JPH07318441A - 計測器用歪センサおよびこれを用いたロードセル式計測器 - Google Patents
計測器用歪センサおよびこれを用いたロードセル式計測器Info
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- JPH07318441A JPH07318441A JP6110076A JP11007694A JPH07318441A JP H07318441 A JPH07318441 A JP H07318441A JP 6110076 A JP6110076 A JP 6110076A JP 11007694 A JP11007694 A JP 11007694A JP H07318441 A JPH07318441 A JP H07318441A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】高品質で、より一層耐荷重性及び耐久性に優れ
た計測器用歪センサの提供。及びこの計測器用歪センサ
を用い、被検知物品の荷重量をより一層精度良く検出出
来る高品質のロードセル式計測器の提供を目的とする。 【構成】円筒金属体1と、円筒金属体1の表面に形成さ
れた結晶化ガラス層2と、結晶化ガラス層2の表面に形
成された、歪が加わると電気抵抗が変化する抵抗素子3
とからなる計測器用歪センサ5。 【効果】本発明の計測器用歪センサ5は、従来に比べ特
性、耐久性とも優れている。さらに、本センサ5をロー
ドセル式計測器に装着することにより、被検知物品の荷
重量が精度良く検出できる計測器を提供することができ
る。
た計測器用歪センサの提供。及びこの計測器用歪センサ
を用い、被検知物品の荷重量をより一層精度良く検出出
来る高品質のロードセル式計測器の提供を目的とする。 【構成】円筒金属体1と、円筒金属体1の表面に形成さ
れた結晶化ガラス層2と、結晶化ガラス層2の表面に形
成された、歪が加わると電気抵抗が変化する抵抗素子3
とからなる計測器用歪センサ5。 【効果】本発明の計測器用歪センサ5は、従来に比べ特
性、耐久性とも優れている。さらに、本センサ5をロー
ドセル式計測器に装着することにより、被検知物品の荷
重量が精度良く検出できる計測器を提供することができ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、被検知物品の荷重を検
知する計測器用センサであり、特に被検知物品の荷重変
化量に対し、ひずみ変化により電気抵抗が変化する抵抗
素子を用いた計測器用歪センサに関する。また、それを
用いたロードセル式計測器に関する。
知する計測器用センサであり、特に被検知物品の荷重変
化量に対し、ひずみ変化により電気抵抗が変化する抵抗
素子を用いた計測器用歪センサに関する。また、それを
用いたロードセル式計測器に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、荷重量を検出する歪センサは、機
械、船舶、自動車等の各部に生じる応力や荷重の大きさ
を検出するために広く用いられている。
械、船舶、自動車等の各部に生じる応力や荷重の大きさ
を検出するために広く用いられている。
【0003】この歪センサは、基材種類、感歪材料の種
類によってさまざまなものが提案されている。
類によってさまざまなものが提案されている。
【0004】その代表的なものとして、(1)ポリエス
テル、エポキシ、ポリイミド等の樹脂からなるフィルム
上に、Cu-Ni合金、Ni-Cr合金等からなる薄膜状の抵抗素
子を蒸着またはスパッタリングにより形成した構成のも
のが知られている。また、(2)特公平3−20682号公報
に開示されているように、上記の樹脂製フィルムの代り
にガラスプレートを用いた歪センサもある。
テル、エポキシ、ポリイミド等の樹脂からなるフィルム
上に、Cu-Ni合金、Ni-Cr合金等からなる薄膜状の抵抗素
子を蒸着またはスパッタリングにより形成した構成のも
のが知られている。また、(2)特公平3−20682号公報
に開示されているように、上記の樹脂製フィルムの代り
にガラスプレートを用いた歪センサもある。
【0005】荷重の大きさは、次のようにして測定され
る。すなわち、外部からの荷重により発生した部材の歪
が、樹脂製フィルム、ガラスプレート、金属基材を介し
て抵抗素子に伝わる。この伝達された歪により、抵抗素
