JPH07318962A - 電気装置の電極基板、電極形成方法及び実装方法 - Google Patents
電気装置の電極基板、電極形成方法及び実装方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 パターンレイアウトの高密度化、安価なＦＰ
Ｃ、ＣＯＧ実装。 【構成】 導電体を配合した樹脂を摩擦することによ
り、透明電極上に補助電極を形成する。該透明電極上に
形成した導電体を介して透明電極とＦＰＣ、ＴＣＰ、Ｉ
Ｃの電極を接続する。 【効果】 ＩＴＯの抵抗値に左右されないパターンレイ
アウトが安価に可能となった。安価なＦＰＣ、ＴＣＰ、
ＣＯＧ実装が可能となった。
Ｃ、ＣＯＧ実装。 【構成】 導電体を配合した樹脂を摩擦することによ
り、透明電極上に補助電極を形成する。該透明電極上に
形成した導電体を介して透明電極とＦＰＣ、ＴＣＰ、Ｉ
Ｃの電極を接続する。 【効果】 ＩＴＯの抵抗値に左右されないパターンレイ
アウトが安価に可能となった。安価なＦＰＣ、ＴＣＰ、
ＣＯＧ実装が可能となった。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶電気光学装置等の
電子機器に使用される電極基板そしてその電極形成方
法、更には、ＩＣチップ、フィルム基板の実装方法に関
するものである。
電子機器に使用される電極基板そしてその電極形成方
法、更には、ＩＣチップ、フィルム基板の実装方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来液晶電気光学装置のガラス基板の表
面に形成した外部接続用のＩＴＯパターンは、抵抗が高
いためパターンの幅を広げるなどして設計した。また、
必要に応じ電極抵抗を低くするために無電界ニッケルメ
ッキ等を施した。また、導電ペーストの印刷による方法
では、導体幅が１００μｍ程度が限界でパターンの形状
に制約ができるなどや、複雑な形態の製品の１部分など
には困難で、ボード状の段階で印刷しなければならない
など、工程上の制約があった。
面に形成した外部接続用のＩＴＯパターンは、抵抗が高
いためパターンの幅を広げるなどして設計した。また、
必要に応じ電極抵抗を低くするために無電界ニッケルメ
ッキ等を施した。また、導電ペーストの印刷による方法
では、導体幅が１００μｍ程度が限界でパターンの形状
に制約ができるなどや、複雑な形態の製品の１部分など
には困難で、ボード状の段階で印刷しなければならない
など、工程上の制約があった。
【０００３】また、従来ＩＣチップのフェースダウン実
装は、例えば液晶電気光学装置では、ＩＣチップに半田
バンプを形成し、液晶パネルの基板側のパターンはＩＴ
Ｏパターンにニッケル無電解メッキを施し、ＩＣチップ
のパッドと液晶パネルの基板側のパッドを位置合わせし
てＩＣチップの半田バンプを赤外線等で加熱溶融して半
田付けするか、または、図１３のように、プラスチック
粒子にニッケルと金メッキを施し更に絶縁膜を施した接
続粒子を配合した熱硬化性接着剤または、熱硬化性＋熱
可塑性接着剤の異方性導電膜１８を基板上に仮付けして
おき、基板のＩＴＯ電極と金バンプを形成したＩＣチッ
プを位置合わせ後、熱圧着により異方性導電膜の接着剤
を硬化し、基板のＩＴＯ電極とＩＣチップの金バンプの
間に挟まった導電粒子を加圧と加熱により絶縁膜を破る
ことによって接続する。または、ＩＣチップに６０μｍ
程度の高さの金バンプを形成してＡｇペーストをバンプ
部のみに接触転写してＩＴＯ電極に位置合わせ後加熱し
てＡｇペーストの接着剤を硬化して接続していた。
装は、例えば液晶電気光学装置では、ＩＣチップに半田
バンプを形成し、液晶パネルの基板側のパターンはＩＴ
Ｏパターンにニッケル無電解メッキを施し、ＩＣチップ
のパッドと液晶パネルの基板側のパッドを位置合わせし
てＩＣチップの半田バンプを赤外線等で加熱溶融して半
田付けするか、または、図１３のように、プラスチック
粒子にニッケルと金メッキを施し更に絶縁膜を施した接
続粒子を配合した熱硬化性接着剤または、熱硬化性＋熱
可塑性接着剤の異方性導電膜１８を基板上に仮付けして
おき、基板のＩＴＯ電極と金バンプを形成したＩＣチッ
プを位置合わせ後、熱圧着により異方性導電膜の接着剤
を硬化し、基板のＩＴＯ電極とＩＣチップの金バンプの
間に挟まった導電粒子を加圧と加熱により絶縁膜を破る
ことによって接続する。または、ＩＣチップに６０μｍ
程度の高さの金バンプを形成してＡｇペーストをバンプ
部のみに接触転写してＩＴＯ電極に位置合わせ後加熱し
てＡｇペーストの接着剤を硬化して接続していた。
【０００４】また、ＴＣＰやＦＰＣなどのフィルム基板
は、上記異方性導電膜と同等もしくは、プラスチック粒
子にニッケルと金のみメッキした粒子を使用した異方性
導電膜を使用し、加熱と加圧により液晶パネルの端子と
上記フィルム基板の端子を接続していた。
は、上記異方性導電膜と同等もしくは、プラスチック粒
子にニッケルと金のみメッキした粒子を使用した異方性
導電膜を使用し、加熱と加圧により液晶パネルの端子と
上記フィルム基板の端子を接続していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、液晶
電気光学装置の場合、透明電極の低抵抗化は１０Ω／□
が量産レベルでは限界で外部接続電極から表示画面の画
素部までの引き回し長さが不均一の場合ライン抵抗差に
よる表示むらが起こるため、ライン幅に工夫が必要とな
る。単純マトリクス駆動の１／２４０ｄｕｔｙの場合５
