された金属プレ
ーンをテーピング材ないし粘着性を有する絶縁材でイン
ナーリード部と固定し、インナーリード部と前記導電性
薄膜部とを絶縁する工程、とを有するものである。そ
して、上記導電性薄膜が、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の金属単
体、導電性電着樹脂等の導電性電析物質、あるいはこれ
ら導電性電析物質を多層に積層したものであることを特
徴とするものである。。

【０００６】又、本発明のリードフレームは、樹脂封止
型半導体装置等に用いられるリードフレームで、上記の
ように、半導体装置の小型化、高集積化、高機能化に対
応すするもので、その為に、放熱性（熱放散性）の良い
金属プレーン、及び微細加工性の良い導電性薄膜部から
なる電極を用いるものであり、金属プレーン上に孤立し
た絶縁層を介して導電性薄膜からなる電極を形成したも
ので、金属プレーンは、電極部のない領域においては金
属部が露出した状態になっている。そして、金属プレー
ン部を放熱用の他にグランド層として用いる場合には、
金属プレーンの全面にＡｇメッキ、所定の部分のみにＡ
ｇメッキを形成して、グランドリードと接続することに
より、他の任意のリードと電気的接続することによりグ
ランド接続を可能とし、配線の自由度を向上させること
ができるとともに、グランドの接続端子数を多くし、実
質的なインダクタンスを下げ、ノイズの低減等の電気的
特性も改善できるものである。

【０００７】

【作用】本発明のリードフレームは、上記のように、金
属プレーン上に、孤立してなる絶縁層を介して、半導体
素子とインナーリードとの中継電極として、インナーリ
ードとは独立した導電性薄膜部からなる電極を設けてい
ることより、放熱性（熱放散性）に優れ、単層リードフ
レームに比べ、多ピン化、狭ピッチ化に対応できるもの
としており、且つ、中継電極部導電体のイオンマイグレ
ーションの恐れの無いものとしている。そして、上記金
属プレーンが半導体素子搭載部を兼ねていることによ
り、リードフレーム全体の構造を簡単なものとしてい
る。又上記金属プレーンがインナーリードの内側開口部
より大きく、インナーリードとオーバーラップし、且
つ、インナーリード部は、テーピングないし粘着性を有
する絶縁材で金属プレーンに固定され、インナーリード
部と前記導電性薄膜部とが絶縁されていることにより、
全体を強固なものとしているとともに、半導体素子から
の熱を金属プレートからテーピング材ないし粘着性有す
る絶縁材を通し外部へ発散するヒートスプレッダ付きリ
ードフレームの構造を呈しており、熱放散性の高いもの
としている。そして、孤立してなる絶縁層を電着粘着性
の絶縁層とし、また導電性薄膜部をＣｕ、Ａｕ、Ａｇ等
の金属単体、導電性電着樹脂等の導電性電析物質、ある
いはこれら導電性電析物質を多層に積層したものとする
ことにより、メッキ等により簡単に、孤立した絶縁層
部、導電性薄膜部を形成することを可能としている。さ
らに、金属プレーン部をグランドとして利用することに
より、配線の自由度を大とするとともにに電気的特性の
改善も可能としている。又、本発明のリードフレームの
製造方法は、このような構成にすることにより、微細な
導電性薄膜部および絶縁層を形成することを可能とし、
且つ、有機絶縁材料の粘着性を利用して、金属プレーン
上に該有機絶縁材料を介して孤立した導電性薄膜部を転
写形成することを可能とするものである。