子の断面積がわずかに変化し、その抵抗素子の電気抵抗
値が変化する。この電気抵抗値の変化を電気信号として
検出することにより、歪の大きさが測定でき、この歪の
大きさから部材に加わった荷重の大きさが測定できる。
る。すなわち、外部からの荷重により発生した部材の歪
が、樹脂製フィルム、ガラスプレート、金属基材を介し
て抵抗素子に伝わる。この伝達された歪により、抵抗素
子の断面積がわずかに変化し、その抵抗素子の電気抵抗
値が変化する。この電気抵抗値の変化を電気信号として
検出することにより、歪の大きさが測定でき、この歪の
大きさから部材に加わった荷重の大きさが測定できる。
【0006】一般的に、被検知物品の荷重を検知するセ
ンサとして、上記歪センサ(1)を接着樹脂等で貼り付
けたロードセルを用いている。
ンサとして、上記歪センサ(1)を接着樹脂等で貼り付
けたロードセルを用いている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、被検知
物品の荷重量を検知するために(1)のセンサを用いた
場合、温度範囲が−10℃から60℃、最大荷重が100kg、
条件によっては水がかかるといった過酷な環境条件下
で、長期間使用したとき、接着強度が劣下して歪センサ
が部材から剥離する問題がある。また、(2)の歪セン
サでは、ガラスプレートが割れてしまい、計測器のよう
な大きな荷重量がかかる所には使用できないといった課
題を有していた。
物品の荷重量を検知するために(1)のセンサを用いた
場合、温度範囲が−10℃から60℃、最大荷重が100kg、
条件によっては水がかかるといった過酷な環境条件下
で、長期間使用したとき、接着強度が劣下して歪センサ
が部材から剥離する問題がある。また、(2)の歪セン
サでは、ガラスプレートが割れてしまい、計測器のよう
な大きな荷重量がかかる所には使用できないといった課
題を有していた。
【0008】本発明は、従来のこのような技術の課題を
考慮し、従来に比べてより一層高品質で、より一層耐荷
重性及び耐久性に優れた計測器用歪センサを提供するこ
と。及び、この計測器用歪センサを装着し、被検知物品
の荷重量を従来に比べてより一層精度良く検出出来る高
品質のロードセル式計測器を提供することを目的とす
る。
考慮し、従来に比べてより一層高品質で、より一層耐荷
重性及び耐久性に優れた計測器用歪センサを提供するこ
と。及び、この計測器用歪センサを装着し、被検知物品
の荷重量を従来に比べてより一層精度良く検出出来る高
品質のロードセル式計測器を提供することを目的とす
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1の本発明は、金
属基材と、前記金属基材の上の絶縁性ガラス層と、前記
絶縁性ガラス層の上の感歪抵抗体と、その感歪抵抗体に
付着され、信号を伝達する電極体層とを備えた計測器用
歪センサである。
属基材と、前記金属基材の上の絶縁性ガラス層と、前記
絶縁性ガラス層の上の感歪抵抗体と、その感歪抵抗体に
付着され、信号を伝達する電極体層とを備えた計測器用
歪センサである。
【0010】請求項2の本発明は、上記絶縁性ガラス層
が結晶化ガラス層である計測器用歪センサである。
が結晶化ガラス層である計測器用歪センサである。
【0011】請求項3の本発明は、上記結晶化ガラスの
組成を、MgOが16〜50重量%、SiO2が7〜30重量
%、B2O3が5〜34重量%、BaOが0〜50重量%、L
a2O3が0〜40重量%、CaOが0〜20重量%、P2O5
が0〜5重量%、MO2が0〜5重量%(但し、MはZ
r,Ti,Snのうち少なくとも一種の元素)とした計測
器用歪センサである。
組成を、MgOが16〜50重量%、SiO2が7〜30重量
%、B2O3が5〜34重量%、BaOが0〜50重量%、L
a2O3が0〜40重量%、CaOが0〜20重量%、P2O5
が0〜5重量%、MO2が0〜5重量%(但し、MはZ
r,Ti,Snのうち少なくとも一種の元素)とした計測
器用歪センサである。
【0012】
【作用】本発明の計測器用歪センサは、例えば、金属基
材と結晶化ガラス層、結晶化ガラス層と感歪抵抗体およ
び電極体間でそれぞれの成分元素が相互拡散しているた
め密着性が非常に強く、大きな荷重量しかも水がかかる
といった過酷な環境条件で使用するセンサとして適した
ものである。
材と結晶化ガラス層、結晶化ガラス層と感歪抵抗体およ