００Ω〜１ＫΩのライン抵抗差があると表示むらになる
ため高密度のパターンレイアウトが困難であった。また
２チップ以上のＣＯＧ実装の場合、バスラインをパネル
電極を利用して形成する場合もＩＴＯ抵抗値が高いため
表示むらや表示不良が発生する。この問題を解決するた
めに、無電界メッキによる補助電極を形成する必要があ
りコストアップになった。また、ＩＴＯの電極幅を大き
く設計することにより、外形サイズが大きくなり、液晶
パネル取り個数が低減してコストアップになった。
電気光学装置の場合、透明電極の低抵抗化は１０Ω／□
が量産レベルでは限界で外部接続電極から表示画面の画
素部までの引き回し長さが不均一の場合ライン抵抗差に
よる表示むらが起こるため、ライン幅に工夫が必要とな
る。単純マトリクス駆動の１／２４０ｄｕｔｙの場合５
００Ω〜１ＫΩのライン抵抗差があると表示むらになる
ため高密度のパターンレイアウトが困難であった。また
２チップ以上のＣＯＧ実装の場合、バスラインをパネル
電極を利用して形成する場合もＩＴＯ抵抗値が高いため
表示むらや表示不良が発生する。この問題を解決するた
めに、無電界メッキによる補助電極を形成する必要があ
りコストアップになった。また、ＩＴＯの電極幅を大き
く設計することにより、外形サイズが大きくなり、液晶
パネル取り個数が低減してコストアップになった。
【０００６】液晶電気光学装置のＣＯＧ実装方法におい
ては、半田バンプ接続ではＩＴＯにニッケル無電解メッ
キを施すためコストアップになり、２００μｍピッチが
限界で高密度接続に不向きであった。また、異方性導電
膜による接続は、ＩＣのバンプの高さバラツキが１μｍ
程度あるため接続粒子の大きさのバラツキを５μｍ程度
にし接続粒子は接着剤に対して７０ｗｔ％以上多く必要
となるためコストが高くなった。それにともない接続加
重が５０ｇ／バンプ以上必要になるなどからＩＣに偏加
重がかかることにより歩留りが低下した。またＩＣチッ
プのパットとＩＴＯパターンの位置合わせが、基板側に
異方性導電膜をあらかじめ仮付けしておくためにパター
ン認識が困難で、生産性が悪いという問題があった。ま
た、Ａｇペースト方式は、Ａｇを転写するために、ＩＣ
チップのバンプ高さが３０μｍ以下の低いものはＡｇの
転写性が悪いためバンプを３０〜６０μｍ高さにの高く
する必要がありコストアップにつながった。また、１５
０μｍピッチ以下の接続は困難で、ＩＣチップのパター
ンのレイアウトに制約があり、ＩＣチップのサイズを小
さくすることが困難でコストダウンにつながらない等の
問題があった。
ては、半田バンプ接続ではＩＴＯにニッケル無電解メッ
キを施すためコストアップになり、２００μｍピッチが
限界で高密度接続に不向きであった。また、異方性導電
膜による接続は、ＩＣのバンプの高さバラツキが１μｍ
程度あるため接続粒子の大きさのバラツキを５μｍ程度
にし接続粒子は接着剤に対して７０ｗｔ％以上多く必要
となるためコストが高くなった。それにともない接続加
重が５０ｇ／バンプ以上必要になるなどからＩＣに偏加
重がかかることにより歩留りが低下した。またＩＣチッ
プのパットとＩＴＯパターンの位置合わせが、基板側に
異方性導電膜をあらかじめ仮付けしておくためにパター
ン認識が困難で、生産性が悪いという問題があった。ま
た、Ａｇペースト方式は、Ａｇを転写するために、ＩＣ
チップのバンプ高さが３０μｍ以下の低いものはＡｇの
転写性が悪いためバンプを３０〜６０μｍ高さにの高く
する必要がありコストアップにつながった。また、１５
０μｍピッチ以下の接続は困難で、ＩＣチップのパター
ンのレイアウトに制約があり、ＩＣチップのサイズを小
さくすることが困難でコストダウンにつながらない等の
問題があった。
【０００７】液晶電気光学装置のガラス基板の端子とフ
ィルム基板の接続では加熱圧着するためフィルムの伸び
により端子間で位置ズレが発生した。また加熱するため
フィルムには耐熱性と寸法安定性等が必要なためポリイ
ミドが一般的に使用され、コストダウンが困難であっ
た。
ィルム基板の接続では加熱圧着するためフィルムの伸び
により端子間で位置ズレが発生した。また加熱するため
フィルムには耐熱性と寸法安定性等が必要なためポリイ
ミドが一般的に使用され、コストダウンが困難であっ
た。
【０００８】
【問題点を解決するための手段】本問題を解決するため
に、表面上に透明導電膜を形成した基板であって、該基
板上にこすりつけることによって導電体を配合した樹脂
を該透明導電体上に形成した。更に、弾性体の緩衝材で
加圧しながら導電体を配合した樹脂をこすりつけること
によって、該透明導電体上に形成した導電体を配合した
樹脂の厚さを安定させた。また、こすりつける基板の透
明電極で形成したパターンの形状は連続したパターンの
方が安定して導電体を配合した樹脂を形成することがで
きることから、パターンの無い部分にはダミーパターン
を配設することにより、安定して導電体を配合した樹脂
をパターン上に形成することができた。
に、表面上に透明導電膜を形成した基板であって、該基
板上にこすりつけることによって導電体を配合した樹脂
を該透明導電体上に形成した。更に、弾性体の緩衝材で
加圧しながら導電体を配合した樹脂をこすりつけること
によって、該透明導電体上に形成した導電体を配合した
樹脂の厚さを安定させた。また、こすりつける基板の透
明電極で形成したパターンの形状は連続したパターンの
方が安定して導電体を配合した樹脂を形成することがで
きることから、パターンの無い部分にはダミーパターン
