JPH07321419A - 半導体レーザ装置及びその作製方法 - Google Patents

半導体レーザ装置及びその作製方法

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JPH07321419A
JPH07321419A JP17070394A JP17070394A JPH07321419A JP H07321419 A JPH07321419 A JP H07321419A JP 17070394 A JP17070394 A JP 17070394A JP 17070394 A JP17070394 A JP 17070394A JP H07321419 A JPH07321419 A JP H07321419A
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laser device
semiconductor laser
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compound semiconductor
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JP17070394A
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Jun Goto
順 後藤
Masayuki Momose
正之 百瀬
Akira Oya
彰 大家
Shinichi Nakatsuka
慎一 中塚
Masahito Uda
雅人 右田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 II−VI族化合物半導体からなる短波長半導体
レーザ装置及びその作成方法を提供する。 【構成】 II−VI族化合物半導体からなる埋込型半導体
レーザ装置において、埋込層９，１０，１１として、そ
のレーザ装置の活性層６よりも低い屈折率を有するII−
VI族化合物を用いる。その埋込層はレーザ装置の活性層
よりも大きな禁制帯幅を有する。また、その埋込層はレ
ーザ装置を成長した基板の格子定数にほぼ格子整合する
組成とし、そして、ｎ型クラッド層４−活性層６−ｐ型
クラッド層７からなるレーザの動作に、影響を及ぼさな
いだけ十分に電気的抵抗の高いものとする。 【効果】 短波長II−VI族化合物半導体レーザの低閾電
流化が可能となり、また、電極の接触抵抗の低減が可能
となり、高信頼性を有するレーザ素子が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ装置に係
り、特に光ディスク、レーザビームプリンターやレーザ
テレビジョンなどの情報処理端末に用いられるII−VI族
化合物半導体からなる短波長半導体レーザ装置及びその
作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のII−VI族化合物半導体を用いた半
導体レーザ装置は、材料としてＺｎＣｄＳＳｅやＺｎＭ
ｇＳＳｅ混晶を用いＧａＡｓ基板上に成長した利得導波
型電極ストライプ構造であった。前者の構造は例えば特
開平３−９１２７０号公報に記載されており、後者のそ
れは例えば特開平５−７５２１７号公報に記載されてい
る。本構造により、ＺｎＣｄＳＳｅ系では約５００ｎ
ｍ、ＺｎＭｇＳＳｅ系では約４５０ｎｍの波長で、低温
連続、または、室温パルス発振が実現されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし本構造では、利
得導波型であるため閾電流が比較的大きい事、ワイドギ
ャップ材料であるため電極材料とのオーミック接触を形
成する事が困難である事、III−Ｖ族化合物半導体を成
長基板として用いているため熱膨張歪が素子中に残留す
る事、ＺｎＭｇＳＳｅ系と比較して伝導制御が容易であ
るＺｎＣｄＳＳｅ系では、クラッド層と活性層のバンド
不連続が大きいレーザ構造を設計するのが困難であり注
入電荷の閉じ込めや光閉じ込めが不十分な事などの問題
点があり、室温連続発振や高信頼動作が困難となってい
る。
【０００４】本発明の目的は、上記の問題点を解決した
II−VI族化合物半導体からなる短波長半導体レーザ装置
及びその作製方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明では、まず閾電流
の低減と信頼性の向上を達成するためII−VI族化合物材
料を用いた埋込型半導体レーザ構造とし、そこに短波長
用の多層反射膜を設ける。具体的には、II−VI族化合物
半導体からなる埋込型半導体レーザ装置において、埋込
層として、そのレーザ装置の活性層よりも低い屈折率を
有するII−VI族化合物を用いる。その埋込層はレーザ装
置の活性層よりも大きな禁制帯幅を有する。また、その
埋込層はレーザ装置を成長した基板の格子定数にほぼ格
子整合する組成とし、そしてｎ型クラッド層−活性層−
ｐ型クラッド層からなるレーザの動作に、影響を及ぼさ
ないだけ十分に電気的抵抗の高いものとする。また埋込
層としては基板表面に対し水平方向で接するクラッド
層、または、活性層と反対の伝導型を有するII−VI族化
合物を用いる。埋込層の形成方法は、II−VI族化合物半
導体上に硫黄原子、または、硫黄原子からなる層を形成
し、そのII−VI族化合物半導体を薄膜形成装置内に導入
した後、硫黄原子、または、硫黄原子からなる層を電磁
波、または、粒子線、または、熱、または、溶液により
適量除去し、その表面上に新たなるII−VI族化合物半導
体、または、III−Ｖ族、IV族、IV−VI族、II−VII族化
合物などの材料を成長、または、堆積させることにより
行う。このときII−VI族化合物半導体上に形成された硫
黄原子、または、硫黄原子からなる層を４００℃以下の
温度で除去し、その表面上に新たなるII−VI族化合物半
導体、または、III−Ｖ族、IV族、IV−VI族、II−VII族
化合物などの材料を成長、または、堆積させる。II−VI
族化合物半導体からなる半導体レーザ装置の共振器端面
に保護膜、または、多層反射膜を目的として形成する材
