JPH07320314A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 記録層（第１磁性層）３と、記録補助層（第
３磁性層）５との間に、室温側で面内磁化を示すと共
に、記録補助層よりも記録層の方が保磁力の小さい温度
領域で垂直磁化を示す特性を備え、かつ、記録層よりも
低いキュリー点を有する中間層（第２磁性層）４を設け
る。 【効果】 従来同様に、初期化を行った後、記録磁界を
印加しながら、高レベルと低レベルとに強度変調された
レーザ光を照射することにより、光変調オーバーライト
を行うことができる。そして、高レベルのレーザ光照射
時の昇温温度にばらつきが生じる場合でも、中間層と記
録補助層との交換力による結合が確実に抑制され、光変
調オーバーライトを安定して行わせることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば光磁気ディス
ク、光磁気テープ、光磁気カード等の光磁気記録媒体に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁性体からなる垂直磁化膜が情報の記録
層として基板上に設けられた光磁気ディスクでは、以下
の方法で情報の記録・再生が行われる。記録の際には、
まず、強力な外部磁場によって記録層の磁化の方向を一
方向（上向き、または下向き）に揃えて初期化した後、
記録したいエリアにレーザ光を照射し、照射部分の温度
を記録層のキュリー点近傍以上、もしくは補償点近傍以
上の温度まで昇温させる。これにより、その部分の保磁
力をゼロ、または、ほとんどゼロとした上で、初期化時
とは逆向きの外部磁場（バイアス磁場）を印加して磁化
の向きを反転させる。レーザ光の照射を止めると記録層
の温度は常温に戻るので、反転した磁化が固定される。
このようにして、情報が熱磁気的に記録される。

【０００３】再生の際には、直線偏光したレーザ光をデ
ィスクに照射し、その反射光や透過光の偏光面が記録層
の磁化の向きに応じて回転する現象（磁気カー効果、磁
気ファラデー効果）を利用して、光学的な情報の読み出
しが行われる。

【０００４】一方、上記のような光磁気記録方式で情報
の記録が行われる光磁気ディスクは、書き換え可能な大
容量記憶素子としても注目されているが、この場合に、
比較的強度の小さな初期化磁界により初期化を行った
後、記録磁界を印加しながら光強度を変調して情報の書
き換えを行い得る光磁気ディスク、いわゆる光変調オー
バーライト可能な光磁気ディスクとして、記録層を交換
結合二層膜で構成したものが従来提案されている。

【０００５】さらに、特公平５−２２３０３号公報に
は、初期化磁界をより小さくし、かつ、記録ビットの安
定性を向上するために、図７に示すように、第１〜第３
磁性層１１・１２・１３の三層の磁性層を設けて構成し
た光磁気ディスクが開示されている。記録層としての第
１磁性層１１、および、記録補助層としての第３磁性層
１３は、それぞれ室温から各キュリー点まで垂直磁化を
示す一方、両層１１・１３間に設けられた中間層として
の第２磁性層１２は、室温で面内磁化を示すと共に温度
の上昇に伴って垂直磁化を示す特性を備えている。ま
た、図８に示すように、第３磁性層１３は、その室温で
の保磁力Ｈ_L が第１磁性層１１の保磁力Ｈ_Hよりも小さ
く、キュリー点Ｔ_H は、第１磁性層１１のキュリー点Ｔ
_L よりも高いものが選定されている。なお、図示しては
いないが、第２磁性層１２は、そのキュリー点Ｔ_M が、
第１・第３磁性層１１・１３の各キュリー点Ｔ_H ・Ｔ_L
の間のものが選定されている。

【０００６】上記構成の光磁気ディスクにおけるオーバ
ーライトの手順につき簡単に説明すると、図７に示すよ
うに、まず、室温状態で、第１・第３磁性層１１・１３
の各室温での保磁力Ｈ_H ・Ｈ_L の間の大きさの初期化磁
界Ｈ_initが印加される。これにより、第１磁性層１１は
それまでの磁化方向のまま保持され、第３磁性層１３の
磁化のみが初期化磁界Ｈ_initに沿って一方向に揃えられ
る。なお、同図において、各磁性層１１〜１３中の矢印
は、各磁性層１１〜１３における遷移金属副格子磁化の
方向を示している。

【０００７】このとき、第２磁性層１２は室温で面内磁
化を示すため、第１磁性層１１と第３磁性層１３との磁
気的結合力（交換力）を妨げ、これにより、初期化磁界
Ｈ_{in it}の大きさをより小さくして、上記のように第３磁
性層１３の磁化方向のみを一方向に揃えることが可能と
なっている。

【０００８】次いで、初期化磁界Ｈ_initよりも小さく、
かつ、方向が反対の記録磁界Ｈ_w を印加しながら、記録
しようとする情報に応じて高レベルＩと低レベルIIに強
度変調されたレーザ光が照射される。

【０００９】高レベルＩのレーザ光が照射されると、照
射部分は、第１・第２磁性層１１・１２のキュリー点Ｔ
_L ・Ｔ_M を超え、第３磁性層１３のキュリー点Ｔ_H 付近
となる温度まで上昇する。これにより、第３磁性層１３
の磁化は、記録磁界Ｈ_w に沿って反転し、そして、室温
へと降温する過程で、垂直磁化を示す第２磁性層１２
に、第３磁性層１３の磁化方向が界面に作用する交換力
により転写され、さらに第１磁性層１１に転写される。

【００１０】一方、低レベルIIのレーザ光が照射される
と、照射部分は第１磁性層１１のキュリー点Ｔ_L 付近の
温度までしか昇温せず、このとき、第３磁性層１３は、
その保磁力が記録磁界Ｈ_w より大きいために、その磁化
方向の反転は生じず、初期化時の磁化方向で保持され
る。そして、室温へと降温する過程で、上記と同様に、
界面に作用する交換力により、第３磁性層１３の磁化の
方向が、第２磁性層１２を介して第１磁性層１１に転写
される。

【００１１】このような手順にて、強度変調されたレー
ザ光に応じた新たな記録情報が、第１磁性層１１に書き
込まれる。なお、記録情報の再生は、上記した低レベル
IIよりもさらに小さいレベルに強度設定されたレーザ光
を照射することによって行われる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
光磁気ディスクは、温度の上昇に伴って面内磁化から垂
直磁化を示す第２磁性層１２のキュリー点Ｔ_M と、第１
・第３磁性層１１・１３の各キュリー点Ｔ_H ・Ｔ_L と
が、Ｔ_L ＜Ｔ_M ＜Ｔ_H となる関係を有するように構成さ
れているために、Ｔ_M をＴ_H に近づけて構成した場合、
円滑な光変調オーバーライトができなくなるという問題
を有している。