を配設することにより、安定して導電体を配合した樹脂
をパターン上に形成することができた。
【０００９】また、基板上の電極形成方法であって透明
導電膜でパターンを形成した基板上に導電体を配合した
樹脂を基板全体にこすりつけることにより、パターン上
にのみ導電体を配合した樹脂を形成することができた。
また、こすりつける器具の先端に繊維を取り付けている
ことによって、導電体を配合した樹脂を安定してパター
ン上に形成した。導電体を配合した樹脂は、半硬化状態
にしてこすりつけることにより安定してパターン上に形
成することができた。
導電膜でパターンを形成した基板上に導電体を配合した
樹脂を基板全体にこすりつけることにより、パターン上
にのみ導電体を配合した樹脂を形成することができた。
また、こすりつける器具の先端に繊維を取り付けている
ことによって、導電体を配合した樹脂を安定してパター
ン上に形成した。導電体を配合した樹脂は、半硬化状態
にしてこすりつけることにより安定してパターン上に形
成することができた。
【００１０】製造工程では印刷やディスペンサーにより
導電体を配合した樹脂を基板上に形成した後にこすりつ
ける工程を行うことで生産性が向上した。また、スキー
ジングにより摩擦することで、均一な膜厚となった。透
明導電膜は、スパッタ法で形成した膜と蒸着法で形成し
た膜では表面の凹凸が異なり、表面の凹凸が大きい蒸着
法で形成した膜を使用することにより、付着性が向上し
た。また、透明導電膜をパターニングする露光マスクに
ポジレジストの場合は微細な穴を、ネガレジストの場合
は微細な点を形成して露光することにより、透明導電膜
の表面を凸凹にすることで導電体を配合した樹脂の付着
性が向上した。
導電体を配合した樹脂を基板上に形成した後にこすりつ
ける工程を行うことで生産性が向上した。また、スキー
ジングにより摩擦することで、均一な膜厚となった。透
明導電膜は、スパッタ法で形成した膜と蒸着法で形成し
た膜では表面の凹凸が異なり、表面の凹凸が大きい蒸着
法で形成した膜を使用することにより、付着性が向上し
た。また、透明導電膜をパターニングする露光マスクに
ポジレジストの場合は微細な穴を、ネガレジストの場合
は微細な点を形成して露光することにより、透明導電膜
の表面を凸凹にすることで導電体を配合した樹脂の付着
性が向上した。
【００１１】また、透明電極を形成した基板への半導体
チップの実装方法において、導電体を配合した樹脂を該
基板上にこすりつけ、形成された該樹脂層を介して該半
導体チップのバンプと透明電極を接続させることにより
ＩＣチップの高さバラツキを吸収することができ、ま
た、透明電極と導電体を配合した樹脂は接着し、ＩＣの
金バンプと導電体を配合した樹脂はそれよりも大きい接
着力で接続することから、安定した接続抵抗値を得るこ
とができた。また、導電体を配合した樹脂が硬化したと
きの熱膨張率と同等またはそれ以下の熱膨張率の接着剤
で該半導体チップの端子部と該透明電極の接続部を補強
したことにより更に信頼性を増した。
チップの実装方法において、導電体を配合した樹脂を該
基板上にこすりつけ、形成された該樹脂層を介して該半
導体チップのバンプと透明電極を接続させることにより
ＩＣチップの高さバラツキを吸収することができ、ま
た、透明電極と導電体を配合した樹脂は接着し、ＩＣの
金バンプと導電体を配合した樹脂はそれよりも大きい接
着力で接続することから、安定した接続抵抗値を得るこ
とができた。また、導電体を配合した樹脂が硬化したと
きの熱膨張率と同等またはそれ以下の熱膨張率の接着剤
で該半導体チップの端子部と該透明電極の接続部を補強
したことにより更に信頼性を増した。
【００１２】また、透明電極を形成した基板へのフィル
ム基板の実装方法において、導電体を配合した樹脂を摩
擦することで透明導電膜で形成した端子上に導電体を配
合した樹脂を形成した基板に、フィルム基板の端子を接
続し、さらにＵＶ硬化型接着剤を使用することで常温接
続ができ、加熱圧着による基板の伸びがなくなり安価な
ポリエステル基板を使用できた。
ム基板の実装方法において、導電体を配合した樹脂を摩
擦することで透明導電膜で形成した端子上に導電体を配
合した樹脂を形成した基板に、フィルム基板の端子を接
続し、さらにＵＶ硬化型接着剤を使用することで常温接
続ができ、加熱圧着による基板の伸びがなくなり安価な
ポリエステル基板を使用できた。
【００１３】
【作用】これにより、透明電極上に安価に補助電極を形
成でき透明電極の抵抗値を５０％以下にすることができ
た。また、ＣＯＧ実装では、ＩＣチップのバンプと透明
導電膜で形成した端子を付着させた樹脂で接続すること
ができ、ＩＣチップのバンプ高さは３０μｍ以下で可能
となった。さらにＩＣチップと基板の間に樹脂を充填す
ることで信頼性が向上した。
成でき透明電極の抵抗値を５０％以下にすることができ
た。また、ＣＯＧ実装では、ＩＣチップのバンプと透明
導電膜で形成した端子を付着させた樹脂で接続すること
ができ、ＩＣチップのバンプ高さは３０μｍ以下で可能
となった。さらにＩＣチップと基板の間に樹脂を充填す
ることで信頼性が向上した。
【００１４】また、ＴＣＰやＦＰＣなどのフィルム基板
等には接続温度を低温化する事ができ高耐熱性基板を使
用しなくても接続が可能となる。
等には接続温度を低温化する事ができ高耐熱性基板を使
用しなくても接続が可能となる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明について実施例により詳細に説
