JPH07312460A - 光半導体素子 - Google Patents
光半導体素子Info
- Publication number
- JPH07312460A JPH07312460A JP12573394A JP12573394A JPH07312460A JP H07312460 A JPH07312460 A JP H07312460A JP 12573394 A JP12573394 A JP 12573394A JP 12573394 A JP12573394 A JP 12573394A JP H07312460 A JPH07312460 A JP H07312460A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- composition
- optical
- face
- aln
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＴＥ波、ＴＭ波共に低反射率にでき、更に端面
を保護する性能の高い光学膜を端面に持つ光半導体素子
である。 【構成】端面に光学膜を施した光半導体素子１である。
光学膜は、２層の誘電体薄膜２、３の組み合わせからな
り、端面側の第１の薄膜２は、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4から選
ばれる少なくとも１種の材料と、ＳｉＮxの材料との膜
からなり、第１の薄膜２上に形成される第２の薄膜３
は、ＳｉＯ2の材料からなる。ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4から選
ばれる少なくとも１種の材料の組成濃度は、素子端面側
が大きく、膜厚方向に徐々に組成濃度が減少し、かつＳ
ｉＮxの組成濃度は、端面側が小さく、膜厚方向に徐々
に組成濃度が増加している。
を保護する性能の高い光学膜を端面に持つ光半導体素子
である。 【構成】端面に光学膜を施した光半導体素子１である。
光学膜は、２層の誘電体薄膜２、３の組み合わせからな
り、端面側の第１の薄膜２は、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4から選
ばれる少なくとも１種の材料と、ＳｉＮxの材料との膜
からなり、第１の薄膜２上に形成される第２の薄膜３
は、ＳｉＯ2の材料からなる。ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4から選
ばれる少なくとも１種の材料の組成濃度は、素子端面側
が大きく、膜厚方向に徐々に組成濃度が減少し、かつＳ
ｉＮxの組成濃度は、端面側が小さく、膜厚方向に徐々
に組成濃度が増加している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信システムなどに
用いられる光信号を直接増幅する為の高帯域半導体光増
幅器等である、端面に、保護性能を有しかつ無反射コー
ティングの光学膜などを持つ光半導体素子に関する。
用いられる光信号を直接増幅する為の高帯域半導体光増
幅器等である、端面に、保護性能を有しかつ無反射コー
ティングの光学膜などを持つ光半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体光増幅器は、図７に示す様
に、基板１００上に形成された上下クラッド層１０５、
１０６に挟まれた活性層１０２を含む半導体レーザ構造
１０１を有し、そのへき開端面に反射防止（ＡＲ）コー
ティング１０３ａ、１０３ｂを施すことによって、電流
１０４の注入で高い内部ゲインを与えた場合にもレーザ
発振が抑えられる様な構造を有している。
に、基板１００上に形成された上下クラッド層１０５、
１０６に挟まれた活性層１０２を含む半導体レーザ構造
１０１を有し、そのへき開端面に反射防止（ＡＲ）コー
ティング１０３ａ、１０３ｂを施すことによって、電流
１０４の注入で高い内部ゲインを与えた場合にもレーザ
発振が抑えられる様な構造を有している。
【０００３】このＡＲコーティングの良否は半導体光増
幅器の性能を左右し、入力波長スペクトルに対するゲイ
ンの増減（ゲインリップル）を抑えるにはＡＲコーティ
ングの反射率を低く抑える必要がある。ゲインリップル
を２ｄＢとした場合の単一通過ゲインＧとＡＲコーティ
ングの反射率Ｒとの条件は Ｇ・Ｒ≦０．１ で与えられる。例えば、ゲイン２０ｄＢとした場合の反
射率はＲ≦０．１％となる。
幅器の性能を左右し、入力波長スペクトルに対するゲイ
ンの増減（ゲインリップル）を抑えるにはＡＲコーティ
ングの反射率を低く抑える必要がある。ゲインリップル
を２ｄＢとした場合の単一通過ゲインＧとＡＲコーティ
ングの反射率Ｒとの条件は Ｇ・Ｒ≦０．１ で与えられる。例えば、ゲイン２０ｄＢとした場合の反
射率はＲ≦０．１％となる。
【０００４】こうした反射率Ｒを低減し波長スペクトル
に対するゲインリップルを解消した光増幅器は、多波長
多重化信号の光増幅に有用であり、進行波型光増幅器と
称される。
に対するゲインリップルを解消した光増幅器は、多波長
多重化信号の光増幅に有用であり、進行波型光増幅器と
称される。
【０００５】ＡＲコーティング１０３ａ、１０３ｂの形
成手段としては、通常、へき開端面に所望の屈折率ｎ’
を有する誘電体膜をλ／４ｎ’（λは光波長）の厚さで
堆積している。ここでの所望の屈折率は、用いる半導体
材料、導波路構造で異なるが、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ
系のレーザにおいては、最適屈折率の値はおおよそｎ’
≒１．８１である。
成手段としては、通常、へき開端面に所望の屈折率ｎ’
を有する誘電体膜をλ／４ｎ’（λは光波長）の厚さで
堆積している。ここでの所望の屈折率は、用いる半導体
材料、導波路構造で異なるが、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰ
系のレーザにおいては、最適屈折率の値はおおよそｎ’
≒１．８１である。
【０００６】ところで、半導体光増幅器には、ＴＥ波と
ＴＭ波の２つの偏波状態が存在し、夫々ゲインが異なる
のが一般的である。これらの半導体光増幅器の入出力に
は、通常、単一モードの光ファイバーが用いられるが、