【０００８】

【実施例】本発明のリードフレームの実施例を以下、図
にそって説明する。図１（ａ）は本発明の実施例のリー
ドフレームの要部を示す斜視図で、図１（ｂ）は電気的
特性を改善できる該リードフレームの使用方法を説明す
るための斜視図である。図１中、１はリードフレーム、
２は半導体素子搭載部、３はインナーリード、６はワイ
ヤ、７は絶縁層、８は金属プレーン、１５は電着粘着絶
縁層、１６は導電性薄膜部である。本実施例リードフレ
ーム１は、図１（ａ）に示すように、ダイパッドがない
もので、インナーリード３の内側領域の金属プレーン部
８を半導体素子搭載部２としている。インナーリード３
は、従来の図６に示す単層のリードフレームと比較し
て、短かくなっており、インナーリード３の内側領域
（半導体素子搭載側）を広げ、半導体素子の端子部（図
示していない）とインナーリード３との中継電極となる
導電性薄膜部１６の配線領域を広くしている。導電性薄
膜部１６は金属プレーン８上に電着粘着性の絶縁層１５
を介して固定されており、金属プレーン８とは絶縁され
た構造となっている。放熱と半導体層搭載の役割を兼ね
た金属プレーン８は放熱効果を高めるため、インナーリ
ード内部領域よりも大きくなっており、インナーリード
３と絶縁材７を介してオーバラップした状態で固定され
ており、ヒートスプレッダー付きリードフレームの構造
を呈している。又、絶縁材７により金属プレーン８とイ
ンナーリード３とは絶縁されている。本実施例リードフ
レーム１は、このように、中継電極となる導電性薄膜部
１６をもうけることにより、他ピン、狭ピッチに対応で
き、且つ、金属プレーンに８よる放熱性の良いものとし
ている。また、金属プレーン８上に孤立した電着粘着性
絶縁層１５を介してインナーリード３と半導体素子（図
示していない）との中継電極となる導電性薄膜部１６を
設けていることにより、電極部のイオンマングレーショ
ンの恐れのない構造としている。

【０００９】図１（ｂ）は、図１（ａ）のリードフレー
ム１を用い、ワイヤ５により金属プレーン８とインナー
リード３を接続したものである。金属プレーン８表面
の、ワイヤ６との接続部を含む所定の領域には、Ａｇの
めっき層（図示していない）があらかじめ形成してお
く。金属プレーン８を放熱用、半導体素子搭載用として
利用するだけでなく、グランドとして利用している。さ
らに、金属プレーン８をグランドとして利用することに
より、配線の自由度を大とするとともにに電気的特性の
改善も可能としている。

【００１０】次いで、実施例リードフレームの製造方法
の実施例を挙げるが、先ず、図２を用いて、概略工程を
以下簡単に説明しておく。まず、転写用基板としての導
電性基板１８上にフオトレジストを塗布してフオトレジ
スト層１９を形成した（図２（ａ））。そして所定のフ
オトマスク２０を用いてフオトレジスト層１９を密着露
光し、現像して、導電性基板１８のうち電極パターン部
１８ａ上を露出させた（図２（ｃ））。転写用基板とし
ての導電性基板１８としては、厚さ０．１５ｍｍのステ
ンレス板（ＳＵＳ３０４ＭＡ材）を用い、フオトレジス
トとしては日本合成ゴム（株）製感光性レジストＣＢＲ
−Ｍ９０１の１００ｃｐのものを用いて、１，０００ｒ
ｐｍ、４０ｓｅｃ条件で導電性基板１８上にスピン塗布
した。塗布レジストを乾燥後、必要電極パターン部が遮
光性のフオトマスク２０を用いて密着露光し、現像、キ
ュアし、膜厚約５．０μｍの反転レジストパターンから
なる電極パターン１８ａを得た。

【００１１】次に、導電性基板１８の電極パターン１８
ａ上にメッキ法により銅からなる導電性薄膜層１６を形
成した（図２（ｄ））。電極パターン１８ａを配設した
導電性基板１８を表−１に示すメッキ液組成およびメッ
キ条件でメッキ液に浸漬、通電することにより、パター
ン部のみに約５．０μｍ厚の銅メッキを施した。（表−１）メッキ液組成ピロリン酸銅９４ｇ／ｌピロリン酸カリウム３４０ｇ／ｌＰ比７．０ＰＨ８．８液温５Ａ／ｄｍ² 時間５．０ｍｉｎ

【００１２】その後、導電性薄膜層１６上に電着により
粘着性あるいは接着性のある絶縁性樹脂層１５を形成す
る（図２（ｅ））。これにより、導電性薄膜層１６と絶
縁樹脂層１５とを有する配線パターン層を設けた転写版
２１が得られた。粘着性あるいは接着性の絶縁性樹脂層
１５の形成は以下のようにしておこなった。導電性薄膜
層１６が配設された導電性基板１８を水洗乾燥後、後述
する電着液（Ａ）に浸漬させ、導電性基板１８側を陽極
に、同面積のステンレス板を陰極に載置し、極板距離を
５０ｍｍに対向させ、５０Ｖで導電性基板１８側を１０
分間連続印加することにより電極パターン１８ａの銅の
上のみに選択的にポリミック酸薄膜からなる絶縁性樹脂
層１５を形成した。電着液（Ａ）は、表−２に示す混合
溶液を室温にて１２時間反応させた後、トリエチルアミ
ン３部を添加し、室温にて薬１時間反応させた液とメタ
ノールを１：１に混合して作製した。（表−２）Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド１３５部Ｐ−フエニルレジアミン５部ピロメリット酸に無水物１０部

