JPH07319162A - 感光性樹脂組成物及び電子部品用保護膜 - Google Patents

感光性樹脂組成物及び電子部品用保護膜

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JPH07319162A
JPH07319162A JP5051418A JP5141893A JPH07319162A JP H07319162 A JPH07319162 A JP H07319162A JP 5051418 A JP5051418 A JP 5051418A JP 5141893 A JP5141893 A JP 5141893A JP H07319162 A JPH07319162 A JP H07319162A
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 本発明の感光性樹脂組成物は、下記一般式、
【化1】 〔式中、Xは4価の有機基、Yは2価の有機基、R
は、水素原子または炭素数1〜10の炭化水素基で
あり、p,q及びmは1以上の整数〕で表されるポリイ
ミド前駆体とo−ナフトキノンジアジドスルホン酸エス
テルとから成る。 【効果】 イオン性不純物の混入がほとんどなく、その
溶液は、保存安定性に優れ、また良好な感度を有してお
り、容易にパターン化された樹脂皮膜を与える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子用保護絶縁
膜、液晶表示素子用配向膜、多層プリント基盤用絶縁膜
等の用途に有効に使用される感光性樹脂組成物及び該組
成物を硬化させてなる耐熱性電子部品用保護膜に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来、耐熱性感光材料として、ポリアミ
ック酸と重クロム酸塩とからなる材料(特公昭49−1
7374号公報)、ポリアミック酸のカルボキシル基に
エステル結合により感光基を導入したものからなる材料
(特開昭49−115541号公報、特開昭55−45
746号公報)、ポリアミック酸のカルボキシル基にア
ミド結合により感光基を導入したものからなる材料(特
開昭60−100143号公報)、ポリアミック酸のカ
ルボキシル基にシリルエステル結合により感光基を導入
したものからなる材料(特開昭62−275129号公
報)、ポリアミック酸と感光基を有するアミン化合物か
らなる材料(特開昭54−145794号公報)等が提
案されている。
【0003】しかし、これらの材料は、イオン性不純物
の混入(特公昭49−17374号公報、特開昭49−
115541号公報)、現像時におけるフィルムの膨潤
(特開昭49−115541号公報、特開昭55−45
746号公報、特開昭60−100143号公報)、感
度安定性(特開昭62−275129号公報、特開昭5
4−145794号公報)などの点に未だ問題を有して
いる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】そこで、上記問題点を
改良するために、たとえば、フェノール基を持つポリイ
ミド樹脂にナフトキノンジアジドスルホン酸エステルを
配合してなるポジ型の感光性樹脂組成物が提案されてい
る(Polymer Engineering And Science, July1989,Vol.
29,954)。しかし、この感光性樹脂組成物は、ポリイミ
ドとして特定のものを使用しなければならず、またフィ
ルム形成後にフェノール基が残存するという問題点を有
していた。フェノール基が残存するということは、樹脂
の吸水性を増加させる原因となり、特に電子部品用用途
として使用する場合、好ましくない。
【0005】また、エステル化ポリアミド酸ポリマーと
感光性キノンジアジドとからなる感光性樹脂組成物も提
案されているが(特開平2−181149号公報)、こ
の組成物は、現像のために高濃度のアルカリ水溶液を必
要とし、また、現像時間も長時間に渡り、実用的ではな
かった。
【0006】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたもので、幅広いポリイミド樹脂原料に適応でき、
製造時にイオン性不純物の混入がなく、感度も良好であ
り、また、後硬化時の膜減りが少なく、しかも現像時の
フィルムの膨潤のないポジ型の感光性ポリイミド樹脂組
成物および該組成物を硬化させてなる電子部品用保護膜
を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下記一
般式(1):
【0008】
【化2】 式中、Xは芳香族環または脂肪族環を有する4価の有機
基、Yは2価の有機基、R1 、R2 及びR3 は同一でも
異なっていてもよく、それぞれ水素原子または炭素数1
〜10の一価の有機基であり、p,q,mは、1以上の
整数であり、1/20≦q/p≦9、を満足する整数で
ある、で表される重合体(A)と、感光性ジアゾキノン
化合物(B)とを含有して成る感光性樹脂組成物が提供
される。
【0009】本発明によれば更に、前記感光性樹脂組成
物を硬化して得られる電子部品用保護膜が提供される。
【0010】
【作用】本発明は、前記一般式(1)で表される重合体