【００１３】つまり、再生時に直線偏光したレーザ光を
照射した場合のカー回転角等がより大きくなるようにし
て再生信号特性を向上するためには、第１磁性層１１と
してそのキュリー点Ｔ_L の高いものを選定することが有
効である。このとき、上記の関係を満足するような第２
磁性層１２を選定すると、そのキュリー点Ｔ_M が第３磁
性層１３のキュリー点Ｔ_H に近づいたものとなる。実
際、上記公報記載の光磁気ディスクでは、例えば第３磁
性層１３のキュリー点Ｔ_H ＝１８０℃に対し、第２磁性
層１２のキュリー点Ｔ_M ＝１７０℃とした構成が例示さ
れている（特公平５−２２３０３号公報第９欄第４２行
〜第１０欄第１２行参照）。

【００１４】このようにＴ_H とＴ_M とが互いに接近して
いる構成では、Ｔ_H 付近となる温度まで上昇させようと
して前記高レベルＩのレーザ光を照射したときに、例え
ば雰囲気温度の変化等に応じた昇温温度のばらつきによ
り、第２磁性層１２のキュリー点Ｔ_M 以下の温度状態
で、第３磁性層１３の磁化を記録磁界Ｈ_w に沿って反転
させることが必要な状態となる。このとき、第２磁性層
１２は垂直磁化を示すので、この第２磁性層１２からの
交換力が第３磁性層１３に作用し、このため、第３磁性
層１３における保磁力のみを見込んで設定した記録磁界
Ｈ_w では、第３磁性層１３の磁化方向の反転が確実には
生じないおそれがある。この結果、上記したように、光
変調オーバーライトが円滑には行われないものとなって
しまう。

【００１５】本発明は、上記した従来の問題点に鑑みな
されたものであり、その目的は、光変調オーバーライト
をより円滑に行うことが可能であり、また、再生信号特
性を向上することが可能な光磁気記録媒体を提供するこ
とにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の光磁気記録媒体は、室温からキュリー点
まで垂直磁化を示す記録層と、室温からキュリー点まで
垂直磁化を示すと共に室温での保磁力が記録層よりも小
さく、また、キュリー点が記録層よりも高い記録補助層
との間に、室温側で面内磁化を示すと共に、記録補助層
よりも記録層の方が保磁力の小さい温度領域で垂直磁化
を示す特性を備え、かつ、記録層よりも低いキュリー点
を有する中間層が設けられていることを特徴としてい
る。

【００１７】

【作用】上記構成の光磁気記録媒体においては、従来同
様の手順にて、光変調オーバーライトを行うことができ
る。すなわち、まず室温状態で、記録層と記録補助層と
の各保磁力の間の大きさの初期化磁界を印加し、記録補
助層の磁化方向のみを初期化磁界の方向に揃える。この
とき、室温側で面内磁化を示す中間層が間に設けられて
いるので、記録層と記録補助層との交換力による結合が
妨げられ、より小さな初期化磁界で上記の初期化を行わ
せることができる。

【００１８】次いで、記録磁界を印加しながら、強度変
調されたレーザ光を照射する。高レベルのレーザ光が照
射され、照射部が記録層のキュリー点を超えて記録補助
層近傍の温度まで昇温すると、この記録補助層の磁化方
向は記録磁界の方向に沿って反転する。その後、室温へ
と降温する過程における記録補助層よりも記録層の方が
保磁力の小さい温度領域で中間層が垂直磁化を示すの
で、この温度領域で、この中間層を介して、記録補助層
の磁化方向が界面に作用する交換力により記録層に転写
される。

【００１９】一方、低レベルのレーザ光が照射され、照
射部が記録層のキュリー点近傍の温度に昇温する場合に
は、記録補助層の磁化方向は初期化時の方向で維持され
ると共に、記録層の保磁力が低下するので、このとき
も、降温の過程で、上記同様に、記録補助層の磁化方向
が中間層を介して記録層に転写されることになる。この
ように、強度変調されたレーザ光に応じて記録層に新た
な情報の書き込みが行われる。

【００２０】そして、上記では、キュリー点が記録層よ
りも低いので、高レベルのレーザ光照射時の昇温温度に
ばらつきが生じる場合でも、中間層と記録補助層との交
換力による結合が生じることはなく、これにより、光変
調オーバーライトを安定して行わせることが可能にな
る。

【００２１】しかも、この場合には、中間層のキュリー
点を従来のように記録層と記録補助層との間に設定する
構成ではないので、記録層を、そのキュリー点が従来よ
りも高いもので構成することが可能となり、これによっ
て、再生時におけるレーザ光照射時のカー回転角等がよ
り大きくなるようにすることができるので、再生信号特
性の向上を図ることができる。

【００２２】

【実施例】

〔実施例１〕本発明の具体的な実施例について図１ない
し図５に基づいて説明すれば、以下の通りである。

【００２３】本実施例における光磁気記録媒体としての
光磁気ディスクは、図２に示すように、透光性の基板１
上に、誘電体層２と、記録層としての第１磁性層３と、
中間層としての第２磁性層４と、記録補助層としての第
３磁性層５と、保護層６と、オーバーコート層７とを順
次積層して構成されている。

【００２４】基板１は、例えば外径８６ｍｍ、内径１５
ｍｍ、厚さ1.２ｍｍの円盤状のガラス板からなってお
り、この基板１の片側の面（図において下側の面）に
は、図示してはいないが、光ビーム案内用の凹凸状のガ
イドトラックが反応性イオンエッチング法により形成さ
れている。トラックピッチは1.６μｍ、グルーブ（凹
部）の幅は0.８μｍ、ランド（凸部）の幅は0.８μｍで
ある。この基板１のガイドトラック形成面上に、膜厚８
０ｎｍのAlＮからなる透光性を有する誘電体層２が、反
応性スパッタリングにより形成されている。

【００２５】誘電体層２上の第１磁性層３は、希土類金
属−遷移金属合金であるDyFeCoからなっており、Dy、F
e、Coターゲットの同時スパッタリングによって膜厚５
０ｎｍで形成されている。その組成はDy_0.21(Fe_0.81Co
_0.19)_0.79で、遷移金属リッチであり、図１に示すよう
に、後述する第３磁性層５よりも低いキュリー点Ｔ
_C1（＝１８０℃）と、室温で高い保磁力Ｈ_C1（＝１２０
０ｋＡ／ｍ）とを有しており、室温からＴ_C1まで垂直磁
化を示す特性を備えている。

