JPH07321011A - 電子ビームの露光方法 - Google Patents
電子ビームの露光方法Info
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- JPH07321011A JPH07321011A JP6110646A JP11064694A JPH07321011A JP H07321011 A JPH07321011 A JP H07321011A JP 6110646 A JP6110646 A JP 6110646A JP 11064694 A JP11064694 A JP 11064694A JP H07321011 A JPH07321011 A JP H07321011A
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- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
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Abstract
(57)【要約】
【目的】図形一括電子ビーム露光方式により同一パター
ンを繰り返し露光する領域の端辺近傍部と端辺から内方
に離間した中央部とのレジスト内に蓄積される蓄積電子
エネルギー強度の差を小とし、これによりこの領域の全
域にわたって均一のパターンを得ることができる電子ビ
ームの露光方法を提供する。 【構成】電子光学系にパターンが形成されたマスク機能
を設け、電子ビームをレジストにショットするごと潜像
パターンをレジストに形成する図形一括描画方式の電子
ビームの露光方法において、領域３１の端辺３６Ｘ，３
６Ｙより離間した箇所６０Ａを電子ビームでショットし
て潜像パターン２４Ｅを形成する露光量より端辺３６
Ｘ，３６Ｙの近傍の箇所６０Ｂ〜６０Ｆを電子ビームで
ショットして潜像パターン２４Ｅを形成する露光量を多
くする。
ンを繰り返し露光する領域の端辺近傍部と端辺から内方
に離間した中央部とのレジスト内に蓄積される蓄積電子
エネルギー強度の差を小とし、これによりこの領域の全
域にわたって均一のパターンを得ることができる電子ビ
ームの露光方法を提供する。 【構成】電子光学系にパターンが形成されたマスク機能
を設け、電子ビームをレジストにショットするごと潜像
パターンをレジストに形成する図形一括描画方式の電子
ビームの露光方法において、領域３１の端辺３６Ｘ，３
６Ｙより離間した箇所６０Ａを電子ビームでショットし
て潜像パターン２４Ｅを形成する露光量より端辺３６
Ｘ，３６Ｙの近傍の箇所６０Ｂ〜６０Ｆを電子ビームで
ショットして潜像パターン２４Ｅを形成する露光量を多
くする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子ビームの露光方法に
係わり、特に図形一括描画方式の電子ビームの露光方法
に関する。
係わり、特に図形一括描画方式の電子ビームの露光方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの進歩に伴ない、半導体デバイス
に用いられるパターンの微細化が急速に進んでいる。電
子ビームを用いた電子線リソグラフィは今後最先端デバ
イスを製作する際に必要となる０．２５μｍ以下のパタ
ーンが解像できる最も有効な手段である。
に用いられるパターンの微細化が急速に進んでいる。電
子ビームを用いた電子線リソグラフィは今後最先端デバ
イスを製作する際に必要となる０．２５μｍ以下のパタ
ーンが解像できる最も有効な手段である。
【０００３】しかしながら、電子ビームリソグラフィで
は微細パターンの形成を妨げる近接効果現象が存在す
る。まずこの現象について説明する。
は微細パターンの形成を妨げる近接効果現象が存在す
る。まずこの現象について説明する。
【０００４】電子ビームリソグラフィではレジスト内の
電子散乱（前方散乱）とレジスト／下地基板界面（後方
散乱）により、電子ビームが入射した領域以外のレジス
トが露光され、現像後のパターン寸法が設計パターン寸
法よりずれを生じる。
電子散乱（前方散乱）とレジスト／下地基板界面（後方
散乱）により、電子ビームが入射した領域以外のレジス
トが露光され、現像後のパターン寸法が設計パターン寸
法よりずれを生じる。
【０００５】そこでこのことを予想し、設計パターンの
幅や近隣パターンとの距離に応じ、露光量を変化させた
り、パターンサイズを変化させる近接効果補正処理が必
要になる。
幅や近隣パターンとの距離に応じ、露光量を変化させた
り、パターンサイズを変化させる近接効果補正処理が必
要になる。
【０００６】近年パターンの高集積化にともない２次元
的なパターンの広がりを考慮する必要が生じ、蓄積電子
エネルギー強度を補正対象パターンと近隣パターンとの
距離に応じて第（１）式で表される２つのガウス関数の
和を用いて計算を行う。
的なパターンの広がりを考慮する必要が生じ、蓄積電子
エネルギー強度を補正対象パターンと近隣パターンとの
距離に応じて第（１）式で表される２つのガウス関数の
和を用いて計算を行う。
【０００７】
【０００８】この蓄積電子エネルギーの強度の計算結果
をもとに補正量を決定し、露光を行う。
をもとに補正量を決定し、露光を行う。
【０００９】以上が微細パターンの形成を妨げる近接効
果現象の説明であるが、次に電子ビーム露光装置につい
て説明する。
果現象の説明であるが、次に電子ビーム露光装置につい
て説明する。
【００１０】電子ビーム装置としては、従来は図９に示
すような可変成形型の電子ビーム露光装置が用いられて
きた。これは第１アパーチャ−８と第２アパーチャ−１
１とで電子ビームを矩形に成形し、レジストを塗布した
半導体ウエハ上に電子ビームを照射して微細パターンを
形成する装置である。
すような可変成形型の電子ビーム露光装置が用いられて
きた。これは第１アパーチャ−８と第２アパーチャ−１
１とで電子ビームを矩形に成形し、レジストを塗布した
半導体ウエハ上に電子ビームを照射して微細パターンを
形成する装置である。
【００１１】図９において、電子銃６を発した電子ビー
ム５０がブランキング電極７、第１アパーチャ−８、成
形レンズ９、成形偏向器１０、第２アパーチャ−１１、
縮小レンズ１２、主偏向器１３、副偏向器１４、投影レ
ンズ１５を通って試料台１７上の半導体ウエハ１６上に
照射する。第１アパーチャ−８には四角の開口８Ａが形
成されており、第２アパーチャ−１１には四角の開口１
１Ａが形成されている。第１アパーチャ−８の開口８Ａ
を通過した電子ビーム５０Ａは開口８Ａと同じ形状とな
っており、これが第２アパーチャ−１１の開口１１Ａを
通過することにより小四角形のビームサイズとなり、こ
の小サイズの電子ビーム５０Ｂでショット（１露光動
作）を繰り返して一つの潜像パターンを半導体ウエハ上
のレジストに形成する。
ム５０がブランキング電極７、第１アパーチャ−８、成
形レンズ９、成形偏向器１０、第２アパーチャ−１１、
縮小レンズ１２、主偏向器１３、副偏向器１４、投影レ
ンズ１５を通って試料台１７上の半導体ウエハ１６上に
照射する。第１アパーチャ−８には四角の開口８Ａが形
成されており、第２アパーチャ−１１には四角の開口１
１Ａが形成されている。第１アパーチャ−８の開口８Ａ
を通過した電子ビーム５０Ａは開口８Ａと同じ形状とな
っており、これが第２アパーチャ−１１の開口１１Ａを
通過することにより小四角形のビームサイズとなり、こ
の小サイズの電子ビーム５０Ｂでショット（１露光動
