JPH09116045A

JPH09116045A - リードフレームを用いたｂｇａタイプの樹脂封止型半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH09116045A
Application number: JP7290583A
Authority: JP
Inventors: Yoshiaki Ota; 善紀太田; Hideji Sagara; 秀次相楽
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1995-10-13
Filing date: 1995-10-13
Publication date: 1997-05-02

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】簡単な構造で、且つパッケージの反りの発生
や封止用樹脂の密着性不良による吸湿を原因とするパッ
ケージクラックの発生しない、リードフレームを用いた
樹脂封止型のＢＧＡ半導体装置を提供する。【解決手段】インナーリード１２２と、これと一体的
に連結して外部回路と電気的接続を行うための外部端子
と、半導体素子搭載用ダイパッド１２１とを平面的に設
け、外部端子を、二次元的に配列させたリードフレーム
を用いた、ＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置１００
であって、リードフレームの一方の面側には半導体素子
をダイパッド上に搭載し、半導体素子の端子１１１とイ
ンナーリード先端とをワイヤ１５０にて電気的に結線
し、他方の面には二次元的に配列した外部端子に一体的
に連結した外部電極１６０を設け、且つ、リードフレー
ムの半導体素子が搭載される面側は封止用樹脂で、他方
の面側はこれとは別の絶縁性樹脂で封止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，リードフレームを用い
たＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置は、電子機器の高性能
化と軽薄短小の傾向からＬＳＩはＡＳＩＣに代表される
ように、ますます高集積化、高機能化の一途をたどって
きている。これに伴い、信号の高速処理には、パッケー
ジ内部のスイッチングノイズが無視できない状況になっ
てきて、特に、ＩＣの同時スイッチングノイズにはパッ
ケージ内部配線の実効インダクタンスが大きく影響を与
える為、主に、電源やグランドの本数を増やしてこれに
対応してきた。この結果、半導体装置の高集積化、高機
能化は外部端子（ピン）総数の増加を招き、半導体装置
の多端子化が求められるようになってきた。多端子Ｉ
Ｃ、特にゲートアレイやスタンダードセルに代表される
ＡＳＩＣあるいは、マイコン、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ
ＳｉｇｎａｌＰｒｏｃｅｓｓｏｒ）等をコストパー
フォーマンス高くユーザに提供するパッケージとしてリ
ードフレームを用いたプラスチックＱＦＰ（Ｑｕａｄ
ＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）が主流となり、現在では３
００ピンを超えるものまで実用化に至ってきている。

【０００３】ＱＦＰは、図５（ｂ）に示す単層リードフ
レーム５２０を用いたもので、図５（ａ）に示すよう
に、ダイパッド５２１上に半導体素子５１０を搭載し、
銀めっき等の表面処理がなされたインナーリード５２２
先端部と半導体素子５１０の端子５１１とをワイヤ５３
０にて結線し、封止用樹脂５４０で封止を行い、この
後、ダムバー部５２４をカットし、アウターリード５２
３をガルウイング状に成形したものである。このよう
に、ＱＦＰは、パッケージの４方向に外部回路と電気的
に接続するためのアウターリード５２３を設けた構造で
多端子化に対応できるものとして開発されてきた。ここ
で用いられる単層リードフレーム５２０は、通常、４２
合金（４２％ニッケル−鉄合金）あるいは銅合金などの
電気伝導率が高く，且つ機械的強度が大きい金属材を素
材とし、フォトエッチング法かあるいはスタンピング法
により、図５（ｂ）に示すような形状に作製されてい
た。

【０００４】しかし、半導体素子の信号処理の高速化、
高機能化は、更に多くの端子数を必要とするようになっ
てきた。ＱＦＰでは外部端子ピッチを狭めることによ
り、パッケージサイズを大きくすることなく多端子化に
対応してきたが、外部端子の狭ピッチ化に伴い、外部端
子自体の幅が細くなり、外部端子の強度が低下するた
め、フォーミング等の後工程におけるアウターリードの
スキュー対応やプラナリイティー（平坦性）維持が難し
くなり、実装に際しては、パッケージ搭載精度の維持が
難しくなるという実装面での問題を抱えていた。