【００２６】上記の第１磁性層３上に設けられている前
記第２磁性層４も、希土類金属−遷移金属合金であるDy
FeCoからなっており、Dy、Fe、Coターゲットの同時スパ
ッタリングにより膜厚５０ｎｍで形成されている。その
組成はDy_0.29(Fe_0.80Co_0.20)_0.71で、希土類金属リッチ
であり、キュリー点Ｔ_C2は第１磁性層３のキュリー点Ｔ
_C1よりも低く、１４０℃である。また、室温での保磁力
Ｈ_C2はほぼゼロである（ここで言う保磁力とは、基板１
に垂直方向の保磁力のことである）。室温では面内磁化
となる特性を示し、温度の上昇に伴って、約１００℃で
垂直磁化となる特性を備えている。なお、図１では、こ
の面内磁化となる範囲を破線で示している。垂直磁化と
なる範囲は、実線で示すように、第３磁性層５よりも第
１磁性層１の方が保磁力の小さい温度領域となってい
る。

【００２７】第２磁性層４上の前記第３磁性層５は、希
土類金属−遷移金属合金であるGdDyFeCoからなり、Gd、
Dy、Fe、Coターゲットの同時スパッタリングにより膜厚
５０ｎｍで形成されている。その組成は(Gd_0.40Dy_0.60)
_0.27(Fe_0.70Co_0.30)_0.73で、希土類金属リッチである。
キュリー点Ｔ_C3は、第１磁性層３のキュリー点Ｔ_C1より
も高く、２５０℃である。また、補償温度Ｔ_COMP3 は２
００℃であり、室温での保磁力Ｈ_C3は、第１磁性層３の
保磁力Ｈ_C1よりも小さく、６４ｋＡ／ｍである。この第
３磁性層は、室温からＴ_C3まで垂直磁化を示す特性を備
えている。

【００２８】上記第３磁性層５上に、AlＮからなる前記
保護層６が膜厚８０ｎｍで形成されている。さらにこの
保護層６上に、アクリレート系紫外線硬化樹脂をコーテ
ィングし、紫外線照射により硬化させることによって前
記オーバーコート層７が形成されて、図２に示す断面構
造の光磁気ディスクが構成されている。

【００２９】なお、第１〜第３磁性層３〜５の各成膜時
のスパッタリング条件は、到達真空度2.０×１０^-4Ｐａ
以下、Arガス圧6.５×１０^-1Ｐａ、放電電力３００Ｗで
ある。また、誘電体層２および保護層６の各成膜時のス
パッタリング条件は、到達真空度2.０×１０^-4Ｐａ以
下、N₂ガス圧3.０×１０^-1Ｐａ、放電電力８００Ｗであ
る。

【００３０】上記構成の光磁気ディスクを用いて情報の
記録を行う場合、図３に示すように、まず、例えば図の
ように上向きの初期化磁界Ｈ_initが印加され、初期化が
行われる。その後、初期化磁界Ｈ_initと同一方向で、か
つ、Ｈ_initより充分に小さな記録磁界Ｈ_w を印加しなが
ら、図４に示すように、高レベルＩと低レベルIIに強度
変調されたレーザ光を照射することによって、情報の記
録が行われる。

【００３１】このような情報記録時の各磁性層３〜５の
磁化状態の変化について、図５を参照して説明する。同
図において横軸は温度を示し、この温度が室温状態で初
期化磁界Ｈ_initが印加されたときと、記録磁界Ｈ_w を印
加しながら高レベルＩおよび低レベルIIのレーザ光が各
々照射されて温度上昇を生じたときの各磁性層３〜５の
各磁化状態の変化を示している。なお、各磁性層３〜５
はそれぞれ希土類遷移金属合金からなっており、この場
合、トータル磁化と、希土類金属副格子磁化および遷移
金属副格子磁化とのいずれかで、各磁性層３〜５の磁化
方向を示すことが可能であるが、図中、各磁性層３〜５
の矢印は、それぞれ遷移金属副格子磁化の向きを示して
いる。

【００３２】まず、室温状態で前記の初期化磁界Ｈ_init
が印加されると、各磁性層３〜５の磁化方向は、図中Ｓ
１とＳ２との二つの安定な状態のいずれかとなる。ここ
で、初期化磁界Ｈ_initは、第１磁性層３と第３磁性層５
との各室温での保磁力Ｈ_C1（＝１２００ｋＡ／ｍ）・Ｈ
_C3（＝６４ｋＡ／ｍ）の間の値、例えば８０ｋＡ／ｍに
設定されている。このため、この初期化によって、第３
磁性層５の磁化だけが、初期化磁界Ｈ_initに沿って一方
向に揃えられる。すなわち、初期化磁界Ｈ_initが例えば
図のように上向きに印加され、第３磁性層５におけるト
ータル磁化が初期化磁界Ｈ_initの方向に向くと、この第
３磁性層５は希土類金属リッチであるので、その遷移金
属副格子磁化の方向が、初期化磁界Ｈ_initの方向とは逆
に下向きに揃えられる。

【００３３】このとき、第１磁性層３の保磁力Ｈ_C1はＨ
_initよりも充分に大きく、また、第２磁性層４は室温で
面内磁化を示すため、第３磁性層５の磁化の向きが第２
磁性層４を通して第１磁性層３に転写されることはな
く、第１磁性層３の磁化の反転は生じない。したがっ
て、この第１磁性層３の磁化方向は、それまでの記録状
態に応じた向きで維持され、この向きに応じて、上記し
たＳ１とＳ２とのいずれかの状態となる。

【００３４】なお、このような初期化は、記録再生装置
に永久磁石を組み込んでこの磁石により初期化磁界Ｈ
_initを印加する構成では、光磁気ディスクの回転駆動中
に常時行われることになる。また、例えば電磁石で初期
化磁界Ｈ_initを印加するようにした装置では、記録時に
のみ行われるように構成される。

【００３５】上記のように初期化を行った後、前記した
ように、記録磁界Ｈ_w （例えば１６ｋＡ／ｍ）を印加し
ながら、新たに記録しようとする情報に応じて、高レベ
ルＩと低レベルIIに強度変調されたレーザ光が照射され
る。

