JPH0731492Y2 - 偏向ヨーク装置 - Google Patents
偏向ヨーク装置Info
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- JPH0731492Y2 JPH0731492Y2 JP1988028468U JP2846888U JPH0731492Y2 JP H0731492 Y2 JPH0731492 Y2 JP H0731492Y2 JP 1988028468 U JP1988028468 U JP 1988028468U JP 2846888 U JP2846888 U JP 2846888U JP H0731492 Y2 JPH0731492 Y2 JP H0731492Y2
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- correction means
- deflection yoke
- horizontal
- deflection
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Description
【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案はインライン型カラー受像管上に装着される偏向
ヨーク装置に関する。
ヨーク装置に関する。
〈従来の技術〉 一般に、カラー受像管上に装着される偏向ヨーク装置に
おいては、水平・垂直偏向コイルによる磁界はその前後
端部分、即ち、スクリーン側及びネック側においてバレ
ル型傾向の磁界分布となり、一方垂直偏向コイルの前部
側(スクリーン側)の磁界がバレル型傾向になると、画
面上の左右,上下位置にピンクッション歪が生じること
は知られている。このピンクッション歪を補正するため
に、偏向ヨーク装置の前部側(スクリーン側)に、磁界
受け部と磁界形成部とを有し、珪素鋼板等の磁性体から
なる磁界補正手段を取付けて偏向ヨーク装置の前面にこ
の磁界補正手段からピン磁界を発生させ、別途補正回路
を設けたりすることなく、或は垂直偏向コイルの巻線分
布を特別なものとすることなく偏向ヨーク装置(垂直偏
向コイル)の前部側の磁界分布を均一化するようにし
た、いわゆるクロスアーム式の偏向ヨーク装置が実用化
されてきている。
おいては、水平・垂直偏向コイルによる磁界はその前後
端部分、即ち、スクリーン側及びネック側においてバレ
ル型傾向の磁界分布となり、一方垂直偏向コイルの前部
側(スクリーン側)の磁界がバレル型傾向になると、画
面上の左右,上下位置にピンクッション歪が生じること
は知られている。このピンクッション歪を補正するため
に、偏向ヨーク装置の前部側(スクリーン側)に、磁界
受け部と磁界形成部とを有し、珪素鋼板等の磁性体から
なる磁界補正手段を取付けて偏向ヨーク装置の前面にこ
の磁界補正手段からピン磁界を発生させ、別途補正回路
を設けたりすることなく、或は垂直偏向コイルの巻線分
布を特別なものとすることなく偏向ヨーク装置(垂直偏
向コイル)の前部側の磁界分布を均一化するようにし
た、いわゆるクロスアーム式の偏向ヨーク装置が実用化
されてきている。
一方、近年、カラーディスプレイ用、カラーモニター用
等の偏向ヨーク装置として、高精細度、高解像度の画面
特性を得るために、水平走査周波数(水平偏向周波数)
を通常の15.75KHzから例えば2倍の31.5KHz或は約4倍
の64KHzまで高く設定して走査線の数を2倍乃至約4倍
にした高周波用のものが開発されてきている。この場
合、高周波の水平偏向磁界のうち水平漏洩磁界中に磁性
体からなる磁界補正手段が存在すると、この水平漏洩磁
界と鎖交する磁界補正手段の部分において周波数の高く
なった分だけ渦電流損が大きくなり、この渦電流損の増
加による磁界補正手段の発熱が顕著となる。従って、磁
界補正手段を備えた偏向ヨーク装置を水平偏向周波数が
高いものに適用する場合には磁界補正手段の発熱対策が
重要な課題となっている。
等の偏向ヨーク装置として、高精細度、高解像度の画面