【０００５】このようなＱＦＰの実装面での問題に対応
するため、ＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒａｙ）
と呼ばれるプラスチックパッケージが開発されてきた。
このＢＧＡは、通常、両面基板の片面に半導体素子を搭
載し、もう一方の面に球状の半田ボールをパッケージの
外部端子として二次元的に配列し、スルーホールを通じ
て半導体素子と外部端子（半田ボール）との導通をとっ
たもので、実装性の対応を図ったパッケージである。Ｂ
ＧＡはパッケージの４辺に外部端子を設けたＱＦＰに比
べ、同じ外部端子数でも外部端子間隔（ピッチ）を大き
くとれるという利点があり、半導体装置の実装工程を難
しくせず、入出力端子の増加に対応できた。ＢＧＡは、
一般に図４に示すような構造である。図４（ｂ）は図４
（ａ）の裏面（基板）側からみた図で、図４（ｃ）はス
ルーホール４５０部を示したものである。このＢＧＡは
ＢＴレジン（ビスマレイミド樹脂）を代表とする耐熱性
を有する平板（樹脂板）の基材４０２の片面に半導体素
子４０１を搭載するダイパッド４０５と半導体素子４０
１からボンディングワイヤ４０８により電気的に接続さ
れるボンディングパッド４１０を持ち、もう一方の面
に、外部回路と半導体装置との電気的、物理的接続を行
う格子状あるいは千鳥状に配列された半田ボールにより
形成した外部接続端子４０６をもち、外部接続端子４０
６とボンディングパッド４１０の間を配線４０４とスル
ーホール４５０、配線４０４Ａにより電気的に接続して
いる構造である。しかしながら、このＢＧＡは、搭載す
る半導体素子とワイヤの結線を行う回路と、半導体装置
化した後にプリント基板に実装するための外部端子（半
田ボール）とを基板４０２の両面に設け、これらをスル
ーホール４５０を介して電気的に接続していた複雑な構
造であり、信号が通過する回路長が長くなり、その回路
デザインも複雑化している。また、耐熱及び絶縁樹脂基
材を用いて構成される従来型プラスチックＢＧＡ用の基
板を製造するプロセスは、樹脂基材の孔開けや表裏回路
の導通めっき処理及びソルダーレジスト印刷といった従
来のプリント基板と同様の工程が必要であり、全体とし
て長い工程にならざるをえない。これに加えて、高密度
化を実現するための回路プロセスにおいての制約が多く
存在し、低コストに製造することは難しい。そしてま
た、樹脂の熱膨張の影響によりスルーホール４５０が断
線を生じることもあり、信頼性の点で問題が多かった。
また、ＢＴレジン等の基材４０２と封止用樹脂の間の熱
膨張係数の差によるパッケージの反りが大きくなった
り、基材４０２と封止用樹脂との接着力（密着力）が弱
く、密着不良による吸湿が原因のパッケージクラックが
発生する場合があり問題となっていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、樹脂封
止型のＢＧＡ半導体装置においては、ＢＴレジン等の基
材を用いて作製するために、その構造が複雑となり、信
頼性の点で問題が多い上に、使用する材質からくるパッ
ケージの反りや封止用樹脂の密着不良による吸湿が原因
のパッケージクラックの問題もあり、その対応が求めら
れていた。本発明は、これに対応するためのもので、図
４に示す従来の樹脂封止型のＢＧＡ半導体装置のように
複雑な構造でなく、比較的に簡単な構造で、且つ使用す
る材質からくるパッケージの反りや封止用樹脂の密着不
良による吸湿が原因のパッケージクラックの問題を伴う
ことがない、リードフレームを用いた樹脂封止型のＢＧ
Ａ半導体装置を提供しようとするものであり、同時にそ
の製造方法を提供しようとするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
を用いたＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置は、少な
くとも、半導体素子の端子と電気的に接続を行うための
インナーリードと、該インナーリードと一体的に連結し
て外部回路と電気的接続を行うための外部端子と、半導
体素子を搭載するためのダイパッドとを平面的に設け、
且つ、外部端子を、二次元的に配列させたリードフレー
ムを用いた、ＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置であ
って、リードフレームの一方の面側には半導体素子をダ
イパッド上に搭載し、半導体素子の端子（パッド）とイ
ンナーリード先端とをワイヤにて電気的に結線してお
り、他方の面には二次元的に配列した外部端子に一体的
に連結した外部電極を外部に露出するように設けてお
り、且つ、リードフレームの半導体素子が搭載される前
記一方の面側は封止用樹脂で、他方の面側は前記封止用
樹脂とは別の液状の樹脂を該封止用樹脂及びリードフレ
ームに密着させて硬化させた絶縁性樹脂で封止するよう
にして、全体が封止されていることを特徴とするもので
ある。そして、上記において、リードフレームの半導体
素子搭載側のダイパッド表面、インナーリード先端部の
表面、外部電極と連結する外部端子の表面には、めっき
処理がなされていることを特徴とするものである。そし
てまた、上記において、絶縁性樹脂は熱硬化型のソルダ
ーレジストからなることを特徴とするものである。尚、
絶縁性樹脂として、他に熱硬化型ポリイミド、熱硬化型
エボキシ、感光性のポリイミド樹脂もしくはエポキシ樹
脂、熱可塑性のポリイミド樹脂等を用いることが可能で
ある。

