JPH01227444A - 接続構造 - Google Patents
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- JPH01227444A JPH01227444A JP63054537A JP5453788A JPH01227444A JP H01227444 A JPH01227444 A JP H01227444A JP 63054537 A JP63054537 A JP 63054537A JP 5453788 A JP5453788 A JP 5453788A JP H01227444 A JPH01227444 A JP H01227444A
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体チップなどのような回路基板を、各種
表示装置の表示パネルを構成する基板などの回路基板に
接続するためなどに有利に実施することができる接続構
造に関する。
表示装置の表示パネルを構成する基板などの回路基板に
接続するためなどに有利に実施することができる接続構
造に関する。
従来の技術
第11図は、典型的な先行技術の断面図である。
近年、電子機器一般において、製品の軽量小形化が活発
に行われている。たとえばフラットデイスプレィなどと
称される液晶表示板等を、携帯用テレビ受像機、文章作
成機、あるいは車載用表示装置などに用いることによっ
て、これらの小形fヒおよび薄形化を図ることができる
。そこで、これらの表示装置の回路基板と、その回路基
仮に接続される半導体チップなどとの接続は、製品の外
形寸法を制約し、軽量化、薄形化および小形化をより一
層促進する上で極めて重要な意味を有している。
に行われている。たとえばフラットデイスプレィなどと
称される液晶表示板等を、携帯用テレビ受像機、文章作
成機、あるいは車載用表示装置などに用いることによっ
て、これらの小形fヒおよび薄形化を図ることができる
。そこで、これらの表示装置の回路基板と、その回路基
仮に接続される半導体チップなどとの接続は、製品の外
形寸法を制約し、軽量化、薄形化および小形化をより一
層促進する上で極めて重要な意味を有している。
このような製品の軽量化、薄形化および小形化を図るた
めの先行技術は、特開昭60−238817・特公昭5
8−38768および特公昭58−38769に開示さ
れている導電性接着剤を利用した実装構造がある。これ
らの先行技術は、第11[IG:示さiるように、たと
えばシリコンがら成る本体1の一表面に、保護層2とア
ルミニウムまたはアルミニウムーシリコン′などから成
る配線N3とが形成され、配線層3には金または金メ・
ンキされた銅などから成る電f!4が形成されて電子部
品5が構成される。電[4は、その厚みがたとえば20
〜60μm程度である。
めの先行技術は、特開昭60−238817・特公昭5
8−38768および特公昭58−38769に開示さ
れている導電性接着剤を利用した実装構造がある。これ
らの先行技術は、第11[IG:示さiるように、たと
えばシリコンがら成る本体1の一表面に、保護層2とア
ルミニウムまたはアルミニウムーシリコン′などから成
る配線N3とが形成され、配線層3には金または金メ・
ンキされた銅などから成る電f!4が形成されて電子部
品5が構成される。電[4は、その厚みがたとえば20
〜60μm程度である。
また電子部品5は、たとえば大規模集積回路(LSI)
などの半導体素子である。透明ガラスなどから成るもう
一方の本体6の一表面には、配線層7が形成されて液晶
表示板などの回路基板8が構成されている。配線層7は
、その厚みがたとえば1000〜2000・人程度の金
属酸化物透明薄膜(略称IT○)から成っている。電子
部品5と回路基板8とは、電極4の表面4aと配線層7
の表面7aとの間に、導電性接着剤9を介在して電気的
に接続される。この導電性接着剤9は、たとえば銀糸ペ
ーストが用いられている。
などの半導体素子である。透明ガラスなどから成るもう
一方の本体6の一表面には、配線層7が形成されて液晶
表示板などの回路基板8が構成されている。配線層7は
、その厚みがたとえば1000〜2000・人程度の金
属酸化物透明薄膜(略称IT○)から成っている。電子
部品5と回路基板8とは、電極4の表面4aと配線層7
の表面7aとの間に、導電性接着剤9を介在して電気的
に接続される。この導電性接着剤9は、たとえば銀糸ペ
ーストが用いられている。
このような先行技術では、フォトリソグラフやメツキな
どの工程を経て配線層3上に突出した電極4を設ける必
要があるため、材料費および製造費が高価となってしま
い、経済性が悪1′1と0う問題がある。また突出した
電極4の高さのノくラツキによって安定した接続状悪が
得られず接続不良を生じることがある。
どの工程を経て配線層3上に突出した電極4を設ける必
要があるため、材料費および製造費が高価となってしま
い、経済性が悪1′1と0う問題がある。また突出した
電極4の高さのノくラツキによって安定した接続状悪が
得られず接続不良を生じることがある。
第12図は、他の先行技術の断面図である。なお、上述
の先行技術と対応する部分には、同一の参照符を付す。
の先行技術と対応する部分には、同一の参照符を付す。
前記電極4が形成されていない電子部品5と回路基板8
とは、配線層3.7の各表面3a、7aの間に、導電性
接着剤9を介在して接続されている。
とは、配線層3.7の各表面3a、7aの間に、導電性
接着剤9を介在して接続されている。
このような先行技術では、第1312]に示されるよう
に、導電性接着剤9が軟質のペースト状であるため、電
子部品5と回路基板8との接続時に、偶かな圧力の不均
衡によってペースト状の接着剤9が過度に押し広げられ
てしまい、これによって配線層3および配線層7の隣接
する配線が不所望に接続されてしまい、したがって鬼籍
して電子部品5または回路基板8が破損してしまう恐れ
がある。
に、導電性接着剤9が軟質のペースト状であるため、電
子部品5と回路基板8との接続時に、偶かな圧力の不均
衡によってペースト状の接着剤9が過度に押し広げられ
てしまい、これによって配線層3および配線層7の隣接
する配線が不所望に接続されてしまい、したがって鬼籍
して電子部品5または回路基板8が破損してしまう恐れ
がある。
また、電子部品5と回路基板8との熱膨張率の違いによ
って高温や低温となったときには、接続部に剪断歪が生
じ、これとともに剪断応力が発生する。この剪断応力が
大きいと接着剤9の剥離や破断に敗る場合がある。第1
4図はこの一例として電子部品5よりも回路基板8の!
0張率が大きく、しかも高温にさらされた場合の変形状
態を示している。この状態において、接着剤9の高さ1
2が低いほど、剪断歪がより顕著になることはよく知ら
れている。したがってペースト状の接着剤9が過度に押
し潰されるような状態が生じるこのような接続構造では
、信顆性の高い接続を長期にわた・て維持することはで
きない。
って高温や低温となったときには、接続部に剪断歪が生
じ、これとともに剪断応力が発生する。この剪断応力が
大きいと接着剤9の剥離や破断に敗る場合がある。第1
4図はこの一例として電子部品5よりも回路基板8の!