び電極体間でそれぞれの成分元素が相互拡散しているた
め密着性が非常に強く、大きな荷重量しかも水がかかる
といった過酷な環境条件で使用するセンサとして適した
ものである。
【0013】又、本発明のロードセル式計測器は、上記
計測器用歪センサを装着することにより、例えば、被検
知物品の荷重を精度良く検出することが出来る。
計測器用歪センサを装着することにより、例えば、被検
知物品の荷重を精度良く検出することが出来る。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面及び表を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
【0015】まず、本発明の計測器用歪センサについ
て、基本的構成等に関し説明する。 (1)金属基体 本発明の金属基材としての金属基体は、ホーロ用鋼、ス
テンレス鋼、珪素鋼、ニッケル−クロム−鉄、ニッケル
−鉄、コバール、インバーなどの各種合金材やそれらの
クラッド材などが選択される。特に、本発明において使
用される金属材料は、ガラス層との膨張率を整合させる
必要があることから、膨張率100〜140×10-7/℃のステ
ンレス鋼が好ましい。
て、基本的構成等に関し説明する。 (1)金属基体 本発明の金属基材としての金属基体は、ホーロ用鋼、ス
テンレス鋼、珪素鋼、ニッケル−クロム−鉄、ニッケル
−鉄、コバール、インバーなどの各種合金材やそれらの
クラッド材などが選択される。特に、本発明において使
用される金属材料は、ガラス層との膨張率を整合させる
必要があることから、膨張率100〜140×10-7/℃のステ
ンレス鋼が好ましい。
【0016】金属基体の材質が決定されれば、所望の形
状加工、穴加工等が通常の機械加工、エッチング加工、
レーザ加工等で施される。その形状は、荷重の大きさや
用途により、円筒形や板状(箔状も含む)等が選択され
る。
状加工、穴加工等が通常の機械加工、エッチング加工、
レーザ加工等で施される。その形状は、荷重の大きさや
用途により、円筒形や板状(箔状も含む)等が選択され
る。
【0017】これら金属基体は、ガラス層の密着性を向
上させる目的で、表面脱脂された後、ニッケル、コバル
トなどの各種メッキを施したり、熱酸化処理によって酸
化被覆層を形成したりする。
上させる目的で、表面脱脂された後、ニッケル、コバル
トなどの各種メッキを施したり、熱酸化処理によって酸
化被覆層を形成したりする。
【0018】(2)結晶化ガラス層 本発明に用いられる結晶化ガラス層には、電気絶縁性、
耐熱性の観点から、無アルカル結晶化ガラス(焼成によ
って、たとえば、MgO系の結晶相を析出)で構成され
るほうが好ましい。そのガラス組成は、特に、MgOが
16〜50重量%,SiO2が7〜30重量%,B2O3が5〜34
重量%、BaOが0〜50重量%,La2O3が0〜40重量
%,CaOが0〜20重量%,P2O5が0〜5重量%,MO2
が0〜5重量%(但し、MはZr,Ti,Snのうち少な
くとも一種の元素)からなるとき、より好ましい。
耐熱性の観点から、無アルカル結晶化ガラス(焼成によ
って、たとえば、MgO系の結晶相を析出)で構成され
るほうが好ましい。そのガラス組成は、特に、MgOが
16〜50重量%,SiO2が7〜30重量%,B2O3が5〜34
重量%、BaOが0〜50重量%,La2O3が0〜40重量
%,CaOが0〜20重量%,P2O5が0〜5重量%,MO2
が0〜5重量%(但し、MはZr,Ti,Snのうち少な
くとも一種の元素)からなるとき、より好ましい。
【0019】このように、結晶化ガラス材料が選択され
る理由の1つは、金属基体とガラス層との密着性を強固
にするためである。特に、上記の組成のものは、密着性
が非常に強固である。
る理由の1つは、金属基体とガラス層との密着性を強固
にするためである。特に、上記の組成のものは、密着性
が非常に強固である。
【0020】上記結晶化ガラス層を金属基体上に被覆す
る方法として、通常のスプレー法、粉末静電塗装法、電
気泳動電着法等がある。被膜のち密性、電気絶縁性等の
観点から、電気泳動電着法が、最も好ましい。
る方法として、通常のスプレー法、粉末静電塗装法、電
気泳動電着法等がある。被膜のち密性、電気絶縁性等の
観点から、電気泳動電着法が、最も好ましい。
【0021】この方法は、ガラスとアルコールおよび少
量の水を入れてボールミル中で約20時間粉砕、混合し、