特性を得るために、水平走査周波数(水平偏向周波数)
を通常の15.75KHzから例えば2倍の31.5KHz或は約4倍
の64KHzまで高く設定して走査線の数を2倍乃至約4倍
にした高周波用のものが開発されてきている。この場
合、高周波の水平偏向磁界のうち水平漏洩磁界中に磁性
体からなる磁界補正手段が存在すると、この水平漏洩磁
界と鎖交する磁界補正手段の部分において周波数の高く
なった分だけ渦電流損が大きくなり、この渦電流損の増
加による磁界補正手段の発熱が顕著となる。従って、磁
界補正手段を備えた偏向ヨーク装置を水平偏向周波数が
高いものに適用する場合には磁界補正手段の発熱対策が
重要な課題となっている。
従来の磁界補正手段を備えたクロスアーム式の偏向ヨー
ク装置の一例を第5図乃至第7図に示す。図において、
10は偏向ヨーク装置を全体として示し、11はコイルボビ
ンで、内側にくら型に巻回された一対の水平偏向コイル
12、12が配置され、コイルボビン11の前後端部に形成さ
れた拡大部11a、11bには水平偏向コイル12、12の頭部フ
ランジ部12a、尾部フランジ部12bが収容される。コイル
ボビン11の外面にはコア13が配置され、コア13の外面に
は垂直偏向コイル14がトロイダルに巻回される。偏向ヨ
ーク装置10の前部側即ちコア13及び垂直偏向コイル14の
前部(頭部)側近傍には、コイルボビン11の前端拡大部
11aの側面に形成された固定部11cを介して、磁性材料か
らなる一対の磁界補正手段15が垂直軸Y−Y′に対して
対称的に取付けられる。磁界補正手段15は、珪素鋼板等
の透磁率が大きくてヒステリシス特性の良い材料によっ
て形成され、第8図に示すように、曲板状の磁界受け部
15aと、一対の足状の磁界形成部15bと、コイルボビン11
の前端拡大部11aの側面に形成された固定部11cと嵌合す
る固定舌片15cとを有する。磁界補正手段15の磁界受け
部15aは、垂直偏向コイル14及びコア13からの漏洩磁界
を受け入れ誘導する作用をなすもので、垂直偏向コイル
14が巻回されたコア13の前部(頭部)側近傍に沿って配
置される。また、足状の磁界形成部15bは磁界受け部15a
によって受け入れ誘導された磁界によって所定の位置に
補正磁界を形成する作用をなすもので、水平軸X−X′
に対して対称的に一対、磁界受け部15aの両端に位置し
た状態で形成される。そして、磁界補正手段15は2枚一
組として相対向して配置され、各々対向する磁界形成部
15b間に垂直偏向磁界と同期した補正磁界が形成され
る。従って、補正磁界が形成された部分は実質的に偏向
磁界が強められることとなり、磁界分布を制御すること
ができる。
ク装置の一例を第5図乃至第7図に示す。図において、
10は偏向ヨーク装置を全体として示し、11はコイルボビ
ンで、内側にくら型に巻回された一対の水平偏向コイル
12、12が配置され、コイルボビン11の前後端部に形成さ
れた拡大部11a、11bには水平偏向コイル12、12の頭部フ
ランジ部12a、尾部フランジ部12bが収容される。コイル
ボビン11の外面にはコア13が配置され、コア13の外面に
は垂直偏向コイル14がトロイダルに巻回される。偏向ヨ
ーク装置10の前部側即ちコア13及び垂直偏向コイル14の
前部(頭部)側近傍には、コイルボビン11の前端拡大部
11aの側面に形成された固定部11cを介して、磁性材料か
らなる一対の磁界補正手段15が垂直軸Y−Y′に対して
対称的に取付けられる。磁界補正手段15は、珪素鋼板等
の透磁率が大きくてヒステリシス特性の良い材料によっ
て形成され、第8図に示すように、曲板状の磁界受け部
15aと、一対の足状の磁界形成部15bと、コイルボビン11
の前端拡大部11aの側面に形成された固定部11cと嵌合す
る固定舌片15cとを有する。磁界補正手段15の磁界受け
部15aは、垂直偏向コイル14及びコア13からの漏洩磁界
を受け入れ誘導する作用をなすもので、垂直偏向コイル
14が巻回されたコア13の前部(頭部)側近傍に沿って配
置される。また、足状の磁界形成部15bは磁界受け部15a