料としては、活性層の禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を
有するＺｎＳやＭｇＳなどのII−VI族化合物、又は活性
層の禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有するＳｉＯ2や
ＴｉＯ2などのIV−VI族化合物、又は活性層の禁制帯幅
よりも大きな禁制帯幅を有するＭｇＦ2やＣａＦ2などの
II−VII族化合物、又は活性層の禁制帯幅よりも大きな
禁制帯幅を有するＣやＳｉＣｘ、ＳｉＮｘなどのIV族系
化合物を少なくとも１種類以上用いる。
【０００６】さらに、広い禁制帯幅を有するｐ型クラッ
ド層に接触抵抗の小さい電極を形成するために、クラッ
ド層に対して価電子帯側のエネルギー差が小さく、か
つ、比較的狭い禁制帯幅を有するｐ型ＣｄＳＳｅ混晶を
キャップ層として用いる。またこのキャップ層の形成方
法として、クラッド層表面をＣｄ、または、Ｔｅの分子
線などに晒すことにより、容易に傾斜組成の混晶を作製
する。すなわち、II−VI族化合物半導体に対する電極を
形成する場合には、前記II−VI族化合物半導体上にＣｄ
ＳＳｅ混晶を含む層をキャップ層として成長し、その
後、この層上に電極として使用する金属膜を堆積する。
この場合、前記II−VI族化合物半導体を結晶成長装置内
でＣｄ、または、Ｔｅを含む分子線、または、ガスにさ
らした後、この表面上に電極として使用する金属膜を堆
積する。
【０００７】次に、III−Ｖ族化合物であるＧａＡｓ基
板とII−VI族化合物の線膨張係数が大きく異なることに
起因して素子内に生じる歪を低減するために、ヘテロ界
面に歪超格子を導入する。すなわち、ＳｉなどのIV族、
または、ＧａＡｓやＩｎＰなどのIII−Ｖ族化合物半導
体を基板として、II−VI族化合物半導体からなるデバイ
スをエピタキシャル成長する場合は、そのヘテロ界面に
熱伸縮に伴う歪の低減領域としての、少なくとも薄膜の
II−VI族化合物半導体を１層含む歪超格子を導入した構
造とする。
【０００８】さらに、ＺｎＣｄＳＳｅ系レーザ構造で十
分な注入電荷の閉じ込めを実現するために、ｐ型クラッ
ド層にＺｎＳＳｅ層、ｎ型クラッド層にＺｎＣｄＳＳｅ
層を用いる非対称型のダブルへテロ構造を備える。ま
た、このＺｎＣｄＳＳｅ系レーザ構造で十分な光閉じ込
めを行うために、光閉じ込め層として層厚が徐々に変化
する超格子を用いたＧＲＩＮ−ＳＣＨ構造を採用した。
すなわち、ＺｎＭｇＣｄＳＳｅ混晶からなるII−VI族化
合物を用いたダブルへテロ型半導体レーザ装置において
は、基板結晶、または、ヘテロ界面に形成された緩衝層
にほぼ格子整合し、かつ、活性層よりも大きな禁制帯幅
を有するｎ型、ｐ型のクラッド層の混晶組成が各々異な
り、かつ、ｎ型クラッド層は活性層との価電子帯のエネ
ルギー差（ΔＥｖ＝Ｅｖact−Ｅｖclad）が正となり、
かつ、ｐ型クラッド層は活性層との伝導帯のエネルギー
差（ΔＥｃ＝Ｅｃclad−Ｅｃact）が正となるようなク
ラッド層と活性層の組合せからなる構造とする。またII
−VI族化合物半導体を用いたＧＲＩＮ−ＳＣＨ構造の半
導体レーザ装置においては、光ガイド層を超格子により
形成する。
【０００９】
【作用】本発明ではまず、埋込型レーザ構造を形成する
ことにより、有効な電流狭窄が可能となり、また、光の
導波も屈折率導波型となることから、閾電流の低減、お
よび、レーザ光特性の向上が実現できる。この埋込構造
を作製する場合に、埋込層の再成長技術が必要となる
が、メサ構造を形成したII−VI族化合物表面に硫黄処理
を行うことにより、II−VI族化合物の成長温度程度（４
００℃以下）の加熱で清浄表面を得ることが可能とな
る。
【００１０】また、共振器端面に短波長の光を吸収しな
い反射多層膜や保護膜を形成することにより、閾電流の
低減、及び、端面破壊の抑制が実現できる。その場合、
密着性に優れたＺｎＳやＭｇＳ薄膜を採用したり、高屈
折率や劣化しにくいダイヤモンド系（poly−Ｃ，Ｓｉ
Ｃ）薄膜を用いること、さらにこれらの薄膜を形成する
前に端面を硫黄処理することにより高い信頼性が得られ
る。
【００１１】電極の形成に関しては、特に現在の課題と
なっているｐ型結晶に対して、価電子帯側のエネルギ−
差が小さいＣｄＳＳｅ混晶などの材料を採用することに
より、効率的な正孔の注入が可能となる。一方、価電子
帯側のエネルギー差が大きいがｐ型伝導が得られやすい
ＺｎＴｅを用いる場合には、傾斜組成の混晶の作製が必
要となる。本発明を用いることによりこの傾斜組成の混
晶も容易に作製可能となる。
【００１２】次に、代表的な例としてIII−Ｖ族化合物
のＧａＡｓ基板とII−VI族化合物のＺｎＳｅやＺｎＳと
の間には約４０％の熱膨張係数の不整合が存在する。そ
のため、３００℃程度の成長温度でＧａＡｓ基板にＺｎ
ＳＳｅ混晶を格子整合しても、素子を使用する室温で
は、格子歪を生ずる。そこでこの歪を軽減するために、
ヘテロ界面に、例えばＺｎＳｅ−ＺｎＳＳｅ歪超格子を
導入することにより基板の伸縮の影響が素子に伝わるこ
とを抑制でき、半導体レーザの信頼性が向上する。
【００１３】また、ＺｎＣｄＳＳｅ系の半導体レーザ
で、混晶組成の異なるクラッド層を採用することによ
り、基板に対し格子整合を取り、かつ、有効に注入電荷
の閉じ込めが可能となる。例えば、ｐ型クラッド層とし
てＺｎＳＳｅ混晶、活性層としてＺｎＣｄＳｅ混晶、ｎ
型クラッド層としてＺｎＣｄＳＳｅ混晶を用いた場合、
電子はＺｎＳＳｅ中に形成された電界によって、正孔は
ＺｎＣｄＳＳｅ中に形成された電界によって閉じ込める
事が可能となる。また光の閉じ込めに関しては、ＺｎＣ
ｄＳＳｅｎ型クラッド層を光ガイド層として用い、ｎ型
のＺｎＣｄＳ混晶をクラッド層とすることにより、非対
称型のＳＣＨ構造が可能となる。
【００１４】一方、現在研究の進められているクラッド
層にＺｎＳＳｅ、活性層にＺｎＣｄＳｅ、光ガイド層に
ＺｎＳｅの構造では、有効に光を閉じ込めるためには、
光ガイド層の膜厚をＺｎＳｅの臨界膜厚以上にする必要
があり、このＺｎＳｅ中の格子欠陥が問題となってい
る。そこでこの光ガイド層としてＺｎＳｅ−ＺｎＳＳｅ
からなる超格子を採用し、その層厚を徐々に変化させる
