JPH0521522A - 半導体チツプ実装方法 - Google Patents
半導体チツプ実装方法Info
- Publication number
- JPH0521522A JPH0521522A JP3175265A JP17526591A JPH0521522A JP H0521522 A JPH0521522 A JP H0521522A JP 3175265 A JP3175265 A JP 3175265A JP 17526591 A JP17526591 A JP 17526591A JP H0521522 A JPH0521522 A JP H0521522A
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- JP
- Japan
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- semiconductor chip
- circuit pattern
- substrate
- conductive
- insulating resin
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】低温処理ができ、且つ低コストな半導体チップ
実装方法を提供する。 【構成】配線板基材１上に導電性インクの印刷による回
路パターン２を形成し、この上にバンプ電極４を有する
半導体チップ３の位置合わせを行った後、加熱，加圧処
理により、バンプ電極４を回路パターン２に接続すると
ともに、半導体チップ３の底面と基板表面間を絶縁性樹
脂でモールドする。
実装方法を提供する。 【構成】配線板基材１上に導電性インクの印刷による回
路パターン２を形成し、この上にバンプ電極４を有する
半導体チップ３の位置合わせを行った後、加熱，加圧処
理により、バンプ電極４を回路パターン２に接続すると
ともに、半導体チップ３の底面と基板表面間を絶縁性樹
脂でモールドする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩチップ等の半導
体チップを回路基板上に実装する方法に関する。
体チップを回路基板上に実装する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップ、特にベアーチップＬＳＩ
の実装方法は、従来、フィルム基板または硬質基板上に
金属箔をラミネートしてエッチング法によりベアーチッ
プＬＳＩの電極に適合した回路パターンを形成し、この
上に、ワイヤボンディング方式（図５参照）や、ＴＡＢ
（ＴＡＰＥ ＡＵＴＯＭＡＴＥＤ ＢＯＮＤＩＮＧ）方
式（図６参照）によって半導体チップのボンディングが
行われていた。図５に示すワイヤボンディング方式は、
エッチングにより形成され金メッキされた基板電極１０
と半導体チップ１１（ベーアチップＬＳＩ）の電極パッ
ド１２を直径３０μ前後の金ワイヤ１３で直接接続する
方式である。また、図６に示すＴＡＢ方式は、フレキシ
ブルなフィルム回路に使用される方式であって、エッチ
ングにより形成され金メッキされたフレキシブル基板電
極１０の先端に基板フィルム１４のないインナーリード
部１５と半導体チップ（ベアーチップＬＳＩ）１１の電
極パッド１２を金属溶融接合する方式である。
の実装方法は、従来、フィルム基板または硬質基板上に
金属箔をラミネートしてエッチング法によりベアーチッ
プＬＳＩの電極に適合した回路パターンを形成し、この
上に、ワイヤボンディング方式（図５参照）や、ＴＡＢ
（ＴＡＰＥ ＡＵＴＯＭＡＴＥＤ ＢＯＮＤＩＮＧ）方
式（図６参照）によって半導体チップのボンディングが
行われていた。図５に示すワイヤボンディング方式は、
エッチングにより形成され金メッキされた基板電極１０
と半導体チップ１１（ベーアチップＬＳＩ）の電極パッ
ド１２を直径３０μ前後の金ワイヤ１３で直接接続する
方式である。また、図６に示すＴＡＢ方式は、フレキシ
ブルなフィルム回路に使用される方式であって、エッチ
ングにより形成され金メッキされたフレキシブル基板電
極１０の先端に基板フィルム１４のないインナーリード
部１５と半導体チップ（ベアーチップＬＳＩ）１１の電
極パッド１２を金属溶融接合する方式である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図５に示すワ
イヤボンディング方式はワイヤ一本一本の接続工程が必
要であり効率が悪いという問題がある。また、ＴＡＢ方
式は金属の溶融接続を行うために、高温に耐えるフィル
ム基材が必要であり、ポリイミド等の高価な材料が必要
である。さらに、両方式とも基板電極回路パターンはエ
ッチングにより作成し、金メッキが必要であるためにコ
スト的に高くなる不都合がある。
イヤボンディング方式はワイヤ一本一本の接続工程が必
要であり効率が悪いという問題がある。また、ＴＡＢ方
式は金属の溶融接続を行うために、高温に耐えるフィル
ム基材が必要であり、ポリイミド等の高価な材料が必要
である。さらに、両方式とも基板電極回路パターンはエ
ッチングにより作成し、金メッキが必要であるためにコ
スト的に高くなる不都合がある。
【０００４】本発明の目的は、低コストで且つ低温処理
で半導体チップを実装することのできる方法を提供する
ことにある。
で半導体チップを実装することのできる方法を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、基材上に導電