作）を繰り返して一つの潜像パターンを半導体ウエハ上
のレジストに形成する。
【００１２】このように可変成形型の電子ビーム露光装
置では、パターンを小四角形に分割し、小四角形毎に電
子ビームのショットを行って露光するので、一つのパタ
ーン内で各小四角形毎に露光量を変化させることができ
る。したがって、近接効果の柔軟な補正が可能である。
置では、パターンを小四角形に分割し、小四角形毎に電
子ビームのショットを行って露光するので、一つのパタ
ーン内で各小四角形毎に露光量を変化させることができ
る。したがって、近接効果の柔軟な補正が可能である。
【００１３】しかし、この可変成形型の電子ビーム露光
装置ではショット数が増大するために露光時間が膨大な
ものとなり、電子ビーム露光装置の処理時間が長くな
る。これが電子ビーム露光技術の量産化に向けた実用化
が遅れる原因となっている。
装置ではショット数が増大するために露光時間が膨大な
ものとなり、電子ビーム露光装置の処理時間が長くな
る。これが電子ビーム露光技術の量産化に向けた実用化
が遅れる原因となっている。
【００１４】そこで、このような電子ビームリソグラフ
ィの低スループットを改善する方法として図１０に示す
ような図形一括描画方式の電子ビーム露光装置が開発さ
れた。尚、図１０において図９と同一もしくは類似の箇
所は同じ符号で示してあるから重複する説明は省略す
る。
ィの低スループットを改善する方法として図１０に示す
ような図形一括描画方式の電子ビーム露光装置が開発さ
れた。尚、図１０において図９と同一もしくは類似の箇
所は同じ符号で示してあるから重複する説明は省略す
る。
【００１５】図１０においては、第２アパーチャ−１１
上に複数個（図では３個）の開口パターン１１Ａを一括
セルとして予め作っておき、第１アパーチャ−８を通し
て四角形に成形された電子ビーム５０Ａを第２アパーチ
ャー１１上の一括セル上に照射し、この内の複数個（図
では２個）のパターンを有する電子ビ−ム５０Ｂを半導
体ウエハ上に上に塗布してあるレジストの照射して複数
個のパターンを一度に転写する方法である。すなわち一
回のショットにより１個もしくは複数のパターンの潜像
をレジストに形成することができる。
上に複数個（図では３個）の開口パターン１１Ａを一括
セルとして予め作っておき、第１アパーチャ−８を通し
て四角形に成形された電子ビーム５０Ａを第２アパーチ
ャー１１上の一括セル上に照射し、この内の複数個（図
では２個）のパターンを有する電子ビ−ム５０Ｂを半導
体ウエハ上に上に塗布してあるレジストの照射して複数
個のパターンを一度に転写する方法である。すなわち一
回のショットにより１個もしくは複数のパターンの潜像
をレジストに形成することができる。
【００１６】この図形一括描画方式の方法により、同様
のパターンを描画するのに必要なショット数は可変成形
方式の電子ビーム露光装置に比べ、約１／１０〜１／１
００となる。この結果、電子ビーム露光を行うのに必要
な時間は減少し、上述したスループットを改善すること
が出来る。
のパターンを描画するのに必要なショット数は可変成形
方式の電子ビーム露光装置に比べ、約１／１０〜１／１
００となる。この結果、電子ビーム露光を行うのに必要
な時間は減少し、上述したスループットを改善すること
が出来る。
【００１７】しかし、図形一括電子ビーム露光装置では
１回のショットは同じ露光量で描画するために同一の一
括セル内に含まれる近隣のパターン５１，５２内のすべ
ての部分は同じ露光量（電子密度）で描画されることに
なる。このために可変成形電子ビーム露光装置の場合の
ようにパターンの各部分毎に露光量を変化させるという
柔軟な近接効果補正が不可能になる。
１回のショットは同じ露光量で描画するために同一の一
括セル内に含まれる近隣のパターン５１，５２内のすべ
ての部分は同じ露光量（電子密度）で描画されることに
なる。このために可変成形電子ビーム露光装置の場合の
ようにパターンの各部分毎に露光量を変化させるという
柔軟な近接効果補正が不可能になる。
【００１８】したがって、例えばネガ型のレジストを用
いた場合に、近接効果補正を行わないまま露光を行う
と、現像後のパターン寸法が設計値より大きくなってし
まい、近隣パターンどうしが繋がってしまう。すなわち
図１０において、パターン５１，５２とが対面する部分
が繋がってしまう。
いた場合に、近接効果補正を行わないまま露光を行う
と、現像後のパターン寸法が設計値より大きくなってし
まい、近隣パターンどうしが繋がってしまう。すなわち
図１０において、パターン５１，５２とが対面する部分
が繋がってしまう。
【００１９】このために、特開平３−１７４７１６号公
報に図形一括電子ビーム露光装置における１ショット内
の近接効果補正方法が提案されている。
報に図形一括電子ビーム露光装置における１ショット内
の近接効果補正方法が提案されている。
【００２０】上記公報に開示された従来技術は、蓄積エ
ネルギーのシミュレーション結果をもとに、一括セル内
のパターン幅を予め小さく設計して第２アパーチャ−を
製作する。あるいは、第２アパ−チャ−の上部に解像限
界以下の鋼線を設置して実効的な電流密度を減少させて
近接効果補正を行う方法である。
ネルギーのシミュレーション結果をもとに、一括セル内
のパターン幅を予め小さく設計して第２アパーチャ−を
製作する。あるいは、第２アパ−チャ−の上部に解像限
界以下の鋼線を設置して実効的な電流密度を減少させて
近接効果補正を行う方法である。
【００２１】例えば、パターン５１と５２とが対面する
部分を一部削除して両者をより離間したパターンで露光
したり、パターン５１と５２とが対面する部分の電流密
度を減少させて露光する方法である。
部分を一部削除して両者をより離間したパターンで露光
したり、パターン５１と５２とが対面する部分の電流密
度を減少させて露光する方法である。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
図形一括電子ビーム露光装置における従来の近接効果補
正方法は、１回のショット内における補正であり、隣接
するショットの影響や近傍のショツトの影響を考慮して
いない。
図形一括電子ビーム露光装置における従来の近接効果補
正方法は、１回のショット内における補正であり、隣接
するショットの影響や近傍のショツトの影響を考慮して
いない。
【００２３】したがってこの従来技術は、同一形状のパ
ターンが同一周期で繰り返し展開されていて、かつパタ
ーン密度が同じである領域を描画する場合、すなわち１
ショットで露光する箇所に隣接する箇所、近傍の箇所に
他のショットで同一のパターンが形成される領域のみに
有効である。
ターンが同一周期で繰り返し展開されていて、かつパタ
ーン密度が同じである領域を描画する場合、すなわち１
ショットで露光する箇所に隣接する箇所、近傍の箇所に
他のショットで同一のパターンが形成される領域のみに
有効である。
【００２４】しかしながら同一形状のパターンが同一周
期で繰り返し展開されていてもパターン密度が異なる、
すなわち近傍における他のショットによる同一のパター
ンの有無が異なる場合は近接効果により各箇所で異なる
パターン寸法となる。
期で繰り返し展開されていてもパターン密度が異なる、
すなわち近傍における他のショットによる同一のパター
ンの有無が異なる場合は近接効果により各箇所で異なる
パターン寸法となる。
【００２５】例えば図１１に示すＤＲＡＭチップ３０に
おいて、セル部３１には多数のワード線および多数のビ
ット線に結合した多数のメモリセルがマトリックス状に