(ポリイミド前駆体)と感光性ジアゾキノンとを配合す
ることにより、ポジ型の感光性ポリイミド樹脂前駆体組
成物が得られること、及びこの組成物は、イオン性不純
物の混入がほとんどない上に、光の照射に対して良好な
感度を有し容易にパターンの形成が行え、かつ、後硬化
時の膜減りが少なく、硬化後は耐熱性、電気的、機械的
特性に優れたポリイミド皮膜が形成されるという新規知
見に基づいてなされたものである。
【0011】
【発明の好適態様の説明】重合体(A) 本発明において、ポリイミド前駆体である重合体(A)
は、前記一般式(1)で表されるものであり、例えば、
特公昭43−18790号公報に記載の方法に準じて合
成することができる。具体的には、下記一般式(2)で
示されるテトラカルボン酸二無水物と、下記一般式
(3)で表される両末端酸無水物ポリイミドオリゴマー
および下記一般式(4)で表されるシリル化ジアミンと
を用い、適当な溶剤中で、反応させることによって容易
に合成することができる。この場合、テトラカルボン酸
二無水物と両末端酸無水物ポリイミドオリゴマーとの合
計のモル数が、シリル化ジアミンのモル数と概略等モル
となるように設定される。
【0012】
【化3】
【0013】
【化4】
【0014】
【化5】
【0015】ここで、上記式中、X、Y、R1 〜R3
びmは、前記一般式(1)におけるものと同じ意味を示
す。
【0016】前記一般式(1)において、Xは芳香族環
あるいは脂肪族環を含む4価の有機基であり、出発原料
である前記一般式(2)のテトラカルボン酸二無水物に
由来するものである。このXの代表例は以下の通りであ
る。
【0017】
【化6】
【0018】
【化7】
【0019】
【化8】
【0020】
【化9】
【0021】
【化10】
【0022】
【化11】
【0023】
【化12】
【0024】
【化13】
【0025】即ち、前記一般式(2)で表されるテトラ
カルボン酸二無水物の代表例としては、上述した4価の
有機基Xの例に対応して、ピロメリット酸二無水物、ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'-ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2−ビス〔4
−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル〕プロ
パン二無水物、2,2−ビス(3,4−ベンゼンジカル
ボン酸アンヒドリド)パーフルオロプロパン、ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)ジメチルシランジア
ンヒドリド、1,3-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)−
1,1,3,3 −テトラメチルジシロキサンジアンヒドリド、
1,3-ビス〔4−(1,2,3,6 −テトラヒドロ無水フタン
酸)〕−1,1,3,3 −テトラメチルジシロキサン、等を例
示することができ、これらは1種単独でも2種以上の組
合せでも使用することができる。
【0026】また一般式(1)における2価の有機基Y
は、出発原料である一般式(3)で表されるジアミンの
由来する。このジアミンの適当な例としては、これに限
定されるものではないが、p−フェニレンジアミン、m
−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノジフェニル
メタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、2,
2’−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、4,4’
−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジ
フェニルスルフィド、1,4−ビス(3−アミノフェノ
キシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキ
シ)ベンゼン、1,4−ビス(p−アミノフェニルスル
ホニル)ベンゼン、1,4−ビス(m−アミノフェニル
スルホニル)ベンゼン、1,4−ビス(p−アミノフェ
ニルチオエーテル)ベンゼン、1,4−ビス(m−アミ
ノフェニルチオエーテル)ベンゼン、2,2−ビス〔4
−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、2,2-
ビス〔3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フェ
ニル〕プロパン、2,2-ビス〔3−クロロ−4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、1,1−ビス
〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕エタン、1,
1-ビス〔3−メチル−4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕エタン、1,1-ビス〔3−クロロ−4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕エタン、1,1−ビス