光ファイバーへの圧力、温度、振動等による応力の変化
により伝送光の偏波状態が経時的に変化する。そのた
め、光ファイバーからの出力光を受けた半導体光増幅器
のゲインも不安定になる。そのため、その対策には、半
導体光増幅器の端面反射率を、ＴＥ波、ＴＭ波共に低減
する事が必要となる。
ＴＭ波の２つの偏波状態が存在し、夫々ゲインが異なる
のが一般的である。これらの半導体光増幅器の入出力に
は、通常、単一モードの光ファイバーが用いられるが、
光ファイバーへの圧力、温度、振動等による応力の変化
により伝送光の偏波状態が経時的に変化する。そのた
め、光ファイバーからの出力光を受けた半導体光増幅器
のゲインも不安定になる。そのため、その対策には、半
導体光増幅器の端面反射率を、ＴＥ波、ＴＭ波共に低減
する事が必要となる。
【０００７】しかし、上記反射防止膜として単層膜を用
いた場合、最適屈折率（１．８１）においては、ＴＥ
波、ＴＭ波共に、０．０１％程度の反射率が期待出来る
が、僅か０．１の屈折率変動でも、そのＴＥ波、ＴＭ波
の各反射率の比が１００倍以上に拡大してしまい、製膜
上の屈折率制御が難しくなる。
いた場合、最適屈折率（１．８１）においては、ＴＥ
波、ＴＭ波共に、０．０１％程度の反射率が期待出来る
が、僅か０．１の屈折率変動でも、そのＴＥ波、ＴＭ波
の各反射率の比が１００倍以上に拡大してしまい、製膜
上の屈折率制御が難しくなる。
【０００８】そこで、屈折率変動に対して比較的許容度
が広い、高屈折率の材料と低屈折率の材料を組み合わせ
た２層膜以上の膜構成にした反射防止膜も考えられる。
上記例の場合、高屈折率材料の屈折率は２．２０〜２．
６５、低屈折率材料においては１．２５〜１．４８の範
囲での各々の屈折率とその膜厚との組み合わせにおい
て、ＴＥ、ＴＭ波共に、低屈折率（０．１％以下）を達
成する事が可能となる。その具体的な材料を挙げれば、
高屈折率材料としてはＴｉＯ2、ＣｅＯ2、ＺｎＳ等があ
り、低屈折率材料としてはＭｇＦ2、ＣａＦ2、ＬｉＦ等
が知られている。
が広い、高屈折率の材料と低屈折率の材料を組み合わせ
た２層膜以上の膜構成にした反射防止膜も考えられる。
上記例の場合、高屈折率材料の屈折率は２．２０〜２．
６５、低屈折率材料においては１．２５〜１．４８の範
囲での各々の屈折率とその膜厚との組み合わせにおい
て、ＴＥ、ＴＭ波共に、低屈折率（０．１％以下）を達
成する事が可能となる。その具体的な材料を挙げれば、
高屈折率材料としてはＴｉＯ2、ＣｅＯ2、ＺｎＳ等があ
り、低屈折率材料としてはＭｇＦ2、ＣａＦ2、ＬｉＦ等
が知られている。
【０００９】
【発明が解決しようとしている課題】しかし、反射防止
効果だけでなく、環境雰囲気からの酸素や水分から半導
体レーザ構造端面を保護する性能が高いか否かという点
に関しては、上記材料群では必ずしも充分とは言えな
い。例えば、半導体レーザ構造端面に接する第１の薄膜
がＴｉＯ2、ＣｅＯ2等の酸化物の場合は、遊離酸素によ
る端面への影響があり、第２の薄膜がフッ化物の場合は
吸湿性等の問題が生じる。
効果だけでなく、環境雰囲気からの酸素や水分から半導
体レーザ構造端面を保護する性能が高いか否かという点
に関しては、上記材料群では必ずしも充分とは言えな
い。例えば、半導体レーザ構造端面に接する第１の薄膜
がＴｉＯ2、ＣｅＯ2等の酸化物の場合は、遊離酸素によ
る端面への影響があり、第２の薄膜がフッ化物の場合は
吸湿性等の問題が生じる。
【００１０】そこで、本発明においては、半導体光増幅
器等の光半導体素子端面に積層された光学膜が、ＴＥ
波、ＴＭ波共に０．１％以下の低反射率を有し、しかも
製膜上の屈折率変動の許容量も大きい２層膜構成の反射
防止膜であり、かつ環境雰囲気からの光半導体素子端面
を保護する膜として高耐久性を要求する課題をも解決す
る。
器等の光半導体素子端面に積層された光学膜が、ＴＥ
波、ＴＭ波共に０．１％以下の低反射率を有し、しかも
製膜上の屈折率変動の許容量も大きい２層膜構成の反射
防止膜であり、かつ環境雰囲気からの光半導体素子端面
を保護する膜として高耐久性を要求する課題をも解決す
る。
【００１１】よって、本発明の目的は、上記課題を解決
した、端面に光学膜を持つ光半導体素子を提供すること
にある。
した、端面に光学膜を持つ光半導体素子を提供すること
にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明では、端面に光学
膜（反射防止膜など）を施した半導体光増幅器などの光
半導体素子において、該光学膜は、２層の誘電体薄膜の
組み合わせからなり、該素子端面側の第１の薄膜は、Ａ
ｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4から選ばれる少なくとも１種の材料とＳ
ｉＮxの材料との膜からなり、該ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4から
選ばれる少なくとも１種の材料の組成濃度は、素子端面
側が大きく、膜厚方向に徐々に組成濃度が減少し、かつ
ＳｉＮxの組成濃度は、素子端面側が小さく、膜厚方向
に徐々に組成濃度が増加している傾斜組成の膜であり、
第２の薄膜はＳｉＯ2の材料からなることを特徴とす
る。
膜（反射防止膜など）を施した半導体光増幅器などの光
半導体素子において、該光学膜は、２層の誘電体薄膜の
組み合わせからなり、該素子端面側の第１の薄膜は、Ａ
ｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4から選ばれる少なくとも１種の材料とＳ
ｉＮxの材料との膜からなり、該ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4から
選ばれる少なくとも１種の材料の組成濃度は、素子端面
側が大きく、膜厚方向に徐々に組成濃度が減少し、かつ
ＳｉＮxの組成濃度は、素子端面側が小さく、膜厚方向
に徐々に組成濃度が増加している傾斜組成の膜であり、
第２の薄膜はＳｉＯ2の材料からなることを特徴とす
る。
【００１３】更に、前記第１の薄膜の傾斜組成膜の平均
屈折率ｎは、２．５０≦ｎ≦２．６５の範囲であるが望
ましい。
屈折率ｎは、２．５０≦ｎ≦２．６５の範囲であるが望
ましい。
【００１４】
【実施例１】まず、本発明の光学膜材料を用いた半導体
光増幅器の実施例を斜視図である図１に示す。基本構造