明する。 （実施例１）図１は、実施例１の説明図である。ガラス
基板１の上には、膜厚０．１５μｍのＩＴＯでできたパ
ターン２が形成されている。３は、導電体を配合した樹
脂であり、導電体は銀で２μｍぐらい粒子で樹脂に９０
ｗｔ％程度混合する。樹脂は、ポリウレタン、アクリ
ル、エポキシ、ポリエステル等使用するが、焼成しブロ
ック化して使用する場合は、ポリウレタンを使用するの
がよい。ポリウレタン樹脂に銀粒子を混合して焼成した
ブロック３を加圧摩擦軸４で基板に３〜５Ｋｇ／ｃｍ2
圧力で全体的に摩擦することによりガラスには転写され
ること無く、ＩＴＯ表面にのみに銀粒子を混合した樹脂
層５を転写できる。図２は、Ａｇペーストを転写した電
子顕微鏡写真でガラスの表面には、Ａｇペーストは転写
されず、ＩＴＯの表面にのみ積層している。更にＡｇペ
ーストを摩擦することにより全体的に密にＡｇペースト
が積層される。摩擦は、１軸方向，回転１軸方向，面回
転と色々な方法で可能である。転写後の抵抗値は、ＩＴ
Ｏだけのパターンの抵抗値に比べ５０％〜３０％程度と
成った。但しＩＴＯの表面が油脂等で汚染されていると
転写性が悪いので転写前洗浄をしっかり行う必要があ
る。
明する。 （実施例１）図１は、実施例１の説明図である。ガラス
基板１の上には、膜厚０．１５μｍのＩＴＯでできたパ
ターン２が形成されている。３は、導電体を配合した樹
脂であり、導電体は銀で２μｍぐらい粒子で樹脂に９０
ｗｔ％程度混合する。樹脂は、ポリウレタン、アクリ
ル、エポキシ、ポリエステル等使用するが、焼成しブロ
ック化して使用する場合は、ポリウレタンを使用するの
がよい。ポリウレタン樹脂に銀粒子を混合して焼成した
ブロック３を加圧摩擦軸４で基板に３〜５Ｋｇ／ｃｍ2
圧力で全体的に摩擦することによりガラスには転写され
ること無く、ＩＴＯ表面にのみに銀粒子を混合した樹脂
層５を転写できる。図２は、Ａｇペーストを転写した電
子顕微鏡写真でガラスの表面には、Ａｇペーストは転写
されず、ＩＴＯの表面にのみ積層している。更にＡｇペ
ーストを摩擦することにより全体的に密にＡｇペースト
が積層される。摩擦は、１軸方向，回転１軸方向，面回
転と色々な方法で可能である。転写後の抵抗値は、ＩＴ
Ｏだけのパターンの抵抗値に比べ５０％〜３０％程度と
成った。但しＩＴＯの表面が油脂等で汚染されていると
転写性が悪いので転写前洗浄をしっかり行う必要があ
る。
【００１６】（実施例２）図３は、実施例２の説明図で
ある。実施例１の方法では、摩擦のときの力のバランス
により転写膜厚の差が発生する。圧力の高いところと低
いところでは０．５〜２．５μｍ程度の厚みのばらつき
が生じるため、加圧摩擦軸４とブロック３の間にゴム性
緩衝材６を配設することにより安定して形成が可能とな
った。
ある。実施例１の方法では、摩擦のときの力のバランス
により転写膜厚の差が発生する。圧力の高いところと低
いところでは０．５〜２．５μｍ程度の厚みのばらつき
が生じるため、加圧摩擦軸４とブロック３の間にゴム性
緩衝材６を配設することにより安定して形成が可能とな
った。
【００１７】（実施例３）図４は、実施例３の説明図で
ある。実施例１では樹脂としてポリウレタンを使用した
が、信頼性上膜付きが悪いため銀を配合したポリエステ
ル樹脂８を使用した。銀を配合したポリエステル樹脂を
半硬化状態にして、繊維キャップ７を加圧摩擦部４つけ
て摩擦した。透明導電膜上に形成されたＡｇペースト層
は、テープ剥離等にも十分耐え得た。
ある。実施例１では樹脂としてポリウレタンを使用した
が、信頼性上膜付きが悪いため銀を配合したポリエステ
ル樹脂８を使用した。銀を配合したポリエステル樹脂を
半硬化状態にして、繊維キャップ７を加圧摩擦部４つけ
て摩擦した。透明導電膜上に形成されたＡｇペースト層
は、テープ剥離等にも十分耐え得た。
【００１８】（実施例４）実施例１の補助電極は、外部
からの衝撃による傷に弱いため、実施例１と同様にして
補助電極５を形成した後、シリコーン樹脂９で覆った。
この断面図を示したのが図５である。外部からの衝撃に
よる電極剥がれを防止することができ信頼性が増した。
からの衝撃による傷に弱いため、実施例１と同様にして
補助電極５を形成した後、シリコーン樹脂９で覆った。
この断面図を示したのが図５である。外部からの衝撃に
よる電極剥がれを防止することができ信頼性が増した。
【００１９】（実施例５）図６は、導電粒子を配合した
樹脂を基板に転写する説明図である。ガラス基板１の上
には、膜厚０．１５μｍのＩＴＯでできたパターン２が
ＩＣチップ１０の端子パッドに対向した形で２００μｍ
ピッチで形成されている。３は、銀粒子を配合したポリ
エステル系樹脂であり、銀は２μｍ以下の粒子で樹脂に
９０ｗｔ％程度混合し、焼成して半硬化状態したもので
ある。３を加圧摩擦軸４で３〜５Ｋｇ／ｃｍ2 で全体的
に摩擦することによりＩＴＯ表面にのみに銀粒子を混合
した樹脂を転写した。但しＩＴＯの表面が油脂等で汚染
されていると転写性が悪いので転写前の脱脂等の洗浄を
しっかり行う必要がある。図７は、基板上の透明電極
に、上記のように転写した樹脂層を介してＩＣチップを
接続したときの断面図である。２０μｍの高さの金バン
プ１１をパット部に配設したＩＣチップ１０をガラス基
板上にＩＴＯで形成した端子と位置合わせし、熱圧着し
て導電体を配合した樹脂を本硬化させて接着して接続し
た。ＩＣバンプ１１の高さバラツキを吸収し、すべての
端子部の接合が可能であった。
樹脂を基板に転写する説明図である。ガラス基板１の上
には、膜厚０．１５μｍのＩＴＯでできたパターン２が