〔3,5−ジメチル−4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕エタン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)
フェニル〕メタン、ビス〔3−メチル−4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル〕メタン、ビス〔3−クロロ−
4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕メタン、ビス
〔3,5−ジメチル−4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕メタン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)
フェニル〕スルホン、2,2-ビス〔4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕パーフルオロプロパン、等の芳香族
環含有ジアミン、及び下記式で示されるようなアミド基
の核置換基を有するジアミンやシリコンジアミンを例示
することができ、これらは1種単独または2種以上の組
合せで使用される。
【0027】
【化14】
【0028】
【化15】
【0029】
【化16】
【0030】
【化17】
【0031】
【化18】
【0032】また一般式(1)におけるR1 〜R3 は同
一でも異なっていてもよく、それぞれ水素原子または炭
素数1〜10の一価の有機基であり、この炭素数1〜1
0の一価の有機基の具体例としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基;ビニル基、
アリル基、ブテニル基等のアルケニル基;フェニル基、
トリル基等のアリール基;及びこれらの基の水素原子の
一部または全部をハロゲン原子、シアノ基、アルコキシ
基等で置換した基、例えばクロロメチル基、クロロプロ
ピル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基、2−シ
アノエチル基、メトキシ基、エトキシエチル基等;を例
示することができ、これらの中では炭素数1〜6のもの
が好適である。
【0033】一般式(1)において、上記のR1 〜R3
を有するシリル基(R1 2 3 ・Si)の適当な例と
しては、これに限定されるものではないが、以下のもの
を例示することができる。
【0034】−SiH(Me)2 、−Si(Me)3
−Si(Me)2 ・Et、−Si(Me)2 ・Vi、−
Si(Et)3 、−Si(Me)・iso-Pr、−Si
(Me)2 ・tert−Bu、−Si(Me)2 ・Ph 上記において、Meはメチル基、Etはエチル基、Pr
はプロピル基、Buはブチル基、Viはビニル基、Ph
はフェニル基を示す。
【0035】さらに、前記一般式(1)におけるp,q
及びmは、それぞれ1以上の整数であり、下記式: 1/20≦q/p≦9 を満足していることが必要であり、特に良好な感光特性
及び保存安定性、さらには、硬化時の小さな膜減り、硬
化後の優れたフィルム物性を得るためには、 1/10≦q/p≦5 且つ 1≦m≦20、を満足し
ていることが好ましい。
【0036】感光性ジアゾキノン化合物 本発明において、上述した重合体(A)と組合せで使用
される感光性ジアゾキノン化合物としては、o−ナフト
キノンジアジドスルホン酸エステル、o−ナフトキノン
ジアジドスルホンアミド等を例示することができるが、
本発明においては、特に下記一般式(5)で表されるo
−ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルが好適であ
る。
【0037】
【化19】
【0038】上記式中、Zは、芳香族環を含む一価の有
機基である。この一般式(5)で表されるo−ナフトキ
ノンジアジドスルホン酸エステルの具体例としては、こ
れに限定されるものではないが、以下の〜のものを
例示することができ、これらは単独あるいは2種以上の
組合せで使用することができる。
【0039】
【化20】
【0040】
【化21】
【0041】
【化22】
【0042】
【化23】
【0043】感光性樹脂組成物 本発明の感光性樹脂組成物は、前述した一般式(1)で
表される重合体(A)、即ちポリイミド前駆体と、感光
性ジアゾキノン化合物とを混合することによって得られ
る。両者の配合比率は任意であるが、良好な感光性と保
存安定性を得るためには、重合体(A)100重量部当
たり、感光性ジアゾキノン化合物を2〜100重量部、
特に5〜50重量部の量で使用することが好適である。
【0044】この感光性樹脂組成物は、一般的には、適
当な有機溶剤に溶解した形で使用され、基材に塗布され
る。ここで用いられる溶剤としては、ポリイミド前駆体
(A)を合成するために用いられる溶剤が好適に用いら
れ、その具体例としては、N−メチル−2−ピロリド
ン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ヘ
キサメチルホスホルアミド、テトラヒドロフラン、1,