配列形成しており、その周辺の周辺部にはトランジスタ
等を有するアドレス回路等の周辺回路が形成されてい
る。そして一枚の半導体ウエハから多数のＤＲＡＭチッ
プが電子ビーム露光等のプロセスにより形成されるが、
この電子ビーム露光を行う場合、ワード線、ビット線、
メモリセルの同一のパターンが繰り返し現れるセル部３
１は図形一括方式で描画を行ってこれらワード線、ビッ
ト線、メモリセルを形成するためのリソグラフィを行
い、ランダムパターンで構成される周辺部３２は可変成
形方式で描画する。
おいて、セル部３１には多数のワード線および多数のビ
ット線に結合した多数のメモリセルがマトリックス状に
配列形成しており、その周辺の周辺部にはトランジスタ
等を有するアドレス回路等の周辺回路が形成されてい
る。そして一枚の半導体ウエハから多数のＤＲＡＭチッ
プが電子ビーム露光等のプロセスにより形成されるが、
この電子ビーム露光を行う場合、ワード線、ビット線、
メモリセルの同一のパターンが繰り返し現れるセル部３
１は図形一括方式で描画を行ってこれらワード線、ビッ
ト線、メモリセルを形成するためのリソグラフィを行
い、ランダムパターンで構成される周辺部３２は可変成
形方式で描画する。
【００２６】ワード線を例示すると、セル部３１の領域
Ａはその両側にもワ−ド線が存在するからワード線の密
度が高い領域であり、領域Ｂは片側は周辺部３２であり
ワ−ド線が存在しないからワード線の密度が低い領域で
ある。
Ａはその両側にもワ−ド線が存在するからワード線の密
度が高い領域であり、領域Ｂは片側は周辺部３２であり
ワ−ド線が存在しないからワード線の密度が低い領域で
ある。
【００２７】この場合、従来の図形一括方式で描画する
と、ネガ型レジストを用いた場合、領域Ｂのワード線の
幅が領域Ａのワード線の幅より小になってしまう。
と、ネガ型レジストを用いた場合、領域Ｂのワード線の
幅が領域Ａのワード線の幅より小になってしまう。
【００２８】これは近接効果により領域Ａでは蓄積電子
エネルギーが多くなり領域Ｂでは蓄積電子エネルギーが
少なくなるからである。
エネルギーが多くなり領域Ｂでは蓄積電子エネルギーが
少なくなるからである。
【００２９】近接効果により、パターン密度に依存して
形状がばらつく様子を図１２および図１３に示す。シリ
コン基板２１の主面に設けられた絶縁層２２の上に導体
膜２３を堆積し、その上にネガ型レジスト２４を塗布形
成し、この導体膜２３を電子ビームリソグラフィを用い
てパターンを形成する場合、同一のパターン面積で、す
なわち電子ビームの照射面積が同一でかつ同一の露光量
（露光の際の荷電密度：μＣ／ｃｍ2 ）で電子ビームｅ
をレジスト２４に照射しても、パターン密度が高い図１
２（Ａ）（図１１の領域Ａに相当）では蓄積電子エネル
ギーが多くなるから潜像２４Ａの幅Ｗ１が大きくなり、
パターン密度が低い図１２（Ｂ）（図１１の領域Ｂに相
当）では蓄積電子エネルギーが少ないから潜像２４Ｂの
幅Ｗ２が小さくなる。
形状がばらつく様子を図１２および図１３に示す。シリ
コン基板２１の主面に設けられた絶縁層２２の上に導体
膜２３を堆積し、その上にネガ型レジスト２４を塗布形
成し、この導体膜２３を電子ビームリソグラフィを用い
てパターンを形成する場合、同一のパターン面積で、す
なわち電子ビームの照射面積が同一でかつ同一の露光量
（露光の際の荷電密度：μＣ／ｃｍ2 ）で電子ビームｅ
をレジスト２４に照射しても、パターン密度が高い図１
２（Ａ）（図１１の領域Ａに相当）では蓄積電子エネル
ギーが多くなるから潜像２４Ａの幅Ｗ１が大きくなり、
パターン密度が低い図１２（Ｂ）（図１１の領域Ｂに相
当）では蓄積電子エネルギーが少ないから潜像２４Ｂの
幅Ｗ２が小さくなる。
【００３０】したがって現像により潜像２４Ａ，２４Ｂ
を選択的に残したレジストパターンをマスクにして導体
膜２３を選択的にエッチング除去して配線層を形成した
場合、パターン密度が高い箇所では図１３（Ａ）に示す
ように大きな幅Ｗ１の配線層２３Ａとなり、パターン密
度が低い箇所では図１３（Ｂ）に示すように小さな幅Ｗ
２の配線層２３Ｂとなる。
を選択的に残したレジストパターンをマスクにして導体
膜２３を選択的にエッチング除去して配線層を形成した
場合、パターン密度が高い箇所では図１３（Ａ）に示す
ように大きな幅Ｗ１の配線層２３Ａとなり、パターン密
度が低い箇所では図１３（Ｂ）に示すように小さな幅Ｗ
２の配線層２３Ｂとなる。
【００３１】以上はネガ型レジストについて説明した
が、ポジ型レジストの場合も潜像間の残る部分の形状が
たがいに異なるから、同様の問題を生ずる。
が、ポジ型レジストの場合も潜像間の残る部分の形状が
たがいに異なるから、同様の問題を生ずる。
【００３２】一方このために、図１１において領域Ａの
ショット用と領域Ｂのショット用とでマスク手段である
第２アパチャ−（一括セル）をそれぞれ製作したり露光
工程で取り換えたり、あるいはそのために新たな制御手
段を用いると費用の増加や工程の増加を伴い実用的な方
法とならない。
ショット用と領域Ｂのショット用とでマスク手段である
第２アパチャ−（一括セル）をそれぞれ製作したり露光
工程で取り換えたり、あるいはそのために新たな制御手
段を用いると費用の増加や工程の増加を伴い実用的な方
法とならない。
【００３３】したがって本発明の目的は、図形一括電子
ビーム露光方式により同一パターンを繰り返し露光する
領域の端辺近傍部と端辺から内方に離間した中央部との
レジスト内に蓄積される蓄積電子エネルギー強度の差を
小とし、これによりこの領域の全域にわたって均一の設
計パターンを得ることができる実用的な電子ビームの露
光方法を提供することである。
ビーム露光方式により同一パターンを繰り返し露光する
領域の端辺近傍部と端辺から内方に離間した中央部との
レジスト内に蓄積される蓄積電子エネルギー強度の差を
小とし、これによりこの領域の全域にわたって均一の設
計パターンを得ることができる実用的な電子ビームの露
光方法を提供することである。
【００３４】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、電子光
学系にパターンが形成されたマスク機能を設け、電子ビ
ームをレジストにショット（１露光動作）するごとに前
記マスク機能のパターンに対応した潜像パターンをレジ
ストに形成する図形一括描画方式により、レジストの一
領域に同一の潜像パターンを繰り返し形成する電子ビー
ムの露光方法において、前記領域の端辺より離間した箇
所を電子ビームでショットする露光量より前記端辺近傍
の箇所を電子ビームでショットする露光量を多くした電
子ビームの露光方法にある。ここで、前記領域において
各ショットする面積は同一であることができる。あるい
は、前記端辺近傍の箇所をショットする面積は、前記端
辺から離間した箇所をショットする面積より小であるこ
とができる。具体的には、前記端辺は第１の方向に延在
する第１の端辺と前記第１の方向と直角の第２の方向に
延在する第２の端辺とを有し、前記第１および第２の端
辺のそれぞれから３ショット以上離間した箇所は同一の
露光量でショットして露光し、それより前記第１および
第２の端辺に向って露光量を順次増加させてショットす
ることができる。また、前記第１の端辺と前記第２の端
辺が直角に接続して内角を構成する箇所を一番多い露光
量でショットすることが好ましい。前記領域は半導体メ
モリのメモリセルが多数形成されるセル部であり、前記
端辺は周辺回路が形成される周辺部と前記セル部との境