性インクの印刷による回路パターンを形成し、この上に
バンプ電極を有する半導体チップを位置合わせ後、加
熱，加圧処理により、前記バンプ電極を前記回路パター
ンに接続するとともに、前記半導体チップ底面と前記基
板表面間を絶縁性樹脂でモールドすることを特徴とする
半導体チップ実装方法。
性インクの印刷による回路パターンを形成し、この上に
バンプ電極を有する半導体チップを位置合わせ後、加
熱，加圧処理により、前記バンプ電極を前記回路パター
ンに接続するとともに、前記半導体チップ底面と前記基
板表面間を絶縁性樹脂でモールドすることを特徴とする
半導体チップ実装方法。
【０００６】
【作用】基材上に導電性インクの印刷による回路パター
ンを形成し、この上に半導体チップが位置合わせされた
後、加熱，加圧処理によって半導体チップのバンプ電極
が回路パターンの所望の位置に接続される。また、半導
体チップの底面と基板表面間は絶縁樹脂でモールド固定
される。導電性インクや絶縁性樹脂は金属の溶融温度に
比較して低い温度で固化する。すなわち、低温実装が可
能である。したがって、基材には高価なポリイミド系樹
脂ではなく、安価なポリエステル系樹脂等が使用でき
る。導電性インクはスクリーン印刷等の公知の手法によ
って印刷されるが、今日では、高細精度の印刷が可能で
ある。
ンを形成し、この上に半導体チップが位置合わせされた
後、加熱，加圧処理によって半導体チップのバンプ電極
が回路パターンの所望の位置に接続される。また、半導
体チップの底面と基板表面間は絶縁樹脂でモールド固定
される。導電性インクや絶縁性樹脂は金属の溶融温度に
比較して低い温度で固化する。すなわち、低温実装が可
能である。したがって、基材には高価なポリイミド系樹
脂ではなく、安価なポリエステル系樹脂等が使用でき
る。導電性インクはスクリーン印刷等の公知の手法によ
って印刷されるが、今日では、高細精度の印刷が可能で
ある。
【０００７】
【実施例】図１は、本発明の方法によって半導体チップ
が実装された時の断面図を示す。
が実装された時の断面図を示す。
【０００８】配線板基材１は、安価なポリエステル系樹
脂で構成され、この上に導電性インキ（導電性ペースト
を含む）で導電性パターン２が形成され、この上に半導
体チップ３が実装されている。半導体チップ３のバンプ
電極４は、上記導電性パターン２の内部に埋め込んだ状
態になっている。５は絶縁性樹脂であり、半導体チップ
３と配線板基材１とをモールドして固定する。
脂で構成され、この上に導電性インキ（導電性ペースト
を含む）で導電性パターン２が形成され、この上に半導
体チップ３が実装されている。半導体チップ３のバンプ
電極４は、上記導電性パターン２の内部に埋め込んだ状
態になっている。５は絶縁性樹脂であり、半導体チップ
３と配線板基材１とをモールドして固定する。
【０００９】図２は、上記バンプ電極４の周囲の拡大図
である。導電性パターン２は図に示すように、接着樹脂
７内に導電性フィラー６を高密度に分散させたものであ
り、この導電性フィラー６によって導電性パターン２が
電気的な導体を構成している。バンプ電極４は導電性パ
ターン２内に埋め込まれることにより、この導電性フィ
ラー６と電気的に接触している。
である。導電性パターン２は図に示すように、接着樹脂
７内に導電性フィラー６を高密度に分散させたものであ
り、この導電性フィラー６によって導電性パターン２が
電気的な導体を構成している。バンプ電極４は導電性パ
ターン２内に埋め込まれることにより、この導電性フィ
ラー６と電気的に接触している。
【００１０】上記配線板基材１に導電性パターン２を形
成する方法について説明する。
成する方法について説明する。
【００１１】導電性パターンは、通常よく使われる印刷
方法によって形成される。この印刷方法の一例であるス
クリーン印刷法は、今日、ファインライン圧膜印刷用の
スクリーンマスクを使用することによって、１００μピ
ッチの精度を出すことが可能である。具体的には、ワイ
ヤー径１５μないし２０μ、オープニング６０％ないし
６５％のスクリーンマスクによって、導電幅３０μない
し５０μ、パターン間５０μ、導電膜圧１０μないし２
０μが可能である。使用する導電性インクとしては、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｐｄ等の５μないし２０μ前後の粉末粒子
を、エポキシ系、ウレタン系、アクリル系等の樹脂で練
り合わせることによって構成できる。この組み合わせ
は、状況に応じて、完全熱硬化タイプ、半熱硬化タイ
プ、熱可塑タイプ、または光硬化タイプ等の特性を持た
せるように決められる。導電性パターン２を印刷した後
は、１００ないし２００度程度の低い温度で十分に硬化
させることができる。
方法によって形成される。この印刷方法の一例であるス
クリーン印刷法は、今日、ファインライン圧膜印刷用の
スクリーンマスクを使用することによって、１００μピ
ッチの精度を出すことが可能である。具体的には、ワイ
ヤー径１５μないし２０μ、オープニング６０％ないし
６５％のスクリーンマスクによって、導電幅３０μない
し５０μ、パターン間５０μ、導電膜圧１０μないし２
０μが可能である。使用する導電性インクとしては、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｐｄ等の５μないし２０μ前後の粉末粒子