0張率が大きく、しかも高温にさらされた場合の変形状
態を示している。この状態において、接着剤9の高さ1
2が低いほど、剪断歪がより顕著になることはよく知ら
れている。したがってペースト状の接着剤9が過度に押
し潰されるような状態が生じるこのような接続構造では
、信顆性の高い接続を長期にわた・て維持することはで
きない。
第15図は、特開昭57−95640および特開昭57
−106057などに開示される半田を利用したさらに
池の先行技術の断面図である。配線層3の表面には、銅
、ニッケル、クロムあるいはチタンなどの金属または合
金材料から成る。i2属5層膜10が形成されている。
−106057などに開示される半田を利用したさらに
池の先行技術の断面図である。配線層3の表面には、銅
、ニッケル、クロムあるいはチタンなどの金属または合
金材料から成る。i2属5層膜10が形成されている。
また、回路基板8の一表面に形成された配線層7上には
、半田層11に対してぬれ性を向上するために5ニツケ
ルなどの金属材料から成る被覆層12が形成されている
。このようにして、電子部品5は、回路基板8に半田層
11を介して電気的および機械的に接続される。
、半田層11に対してぬれ性を向上するために5ニツケ
ルなどの金属材料から成る被覆層12が形成されている
。このようにして、電子部品5は、回路基板8に半田層
11を介して電気的および機械的に接続される。
このような先行技術では、半田にぬれ性を有する被覆層
12、金属多層膜10および半田層11を形成する必要
があり、材料費および製造費が高価となり、経済性が悪
いという問題がある。また半田層11を溶融するために
、接着剤よりも高温で加熱を行わなければならず、した
がってこのよつ うな加熱された半田層11の熱によっ
て電子部品5および回路基板8に熱影響を与えないよう
に接続を行うためには、接続作業が複雑となって、接続
作業に手間を要してしまう。したがってfヤ業性、生産
性が悪いという問題がある。
12、金属多層膜10および半田層11を形成する必要
があり、材料費および製造費が高価となり、経済性が悪
いという問題がある。また半田層11を溶融するために
、接着剤よりも高温で加熱を行わなければならず、した
がってこのよつ うな加熱された半田層11の熱によっ
て電子部品5および回路基板8に熱影響を与えないよう
に接続を行うためには、接続作業が複雑となって、接続
作業に手間を要してしまう。したがってfヤ業性、生産
性が悪いという問題がある。
第16図は、日経マイクロデバイス1987年6月号第
69頁に開示されている異方導電性接着剤を利用したさ
らに他の先行技術の断面図である・前述した第11図お
よび第13図示の先行技術では、導電性接着剤9を用い
て、電子部品5と回路基板8とを接続する構成であった
けれども、この先行技術では異方導電性接着剤14が用
いられる。
69頁に開示されている異方導電性接着剤を利用したさ
らに他の先行技術の断面図である・前述した第11図お
よび第13図示の先行技術では、導電性接着剤9を用い
て、電子部品5と回路基板8とを接続する構成であった
けれども、この先行技術では異方導電性接着剤14が用
いられる。
このような先行技術によってもまた、第1121示の先
行技術で述べたように、突起状の電極4を設けなければ
ならないため、材料費および製造費が高価となってしま
うという問題がある。
行技術で述べたように、突起状の電極4を設けなければ
ならないため、材料費および製造費が高価となってしま
うという問題がある。
発明が解決しようとする課題
本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、製造工程
が簡略化され、材料および製造コストを低減し、軽量化
、薄形化および小形化を図ることができ、なおかつ信頼
性の高い接続を行うことができるようにした接続構造を
提供することである。
が簡略化され、材料および製造コストを低減し、軽量化
、薄形化および小形化を図ることができ、なおかつ信頼
性の高い接続を行うことができるようにした接続構造を
提供することである。
課題を解決するための手段
本発明は、対向する面にそれぞれ電極が形成される第1
基板および第2基板と、 第1基板の少なくとも電極上に形成される導電性または
非導電性のいずれかである第1接着剤層と、 前記第1基板の第1接着剤層が形成された側の面と、第
2基板の電極が形成されている側の面との間に形成され
る電気絶縁性の第2接着剤層と、一端部が前記第2基板
の電極に接触し、他端部が前記第1接着剤層を介して、
あるいは直接第1基板の電極と電気的に接続される導電
性粒子とを含むことを特徴とする接続構造である。
基板および第2基板と、 第1基板の少なくとも電極上に形成される導電性または
非導電性のいずれかである第1接着剤層と、 前記第1基板の第1接着剤層が形成された側の面と、第
2基板の電極が形成されている側の面との間に形成され
る電気絶縁性の第2接着剤層と、一端部が前記第2基板
の電極に接触し、他端部が前記第1接着剤層を介して、
あるいは直接第1基板の電極と電気的に接続される導電
性粒子とを含むことを特徴とする接続構造である。
作 用
本発明に従えば、第2基板の電極に接触する導電性粒子
の端部を、容易に所望の仮想平面上に位置するように構
成することができるので、第1基板および第2基板の間
隔を所望の値で均一に菌って接続することが可能になる
。したがって、前記先行技術に関連して述べたように、
導電性接着剤が不所望に押拡げられ、隣接する配線を短
絡するおそれがなく、接続時のショートなどによる破損
を防止することができる。しがち半田に対するぬれ性を
有する材料を設ける必要がなく、材料および製造コスト
を増大させることはない・また温度の変化が生じた場合
には、第1基板おヨヒ第2基板の間隔を大きく取ること
ができ、さらに第2基板の電極と導電性粒子の端部は滑
りを生じることができるので、第1基板および第2基板
の熱膨張率の違いに起因する剪断応力を低減することが
でき、信頼性の高い接続状態を維持することができる。
の端部を、容易に所望の仮想平面上に位置するように構
成することができるので、第1基板および第2基板の間
隔を所望の値で均一に菌って接続することが可能になる
。したがって、前記先行技術に関連して述べたように、
導電性接着剤が不所望に押拡げられ、隣接する配線を短
絡するおそれがなく、接続時のショートなどによる破損
を防止することができる。しがち半田に対するぬれ性を
有する材料を設ける必要がなく、材料および製造コスト
を増大させることはない・また温度の変化が生じた場合
には、第1基板おヨヒ第2基板の間隔を大きく取ること
ができ、さらに第2基板の電極と導電性粒子の端部は滑
りを生じることができるので、第1基板および第2基板
の熱膨張率の違いに起因する剪断応力を低減することが
でき、信頼性の高い接続状態を維持することができる。
実施例
第1[21は、本発明の一実施例の断面図である。
第1基板である大規模集積回路(LS I )などの電
子部品20は、シリコンあるいはガリウムヒ素などのウ
ェハ上に拡散層が形成され、これによって多数のトラン
ジスタやダイオードなどが構成されて、論理演算などを
行う機能を有しており、液晶表示装置などの表示パネル
に接続される場きには、通常、表示駆動を行う機能を有
している。この電子部品20は本体21と、本体♀1の
最上層に形成された電蝋22と、たとえばS、jN、P
SG(ガラス)、あるいはポリイミドなどの保護膜23
とを含む、電極22はたとえばアルミニウムーシリコン
、ニッケル、チタンおよびタングステンなどから成って
いる。
子部品20は、シリコンあるいはガリウムヒ素などのウ
ェハ上に拡散層が形成され、これによって多数のトラン
ジスタやダイオードなどが構成されて、論理演算などを
行う機能を有しており、液晶表示装置などの表示パネル
に接続される場きには、通常、表示駆動を行う機能を有
している。この電子部品20は本体21と、本体♀1の
最上層に形成された電蝋22と、たとえばS、jN、P
SG(ガラス)、あるいはポリイミドなどの保護膜23
とを含む、電極22はたとえばアルミニウムーシリコン
、ニッケル、チタンおよびタングステンなどから成って
いる。
また液晶表示板などの回路基板2つは、たとえばソーダ
ガラスなどなら成る本体24と、この本体24の一表面
に形成された配線層、25とを含む。
ガラスなどなら成る本体24と、この本体24の一表面
に形成された配線層、25とを含む。
配線層25はたとえば金属酸化物透明薄膜(略称ITO
)またはニッケルでめっきされたITOであって、通常
厚みが1ooo〜2000人程度である。
)またはニッケルでめっきされたITOであって、通常