【０００８】本発明のリードフレームを用いたＢＧＡタ
イプの樹脂封止型半導体装置の製造方法は、上記リード
フレームを用いたＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置
の製造方法であって、少なくとも、順に、（Ａ）リード
フレームの一方の面側に、少なくとも、樹脂封止領域よ
り大きい範囲で、リードフレームを支持し、且つ、樹脂
封止する際の樹脂の封止用の枠として、支持フィルムを
貼付ける工程と、（Ｂ）支持フィルムを貼りつけた側で
ない、リードフレームのダイパッド上に半導体素子を搭
載し、半導体素子の端子（パッド）とインナーリードの
先端とをワイヤにて電気的に結線する工程と、（Ｃ）リ
ードフレームの半導体素子を搭載した側を、封止用樹脂
にて封止する工程と、（Ｄ）支持フィルムを剥離除去
し、支持フィルムを剥離除去した側の、略樹脂封止領域
に相当する領域に、封止用樹脂とは別の液状の樹脂を該
封止用樹脂及びリードフレームに密着させて塗膜した後
に、前記液状の樹脂にて、リードフレームの外部端子領
域が外部に露出する開口を設けて、絶縁性樹脂を硬化さ
せて形成する工程と、（Ｅ）絶縁性樹脂の開口を通し、
リードフレームの外部端子に一体的に連結し、外部に露
出する半田からなる外部電極を形成する工程とからなる
ことを特徴とするものである。そして、上記において、
絶縁性樹脂は熱硬化型のソルダーレジストからなること
を特徴とするものである。

【０００９】尚、ここでは、平面的にとは、ダイパッド
とインナーリード、外部端子とが同一平面上、および略
同一平面上にあることを意味し、ダイパッドをダウンセ
ット処理した場合も含む。