ことにより、格子欠陥を発生させず、かつ、光閉じ込め
に十分な膜厚が得られ、傾斜組成混晶の作製困難な分子
線エピタキシー法においてもＧＲＩＮ−ＳＣＨ型半導体
素子の作製が容易となる。
【００１５】
【実施例】
（実施例１）本発明の実施例を図１に従い説明する。本
構造は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に分子線エピタキシーに
よりＳｅドープＧａＡｓバッファー層２（n=1E18,0.5μ
m）、ＣｌドープＺｎＳｅ−ＺｎＳ0.2Ｓｅ0.8歪超格子
３（n=5E18,0.5μm)、ＣｌドープＺｎ0.5Ｃｄ0.5Ｓ0.9
Ｓｅ0.1クラッド層４（n=5E18,1.5μm）、ＣｌドープＺ
ｎ0.8Ｃｄ0.2Ｓ0.4Ｓｅ0.6光ガイド層５（n=5E17,0.5μ
m）、アンドープＺｎ0.8Ｃｄ0.2Ｓ0.1Ｓｅ0.9活性層６
(0.01μm)、窒素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9クラッド層７
(p=1E18,1.0μm）、窒素ドープＣｄＳｅキャップ層８
（p=1E19,0.01μm）を順次成長した。
【００１６】次に、この上に真空蒸着法によりＳｉＯ2
膜を形成し、このＳｉＯ2膜を通常のホトリソグラフ技
術を用いて幅約５μｍのストライプ状に形成した。そし
て、この燐酸系のエッチング溶液を用いて深さ約２．５
μｍの逆メサ構造を形成し、その後、（ＮＨ4）2Ｓｘ溶
液に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、再
び分子線エピタキシー装置に搬入した。
【００１７】そして、この試料を３００℃程度に加熱し
て過剰な硫黄を除去し、その上に埋込層として窒素ドー
プＺｎ0.5Ｃｄ0.5Ｓ0.9Ｓｅ0.1ブロック層９(p=1E16,1.
5μm）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9ブロック層１０(n
=1E16,1.0μm)、窒素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9ブロック
層１１(p=1E16,0.5μm）を順次成長した。そして、フッ
酸系エッチング溶液でＳｉＯ2膜を除去した後、真空蒸
着法によりＳｉＯ2膜１２を試料表面に形成した。
【００１８】次に通常のホトリソグラフ技術を用いて、
先程のストライプに合わせて、ＳｉＯ2膜１２に幅約５
μｍのストライプ状の穴を開けた後、（ＮＨ4）2Ｓｘ溶
液に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、真
空蒸着法によりＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ多層電極１３を約１μ
ｍ蒸着した。さらに、厚さ１００μｍに研磨したＧａＡ
ｓ基板の裏面にＡｕＧｅ−Ｎｉ−Ａｕ多層電極１４を蒸
着してから、長さ４００μｍにへき開しレーザ構造とし
た。
【００１９】そしてこれらの素子を（ＮＨ4）2Ｓｘ溶液
に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、その
共振器端面にスパッタ法によりＺｎＳ−ＳｉＯ2多層反
射膜を形成した。
【００２０】本構造のレーザ発振状態でのバンド構造は
図２のようになっている。２６はフェルミ準位である。
ここで、ｐ型半導体層より注入された正孔は、ｐ−ｎ接
合及びＺｎ0.8Ｃｄ0.2Ｓ0.4Ｓｅ0.6光ガイド層とＺｎ
0.8Ｃｄ0.2Ｓ0.1Ｓｅ0.9活性層の接合により価電子帯側
に形成された電気ポテンシャルによって閉じ込められ
る。一方、ｎ型半導体より注入された電子は、ｐ−ｎ接
合及びＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9クラッド層とＺｎ0.8Ｃｄ0.2Ｓ
0.1Ｓｅ0.9活性層の接合により伝導帯側に形成された電
気ポテンシャルが閉じ込め障壁として働き４９０ｎｍで
のレーザ発振が可能となる。
【００２１】（実施例２）本発明の第２の実施例を図３
に従い説明する。本構造は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に分
子線エピタキシーによりＳｅドープＧａＡｓバッファー
層２（n=1E18,0.5μm）、ＣｌドープＺｎＳｅ−ＺｎＳ
0.2Ｓｅ0.8歪超格子３（n=1E18,0.5μm)、ＣｌドープＺ
ｎＳ0.1Ｓｅ0.9クラッド層１５（n=1E18,1.5μm）、Ｃ
ｌドープＺｎＳｅ−Ｚｎ0.8Ｃｄ0.2Ｓｅ超格子光ガイド
層１６（n=5E17,0.5μm）、アンドープＺｎ0.8Ｃｄ0.2
Ｓｅ活性層１７(0.01μm)、窒素ドープＺｎＳｅ−Ｚｎ
0.8Ｃｄ0.2Ｓｅ超格子光ガイド層１８（p=5E17,0.5μ
m）、窒素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9クラッド層７(p=1E1
8,1.5μm）を順次成長した。そして、試料の温度を結晶
の成長温度に保ったまま、Ｔｅの分子線を試料表面に数
十分照射した。この処理により試料表面には、傾斜組成
のｐ型ＺｎＳｅＴｅ混晶が形成された。
【００２２】次に、この上に真空蒸着法によりＳｉＯ2
膜を形成し、このＳｉＯ2膜を通常のホトリソグラフ技
術を用いて幅約５μｍのストライプ状に形成した。そし
て、この燐酸系のエッチング溶液を用いて深さ約３．０
μｍの逆メサ構造を形成し、その後、（ＮＨ4）2Ｓｘ溶
液に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、再
び分子線エピタキシー装置に搬入した。
【００２３】そして、この試料を３００℃程度に加熱し
て過剰な硫黄を除去し、その上に埋込層として窒素ドー
プＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9ブロック層１９(p=1E16,1.0μm）、
ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9ブロック層１０(n=1E16,1.