ガラスの平均粒径を1〜5μm程度にする。得られたス
ラリーを電解槽に入れて、液を循環する。そして、金属
基体を、このスラリー中に浸漬し、100〜400Vで陰分極
させることにより、金属基体表面にガラス粒子を析出さ
せる。これを乾燥後、850〜900℃で10分〜1時間焼成す
る。これによって、ガラスの微粒子が溶融すると共に、
ガラスの成分と金属材料の成分が、充分に相互拡散する
ためガラス層と金属基体との強固な密着が得られる。
量の水を入れてボールミル中で約20時間粉砕、混合し、
ガラスの平均粒径を1〜5μm程度にする。得られたス
ラリーを電解槽に入れて、液を循環する。そして、金属
基体を、このスラリー中に浸漬し、100〜400Vで陰分極
させることにより、金属基体表面にガラス粒子を析出さ
せる。これを乾燥後、850〜900℃で10分〜1時間焼成す
る。これによって、ガラスの微粒子が溶融すると共に、
ガラスの成分と金属材料の成分が、充分に相互拡散する
ためガラス層と金属基体との強固な密着が得られる。
【0022】なお、焼成は常温から徐々に昇温して上記
温度に到達させるほうが微細針状結晶が無数に析出する
ためいわゆるアンカー効果の働きがより向上し、本発明
の感歪抵抗体としての抵抗素子との密着性向上に効果が
あり、より好ましい。
温度に到達させるほうが微細針状結晶が無数に析出する
ためいわゆるアンカー効果の働きがより向上し、本発明
の感歪抵抗体としての抵抗素子との密着性向上に効果が
あり、より好ましい。
【0023】結晶化ガラス材料が選択されるもう1つの
理由は、ガラス層の耐熱温度を高くするためである。
理由は、ガラス層の耐熱温度を高くするためである。
【0024】すなわち、ガラス層に抵抗体および電極体
を焼成法で形成するとき、高温で焼成するのでガラス層
の耐熱温度は少なくとも900℃以上必要である。ガラス
層が非晶質の時の耐熱温度は650℃程度であるが、結晶
化させることによって耐熱温度が900℃以上(900℃でも
ガラスが流動しないので、850℃で抵抗素子を焼成して
も問題ない)になる。それに対して一般の非晶質ガラス
は、再加熱しても結晶化しないので耐熱性(約600℃以
上でガラスが流動するので、抵抗素子を600℃以上で焼
成するとガラスと反応する)は向上しない。
を焼成法で形成するとき、高温で焼成するのでガラス層
の耐熱温度は少なくとも900℃以上必要である。ガラス
層が非晶質の時の耐熱温度は650℃程度であるが、結晶
化させることによって耐熱温度が900℃以上(900℃でも
ガラスが流動しないので、850℃で抵抗素子を焼成して
も問題ない)になる。それに対して一般の非晶質ガラス
は、再加熱しても結晶化しないので耐熱性(約600℃以
上でガラスが流動するので、抵抗素子を600℃以上で焼
成するとガラスと反応する)は向上しない。
【0025】(3)抵抗素子 抵抗素子用の材料としては、Cu−Ni合金,Ni−Cr合金,酸
化ルテニウム等の種々の歪変化によって電気抵抗が変化
する性質を有する抵抗材料が使用される。本発明の計測
器用歪センサにおける抵抗素子の形成法としては、スク
リーン印刷法、ディスペンサ法、メタルマスク法、ドク
ターブレード法、オフセット印刷法が好ましい。
化ルテニウム等の種々の歪変化によって電気抵抗が変化
する性質を有する抵抗材料が使用される。本発明の計測
器用歪センサにおける抵抗素子の形成法としては、スク
リーン印刷法、ディスペンサ法、メタルマスク法、ドク
ターブレード法、オフセット印刷法が好ましい。
【0026】上記印刷法で抵抗素子を形成する方法は、
有機金属化合物を出発原料とし、それを主成分とするペ
ーストを作成してガラス層の表面に印刷し、さらに、そ
の熱分解により抵抗素子成分元素の金属および合金膜を
形成する。感歪抵抗体成分元素として、ニッケル、クロ
ム、銅、鉄、ルテニュウムからなる群から選択された有
機金属化合物で、その他形成添加剤としてBi、Rh、V、S
bからなる熱分解有機化合物を少なくとも2種以上を添
加する。この構成のものは、従来の厚膜技術で薄膜並の
膜厚を得ることができる。
有機金属化合物を出発原料とし、それを主成分とするペ
ーストを作成してガラス層の表面に印刷し、さらに、そ
の熱分解により抵抗素子成分元素の金属および合金膜を
形成する。感歪抵抗体成分元素として、ニッケル、クロ
ム、銅、鉄、ルテニュウムからなる群から選択された有
機金属化合物で、その他形成添加剤としてBi、Rh、V、S