【００１０】

【作用】本発明のリードフレームを用いたＢＧＡタイプ
の樹脂封止型半導体装置は、上記のように構成すること
により、図６に示す従来のＢＧＡタイプの樹脂封止型半
導体装置に比べ、品質的な問題や、製造コストの問題が
少ないＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置の提供を可
能とするものである。詳しくは、少なくとも、半導体素
子の端子と電気的に接続を行うためのインナーリード
と、該インナーリードと一体的に連結して外部回路と電
気的接続を行うための外部端子と、半導体素子を搭載す
るためのダイパッドとを平面的に設け、且つ、外部端子
を、二次元的に配列させたリードフレームを用い、二次
元的に配列した外部端子に一体的に連結した外部電極を
外部に露出するように設けていることより、図４に示す
従来のＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置に比べ、簡
単な構造でＢＧＡタイプの半導体装置を実現している。
また、リードフレームの半導体素子が搭載される前記一
方の面側は封止用樹脂で、他方の面側は前記封止用樹脂
とは別の液状の樹脂を該封止用樹脂及びリードフレーム
に密着させて硬化させた絶縁性樹脂で封止するようにし
て、全体が封止されていることにより、封止用樹脂と熱
硬化型の絶縁性樹脂との密着性を、図４に示す従来のＢ
ＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置における封止用樹脂
と基材（ＢＴレジン）との密着性よりも向上させること
を可能としており、結果としてパッケージクラックの少
ないものとしている。具体的には、絶縁性樹脂を熱硬化
型のソルダーレジストとすることにより、封止用樹脂と
密着性の良い状態で、且つ、絶縁性樹脂のリードフレー
ムの外部端子領域に相当する領域に、リソグラフィー技
術による製版による方法で外部電極用の開口を作製する
ことを可能としている。また、リードフレームの半導体
素子搭載側のダイパッド表面、インナーリード先端部の
表面、外部電極と連結する外部端子の表面には、めっき
処理がなされていることにより、導体素子の搭載、ワイ
ボンディング、外部電極の形成を確実なものとしてい
る。本発明のリードフレームを用いたＢＧＡタイプの樹
脂封止型半導体装置の製造方法は、上記のように構成す
ることにより、本発明のリードフレームを用いたＢＧＡ
タイプの半導体装置の作製を可能としている。特に、絶
縁性樹脂は熱硬化型のソルダーレジストを用いることに
より、炭酸ガスレーザやエキシマレーザ等のガスを用い
開口を作成する必要がないものとしている。

【００１１】

【実施例】本発明のリードフレームを用いたＢＧＡタイ
プの樹脂封止型半導体装置の実施例を図にもとづいて説
明する。図１は実施例のリードフレームを用いたＢＧＡ
タイプの樹脂封止型半導体装置断面図であり、図２
（ａ）は実施例の半導体装置に用いられた外形加工後の
リードフレームを示したもので、図２（ｂ）は図２
（ａ）の約１／４部分の拡大図である。尚、図２（ａ）
においては、分かり易くするため、図２（ｂ）に示す固
定用テープを処略して示している。また、図２（ａ）に
おいては、全体を分かり易くするために図２（ｂ）に比
べ、インナーリードの数、外部端子部の数等を少なくし
て示してある。図１、図２中、１００は半導体装置、１
１０は半導体素子、１２０はリードフレーム、１２１は
ダイパッド、１２１Ａは吊りリード、１２２はインナー
リード、１２２Ａインナーリード先端、１２２Ｂは連結
部、１２３は外部端子、１２３Ｂは連結部、１２４ダム
バー、１２６は固定用テープ、１３０は絶縁性樹脂、１
４０は封止用樹脂、１５０はワイヤ、１６０は外部電極
である。