界であることができる。なお、最適な露光量やショット
サイズは予めシミュレーションにより求めることが可能
であり、またこれらの値は下地基板材料、レジスト膜厚
等の試料構造や描画するパターンを考慮して定めること
ができるから柔軟な近接効果補正が可能である。
学系にパターンが形成されたマスク機能を設け、電子ビ
ームをレジストにショット（１露光動作）するごとに前
記マスク機能のパターンに対応した潜像パターンをレジ
ストに形成する図形一括描画方式により、レジストの一
領域に同一の潜像パターンを繰り返し形成する電子ビー
ムの露光方法において、前記領域の端辺より離間した箇
所を電子ビームでショットする露光量より前記端辺近傍
の箇所を電子ビームでショットする露光量を多くした電
子ビームの露光方法にある。ここで、前記領域において
各ショットする面積は同一であることができる。あるい
は、前記端辺近傍の箇所をショットする面積は、前記端
辺から離間した箇所をショットする面積より小であるこ
とができる。具体的には、前記端辺は第１の方向に延在
する第１の端辺と前記第１の方向と直角の第２の方向に
延在する第２の端辺とを有し、前記第１および第２の端
辺のそれぞれから３ショット以上離間した箇所は同一の
露光量でショットして露光し、それより前記第１および
第２の端辺に向って露光量を順次増加させてショットす
ることができる。また、前記第１の端辺と前記第２の端
辺が直角に接続して内角を構成する箇所を一番多い露光
量でショットすることが好ましい。前記領域は半導体メ
モリのメモリセルが多数形成されるセル部であり、前記
端辺は周辺回路が形成される周辺部と前記セル部との境
界であることができる。なお、最適な露光量やショット
サイズは予めシミュレーションにより求めることが可能
であり、またこれらの値は下地基板材料、レジスト膜厚
等の試料構造や描画するパターンを考慮して定めること
ができるから柔軟な近接効果補正が可能である。
【００３５】
【作用】本発明ではパターン密度により各ショットの露
光量を変化させたりショットサイズを変化させるから、
パターン密度が低い領域の端辺近傍や領域の角部近傍で
もパターン密度が高い領域の中央部と同様の蓄積電子エ
ネルギー強度を得ることができる。これにより、露光箇
所に応じて新たな図形一括セルを第２のアパーチャに設
けたりこの制御手段を用いることなく近接効果補正を行
うことができ、その結果、設計寸法通りのパターン寸法
を全領域にわたって得ることができる。
光量を変化させたりショットサイズを変化させるから、
パターン密度が低い領域の端辺近傍や領域の角部近傍で
もパターン密度が高い領域の中央部と同様の蓄積電子エ
ネルギー強度を得ることができる。これにより、露光箇
所に応じて新たな図形一括セルを第２のアパーチャに設
けたりこの制御手段を用いることなく近接効果補正を行
うことができ、その結果、設計寸法通りのパターン寸法
を全領域にわたって得ることができる。
【００３６】
【実施例】以下、図面を参照して本発明を説明する。図
１乃至図８は本発明の実施例を示す図である。
１乃至図８は本発明の実施例を示す図である。
【００３７】本発明の一実施例を示す図１において、Ｘ
方向に延在する端辺３６ＸおよびＹ方向に延在する端辺
３６Ｙを有する領域３１のネガ型レジスト２４に、本発
明の実施例の図形一括方式の露光方法を用いて、Ｙ方向
に延在しＸ方向に繰り返しパターンである多数のストラ
イプ状の潜像パターン２４Ｅを形成する。
方向に延在する端辺３６ＸおよびＹ方向に延在する端辺
３６Ｙを有する領域３１のネガ型レジスト２４に、本発
明の実施例の図形一括方式の露光方法を用いて、Ｙ方向
に延在しＸ方向に繰り返しパターンである多数のストラ
イプ状の潜像パターン２４Ｅを形成する。
【００３８】尚、本実施例ではショット（１露光動作）
サイズは５μｍ×５μｍの正方形であり、加速電圧５０
ｋｅＶの場合、βｂ（後方散乱領域）は約１０μｍであ
るから、蓄積電子エネルギー強度計算ポイントに影響を
及ぼすのはその周囲約１０μｍ〜１５μｍの範囲のパタ
ーンである。すなわち図１において端辺３６Ｙおよび端
辺３６Ｘより１５μｍ（３ショット）以上離間して内部
に入った箇所は周囲のパターンから受ける影響は同一と
考えられ、蓄積電子エネルギー強度の値は飽和する。
サイズは５μｍ×５μｍの正方形であり、加速電圧５０
ｋｅＶの場合、βｂ（後方散乱領域）は約１０μｍであ
るから、蓄積電子エネルギー強度計算ポイントに影響を
及ぼすのはその周囲約１０μｍ〜１５μｍの範囲のパタ
ーンである。すなわち図１において端辺３６Ｙおよび端
辺３６Ｘより１５μｍ（３ショット）以上離間して内部
に入った箇所は周囲のパターンから受ける影響は同一と
考えられ、蓄積電子エネルギー強度の値は飽和する。
【００３９】１回のショットで露光される各箇所６０は
５μｍ×５μｍの面積であり、各箇所６０は６０Ａ〜６
０Ｆに分類されてショットの露光量を異ならしている。
５μｍ×５μｍの面積であり、各箇所６０は６０Ａ〜６
０Ｆに分類されてショットの露光量を異ならしている。
【００４０】箇所６０Ａは、Ｘ方向およびＹ方向の両側
に他のショットが行われかつ端辺３６Ｘからも端辺３６
Ｙからも３ショット以上離間しているから、この工程で
ショットが存在しない端辺３６Ｘ、端辺３６Ｙの外側の
周辺部の影響が無く、一番小さい露光量である２３μＣ
／ｃｍ2 の電荷電子密度でショットする。図１ではこの
値を基準露光量として（１．００）で示している。
に他のショットが行われかつ端辺３６Ｘからも端辺３６
Ｙからも３ショット以上離間しているから、この工程で
ショットが存在しない端辺３６Ｘ、端辺３６Ｙの外側の
周辺部の影響が無く、一番小さい露光量である２３μＣ
／ｃｍ2 の電荷電子密度でショットする。図１ではこの
値を基準露光量として（１．００）で示している。
【００４１】箇所６０Ａより端辺３６Ｘ、３６Ｙ側に隣
接する箇所６０Ｂは、Ｘ方向およびＹ方向の両側に他の
ショットが行われるが端辺３６Ｘもしくは端辺３６Ｙの
外側の影響が出始めるから基準露光量の（１．０２）倍
の露光量でショットする。
接する箇所６０Ｂは、Ｘ方向およびＹ方向の両側に他の
ショットが行われるが端辺３６Ｘもしくは端辺３６Ｙの
外側の影響が出始めるから基準露光量の（１．０２）倍
の露光量でショットする。
【００４２】箇所６０Ｃは、端辺３６Ｘもしくは端辺３
６Ｙに隣接してその側に他のショットが行われないから
基準露光量の（１．０８）倍の露光量でショットする。
６Ｙに隣接してその側に他のショットが行われないから
基準露光量の（１．０８）倍の露光量でショットする。
【００４３】箇所６０Ｄは、Ｘ方向およびＹ方向の両側
に他のショットが行われるが端辺３６Ｘおよび端辺３６
Ｙの両端辺の外側の影響が出るから基準露光量の（１．
０４）倍の露光量でショットする。
に他のショットが行われるが端辺３６Ｘおよび端辺３６
Ｙの両端辺の外側の影響が出るから基準露光量の（１．
０４）倍の露光量でショットする。
【００４４】箇所６０Ｅは、端辺３６Ｘもしくは端辺３
６Ｙに隣接してかつ他方の端辺の外側の影響も出るから
基準露光量の（１．２０）倍の露光量でショットする。
６Ｙに隣接してかつ他方の端辺の外側の影響も出るから
基準露光量の（１．２０）倍の露光量でショットする。
【００４５】角部（コーナー）に位置する箇所６０Ｆ
は、端辺３６Ｘおよび端辺３６Ｙ両端辺に隣接して２つ
の側に他のショットが行われないから基準露光量の
（１．３８）倍の露光量と最大の露光量（電荷電子密
度）でショットする。
は、端辺３６Ｘおよび端辺３６Ｙ両端辺に隣接して２つ