厚みが1ooo〜2000人程度である。
電子部品20と回路基板29とは、電極22の表面22
aと配線層25の表面25aとが所望する間隔11とな
るように、第1接着剤層26および第2接着剤層27を
介して接続される。第1接着剤層26は、たとえば銀糸
ペーストである。
aと配線層25の表面25aとが所望する間隔11とな
るように、第1接着剤層26および第2接着剤層27を
介して接続される。第1接着剤層26は、たとえば銀糸
ペーストである。
また第2接着剤層27としては、たとえば嫌気、性接着
剤、熱硬化性接着剤、光硬化性接着剤など各種接着剤を
使用することができる1回路基板29の本体24がガラ
スなどの光透過材料である場合には、第2接着剤層27
は高速接ぎ可能で、残留応力の少ない光硬化性接着剤を
使用するのが好ましい、 ゛ 第1接着剤層26と第2接着剤層27との境界には、導
電性粒子28が位置している。この導電性粒子28は、
たとえば粒径的15〜30μmのニッケルでめっきされ
たプラスチックビーズ、あるいはたとえば最大径60μ
mの銀粒子などであって導電性を有する第1接着剤層2
6によって1つの接続部当り1個以上接着されている。
剤、熱硬化性接着剤、光硬化性接着剤など各種接着剤を
使用することができる1回路基板29の本体24がガラ
スなどの光透過材料である場合には、第2接着剤層27
は高速接ぎ可能で、残留応力の少ない光硬化性接着剤を
使用するのが好ましい、 ゛ 第1接着剤層26と第2接着剤層27との境界には、導
電性粒子28が位置している。この導電性粒子28は、
たとえば粒径的15〜30μmのニッケルでめっきされ
たプラスチックビーズ、あるいはたとえば最大径60μ
mの銀粒子などであって導電性を有する第1接着剤層2
6によって1つの接続部当り1個以上接着されている。
この導電性粒子28はその一部のみが第1接着剤層26
に埋め込まれ、残余の部分は第2接着剤[27に接して
おり、その一端部は第2接着剤層27を貫通して配線層
25の表面25aに接している。導電性粒子28の他端
部は、を極22の表面22aと直接接していてもよいし
、導電性を有する第1接着剤層26を介して電極22と
電気的に接続されていてもよい。
に埋め込まれ、残余の部分は第2接着剤[27に接して
おり、その一端部は第2接着剤層27を貫通して配線層
25の表面25aに接している。導電性粒子28の他端
部は、を極22の表面22aと直接接していてもよいし
、導電性を有する第1接着剤層26を介して電極22と
電気的に接続されていてもよい。
第1図示の構造は、耐湿性向上などのために構造全体を
保護樹脂などでモールドしたり、機械的にC1,護する
ように構成することもできる。また導電性粒子28とし
て金属めっきされたプラスチックビーズを用いた堝きに
は、導電性粒子28の配線層表面25aと接する面にお
ける高さのばらつきを、プラスチックの変形によって吸
収することができ、常に配線層表面25aと面接触を保
持できるので安定な接続状態を得ることができる。
保護樹脂などでモールドしたり、機械的にC1,護する
ように構成することもできる。また導電性粒子28とし
て金属めっきされたプラスチックビーズを用いた堝きに
は、導電性粒子28の配線層表面25aと接する面にお
ける高さのばらつきを、プラスチックの変形によって吸
収することができ、常に配線層表面25aと面接触を保
持できるので安定な接続状態を得ることができる。
第2図は、第1図示した接続構造の製造工程を説明する
ための図である。以下、第2図に従って本実施例の製造
工程例を説明する。予め保護膜23および電極22の形
成されている電子部品20の電極22の表面22aには
、導電性を有する接着剤が印刷法、あるいは転写法など
によって塗布され、第1接着剤層26が形成される。こ
のときの状態は第2図(1)に示されている。このとき
、保護膜23上には導電性の接着剤は塗布されない。
ための図である。以下、第2図に従って本実施例の製造
工程例を説明する。予め保護膜23および電極22の形
成されている電子部品20の電極22の表面22aには
、導電性を有する接着剤が印刷法、あるいは転写法など
によって塗布され、第1接着剤層26が形成される。こ
のときの状態は第2図(1)に示されている。このとき
、保護膜23上には導電性の接着剤は塗布されない。
この後、導電性粒子28を上記第1接着剤層26にその
一部のみが埋没した状態で付着させる。
一部のみが埋没した状態で付着させる。
導電性粒子28の付着方法としては、導電性粒子28を
吹き付けてもよいし、後述する方法を用いることもでき
る。このとき導電性粒子28の第2図(2)下方に位置
する端部は、仮想平面Pl上に位置するように付着させ
る。
吹き付けてもよいし、後述する方法を用いることもでき
る。このとき導電性粒子28の第2図(2)下方に位置
する端部は、仮想平面Pl上に位置するように付着させ
る。
この後第2図(2)で示される状態で第1接着剤層26
を硬化させる。この際、導電性粒子28の表面に平坦な
面を有する部材を軽く当てたまま前記第1接着剤層26
を硬化させることによって、導電性粒子28と第1接着
剤層26との接続抵抗を小さくすることができ、なおか
つ導電性粒子28の配線層表面25aに接する端部の高
さのばらつきを解消することができる。
を硬化させる。この際、導電性粒子28の表面に平坦な
面を有する部材を軽く当てたまま前記第1接着剤層26
を硬化させることによって、導電性粒子28と第1接着
剤層26との接続抵抗を小さくすることができ、なおか
つ導電性粒子28の配線層表面25aに接する端部の高
さのばらつきを解消することができる。
第2図(3)に示されるように、回路基板29の接続さ
れる面には非導電性の接着剤をスピンコード、スプレー
、はけ塗り、ボッティングあるいはスクリーン印刷など
の方法によって塗布し、第2接着剤層27を形成する。
れる面には非導電性の接着剤をスピンコード、スプレー
、はけ塗り、ボッティングあるいはスクリーン印刷など
の方法によって塗布し、第2接着剤層27を形成する。
上述した工程によって第2図(2)に示されるように導
電性粒子28が付着され、第1接着剤層26が硬化され
た電子部品20と、第2図(3)に示されるように第2
接着剤層27が形成された電子部品20とは、位置きせ
され、加圧力30を加え接触される。このときの状態は
、第2図(4)に示される。この状態で第2接着剤層2
7を光照射あるいは加熱等により硬化させることによっ
て、第1図示した接続tlI造が得られる。前述したよ
うに、接続構造全体を保護するために、この後に必要に
応じて樹脂モールドなどを行うようにしてもよい。
電性粒子28が付着され、第1接着剤層26が硬化され
た電子部品20と、第2図(3)に示されるように第2
接着剤層27が形成された電子部品20とは、位置きせ
され、加圧力30を加え接触される。このときの状態は
、第2図(4)に示される。この状態で第2接着剤層2
7を光照射あるいは加熱等により硬化させることによっ
て、第1図示した接続tlI造が得られる。前述したよ
うに、接続構造全体を保護するために、この後に必要に
応じて樹脂モールドなどを行うようにしてもよい。
第1図示の接続構造は、ホトリソグラフやメツキなどの
工程によって突起電極を形成する必要がないので、材料
および製造コストを増大させることなく、電子部品20
を回路基板29に直接接続することが可能となる。また
第3図示されるように、第1図示の接続構造を加熱状態
においた場合に、回路基板29と電子部品20との熱膨
張率の相違によって、対応する電極22および配線層2
5との間に位置ずれが生じる。第3図において常温時の
外形は仮想線32で示される。
工程によって突起電極を形成する必要がないので、材料
および製造コストを増大させることなく、電子部品20
を回路基板29に直接接続することが可能となる。また
第3図示されるように、第1図示の接続構造を加熱状態
においた場合に、回路基板29と電子部品20との熱膨
張率の相違によって、対応する電極22および配線層2
5との間に位置ずれが生じる。第3図において常温時の
外形は仮想線32で示される。
本実施例においてはこのような位置ずれに対して導電性
粒子28は、配線層25との接触状態は保持されたまま
接触点34において滑りを生じ、温度変化に起因する破
損を解消することができる。
粒子28は、配線層25との接触状態は保持されたまま
接触点34において滑りを生じ、温度変化に起因する破
損を解消することができる。
したがって、温度サイクル試験などに対しても接続抵抗
が増大することもなく、高い信頼性の接続状態を示す。
が増大することもなく、高い信頼性の接続状態を示す。