【００１２】本実施例のリードフレームを用いたＢＧＡ
タイプの樹脂封止型半導体装置１００は、図２に示す半
導体素子の端子と電気的に接続を行うためのインナーリ
ード１２２と、該インナーリード１２２と一体的に連結
して外部回路と電気的接続を行うための外部端子１２３
と、半導体素子を搭載するためのダイパッド１２１と略
平面状に設け、且つ、外部端子１２３を二次元的に配列
させたリードフレーム１２０を用いたもので、リードフ
レーム１２０の一方の面側には半導体素子１１０をダイ
パッド１２１上に搭載し、半導体素子１１０の端子（パ
ッド）１１１とインナーリード先端１２２Ａとをワイヤ
１５０にて電気的に結線しており、他方の面には二次元
的に配列した外部端子１２３に一体的に連結した外部電
極１６０を外部に露出するように設けている。そして、
本実施例のリードフレームを用いたＢＧＡタイプの樹脂
封止型半導体装置１００は、リードフレーム１２０の半
導体素子１１０が搭載される、一方の面側は封止用樹脂
１４０で、他方の面側は熱硬化型の絶縁性樹脂１３０で
封止するようにして、全体が封止されている。絶縁性樹
脂１３０は、封止用樹脂１４０とは別の液状の樹脂を該
封止用樹１４０及びリードフレーム１２０に密着させて
硬化させたものである。

【００１３】リードフレーム１２０としては、図２
（ａ）に示すようにエッチングにて外形加工された、
０．１ｍｍ厚の銅合金を用いた。リードフレームの材質
は、銅合金の他４２合金（４２％ニッケル−鉄合金）で
も良い。外形加工後のリードフレームにおいては、図２
（ａ）に示すように、外部端子１２３は、リードフレー
ム１２０の外周部に設けられた樹脂封止の際のダムとな
るダムバー１２４に一体的に連結部１２３Ｂを介して連
結した状態であるが、ダムバー１２４部を含め不要の部
分は、後述する製造工程の途中で、切断除去される。ま
た、インナーリード先端１２２Ａは、先端を連結した状
態で外形加工されるが、図２（ｃ）（イ）に示すよう
に、所定の位置に固定用のテープ１２６を貼り固定した
後、図２（ｃ）（ロ）に示すように、不要な連結部１２
２Ｂを切断除去して使用される。尚、インナーリード先
端１２２Ａは、図２（ｃ）（イ）に示すように、先端部
のみを連結部１２２Ｂで連結して外形加工される他に、
ダイパッドに連結するようにして外形加工される場合も
ある。リードフレーム１２０のダイパッド１２１の半導
体素子搭載側面、インナーリード１２２の先端のワイヤ
ボンディング面、外部端子１２３の外部電極１６０側面
には、それぞれ、半導体素子１１０、ワイヤ１５０、外
部電極１６０との接続のためのめっきを施しておくが、
めっき工程は、図２（ｃ）（イ）に示す固定用のテープ
１２６をテーピングする前に行う。リードフレーム１０
０の厚さは、一般的にはリードフレーム素材の厚さが薄
いものほど微細加工、即ち、インナーリード先端１２２
Ａの狭いピッチ化が可能であるが、薄くなるに従いリー
ドフレーム全体の強度の確保が難しくなる為、インナー
リード先端部のみを薄肉状にしてエッチングにより外形
加工してリードフレームを作成して、インナーリードの
狭ピッチ化とアウターリードの強度確保を共に達成して
も良い。

【００１４】絶縁性樹脂１３０としては、封止用樹脂１
４０と間隙（空隙）を持たず密着するため、液状のもの
を硬化させる。本実施例においては、熱硬化型のソルダ
ーレジスト（太陽インキ製造株式会社製、型番号ＰＳＲ
−４０００）を用いた。