となる半導体レーザ構造は、リッジ型レーザ１が用いら
れていて、へき開面は、傾斜組成膜２を含む２層の光学
膜材料２、３から成る。次に、半導体レーザデバイスの
構成と作製方法について説明する。
光増幅器の実施例を斜視図である図１に示す。基本構造
となる半導体レーザ構造は、リッジ型レーザ１が用いら
れていて、へき開面は、傾斜組成膜２を含む２層の光学
膜材料２、３から成る。次に、半導体レーザデバイスの
構成と作製方法について説明する。
【００１５】図２において、２１はｎ型ＩｎＰ基板、２
２はｎ型ＩｎＰバッファ層、２３は１．５５μｍ組成の
ＩｎＧａＡｓＰ活性層、２４はｐ型ＩｎＰクラッド層、
２５はｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層である。これらの
エピタキシャル膜は有機金属熱分解（ＭＯ−ＣＶＤ）法
などによって堆積、形成される。この後、フォトリソグ
ラフィによるリッジ部のパターニング後、反応性イオン
ビームエッチング（ＲＩＢＥ）法によって、幅２〜３μ
ｍ、活性層２３までの深さ０．３〜０．４μｍのリッジ
部を形成する。更に、Ｓｉ3Ｎ4膜２６を堆積した後、キ
ャップ部２５からの電流注入を可能とする窓開けを行
い、上面及び下面に電極２７、２８の形成を行う。上記
のプロセスが終了したレーザウエハは、バー状あるいは
チップ状にへき開され、へき開端面に上記の光学膜材料
構成によるコーティング処理が行われる。
２はｎ型ＩｎＰバッファ層、２３は１．５５μｍ組成の
ＩｎＧａＡｓＰ活性層、２４はｐ型ＩｎＰクラッド層、
２５はｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層である。これらの
エピタキシャル膜は有機金属熱分解（ＭＯ−ＣＶＤ）法
などによって堆積、形成される。この後、フォトリソグ
ラフィによるリッジ部のパターニング後、反応性イオン
ビームエッチング（ＲＩＢＥ）法によって、幅２〜３μ
ｍ、活性層２３までの深さ０．３〜０．４μｍのリッジ
部を形成する。更に、Ｓｉ3Ｎ4膜２６を堆積した後、キ
ャップ部２５からの電流注入を可能とする窓開けを行
い、上面及び下面に電極２７、２８の形成を行う。上記
のプロセスが終了したレーザウエハは、バー状あるいは
チップ状にへき開され、へき開端面に上記の光学膜材料
構成によるコーティング処理が行われる。
【００１６】コーティングの層構成を示す図３におい
て、２、３は、本実施例の傾斜組成膜２を含む２層の光
学膜である。半導体レーザ端面側の第１の薄膜２は傾斜
組成膜である。傾斜組成膜２を構成するＡｌＮ、Ｓｉ3
Ｎ4から選ばれる少くとも１種の材料の組成濃度は、端
面側が大きく、膜厚方向に徐々に組成濃度が減少してい
る。また、同じく傾斜組成膜２を構成するＳｉ Ｎxの材
料の組成濃度は、光半導体素子端面側が小さく、膜厚方
向に徐々に組成濃度が増加している。
て、２、３は、本実施例の傾斜組成膜２を含む２層の光
学膜である。半導体レーザ端面側の第１の薄膜２は傾斜
組成膜である。傾斜組成膜２を構成するＡｌＮ、Ｓｉ3
Ｎ4から選ばれる少くとも１種の材料の組成濃度は、端
面側が大きく、膜厚方向に徐々に組成濃度が減少してい
る。また、同じく傾斜組成膜２を構成するＳｉ Ｎxの材
料の組成濃度は、光半導体素子端面側が小さく、膜厚方
向に徐々に組成濃度が増加している。
【００１７】本実施例の傾斜組成膜２の材料構成や構造
には、以下の特徴がある。 （１）Ｓｉ3Ｎ4やＡｌＮは非酸化物であり、且つ緻密な
膜となることから、環境雰囲気からの酸素や水分から半
導体レーザ構造端面を保護する性能が高く、そのため端
面に近い方はＳｉ3Ｎ4やＡｌＮで積層する方が、より信
頼性が上がる。 （２）Ｓｉ Ｎxは、化学量論的に不確定な組成比である
が、組成的に安定なＳｉ3Ｎ4より多くのＳｉを含むこと
により、屈折率を高くできる。 （３）傾斜組成膜２は後述する様に半導体レーザ構造素
子の回転或は移動等の機構で簡単に積層できる。
には、以下の特徴がある。 （１）Ｓｉ3Ｎ4やＡｌＮは非酸化物であり、且つ緻密な
膜となることから、環境雰囲気からの酸素や水分から半
導体レーザ構造端面を保護する性能が高く、そのため端
面に近い方はＳｉ3Ｎ4やＡｌＮで積層する方が、より信
頼性が上がる。 （２）Ｓｉ Ｎxは、化学量論的に不確定な組成比である
が、組成的に安定なＳｉ3Ｎ4より多くのＳｉを含むこと
により、屈折率を高くできる。 （３）傾斜組成膜２は後述する様に半導体レーザ構造素
子の回転或は移動等の機構で簡単に積層できる。
【００１８】傾斜組成膜２に続いて、第２の薄膜３が積
層される。第２の薄膜３はＳｉＯ2であり、低屈折率材
料群の中では、吸湿性のない、また化学的に安定な材料
である。
層される。第２の薄膜３はＳｉＯ2であり、低屈折率材
料群の中では、吸湿性のない、また化学的に安定な材料
である。
【００１９】そして、上記第１の薄膜２と第２の薄膜３
の組み合わせにおいて、傾斜組成膜である第１の薄膜２
の平均屈折率ｎが２．５０≦ｎ≦２．６５となる範囲に
なるように製膜することにより、ＴＥ波、ＴＭ波共に端
面反射率を０．１％以下にすることができ、更に半導体
レーザ構造端面の保護性能も確保できる。
の組み合わせにおいて、傾斜組成膜である第１の薄膜２
の平均屈折率ｎが２．５０≦ｎ≦２．６５となる範囲に
なるように製膜することにより、ＴＥ波、ＴＭ波共に端
面反射率を０．１％以下にすることができ、更に半導体
レーザ構造端面の保護性能も確保できる。
【００２０】各材料の半導体レーザ素子端面への製膜
は、スパッタ法や電子ビーム蒸着法等の通常の真空製膜
法が適用できる。Ｓｉ Ｎx膜は、Ｓｉ3Ｎ4のターゲット
上にＳｉの微小チップを複数個載せて、或はＳｉターゲ
ット上にＳｉ3Ｎ4の微小チップを複数個載せて、スパッ
タガスとしてＡｒガスあるいはＡｒ＋Ｎ ２の混合ガスを
用いたスパッタ法で組成制御する方法、粒状のＳｉとＳ
ｉ3Ｎ4の混合物を用いた電子ビーム蒸着法で組成制御す
る方法等で得られる。
は、スパッタ法や電子ビーム蒸着法等の通常の真空製膜
法が適用できる。Ｓｉ Ｎx膜は、Ｓｉ3Ｎ4のターゲット
上にＳｉの微小チップを複数個載せて、或はＳｉターゲ
ット上にＳｉ3Ｎ4の微小チップを複数個載せて、スパッ
タガスとしてＡｒガスあるいはＡｒ＋Ｎ ２の混合ガスを
用いたスパッタ法で組成制御する方法、粒状のＳｉとＳ