bからなる熱分解有機化合物を少なくとも2種以上を添
加する。この構成のものは、従来の厚膜技術で薄膜並の
膜厚を得ることができる。
【0027】もう1つの印刷法で抵抗素子を形成する方
法は、酸化ルテニュウムおよびガラスフリットを主成分
とするペーストを結晶化ガラス層に印刷し、その後焼成
する方法である。このペーストの成分には、主成分の酸
化ルテニュウムおよびガラスフリット(ホウケイ酸系ガ
ラス等)のほか、フィラー(ZrO2等)、酸化ビスマ
ス、エチルセルロース、ブチルカルビトールアセテート
(テルピネオールでもよい)等が含まれている。
法は、酸化ルテニュウムおよびガラスフリットを主成分
とするペーストを結晶化ガラス層に印刷し、その後焼成
する方法である。このペーストの成分には、主成分の酸
化ルテニュウムおよびガラスフリット(ホウケイ酸系ガ
ラス等)のほか、フィラー(ZrO2等)、酸化ビスマ
ス、エチルセルロース、ブチルカルビトールアセテート
(テルピネオールでもよい)等が含まれている。
【0028】次に、更に具体的な実施例について述べ
る。
る。
【0029】(実施例1)図1は、本発明の計測器用歪
センサにかかる一実施例であり、上述の製造方法に基づ
いて抵抗素子を形成したセンサの構成を示す図である。
センサにかかる一実施例であり、上述の製造方法に基づ
いて抵抗素子を形成したセンサの構成を示す図である。
【0030】以下、同図を用いて、本実施例について具
体的に説明する。
体的に説明する。
【0031】外形40φmm、厚さ20mmの円筒金属体(本発
明の金属基材に対応)1を脱脂・水洗・酸洗・水洗・ニ
ッケルメッキ・水洗して前処理を行った後、(表1)の
組成番号のNo7ガラス粒子からなるスラリー中に浸漬し
て、対極と円筒金属体1間に直流電圧を印加して、円筒
金属体1上にガラス粒子を100μm被覆し、常温から880
℃まで4時間かけて昇温し、さらにこの温度で10分間保
持する焼成を行ない結晶化ガラス層2を形成した。
明の金属基材に対応)1を脱脂・水洗・酸洗・水洗・ニ
ッケルメッキ・水洗して前処理を行った後、(表1)の
組成番号のNo7ガラス粒子からなるスラリー中に浸漬し
て、対極と円筒金属体1間に直流電圧を印加して、円筒
金属体1上にガラス粒子を100μm被覆し、常温から880
℃まで4時間かけて昇温し、さらにこの温度で10分間保
持する焼成を行ない結晶化ガラス層2を形成した。
【0032】次に、結晶化ガラス層2の表面にAg−Pdペ
ーストをスクリーン印刷法でパターン印刷、850℃で焼
成して電極体4を形成した。この電極間に酸化ルテニウ
ムとガラスフリットを主成分とする昭栄化学製ペースト
をディスペンサ法で所定のパターンに印刷、830℃で焼
成して、抵抗素子3を形成して計測用歪センサ5を作製
した。
ーストをスクリーン印刷法でパターン印刷、850℃で焼
成して電極体4を形成した。この電極間に酸化ルテニウ
ムとガラスフリットを主成分とする昭栄化学製ペースト
をディスペンサ法で所定のパターンに印刷、830℃で焼
成して、抵抗素子3を形成して計測用歪センサ5を作製
した。
【0033】比較例として、樹脂フィルム上に、Cu-Ni
合金の抵抗素子をスパッタリングした従来のロードセル
をステンレス基材にエポキシ系接着剤で貼り付けたサン
プルを用いた。
合金の抵抗素子をスパッタリングした従来のロードセル
をステンレス基材にエポキシ系接着剤で貼り付けたサン
プルを用いた。
【0034】図3に、本発明にかかる一実施例の計測器
用歪センサと従来センサでの荷重量と抵抗変化率の関係
を示す。
用歪センサと従来センサでの荷重量と抵抗変化率の関係
を示す。
【0035】本実施例の計測器用歪センサおよび従来セ
ンサは、荷重量に対し抵抗変化率が直線的に変化する
が、本実施例の計測器用歪センサは従来に比べ、抵抗変
化率が大きく優れた特性を示すことが判った。
ンサは、荷重量に対し抵抗変化率が直線的に変化する
が、本実施例の計測器用歪センサは従来に比べ、抵抗変
化率が大きく優れた特性を示すことが判った。
【0036】さらに本実施例の計測器用歪センサと従来
センサを用いて、約50℃の水中浸漬試験を行った。従
来センサは、500時間でセンサがステンレス基材から
剥離した。それに対し、本実施例の計測器用歪センサ
は、5000時間の浸漬試験でも剥離することがなく、
全く問題がなかった。すなわち、本実施例の計測器用歪