【００１５】外部電極１６０は、二次元的に配列された
外部端子１２３に一体的に連結するように、半田ボール
により作製され、外部に露出するように形成されてい
る。

【００１６】次いで、本発明のリードフレームを用いた
ＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置の製造方法の実施
例を図３に基づいて説明する。先ず、めっき処理等が施
された図２（ａ）に示すリードフレーム１２０に対し、
固定用テープ１２６を所定の位置に貼付け、図２（ｃ）
（ロ）に示すように、不要な連結部１２２Ｂを切断除去
した（図３（ａ））後、一面に接着剤を付けたフィルム
１８０を、接着剤を介して全面に貼り付けた後、フィル
ム１８０にリードフレームが支持された状態で不要部分
を切断除去した。（図３（ｂ））フィルム１８０としてはポリイミドベースのニッカン株
式会社製のＣＩＳＶタイプの接着剤付きフィルムを用い
たが、必ずしもこれに限定はされない。例えば、エポキ
シ樹脂、アクリル樹脂等でも良い。しかし、工程におけ
る熱処理に耐え、且つ、品質に影響をあたえないように
容易に剥離できることが必要である。次いで、半導体素
子１１０をリードフレーム１２０のフィルム１８０が貼
付けられていない側のダイパッド１２１上にダイボンデ
ィングにて搭載した後、ワイヤ１５０にて半導体素子１
１０の端子（パッド）１１１とインナーリード先端１２
２Ａとを電気的に結線した。（図３（ｃ））次いで、リードフレーム１２０の半導体素子１１０搭載
側から、半導体素子１１０、ワイヤ１５０、リードフレ
ーム１２０等の所定領域を封止用樹脂１４０にて封入し
た。（図３（ｄ））次いで、フィルム１８０を剥離した。（図３（ｅ））剥離は熱を１８０°Ｃかけて容易に剥離できた。この
後、リードフレーム１２０のフィルム１８０を剥離した
側の、封止用樹脂領域に相当する領域に、液状の感光性
のソルダーレジスト（太陽インキ製造株式会社製、型番
号ＰＳＲ−４０００）を塗布し、乾燥して厚さ略０．０
３ｍｍの膜を形成した後、所定のパターン版を介して所
定領域のみを露光し、水酸化ナトリウム溶液で現像処理
をして、外部端子１２３に対応する領域に外部端子１２
３が外部に露出するように開口１３１を形成した。（図
３（ｆ））次いで、ソルダーレジストをベイキング（乾燥）した
後、開口３２０に半田からなる外部電極１６０を形成し
た。（図３（ｇ））尚、半田ボールからなる外部電極（端子）１６０の形成
は、リードフレーム１２０の外部端子１２３が露出した
絶縁性樹脂１３０の開口１３１に半田ボールを溶融して
作製する。

【００１７】

【効果】本発明のリードフレームを用いたＢＧＡタイプ
の樹脂封止型半導体装置は、上記のように、図４に示す
従来のＢＴレジンからなる基材を用いた複雑な構造のも
のに比べ、リードフレームをコア材として回路を形成す
ることにより、構造を簡単なものとしており、製作上か
らくる信頼性の低下の問題を無くし、且つ、図４に示す
従来のものにおける、基材と樹脂との熱膨張率の違いに
よる反りの発生や、封止用樹脂の密着性不良からくる吸
湿が原因のパッケージクラックの発生がないものとして
いる。また、本発明のリードフレームを用いたＢＧＡタ
イプの樹脂封止型半導体装置の製造方法は、上記のよう
に、本発明のリードフレームを用いたＢＧＡタイプの樹
脂封止型半導体装置の作製を可能とするものであり、特
に、絶縁性樹脂として熱硬化型のソルダーレジストを用
いていることにより、その作製を簡単なものとしてい
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例のリードフレームを用いたＢＧＡタイプ
の樹脂封止型半導体装置の断面図

【図２】実施例のリードフレームリードフレームを用い
たＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置に使用されたリ
ードフレームの概略図