を、エポキシ系、ウレタン系、アクリル系等の樹脂で練
り合わせることによって構成できる。この組み合わせ
は、状況に応じて、完全熱硬化タイプ、半熱硬化タイ
プ、熱可塑タイプ、または光硬化タイプ等の特性を持た
せるように決められる。導電性パターン２を印刷した後
は、１００ないし２００度程度の低い温度で十分に硬化
させることができる。
【００１２】次に、上記の導電性インクを使用して基板
上に半導体チップを実装する方法について図３を参照し
て説明する。
上に半導体チップを実装する方法について図３を参照し
て説明する。
【００１３】図３（Ａ）は、導電性インクによりパター
ンニングされた導電性パターン（回路パターン）２と半
導体チップ３のバンプ電極４とを位置合わせした時の状
態を示す。この状態で、図３（Ｂ）に示すように加熱，
加圧ヘッド８により、導電性パターン２へ半導体チップ
３バンプ電極４を押し込み加熱する。この時、導電性イ
ンク内の接着樹脂に熱に反応するものを使用すれば、導
電性パターン２と半導体チップのバンプ電極４とは接着
固定される。また、このときにバンプ電極４と導電性フ
ィラー６とが電気的に接続される（図２参照）。さら
に、図３（Ｃ）では、半導体チップ３底面と配線材基材
１間に絶縁性樹脂５を流し込んで加熱によってモールド
した状態を示している。これによって、半導体チップ３
は基材１に完全に固定される。なお、絶縁性樹脂５は半
導体チップ３のエッジ部にかかっているため、エッジ部
が絶縁されていないベアーチップＬＳＩ等を実装する場
合であっても、このエッジ部が絶縁される。
ンニングされた導電性パターン（回路パターン）２と半
導体チップ３のバンプ電極４とを位置合わせした時の状
態を示す。この状態で、図３（Ｂ）に示すように加熱，
加圧ヘッド８により、導電性パターン２へ半導体チップ
３バンプ電極４を押し込み加熱する。この時、導電性イ
ンク内の接着樹脂に熱に反応するものを使用すれば、導
電性パターン２と半導体チップのバンプ電極４とは接着
固定される。また、このときにバンプ電極４と導電性フ
ィラー６とが電気的に接続される（図２参照）。さら
に、図３（Ｃ）では、半導体チップ３底面と配線材基材
１間に絶縁性樹脂５を流し込んで加熱によってモールド
した状態を示している。これによって、半導体チップ３
は基材１に完全に固定される。なお、絶縁性樹脂５は半
導体チップ３のエッジ部にかかっているため、エッジ部
が絶縁されていないベアーチップＬＳＩ等を実装する場
合であっても、このエッジ部が絶縁される。
【００１４】上記図３に示す工程をさらに簡略する方法
を図４に示す。
を図４に示す。
【００１５】同図（Ａ）に示すように、半導体チップ３
を基材１上に乗せる前に、半導体チップ３の底面に対応
する基材１上に絶縁性樹脂５を適当な量だけ塗布してお
く。
を基材１上に乗せる前に、半導体チップ３の底面に対応
する基材１上に絶縁性樹脂５を適当な量だけ塗布してお
く。
【００１６】次に、半導体チップ３の位置合わせを行い
（同図（Ｂ））、加熱，加圧ヘッド８により加熱，加圧
処理する。これによって、バンプ電極４が導電性パター
ン２内で接着固定されるのと同時に絶縁性樹脂５も加熱
によって固化する。
（同図（Ｂ））、加熱，加圧ヘッド８により加熱，加圧
処理する。これによって、バンプ電極４が導電性パター
ン２内で接着固定されるのと同時に絶縁性樹脂５も加熱
によって固化する。
【００１７】なお、上記絶縁性樹脂５を固化するのに
光，赤外線，紫外線等に反応する硬化樹脂をブレンドす
れば、絶縁性樹脂の硬化を促進することができる。ま
た、この場合、配線板基材１をポリエステル系等の光を
透過する材料にすれば、下側の受けステージ側からも光
を照射することによって硬化を促進させることが可能で
ある。この場合、受けステージ側は石英ガラス等、透明
で、紫外線等を透過するものを使用する必要がある。
光，赤外線，紫外線等に反応する硬化樹脂をブレンドす
れば、絶縁性樹脂の硬化を促進することができる。ま
た、この場合、配線板基材１をポリエステル系等の光を
透過する材料にすれば、下側の受けステージ側からも光
を照射することによって硬化を促進させることが可能で
ある。この場合、受けステージ側は石英ガラス等、透明
で、紫外線等を透過するものを使用する必要がある。
【００１８】
【発明の効果】導電性インクによって回路パターンが形
成されるために、従来のエッチング法による回路パター
ン形成法に比較して大幅に生産性がよくなり低コストと
なる。
成されるために、従来のエッチング法による回路パター
ン形成法に比較して大幅に生産性がよくなり低コストと
なる。
【００１９】バンプ電極の接続が、従来の金属溶融接合
ではなく低温加熱によって実現できるために、基材とし
ては、耐熱性のある高価なポリイミド系樹脂を使用する
必要がなく、安価なポリエステル系樹脂等を使用するこ
とができる。印刷の高細精度化により配線抵抗が多少大
きくなるが、消費電流の小さなＬＳＩ等の半導体チップ
ではほとんど問題なく使用することができる。
ではなく低温加熱によって実現できるために、基材とし
ては、耐熱性のある高価なポリイミド系樹脂を使用する
必要がなく、安価なポリエステル系樹脂等を使用するこ
とができる。印刷の高細精度化により配線抵抗が多少大
きくなるが、消費電流の小さなＬＳＩ等の半導体チップ
ではほとんど問題なく使用することができる。
【図１】本発明の方法によって半導体チップを実装した
時の断面図を示す。
時の断面図を示す。