【００３６】高レベルＩのレーザ光は、これが照射され
た領域を、第１・第２磁性層３・４の各キュリー点Ｔc₁
・Ｔc₂を超え、さらに、第３磁性層５のキュリー点Ｔ_c3
（＝２５０℃）付近、またはそれ以上の高温まで昇温さ
せるようなレーザパワーに設定されている。一方、低レ
ベルIIのレーザ光は、その照射領域を、第２磁性層４の
キュリー点Ｔc₂を超え、第１磁性層３のキュリー点Ｔc₁
（＝１８０℃）近傍まで昇温させるようなレーザパワー
に設定されている。

【００３７】したがって、まず、高レベルＩのレーザ光
が照射され、その照射領域が上記のように昇温する過程
で、前記の状態Ｓ１・Ｓ２は、図中Ｓ３およびＳ４を経
て、Ｓ５の状態となる。すなわち、Ｓ３は、昇温の過程
で第２磁性層４が一旦垂直磁化を示すことにより、この
第２磁性層４を介して第１磁性層４に第３磁性層５から
の磁気的結合力（交換力）が作用し、これにより、第１
磁性層３の磁化方向が第３磁性層５の方向に一致した状
態を示している。このＳ３の状態を一旦経由して、第１
・第２磁性層３・４は、各キュリー点Ｔc₁・Ｔc₂を超え
るまで温度が上昇することにより、Ｓ４およびＳ５に示
すように、それぞれ磁化がゼロになる。

【００３８】一方、第３磁性層５の磁化は、昇温の過程
でのＳ３の状態では、前記初期化により強制的に揃えら
れた磁化方向を維持したまま、キュリー点Ｔ_c3付近まで
温度上昇を生じた段階で、その保磁力が低下し、これに
よって、Ｓ４からＳ５への変化状態で示すように、この
ときに印加されている記録磁界Ｈ_w により、この記録磁
界Ｈ_w に沿う方向に反転する。

【００３９】なお、上記のような温度上昇に伴い、第３
磁性層５は、Ｓ３からＳ４に移行する過程で、その補償
温度Ｔ_comp3 （＝２００℃）を超える。この時点で、第
３磁性層５における希土類金属と遷移金属との各副格子
磁化の大小関係が逆転する。このため、Ｓ４およびＳ５
の状態では、第３磁性層５の遷移金属副格子磁化の方向
は、室温状態のときとは逆に、トータル磁化の方向と一
致するものとなっている。したがって、図のように、前
記初期化磁界Ｈ_initと同方向の記録磁界Ｈ_w によって、
第３磁性層５の遷移金属副格子磁化の方向が、Ｓ４から
Ｓ５に示すように反転する。

【００４０】また、このような反転が生じる際、第１・
第２磁性層３・４はそれぞれキュリー点を超えているた
め、これら磁性層３・４からの交換力が第３磁性層５に
は作用せず、これによって、第３磁性層５に反転を生じ
させるための記録磁界Ｈ_w をより小さくして行うことが
可能となる。

【００４１】上記のように、第３磁性層５の磁化方向が
記録磁界Ｈ_w に沿って反転した後、光磁気ディスクの回
転によってレーザ光の照射部が移行すると、上記のレー
ザ光照射部の温度は室温へと降温する。この冷却の過程
で、第２磁性層４は垂直磁化になり、このとき、その磁
化方向は、第３磁性層５との界面に作用する交換力によ
って、Ｓ６に示すように、第３磁性層５の磁化の向きに
揃う。さらに、第１磁性層３と第２磁性層４との界面に
作用する交換力によって、第１磁性層３の磁化方向も、
第２磁性層４の磁化方向に沿うものとなる。

【００４２】その後、室温まで冷却されると、Ｓ７に示
すように、第２磁性層４は面内磁化に移行し、第１磁性
層３と第３磁性層５の間には交換力は作用しなくなる。
この状態では、光磁気ディスクが回転して室温で初期化
磁界Ｈ_initが印加されても、保磁力が大きい第１磁性層
３の磁化方向は変化せず、保磁力が小さい第３磁性層５
の磁化方向のみが、前記同様に反転し、状態Ｓ７は状態
Ｓ２に移行する。こうして、第１磁性層３の磁化方向は
初期化磁界の方向とは逆の方向となり、これによって、
高レベルＩに変調されたレーザ光に応じた新たな記録情
報が第１磁性層３に書き込まれたことになる。

【００４３】次に、前記した初期化後、記録磁界Ｈ_w を
印加しながら低レベルIIのレーザ光が照射されたときの
各磁性層３〜５の各磁化状態の変化について説明する。

【００４４】このとき、上記のレーザ光照射部は、第２
磁性層４のキュリー点Ｔc₂を超え、第１磁性層３のキュ
リー点Ｔ_c1付近の温度まで昇温する。この温度は、第３
磁性層５の補償温度Ｔ_comp3 よりも低く、また、この温
度状態での第３磁性層５の保磁力は記録磁界Ｈ_W よりも
大きいため、第３磁性層５の磁化の向きは、記録磁界Ｈ
_W によって反転することはない。その後、室温へと降温
する過程で、第２磁性層４が垂直磁化を示すようにな
り、このとき、Ｓ３に示すように、第１磁性層３の磁化
方向は、前記と同様に、第２磁性層４を介して第３磁性
層５の磁化方向に沿うものとなる。つまり、初期化後の
状態Ｓ１、Ｓ２は、いずれも状態Ｓ３となる。

【００４５】その後、さらに室温まで降温すると、第２
磁性層４は面内磁化に移行し、第１磁性層３と第３磁性
層５との間に交換力は作用しなくなり、状態Ｓ３は状態
Ｓ１に移行する。こうして、第１磁性層３の磁化方向は
初期化磁界に沿う方向となり、これによって、低レベル
IIに変調されたレーザ光に応じた新たな記録情報が第１
磁性層３に書き込まれたことになる。

【００４６】なお、上記のように第１磁性層３に記録さ
れた情報は、図４に示すように、記録時よりもさらに低
いレベルIII のレーザ光を照射し、その反射光における
偏光面の回転を検出することにより再生される。

【００４７】このような再生動作特性についての測定結
果について、さらに、具体的な数値例を挙げて以下に説
明する。まず、初期化磁界Ｈ_init＝８０ｋＡ／ｍ、記録
磁界Ｈ_w ＝１６ｋＡ／ｍ、高レベルＩのレーザパワー
（Ｐ_H ）＝８ｍＷ、低レベルIIのレーザパワー（Ｐ_L ）
＝４ｍＷ、記録ビット長＝0.７８μｍに設定して記録を
行った。この結果、消し残りのない光変調オーバーライ
トを行うことができた。そして、レベルIII の再生レー
ザパワー（Ｐ_R ）＝１ｍＷに設定して再生を行ったとこ
ろ、信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）＝４７ｄＢが得られた。