によって受け入れ誘導された磁界によって所定の位置に
補正磁界を形成する作用をなすもので、水平軸X−X′
に対して対称的に一対、磁界受け部15aの両端に位置し
た状態で形成される。そして、磁界補正手段15は2枚一
組として相対向して配置され、各々対向する磁界形成部
15b間に垂直偏向磁界と同期した補正磁界が形成され
る。従って、補正磁界が形成された部分は実質的に偏向
磁界が強められることとなり、磁界分布を制御すること
ができる。
しかしながら、上述の従来の偏向ヨーク装置において
は、磁界補正手段15に対して何等発熱対策が施されてお
らず、水平偏向周波数を通常の15.75KHzに設定した偏向
ヨーク装置に適用した場合には、磁界補正手段15の温度
上昇(Δt)が室温に対し10〜15℃程度で特に問題は生
じないが、水平偏向周波数を15.75KHzに比べてかなり高
い31.5KHz或は非常に高い64KHzに設定した高周波用の偏
向ヨーク装置に適用した場合には、水平偏向コイル13の
頭部フランジ部12a近傍からの水平偏向磁界の漏洩磁界
と鎖交する磁界補正手段15の主に磁界形成部15bの磁界
受け部15a側(特にコイルボビン11の前端拡大部11aの背
面に当接する15d部分)に多量の渦電流が発生し、この
渦電流に基づく渦電流損によってその部分が発熱し、磁
界補正手段15の温度上昇(Δt′)が室温に対し50〜60
℃程度(64KHzの場合)となり、実使用状態では、他の
要因(周囲温度、セット内温度等)がプラスされて磁界
補正手段15の実温度は115℃〜125℃前後となる。この結
果、磁界補正手段15のセット内での手動調整作業が困難
になるほか、磁界補正手段15が取着された成形品からな
るコイルボビン11の形状が熱変形し、このコイルボビン
11の熱変形によって水平、垂直偏向コイル12、14の巻回
位置が変化して偏向特性が劣化する恐れがあり、その
上、磁界補正手段15の性能そのものが温度上昇によって
劣化するという問題点があった。
は、磁界補正手段15に対して何等発熱対策が施されてお
らず、水平偏向周波数を通常の15.75KHzに設定した偏向
ヨーク装置に適用した場合には、磁界補正手段15の温度
上昇(Δt)が室温に対し10〜15℃程度で特に問題は生
じないが、水平偏向周波数を15.75KHzに比べてかなり高
い31.5KHz或は非常に高い64KHzに設定した高周波用の偏
向ヨーク装置に適用した場合には、水平偏向コイル13の
頭部フランジ部12a近傍からの水平偏向磁界の漏洩磁界
と鎖交する磁界補正手段15の主に磁界形成部15bの磁界
受け部15a側(特にコイルボビン11の前端拡大部11aの背
面に当接する15d部分)に多量の渦電流が発生し、この
渦電流に基づく渦電流損によってその部分が発熱し、磁
界補正手段15の温度上昇(Δt′)が室温に対し50〜60
℃程度(64KHzの場合)となり、実使用状態では、他の
要因(周囲温度、セット内温度等)がプラスされて磁界
補正手段15の実温度は115℃〜125℃前後となる。この結
果、磁界補正手段15のセット内での手動調整作業が困難
になるほか、磁界補正手段15が取着された成形品からな
るコイルボビン11の形状が熱変形し、このコイルボビン
11の熱変形によって水平、垂直偏向コイル12、14の巻回
位置が変化して偏向特性が劣化する恐れがあり、その
上、磁界補正手段15の性能そのものが温度上昇によって
劣化するという問題点があった。
このため、本出願人は先に水平偏向コイルから発生する
水平漏洩磁界と鎖交する磁界補正手段の少なくとも磁界
形成部の位置に切欠部を設け、上記従来の偏向ヨーク装
置の温度上昇に伴う問題点を解決した偏向ヨーク装置を
提案した。この偏向ヨーク装置においては、第9図及び
第10図に示すように、磁界補正手段1に対して、高周波
(例えば64KHz)の水平偏向磁界の水平偏向コイル12の
頭部フランジ部12a近傍からの漏洩磁界が最も鎖交して
渦電流が発生し易い位置、つまり、磁界補正手段1の磁
界形成部2の磁界受け部3側でコイルボビン11の前端拡
大部11aの背面に当接する垂直部4に切欠部5を設け、