ｉ3Ｎ4の混合物を用いた電子ビーム蒸着法で組成制御す
る方法等で得られる。
【００２１】ＡｌＮ膜は、ＡｌＮをターゲットとして、
スパッタガスとしてＡｒガスあるいはＡｒ＋Ｎ ２の混合
ガス等を用いたスパッタ法や、ＡｌＮを蒸発源とした電
子ビーム蒸着法等で製膜できる。
スパッタガスとしてＡｒガスあるいはＡｒ＋Ｎ ２の混合
ガス等を用いたスパッタ法や、ＡｌＮを蒸発源とした電
子ビーム蒸着法等で製膜できる。
【００２２】Ｓｉ３Ｎ４膜は、Ｓｉ３Ｎ４をターゲット
として、ＡｒガスあるいはＡｒ＋Ｎ２の混合ガス等をス
パッタガスに用いたスパッタ法、Ｓｉ3Ｎ4を蒸発源とし
た電子ビーム蒸着法等で製膜できる。
として、ＡｒガスあるいはＡｒ＋Ｎ２の混合ガス等をス
パッタガスに用いたスパッタ法、Ｓｉ3Ｎ4を蒸発源とし
た電子ビーム蒸着法等で製膜できる。
【００２３】ＡｌＮとＳｉ３Ｎ４の混合膜は、上記のそ
れぞれのターゲットを用いた同時スパッタ法や、あらか
じめ、ＡｌＮとＳｉ３Ｎ４を焼結して形成したターゲッ
トを用いる方法、ＡｌＮターゲット或はＳｉ３Ｎ４ター
ゲット上に夫々Ｓｉ３Ｎ４チップ或はＡｌＮチップを載
せた複合ターゲットで組成制御したスパッタ法や、Ａｌ
ＮとＳｉ３Ｎ４の混合物を蒸発源とした電子ビーム蒸着
法等て製膜できる。
れぞれのターゲットを用いた同時スパッタ法や、あらか
じめ、ＡｌＮとＳｉ３Ｎ４を焼結して形成したターゲッ
トを用いる方法、ＡｌＮターゲット或はＳｉ３Ｎ４ター
ゲット上に夫々Ｓｉ３Ｎ４チップ或はＡｌＮチップを載
せた複合ターゲットで組成制御したスパッタ法や、Ａｌ
ＮとＳｉ３Ｎ４の混合物を蒸発源とした電子ビーム蒸着
法等て製膜できる。
【００２４】次に、傾斜組成膜２の製膜法について述べ
る。図４は、スパッタ法を例とした傾斜組成膜２の製膜
法及び製膜装置を簡略的に示す図である。６１は、Ａｌ
Ｎ、Ｓｉ３Ｎ４から選ばれる少なくとも１種の材料から
成るターゲット、６２はＳｉ３Ｎ４ターゲット上にＳｉ
の微小チップを載せた複合ターゲット、６３は端面に傾
斜組成膜２を含む反射防止膜を積層する半導体素子、６
４は半導体素子６３のホルダー基板、６５は半導体素子
６３の移動方向、６６は隔壁板である。
る。図４は、スパッタ法を例とした傾斜組成膜２の製膜
法及び製膜装置を簡略的に示す図である。６１は、Ａｌ
Ｎ、Ｓｉ３Ｎ４から選ばれる少なくとも１種の材料から
成るターゲット、６２はＳｉ３Ｎ４ターゲット上にＳｉ
の微小チップを載せた複合ターゲット、６３は端面に傾
斜組成膜２を含む反射防止膜を積層する半導体素子、６
４は半導体素子６３のホルダー基板、６５は半導体素子
６３の移動方向、６６は隔壁板である。
【００２５】複数のターゲットを同時にスパッタできる
多元同時スパッタ装置を用いて、光半導体素子６３を移
動或は回転可能な状態で、ターゲット６１に近い方か
ら、矢印６５に示す方向に移動して製膜する。製膜は、
移動に従って、ターゲット６１の材料組成が徐々に減少
し、ターゲット６２の材料（Ｓｉ Ｎx）組成が徐々に増
加する。
多元同時スパッタ装置を用いて、光半導体素子６３を移
動或は回転可能な状態で、ターゲット６１に近い方か
ら、矢印６５に示す方向に移動して製膜する。製膜は、
移動に従って、ターゲット６１の材料組成が徐々に減少
し、ターゲット６２の材料（Ｓｉ Ｎx）組成が徐々に増
加する。
【００２６】傾斜組成膜２の各々の材料の組成や屈折率
は、各ターゲット６１、６２に投入する電力や、複合タ
ーゲット上の各材料の占有面積比、スパッタガス圧、ス
パッタガス種、基板間距離等で決まる各々の材料の組成
や製膜速度と、光半導体素子６３の移動速度、隔壁板６
６の高さ、各ターゲット６１、６２の配置等で制御可能
である。そして、傾斜組成膜２の平均屈折率ｎをあらか
じめ測定しておいて、ｎが２．５０≦ｎ≦２．６５の範
囲になる様に、製膜条件を設定しておけば良い。こうし
て、所望の屈折率を有する傾斜組成膜２を製膜した後、
続いてＳｉＯ2膜３を積層する。
は、各ターゲット６１、６２に投入する電力や、複合タ
ーゲット上の各材料の占有面積比、スパッタガス圧、ス
パッタガス種、基板間距離等で決まる各々の材料の組成
や製膜速度と、光半導体素子６３の移動速度、隔壁板６
６の高さ、各ターゲット６１、６２の配置等で制御可能
である。そして、傾斜組成膜２の平均屈折率ｎをあらか
じめ測定しておいて、ｎが２．５０≦ｎ≦２．６５の範
囲になる様に、製膜条件を設定しておけば良い。こうし
て、所望の屈折率を有する傾斜組成膜２を製膜した後、
続いてＳｉＯ2膜３を積層する。
【００２７】また、電子ビーム蒸着法による製膜法は、
図４におけるターゲット６１、６２の替わりに多元同時
の電子ビーム蒸着源を置き換えるだけで、上記のスパッ
タ法と同様に製膜すれば良い。例えば、６１には粒状の
ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４から選ばれる少なくとも１種の材
料、６２には粒状のＳｉとＳｉ３Ｎ４の混合物を用い
る。この時の傾斜組成膜２の各々の組成や屈折率は、各
蒸着源（ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４から選ばれる少なくとも１
種の材料とＳｉ Ｎx材料）の組成比や各蒸着源に照射す
る電子ビーム量や基板間距離等で決まる各々の材料の組
成や製膜速度と、光半導体素子６３を移動速度、隔壁板
６６の高さ、各蒸発源の配置等で制御可能である。
図４におけるターゲット６１、６２の替わりに多元同時
の電子ビーム蒸着源を置き換えるだけで、上記のスパッ
タ法と同様に製膜すれば良い。例えば、６１には粒状の
ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４から選ばれる少なくとも１種の材
料、６２には粒状のＳｉとＳｉ３Ｎ４の混合物を用い
る。この時の傾斜組成膜２の各々の組成や屈折率は、各
蒸着源（ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４から選ばれる少なくとも１
種の材料とＳｉ Ｎx材料）の組成比や各蒸着源に照射す
る電子ビーム量や基板間距離等で決まる各々の材料の組
成や製膜速度と、光半導体素子６３を移動速度、隔壁板
６６の高さ、各蒸発源の配置等で制御可能である。
【００２８】こうして、半導体レーザ端面に高屈折率の