【図３】実施例のリードフレームを用いたＢＧＡタイプ
の樹脂封止型半導体装置の製造方法の工程図

【図４】従来のＢＧＡを説明するための図

【図５】従来の樹脂封止型半導体装置と単層リードフレ
ームを説明するための図

【符号の説明】

１００半導体装置１１０半導体素子１２０リードフレーム１２１ダイパッド１２１Ａ吊りリード１２２インナーリード１２２Ａインナーリード先端１２２Ｂ、１２３Ｂ連結部１２３外部端子１２４ダムバー１２６固定用テープ１３０絶縁性樹脂１３１開口１４０封止用樹脂１５０ワイヤ１６０外部電極１８０フィルム４０１半導体素子４０２基材４０３モールドレジン４０４、４０４Ａ配線４０５ダイパッド４０６外部接続端子４０８ボンデイングワイヤ４１０ボンディングパッド４１８めっき部４５０スルーホール４５１熱伝導ビア５００半導体装置５１０半導体素子５１１電極部（パッド）５２０（単層）リードフレーム５２１ダイパッド５２２インナーリード５２２Ａインナーリード先端部５２３アウターリード５２４ダムバー５２５フレーム（枠）部５３０ワイヤ５４０封止樹脂

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも、半導体素子の端子と電気的
に接続を行うためのインナーリードと、該インナーリー
ドと一体的に連結して外部回路と電気的接続を行うため
の外部端子と、半導体素子を搭載するためのダイパッド
とを平面的に設け、且つ、外部端子を、二次元的に配列
させたリードフレームを用いた、ＢＧＡタイプの樹脂封
止型半導体装置であって、リードフレームの一方の面側
には半導体素子をダイパッド上に搭載し、半導体素子の
端子（パッド）とインナーリード先端とをワイヤにて電
気的に結線しており、他方の面には二次元的に配列した
外部端子に一体的に連結した外部電極を外部に露出する
ように設けており、且つ、リードフレームの半導体素子
が搭載される前記一方の面側は封止用樹脂で、他方の面
側は前記封止用樹脂とは別の液状の樹脂を該封止用樹脂
及びリードフレームに密着させて硬化させた絶縁性樹脂
で封止するようにして、全体が封止されていることを特
徴とするリードフレームを用いたＢＧＡタイプの樹脂封
止型半導体装置。
【請求項２】請求項１において、リードフレームの半
導体素子搭載側のダイパッド表面、インナーリード先端
部の表面、外部電極と連結する外部端子の表面には、め
っき処理がなされていることを特徴とするリードフレー
ムを用いたＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置。
【請求項３】請求項１ないし２において、絶縁性樹脂
は熱硬化型のソルダーレジストからなることを特徴とす
るリードフレームを用いたＢＧＡタイプの樹脂封止型半
導体装置。
【請求項４】請求項１ないし３記載のリードフレーム
を用いたＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置の製造方
法であって、少なくとも、順に、（Ａ）リードフレーム
の一方の面側に、少なくとも、樹脂封止領域より大きい
範囲で、リードフレームを支持し、且つ、樹脂封止する
際の樹脂の封止用の枠として、支持フィルムを貼付ける
工程と、（Ｂ）支持フィルムを貼りつけた側でない、リ
ードフレームのダイパッド上に半導体素子を搭載し、半
導体素子の端子（パッド）とインナーリードの先端とを
ワイヤにて電気的に結線する工程と、（Ｃ）リードフレ
ームの半導体素子を搭載した側を、封止用樹脂にて封止
する工程と、（Ｄ）支持フィルムを剥離除去し、支持フ
ィルムを剥離除去した側の、略樹脂封止領域に相当する
領域に、封止用樹脂とは別の液状の樹脂を該封止用樹脂
及びリードフレームに密着させて塗膜した後に、前記液
状の樹脂にて、リードフレームの外部端子領域が外部に
露出する開口を設けて、絶縁性樹脂を硬化させて形成す
る工程と、（Ｅ）絶縁性樹脂の開口を通し、リードフレ
ームの外部端子に一体的に連結し、外部に露出する半田
からなる外部電極を形成する工程とからなることを特徴
とするリードフレームを用いたＢＧＡタイプの樹脂封止
型半導体装置の製造方法。
【請求項５】請求項４において、絶縁性樹脂は熱硬化
型のソルダーレジストからなることを特徴とするリード
フレームを用いたＢＧＡタイプの樹脂封止型半導体装置
の製造方法。