また導電性粒子28と配線71125との接触によって
電娠的な接続が達成されるので、半田を用いた接続構造
のように親半田性の金属層を介在する必要がなく、材料
コストおよび製造コストを低減することができる。さら
に電子部品20と回路基板29との間には、第2接着剤
層27が充填されており、電子部品20と回路基板29
との表面はこれによって保護される。したがって別途に
封止樹脂または機械的保護を行うことなく、シーリング
効果が得られる。
電娠的な接続が達成されるので、半田を用いた接続構造
のように親半田性の金属層を介在する必要がなく、材料
コストおよび製造コストを低減することができる。さら
に電子部品20と回路基板29との間には、第2接着剤
層27が充填されており、電子部品20と回路基板29
との表面はこれによって保護される。したがって別途に
封止樹脂または機械的保護を行うことなく、シーリング
効果が得られる。
第4図は、本発明の他の実施例である接続構造を示す断
面図である。前述したように、回路基板29はガラスな
どの本体24上に配線層25が形成されている6本実施
例においては、この配線層25が形成さ゛れている領域
において、配線層25の表面25aには導電性を有する
第1接着剤1f126が形成される。この第1接着剤層
26には前述した方法と同様にして導電性粒子28が付
着される。このとき、導電性粒子28の一端部は直接配
線層25の表面25aに接触していてもよいし、第1接
着剤層26を介して配線JI25に電気的に接続されて
いてもよい。
面図である。前述したように、回路基板29はガラスな
どの本体24上に配線層25が形成されている6本実施
例においては、この配線層25が形成さ゛れている領域
において、配線層25の表面25aには導電性を有する
第1接着剤1f126が形成される。この第1接着剤層
26には前述した方法と同様にして導電性粒子28が付
着される。このとき、導電性粒子28の一端部は直接配
線層25の表面25aに接触していてもよいし、第1接
着剤層26を介して配線JI25に電気的に接続されて
いてもよい。
一方、電子部品20の表面には電気絶縁性の第2接着剤
層27が形成され、このような電子部品20と回路基板
29とが位置合わせされ、加圧された状態で第2接着剤
層27が硬化される。このとき導電性粒子28の端部は
、電極表面22aに接触する。このようにして電子部品
20と回路基板29とが機械的に保持され、また電子部
品20の電極22と、この電極22に対応する回路基板
29の配線層25とが電気的に接続される。
層27が形成され、このような電子部品20と回路基板
29とが位置合わせされ、加圧された状態で第2接着剤
層27が硬化される。このとき導電性粒子28の端部は
、電極表面22aに接触する。このようにして電子部品
20と回路基板29とが機械的に保持され、また電子部
品20の電極22と、この電極22に対応する回路基板
29の配線層25とが電気的に接続される。
第4図示の接続構造においても、前述した第1図示の接
続構造と同様の効果が得られる。第1図および第4図示
した実施例において、電子部品20側または回路基板2
9側のいずれか一方に導電性粒子28を付着させておき
、電子部品20と回路基板29とを接続する場合につい
て説明したけれども、電子部品20側と回路基板29側
との双方に導電性粒子28を付着させるように構成する
こともできる。
続構造と同様の効果が得られる。第1図および第4図示
した実施例において、電子部品20側または回路基板2
9側のいずれか一方に導電性粒子28を付着させておき
、電子部品20と回路基板29とを接続する場合につい
て説明したけれども、電子部品20側と回路基板29側
との双方に導電性粒子28を付着させるように構成する
こともできる。
第5図は、本発明の他の実施例である接続構造を示す断
面図である0本実施例では、第1図示した実施例におい
て第1接着荊層26に相当する接着剤として、非導電性
の第1接着剤層26cを使用している。非導電性の第1
接着剤26cを使用する場合には、導電性粒子28の一
端は電極22の表面22aに接触し、他端は配線層25
の表面25aに接触していなければならない、このよう
な場合には、電極表面22aと配線層表面25aとの間
隔e1は、導電性粒子28の定常状態の粒径よりわずか
に小さい、導電性粒子28を並べるには、第6図に示す
ように、導電性粒子28の粒径より僅かに大きい深さA
の清を有する璃付定板36に一定量の導電性粒子28を
堆積し、その後均し治具35を一方向に移動しながら粒
子を並べる方法などを用いればよい、また他の導電性粒
子28の並べ方としては、第7図示されるような定板3
7に一定量の導電性粒子28を堆積し、定板37に振動
を加える方法などがある。
面図である0本実施例では、第1図示した実施例におい
て第1接着荊層26に相当する接着剤として、非導電性
の第1接着剤層26cを使用している。非導電性の第1
接着剤26cを使用する場合には、導電性粒子28の一
端は電極22の表面22aに接触し、他端は配線層25
の表面25aに接触していなければならない、このよう
な場合には、電極表面22aと配線層表面25aとの間
隔e1は、導電性粒子28の定常状態の粒径よりわずか
に小さい、導電性粒子28を並べるには、第6図に示す
ように、導電性粒子28の粒径より僅かに大きい深さA
の清を有する璃付定板36に一定量の導電性粒子28を
堆積し、その後均し治具35を一方向に移動しながら粒
子を並べる方法などを用いればよい、また他の導電性粒
子28の並べ方としては、第7図示されるような定板3
7に一定量の導電性粒子28を堆積し、定板37に振動
を加える方法などがある。
このようにして定板37などの上に並べられた導電性粒
子28に、第1接着剤層26が塗布された電子部品20
を、第7図上方から押し当てこれによって導電性粒子2
8が第1接着剤層26に付着される。
子28に、第1接着剤層26が塗布された電子部品20
を、第7図上方から押し当てこれによって導電性粒子2
8が第1接着剤層26に付着される。
第1接着剤層26Cの形成されてない領域においても静
電気などの作用によって導電性粒子28が付着する場合
には、電子部品20の第1接着剤層26cが形成されて
いる面を下方に向けて振動を加えて振り落とす方法、窒
素ガスの吹き付けなどによって浄化する方法、あるいは
液体によって洗浄する方法などによって、上記不要な導
電性粒子28を除去することができる。このような不要
な導電性粒子28の除去は、第1接着剤126 cを硬
化した後に行ってもよい、上述した導電性粒子28のけ
着方法は、全ての実施例において用いることができる。
電気などの作用によって導電性粒子28が付着する場合
には、電子部品20の第1接着剤層26cが形成されて
いる面を下方に向けて振動を加えて振り落とす方法、窒
素ガスの吹き付けなどによって浄化する方法、あるいは
液体によって洗浄する方法などによって、上記不要な導
電性粒子28を除去することができる。このような不要
な導電性粒子28の除去は、第1接着剤126 cを硬
化した後に行ってもよい、上述した導電性粒子28のけ
着方法は、全ての実施例において用いることができる。
第8図は、本発明のさらに他の実施例である接続構造を
示す断面図である。第8図示の接続構造は、第4図示し
た接続構造において、第1接着剤として非導電性の接着
剤を用いて第1接着剤贋26cを形成したものである。
示す断面図である。第8図示の接続構造は、第4図示し
た接続構造において、第1接着剤として非導電性の接着
剤を用いて第1接着剤贋26cを形成したものである。
第8図示の接続i造において、第1接着剤層26cは回
路基板2つの配線層25の表面25a上に形成される。
路基板2つの配線層25の表面25a上に形成される。
また非導電性の第2接着剤層27は電子部品27の電極
22が形成されている表面上に形成される。このような
接続構造においても、導電性粒子28の一端部は電極2
2の表面22aに接触し、その他端部は回路基板2つの
配線層25の表面25aに接触する必要がある。
22が形成されている表面上に形成される。このような
接続構造においても、導電性粒子28の一端部は電極2
2の表面22aに接触し、その他端部は回路基板2つの
配線層25の表面25aに接触する必要がある。
第5図および第8図示した接続構造において、非導電性
の第1接着剤層26cと非導電性の第2接着剤層27と
はたとえば同一材料であってもよい、また第1接着剤層
26cは粘着剤であってもよい。
の第1接着剤層26cと非導電性の第2接着剤層27と
はたとえば同一材料であってもよい、また第1接着剤層
26cは粘着剤であってもよい。