の側に他のショットが行われないから基準露光量の
（１．３８）倍の露光量と最大の露光量（電荷電子密
度）でショットする。
【００４６】このように各箇所で露光量を変化さえるこ
とにより、レジストに蓄積される蓄積電子エネルギー、
すなわち蓄積電子エネルギー強度は領域３１内で一様に
なり、したがって近接効果補正によりレジストの潜像パ
ターン２４Ｅは領域３１内で一様の幅になり、全領域で
同一形状のレジストパターンとなる。
とにより、レジストに蓄積される蓄積電子エネルギー、
すなわち蓄積電子エネルギー強度は領域３１内で一様に
なり、したがって近接効果補正によりレジストの潜像パ
ターン２４Ｅは領域３１内で一様の幅になり、全領域で
同一形状のレジストパターンとなる。
【００４７】図１の方向１００における端辺３６Ｙから
の距離と蓄積された蓄積電子エネルギー強度との関係を
図２に示す。この図２は、Ｌ（ライン：図１の潜像２４
Ｅの幅）が０．２μｍで、Ｓ（スペース：Ｌ間の間隔）
が０．２μｍの場合に第（１）式を用いて計算した結果
である。
の距離と蓄積された蓄積電子エネルギー強度との関係を
図２に示す。この図２は、Ｌ（ライン：図１の潜像２４
Ｅの幅）が０．２μｍで、Ｓ（スペース：Ｌ間の間隔）
が０．２μｍの場合に第（１）式を用いて計算した結果
である。
【００４８】図２において、実線２００が図１、図２の
ように内部から端辺３６に向って２ステップ（２ショッ
ト）露光量を増加させて蓄積電子エネルギー強度を補正
した本発明の実施例の場合であり、点線４００は領域の
各箇所を同一の露光量でショットして蓄積電子エネルギ
ー強度を補正しない従来技術の場合である。また、一点
鎖線は端辺３６Ｙおよび端辺３６Ｘより１５μｍ以上離
間して内部に入った箇所で周囲のパターンから受ける影
響は同一となって飽和した蓄積電子エネルギー強度の値
を示す。
ように内部から端辺３６に向って２ステップ（２ショッ
ト）露光量を増加させて蓄積電子エネルギー強度を補正
した本発明の実施例の場合であり、点線４００は領域の
各箇所を同一の露光量でショットして蓄積電子エネルギ
ー強度を補正しない従来技術の場合である。また、一点
鎖線は端辺３６Ｙおよび端辺３６Ｘより１５μｍ以上離
間して内部に入った箇所で周囲のパターンから受ける影
響は同一となって飽和した蓄積電子エネルギー強度の値
を示す。
【００４９】図２の点線４００から明らかのように、各
箇所を同一の露光量でショットすると端辺に向って急激
に蓄積電子エネルギー強度が低下しその変化が大きくな
るから、近接効果によりレジストパターンが端辺近傍と
中央部とで大きく異なり、これにより線幅が大きく異な
った潜像となる。したがってこのレジストを現像して得
られたレジストパターンをマスクにして、例えばワード
線を形成すると、線幅がたがいに大きく異なったワ−ド
線がセル部内を分布することになり特性がワ−ド線ごと
に異なるメモリ装置となってしまう。
箇所を同一の露光量でショットすると端辺に向って急激
に蓄積電子エネルギー強度が低下しその変化が大きくな
るから、近接効果によりレジストパターンが端辺近傍と
中央部とで大きく異なり、これにより線幅が大きく異な
った潜像となる。したがってこのレジストを現像して得
られたレジストパターンをマスクにして、例えばワード
線を形成すると、線幅がたがいに大きく異なったワ−ド
線がセル部内を分布することになり特性がワ−ド線ごと
に異なるメモリ装置となってしまう。
【００５０】これに対して本発明の実施例では図２の実
線２００から明らかのように、蓄積電子エネルギー強度
の変化が従来の約半分となるから、レジストパターンを
各箇所で略同じにすることができ、これにより線幅の変
化が小のワ−ド線がセル部内を分布することになりワ−
ド線ごとに特性が実質的に異ならないメモリ装置とな
る。
線２００から明らかのように、蓄積電子エネルギー強度
の変化が従来の約半分となるから、レジストパターンを
各箇所で略同じにすることができ、これにより線幅の変
化が小のワ−ド線がセル部内を分布することになりワ−
ド線ごとに特性が実質的に異ならないメモリ装置とな
る。
【００５１】図３は端辺３６Ｙから４μｍ〜６μｍの蓄
積電子エネルギー強度の微細な分布を求め、パターン幅
を確認したシミュレーションの結果を示すものである。
一点鎖線が現像後に解像される臨界値とすると、図１の
潜像２４Ｅの幅（ラインＬ）が０．２μｍでその間隔
（スペースＳ）が０．２μｍの潜像パターンが、本発明
の近接効果補正を行なった場合に、端辺３６Ｙ近傍のレ
ジストに形成できていることが確認できる。
積電子エネルギー強度の微細な分布を求め、パターン幅
を確認したシミュレーションの結果を示すものである。
一点鎖線が現像後に解像される臨界値とすると、図１の
潜像２４Ｅの幅（ラインＬ）が０．２μｍでその間隔
（スペースＳ）が０．２μｍの潜像パターンが、本発明
の近接効果補正を行なった場合に、端辺３６Ｙ近傍のレ
ジストに形成できていることが確認できる。
【００５２】このような本発明の方法は、メモリ装置の
セル部において繰り返しパターンとなるワード線やビッ
ト線やメモリセルの形成の際に用いることができる。
セル部において繰り返しパターンとなるワード線やビッ
ト線やメモリセルの形成の際に用いることができる。
【００５３】図４はＤＲＡＭチップ３０の概略を示す平
面図であり、Ｙ方向に延在する一対の境界３６ＹとＸ方
向に延在する一対の境界３６Ｘに囲まれたセル部３１に
は多数のワード線３３が形成され、このワード線３３に
結合した多数のメモリセル３４がマトリックス状に配列
形成しており、その周辺の周辺部３２にはトランジスタ
３５等を有するアドレス回路等の周辺回路が形成されて
いる。
面図であり、Ｙ方向に延在する一対の境界３６ＹとＸ方
向に延在する一対の境界３６Ｘに囲まれたセル部３１に
は多数のワード線３３が形成され、このワード線３３に
結合した多数のメモリセル３４がマトリックス状に配列
形成しており、その周辺の周辺部３２にはトランジスタ
３５等を有するアドレス回路等の周辺回路が形成されて
いる。
【００５４】そして一枚の半導体ウエハから多数のＤＲ
ＡＭチップが電子ビーム露光等のプロセスにより形成さ
れるが、この電子ビーム露光を行う場合、同一のパター
ンが繰り返し現われるセル部３１は図形一括方式で描画
を行い、ランダムパターンで構成される周辺部３２は可
変成形方式で描画する。
ＡＭチップが電子ビーム露光等のプロセスにより形成さ
れるが、この電子ビーム露光を行う場合、同一のパター
ンが繰り返し現われるセル部３１は図形一括方式で描画
を行い、ランダムパターンで構成される周辺部３２は可
変成形方式で描画する。
【００５５】例えば、セル部３１のワード線３３はＸ方
向に同一パターンの繰り返しであるから、ワード線３３
を形成する際のマスクとなるレジストパターンの形成の
ための電子ビーム露光は図形一括方式で描画する。
向に同一パターンの繰り返しであるから、ワード線３３
を形成する際のマスクとなるレジストパターンの形成の
ための電子ビーム露光は図形一括方式で描画する。
【００５６】図４のワード線を形成する際のマスクとな
るレジストパターンを形成するために図１乃至図３で示
した本発明の露光方法を用いる。
るレジストパターンを形成するために図１乃至図３で示
した本発明の露光方法を用いる。
【００５７】図５はその例を示す図であり、（Ａ）は平
面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ部の断面図である。なお