ＩＣチップ１０の端子パッドに対向した形で２００μｍ
ピッチで形成されている。３は、銀粒子を配合したポリ
エステル系樹脂であり、銀は２μｍ以下の粒子で樹脂に
９０ｗｔ％程度混合し、焼成して半硬化状態したもので
ある。３を加圧摩擦軸４で３〜５Ｋｇ／ｃｍ2 で全体的
に摩擦することによりＩＴＯ表面にのみに銀粒子を混合
した樹脂を転写した。但しＩＴＯの表面が油脂等で汚染
されていると転写性が悪いので転写前の脱脂等の洗浄を
しっかり行う必要がある。図７は、基板上の透明電極
に、上記のように転写した樹脂層を介してＩＣチップを
接続したときの断面図である。２０μｍの高さの金バン
プ１１をパット部に配設したＩＣチップ１０をガラス基
板上にＩＴＯで形成した端子と位置合わせし、熱圧着し
て導電体を配合した樹脂を本硬化させて接着して接続し
た。ＩＣバンプ１１の高さバラツキを吸収し、すべての
端子部の接合が可能であった。
【００２０】（実施例６）実施例５の銀粒子を含有した
樹脂層だけで、接着接続する方法では、接続部の強度が
弱く強度的な信頼性が悪いので、銀粒子を配合したポリ
エステル系樹脂とほぼ同じ熱膨張率の熱硬化性の補強樹
脂１２を、銀粒子を配合したポリエステル系樹脂をＩＴ
Ｏ電極に転写後塗布し、２０μｍの高さの金バンプをパ
ット部に配設したＩＣチップ１０をＩＴＯで形成した基
板の端子どうし位置合わせし、更に加熱して銀粒子を配
合した樹脂と熱硬化性の補強樹脂１２を本硬化させて接
着して接続した。この断面図が図８である。このことに
より更に信頼性を増した。または、補強の樹脂をＵＶ硬
化型の接着剤を使用して、予め基板側にＵＶ硬化型樹脂
を塗布しておき、ＩＣチップ１０と基板のＡｇペースト
を転写した端子を位置合わせ後ＵＶを照射してＵＶ硬化
型の樹脂を硬化させた。銀粒子を配合したポリエステル
樹脂が半硬化のまま処理しても安定した接続が得られ
た。
樹脂層だけで、接着接続する方法では、接続部の強度が
弱く強度的な信頼性が悪いので、銀粒子を配合したポリ
エステル系樹脂とほぼ同じ熱膨張率の熱硬化性の補強樹
脂１２を、銀粒子を配合したポリエステル系樹脂をＩＴ
Ｏ電極に転写後塗布し、２０μｍの高さの金バンプをパ
ット部に配設したＩＣチップ１０をＩＴＯで形成した基
板の端子どうし位置合わせし、更に加熱して銀粒子を配
合した樹脂と熱硬化性の補強樹脂１２を本硬化させて接
着して接続した。この断面図が図８である。このことに
より更に信頼性を増した。または、補強の樹脂をＵＶ硬
化型の接着剤を使用して、予め基板側にＵＶ硬化型樹脂
を塗布しておき、ＩＣチップ１０と基板のＡｇペースト
を転写した端子を位置合わせ後ＵＶを照射してＵＶ硬化
型の樹脂を硬化させた。銀粒子を配合したポリエステル
樹脂が半硬化のまま処理しても安定した接続が得られ
た。
【００２１】（実施例７）銀ペーストの供給方法によっ
ては、銀ペーストの表面がタックフリー状態になり、そ
の場合、その表面の部分は透明導電膜に付着しない。そ
のためまずポリエステル系のＡｇペーストを予めスクリ
ーン印刷で塗布し半硬化状態にした後、加圧摩擦軸４で
摩擦する。このときの様子を示した説明図が図９であ
る。スクリーン印刷で、塗布した導電粒子を含有する樹
脂層５は透明導電膜以外のガラス上にも塗布され、かつ
厚い。しかし、摩擦することによって、ガラス基板１上
のＡｇペーストが除去され、透明導電膜上にだけ銀を含
有する樹脂層が薄く形成された。スクリーン印刷の他
に、凸版印刷やディスペンサーでも銀を含有する樹脂を
供給できることが確認された。
ては、銀ペーストの表面がタックフリー状態になり、そ
の場合、その表面の部分は透明導電膜に付着しない。そ
のためまずポリエステル系のＡｇペーストを予めスクリ
ーン印刷で塗布し半硬化状態にした後、加圧摩擦軸４で
摩擦する。このときの様子を示した説明図が図９であ
る。スクリーン印刷で、塗布した導電粒子を含有する樹
脂層５は透明導電膜以外のガラス上にも塗布され、かつ
厚い。しかし、摩擦することによって、ガラス基板１上
のＡｇペーストが除去され、透明導電膜上にだけ銀を含
有する樹脂層が薄く形成された。スクリーン印刷の他
に、凸版印刷やディスペンサーでも銀を含有する樹脂を
供給できることが確認された。
【００２２】（実施例８）図１０は、スキージングによ
る摩擦を示す説明図である。実施例７の摩擦方法では、
面回転のため速度や力の条件が複雑に混在するため制御
が困難であった。そのため摩擦板１３でスキージングに
より摩擦することにより、摩擦する条件が安定してＩＴ
Ｏパターン２に導電体を配合した樹脂をコートすること
が可能となった。
る摩擦を示す説明図である。実施例７の摩擦方法では、
面回転のため速度や力の条件が複雑に混在するため制御
が困難であった。そのため摩擦板１３でスキージングに
より摩擦することにより、摩擦する条件が安定してＩＴ
Ｏパターン２に導電体を配合した樹脂をコートすること
が可能となった。
【００２３】（実施例９）透明電極の形成方法には、ス
パッタ、蒸着、イオンプレーティングなどがあるが、蒸
着によって形成した透明電極は導電粒子を配合した樹脂
をこすりつけたときの付着性が良い。これは、表面の凹
凸による作用があるためであり、比較的凹凸の少ないス
パッタ膜は、付着性が悪い。そのため、スパッタ膜の透
明導電膜をパターニングするときに、図１１のように微
細な穴１４を形成した。このことによって導電粒子の付
着性を改善できた。
パッタ、蒸着、イオンプレーティングなどがあるが、蒸
着によって形成した透明電極は導電粒子を配合した樹脂