4−ジオキサン、メチルセロソルブ、ブチルセロソル
ブ、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコー
ルジメチルエーテル、アセトン、メチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘ
キサノン、γ−ブチロラクトン、ブチルセロソルブアセ
テート、トルエン、キシレン等が挙げることができ、こ
れらの一種を単独でまたは二種以上を併用して用いるこ
とができる。
【0045】本発明の感光性樹脂組成物を有機溶剤に溶
解した溶液は、スピンコート、浸漬、印刷等の公知の方
法によりシリコンウエハー、金属板、ガラス板、セラミ
ックス基盤等の基盤上に塗布することが可能であり、塗
布後、乾燥器あるいはホットプレート等の加熱手段を用
い、30〜140℃の温度で数分から数時間プリベーク
を行い、塗膜中の溶剤を大部分除去することにより感光
性樹脂組成物の皮膜をえることができる。この塗膜上に
マスクを置き、可視光線、紫外線等の光を数秒から数分
間照射し、次いで、露光部を現像液で溶解除去すること
により、レリーフパターンを得ることができる。ここ
で、現像液としては、アルカリ性水溶液、例えば、水酸
化テトラメチルアンモニウム水溶液のようなものが好適
に用いられる。
【0046】更に、現像により形成されたレリーフパタ
ーンの樹脂は、ポリイミドの前駆体の形であるため、こ
れを乾燥器、あるいは電気炉などの加熱手段により20
0〜500℃、特に300〜400℃の温度で数十分か
ら数時間加熱することにより、パターン化されたポリイ
ミド皮膜を形成することができる。
【0047】本発明の感光性樹脂組成物は、容易にパタ
ーン形成ができ、また、その硬化後に形成される樹脂皮
膜は、耐熱性、機械的特性、電気的特性に優れるため
に、電子部品用保護膜として好適に用いることができ
る。この電子部品用保護膜としては、例えば半導体装
置、具体的には、ダイオード、トランジスタ、I.
C.、L.S.I.などの半導体素子表面のジャンクシ
ョンコート膜、パッシベーション膜、バッファーコート
膜、L.S.I等のα線遮蔽膜、多層配線の層間絶縁
膜、その他にもプリントサーキットボードのコンフォー
マルコート、液晶表示素子の配向膜、イオン注入マスク
等があげられ、幅広い範囲にわたり利用することができ
る。
【0048】
【実施例】
(参考例1)攪はん器、温度計および窒素置換装置を具
備したフラスコ内に2,2−ビス(3,4−ベンゼンジ
カルボン酸アンヒドリド)パーフルオロプロパン 35.
5g(0.08mol)、N−メチル−2−ピロリドン(溶
剤) 300g、を仕込み、これに、ジアミノジフェニ
ルエーテル12.0g(0.06mol)を溶解したN−メチル−
2−ピロリドン溶液 80g、を徐々に滴下した。滴下
終了後、さらに室温で10時間攪拌し、次にフラスコに
水分受容器付き還流冷却器を取り付けたのち、キシレン
30gを加え、反応系を160℃に昇温してその温度を
6時間保持した。この反応によって2.0gの水が生成し
た。上記操作によって得られた黄褐色反応溶液を冷却
後、メタノール中に投じて再沈し、その後乾燥して下記
一般構造式を有するポリイミド化合物(a−1)41.5g
を得た。
【0049】
【化24】
【0050】(参考例2)参考例1の方法に従って、
1,3−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,
1,3,3−テトラメチルジシロキサンジアンヒドリド
42.6g(0.10mol)、4,4’−メチレンジアニリン
17.8g(0.09mol)、ジエチレングリコールジメチル
エーテル(溶剤) 400g、を用い、下記一般構造式
を有するポリイミド化合物(a−2)54.2gを得た。
【0051】
【化25】
【0052】(参考例3)攪はん器、温度計および窒素
置換装置を具備したフラスコ内に、酸無水物として2,
2−ビス(3,4−ベンゼンジカルボン酸アンヒドリ
ド)パーフルオロプロパン26.7g(0.06mol)、参考例
1で得られたポリイミド化合物(a−1) 23.7g、
シリル化ジアミンとして、N,N’−ビス(トリメチル
シリル)−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル 2
4.1g(0.07mol)、γ−ブチロラクトン(溶剤) 22
0g、を仕込み、室温で10時間反応させて、粘度4,00
0 cp(25℃)の下記一般構造式のポリイミド前駆体(A
1)の溶液を得た。
【0053】
【化26】
【0054】(参考例4)参考例3と同様の方法で、酸
無水物として3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物 16.1g(0.05mol)、参考例2
で得られたポリイミド化合物(a−2) 30.1g、シ
リル化ジアミンとしてN,N’−ビス(トリメチルシリ
ル)−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル 12.0
g(0.035mol) 、N,N’−ビス(t−ブチルジメチル
シリル)−4,4’−ジアミノジフェニルエーテル 8.