【図２】上記図１の一部拡大図を示す。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）本発明の実装方法を説明する
図。
図。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）本発明の他の実装方法を説明す
る図。
る図。
【図５】従来のワイヤボンディング方式を説明する図。
【図６】従来のＴＡＢ方式を説明する図。
１−配線材基材 ２−導電性パターン（回路パターン） ３−半導体チップ ４−バンプ電極 ５−絶縁性樹脂
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】基材上に導電性インクの印刷による回路パ
ターンを形成し、この上にバンプ電極を有する半導体チ
ップを位置合わせ後、加熱，加圧処理により、前記バン
プ電極を前記回路パターンに接続するとともに、前記半
導体チップ底面と前記基板表面間を絶縁性樹脂でモール
ドすることを特徴とする半導体チップ実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3175265A JPH0521522A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 半導体チツプ実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3175265A JPH0521522A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 半導体チツプ実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521522A true JPH0521522A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15993132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3175265A Pending JPH0521522A (ja) | 1991-07-16 | 1991-07-16 | 半導体チツプ実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521522A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003060114A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Sony Corp | 半導体装置及び固体撮像装置 |
| JP2005170040A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-30 | Sharp Corp | Ｉｃカード及びその製造方法 |
| KR100608612B1 (ko) * | 1999-07-14 | 2006-08-09 | 삼성전자주식회사 | 캡슐형 반도체 칩 패키지와 그 제조 방법 |
| JP2007042087A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-02-15 | Hitachi Ltd | Ｒｆｉｄタグ及びその製造方法 |
| JP2017510987A (ja) * | 2014-03-06 | 2017-04-13 | タクトテク オーユー | 電子製品を製造するための方法、関連構成、および製品 |
| CN109390244A (zh) * | 2017-08-10 | 2019-02-26 | 艾马克科技公司 | 制造电子装置的方法及藉此制造的电子装置 |
-
1991
- 1991-07-16 JP JP3175265A patent/JPH0521522A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100608612B1 (ko) * | 1999-07-14 | 2006-08-09 | 삼성전자주식회사 | 캡슐형 반도체 칩 패키지와 그 제조 방법 |
| JP2003060114A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Sony Corp | 半導体装置及び固体撮像装置 |
| JP2005170040A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-30 | Sharp Corp | Ｉｃカード及びその製造方法 |
| JP2007042087A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-02-15 | Hitachi Ltd | Ｒｆｉｄタグ及びその製造方法 |
| JP2017510987A (ja) * | 2014-03-06 | 2017-04-13 | タクトテク オーユー | 電子製品を製造するための方法、関連構成、および製品 |
| CN109390244A (zh) * | 2017-08-10 | 2019-02-26 | 艾马克科技公司 | 制造电子装置的方法及藉此制造的电子装置 |
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