5μm)、窒素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9ブロック層１１(p=
1E16,0.5μm）を順次成長した。そして、フッ酸系エッ
チング溶液でＳｉＯ2膜を除去した後、真空蒸着法によ
りＳｉＯ2膜１２を試料表面に形成した。
【００２４】次に通常のホトリソグラフ技術を用いて、
先程のストライプに合わせて、ＳｉＯ2膜１２に幅約５
μｍのストライプ状の穴を開けた後、（ＮＨ4）2Ｓｘ溶
液に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、真
空蒸着法によりＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ多層電極１３を約１μ
ｍ蒸着した。さらに、厚さ１００μｍに研磨したＧａＡ
ｓ基板の裏面にＡｕＧｅ−Ｎｉ−Ａｕ多層電極１４を蒸
着してから、長さ４００μｍにへき開しレーザ構造とし
た。
【００２５】そしてこれらの素子を（ＮＨ4）2Ｓｘ溶液
に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、その
共振器端面にプラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮｘ−Ｓｉ
Ｃｘ多層反射膜を形成した。
【００２６】本構造で用いたＺｎＳｅ−Ｚｎ0.8Ｃｄ0.2
Ｓｅ超格子光ガイド層は、図４に示すとおりである。こ
こで、２７はＺｎＳｅ、２８はＺｎ0.8Ｃｄ0.2Ｓｅ、２
９は見かけの伝導帯下端、３０は見かけの価電子帯上端
である。図のように層厚が逐次変化する構造とすること
により傾斜組成の混晶と同等に扱うことが可能となり、
本構造のレーザは図５に示すようなバンド構造となる。
２６はフェルミ準位である。この様にＧＲＩＮ−ＳＣＨ
型半導体レーザとする事により、従来問題となっていた
光ガイド層の格子欠陥を排除することが可能となり、素
子の信頼性が向上した。
【００２７】（実施例３）本発明の第３の実施例を図６
に従い説明する。本構造は、ｎ型ＺｎＳｅ基板２０上に
分子線エピタキシーによりＣｌドープＺｎＳｅバッファ
ー層２１（n=1E18,0.5μm）、ＣｌドープＭｇ0.2Ｚｎ
0.8Ｓ0.3Ｓｅ0.7クラッド層３９（n=1E18,1.0μm）、Ｃ
ｌドープＺｎ0.9Ｃｄ0.1Ｓ0.2Ｓｅ0.8光ガイド層３１(n
=5E17,0.5μm）、アンドープＺｎＳｅ活性層２３(0.2μ
m)、窒素ドープＺｎ0.9Ｃｄ0.1Ｓ0.2Ｓｅ0.8光ガイド層
３２(p=5E17,0.5μm）、窒素ドープＭｇ0.2Ｚｎ0.8Ｓ
0.3Ｓｅ0.7クラッド層４０(p=1E18,1.0μm）、窒素ドー
プＣｄＳｅキャップ層８（p=1E19,0.01μm）を順次成長
した。
【００２８】次に、この上に真空蒸着法によりＳｉＯ2
膜を形成し、このＳｉＯ2膜を通常のホトリソグラフ技
術を用いて幅約５μｍのストライプ状に形成した。そし
て、この硫酸系のエッチング溶液を用いて深さ約２．０
μｍの逆メサ構造を形成し、その後、（ＮＨ4）2Ｓｘ溶
液に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、再
び分子線エピタキシー装置に搬入した。
【００２９】そして、この試料を３００℃程度に加熱し
て過剰な硫黄を除去し、その上に埋込層としてアンドー
プＭｇＳ0.9Ｓｅ0.1ブロック層３３(n/p<1E15,2.0μm）
を成長した。そして、フッ酸系エッチング溶液でＳｉＯ
2膜を除去した後、真空蒸着法によりＳｉＯ2膜１２を試
料表面に形成した。
【００３０】次に通常のホトリソグラフ技術を用いて、
先程のストライプに合わせて、ＳｉＯ2膜１２に幅約５
μｍのストライプ状の穴を開けた後、（ＮＨ4）2Ｓｘ溶
液に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、真
空蒸着法によりＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ多層電極１３を約１μ
ｍ蒸着した。さらに、厚さ１００μｍに研磨したＧａＡ
ｓ基板の裏面にＡｕＧａ−Ｎｉ−Ａｕ多層電極２５を蒸
着してから、長さ５００μｍにへき開しレーザ構造とし
た。
【００３１】そしてこれらの素子を（ＮＨ4）2Ｓｘ溶液
に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、その
共振器端面に真空蒸着法を用いてＳｉＯ2−ＴｉＯ2多層
反射膜を形成した。
【００３２】本構造の半導体レーザ素子を作製すること
により、約４５０ｎｍに発振波長を持つ単一縦モードの
青色レーザの室温連続発振が可能となった。
【００３３】（実施例４）本発明の第４の実施例を図７
に従い説明する。本構造は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に分
子線エピタキシーによりＳｅドープＧａＡｓバッファー
層２（n=1E18,0.5μm）、ＣｌドープＺｎＳｅ−ＺｎＳ
0.2Ｓｅ0.8歪超格子３（n=1E18,0.5μm)、ＣｌドープＭ
ｇ0.1Ｚｎ0.9Ｓ0.2Ｓｅ0.8クラッド層２２（n=1E18,1.5
μm）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9光ガイド層３４（n
=5E17,0.3μm）、アンドープＺｎ0.8Ｃｄ0.2Ｓｅ活性層
１７(0.01μm)、窒素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9光ガイド
層３５（p=5E17,0.3μm）、窒素ドープＭｇ0.1Ｚｎ0.9
Ｓ0.2Ｓｅ0.8クラッド層２４(p=1E18,1.0μm）、窒素ド
ープＺｎＳｅキャップ層３８(p=5E18,0.1μm）を順次成
長した。そして、試料の温度を結晶の成長温度に保った
まま、Ｔｅの分子線を試料表面に数十分照射し、引き続
き室温付近まで冷却した。この処理により試料表面に
は、傾斜組成のｐ型ＺｎＳｅＴｅ混晶が形成された。
【００３４】次に、この上にプラズマＣＶＤ法によりＳ
ｉＯ2膜を形成し、このＳｉＯ2膜を通常のホトリソグラ
フ技術を用いて幅約５μｍのストライプ状に形成した。