【００４８】なお、本実施例のような中間層４が設けら
れていない従来の交換結合二層膜を有する光磁気ディス
クでは、初期化磁界Ｈ_initを２４０ｋＡ／ｍにすること
が必要であった。したがって、この場合には、より大き
な初期化磁界の発生装置が必要であり、装置全体の小型
化や省電力化を充分には図れないものとなっている。

【００４９】また、この従来の光磁気ディスクでは、記
録時の高レベルＩのレーザパワーＰ_H として１０ｍＷ以
上に設定した上で、記録磁界Ｈ_w を１６〜４０ｋＡ／ｍ
とすることが必要であったのに対し、本実施例では、上
記のように、Ｐ_H ＝８ｍＷの設定で、記録磁界Ｈ_w １６
〜４０ｋＡ／ｍの条件下で光変調オーバーライトが可能
であった。すなわち、本実施例では、高レベルＩのレー
ザ光の照射により高温状態となったとき、第１・第２磁
性層３・４はそれぞれキュリー点を超えているため、記
録磁界Ｈ_w による第３磁性層５の磁化の反転は、第１・
第２磁性層３・４からの交換力が作用しない状態で生じ
るものとなる。

【００５０】このため、記録磁界Ｈ_w としては、第１・
第２磁性層３・４からの交換力を考慮することなく、第
３磁性層５における高レベルＩのレーザ光照射時の高温
状態での保磁力よりも大きければ、高レベルＩのレーザ
パワーをより小さく設定しても、或いは、記録磁界Ｈ_w
の大きさをより小さくしても、第３磁性層５における上
記のような磁化の反転を確実に生じさせることができる
ものとなっている。

【００５１】なお、上記した光磁気ディスク（以下、サ
ンプル＃１と称する）における第１〜第３磁性層３〜５
の組成や膜厚はこれらに限定されるものではなく、種々
異ならせて構成することが可能である。以下には、この
ように組成等を異ならせて作製した２７種の光磁気ディ
スク（以下、サンプル＃２〜＃２８と称する）につい
て、表１〜表４にサンプル＃１とは相違する磁性層の組
成と磁気特性を、また、表４に、サンプル＃２〜＃２８
における再生動作特性の測定結果をそれぞれ示す。な
お、これらの表１〜４には、サンプル＃１についての前
述の説明の中から、それぞれ該当事項を選んで再掲して
いる。

【００５２】サンプル＃２〜＃８は、サンプル＃１に対
し、第２磁性層４の組成が異なるのみで、他の構成はサ
ンプル＃１と同一である。それらの第２磁性層４の組成
および磁気特性は表１に示す通りである。これらサンプ
ル＃２〜＃８における第２磁性層４は、サンプル＃１と
同様に、いずれも希土類金属リッチであり、また、室温
での保磁力Ｈ_C2はほぼゼロである。

【００５３】

【表１】

【００５４】サンプル＃９〜＃１３は、サンプル＃１に
対し、第１磁性層３の組成が異なるのみであり、それら
の第１磁性層３の組成および磁気特性は表２に示す通り
である。これらサンプル＃９〜＃１３の第１磁性層３
は、サンプル＃１と同様に、いずれも室温からキュリー
点Ｔ_C1まで垂直磁化を示し、また、サンプル＃９および
＃１２・＃１３は、サンプル＃１と同様に遷移金属リッ
チ、サンプル＃１０および＃１１は補償組成である。

【００５５】

【表２】

【００５６】サンプル＃１４〜＃２７は、サンプル＃１
に対し、第３磁性層５の組成が異なるのみであり、それ
らの第３磁性層５の組成および磁気特性は表３に示す通
りである。これらサンプル＃１４〜＃２７の第３磁性層
５は、サンプル＃１と同様に、いずれも希土類金属リッ
チであり、室温からキュリー点Ｔ_C3まで垂直磁化を示
す。

【００５７】

【表３】

【００５８】サンプル＃２８は、サンプル＃１での第２
磁性層４の膜厚が５０ｎｍであるのに対し、これが３０
ｎｍである点のみが異なっている。

【００５９】

【表４】

【００６０】表４に示すように、サンプル＃２〜＃２８
のいずれに対しても、同表中に示す記録条件の下で、消
し残りのない光変調オーバーライトができ、信号対雑音
比（Ｃ／Ｎ）＝４７ｄＢが得られた。

【００６１】なお、サンプル＃１３では、Ｃ／Ｎ＝４８
ｄＢが得られた。これは、前記表２に示すように、第１
磁性層３のキュリー点を高くしたことによって、例えば
サンプル＃１等よりも記録再生特性が向上したものであ
る。

【００６２】一方、第２磁性層４の膜厚をサンプル＃１
よりも薄くしたサンプル＃２８では、同表中に示す記録
条件の下で消し残りのない光変調オーバーライトを行え
ると共に、さらに、記録パルスのデューティーを４０％
にしても充分に記録を行うことが可能であった。サンプ
ル＃１の記録パルスのデューティーが６０％であったこ
とを考慮すると、サンプル＃１よりも記録感度の向上し
た光磁気ディスクを得ることができた。

【００６３】〔実施例２〕本発明の他の実施例について
図６に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、
説明の便宜上、前記の実施例の図面に示したものと同一
の機能を有する部分には同一の符号を付記し、その説明
を省略する。

【００６４】本実施例に係る光磁気記録媒体としての光
磁気ディスクは、図６に示すように、誘電体層２と第１
磁性層３との間に、さらに第４磁性層８を設けた点で前
記実施例と異なっている。

【００６５】上記の第４磁性層８は、希土類金属−遷移
金属合金であるGdFeCoからなっており、Gd、Fe、Coター
ゲットの同時スパッタリングにより膜厚３０ｎｍで形成
されている。その組成はGd_0.25(Fe_0.80Co_0.20)_0.75で、
希土類金属リッチであり、補償点なしで、キュリー点
（Ｔ_C4）は第１磁性層３のキュリー点Ｔ_C1よりも高く、
３００℃である。また、室温での保磁力（Ｈ_C4）はほぼ
ゼロであり、室温で面内磁化を示し、約１００℃で垂直
磁化を示す特性を有している。