をこすりつけたときの付着性が良い。これは、表面の凹
凸による作用があるためであり、比較的凹凸の少ないス
パッタ膜は、付着性が悪い。そのため、スパッタ膜の透
明導電膜をパターニングするときに、図１１のように微
細な穴１４を形成した。このことによって導電粒子の付
着性を改善できた。
【００２４】（実施例１０）図１２は、本発明の方法
で、透明導電膜とＦＰＣの端子を接続したときの断面図
である。ガラス基板１上に形成したＩＴＯパターン２上
にＡｇペーストを実施例１と同様に形成し、ポリエステ
ルフィルム１６に蒸着した金属がパターニングしてある
ＦＰＣの端子１５を該導電体を配合した樹脂を介して透
明電極に接続した。低い接続抵抗で接続できた。
で、透明導電膜とＦＰＣの端子を接続したときの断面図
である。ガラス基板１上に形成したＩＴＯパターン２上
にＡｇペーストを実施例１と同様に形成し、ポリエステ
ルフィルム１６に蒸着した金属がパターニングしてある
ＦＰＣの端子１５を該導電体を配合した樹脂を介して透
明電極に接続した。低い接続抵抗で接続できた。
【００２５】また、ガラス基板とＩＴＯパターンの間を
ＵＶ硬化型樹脂で接続保持をすることで信頼性が向上し
た。
ＵＶ硬化型樹脂で接続保持をすることで信頼性が向上し
た。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、無電界メッキ方法
と比較しても安価にＩＴＯの補助電極を形成できた。導
体幅は、１０μｍまで可能であることが確認でき、導電
ペーストの印刷方法よりも高密度パターンのレイアウト
が容易となった。また、樹脂以外にも金属のみでの転写
も可能性があり、安価な補助電極の形成の提供に期待が
できるようになった。これにより、ＣＯＧなどの実装方
法で透明電極による電圧ドロップの問題も安価に解決で
きるようになった。
と比較しても安価にＩＴＯの補助電極を形成できた。導
体幅は、１０μｍまで可能であることが確認でき、導電
ペーストの印刷方法よりも高密度パターンのレイアウト
が容易となった。また、樹脂以外にも金属のみでの転写
も可能性があり、安価な補助電極の形成の提供に期待が
できるようになった。これにより、ＣＯＧなどの実装方
法で透明電極による電圧ドロップの問題も安価に解決で
きるようになった。
【００２７】また、ＦＰＣやＴＣＰの接続剤、ＣＯＧ実
装のＩＣと透明電極との接続剤としても有効である。更
にＵＶ硬化型接着剤を使用することにより低温加工が可
能で、ＦＰＣの基板もポリイミドフィルムより安価なポ
リエステル樹脂等の材料を使用できるように成った。ま
た、異方性導電膜を使用した接続工程に発生するＦＰ
Ｃ、ＴＣＰの端子部の伸びも無くなり安定した接続精度
を得られた。
装のＩＣと透明電極との接続剤としても有効である。更
にＵＶ硬化型接着剤を使用することにより低温加工が可
能で、ＦＰＣの基板もポリイミドフィルムより安価なポ
リエステル樹脂等の材料を使用できるように成った。ま
た、異方性導電膜を使用した接続工程に発生するＦＰ
Ｃ、ＴＣＰの端子部の伸びも無くなり安定した接続精度
を得られた。
【図１】基板上の透明電極に、銀粒子を含有する樹脂を
こすりつける工程を示した実施例１の説明図である。
こすりつける工程を示した実施例１の説明図である。
【図２】ガラス基板上の透明電極に、銀粒子を含有する
樹脂をこすりつけた結果を示す電子顕微鏡写真（図面代
用写真）である。
樹脂をこすりつけた結果を示す電子顕微鏡写真（図面代
用写真）である。
【図３】加圧摩擦軸の先端にゴム性緩衝剤をとりつけ
て、ブロックをこすりつけている様子を示した実施例２
の説明図である。
て、ブロックをこすりつけている様子を示した実施例２
の説明図である。
【図４】加圧摩擦軸の先端に、繊維キャップをとりつけ
て、銀粒子を含有する樹脂をこすりつける工程を示した
実施例３の説明図である。
て、銀粒子を含有する樹脂をこすりつける工程を示した
実施例３の説明図である。
【図５】本発明の方法で補助電極を形成した後、シリコ
ーン樹脂で覆った構成の断面図である。
ーン樹脂で覆った構成の断面図である。
【図６】導電粒子を含有する樹脂を転写する工程を示し
た説明図である。
た説明図である。
【図７】基板上の透明導電膜に、本発明の樹脂層を形成
し、それを介し、ＩＣチップを接着した構成の断面図で
ある。
し、それを介し、ＩＣチップを接着した構成の断面図で
ある。
【図８】基板上の透明導電膜に本発明の樹脂層を介し、
ＩＣチップを接着し、更に補強樹脂で覆った構成の断面
図である。
ＩＣチップを接着し、更に補強樹脂で覆った構成の断面
図である。
【図９】スクリーン印刷で塗布した銀粒子を含有する樹
脂層を加圧摩擦軸でこすりつけている様子を示す説明図
である。
脂層を加圧摩擦軸でこすりつけている様子を示す説明図
である。
【図１０】塗布した導電粒子を含有する樹脂層をスキー
ジングで摩擦している様子を示す説明図である。
ジングで摩擦している様子を示す説明図である。
【図１１】微細な穴を有するようにパターニングした透
明導電膜の上面図である。
明導電膜の上面図である。
【図１２】基板上の透明電極とＦＰＣ端子を導電粒子を
含有する樹脂層を介して接続した断面図である。
含有する樹脂層を介して接続した断面図である。
【図１３】基板の透明電極とＩＣチップを異方性導電接
着剤で接着する従来技術を示した断面図である。
着剤で接着する従来技術を示した断面図である。