傾斜組成膜２（ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４から選ばれる少なく
とも１種の材料とＳｉ Ｎxとの傾斜組成膜）と低屈折率
のＳｉＯ2膜３の２層膜を形成した半導体光増幅器は、
ゲインリップルの測定により、ＴＥ波、ＴＭ波共に反射
率０．１％以下を実現できる。図１に示すように、半導
体光増幅器を、閾値電流より少し小さい定電流注入状態
とし、外部からレンズあるいは光ファイバによって光波
４を入力させ、半導体光増幅器に結合させることによ
り、増幅光波５を得ることができる。この様にして、内
部ゲイン２０〜３０ｄＢを達成している。
傾斜組成膜２（ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４から選ばれる少なく
とも１種の材料とＳｉ Ｎxとの傾斜組成膜）と低屈折率
のＳｉＯ2膜３の２層膜を形成した半導体光増幅器は、
ゲインリップルの測定により、ＴＥ波、ＴＭ波共に反射
率０．１％以下を実現できる。図１に示すように、半導
体光増幅器を、閾値電流より少し小さい定電流注入状態
とし、外部からレンズあるいは光ファイバによって光波
４を入力させ、半導体光増幅器に結合させることによ
り、増幅光波５を得ることができる。この様にして、内
部ゲイン２０〜３０ｄＢを達成している。
【００２９】
【実施例２】図５は上記例のデバイスを、波長多重送受
信システムに適用した場合のシステム概念図である。同
図において、１０は上記の光増幅器、１１は送信部、１
２は受信部、１３、１４はそれぞれ合波・分波器、１５
は伝送光ファイバである。こうした構成により、例えば
波長１５５０ｎｍおよび１５４０ｎｍの信号を多重化
し、光増幅器１０で高ゲイン、低リップルで増幅し、１
００Ｍｂｐｓ以上の伝送速度でクロストークのない信号
の授受が可能となる。
信システムに適用した場合のシステム概念図である。同
図において、１０は上記の光増幅器、１１は送信部、１
２は受信部、１３、１４はそれぞれ合波・分波器、１５
は伝送光ファイバである。こうした構成により、例えば
波長１５５０ｎｍおよび１５４０ｎｍの信号を多重化
し、光増幅器１０で高ゲイン、低リップルで増幅し、１
００Ｍｂｐｓ以上の伝送速度でクロストークのない信号
の授受が可能となる。
【００３０】以上述べたように、光通信システムなどに
用いられる光信号を、直接、増幅するための高帯域半導
体光増幅器が得られるが、その入出力端面の保護膜兼反
射防止膜の傾斜組成膜２を含む２層膜を、実例として、
以下に詳細に記述する。
用いられる光信号を、直接、増幅するための高帯域半導
体光増幅器が得られるが、その入出力端面の保護膜兼反
射防止膜の傾斜組成膜２を含む２層膜を、実例として、
以下に詳細に記述する。
【００３１】
【実例１−３】図４に示すような２元同時スパッタも可
能な高周波スパッタ装置において、ターゲット６１は１
２５ｍｍφのＡｌＮ、ターゲット６２は同サイズのＳｉ
３Ｎ４の上に１０ｍｍ角のＳｉ片を２０〜５０個載せた
複合ターゲットを使用した。到達真空度は５×１０−６
ｔｏｒｒ以下、スパッタ電力は２００Ｗ〜１ＫＷ、スパ
ッタガス圧は１〜１０×１０−３ｔｏｒｒ、スパッタガ
ス種はＡｒを用いた。
能な高周波スパッタ装置において、ターゲット６１は１
２５ｍｍφのＡｌＮ、ターゲット６２は同サイズのＳｉ
３Ｎ４の上に１０ｍｍ角のＳｉ片を２０〜５０個載せた
複合ターゲットを使用した。到達真空度は５×１０−６
ｔｏｒｒ以下、スパッタ電力は２００Ｗ〜１ＫＷ、スパ
ッタガス圧は１〜１０×１０−３ｔｏｒｒ、スパッタガ
ス種はＡｒを用いた。
【００３２】半導体レーザデバイス６３を基板ホルダー
６４に設置して、基板ホルダー６４を矢印６５に示す方
向にゆっくり回転させながら、ＡｌＮとＳｉ Ｎxの傾斜
組成膜２を半導体レーザの両端面に積層した。
６４に設置して、基板ホルダー６４を矢印６５に示す方
向にゆっくり回転させながら、ＡｌＮとＳｉ Ｎxの傾斜
組成膜２を半導体レーザの両端面に積層した。
【００３３】この時の、ＡｌＮターゲット６１とＳｉ３
Ｎ４−Ｓｉ複合ターゲット６２への投入スパッタ電力Ｐ
を変えることで、比較例２例を含む５種類の傾斜組成膜
を積層した。各傾斜組成膜をＸＰＳ（軟Ｘ線光電子分光
法）により膜厚方向に分析した。測定した元素の測定軌
道は、Ｓｉ2p、Ａｌ2pである。実例１の測定結果を、横
軸にレーザ端面からの距離、縦軸に化学結合状態が変化
して生じるケミカルシフトを考慮した全てのＡｌ2p、Ｓ
ｉ2pから換算したＡｌＮとＳｉ Ｎxの量からのＡｌＮの
組成比をとって、図６に示す。
Ｎ４−Ｓｉ複合ターゲット６２への投入スパッタ電力Ｐ
を変えることで、比較例２例を含む５種類の傾斜組成膜
を積層した。各傾斜組成膜をＸＰＳ（軟Ｘ線光電子分光
法）により膜厚方向に分析した。測定した元素の測定軌
道は、Ｓｉ2p、Ａｌ2pである。実例１の測定結果を、横
軸にレーザ端面からの距離、縦軸に化学結合状態が変化
して生じるケミカルシフトを考慮した全てのＡｌ2p、Ｓ
ｉ2pから換算したＡｌＮとＳｉ Ｎxの量からのＡｌＮの
組成比をとって、図６に示す。
【００３４】この結果、半導体レーザ端面側は、ＡｌＮ
の組成濃度が高く、膜厚方向に徐々に減少している（Ｓ
ｉ Ｎxの組成濃度は逆の傾向）のがわかる。なお、比較
例３としては、半導体レーザデバイスを隔壁板６６の上
方の位置に設置して、基板ホルダー６４を回転させない
で積層したＡｌＮとＳｉ Ｎxの混合膜を積層した。この
混合膜のＸＰＳによる膜厚方向の分析結果を、同様にし
て図６に点線で示す。この結果は、両者の組成は膜厚方
向にほぼ一定値を示した。
の組成濃度が高く、膜厚方向に徐々に減少している（Ｓ
ｉ Ｎxの組成濃度は逆の傾向）のがわかる。なお、比較
例３としては、半導体レーザデバイスを隔壁板６６の上
方の位置に設置して、基板ホルダー６４を回転させない
で積層したＡｌＮとＳｉ Ｎxの混合膜を積層した。この
混合膜のＸＰＳによる膜厚方向の分析結果を、同様にし
て図６に点線で示す。この結果は、両者の組成は膜厚方
向にほぼ一定値を示した。
【００３５】次に、１２５ｍｍφのＳｉＯ2ターゲット
が設置してある別のスパッタ装置に、両端面に傾斜組成
膜及び混合膜を積層した半導体レーザデバイスを移し替
え、傾斜組成膜や混合膜に続けてＳｉＯ2膜を両端面に
積層した。