図５において図１と同一もしくは類似の箇所は同一の符
号で示してあるから重複する説明は省略する。
面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ部の断面図である。なお
図５において図１と同一もしくは類似の箇所は同一の符
号で示してあるから重複する説明は省略する。
【００５８】図１（Ｂ）を参照して、シリコン基板２１
の主面に設けられた絶縁層２２上にワード線の材料とな
る導体膜２３が堆積され、その上にネガ型のレジスト２
４が膜厚０．７μｍで塗布形成されている。このレジス
ト２４は、ベース樹脂、酸発生剤、溶剤を有する化学増
幅型ネガレジストである。
の主面に設けられた絶縁層２２上にワード線の材料とな
る導体膜２３が堆積され、その上にネガ型のレジスト２
４が膜厚０．７μｍで塗布形成されている。このレジス
ト２４は、ベース樹脂、酸発生剤、溶剤を有する化学増
幅型ネガレジストである。
【００５９】ワード線を形成するためにレジスト２３を
点線で囲った箇所６０ごとに、図１で説明した方法によ
り１ショット（１露光動作）で複数本の潜像２４Ｅが形
成される図形一括電子ビーム露光を行いレジスト２４に
潜像２４Ｅを形成し、現像により潜像２４Ｅの部分が残
ったレジストパターンを形成し、これをマスクとして導
体膜２３を選択的にエッチング除去してワード線３３
（図４）を形成する。
点線で囲った箇所６０ごとに、図１で説明した方法によ
り１ショット（１露光動作）で複数本の潜像２４Ｅが形
成される図形一括電子ビーム露光を行いレジスト２４に
潜像２４Ｅを形成し、現像により潜像２４Ｅの部分が残
ったレジストパターンを形成し、これをマスクとして導
体膜２３を選択的にエッチング除去してワード線３３
（図４）を形成する。
【００６０】これによりセル部３１のワード線３３は全
域にわたって一様の幅寸法で形成される。
域にわたって一様の幅寸法で形成される。
【００６１】次に図６を参照して本発明の実施例に用い
る電子ビーム露光装置を説明する。電子銃６を発した電
子ビーム５０はブランキング電極７、第１アパーチャ−
８、成形レンズ９、成形偏向器１０、第２アパーチャ−
１１、縮小レンズ１２、主偏向器１３、副偏向器１４、
投影レンズ１５を通ってステージの試料台１７上の半導
体ウエハ１６上に照射する。
る電子ビーム露光装置を説明する。電子銃６を発した電
子ビーム５０はブランキング電極７、第１アパーチャ−
８、成形レンズ９、成形偏向器１０、第２アパーチャ−
１１、縮小レンズ１２、主偏向器１３、副偏向器１４、
投影レンズ１５を通ってステージの試料台１７上の半導
体ウエハ１６上に照射する。
【００６２】ブランキング電極７は、ステージ移動時や
偏向待ち時間等において露光を行わない時にここに電圧
を印加して半導体ウエハに電子ビームが照射しないよう
にする機能を有する。成形レンズ９は、第１アパ−チャ
８を通過後の電子ビームを収束させる機能を有する。成
形偏向器１０は、第１アパ−チャ８を通過する際に４角
形状になった電子ビームを第２アパーチャ１１上に照射
される位置を選択する機能を有する。縮小レンズ１２
は、第１アパーチャ８および第２アパーチャ１１を通過
した電子ビ−ムを縮小して半導体ウエハに照射する機能
を有する。主偏向器１３は、第１および第２アパーチャ
８，１１を通過した電子ビ−ムが照射される半導体ウエ
ハの大まかな位置を選択する機能を有する。副偏向器１
４は、主偏向器１３で選択した半導体ウエハの領域内の
さらに細かな位置を選択する機能を有する。投影レンズ
１５は、最終的に照射される電子ビームを収束させる機
能を有する。
偏向待ち時間等において露光を行わない時にここに電圧
を印加して半導体ウエハに電子ビームが照射しないよう
にする機能を有する。成形レンズ９は、第１アパ−チャ
８を通過後の電子ビームを収束させる機能を有する。成
形偏向器１０は、第１アパ−チャ８を通過する際に４角
形状になった電子ビームを第２アパーチャ１１上に照射
される位置を選択する機能を有する。縮小レンズ１２
は、第１アパーチャ８および第２アパーチャ１１を通過
した電子ビ−ムを縮小して半導体ウエハに照射する機能
を有する。主偏向器１３は、第１および第２アパーチャ
８，１１を通過した電子ビ−ムが照射される半導体ウエ
ハの大まかな位置を選択する機能を有する。副偏向器１
４は、主偏向器１３で選択した半導体ウエハの領域内の
さらに細かな位置を選択する機能を有する。投影レンズ
１５は、最終的に照射される電子ビームを収束させる機
能を有する。
【００６３】第１アパチャ−８には四角の開口８Ａが形
成されており、ここを通過した電子ビ−ム５０Ａが四角
の形状（断面形状）となる。
成されており、ここを通過した電子ビ−ム５０Ａが四角
の形状（断面形状）となる。
【００６４】第２アパチャ−１１は電子ビームのマスク
機能すなわち一括セルを有している。電子ビームをレジ
ストにショットするごとにこのマスク機能のパターンの
潜像パターンをレジストに形成するために、この実施例
では潜像２４Ｅに対応する複数の開口１１Ａが潜像２４
Ｅの間隔に対応した間隔１１Ｂを保って形成されてい
る。
機能すなわち一括セルを有している。電子ビームをレジ
ストにショットするごとにこのマスク機能のパターンの
潜像パターンをレジストに形成するために、この実施例
では潜像２４Ｅに対応する複数の開口１１Ａが潜像２４
Ｅの間隔に対応した間隔１１Ｂを保って形成されてい
る。
【００６５】第１アパチャ−８により四角の形状となっ
た電子ビーム５０Ａがこの第２アパチャ−１１を通過す
ると、開口１１Ａと間隔１１Ｂと同じ断面の電子ビーム
１１Ｂとなって半導体ウエハのレジストをショット（照
射）する。
た電子ビーム５０Ａがこの第２アパチャ−１１を通過す
ると、開口１１Ａと間隔１１Ｂと同じ断面の電子ビーム
１１Ｂとなって半導体ウエハのレジストをショット（照
射）する。
【００６６】本発明の実施例において、データ変換装置
１８からの出力をもとに計算装置１９で最適な部分一括
ショットサイズと露光量を算出し、そのデータをブラン
キング電極７と成形偏向器１０に送り、計算で得られた
条件でショット露光を行う。すなわち上記実施例のよう
に同じショットサイズで露光量を変更させる場合は、ブ
ランキング電極７により照射時間（ショット時間）だけ
をかえる。一方、次に説明する実施例のようにショット
サイズを変更しまた露光量も変更する場合は、成形偏向
器１０で電子ビーム５０Ｂの第２アパチャ１１との重な
り具合をかえてショットサイズを変更し、ブランキング
電極７により照射時間（ショット時間）をかえる。
１８からの出力をもとに計算装置１９で最適な部分一括
ショットサイズと露光量を算出し、そのデータをブラン
キング電極７と成形偏向器１０に送り、計算で得られた
条件でショット露光を行う。すなわち上記実施例のよう
に同じショットサイズで露光量を変更させる場合は、ブ
ランキング電極７により照射時間（ショット時間）だけ
をかえる。一方、次に説明する実施例のようにショット
サイズを変更しまた露光量も変更する場合は、成形偏向
器１０で電子ビーム５０Ｂの第２アパチャ１１との重な
り具合をかえてショットサイズを変更し、ブランキング
電極７により照射時間（ショット時間）をかえる。
【００６７】次に図７および図８を参照して本発明の他
の実施例を説明する。尚、図７および図８において図１
および図２と同一もしくは類似の箇所は同じ符号や同じ
表現で示してあるから重複する説明は省略する。
の実施例を説明する。尚、図７および図８において図１
および図２と同一もしくは類似の箇所は同じ符号や同じ