【００６６】上記の第４磁性層８を備えた光磁気ディス
ク（以下、サンプル＃２９と称する）に対し、表５に示
す記録条件の下で、消し残りのない光変調オーバーライ
トができた。なお、同表には、比較のため、前記サンプ
ル＃１での記録条件も再掲している。

【００６７】

【表５】

【００６８】サンプル＃１でのＣ／Ｎ（信号対雑音比）
が４７ｄＢであるのに対し、本実施例でのＣ／Ｎは４９
ｄＢであり、信号品質が向上した。これは、Ｔ_C4＞Ｔ_C1
に設定したので、カー回転角が大きくなったためと考え
られる。

【００６９】また、記録ビット長が短くなると、サンプ
ル＃１ではＣ／Ｎが急激に低下したが、サンプル＃２９
ではＣ／Ｎがあまり低下しなかった。これは、第４磁性
層８が室温で面内磁化を示し、レベルIII の再生レーザ
パワーのレーザ光を照射すると垂直磁化を示すようにな
るので、短い記録ビットであっても、隣接記録ビットか
らの影響を受けずに再生できたためである。

【００７０】すなわち、第４磁性層８に再生用のレーザ
光が照射されると、照射された部位の温度分布はほぼガ
ウス分布になる。このとき、スポット径よりも小さい中
心近傍領域の昇温温度が、第４磁性層８における垂直磁
化を示す温度を超えるようにレーザ光の強度を設定し
た。このとき、第４磁性層８における上記中心近傍領域
のみの磁化が、面内磁化から垂直磁化に移行する。この
垂直磁化に移行した部分の第４磁性層８および第１磁性
層３の二層間の交換力により、第４磁性層８の磁化の向
きが第１磁性層３の磁化の向きに従う。

【００７１】これにより、レーザ光照射部位の中心近傍
のみが極カー効果を示すようになり、該部位からの反射
光に基づいて情報が再生される。

【００７２】レーザ光照射部が移動して次の記録ビット
を再生するときは、先の再生部位の温度は低下し、垂直
磁化から面内磁化に移行するため、極カー効果を示さな
くなる。このことは、第１磁性層３に記録された磁化が
第４磁性層８の面内磁化によりマスクされて読み出され
ないということを意味している。これにより、雑音の原
因となり、再生の分解能を低下させる隣接ビットからの
信号混入がなくなる。こうして、レーザ光のスポット径
よりも小さな領域のみを再生に関与させる読み出しを行
えるので、従来より小さな記録ビットの再生が行え、記
録密度を向上し得るものとなっている。

【００７３】以上の説明のように、上記各実施例の光磁
気ディスクにおいては、初期化後に記録磁界Ｈ_W を印加
しながら、高レベルＩと低レベルIIとに強度変調された
レーザ光を照射することにより、重ね書きによる情報の
書き換え、すなわち、光変調オーバーライトを行うこと
が可能である。

【００７４】しかも、上記では、第１磁性層３と第３磁
性層５との間に設けられている第２磁性層４が、室温で
ほぼ面内磁化を示すと共に、第１・第３磁性層３・５よ
りもキュリー点の低いもので構成されているので、初期
化磁界Ｈ_initを低減することが可能であると共に、さら
に、記録時のレーザ光のパワーの低減、或いは、記録磁
界Ｈ_W の低減が可能である。また、第３磁性層５と第１
・第２磁性層３・４の磁気的結合が確実に抑制されるの
で、高レベルＩのレーザ光照射時の昇温温度がばらつい
たとしても、安定した光変調オーバーライトを行うこと
が可能となっている。

【００７５】さらに、上記各実施例では、第３磁性層５
が室温とキュリー点Ｔ_c3の間に補償温度Ｔ_comp3 を有す
るので、初期化磁界Ｈ_initと記録磁界Ｈ_W とを互いに同
一方向に設定することができる。このため、例えば両磁
界の発生部を互いに近接させて装置内に設けたり、或い
は両発生部による磁界の組合わせで初期化磁界Ｈ_initと
記録磁界Ｈ_W とを設定すること等が可能になるので、装
置の小型化や省電力化を図ることができる。

【００７６】なお、上記各実施例は本発明を限定するも
のではなく、本発明の範囲内で種々の変更が可能であ
る。例えば第１〜第４磁性層３〜５・８の材料や組成
は、上記の各実施例に挙げたもの以外のものとすること
が可能である。例えば、第１〜第３磁性層３〜５の材料
として、Gd、Tb、Dy、Ho、Ndから選ばれた少なくとも１
種の希土類金属と、Fe、Coから選ばれた少なくとも１種
の遷移金属からなる合金を使用しても、同様の効果が得
られる。

【００７７】また、上記の材料に、さらに、Cr、Ｖ、N
b、Mn、Be、Ni、Ti、Pt、Rh、Cuのうち、少なくとも１
種類の元素を添加すると、第１〜第３磁性層３〜５自体
の耐環境性が向上する。すなわち、水分や酸素侵入によ
る第１・第３磁性層３・５の酸化による特性の劣化が少
なくなり、長期信頼性に優れた光磁気ディスクとして提
供することができる。

【００７８】なお、第１磁性層３のキュリー点Ｔ_C1が１
００℃未満の場合、Ｃ／Ｎがディジタル記録再生で最低
限必要とされている４５ｄＢを下まわる。また、キュリ
ー点Ｔ_C1が２５０℃を超える場合、記録感度が悪くな
る。このため、第１磁性層３のキュリー点Ｔ_C1は１００
〜２５０℃が適当である。さらに、第１磁性層３の室温
での保磁力Ｈ_C1が４００ｋＡ／ｍ未満の場合、初期化磁
界Ｈ_initにより一部が初期化される恐れがある。このた
め、第１磁性層３の室温での保磁力Ｈ_C1は４００ｋＡ／
ｍ以上が適当である。

【００７９】一方、第２磁性層４の垂直磁化を示す温度
が８０℃未満の場合、室温と、レベルIII の再生レーザ
パワーＰ_R のレーザ光が照射されたときの温度との間の
温度で、第３磁性層５から第２磁性層４への磁化の転
写、第２磁性層４から第１磁性層３への磁化の転写を生
じるおそれがある。この場合、初期化磁界Ｈ_initにより
第３磁性層５だけでなく第１磁性層３も初期化される結
果となるので、第１磁性層３に記録された情報が保持さ
れなくなる。このため、第２磁性層４の垂直磁化を示す
温度は８０℃以上が適当である。