漏洩磁界との鎖交部分を小さくしている。また、第11図
には、垂直部4に加えて、磁界形成部2の垂直部4の近
傍にも切欠部5を設けて漏洩磁界との鎖交部分をさらに
小さくしたものが示されており、第12図には、切欠部5
を複数個の孔としたものが示されている。なお、図中6
はコイルボビン11に対する固定舌片であり、また第7図
と同じ部分には同一番号が付されている。
水平漏洩磁界と鎖交する磁界補正手段の少なくとも磁界
形成部の位置に切欠部を設け、上記従来の偏向ヨーク装
置の温度上昇に伴う問題点を解決した偏向ヨーク装置を
提案した。この偏向ヨーク装置においては、第9図及び
第10図に示すように、磁界補正手段1に対して、高周波
(例えば64KHz)の水平偏向磁界の水平偏向コイル12の
頭部フランジ部12a近傍からの漏洩磁界が最も鎖交して
渦電流が発生し易い位置、つまり、磁界補正手段1の磁
界形成部2の磁界受け部3側でコイルボビン11の前端拡
大部11aの背面に当接する垂直部4に切欠部5を設け、
漏洩磁界との鎖交部分を小さくしている。また、第11図
には、垂直部4に加えて、磁界形成部2の垂直部4の近
傍にも切欠部5を設けて漏洩磁界との鎖交部分をさらに
小さくしたものが示されており、第12図には、切欠部5
を複数個の孔としたものが示されている。なお、図中6
はコイルボビン11に対する固定舌片であり、また第7図
と同じ部分には同一番号が付されている。
このように構成すると、偏向ヨーク装置10を水平偏向周
波数が64KHzの高周波用に適用した場合、磁界補正手段
1の水平漏洩磁界(主に水平偏向コイル12の頭部フラン
ジ部12aからの漏洩磁界)と鎖交する位置(垂直部4)
に切欠部5が設けられているので、漏洩磁界との鎖交部
分が切欠部5の分だけで少なく(小さく)なり、渦電流
の発生が抑制され、磁界補正手段1の発熱が少なくな
り、磁界補正手段1の温度上昇は従来のものが室温に対
し50〜60℃であったのに対し、25〜35℃程度に低減す
る。従って、上記した従来の偏向ヨーク装置の温度上昇
に伴う問題点は除去できる。
波数が64KHzの高周波用に適用した場合、磁界補正手段
1の水平漏洩磁界(主に水平偏向コイル12の頭部フラン
ジ部12aからの漏洩磁界)と鎖交する位置(垂直部4)
に切欠部5が設けられているので、漏洩磁界との鎖交部
分が切欠部5の分だけで少なく(小さく)なり、渦電流
の発生が抑制され、磁界補正手段1の発熱が少なくな
り、磁界補正手段1の温度上昇は従来のものが室温に対
し50〜60℃であったのに対し、25〜35℃程度に低減す
る。従って、上記した従来の偏向ヨーク装置の温度上昇
に伴う問題点は除去できる。
〈考案が解決しようとする課題〉 しかしながら、磁界補正手段の磁界形成部の水平漏洩磁
界と鎖交する位置に切欠部を設けると、この切欠部の分
だけ磁界形成部の面積が減少するので、磁界補正手段の
補正量が減少してしまい、サイドピンクッション歪を十
分に補正することができなくなる。このため、コイル分
布、マグネット等でピンクッション歪をさらに補正して
やらなければならないという難点があった。
界と鎖交する位置に切欠部を設けると、この切欠部の分
だけ磁界形成部の面積が減少するので、磁界補正手段の
補正量が減少してしまい、サイドピンクッション歪を十
分に補正することができなくなる。このため、コイル分
布、マグネット等でピンクッション歪をさらに補正して
やらなければならないという難点があった。
このため、上記切欠部をできるだけ小さくし、或は切欠
部の代りに複数個のスリットを形成して磁界補正手段の
補正量の減少を抑え、一方ボビンに磁界補正手段を浮か
して支持するためのセパレータを設けて磁界補正手段の
ボビンに対する接触面積を減少させ、切欠部の減少によ
る温度上昇を抑えるようにしたものが提案されている。
部の代りに複数個のスリットを形成して磁界補正手段の
補正量の減少を抑え、一方ボビンに磁界補正手段を浮か
して支持するためのセパレータを設けて磁界補正手段の
ボビンに対する接触面積を減少させ、切欠部の減少によ
る温度上昇を抑えるようにしたものが提案されている。