そして、この硫酸系のエッチング溶液を用いて深さ約２
μｍの逆メサ構造を形成し、その後、（ＮＨ4）2Ｓｘ溶
液に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、有
機金属気相成長法装置に搬入した。
【００３５】そして、この試料を３００℃程度に加熱し
ながら水素ラジカルを照射し、過剰な硫黄を除去し、そ
の上に埋込層として窒素ドープＭｇ0.2Ｚｎ0.8Ｓ0.3Ｓ
ｅ0.7ブロック層３６(p=1E16,1.0μm）、ＣｌドープＭ
ｇ0.2Ｚｎ0.8Ｓ0.3Ｓｅ0.7ブロック層３７(n=1E16,1.0
μm)、窒素ドープＭｇ0.2Ｚｎ0.8Ｓ0.3Ｓｅ0.7ブロック
層４２(p=1E16,0.5μm）を順次成長した。そして、フッ
酸系エッチング溶液でＳｉＯ2膜を除去した後、プラズ
マＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜１２を試料表面に形成し
た。
【００３６】次に通常のホトリソグラフ技術を用いて、
先程のストライプに合わせて、ＳｉＯ2膜１２に幅約５
μｍのストライプ状の穴を開けた後、（ＮＨ4）2Ｓｘ溶
液に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、真
空蒸着法によりＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ多層電極１３を約１μ
ｍ蒸着した。さらに、厚さ１００μｍに研磨したＧａＡ
ｓ基板の裏面にＡｕＧｅ−Ｎｉ−Ａｕ多層電極１４を蒸
着してから、長さ４００μｍにへき開しレーザ構造とし
た。
【００３７】そしてこれらの素子を（ＮＨ4）2Ｓｘ溶液
に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、その
共振器端面にスパッタ法を用いてＣａＦ2−ＳｉＯ2多層
反射膜を形成した。
【００３８】本構造の半導体レーザを作製することによ
り、閾電流値５０ｍＡ、駆動電圧４Ｖ、発振波長５１０
ｎｍという特性を有する単一縦モード青緑レーザの室温
連続発振が可能となった。
【００３９】（実施例５）本発明の第５の実施例を図８
に従い説明する。本構造は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に分
子線エピタキシーによりＳｅドープＧａＡｓバッファー
層２（n=1E18,0.5μm）、ＣｌドープＺｎＳｅ−ＺｎＳ
0.2Ｓｅ0.8歪超格子３（n=1E18,0.5μm)、ＣｌドープＭ
ｇ0.2Ｚｎ0.8Ｓ0.3Ｓｅ0.7クラッド層３９（n=1E18,1.5
μm）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9光ガイド層３４（n
=5E17,0.3μm）、アンドープＺｎＳｅ活性層２３(0.1μ
m)、素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9光ガイド層３５（p=5E1
7,0.3μm）、窒素ドープＭｇ0.2Ｚｎ0.8Ｓ0.3Ｓｅ0.7ク
ラッド層４０(p=1E18,1.0μm）、窒素ドープＺｎＳｅキ
ャップ層３８(p=5E18,0.05μm）を順次成長した。次
に、この上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜を形成
し、このＳｉＯ2膜を通常のホトリソグラフ技術を用い
て幅約５μｍのストライプ状に形成した。そして、この
硫酸系の選択エッチング溶液を用いて深さ約１μｍのメ
サ構造を形成し、その後、（ＮＨ4）2Ｓｘ溶液に数分間
浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、有機金属気相
成長法装置に搬入した。
【００４０】そして、この試料を３００℃程度に加熱し
ながら水素ラジカルを照射し、過剰な硫黄を除去し、そ
の上に埋込層としてＣｌドープＭｇ0.3Ｚｎ0.7Ｓ0.4Ｓ
ｅ0.6ブロック層４１(n=1E16,1.0μm)を順次成長した。
そして、フッ酸系エッチング溶液でＳｉＯ2膜を除去し
た後、（ＮＨ4）2Ｓｘ溶液に数分間浸漬し、アルコール
系溶剤で洗浄した後、再び、分子線エピタキシー装置に
搬入した。
【００４１】そして、この試料を３００℃程度に加熱し
ながら水素ラジカルを照射し、過剰な硫黄を除去し、そ
の上に窒素ドープＺｎＳｅキャップ層３８(p=5E18,0.1
μm)を成長した。そして、試料の温度を結晶の成長温度
に保ったまま、Ｔｅの分子線を試料表面に数十分照射
し、引き続き室温付近まで冷却した。この処理により試
料表面には、傾斜組成のｐ型ＺｎＳｅＴｅ混晶が形成さ
れた。
【００４２】次に、真空蒸着法によりＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ
多層電極１３を約１μｍ蒸着した。さらに、厚さ１００
μｍに研磨したＧａＡｓ基板の裏面にＡｕＧｅ−Ｎｉ−
Ａｕ多層電極１４を蒸着してから、長さ４００μｍにへ
き開しレーザ構造とした。
【００４３】そしてこれらの素子を（ＮＨ4）2Ｓｘ溶液
に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、その
共振器端面にスパッタ法を用いてＺｎＳ−ＳｉＯ2多層
反射膜を形成した。
【００４４】本構造の半導体レーザを作製することによ
り、閾電流値６０ｍＡ、駆動電圧５Ｖ、発振波長４５０
ｎｍという特性を有する単一縦モード青緑レーザの室温
連続発振が可能となった。
【００４５】（実施例６）本発明の第６の実施例を図９
に従い説明する。本構造は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に分
子線エピタキシーによりＳｅドープＧａＡｓバッファー
層２（n=1E18,0.5μm）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9
（５ｎｍ）−Ｚｎ0.7Ｃｄ0.3Ｓ0.1Ｓｅ0.9（５ｎｍ）を
５周期の歪超格子４７（n=1E18,0.03μm)、Ｃｌドープ
Ｍｇ0.1Ｚｎ0.9Ｓ0.2Ｓｅ0.8クラッド層２２(n=1E18,1.