１ ガラス基板 ２ ＩＴＯパターン ３ 樹脂に導電体を配合し焼成したブロック ４ 加圧摩擦軸 ５ 転写した銀粒子を配合した樹脂 ６ ゴム性緩衝材 ７ 繊維キャップ ８ 銀を配合した半硬化のポリエステル樹脂 ９ 保護樹脂 １０ ＩＣチップ １１ 金バンプ １２ 補強樹脂 １３ 摩擦板 １４ パターニングした穴 １５ 端子 １６ ポリエステルフィルム １７ ＵＶ硬化型接着剤 １８ 異方性導伝膜
Claims (14)
- 【請求項１】 表面上に透明導電膜を形成した基板であ
って、該基板上にこすりつけることによって導電体を配
合した樹脂を該透明導電膜上に形成したことを特徴とす
る電気装置の電極基板。 - 【請求項２】 該基板の表面上に形成した透明導電膜の
表面には、凹凸があることを特徴とする請求項１記載の
電気装置の電極基板。 - 【請求項３】 該基板の表面上の透明導電膜には、微細
な穴が形成されていることを特徴とする請求項１記載の
電気装置の電極基板。 - 【請求項４】 弾性体の緩衝材で加圧しながら導電体を
配合した樹脂をこすりつけることを特徴とする請求項１
記載の電気装置の電極基板。 - 【請求項５】該基板上の透明導電膜はパターニングして
いて、必要パターン以外の部分には、ダミー電極を形成
したことを特徴とする請求項１記載の電気装置の電極基
板。 - 【請求項６】 基板上の電極形成方法であって透明導電
膜を形成した基板上に導電体を配合した樹脂をこすりつ
けることを特徴とする電極形成方法。 - 【請求項７】 こすりつける器具の先端に繊維を取り付
けていることを特徴とする請求項６記載の電極形成方
法。 - 【請求項８】 導電体を配合した樹脂を半硬化状態にし
てこすりつけることを特徴とする請求項６記載の電極形
成方法。 - 【請求項９】 印刷やディスペンサーにより導電体を配
合した樹脂を形成した後にこすりつける工程を行うこと
を特徴とする請求項６記載の電極形成方法。 - 【請求項１０】 該基板上に導電体を配合した樹脂を形
成して、スキージングにより摩擦することを特徴とする
請求項６記載の電極形成方法。 - 【請求項１１】 透明電極を形成した基板に半導体チッ
プの実装方法であって、導電体を配合した樹脂を該基板
上にこすりつけ、形成された該樹脂層を介して該半導体
チップの端子部と透明電極を接続させることを特徴とす
る実装方法。 - 【請求項１２】 導電体を配合した樹脂が硬化したとき
の熱膨張率と同等またはそれ以下の熱膨張率の接着剤で
該半導体チップの端子部と該透明電極の接続部を補強し
たことを特徴とする請求項１１記載の実装方法。 - 【請求項１３】 透明導電膜を形成した基板へのフィル
ム基板の実装方法であって、該基板上に導電体を配合し
た樹脂をこすりつけて該樹脂層を形成し、該樹脂層を介
してフィルム基板の端子と透明導電膜を接続したことを
特徴とする実装方法。 - 【請求項１４】 該電極基板と該フィルム基板は接着剤
で接続保持したことを特徴とする請求項１３記載の電気
装置の電極基板の実装方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7047743A JPH07318962A (ja) | 1994-03-30 | 1995-02-13 | 電気装置の電極基板、電極形成方法及び実装方法 |
| US08/408,319 US5860212A (en) | 1994-03-30 | 1995-03-22 | Method of coating a conductive substance on a transparent electrode formed on a substrate and method of mounting a semiconductor device or film substrate on the substrate |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8598894 | 1994-03-30 | ||
| JP6-85988 | 1994-03-30 | ||
| JP7047743A JPH07318962A (ja) | 1994-03-30 | 1995-02-13 | 電気装置の電極基板、電極形成方法及び実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07318962A true JPH07318962A (ja) | 1995-12-08 |
Family
ID=26387913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7047743A Pending JPH07318962A (ja) | 1994-03-30 | 1995-02-13 | 電気装置の電極基板、電極形成方法及び実装方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5860212A (ja) |
| JP (1) | JPH07318962A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1445995B1 (en) * | 1996-12-27 | 2007-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of mounting an electronic component on a circuit board and system for carrying out the method |