第9図は、本発明のまた池の実施例である接続構造を示
す断面図である。第9図示の接続構造製造においては、
第10図に示されるように電子部品の電極22が形成さ
れている面に、非導電性の光硬化性接着剤から成る第1
接着剤層26dが形成される。この接着剤層26dにマ
スク32を介して矢符31で示されるように光を照射し
、これによって保護膜23が形成されている領域におけ
る接着剤層26bを硬化する。この後、前述した方法に
よって導電性粒子28を付着し、第2接着剤層の形成さ
れた回路基板2つと加圧状態で樹脂硬化し接続すること
によって、第9図示の接続構造が得られる。
す断面図である。第9図示の接続構造製造においては、
第10図に示されるように電子部品の電極22が形成さ
れている面に、非導電性の光硬化性接着剤から成る第1
接着剤層26dが形成される。この接着剤層26dにマ
スク32を介して矢符31で示されるように光を照射し
、これによって保護膜23が形成されている領域におけ
る接着剤層26bを硬化する。この後、前述した方法に
よって導電性粒子28を付着し、第2接着剤層の形成さ
れた回路基板2つと加圧状態で樹脂硬化し接続すること
によって、第9図示の接続構造が得られる。
このような接続構造においても導電性粒子28の一端部
は電子部品20の電極22の表面22aに接触しており
、導電性粒子28の他端部は回路基板29の配線層25
の表面25aに接触している。したがって電fii22
と配線層25とは導電性粒子28を介して電気的に接続
されている。電極22の電子部品20と回路基板29と
は、介在する第1接着剤126dおよび第2接着剤層2
7によって機械的に保持される。
は電子部品20の電極22の表面22aに接触しており
、導電性粒子28の他端部は回路基板29の配線層25
の表面25aに接触している。したがって電fii22
と配線層25とは導電性粒子28を介して電気的に接続
されている。電極22の電子部品20と回路基板29と
は、介在する第1接着剤126dおよび第2接着剤層2
7によって機械的に保持される。
上述した実施例において、導電性粒子28の電極表面2
2aまたは配線層表面25aに接触する端部は、従来技
術に関連して述べたホトリゾグラフまたはメツキなどに
よって形成される電極に比較して、容易に正確な仮想平
面上に形成することができる。したがって各接続部分に
おいて安定した接続状態を得ることができる。また本実
施例のように電子部品20と回路基板2つとのいずれか
一方に導電性粒子28の一部分である突起部を形成し、
第1接着剤層を硬化させているので、所望の間隔11を
均一に保持することができ、しかも材料コストを低減す
ることができる。
2aまたは配線層表面25aに接触する端部は、従来技
術に関連して述べたホトリゾグラフまたはメツキなどに
よって形成される電極に比較して、容易に正確な仮想平
面上に形成することができる。したがって各接続部分に
おいて安定した接続状態を得ることができる。また本実
施例のように電子部品20と回路基板2つとのいずれか
一方に導電性粒子28の一部分である突起部を形成し、
第1接着剤層を硬化させているので、所望の間隔11を
均一に保持することができ、しかも材料コストを低減す
ることができる。
上述した実施例において、第2接着剤層は電子部品20
または回路基板29のいずれかの表面の所望の領域に選
択的に形成するようにしてもよい。
または回路基板29のいずれかの表面の所望の領域に選
択的に形成するようにしてもよい。
なお、この場き、導電性粒子28の存在する位置に対応
して、しいて第2接着剤層を形成する必要はない。
して、しいて第2接着剤層を形成する必要はない。
発明の詳細
な説明したように本発明によれば、第1基板および第2
基板の間隔を所望の値に均一に保った状態で、コストを
増大させることなく接続することが可能になる。しかも
先行技術に関連して述べたような隣接する配線間の短絡
のおそれがなく、また温度差によって第1および第2基
板の熱膨張率の違いから生じる剪断による問題を解消し
、信頼性の高い接続状態を保持することができる。
基板の間隔を所望の値に均一に保った状態で、コストを
増大させることなく接続することが可能になる。しかも
先行技術に関連して述べたような隣接する配線間の短絡
のおそれがなく、また温度差によって第1および第2基
板の熱膨張率の違いから生じる剪断による問題を解消し
、信頼性の高い接続状態を保持することができる。
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は第1図示
の実施例の製造工程を説明するための断面図、第3図は
第1図示の実施例の温度変化による状態の変化を説明す
るための断面図、第4図は本発明の他の実施例の断面図
、第5図は本発明のさらに他の実施例の断面図、第6図
は導電性粒子28の並べ方の一例を説明するための断面
図、第7図は導電性粒子28の付着方法を説明するため
の断面図、第8図は本発明のさらにまた他の実施例の断
面図、第9図は本発明のまた他の実施例の断面図、第1
0図は第9図示した実施例の製造工程を説明するための
断面図、第11図〜第16図は先行技術の断面図である
。 1.21・・・(電子部品)本体、2.23・・・保護
膜、3,7.25・・・配線層、4・・−電極、5.2
0・・・電子部品、6,24・・・(回路基板)本体、
8、29・・・回路基板、9・・・導電性接着剤、1o
・・・金属多層膜、11・・・半田層、12・・・被覆
層、14・・・異方導電性接着剤、22・・・電極、2
6,26c・・・第1接着剤層、27・・・第2接着剤
層、28・・・導電性粒子 代理人 弁理士 函数 圭一部 第6自 □ 第7因 第8図 第9図 N11図 第13図 第14図 a 笛15 ffl 第16図 手続補正書 平成 1年 3月 8日
の実施例の製造工程を説明するための断面図、第3図は
第1図示の実施例の温度変化による状態の変化を説明す
るための断面図、第4図は本発明の他の実施例の断面図
、第5図は本発明のさらに他の実施例の断面図、第6図
は導電性粒子28の並べ方の一例を説明するための断面
図、第7図は導電性粒子28の付着方法を説明するため
の断面図、第8図は本発明のさらにまた他の実施例の断
面図、第9図は本発明のまた他の実施例の断面図、第1
0図は第9図示した実施例の製造工程を説明するための
断面図、第11図〜第16図は先行技術の断面図である
。 1.21・・・(電子部品)本体、2.23・・・保護
膜、3,7.25・・・配線層、4・・−電極、5.2
0・・・電子部品、6,24・・・(回路基板)本体、
8、29・・・回路基板、9・・・導電性接着剤、1o
・・・金属多層膜、11・・・半田層、12・・・被覆
層、14・・・異方導電性接着剤、22・・・電極、2
6,26c・・・第1接着剤層、27・・・第2接着剤
層、28・・・導電性粒子 代理人 弁理士 函数 圭一部 第6自 □ 第7因 第8図 第9図 N11図 第13図 第14図 a 笛15 ffl 第16図 手続補正書 平成 1年 3月 8日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 対向する面にそれぞれ電極が形成される第1基板およ
び第2基板と、 第1基板の少なくとも電極上に形成される導電性または
非導電性のいずれかである第1接着剤層と、 前記第1基板の第1接着剤層が形成された側の面と、第
2基板の電極が形成されている側の面との間に形成され
る電気絶縁性の第2接着剤層と、一端部が前記第2基板
の電極に接触し、他端部が前記第1接着剤層を介して、
あるいは直接第1基板の電極と電気的に接続される導電
性粒子とを含むことを特徴とする接続構造。
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|---|---|---|---|
| JP63054537A JP2596960B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 接続構造 |
| US07/319,290 US4963002A (en) | 1988-03-07 | 1989-03-06 | Connection construction and method of manufacturing the same |
| EP89302272A EP0332402B1 (en) | 1988-03-07 | 1989-03-07 | Connection construction and method of manufacturing the same |
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|---|---|---|---|