しかしながら、この場合には、磁界補正手段を浮かして
支持するセパレータが必要となり、従って作業性が悪く
なるとともにコスト高となり、また切欠部を形成した場
合には、やはり磁界補正手段の補正量が不足し、一方ス
リットの場合には、高周波用の場合に温度上昇が十分に
抑制できないという難点があった。
支持するセパレータが必要となり、従って作業性が悪く
なるとともにコスト高となり、また切欠部を形成した場
合には、やはり磁界補正手段の補正量が不足し、一方ス
リットの場合には、高周波用の場合に温度上昇が十分に
抑制できないという難点があった。
〈課題を解決するための手段〉 本考案の偏向ヨーク装置は上記課題を解決するため、コ
ア及びこのコアにトロイダルもしくはくら型に巻回され
た垂直偏向コイルの前部側近傍に配置された垂直漏洩磁
界を受け入れる磁界受け部とこの磁界受け部より受け入
れた磁界によって補正磁界を形成する磁界形成部とを有
する磁界補正手段によりピンクッション歪を補正するよ
うに構成した偏向ヨーク装置において、磁界補正手段の
少なくとも磁界形成部の水平偏向コイルから発生する水
平漏洩磁界と鎖交する位置に間隔をおいて両側部が開放
した複数の凹部を形成したものである。
ア及びこのコアにトロイダルもしくはくら型に巻回され
た垂直偏向コイルの前部側近傍に配置された垂直漏洩磁
界を受け入れる磁界受け部とこの磁界受け部より受け入
れた磁界によって補正磁界を形成する磁界形成部とを有
する磁界補正手段によりピンクッション歪を補正するよ
うに構成した偏向ヨーク装置において、磁界補正手段の
少なくとも磁界形成部の水平偏向コイルから発生する水
平漏洩磁界と鎖交する位置に間隔をおいて両側部が開放
した複数の凹部を形成したものである。
〈実施例〉 以下、本考案偏向ヨーク装置の一実施例を図面を用いて
詳細に説明する。第1図は本考案の偏向ヨーク装置に使
用される磁界補正手段21の一実施例を示す斜視図であ
り、磁界補正手段21に対して、31.5KHz或いは64KHzのよ
うな高周波の水平偏向磁界の水平偏向コイルの頭部フラ
ンジ部近傍からの漏洩磁界が最も鎖交して渦電流が発生
し易い位置、つまり、磁界補正手段21の磁界形成部22の
磁界受け部23側でコイルボビンの前端拡大部の背面に当
接する垂直部24に、第2図及び第3図から理解できるよ
うに、間隔を置いて両側部が開放した複数の凹部25を形
成したものである。なお、図中26はコイルボビンに対す
る固定舌片である。
詳細に説明する。第1図は本考案の偏向ヨーク装置に使
用される磁界補正手段21の一実施例を示す斜視図であ
り、磁界補正手段21に対して、31.5KHz或いは64KHzのよ
うな高周波の水平偏向磁界の水平偏向コイルの頭部フラ
ンジ部近傍からの漏洩磁界が最も鎖交して渦電流が発生
し易い位置、つまり、磁界補正手段21の磁界形成部22の
磁界受け部23側でコイルボビンの前端拡大部の背面に当
接する垂直部24に、第2図及び第3図から理解できるよ
うに、間隔を置いて両側部が開放した複数の凹部25を形
成したものである。なお、図中26はコイルボビンに対す
る固定舌片である。
これら凹部25は例えば垂直部24の平面に所定の間隔をお
いて多数のスリットを形成し、これらスリットで挟まれ
た平面部分を1つ置きに下方へ押出すことにより形成で
きる。勿論、スリットの形成と下方への押出しとを同時
に行なうこともできる。なお、これら凹部25間の間隔、
凹部25の個数、形状、寸法、形成位置等は適用する偏向
ヨーク装置の水平偏向周波数によって適宜変更されるも
のである。
いて多数のスリットを形成し、これらスリットで挟まれ
た平面部分を1つ置きに下方へ押出すことにより形成で
きる。勿論、スリットの形成と下方への押出しとを同時
に行なうこともできる。なお、これら凹部25間の間隔、
凹部25の個数、形状、寸法、形成位置等は適用する偏向
ヨーク装置の水平偏向周波数によって適宜変更されるも
のである。
〈考案の効果〉 このように構成すると、磁界補正手段21の磁界形成部22
の垂直部24に漏洩磁界によって発生する渦電流が凹部25