6g(0.02mol)、N−メチル−2−ピロリドン(溶剤)
200g、を用いて、下記構造式で表されるポリイミ
ド前駆体樹脂(A2)溶液を得た。
【0055】
【化27】
【0056】実施例 参考例3、4で得られた樹脂溶液に、表1に示す処方に
従って、感光性ジアゾキノンおよび樹脂溶液に用いた溶
剤を添加して、実施例1〜5の組成物を調製した。各組
成物を、スピンコーターを用いてシリコンウエハーに塗
布し、乾燥器中で80℃/0.5時間乾燥した。得られた
塗膜にストライブパターンを有するフォトマスクを密着
させ、250Wの超高圧水銀灯からの紫外線を20秒照
射した。次に、2.4%水酸化テトラメチルアルミニウム
水溶液で現像し、さらに、純水でリンスし、得られるラ
イン・アンド・スペース・パターン形状及び得られた最
小の線幅を観測した。また、それらを、乾燥器中で15
0℃/1時間と350℃/0.5時間で硬化し、硬化前の
膜厚に対する硬化後の膜厚の比(残膜率=硬化後膜厚/
硬化前膜厚)を求めた。結果を表1に示す。
【0057】
【表1】
【0058】尚、上記表1において、ジアゾキノンの種
類は、明細書中に示した番号で示した。また溶剤におい
て、Jは、γ−ブチロラクトンを示し、Kは、N−メチ
ル−2−ピロリドンである。
【0059】表1の結果より、実施例1〜5で得られた
樹脂組成物は、良好な感光性を有し、さらに、従来の感
光性ポリイミド材料の残膜率が、約0.5であるのに対し
て高い残膜率を有し、電子部品用保護膜として好適に用
いられることが理解される。
【0060】
【発明の効果】本発明の感光性樹脂組成物は、イオン性
不純物の混入がほとんどなく、その溶液は、保存安定性
に優れ、また、良好な感度を有しており、容易にパター
ン化された樹脂皮膜を与える。さらに、このパターン化
された皮膜を加熱硬化させることにより、耐熱性、電気
的、機械的特性に優れたポリイミド皮膜が得られ、この
皮膜は、電子部品用保護膜として好適に利用することが
できる。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年3月31日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0031
【補正方法】変更
【補正内容】
【0031】
【化18】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0053
【補正方法】変更
【補正内容】
【0053】
【化26】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03F 7/022 7/038 504 7/075 511 H01L 21/027 21/312 B 23/29 23/31 H05K 3/28 D

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(1): 【化1】 式中、Xは芳香族環または脂肪族環を有する4価の有機
    基、 Yは2価の有機基、 R1 、R2 及びR3 は同一でも異なっていてもよく、そ
    れぞれ水素原子または炭素数1〜10の一価の有機基で
    あり、 p,q,mは、1以上の整数であり、1/20≦q/p
    ≦9、を満足する整数である、で表される重合体(A)
    と、感光性ジアゾキノン化合物(B)とを含有して成る
    感光性樹脂組成物。
  2. 【請求項2】 感光性ジアゾキノン化合物(B)は、重
    合体(A)100重量部当たり、2〜100重量部の量
    で配合されている請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
  3. 【請求項3】 感光性ジアゾキノン化合物(B)が、o
    −ナフトキノンジアジドスルホン酸誘導体である請求項
    1に記載の感光性樹脂組成物。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載の感光性樹脂組成物を硬
    化させてなる電子部品用保護膜。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009075569A (ja) * 2007-08-24 2009-04-09 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP4604141B2 (ja) * 2000-02-16 2010-12-22 株式会社ピーアイ技術研究所 感光性ポリイミドを用いたポリイミドパターンの形成方法及びそのための組成物
WO2012133829A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 日産化学工業株式会社 液晶配向剤及びそれを用いた液晶配向膜
CN113396358A (zh) * 2019-01-31 2021-09-14 日产化学株式会社 液晶取向剂、使用该液晶取向剂的液晶取向膜及液晶显示元件

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5573886A (en) * 1994-01-21 1996-11-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photosensitive resin composition comprising a polyimide precursor and method for making a polyimide film pattern from the same
JPH09319082A (ja) * 1996-05-27 1997-12-12 Hitachi Ltd ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた電子装置