が設置してある別のスパッタ装置に、両端面に傾斜組成
膜及び混合膜を積層した半導体レーザデバイスを移し替
え、傾斜組成膜や混合膜に続けてＳｉＯ2膜を両端面に
積層した。
【００３６】上記２層膜を両端面に積層した半導体レー
ザデバイスは、ＴＥ波、ＴＭ波の反射率ＲTE、ＲTMを測
定した。耐久性能は、半導体レーザの出力を３０ｍＷと
し、８０°Ｃの環境下に６０００時間放置した時の半導
体レーザへの注入電流値の変化により評価した。注入電
流値がほぼ０に低下した場合と、注入電流値が初期値の
２倍以上必要になった場合を素子の故障とみなし、その
故障数によって、○印：故障数、全品の５％以下、△
印：故障数、全品の５％超と表した。
ザデバイスは、ＴＥ波、ＴＭ波の反射率ＲTE、ＲTMを測
定した。耐久性能は、半導体レーザの出力を３０ｍＷと
し、８０°Ｃの環境下に６０００時間放置した時の半導
体レーザへの注入電流値の変化により評価した。注入電
流値がほぼ０に低下した場合と、注入電流値が初期値の
２倍以上必要になった場合を素子の故障とみなし、その
故障数によって、○印：故障数、全品の５％以下、△
印：故障数、全品の５％超と表した。
【００３７】以上、半導体レーザデバイスの端面に積層
した第１層目の傾斜組成膜２、混合膜の平均屈折率ｎ、
膜厚ｄ1、第２層目のＳｉＯ2膜３の膜厚ｄ2と、反射率
Ｒ、耐久性試験結果を合わせて表１に示す。
した第１層目の傾斜組成膜２、混合膜の平均屈折率ｎ、
膜厚ｄ1、第２層目のＳｉＯ2膜３の膜厚ｄ2と、反射率
Ｒ、耐久性試験結果を合わせて表１に示す。
【００３８】
【表１】 以上の結果、第１層の傾斜組成膜の屈折率が高い場合
は、相対的にＳｉの含有率が多くなり、耐久性能は他に
比べて劣る傾向にある。一方、屈折率が低い場合は、あ
まり反射率が低くならず反射防止効果が薄い。また、混
合膜の場合は、レーザ端面がＳｉを含む層に接している
為、耐久性能は若干劣る。
は、相対的にＳｉの含有率が多くなり、耐久性能は他に
比べて劣る傾向にある。一方、屈折率が低い場合は、あ
まり反射率が低くならず反射防止効果が薄い。また、混
合膜の場合は、レーザ端面がＳｉを含む層に接している
為、耐久性能は若干劣る。
【００３９】そこで、第１層として平均屈折率２．５０
〜２．６５のＡｌＮとＳｉ Ｎxの傾斜組成膜、第２層と
してＳｉＯ2からなる２層膜反射防止膜を積層した半導
体レーザを有する半導体光増幅器は、端面反射率が、Ｔ
Ｅ波、ＴＭ波共に、０．１％以下を達成でき、かつ耐久
性能も良好であることがわかった。
〜２．６５のＡｌＮとＳｉ Ｎxの傾斜組成膜、第２層と
してＳｉＯ2からなる２層膜反射防止膜を積層した半導
体レーザを有する半導体光増幅器は、端面反射率が、Ｔ
Ｅ波、ＴＭ波共に、０．１％以下を達成でき、かつ耐久
性能も良好であることがわかった。
【００４０】
【実例４−６】実施例１〜３におけるＡｌＮターゲット
の代わりにＳｉ３Ｎ４ターゲットを用いた以外、同様な
手順で、Ｓｉ３Ｎ４とＳｉ Ｎxの傾斜組成膜２を積層
し、次にＳｉＯ2膜３を続いて積層した２層膜の結果
を、実例４〜６として表２に示す。比較例４は、比較例
３と同様にして、Ｓｉ３Ｎ４とＳｉ Ｎxの混合膜を第１
層とし、次にＳｉＯ2膜を続いて積層した２層膜の結果
も、表２に示す。
の代わりにＳｉ３Ｎ４ターゲットを用いた以外、同様な
手順で、Ｓｉ３Ｎ４とＳｉ Ｎxの傾斜組成膜２を積層
し、次にＳｉＯ2膜３を続いて積層した２層膜の結果
を、実例４〜６として表２に示す。比較例４は、比較例
３と同様にして、Ｓｉ３Ｎ４とＳｉ Ｎxの混合膜を第１
層とし、次にＳｉＯ2膜を続いて積層した２層膜の結果
も、表２に示す。
【００４１】
【表２】 以上の結果、第１層として平均屈折率２．５０〜２．６
５のＳｉ３Ｎ４とＳｉ Ｎxの傾斜組成膜で、且つＳｉ３
Ｎ４の組成濃度は半導体レーザ端面側が大きく、膜厚方
向に徐々に組成濃度が減少し、Ｓｉ Ｎxの組成濃度は端
面側が小さく膜厚方向に徐々に組成濃度が増加している
膜で、第２層としてＳｉＯ2を積層した２層膜反射防止
膜は、半導体レーザ端面反射率が、ＴＥ波、ＴＭ波共
に、０．１％以下を達成でき、かつ耐久性能も良好であ
ることがわかった。
５のＳｉ３Ｎ４とＳｉ Ｎxの傾斜組成膜で、且つＳｉ３
Ｎ４の組成濃度は半導体レーザ端面側が大きく、膜厚方
向に徐々に組成濃度が減少し、Ｓｉ Ｎxの組成濃度は端
面側が小さく膜厚方向に徐々に組成濃度が増加している
膜で、第２層としてＳｉＯ2を積層した２層膜反射防止
膜は、半導体レーザ端面反射率が、ＴＥ波、ＴＭ波共
に、０．１％以下を達成でき、かつ耐久性能も良好であ
ることがわかった。
【００４２】
【実例７−９】実例４〜６におけるＳｉ３Ｎ４ターゲッ
トの上にＡｌＮターゲットチップを貼り付けた複合ター
ゲットを用いた以外、同様な手順で、Ｓｉ３Ｎ４−Ａｌ
Ｎ（分析の結果、組成比５２：４８）とＳｉ Ｎxの傾斜
組成膜２を積層し、次にＳｉＯ2膜３を続いて積層した
２層膜の結果を、実施例７〜９として表３に示す。
トの上にＡｌＮターゲットチップを貼り付けた複合ター
ゲットを用いた以外、同様な手順で、Ｓｉ３Ｎ４−Ａｌ
Ｎ（分析の結果、組成比５２：４８）とＳｉ Ｎxの傾斜
組成膜２を積層し、次にＳｉＯ2膜３を続いて積層した
２層膜の結果を、実施例７〜９として表３に示す。
【００４３】
【表３】 以上の結果、第１層として平均屈折率２．５０〜２．６
５のＳｉ３Ｎ４とＡｌＮとの混合物とＳｉ Ｎxの傾斜組
成膜（Ｓｉ３Ｎ４とＡｌＮとの混合物の組成濃度は半導
体レーザ端面側が大きく、膜厚方向に徐々に組成濃度が
減少し、Ｓｉ Ｎxの組成濃度は端面側が小さく膜厚方向
に徐々に組成濃度が増加している膜）、第２層としてＳ
ｉＯ2を積層した２層膜反射防止膜は、半導体レーザ端
面反射率が、ＴＥ波、ＴＭ波共に、０．１％以下を達成
でき、かつ耐久性能も良好であることがわかった。
５のＳｉ３Ｎ４とＡｌＮとの混合物とＳｉ Ｎxの傾斜組
成膜（Ｓｉ３Ｎ４とＡｌＮとの混合物の組成濃度は半導
体レーザ端面側が大きく、膜厚方向に徐々に組成濃度が
減少し、Ｓｉ Ｎxの組成濃度は端面側が小さく膜厚方向
に徐々に組成濃度が増加している膜）、第２層としてＳ
ｉＯ2を積層した２層膜反射防止膜は、半導体レーザ端
面反射率が、ＴＥ波、ＴＭ波共に、０．１％以下を達成