の両側のスリットによって分断されてしまうので、かな
り減少し、従って発熱量が少なくなる。即ち、磁界補正
手段21の磁界形成部22の垂直部24に発生する熱の主な原
因は水平偏向コイルのわたり線からの磁界によって発生
する渦電流である。この渦電流は、第4図に上記垂直部
24の一部分を拡大して示すように、水平漏洩磁界Hを横
切る方向に発生する。従って、第1図に示すように、垂
直部24に複数の両側部が開放した凹部25を形成すると、
渦電流が流れにくくなり、従って渦電流損による発熱を
抑えることができるのである。
の垂直部24に漏洩磁界によって発生する渦電流が凹部25
の両側のスリットによって分断されてしまうので、かな
り減少し、従って発熱量が少なくなる。即ち、磁界補正
手段21の磁界形成部22の垂直部24に発生する熱の主な原
因は水平偏向コイルのわたり線からの磁界によって発生
する渦電流である。この渦電流は、第4図に上記垂直部
24の一部分を拡大して示すように、水平漏洩磁界Hを横
切る方向に発生する。従って、第1図に示すように、垂
直部24に複数の両側部が開放した凹部25を形成すると、
渦電流が流れにくくなり、従って渦電流損による発熱を
抑えることができるのである。
一方、凹部25の底面のみがコイルボビンと接触すること
になるので、磁界補正手段21の垂直部24は実質的にコイ
ルボビンと非接触となり、浮いた状態にある。このた
め、従来のようにセパレータを使用して磁界補正手段21
を浮かした状態でコイルボビンに支持するようにする必
要がない。従って、部品点数が減少してコストダウンが
可能になるとともに、作業性が向上する利点がある。勿
論、空気との接触面ができるし、しかも凹部25の両側部
が開放しているので、放熱効果が非常に大きく、従って
高周波用の場合でも発熱による温度上昇を十分に抑制で
きる。
になるので、磁界補正手段21の垂直部24は実質的にコイ
ルボビンと非接触となり、浮いた状態にある。このた
め、従来のようにセパレータを使用して磁界補正手段21
を浮かした状態でコイルボビンに支持するようにする必
要がない。従って、部品点数が減少してコストダウンが
可能になるとともに、作業性が向上する利点がある。勿
論、空気との接触面ができるし、しかも凹部25の両側部
が開放しているので、放熱効果が非常に大きく、従って
高周波用の場合でも発熱による温度上昇を十分に抑制で
きる。
その上、凹部25は下方に突出しているだけで垂直部24の
平面と実質的に連続面になっているので、磁界形成部22
の面積は殆ど減少しない。従って、磁界補正手段21の補
正量は殆ど変わらないので、左右,上下ピンクッション
歪を十分に補正することができ、コイル分布、マグネッ
ト等でさらに補正する必要がない。
平面と実質的に連続面になっているので、磁界形成部22
の面積は殆ど減少しない。従って、磁界補正手段21の補
正量は殆ど変わらないので、左右,上下ピンクッション
歪を十分に補正することができ、コイル分布、マグネッ
ト等でさらに補正する必要がない。
このように、本考案によれば、簡単な構成によって磁界
補正手段の温度上昇を十分に抑制した、かつピンクッシ
ョン歪も十分に補正できる偏向ヨーク装置が提供できる
から、特に、高周波用の偏向ヨーク装置としてその実用
的価値は大なるものがある。
補正手段の温度上昇を十分に抑制した、かつピンクッシ
ョン歪も十分に補正できる偏向ヨーク装置が提供できる
から、特に、高周波用の偏向ヨーク装置としてその実用
的価値は大なるものがある。
第1図は本考案偏向ヨーク装置に使用された磁界補正手
段の一実施例を示す斜視図、第2図は第1図の2−2線
断面図、第3図は第1図の3−3線断面図、第4図は第
1図の磁界補正手段の垂直部に発生する水平漏洩磁界の
方向と渦電流の方向を説明するための拡大斜視図、第5
図は従来の偏向ヨーク装置の一例を示す側面図、第6図
は第5図の正面図、第7図は第5図の要部断面側面図、
第8図は第5図の偏向ヨーク装置に使用された従来の磁
界補正手段の斜視図、第9図は従来の偏向ヨーク装置の
他の例を示す要部断面側面図、第10図は第9図の偏向ヨ