センサは耐久性にも優れていることが判明した。
センサを用いて、約50℃の水中浸漬試験を行った。従
来センサは、500時間でセンサがステンレス基材から
剥離した。それに対し、本実施例の計測器用歪センサ
は、5000時間の浸漬試験でも剥離することがなく、
全く問題がなかった。すなわち、本実施例の計測器用歪
センサは耐久性にも優れていることが判明した。
【0037】本実施例の計測器用歪センサを、図2に示
すような被検知物品の積載台6と、積載台6を支えるて
こ7と、てこ比により被検知物品の荷重を縮小した力を
検知するロードセル式台はかり8に装着し、被検知物品
の荷重量の検知試験を行った。被検知物品の荷重量は0
〜100kgの範囲で変化させ、センサで検出される荷
重量を基準分銅を用いて相関を求めた。その結果、荷重
量は10g単位で計測することができた。
すような被検知物品の積載台6と、積載台6を支えるて
こ7と、てこ比により被検知物品の荷重を縮小した力を
検知するロードセル式台はかり8に装着し、被検知物品
の荷重量の検知試験を行った。被検知物品の荷重量は0
〜100kgの範囲で変化させ、センサで検出される荷
重量を基準分銅を用いて相関を求めた。その結果、荷重
量は10g単位で計測することができた。
【0038】(実施例2)前述のガラス層被覆工程に従
い、SUS430基体(100mm×100mm×0.5mm)の表面に、厚
さ100μmの(表1)〜(表5)に示す組成の結晶化ガラ
ス層を電気泳動電着し、880℃で10分焼成しサンプルの
表面粗度、うねり性、耐熱性等の諸特性を調べた。(表
1)〜(表5)は、その結果を組成とともに示すもので
あり、以下、同表を用いて、本実施例について具体的に
説明する。
い、SUS430基体(100mm×100mm×0.5mm)の表面に、厚
さ100μmの(表1)〜(表5)に示す組成の結晶化ガラ
ス層を電気泳動電着し、880℃で10分焼成しサンプルの
表面粗度、うねり性、耐熱性等の諸特性を調べた。(表
1)〜(表5)は、その結果を組成とともに示すもので
あり、以下、同表を用いて、本実施例について具体的に
説明する。
【0039】なお、表面粗度はタリサーフ表面粗さ計で
測定し、表面中心線平均粗さRaで示し、うねり性はタリ
サーフ表面粗さ計で得られた山と谷の差Rmaxで表わし
た。
測定し、表面中心線平均粗さRaで示し、うねり性はタリ
サーフ表面粗さ計で得られた山と谷の差Rmaxで表わし
た。
【0040】耐熱性は、サンプルを850℃の電気炉中に1
0分入れ、炉から取り出し30分間、自然放冷するサイク
ルを繰り返すスポーリングテストを行って、サンプルの
クラックや剥離の状態を調べた。なお、クラックは赤イ
ンク中に浸漬し、その後、表面を拭き取って、目視観察
によって、その有無を調べた。表中の○、△、×は、○
が10サイクル以上行っても、異常が認められないもの
を、△は5〜9サイクルで発生したものを、×は4サイ
クル以下で発生したものを示す。
0分入れ、炉から取り出し30分間、自然放冷するサイク
ルを繰り返すスポーリングテストを行って、サンプルの
クラックや剥離の状態を調べた。なお、クラックは赤イ
ンク中に浸漬し、その後、表面を拭き取って、目視観察
によって、その有無を調べた。表中の○、△、×は、○
が10サイクル以上行っても、異常が認められないもの
を、△は5〜9サイクルで発生したものを、×は4サイ
クル以下で発生したものを示す。
【0041】密着性は、基体の曲げ試験を行い、ガラス
層が剥離して金属部が露出したものを×、金属部が一部
だけ露出したものを△、金属部が露出していないものを
○とした。
層が剥離して金属部が露出したものを×、金属部が一部
だけ露出したものを△、金属部が露出していないものを
○とした。
【0042】以上の評価に基づき総合評価を行い、その
結果を○、△、×で示した。No1〜8は他の成分を一定
として、SiO2とB2O3を変化させたもの、No9〜15
は、SiO2/B2O3をほぼ一定にし、MgO量を変化
させたもの、No16〜19は同じく、CaO量を変化させた
もの。No20〜24は、同じく、BaO量を変化させたも
の。No25〜29は、同じくLa2O3量を変化させたもの。
No30〜42はそれぞれ、ZrO2、TiO2、SnO2、P2
O5、ZnOの影響を示す。
結果を○、△、×で示した。No1〜8は他の成分を一定
として、SiO2とB2O3を変化させたもの、No9〜15