【００１３】次に、放熱用金属プレーン８上に、上記転
写版２１を絶縁樹脂層１５が基板８に接するように熱プ
レスをにて圧着した（図２（ｆ））。この圧着は、必要
に応じて、ローラ圧着、プレート圧着、真空圧着等、い
ずれの方法にしたがっても良く、絶縁樹脂層１５が接着
性の絶縁樹脂からなる場合には熱圧着を行うこともでき
る。その後、導電性基板１８を剥離して電極パターン部
１８ａに形成された導電性層１６と絶縁樹脂層１５とを
絶縁樹脂層１５を介して金属プレーン８に転写すること
により、中継電極となる電極部２２を形成した（図２
（ｇ））。この時の電極部２２は下層にポリイミド膜、
上層に銅の２層構造となっており、且つ、電極部以外の
金属プレーン８の領域は金属表面が露出した構造となっ
ている。熱プレスによる圧着は、絶縁性樹脂層１５を形
成した導電性基板１８を洗浄、乾燥後、放熱用金属プレ
ーンとパターン面を対向接触させ（図２（ｆ））、両裏
面より、１．０Ｋｇ／ｃｍ²、２５０℃、１時間の条件
で行った。この後室温まで冷却した後、圧力を解除し、
該電極パターン原版と放熱用金属プレーンとを引き離し
て、該電極パターン１８ａ部の導電性薄膜層１６と絶縁
性樹脂層１５のみを金属プレーン８側に転写することが
できた。

【００１４】尚、電極パターン１８ａ部の導電性薄膜層
１６形成の為のメッキ金属は、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の金
属単体もしくは導電性電着樹脂、あるいはこれら導電性
電析物質を多層にしたものであっても良い。

【００１５】又、上記ポリアミック酸薄膜に代表される
絶縁性樹脂層１５材は、常温もしくは加熱により粘着性
もしくは接着性を示す電着性絶縁物質であれば良い。例
えば、使用する高分子としては、粘着性を有するアニオ
ン性、またはカチオン性の合成高分子樹脂を挙げること
ができる。具体的には、アニオン性合成高分子樹脂とし
ては、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、マレイン化油
樹脂、ポリブタジエン樹脂、エポキシ樹脂等を単独で、
あるいは、これらの樹脂の任意の組合せによる混合物と
して使用できる。さらに、上記アニオン性合成高分子樹
脂とメラニン樹脂、フエノール樹脂、ウレタン樹脂等の
架橋性樹脂とを併用してもよい。また、カチオン性の合
成高分子樹脂として、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、エ
レタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
リイミド樹脂等を単独あるいは、これらの任意の組合せ
による混合物として使用できる。さらに、上記カチオン
性合成高分子樹脂とポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等
の架橋性樹脂とを併用しても良い。また、上記高分子樹
脂に粘着性を付与するためにロジン系、テンペル系、石
油系樹脂等の粘着付与樹脂を必要に応じて添加すること
も可能である。上記高分子樹脂は、前述した本発明の製
造方法においてアルカリ性または酸性物質により中和し
て水に可溶化された状態、または水分散状態で電着法に
供される。すなわち、アニオン性合成高分子樹脂は、ト
リメチルアミン、ジメチルアミン、ジメチルエタノール
アミン、ジイソパノールアミン等のアミン類、アンモニ
ア、苛性カリ等の無機アルカリで中和する。また、カチ
オン性合成高分子樹脂は、酢酸、ギ酸、プロピオン酸、
乳酸等の酸で中和する。そして、中和され水に可溶化さ
れた高分子樹脂は、水分散型、または溶解型として水に
希釈された状態で使用される。以上の方法により、電着
粘着性の絶縁層で絶縁された導電体薄膜部からなる電極
を形成した、半導体素子搭載と放熱の役割を兼ねた金属
プレーンを有するリードフレームが製造される。