JP3037633B2 (ja) * 1997-04-18 2000-04-24 オクシデンタル ケミカル コーポレイション ポリイミドのパターン作製
US6808766B1 (en) * 1998-08-26 2004-10-26 Nissan Chemical Industries, Ltd. Liquid crystal alignment agent and liquid crystal device using the liquid crystal alignment and method for alignment of liquid crystal molecules
EP1491952B1 (en) * 2003-06-23 2015-10-07 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Positive-working photosensitive resin composition, method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display device, and method for producing the semiconductor device and the display device
TW200512543A (en) * 2003-08-06 2005-04-01 Sumitomo Bakelite Co Polyamide resin, positive-working photosensitive resin composition, method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display device, and method for producing the semiconductor device and the display device
ATE527577T1 (de) 2004-01-14 2011-10-15 Hitachi Chem Dupont Microsys Lichtempfindliche polymerzusammensetzung, prozess zur erzeugung einer struktur und elektronisches teil
CN101477309B (zh) * 2009-01-21 2014-05-07 北京波米科技有限公司 正性光敏性聚酰胺酸酯树脂组合物及其制备方法与应用
JP7638174B2 (ja) * 2020-08-04 2025-03-03 信越化学工業株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品
JP7431696B2 (ja) * 2020-08-04 2024-02-15 信越化学工業株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、ポジ型感光性ドライフィルム、ポジ型感光性ドライフィルムの製造方法、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62275129A (ja) * 1986-05-23 1987-11-30 Mitsubishi Chem Ind Ltd 耐熱感光性材料
JPS6431150A (en) * 1987-07-27 1989-02-01 Toa Nenryo Kogyo Kk Heat resistant photosensitive material
JPH02181149A (ja) * 1988-11-05 1990-07-13 Ciba Geigy Ag ポリイミド型のポジティブフォトレジスト
JPH03204649A (ja) * 1989-12-28 1991-09-06 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 感光性ポリイミド組成物
JPH03259260A (ja) * 1990-03-09 1991-11-19 Fujitsu Ltd レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
JPH04204945A (ja) * 1990-11-30 1992-07-27 Toshiba Corp 感光性樹脂組成物
JPH04313756A (ja) * 1991-04-11 1992-11-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 感光材及びその製造方法
JPH05204156A (ja) * 1992-01-27 1993-08-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物及び電子部品用保護膜
JPH06208226A (ja) * 1993-01-11 1994-07-26 Hitachi Chem Co Ltd 耐熱性感光性重合体組成物及びレリーフパターンの製造法
JPH07500932A (ja) * 1991-10-29 1995-01-26 イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー 溶解性促進剤を含有するポジホトレジスト

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3623870A (en) * 1969-07-22 1971-11-30 Bell Telephone Labor Inc Technique for the preparation of thermally stable photoresist
NL177718C (nl) * 1973-02-22 1985-11-01 Siemens Ag Werkwijze ter vervaardiging van reliefstructuren uit warmte-bestendige polymeren.