5μm）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9（１０ｎｍ）−Ｚ
ｎ0.7Ｃｄ0.3Ｓ0.1Ｓｅ0.9（３ｎｍ）を７周期繰り返し
た超格子光ガイド層４３(n=5E17,0.1μm）、アンドープ
Ｚｎ0.7Ｃｄ0.3Ｓｅ活性層４４(0.01μm)、窒素ドープ
ＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9（１０ｎｍ）−Ｚｎ0.7Ｃｄ0.3Ｓ0.1
Ｓｅ0.9（３ｎｍ）を７周期繰り返した超格子光ガイド
層４５（p=5E17,0.1μm）、窒素ドープＭｇ0.1Ｚｎ0.9
Ｓ0.2Ｓｅ0.8クラッド層２４(p=1E17,1.0μm）、窒素ド
−プＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9クラッド層窒素ドープ７(p=5E17,
0.5μm）、ＺｎＳｅキャップ層３８(p=1E18,0.1μm）を
順次成長した。そして、試料の温度を結晶の成長温度に
保ったまま、Ｔｅの分子線を試料表面に数十分照射し、
引き続き室温付近まで冷却した。この処理により試料表
面には、傾斜組成のｐ型ＺｎＳｅＴｅ混晶が形成され
た。次に、この上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜
を形成し、このＳｉＯ2膜を通常のホトリソグラフ技術
を用いて幅約５μｍのストライプ状に形成した。そし
て、この臭素系の選択エッチング溶液を用いて深さ約
１．５μｍのメサ構造を形成し、その後、（ＮＨ4）2Ｓ
ｘ溶液に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した
後、有機金属気相成長法装置に搬入した。
【００４６】そして、この試料を３００℃程度に加熱し
ながら水素ラジカルを照射し、過剰な硫黄を除去し、そ
の上に埋込層としてアンドープＭｇ0.2Ｚｎ0.7Ｓ0.3Ｓ
ｅ0.7ブロック層４６(n=1E14,1.5μm)を順次成長した。
次に、この上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜１２
を形成し、このＳｉＯ2膜に通常のホトリソグラフ技術
を用いて幅約５μｍのストライプ状の窓を形成した。
【００４７】次に、真空蒸着法によりＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ
多層電極１３を約１μｍ蒸着した。さらに、厚さ１００
μｍに研磨したＧａＡｓ基板の裏面にＡｕＧｅ−Ｎｉ−
Ａｕ多層電極１４を蒸着してから、長さ１０００μｍに
へき開しレーザ構造とした。
【００４８】そしてこれらの素子を（ＮＨ4）2Ｓｘ溶液
に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、その
共振器端面にスパッタ法を用いてＳｉＮｘ−ＳｉＯ2多
層反射膜を形成した。
【００４９】本構造の半導体レーザを作製することによ
り、閾電流値２ｍＡ、駆動電圧４Ｖ、発振波長５００ｎ
ｍという特性を有する単一縦モード青緑レーザの室温連
続発振が可能となった。
【００５０】（実施例７）本発明の第７の実施例を図１
０に従い説明する。本構造は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に
分子線エピタキシーによりＳｅドープＧａＡｓバッファ
ー層２（n=1E18,0.5μm）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ
0.9（５ｎｍ）−ＺｎＳｅ（５ｎｍ）を５周期の歪超格
子３（n=1E18,0.03μm)、ＣｌドープＭｇ0.1Ｚｎ0.9Ｓ
0.2Ｓｅ0.8クラッド層２２(n=1E18,1.5μm）、Ｃｌドー
プＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9（５ｎｍ）−ＺｎＳｅ（５ｎｍ）を
１０周期繰り返した超格子光ガイド層４８（n=5E17,0.1
μm）、アンドープＺｎ0.7Ｃｄ0.3Ｓｅ活性層４４(0.01
μm)、窒素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9（５ｎｍ）−ＺｎＳ
ｅ（５ｎｍ）を１０周期繰り返した超格子光ガイド層４
９（p=5E17,0.1μm）、窒素ドープＭｇ0.1Ｚｎ0.9Ｓ0.2
Ｓｅ0.8クラッド層２４(p=1E17,1.0μm）、窒素ド−プ
ＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9クラッド層窒素ドープ７(p=5E17,0.5
μm）、ＺｎＳｅキャップ層３８(p=1E18,0.1μm）を順
次成長した。そして、試料の温度を結晶の成長温度に保
ったまま、Ｔｅの分子線を試料表面に数十分照射し、引
き続き室温付近まで冷却した。この処理により試料表面
には、傾斜組成のｐ型ＺｎＳｅＴｅ混晶が形成された。
次に、この上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜を形
成し、このＳｉＯ2膜を通常のホトリソグラフ技術を用
いて幅約５μｍのストライプ状に形成した。そして、こ
の臭素系の選択エッチング溶液を用いて深さ約１．５μ
ｍのメサ構造を形成し、その後、（ＮＨ4）2Ｓｘ溶液に
数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、有機金
属気相成長法装置に搬入した。
【００５１】そして、この試料を３００℃程度に加熱し
ながら水素ラジカルを照射し、過剰な硫黄を除去し、そ
の上に埋込層としてアンドープＭｇ0.2Ｚｎ0.7Ｓ0.3Ｓ
ｅ0.7ブロック層４６(n=1E14,1.5μm)を順次成長した。
次に、この上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜１２
を形成し、このＳｉＯ2膜に通常のホトリソグラフ技術
を用いて幅約５μｍのストライプ状の窓を形成した。
【００５２】次に、真空蒸着法によりＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ
多層電極１３を約１μｍ蒸着した。さらに、厚さ１００
μｍに研磨したＧａＡｓ基板の裏面にＡｕＧｅ−Ｎｉ−
Ａｕ多層電極１４を蒸着してから、長さ１０００μｍに
へき開しレーザ構造とした。
【００５３】そしてこれらの素子を（ＮＨ4）2Ｓｘ溶液
に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、その
共振器端面にスパッタ法を用いてＳｉＮｘ−ＳｉＯ2多
層反射膜を形成した。
【００５４】本構造の半導体レーザを作製することによ
り、閾電流値２ｍＡ、駆動電圧４Ｖ、発振波長５００ｎ
ｍという特性を有する単一縦モード青緑レーザの室温連
続発振が可能となった。
【００５５】（実施例８）本発明の第８の実施例を図１
１に従い説明する。本構造は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に
分子線エピタキシーによりＳｅドープＧａＡｓバッファ
ー層２（n=1E18,0.5μm）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ
0.9クラッド層１５（n=1E18,0.1μm)、ＣｌドープＭｇ
0.1Ｚｎ0.9Ｓ0.2Ｓｅ0.8クラッド層２２(n=1E18,1.5μ
m）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9（１０ｎｍ）−Ｚｎ
0.7Ｃｄ0.3Ｓ0.1Ｓｅ0.9（３ｎｍ）を７周期繰り返した
超格子光ガイド層４３（n=5E17,0.1μm）、Ｃｌドープ
ＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9光ガイド層３４（n=5E17,0.1μm)、ア
ンドープＺｎ0.7Ｃｄ0.3Ｓｅ活性層４４(0.01μm)、窒
素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9光ガイド層３５（p=5E17,0.1
μm)、窒素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9（１０ｎｍ）−Ｚｎ
0.7Ｃｄ0.3Ｓ0.1Ｓｅ0.9（３ｎｍ）を７周期繰り返した
超格子光ガイド層４５（p=5E17,0.1μm）、窒素ドープ
Ｍｇ0.1Ｚｎ0.9Ｓ0.2Ｓｅ0.8クラッド層２４(p=1E17,1.