| JP63054537A JP2596960B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 接続構造 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH01227444A true JPH01227444A (ja) | 1989-09-11 |
| JP2596960B2 JP2596960B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=12973415
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|---|---|---|---|
| JP63054537A Expired - Lifetime JP2596960B2 (ja) | 1988-03-07 | 1988-03-07 | 接続構造 |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03128937U (ja) * | 1990-04-10 | 1991-12-25 | ||
| JPH0491444A (ja) * | 1990-08-02 | 1992-03-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の実装方法 |
| WO1999010928A1 (fr) * | 1997-08-21 | 1999-03-04 | Citizen Watch Co., Ltd. | Dispositif semi-conducteur et procede de fabrication correspondant |
| JP2011108914A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Nichia Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (56)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03125443A (ja) * | 1989-10-09 | 1991-05-28 | Sharp Corp | 実装基板の電極及び該実装基板の電極を有する液晶表示装置 |
| NL8902695A (nl) * | 1989-11-01 | 1991-06-03 | Philips Nv | Interconnectiestructuur. |
| JPH03248125A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-06 | Sharp Corp | 液晶表示素子 |
| JPH03291947A (ja) * | 1990-04-09 | 1991-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | ハイブリッド型デバイス |
| US5486941A (en) * | 1990-09-29 | 1996-01-23 | Sekisui Fine Chemical Co., Ltd. | Fine sphere, a spherical spacer for a liquid crystal display element and a liquid display element using the same |
| JP2940269B2 (ja) * | 1990-12-26 | 1999-08-25 | 日本電気株式会社 | 集積回路素子の接続方法 |
| DE4109363C2 (de) * | 1991-03-22 | 2000-12-14 | Bosch Gmbh Robert | Klebverbindung zwischen einem elektronischen Bauteil und einem Substrat sowie Verfahren zur Herstellung der Klebverbindung |
| JPH04301817A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-26 | Rohm Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| JPH05151859A (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-18 | Sankyo Seiki Mfg Co Ltd | 基板搭載型スイツチ及びその組付方法 |
| DE4242408C2 (de) * | 1991-12-11 | 1998-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zum Verbinden eines Schaltkreissubstrates mit einem Halbleiterteil |
| DE4209072A1 (de) * | 1992-03-20 | 1993-09-23 | Licentia Gmbh | Fluessigkristall-anzeigevorrichtung |
| JP3445641B2 (ja) * | 1993-07-30 | 2003-09-08 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
| DE69426347T2 (de) * | 1993-09-29 | 2001-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Verfahren zum Montieren einer Halbleiteranordnung auf einer Schaltungsplatte und eine Schaltungsplatte mit einer Halbleiteranordnung darauf |
| US5610371A (en) * | 1994-03-15 | 1997-03-11 | Fujitsu Limited | Electrical connecting device and method for making same |
| JP3356840B2 (ja) * | 1993-10-14 | 2002-12-16 | 富士通株式会社 | 電気的接続装置及びその形成方法 |
| US5393697A (en) * | 1994-05-06 | 1995-02-28 | Industrial Technology Research Institute | Composite bump structure and methods of fabrication |
| US6365500B1 (en) | 1994-05-06 | 2002-04-02 | Industrial Technology Research Institute | Composite bump bonding |
| US5431328A (en) | 1994-05-06 | 1995-07-11 | Industrial Technology Research Institute | Composite bump flip chip bonding |
| EP0710058A3 (en) * | 1994-10-14 | 1997-07-09 | Samsung Display Devices Co Ltd | Short circuit prevention between electrically conductive parts |
| US5707902A (en) * | 1995-02-13 | 1998-01-13 | Industrial Technology Research Institute | Composite bump structure and methods of fabrication |
| US5578527A (en) * | 1995-06-23 | 1996-11-26 | Industrial Technology Research Institute | Connection construction and method of manufacturing the same |