ーク装置に使用された従来の磁界補正手段の斜視図、第
11図及び第12図はそれぞれ磁界補正手段の他の例を示す
斜視図である。 21……磁界補正手段、22……磁界形成部、23……磁界受
け部、24……垂直部、25……凹部。
段の一実施例を示す斜視図、第2図は第1図の2−2線
断面図、第3図は第1図の3−3線断面図、第4図は第
1図の磁界補正手段の垂直部に発生する水平漏洩磁界の
方向と渦電流の方向を説明するための拡大斜視図、第5
図は従来の偏向ヨーク装置の一例を示す側面図、第6図
は第5図の正面図、第7図は第5図の要部断面側面図、
第8図は第5図の偏向ヨーク装置に使用された従来の磁
界補正手段の斜視図、第9図は従来の偏向ヨーク装置の
他の例を示す要部断面側面図、第10図は第9図の偏向ヨ
ーク装置に使用された従来の磁界補正手段の斜視図、第
11図及び第12図はそれぞれ磁界補正手段の他の例を示す
斜視図である。 21……磁界補正手段、22……磁界形成部、23……磁界受
け部、24……垂直部、25……凹部。
Claims (1)
- 【請求項1】くら型に巻回された水平偏向コイルと、該
水平偏向コイルを内面に配置したコイルボビンと、該コ
イルボビンの外面に配置されたコアと、該コアにトロイ
ダル型もしくはくら型に巻回された垂直偏向コイルとを
含み、前記コア及び垂直偏向コイルの前部側近傍に配置
された垂直漏洩磁界を受け入れる磁界受け部と該磁界受
け部より受け入れた磁界によって補正磁界を形成する磁
界形成部とを有する磁界補正手段によりピンクッション
歪を補正するように構成した偏向ヨーク装置において、
前記磁界補正手段の少なくとも磁界形成部の前記水平偏
向コイルから発生する水平漏洩磁界と鎖交する位置に間
隔を置いて両側部が開放している複数の凹部を形成した
ことを特徴とする偏向ヨーク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988028468U JPH0731492Y2 (ja) | 1988-03-03 | 1988-03-03 | 偏向ヨーク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988028468U JPH0731492Y2 (ja) | 1988-03-03 | 1988-03-03 | 偏向ヨーク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01132050U JPH01132050U (ja) | 1989-09-07 |
| JPH0731492Y2 true JPH0731492Y2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=31251861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988028468U Expired - Lifetime JPH0731492Y2 (ja) | 1988-03-03 | 1988-03-03 | 偏向ヨーク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0731492Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS625458U (ja) * | 1985-06-21 | 1987-01-13 | ||
| JPS62237649A (ja) * | 1986-04-08 | 1987-10-17 | Mitsubishi Electric Corp | 偏向ヨ−ク装置 |
-
1988
- 1988-03-03 JP JP1988028468U patent/JPH0731492Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01132050U (ja) | 1989-09-07 |
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