でき、かつ耐久性能も良好であることがわかった。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体レーザ構造を有する半導体光増幅器などの光半導
体素子の端面に、端面側の第１の薄膜は、ＡｌＮ、Ｓｉ
3Ｎ4から選ばれる少なくとも１種の材料と、ＳｉＮxの
材料との膜からなり、該ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4から選ばれる
少なくとも１種の材料の組成濃度は、半導体レーザ構造
端面側が大きく、膜厚方向に徐々に組成濃度が減少し、
かつＳｉＮxの組成濃度は、素子端面側が小さく、膜厚
方向に徐々に組成濃度が増加している傾斜組成膜であ
り、第１の薄膜上に形成される第２の薄膜はＳｉＯ2の
材料からなる２層の光学膜材料を積層することにより、
伝送光の偏波状態に左右されない様に、ＴＥ波、ＴＭ波
共に低反射率にすることが可能になり、更に素子端面を
保護する性能の高い膜となる。
半導体レーザ構造を有する半導体光増幅器などの光半導
体素子の端面に、端面側の第１の薄膜は、ＡｌＮ、Ｓｉ
3Ｎ4から選ばれる少なくとも１種の材料と、ＳｉＮxの
材料との膜からなり、該ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4から選ばれる
少なくとも１種の材料の組成濃度は、半導体レーザ構造
端面側が大きく、膜厚方向に徐々に組成濃度が減少し、
かつＳｉＮxの組成濃度は、素子端面側が小さく、膜厚
方向に徐々に組成濃度が増加している傾斜組成膜であ
り、第１の薄膜上に形成される第２の薄膜はＳｉＯ2の
材料からなる２層の光学膜材料を積層することにより、
伝送光の偏波状態に左右されない様に、ＴＥ波、ＴＭ波
共に低反射率にすることが可能になり、更に素子端面を
保護する性能の高い膜となる。
【図１】本発明の光学膜材料を用いた半導体光増幅器の
斜視図。
斜視図。
【図２】本発明の光学膜材料を用いた半導体レーザデバ
イスの断面図。
イスの断面図。
【図３】本発明の光学膜材料を用いた半導体レーザデバ
イスの縦断面図。
イスの縦断面図。
【図４】本発明の光学膜材料を積層する製膜装置の簡略
図。
図。
【図５】光通信システムにより、波長多重化伝送を行う
例のブロック図。
例のブロック図。
【図６】本発明の傾斜組成膜のＸＳＰ測定による組成分
布例を示す図。
布例を示す図。
【図７】従来例を示す図。
１，１０ リッジ型半導体光増幅器 ２ 第１層目の傾斜組成膜 ３ 第２層目の膜 ４ 入力光 ５ 増幅光波 １１ 送信部 １２ 受信部 １３ 合波器 １４ 分波器 １５ 伝送光ファイバ ２１ 基板 ２２，２４ クラッド層 ２３ 活性層 ２５ キャップ層 ２６ 絶縁層 ２７，２８ 電極 ６１，６２ ターゲット ６３ 半導体素子 ６４ ホルダー基板 ６５ 半導体素子の移動方向 ６６ 隔壁板
Claims (2)
- 【請求項１】 端面に光学膜を施した光半導体素子にお
いて、該光学膜は、２層の誘電体薄膜の組み合わせから
なり、該素子端面側の第１の薄膜は、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4
から選ばれる少なくとも１種の材料とＳｉＮxの材料と
の膜からなり、該ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4から選ばれる少なく
とも１種の材料の組成濃度は、素子端面側が大きく、膜
厚方向に徐々に組成濃度が減少し、かつＳｉＮxの組成
濃度は、素子端面側が小さく、膜厚方向に徐々に組成濃
度が増加している傾斜組成の膜であり、第２の薄膜はＳ
ｉＯ2の材料からなることを特徴とする光半導体素子。 - 【請求項２】 前記第１の薄膜の傾斜組成膜の平均屈折
率ｎは、２．５０≦ｎ≦２．６５の範囲であることを特
徴とする請求項１記載の光半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12573394A JPH07312460A (ja) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | 光半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12573394A JPH07312460A (ja) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | 光半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07312460A true JPH07312460A (ja) | 1995-11-28 |
Family
ID=14917449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12573394A Pending JPH07312460A (ja) | 1994-05-16 | 1994-05-16 | 光半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07312460A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1059554A3 (en) * | 1999-06-08 | 2002-08-28 | The University of Tokyo | Semiconductor optical device |
| JP2012528345A (ja) * | 2009-05-29 | 2012-11-12 | テクノロジアン タトキマスケスクス ヴィーティーティー | 調節可能な微小機械ファブリ・ペロー干渉計、中間産物、およびその製造方法 |
| WO2021200550A1 (ja) * | 2020-04-02 | 2021-10-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 量子カスケードレーザ素子、量子カスケードレーザ装置及び量子カスケードレーザ装置の製造方法 |
| JP2023043548A (ja) * | 2021-09-16 | 2023-03-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光半導体素子、光学ユニット及び光学ユニットの製造方法 |
-
1994