【００１６】

【発明の効果】本発明のリードフレームは、以上のよう
に、半導体装置に用いられ、放熱性に優れたものとし、
半導体装置の多ピン化、狭ピッチ化要求にも対応できる
ものとしており、且つ、配線の自由度の向上、半導体装
置の電気的特性の向上を可能とするものである。又、半
導体装置を電極間のイオンマイグレーションの恐れもな
く、半導体装置全体を比較的簡単な構成にすることを可
能としている。そして、本発明のリードフレームの製造
方法はこのようなリードフレームの製造を可能とするも
のである。結局、本発明のリードフレーム及び本発明の
リードフレームの製造方法は、半導体装置の高集積化、
高機能化を可能としている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明実施例のリードフレーム

【図２】本発明実施例のリードフレームの製造方法

【図３】従来の多層リードフレームの構造を示す図

【図４】従来の多層リードフレームの金属プレーン（Ｇ
ＮＤ、電源）の形状を示す図

【図５】従来の中継電極付きリードフレームの構造を示
す図

【図６】従来の単層リードフレームを示す平面図

【図７】従来の単層リードフレームを用いた半導体装置
の要部を示す図

【符号の説明】１（本発明の）リードフレーム２半導体素子搭載部３インナーリード６ワイヤ７絶縁層８金属プレーン１５電着粘着絶縁層１６導電性薄膜１７電極（中継電極）１８導電性基板１８ａ電極パターン部１９フオトレジスト１９ａフオトレジストパターン２０フオトマスク２１転写板２２電極部３０７絶縁層３０９Ａ金属プレーン（ＧＮＤ）３０９Ｂ金属プレーン（電源）３１０信号ピン３１１ＧＮＤピン３１４電源ピン用タブ４０９Ａ金属プレーン（ＧＮＤ）４０９Ｂ金属プレーン（電源）４１３グランド（ＧＮＤ）ピン用タブ４１４電源ピン用タブ５０２ダイパッド５０３インナーリード５０５半導体素子５０６ワイヤ５０７絶縁層５１７中継電極６０１単層リードフレーム６０２ダイパッド６０３インナーリード６０４アウターリード７０１単層リードフレーム７０２ダイパッド７０３インナーリード７０５半導体素子７０６ワイヤ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属プレーンを１層有する半導体装置用
のリードフレームであって、金属プレーン上に、孤立し
てなる絶縁層を介して該絶縁層と略同形状のインナーリ
ードとは独立した導電性薄膜部からなる電極を設けてい
ることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】請求項１における金属プレーンが半導体
素子搭載部を兼ねていることを特徴とするリードフレー
ム。
【請求項３】請求項１ないし２におけるにおける金属
プレーンがインナーリードの内側開口部より大きく、イ
ンナーリードとオーバーラップしており、且つ、インナ
ーリード部は、テーピング材ないし粘着性を有する絶縁
材で金属プレーンに固定され、インナーリード部と前記
導電性薄膜部とが絶縁されていることを特徴とするリー
ドフレーム。
【請求項４】請求項１ないし３における絶縁層が電着
粘着性の絶縁層であることを特徴とするリードフレー
ム。
【請求項５】請求項１ないし４における導電性薄膜
が、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の金属単体、導電性電着樹脂等
の導電性電析物質、あるいはこれら導電性電析物質を多
層に積層したものであることを特徴とするリードフレー
ム。
【請求項６】金属プレーンを１層有する半導体装置用
のリードフレームで、金属プレーン上に、孤立してなる
絶縁層を介して該絶縁層と略同形状のインナーリードと
は独立した導電性薄膜部からなる電極を設けているリー
ドフレームの製造方法であり、少なくとも、順に、
（Ａ）レジスト等からなる絶縁性のパターン開口部を形
成した導電性の版基材上に、該絶縁性のパターンの開口
部に導電性薄膜をメッキ形成する工程、（Ｂ）前記メッ
キにより導電性薄膜上に、電着性及び粘着性を有する有
機絶縁材料を電着法により形成する工程、（Ｃ）前記電
着性及び粘着性を有する有機絶縁材料を介して、有機絶
縁材料と導電性薄膜を、前記金属プレーン上に転写する
工程、（Ｄ）有機絶縁材料と導電性薄膜を転写された金
属プレーンをテーピング材ないし粘着性を有する絶縁材
でインナーリード部と固定し、インナーリード部と前記
導電性薄膜部とを絶縁する工程、とを有することを特徴
とするリードフレームの製造方法。
【請求項７】請求項６における導電性薄膜が、Ｃｕ、
Ａｕ、Ａｇ等の金属単体、導電性電着樹脂等の導電性電
析物質、あるいはこれら導電性電析物質を多層に積層し
たものであることを特徴とするリードフレームの製造方
法。