0μm）、窒素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9クラッド層窒素ド
ープ７(p=5E17,0.5μm）、ＺｎＳｅキャップ層３８(p=1
E18,0.1μm）を順次成長した。そして、試料の温度を結
晶の成長温度に保ったまま、Ｔｅの分子線を試料表面に
数十分照射し、引き続き室温付近まで冷却した。この処
理により試料表面には、傾斜組成のｐ型ＺｎＳｅＴｅ混
晶が形成された。次に、この上にプラズマＣＶＤ法によ
りＳｉＯ2膜を形成し、このＳｉＯ2膜を通常のホトリソ
グラフ技術を用いて幅約５μｍのストライプ状に形成し
た。そして、この臭素系の選択エッチング溶液を用いて
深さ約１．５μｍのメサ構造を形成し、その後、（ＮＨ
4）2Ｓｘ溶液に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄
した後、有機金属気相成長法装置に搬入した。
【００５６】そして、この試料を３００℃程度に加熱し
ながら水素ラジカルを照射し、過剰な硫黄を除去し、そ
の上に埋込層としてアンドープＭｇ0.2Ｚｎ0.7Ｓ0.3Ｓ
ｅ0.7ブロック層４６(n=1E14,1.5μm)を順次成長した。
次に、この上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜１２
を形成し、このＳｉＯ2膜に通常のホトリソグラフ技術
を用いて幅約５μｍのストライプ状の窓を形成した。
【００５７】次に、真空蒸着法によりＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ
多層電極１３を約１μｍ蒸着した。さらに、厚さ１００
μｍに研磨したＧａＡｓ基板の裏面にＡｕＧｅ−Ｎｉ−
Ａｕ多層電極１４を蒸着してから、長さ１０００μｍに
へき開しレーザ構造とした。
【００５８】そしてこれらの素子を（ＮＨ4）2Ｓｘ溶液
に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、その
共振器端面にスパッタ法を用いてＳｉＮｘ−ＳｉＯ2多
層反射膜を形成した。
【００５９】本構造の半導体レーザを作製することによ
り、閾電流値２ｍＡ、駆動電圧４Ｖ、発振波長５００ｎ
ｍという特性を有する単一縦モード青緑レーザの室温連
続発振が可能となった。
【００６０】（実施例９）本発明の第９の実施例を図１
２に従い説明する。本構造は、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に
分子線エピタキシーによりＳｅドープＧａＡｓバッファ
ー層２（n=1E18,0.5μm）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ
0.9クラッド層１５（n=1E18,0.1μm)、ＣｌドープＭｇ
0.1Ｚｎ0.9Ｓ0.2Ｓｅ0.8クラッド層２２(n=1E18,1.5μ
m）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9（５ｎｍ）−ＺｎＳ
ｅ（５ｎｍ）を１０周期繰り返した歪超格子光ガイド層
４８（n=5E17,0.1μm）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9
光ガイド層３４（n=5E17,0.1μm)、アンドープＺｎ0.7
Ｃｄ0.3Ｓｅ活性層４４(0.01μm)、窒素ドープＺｎＳ
0.1Ｓｅ0.9光ガイド層４３（p=5E17,0.1μm)、窒素ドー
プＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9（５ｎｍ）−ＺｎＳｅ（５ｎｍ）を
１０周期繰り返した超格子光ガイド層４９（p=5E17,0.1
μm）、窒素ドープＭｇ0.1Ｚｎ0.9Ｓ0.2Ｓｅ0.8クラッ
ド層２４(p=1E17,1.0μm）、窒素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ
0.9クラッド層窒素ドープ７(p=5E17,0.5μm）、ＺｎＳ
ｅキャップ層３８(p=1E18,0.1μm）を順次成長した。そ
して、試料の温度を結晶の成長温度に保ったまま、Ｔｅ
の分子線を試料表面に数十分照射し、引き続き室温付近
まで冷却した。この処理により試料表面には、傾斜組成
のｐ型ＺｎＳｅＴｅ混晶が形成された。次に、この上に
プラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜を形成し、このＳｉ
Ｏ2膜を通常のホトリソグラフ技術を用いて幅約５μｍ
のストライプ状に形成した。そして、この臭素系の選択
エッチング溶液を用いて深さ約１．５μｍのメサ構造を
形成し、その後、（ＮＨ4）2Ｓｘ溶液に数分間浸漬し、
アルコール系溶剤で洗浄した後、有機金属気相成長法装
置に搬入した。
【００６１】そして、この試料を３００℃程度に加熱し
ながら水素ラジカルを照射し、過剰な硫黄を除去し、そ
の上に埋込層としてアンドープＭｇ0.2Ｚｎ0.7Ｓ0.3Ｓ
ｅ0.7ブロック層４６(n=1E14,1.5μm)を順次成長した。
次に、この上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜１２
を形成し、このＳｉＯ2膜に通常のホトリソグラフ技術
を用いて幅約５μｍのストライプ状の窓を形成した。
【００６２】次に、真空蒸着法によりＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ
多層電極１３を約１μｍ蒸着した。さらに、厚さ１００
μｍに研磨したＧａＡｓ基板の裏面にＡｕＧｅ−Ｎｉ−
Ａｕ多層電極１４を蒸着してから、長さ１０００μｍに
へき開しレーザ構造とした。
【００６３】そしてこれらの素子を（ＮＨ4）2Ｓｘ溶液
に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、その