- 1994-05-16 JP JP12573394A patent/JPH07312460A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1059554A3 (en) * | 1999-06-08 | 2002-08-28 | The University of Tokyo | Semiconductor optical device |
| JP2012528345A (ja) * | 2009-05-29 | 2012-11-12 | テクノロジアン タトキマスケスクス ヴィーティーティー | 調節可能な微小機械ファブリ・ペロー干渉計、中間産物、およびその製造方法 |
| WO2021200550A1 (ja) * | 2020-04-02 | 2021-10-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 量子カスケードレーザ素子、量子カスケードレーザ装置及び量子カスケードレーザ装置の製造方法 |
| JP2021163922A (ja) * | 2020-04-02 | 2021-10-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 量子カスケードレーザ素子、量子カスケードレーザ装置及び量子カスケードレーザ装置の製造方法 |
| US12573813B2 (en) | 2020-04-02 | 2026-03-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Quantum cascade laser element, quantum cascade laser device, and method for manufacturing quantum cascade laser device |
| JP2023043548A (ja) * | 2021-09-16 | 2023-03-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光半導体素子、光学ユニット及び光学ユニットの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5851849A (en) | Process for passivating semiconductor laser structures with severe steps in surface topography | |
| KR100765017B1 (ko) | 하이브리드 디스크의 제조 방법 및 하이브리드 디스크 | |
| JP3184031B2 (ja) | 光半導体素子装置及び光半導体装置の製造方法 | |
| US4749255A (en) | Coating for optical devices | |
| US5528710A (en) | Optical switching device with passive input and output stages and active amplifier in a matrix stage | |
| WO1997030495A1 (en) | External cavity semiconductor laser with monolithic prism assembly | |
| US5056099A (en) | Rugate filter on diode laser for temperature stabilized emission wavelength | |
| US5172385A (en) | Polarization-selective integrated optoelectronic devices incorporating crystalline organic thin films | |
| US4846541A (en) | Interference film filter and an optical waveguide and a method for producing the same | |
| JPH07312460A (ja) | 光半導体素子 | |
| US6337753B1 (en) | Optical power equalizer | |
| JPH07326823A (ja) | 光半導体素子及びその製造方法 | |
| JPH07312459A (ja) | 光半導体素子 | |
| JPH06291422A (ja) | 光半導体素子 | |
| JPH06125149A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
| KR20120086196A (ko) | 실리콘을 이용한 ｄｂｒ 구조물 및 그 제조방법 | |
| JPH04299591A (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
| US6791746B2 (en) | Extended bandwidth semiconductor optical amplifier | |
| EP1130826B1 (en) | Broad band optical amplifier using free space demultiplexing | |
| EP0451843A2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| Stone et al. | FiEnd filters: Passive multilayer thin-film optical filters deposited on fibre ends | |
| EP0845819A1 (en) | Yttrium aluminum oxide coatings for active semiconductor optical devices | |
| EP0168165A1 (en) | Opto-electronic and electro-optic devices | |
| JPH05102613A (ja) | 多波長半導体レーザ装置 | |
| JPS63128690A (ja) | 半導体レ−ザ素子 |