は、SiO2/B2O3をほぼ一定にし、MgO量を変化
させたもの、No16〜19は同じく、CaO量を変化させた
もの。No20〜24は、同じく、BaO量を変化させたも
の。No25〜29は、同じくLa2O3量を変化させたもの。
No30〜42はそれぞれ、ZrO2、TiO2、SnO2、P2
O5、ZnOの影響を示す。
【0043】表から明らかなように、SiO2を増加し
ていけば、耐熱性は向上するが、表面性、および密着性
が悪くなる。逆に、B2O3量を増加していけば、たしか
に表面性、密着性は向上するが耐熱性は低下する。した
がって、本発明では、SiO2;7〜30重量%、B
2O3;5〜34重量%の範囲内が好ましい。
ていけば、耐熱性は向上するが、表面性、および密着性
が悪くなる。逆に、B2O3量を増加していけば、たしか
に表面性、密着性は向上するが耐熱性は低下する。した
がって、本発明では、SiO2;7〜30重量%、B
2O3;5〜34重量%の範囲内が好ましい。
【0044】MgO量は結晶性と相関があり、16重量%
以下では結晶析出が不十分で、耐熱性に劣る。また、50
重量%以上では、結晶が析出しやすく、ガラス溶融時に
簡単に結晶化し、均質なガラスを得ることが難しく、ま
た、表面粗度が大きくなる。
以下では結晶析出が不十分で、耐熱性に劣る。また、50
重量%以上では、結晶が析出しやすく、ガラス溶融時に
簡単に結晶化し、均質なガラスを得ることが難しく、ま
た、表面粗度が大きくなる。
【0045】CaO量は、20重量%以上入れると、表面
性が悪くなり好ましくない。
性が悪くなり好ましくない。
【0046】BaO量は、50重量%以上では、耐熱性、
および密着性が劣化し好ましくない。
および密着性が劣化し好ましくない。
【0047】La2O3は、40重量%以上では、耐熱性が
劣化し好ましくない。
劣化し好ましくない。
【0048】その他の添加可能な成分はZrO2、Ti
O2、SnO2、P2O5、ZnOなどが挙げられるが、5
重量%以下までなら添加可能である。
O2、SnO2、P2O5、ZnOなどが挙げられるが、5
重量%以下までなら添加可能である。
【0049】
【表1】
【0050】
【表2】
【0051】
【表3】
【0052】
【表4】
【0053】
【表5】
【0054】以上のように、上記実施例の構成による計
測器用歪センサは、金属基材と結晶化ガラス層、結晶化
ガラス層と感歪抵抗体および電極体間でそれぞれの成分
元素が相互拡散しているため密着性が非常に強く、大き
な荷重量しかも水がかかるといった過酷な環境条件で使
用するセンサとしては最適なものである。
測器用歪センサは、金属基材と結晶化ガラス層、結晶化
ガラス層と感歪抵抗体および電極体間でそれぞれの成分
元素が相互拡散しているため密着性が非常に強く、大き
な荷重量しかも水がかかるといった過酷な環境条件で使
用するセンサとしては最適なものである。
【0055】さらに上記計測器用歪センサを、被検知物
品の積載台と、積載台を支えるてこと、てこ比により被
検知物品の荷重を縮小した力を検知するロードセル式計
測器に装着することにより被検知物品の荷重を精度良く
検出することが出来るロードセル式計測器を実現するこ
とが出来る。
品の積載台と、積載台を支えるてこと、てこ比により被
検知物品の荷重を縮小した力を検知するロードセル式計
測器に装着することにより被検知物品の荷重を精度良く
検出することが出来るロードセル式計測器を実現するこ
とが出来る。
【0056】
【発明の効果】以上述べたところから明らかなように、
本発明は、従来に比べてより一層耐荷重性、耐久性に優
れた計測器用歪センサを提供することが出来るという長
所を有する。又、このような計測器用歪センサをロード
セル式計測器に用いて、被検知物品の荷重量をより一層
精度良く検出出来得るという長所を有する。
本発明は、従来に比べてより一層耐荷重性、耐久性に優
れた計測器用歪センサを提供することが出来るという長
所を有する。又、このような計測器用歪センサをロード
セル式計測器に用いて、被検知物品の荷重量をより一層
精度良く検出出来得るという長所を有する。
【図1】(a)本発明にかかる実施例1の計測用歪セン
サの斜視図 (b)同縦断面図
サの斜視図 (b)同縦断面図
【図2】本発明にかかる一実施例の計測器用歪センサを
装着したロードセル式計測器の斜視図
装着したロードセル式計測器の斜視図
【図3】本発明にかかる一実施例の計測器用歪センサと