| DE19527661C2 (de) * | 1995-07-28 | 1998-02-19 | Optrex Europ Gmbh | Elektrische Leiter aufweisender Träger mit einem elektronischen Bauteil und Verfahen zum Kontaktieren von Leitern eines Substrates mit Kontaktwarzen eines elektronischen Bauteils |
| DE19529490A1 (de) * | 1995-08-10 | 1997-02-13 | Fraunhofer Ges Forschung | Chipkontaktierungsverfahren, damit hergestellte elektronische Schaltung und Trägersubstrat zur Kontaktierung von Chips |
| US6194780B1 (en) | 1995-12-27 | 2001-02-27 | Industrial Technology Research Institute | Tape automated bonding method and bonded structure |
| US6008072A (en) * | 1995-12-27 | 1999-12-28 | Industrial Technology Research Institute | Tape automated bonding method |
| US5861661A (en) * | 1995-12-27 | 1999-01-19 | Industrial Technology Research Institute | Composite bump tape automated bonded structure |
| US5749997A (en) * | 1995-12-27 | 1998-05-12 | Industrial Technology Research Institute | Composite bump tape automated bonding method and bonded structure |
| FR2748849B1 (fr) * | 1996-05-20 | 1998-06-19 | Commissariat Energie Atomique | Systeme de composants a hybrider et procede d'hybridation autorisant des dilatations thermiques |
| US6981317B1 (en) * | 1996-12-27 | 2006-01-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for mounting electronic component on circuit board |
| JP2982729B2 (ja) * | 1997-01-16 | 1999-11-29 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JP3345878B2 (ja) * | 1997-02-17 | 2002-11-18 | 株式会社デンソー | 電子回路装置の製造方法 |
| JP3328157B2 (ja) * | 1997-03-06 | 2002-09-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| KR100472355B1 (ko) * | 1997-11-01 | 2005-08-25 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 글래스콘넥터및그제조방법 |
| JPH11163022A (ja) | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Sony Corp | 半導体装置、その製造方法及び電子機器 |
| US6260264B1 (en) | 1997-12-08 | 2001-07-17 | 3M Innovative Properties Company | Methods for making z-axis electrical connections |
| US6472611B1 (en) | 1998-02-04 | 2002-10-29 | Texax Instruments Incorporated | Conductive pedestal on pad for leadless chip carrier (LCC) standoff |
| JP4482949B2 (ja) * | 1999-01-29 | 2010-06-16 | ソニー株式会社 | 平面表示素子及びその配線方法 |
| US6891110B1 (en) | 1999-03-24 | 2005-05-10 | Motorola, Inc. | Circuit chip connector and method of connecting a circuit chip |
| US6674506B2 (en) | 2001-11-29 | 2004-01-06 | Eastman Kodak Company | Apparatus for introducing a fluid into vias formed in a liquid crystal display element |
| US6619334B2 (en) | 2001-11-29 | 2003-09-16 | Eastman Kodak Company | Method of delivering fluid into constricted openings free of voids |
| US6476902B1 (en) | 2001-11-29 | 2002-11-05 | Eastman Kodak Company | Liquid crystal display and method of making same |
| US6924866B2 (en) * | 2001-11-29 | 2005-08-02 | Eastman Kodak Company | Method of constructing a liquid crystal display element that includes dispensing an optical grade adhesive to fill vias in a transparent substrate |
| TWI223363B (en) * | 2003-11-06 | 2004-11-01 | Ind Tech Res Inst | Bonding structure with compliant bumps |
| US7116002B2 (en) * | 2004-05-10 | 2006-10-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Overhang support for a stacked semiconductor device, and method of forming thereof |
| US7588963B2 (en) * | 2004-06-30 | 2009-09-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of forming overhang support for a stacked semiconductor device |
| TWI307132B (en) * | 2006-03-24 | 2009-03-01 | Via Tech Inc | Chip package and fabricating method thereof |
| US7462931B2 (en) * | 2006-05-15 | 2008-12-09 | Innovative Micro Technology | Indented structure for encapsulated devices and method of manufacture |
| KR101254644B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-04-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치와 그의 제조 방법 |
| JP4920330B2 (ja) * | 2006-07-18 | 2012-04-18 | ソニー株式会社 | 実装構造体の実装方法、発光ダイオードディスプレイの実装方法、発光ダイオードバックライトの実装方法および電子機器の実装方法 |