【００８０】また、第３磁性層５のキュリー点Ｔ_C3が１
５０℃未満の場合、低レベルIIのレーザパワーＰ_L と再
生レーザパワーＰ_R との差が小さくなるので、うまく光
変調オーバーライトが行われない。一方、キュリー点Ｔ
_C3が４００℃を超える場合には記録感度が悪くなる。こ
のため、第３磁性層５のキュリー点Ｔ_C3は１５０〜４０
０℃が適当である。

【００８１】また、第３磁性層５の室温での保磁力Ｈ_C3
が２４０ｋＡ／ｍを超える場合、初期化磁界Ｈ_initの発
生装置が大型になり、好ましくない。このため、第３磁
性層５の室温での保磁力Ｈ_C3は２４０ｋＡ／ｍ以下が適
当である。

【００８２】一方、第１〜第３磁性層３〜５の膜厚は、
第１〜第３磁性層３〜５の材料や組成との兼ね合いで決
まるものである。第１磁性層３の膜厚は、２０ｎｍ以
上、より好ましくは３０ｎｍ以上であり、あまり厚すぎ
ると第３磁性層５の情報が転写されなくなるので、１０
０ｎｍ以下が好適である。第２磁性層４の膜厚は、５ｎ
ｍ以上、より好ましくは１０〜５０ｎｍであり、あまり
厚すぎると第３磁性層５の情報が転写されなくなるの
で、１００ｎｍ以下が好適である。第３磁性層５の膜厚
は、２０ｎｍ以上、より好ましくは３０〜１００ｎｍで
あり、あまり厚すぎると記録感度が悪くなるので、２０
０ｎｍ以下が好適である。

【００８３】また、上記の各実施例においては、基板１
として通常の板ガラスを用いたが、これ以外にも、化学
強化されたガラス、これらのガラス基板上に紫外線硬化
型樹脂層を形成した、いわゆる２Ｐ層付きガラス基板、
ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰ
Ｏ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ塩化ビフェニール
（ＰＶＣ）、エポキシ等の基板１を使用することが可能
である。

【００８４】一方、透明誘電体層２としてのAlＮの膜厚
は、上記各実施例における８０ｎｍに限定されるもので
はない。この透明誘電体層２の膜厚は、光磁気ディスク
を再生する際、第１磁性層３あるいは第４磁性層８から
の極カー回転角を光の干渉効果を利用して増大させる、
いわゆるカー効果エンハンスメントを考慮して決定され
る。再生時のＣ／Ｎをできるだけ大きくさせるには、極
カー回転角を大きくさせることが必要であり、このた
め、透明誘電体層２の膜厚は、極カー回転角が最も大き
くなるように設定される。

【００８５】この極カー回転角は、再生光の波長、透明
誘電体層２の屈折率により変化する。上記各実施例の場
合のAlＮの屈折率は2.０であるので、再生光の波長が７
８０ｎｍの場合、透明誘電体層２のAlＮの膜厚を３０〜
１２０ｎｍ程度にすると、カー効果エンハンスメントの
効果が大きくなる。尚、好ましくは、透明誘電体層２の
AlＮの膜厚は、７０〜１００ｎｍであり、この範囲であ
れば極カー回転角がほぼ最大になる。

【００８６】また、再生光の波長が４００ｎｍの場合、
上記透明誘電体層２の膜厚を半分（＝４００／７８０）
にすれば良い。さらに、材料の違い、あるいは、製法に
より透明誘電体層２の屈折率が上記とは異なる場合、屈
折率と膜厚を乗じた値（光路長）が同じになるように、
透明誘電体層２の膜厚を設定すれば良い。

【００８７】なお、透明誘電体層２の屈折率は大きいほ
ど、その膜厚は少なくて済む。また、屈折率が大きいほ
ど、極カー回転角のエンハンス効果も大きくなる。AlＮ
は、スパッタ時のスパッタガスであるArとN₂の比率、ガ
ス圧力等を変えることにより、その屈折率が変わるが、
おおむね、1.８〜2.１程度と屈折率が比較的大きな材料
であり、透明誘電体層２の材料として好適である。

【００８８】また、透明誘電体層２は、上記のカー効果
エンハンスメントだけでなく、保護層６と共に、第１〜
第３磁性層３〜５、あるいは、第１〜第４磁性層３〜５
・８の希土類金属−遷移金属合金磁性層の酸化を防止す
る役割がある。

【００８９】希土類金属−遷移金属合金からなる磁性膜
は非常に酸化されやすく、特に、希土類金属が酸化され
やすい。このため外部からの酸素、水分侵入を極力防止
しなければ、酸化によりその特性が著しく劣化してしま
う。

【００９０】そのため、前記各実施例では、第１〜第３
磁性層３〜５、あるいは、第１〜第４磁性層３〜５・８
の両側をAlＮで挟み込む形の構成を採っている。AlＮ
は、その成分に酸素を含まない窒化膜であり、非常に耐
湿性に優れた材料である。さらに、AlＮは、Alターゲッ
トを用いて、N₂ガス、もしくはArとN₂との混合ガスを導
入して反応性ＤＣ（直流電流）スパッタリングを行うこ
とが可能であり、ＲＦ（高周波）スパッタに比べて成膜
速度が大きい点でも有利である。

【００９１】AlＮ以外の透明誘電体層２の材料として、
SiＮ、AlSiＮ、AlTaＮ、SiAlＯＮ、TiＮ、TiＯＮ、Ｂ
Ｎ、ZnＳ、TiO₂、BaTiO₃、SrTiO₃等が好適である。この
うち、特に、SiＮ、AlSiＮ、AlTaＮ、TiＮ、ＢＮ、ZnＳ
は、その成分に酸素を含まず、耐湿性に優れた光磁気デ
ィスクを提供することができる。

【００９２】一方、保護層６のAlＮの膜厚は、上記各実
施例では８０ｎｍとしたが、これに限定されるものでは
ない。保護層６の膜厚の範囲としては、１〜２００ｎｍ
が好適である。

【００９３】上記各実施例においては、第１〜第３磁性
層３〜５、あるいは、第１〜第４磁性層３〜５・８を合
わせた膜厚は１００ｎｍ以上であり、この膜厚になると
光ピックアップから入射した光はほとんど磁性層を透過
しない。したがって、保護層６の膜厚に特に制限はな
く、磁性層の酸化を長期にわたって防止するに必要な膜
厚であれば良い。酸化防止能力が低い材料であれば膜厚
を厚く、高ければ薄くすれば良い。