従来センサでの荷重量と抵抗変化率の関係
従来センサでの荷重量と抵抗変化率の関係
1 円筒金属体 2 結晶化ガラス層 3 抵抗素子 4 電極体 5 計測用歪センサ 6 積載台 7 てこ 8 ロードセル式台はかり
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野 康男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 吉田 昭彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】 金属基材と、前記金属基材の上の絶縁性
ガラス層と、前記絶縁性ガラス層の上の感歪抵抗体と、
その感歪抵抗体に付着され、信号を伝達する電極体層と
を備えたことを特徴とする計測器用歪センサ。 - 【請求項2】 絶縁性ガラス層が結晶化ガラス層である
ことを特徴とする請求項1記載の計測器用歪センサ。 - 【請求項3】 結晶化ガラスの組成は、MgOが16〜50
重量%、SiO2が7〜30重量%、B2O3が5〜34重量
%、BaOが0〜50重量%、La2O3が0〜40重量%、
CaOが0〜20重量%、P2O5が0〜5重量%、MO2
が0〜5重量%(但し、MはZr,Ti,Snのうち少な
くとも一種の元素)であることを特徴とする請求項2記
載の計測器用歪センサ。 - 【請求項4】 被検知物品の積載台と、積載台を支える
てこと、てこ比により被検知物品の荷重を縮小した力を
検知するロードセル式計測器において、上記請求項1、
2、又は3記載の計測器用歪センサを少なくとも1個用
いたことを特徴とするロードセル式計測器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6110076A JPH07318441A (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 計測器用歪センサおよびこれを用いたロードセル式計測器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6110076A JPH07318441A (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 計測器用歪センサおよびこれを用いたロードセル式計測器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07318441A true JPH07318441A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=14526433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6110076A Pending JPH07318441A (ja) | 1994-05-24 | 1994-05-24 | 計測器用歪センサおよびこれを用いたロードセル式計測器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07318441A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105136346A (zh) * | 2015-07-31 | 2015-12-09 | 北京博源天衡科技有限公司 | 一种新型负荷传感器 |
| US9482587B2 (en) | 2011-08-02 | 2016-11-01 | Ntn Corporation | Magnetic load sensor unit |
-
1994
- 1994-05-24 JP JP6110076A patent/JPH07318441A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9482587B2 (en) | 2011-08-02 | 2016-11-01 | Ntn Corporation | Magnetic load sensor unit |
| CN105136346A (zh) * | 2015-07-31 | 2015-12-09 | 北京博源天衡科技有限公司 | 一种新型负荷传感器 |
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