| US7495927B2 (en) * | 2007-01-24 | 2009-02-24 | Epson Imaging Devices Corporation | Mount structure, electro-optical device, and electronic apparatus |
| US20090014852A1 (en) * | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Hsin-Hui Lee | Flip-Chip Packaging with Stud Bumps |
| US20100085715A1 (en) * | 2008-10-07 | 2010-04-08 | Motorola, Inc. | Printed electronic component assembly enabled by low temperature processing |
| JP2015179831A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-10-08 | デクセリアルズ株式会社 | 接続体、接続体の製造方法及び検査方法 |
| GB2525585B (en) | 2014-03-20 | 2018-10-03 | Micross Components Ltd | Leadless chip carrier |
| KR102711850B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2024-10-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 이방성 도전필름 및 이를 포함하는 표시장치 |
| US10770425B2 (en) * | 2018-06-14 | 2020-09-08 | Tongfu Microelectroncs Co., Ltd. | Flip-chip method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61207025A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-13 | Casio Comput Co Ltd | 半導体ペレツトの接合方法 |
| JPS6237939U (ja) * | 1985-08-27 | 1987-03-06 | ||
| JPS63136639A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 異方導電接着方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4386293A (en) * | 1980-06-19 | 1983-05-31 | General Electric Company | Flat display cell and cable with electrical and mechanical interconnection structure |
| JPS5795640A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-14 | Citizen Watch Co Ltd | Mounting structure of semiconductor |
| JPS57106057A (en) * | 1980-12-23 | 1982-07-01 | Citizen Watch Co Ltd | Bump structure of ic |
| JPS5838769A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-07 | Suriibondo:Kk | チクソトロピ−性紫外線硬化接着剤組成物 |
| JPS5838768A (ja) * | 1981-09-02 | 1983-03-07 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 印刷インキ |
| JPS59195837A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-07 | Sharp Corp | Lsiチツプボンデイング方法 |
| JPS60111068U (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-27 | アルプス電気株式会社 | フレキシブルプリント基板 |
| JPS60149079A (ja) * | 1984-01-13 | 1985-08-06 | シャープ株式会社 | 表示体ユニツト接続装置 |
| JPS60238817A (ja) * | 1984-05-12 | 1985-11-27 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPS61123868A (ja) * | 1984-11-21 | 1986-06-11 | キヤノン株式会社 | パネル基板の位置合せ保証方法 |
| US4832455A (en) * | 1986-09-11 | 1989-05-23 | Kabushiki Kaisha Toshia | Liquid crystal apparatus having an anisotropic conductive layer between the lead electrodes of the liquid crystal device and the circuit board |
-
1988
- 1988-03-07 JP JP63054537A patent/JP2596960B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-03-06 US US07/319,290 patent/US4963002A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-07 EP EP89302272A patent/EP0332402B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61207025A (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-13 | Casio Comput Co Ltd | 半導体ペレツトの接合方法 |
| JPS6237939U (ja) * | 1985-08-27 | 1987-03-06 | ||
| JPS63136639A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 異方導電接着方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03128937U (ja) * | 1990-04-10 | 1991-12-25 | ||
| JPH0491444A (ja) * | 1990-08-02 | 1992-03-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の実装方法 |
| WO1999010928A1 (fr) * | 1997-08-21 | 1999-03-04 | Citizen Watch Co., Ltd. | Dispositif semi-conducteur et procede de fabrication correspondant |
| JP2011108914A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Nichia Corp | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0332402B1 (en) | 1995-12-27 |
| EP0332402A3 (en) | 1990-12-27 |
| JP2596960B2 (ja) | 1997-04-02 |
| US4963002A (en) | 1990-10-16 |
| EP0332402A2 (en) | 1989-09-13 |
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