表現で示してあるから重複する説明は省略する。
【００６８】図７において、端辺３６Ｙに隣接するショ
ットのＸ方向の寸法を図１の半分の２．５μｍにしてあ
る。そして一番端辺側の２．５μｍ×５．０μｍの箇所
６０Ｈには、箇所６０Ａにおける基準露光量の（１．２
０）倍の露光量でショットを行い、その内側の２．５μ
ｍ×５．０μｍの箇所６０Ｇには、箇所６０Ａにおける
基準露光量の（１．１５）倍の露光量でショットを行
う。
ットのＸ方向の寸法を図１の半分の２．５μｍにしてあ
る。そして一番端辺側の２．５μｍ×５．０μｍの箇所
６０Ｈには、箇所６０Ａにおける基準露光量の（１．２
０）倍の露光量でショットを行い、その内側の２．５μ
ｍ×５．０μｍの箇所６０Ｇには、箇所６０Ａにおける
基準露光量の（１．１５）倍の露光量でショットを行
う。
【００６９】このように端辺近傍を細分割して露光量の
制御を行うと、図７の方向１００における端辺３６Ｙか
らの距離と蓄積された蓄積電子エネルギー強度との関係
は図８の実線３００で示すように、蓄積電子エネルギー
強度の領域内の変化が図２の実線２００で示す実施例の
変化よりさらに小となり、近接効果補正によるレジスト
パターンの各箇所での同一性がさらに顕著なものとな
り、例えばワード線ごとの特性の均一性がさらに促進さ
れる。尚、図８の点線４００は各箇所を同一の露光量で
ショットして蓄積電子エネルギー強度を補正しない従来
技術の場合で、図２の点線４００と同じものである。
制御を行うと、図７の方向１００における端辺３６Ｙか
らの距離と蓄積された蓄積電子エネルギー強度との関係
は図８の実線３００で示すように、蓄積電子エネルギー
強度の領域内の変化が図２の実線２００で示す実施例の
変化よりさらに小となり、近接効果補正によるレジスト
パターンの各箇所での同一性がさらに顕著なものとな
り、例えばワード線ごとの特性の均一性がさらに促進さ
れる。尚、図８の点線４００は各箇所を同一の露光量で
ショットして蓄積電子エネルギー強度を補正しない従来
技術の場合で、図２の点線４００と同じものである。
【００７０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の図形一括電
子ビーム露光方法によれば、同一パターンを繰り返し露
光する領域の端辺近傍部と内方の中央部とのレジスト内
に蓄積される蓄積電子エネルギー強度の差が小となり、
このように近接効果の補正を行うことによりパターン形
状が両部で等しくなるようにすることができるから、こ
の領域の全域にわたって均一の設計パターンを得ること
ができる。したがって繰り返しパターンを有するメモリ
装置のセル部の形成に本発明を用いれば、ワード線、ビ
ット線、メモリセルがセル部の全域にわたって均一に設
けられるから信頼性、特性が向上したメモリ装置が能率
的な方法で製造できることになる。さらに本発明では端
辺近傍部と中央部とでマスク手段である第２アパチャ−
（一括セル）をそれぞれ製作したり露光工程で取り換え
たりする必要はなく、またそのために新たな制御手段を
用いる必要もないから、費用の増加や工程の増加を伴わ
ないで微細パターンの形成が可能になる。
子ビーム露光方法によれば、同一パターンを繰り返し露
光する領域の端辺近傍部と内方の中央部とのレジスト内
に蓄積される蓄積電子エネルギー強度の差が小となり、
このように近接効果の補正を行うことによりパターン形
状が両部で等しくなるようにすることができるから、こ
の領域の全域にわたって均一の設計パターンを得ること
ができる。したがって繰り返しパターンを有するメモリ
装置のセル部の形成に本発明を用いれば、ワード線、ビ
ット線、メモリセルがセル部の全域にわたって均一に設
けられるから信頼性、特性が向上したメモリ装置が能率
的な方法で製造できることになる。さらに本発明では端
辺近傍部と中央部とでマスク手段である第２アパチャ−
（一括セル）をそれぞれ製作したり露光工程で取り換え
たりする必要はなく、またそのために新たな制御手段を
用いる必要もないから、費用の増加や工程の増加を伴わ
ないで微細パターンの形成が可能になる。
【図１】本発明の一実施例のおける図形一括電子ビーム
露光方法の平面図であり、各ショット間の相対的露光量
を示している。
露光方法の平面図であり、各ショット間の相対的露光量
を示している。
【図２】端辺からの距離と蓄積電子エネルギー強度との
関係を示す図であり、実線は図１の本発明の一実施例の
場合、点線は従来技術の場合である。
関係を示す図であり、実線は図１の本発明の一実施例の
場合、点線は従来技術の場合である。
【図３】本発明の一実施例におけるパターンレベルの蓄
積電子エネルギー強度を示す図である。
積電子エネルギー強度を示す図である。
【図４】本発明の実施例を用いることができるＤＲＡＭ
チップを示す平面図である。
チップを示す平面図である。
【図５】半導体基板上の導体膜のパターニングのリソグ
ラフィに図１の実施例を用いた場合を示す図であり、
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ部の断面図で
ある。
ラフィに図１の実施例を用いた場合を示す図であり、
（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ部の断面図で
ある。
【図６】本発明の実施例に用いる電子ビーム露光装置を
説明する図である。
説明する図である。
【図７】本発明の他の実施例における各ショット間の相
対的露光量を示す平面図である。
対的露光量を示す平面図である。
【図８】端辺からの距離と電子線強度との関係を示す図
であり、実線は図７の本発明の他の実施例の場合、点線
は従来技術の場合である。
であり、実線は図７の本発明の他の実施例の場合、点線
は従来技術の場合である。
【図９】従来技術の可変成形型の電子ビーム露光方法を
説明するために示した電子ビーム露光装置の概略図であ
る。
説明するために示した電子ビーム露光装置の概略図であ
る。
【図１０】従来技術の図形一括描画方式の電子ビーム露
光方法を説明するために示した電子ビーム露光装置の概
略図である。
光方法を説明するために示した電子ビーム露光装置の概
略図である。
【図１１】ＤＲＡＭチップを示す平面図である。
【図１２】近接効果によるレジスト内の潜像を示す断面
図であり、（Ａ）がパターン密度が高い箇所の場合、
（Ｂ）がパターン密度が低い箇所の場合である。
図であり、（Ａ）がパターン密度が高い箇所の場合、
（Ｂ）がパターン密度が低い箇所の場合である。
【図１３】近接効果による配線層を示す断面図であり、
（Ａ）がパターン密度が高い箇所の場合、（Ｂ）がパタ
ーン密度が低い箇所の場合である。
（Ａ）がパターン密度が高い箇所の場合、（Ｂ）がパタ
ーン密度が低い箇所の場合である。
６ 電子銃 ７ ブランキング電極 ８ 第１アパ−チャ ９ 成形レンズ １０ 成形偏向器 １１ 第２アパ−チャ １２ 縮小レンズ １３ 主偏向器 １４ 副偏向器 １５ 投影レンズ １６ 半導体ウエハ １７ 試料台 ２１ シリコン基板 ２２ 絶縁層 ２３ 導電膜 ２４ レジスト ２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｅ レジスト内の潜像 ３０ ＤＲＡＭチップ ３１ セル部 ３２ 周辺部 ３３ ワード線 ３４ メモリセル ３５ 周辺回路のトランジスタ ３６Ｘ Ｘ方向に延在する境界 ３６Ｙ Ｙ方向に延在する境界 ５０，５０Ａ，５０Ｂ 電子ビーム ５１，５２ １ショット内に近接するパターン ６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃ，６０Ｄ，６０Ｅ，６０Ｆ，６