JPS5952822B2 (ja) * 1978-04-14 1984-12-21 東レ株式会社 耐熱性感光材料
JPS5545746A (en) * 1978-09-29 1980-03-31 Hitachi Ltd Reactive polymer composition
US4587204A (en) * 1983-08-29 1986-05-06 General Electric Company Photopatternable dielectric compositions, method for making and use
US4515887A (en) * 1983-08-29 1985-05-07 General Electric Company Photopatternable dielectric compositions, method for making and use
US5288588A (en) * 1989-10-27 1994-02-22 Nissan Chemical Industries Ltd. Positive photosensitive polyimide resin composition comprising an o-quinone diazide as a photosensitive compound

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62275129A (ja) * 1986-05-23 1987-11-30 Mitsubishi Chem Ind Ltd 耐熱感光性材料
JPS6431150A (en) * 1987-07-27 1989-02-01 Toa Nenryo Kogyo Kk Heat resistant photosensitive material
JPH02181149A (ja) * 1988-11-05 1990-07-13 Ciba Geigy Ag ポリイミド型のポジティブフォトレジスト
JPH03204649A (ja) * 1989-12-28 1991-09-06 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 感光性ポリイミド組成物
JPH03259260A (ja) * 1990-03-09 1991-11-19 Fujitsu Ltd レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
JPH04204945A (ja) * 1990-11-30 1992-07-27 Toshiba Corp 感光性樹脂組成物
JPH04313756A (ja) * 1991-04-11 1992-11-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 感光材及びその製造方法
JPH07500932A (ja) * 1991-10-29 1995-01-26 イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー 溶解性促進剤を含有するポジホトレジスト
JPH05204156A (ja) * 1992-01-27 1993-08-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物及び電子部品用保護膜
JPH06208226A (ja) * 1993-01-11 1994-07-26 Hitachi Chem Co Ltd 耐熱性感光性重合体組成物及びレリーフパターンの製造法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4604141B2 (ja) * 2000-02-16 2010-12-22 株式会社ピーアイ技術研究所 感光性ポリイミドを用いたポリイミドパターンの形成方法及びそのための組成物
US9028926B2 (en) 2007-08-24 2015-05-12 Japan Display Inc. Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US8592009B2 (en) 2007-08-24 2013-11-26 Hitachi Display, Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP2009075569A (ja) * 2007-08-24 2009-04-09 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
US9868907B2 (en) 2007-08-24 2018-01-16 Japan Display Inc. Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US10613390B2 (en) 2007-08-24 2020-04-07 Japan Display Inc Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
WO2012133829A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 日産化学工業株式会社 液晶配向剤及びそれを用いた液晶配向膜
KR20140037834A (ko) * 2011-03-31 2014-03-27 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 액정 배향제 및 그것을 사용한 액정 배향막
JPWO2012133829A1 (ja) * 2011-03-31 2014-07-28 日産化学工業株式会社 液晶配向剤及びそれを用いた液晶配向膜
CN113396358A (zh) * 2019-01-31 2021-09-14 日产化学株式会社 液晶取向剂、使用该液晶取向剂的液晶取向膜及液晶显示元件
KR20210120012A (ko) * 2019-01-31 2021-10-06 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 액정 배향제 및 그것을 사용한 액정 배향막 및 액정 표시 소자
JPWO2020158795A1 (ja) * 2019-01-31 2021-12-02 日産化学株式会社 液晶配向剤及びそれを用いた液晶配向膜及び液晶表示素子
CN113396358B (zh) * 2019-01-31 2025-02-18 日产化学株式会社 液晶取向剂、使用该液晶取向剂的液晶取向膜及液晶显示元件

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US5441845A (en) 1995-08-15
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