| US6449837B1 (en) * | 1999-10-29 | 2002-09-17 | Tca, Inc. | Method for attaching electronic devices to metallized glass printed circuit |
| TW511122B (en) * | 1999-12-10 | 2002-11-21 | Ebara Corp | Method for mounting semiconductor device and structure thereof |
| JP4221704B2 (ja) * | 2003-03-17 | 2009-02-12 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
| US7563032B2 (en) * | 2006-06-19 | 2009-07-21 | Commscope, Inc. Of North Carolina | Hard coating on rugged VEE groove connectors |
| CN104885576B (zh) * | 2012-12-31 | 2017-12-05 | 阿莫绿色技术有限公司 | 柔性印刷电路基板及其制造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3936930A (en) * | 1972-07-10 | 1976-02-10 | Rca Corporation | Method of making electrical connections for liquid crystal cells |
| JPH0799419B2 (ja) * | 1985-10-18 | 1995-10-25 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| DE3852563T2 (de) * | 1987-05-01 | 1995-05-11 | Canon Kk | Verfahren zum Anschliessen eines externen Schaltkreises und Verpackungsstruktur. |
| JPH02195324A (ja) * | 1989-01-24 | 1990-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶パネルの製造方法 |
| KR900018804A (ko) * | 1989-05-31 | 1990-12-22 | 야마무라 가쯔미 | 입력 장치 |
| US5327272A (en) * | 1991-03-27 | 1994-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical modulation element |
| JPH0527251A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-05 | Ricoh Co Ltd | 液晶表示素子の電極接続装置 |
| JP3035021B2 (ja) * | 1991-08-29 | 2000-04-17 | 株式会社リコー | 液晶表示素子およびその製造方法 |
| US5285304A (en) * | 1992-01-24 | 1994-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device having spacers including the thermosetting adhesive particles and the thermoplastic polymer particles |
| JP2960621B2 (ja) * | 1992-12-26 | 1999-10-12 | キヤノン株式会社 | ラビング装置、ラビング方法、液晶装置の製造装置及び液晶装置の製造方法 |
| JP3051280B2 (ja) * | 1993-05-20 | 2000-06-12 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| US5342477A (en) * | 1993-07-14 | 1994-08-30 | Micron Display Technology, Inc. | Low resistance electrodes useful in flat panel displays |
| TW345625B (en) * | 1994-05-13 | 1998-11-21 | Sharp Kk | Device and method for manufacturing display device |
| JP2753549B2 (ja) * | 1994-06-21 | 1998-05-20 | カシオ計算機株式会社 | 液晶表示デバイス |
-
1995
- 1995-02-13 JP JP7047743A patent/JPH07318962A/ja active Pending
- 1995-03-22 US US08/408,319 patent/US5860212A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5860212A (en) | 1999-01-19 |
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