０Ｇ，６０Ｈ １ショットで露光される箇所 １００ 蓄積電子エネルギー強度の分布を示す方向 ２００，３００ 本発明の蓄積電子エネルギー強度曲
線 ４００ 従来技術の蓄積電子エネルギー強度曲線
０Ｇ，６０Ｈ １ショットで露光される箇所 １００ 蓄積電子エネルギー強度の分布を示す方向 ２００，３００ 本発明の蓄積電子エネルギー強度曲
線 ４００ 従来技術の蓄積電子エネルギー強度曲線
Claims (6)
- 【請求項１】 電子光学系にパターンが形成されたマス
ク機能を設け、電子ビームをレジストにショットするご
とに前記マスク機能のパターンに対応する潜像パターン
をレジストに形成する図形一括描画方式により、レジス
トの一領域に同一の潜像パターンを繰り返し形成する電
子ビームの露光方法において、前記領域の端辺より離間
した箇所を電子ビームでショットする露光量より前記端
辺近傍の箇所を電子ビームでショットする露光量を多く
したことを特徴とする電子ビームの露光方法。 - 【請求項２】 前記領域において各ショットする面積は
同一であることを特徴とする請求項１記載の電子ビーム
の露光方法。 - 【請求項３】 前記端辺近傍の箇所をショットする面積
は、前記端辺から離間した箇所をショットする面積より
小であることを特徴とする請求項１記載の電子ビームの
露光方法。 - 【請求項４】 前記領域は半導体メモリのメモリセルが
多数形成されるセル部であり、前記端辺は周辺回路が形
成される周辺部と前記セル部との境界であることを特徴
とする請求項１記載の電子ビームの露光方法。 - 【請求項５】 前記端辺は第１の方向に延在する第１の
端辺と前記第１の方向と直角の第２の方向に延在する第
２の端辺とを有し、前記第１および第２の端辺のそれぞ
れから３ショット以上離間した箇所は同一の露光量でシ
ョットして露光し、それより前記第１および第２の端辺
に向って露光量を順次増加させてショットすることを特
徴とする請求項１、請求項２または請求項３記載の電子
ビームの露光方法。 - 【請求項６】 前記第１の端辺と前記第２の端辺が直角
に接続して内角を構成した箇所を一番多い露光量でショ
ットすることを特徴とする請求項５記載の電子ビームの
露光方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6110646A JP2647000B2 (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | 電子ビームの露光方法 |
| TW084105275A TW267243B (ja) | 1994-05-25 | 1995-05-25 | |
| US08/451,076 US5563419A (en) | 1994-05-25 | 1995-05-25 | Electron beam exposure system capable of correcting proximity effect |
| KR1019950013223A KR0148647B1 (ko) | 1994-05-25 | 1995-05-25 | 근접 효과를 보정할 수 있는 전자빔 노광시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6110646A JP2647000B2 (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | 電子ビームの露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07321011A true JPH07321011A (ja) | 1995-12-08 |
| JP2647000B2 JP2647000B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=14540973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6110646A Expired - Lifetime JP2647000B2 (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | 電子ビームの露光方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5563419A (ja) |
| JP (1) | JP2647000B2 (ja) |
| KR (1) | KR0148647B1 (ja) |
| TW (1) | TW267243B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100459697B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-12-04 | 삼성전자주식회사 | 가변적인 후방 산란 계수를 이용하는 전자빔 노광 방법 및이를 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록 매체 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6730305B1 (en) * | 2000-05-08 | 2004-05-04 | The Uab Research Foundation | Nucleotide sequences encoding bovine respiratory syncytial virus immunogenic proteins |
| JP3348586B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2002-11-20 | ソニー株式会社 | 電子線リソグラフィ技術における近接効果補正法 |
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1994
- 1994-05-25 JP JP6110646A patent/JP2647000B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-05-25 US US08/451,076 patent/US5563419A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-05-25 KR KR1019950013223A patent/KR0148647B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1995-05-25 TW TW084105275A patent/TW267243B/zh active
Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW267243B (ja) | 1996-01-01 |
| KR0148647B1 (ko) | 1998-11-02 |
| JP2647000B2 (ja) | 1997-08-27 |
| US5563419A (en) | 1996-10-08 |
| KR950033698A (ko) | 1995-12-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970408 |