【００９４】保護層６は、透明誘導体層２とともに、そ
の熱伝導率が光磁気ディスクの記録感度特性に影響を及
ぼす。記録感度特性とは、記録、あるいは消去に必要な
レーザパワーがどの程度必要かを意味する。光磁気ディ
スクに入射された光は、そのほとんどが、透明誘導体層
２を通過し、吸収膜である第１〜第３磁性層３〜５、あ
るいは、第１〜第４磁性層３〜５・８に吸収されて熱に
変わる。このとき、第１〜第３磁性層３〜５、あるい
は、第１〜第４磁性層３〜５・８の熱が透明誘導体層
２、保護層６に熱伝導により移動する。したがって、透
明誘導体層２、保護層６の熱伝導率および熱容量（比
熱) が記録感度に影響を及ぼす。

【００９５】このことは、光磁気ディスクの記録感度を
保護層６の膜厚で、ある程度制御できるということを意
味し、例えば、記録感度を上げる( 低いレーザパワーで
記録消去を行える) 目的であれば保護層６の膜厚を薄く
すれば良い。通常は、レーザ寿命を延ばすため、記録感
度はある程度高い方が有利であり、保護層６の膜厚は薄
い方が良い。

【００９６】AlＮはこの意味でも好適で、耐湿性に優れ
るので、保護層６として用いた場合、膜厚を薄くするこ
とができ、記録感度の高い光磁気ディスクを提供するこ
とができる。

【００９７】上記各実施例では、保護層６を透明誘導体
層２と同じAlＮとすることで、耐湿性に優れた光磁気デ
ィスクを提供でき、かつ保護層６と透明誘導体層２とを
同じ材料で形成することで、生産性も向上する。

【００９８】また、保護層６の材料としては、AlＮ以外
に、前述の目的、効果を考慮すれば、上述の透明誘導体
層２の材料として用いられるSiＮ、AlSiＮ、AlTaＮ、Si
AlＯＮ、TiＮ、TiＯＮ、ＢＮ、ZnＳ、TiO₂、BaTiO₃、Sr
TiO₃が好適である。このうち特に、SiＮ、AlSiＮ、AlTa
Ｎ、TiＮ、ＢＮ、ZnＳは、その成分に酸素を含まず、耐
湿性に優れた光磁気ディスクを提供することができる。

【００９９】なお、前記各実施例で例示した光磁気ディ
スクは、一般には片面タイプと呼ばれる。透明誘電体層
２、第１〜第３磁性層３〜５（あるいは、第１〜第４磁
性層３〜５・８）、保護層６の薄膜部分を総じて記録媒
体層と称することにすると、片面タイプの光磁気ディス
クは、基板１、記録媒体層、オーバーコート層７の構造
となる。これに対して、基板１の上に記録媒体層を形成
したものを二枚、記録媒体層が対向するように接着層で
接着した光磁気ディスクは、両面タイプと呼ばれてい
る。

【０１００】この場合の接着層の材料は、ポリウレタン
アクリレート系接着剤が特に良い。この接着剤は、紫外
線、熱及び嫌気性の３タイプの硬化機能が組み合わされ
たものであり、紫外線が透過しない記録媒体層の影にな
る部分の硬化が、熱および嫌気性硬化機能により硬化さ
れるという利点を持っており、極めて高い耐湿性を有
し、長期安定性に極めて優れた両面タイプの光磁気ディ
スクを提供することができる。

【０１０１】なお、片面タイプは、両面タイプと比べて
素子の厚みが半分で済むため、例えば小型化が要求され
る記録再生装置に有利である。両面タイプは、両面再生
が可能なため、例えば大容量を要求される記録再生装置
に有利である。

【０１０２】

【発明の効果】以上のように、本発明の光磁気記録媒体
は、室温からキュリー点まで垂直磁化を示す記録層と、
室温からキュリー点まで垂直磁化を示すと共に室温での
保磁力が記録層よりも小さく、また、キュリー点が記録
層よりも高い記録補助層との間に、室温側で面内磁化を
示すと共に、記録補助層よりも記録層の方が保磁力の小
さい温度領域で垂直磁化を示す特性を備え、かつ、記録
層よりも低いキュリー点を有する中間層が設けられてい
る構成である。

【０１０３】これにより、従来同様に、初期化を行った
後、記録磁界を印加しながら、高レベルと低レベルとに
強度変調されたレーザ光を照射することにより、記録層
に新たな情報の書き込みを行うことができる。このと
き、中間層のキュリー点が記録層や記録補助層のキュリ
ー点よりも低いので、高レベルのレーザ光照射時の昇温
温度にばらつきが生じる場合でも、中間層と記録補助層
との交換力による結合が確実に抑制され、これにより、
光変調オーバーライトを安定して行わせることが可能に
なる。

【０１０４】また、中間層のキュリー点を記録層と記録
補助層との間に設定する必要がないため、記録層を、そ
のキュリー点が従来よりも高いもので構成することが可
能ともなり、これにより、再生時におけるレーザ光照射
時のカー回転角等がより大きくなるようにすることがで
きるので、再生信号特性を向上することができるという
効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例での光磁気記録媒体における
第１〜第３磁性層の保磁力の温度依存性を示すグラフで
ある。

【図２】上記光磁気記録媒体の概略の構成を示す断面模
式図である。

【図３】上記光磁気記録媒体における記録プロセスを示
す説明図である。

【図４】上記光磁気記録媒体に照射されるレーザ光の強
度を示す説明図である。

【図５】上記光磁気記録媒体での記録動作時の磁化状態
の変化を示す説明図である。

【図６】本発明の他の実施例における光磁気記録媒体の
概略の構成を示す断面模式図である。

【図７】従来の光磁気記録媒体の構成および記録プロセ
スを示す説明図である。

【図８】図８の光磁気記録媒体における各磁性層の保磁
力の温度依存性を示すグラフである。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 誘電体層 ３ 第１磁性層（記録層） ４ 第２磁性層（中間層） ５ 第３磁性層（記録補助層） ６ 保護層 ７ オーバーコート層 ８ 第４磁性層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 広兼 順司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】室温からキュリー点まで垂直磁化を示す記
   録層と、室温からキュリー点まで垂直磁化を示すと共に
   室温での保磁力が記録層よりも小さく、また、キュリー
   点が記録層よりも高い記録補助層との間に、室温側で面
   内磁化を示すと共に、記録補助層よりも記録層の方が保
   磁力の小さい温度領域で垂直磁化を示す特性を備え、か
   つ、記録層よりも低いキュリー点を有する中間層が設け
   られていることを特徴とする光磁気記録媒体。