共振器端面にスパッタ法を用いてＳｉＮｘ−ＳｉＯ2多
層反射膜を形成した。
【００６４】本構造の半導体レーザを作製することによ
り、閾電流値２ｍＡ、駆動電圧４Ｖ、発振波長５００ｎ
ｍという特性を有する単一縦モード青緑レーザの室温連
続発振が可能となった。
【００６５】（実施例１０）本発明の第１０の実施例を
図１３に従い説明する。本構造は、ｎ型ＧａＡｓ基板１
上に分子線エピタキシーによりＳｅドープＧａＡｓバッ
ファー層２（n=1E18,0.5μm）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓ
ｅ0.9クラッド層１５（n=1E18,0.1μm)、ＣｌドープＭ
ｇ0.1Ｚｎ0.9Ｓ0.2Ｓｅ0.8クラッド層２２(n=1E18,0.5
μm）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9（１０ｎｍ）−Ｚ
ｎ0.7Ｃｄ0.3Ｓ0.1Ｓｅ0.9（３ｎｍ）を５周期繰り返し
た歪超格子４７（n=5E17,0.07μm）、ＣｌドープＭｇ
0.1Ｚｎ0.9Ｓ0.2Ｓｅ0.8クラッド層２２(n=1E18,1.0μ
m）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9光ガイド層３４（n=5
E17,0.1μm)、アンドープＺｎ0.7Ｃｄ0.3Ｓｅ活性層４
４(0.01μm)、窒素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9光ガイド層
３５（p=5E17,0.1μm)、、窒素ドープＭｇ0.1Ｚｎ0.9Ｓ
0.2Ｓｅ0.8クラッド層２４(p=1E17,1.0μm）、窒素ドー
プＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9クラッド層窒素ドープ７(p=5E17,0.
5μm）、ＺｎＳｅキャップ層３８(p=1E18,0.1μm）を順
次成長した。そして、試料の温度を結晶の成長温度に保
ったまま、Ｔｅの分子線を試料表面に数十分照射し、引
き続き室温付近まで冷却した。この処理により試料表面
には、傾斜組成のｐ型ＺｎＳｅＴｅ混晶が形成された。
次に、この上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜を形
成し、このＳｉＯ2膜を通常のホトリソグラフ技術を用
いて幅約５μｍのストライプ状に形成した。そして、こ
の臭素系の選択エッチング溶液を用いて深さ約１．５μ
ｍのメサ構造を形成し、その後、（ＮＨ4）2Ｓｘ溶液に
数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、有機金
属気相成長法装置に搬入した。
【００６６】そして、この試料を３００℃程度に加熱し
ながら水素ラジカルを照射し、過剰な硫黄を除去し、そ
の上に埋込層としてアンドープＭｇ0.2Ｚｎ0.7Ｓ0.3Ｓ
ｅ0.7ブロック層４６(n=1E14,1.5μm)を順次成長した。
次に、この上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜１２
を形成し、このＳｉＯ2膜に通常のホトリソグラフ技術
を用いて幅約５μｍのストライプ状の窓を形成した。
【００６７】次に、真空蒸着法によりＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ
多層電極１３を約１μｍ蒸着した。さらに、厚さ１００
μｍに研磨したＧａＡｓ基板の裏面にＡｕＧｅ−Ｎｉ−
Ａｕ多層電極１４を蒸着してから、長さ１０００μｍに
へき開しレーザ構造とした。
【００６８】そしてこれらの素子を（ＮＨ4）2Ｓｘ溶液
に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、その
共振器端面にスパッタ法を用いてＳｉＮｘ−ＳｉＯ2多
層反射膜を形成した。
【００６９】本構造の半導体レーザを作製することによ
り、閾電流値２ｍＡ、駆動電圧４Ｖ、発振波長５００ｎ
ｍという特性を有する単一縦モード青緑レーザの室温連
続発振が可能となった。
【００７０】（実施例１１）本発明の第１１の実施例を
図１４に従い説明する。本構造は、ｎ型ＧａＡｓ基板１
上に分子線エピタキシーによりＳｅドープＧａＡｓバッ
ファー層２（n=1E18,0.5μm）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓ
ｅ0.9クラッド層１５（n=1E18,0.1μm)、ＣｌドープＭ
ｇ0.1Ｚｎ0.9Ｓ0.2Ｓｅ0.8クラッド層２２(n=1E18,0.5
μm）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9（５ｎｍ）−Ｚｎ
Ｓｅ（５ｎｍ）を５周期繰り返した歪超格子３（n=5E1
7,0.05μm）、ＣｌドープＭｇ0.1Ｚｎ0.9Ｓ0.2Ｓｅ0.8
クラッド層２２(n=1E18,0.5μm）、ＣｌドープＺｎＳ
0.1Ｓｅ0.9光ガイド層３４（n=5E17,0.1μm)、アンドー
プＺｎ0.7Ｃｄ0.3Ｓｅ活性層４４(0.01μm)、窒素ドー
プＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9光ガイド層４３（p=5E17,0.1μm)、
窒素ドープＭｇ0.1Ｚｎ0.9Ｓ0.2Ｓｅ0.8クラッド層２４
(p=1E17,1.0μm）、窒素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9クラッ
ド層窒素ドープ７(p=5E17,0.5μm）、ＺｎＳｅキャップ
層３８(p=1E18,0.1μm）を順次成長した。そして、試料
の温度を結晶の成長温度に保ったまま、Ｔｅの分子線を
試料表面に数十分照射し、引き続き室温付近まで冷却し
た。この処理により試料表面には、傾斜組成のｐ型Ｚｎ
ＳｅＴｅ混晶が形成された。次に、この上にプラズマＣ
ＶＤ法によりＳｉＯ2膜を形成し、このＳｉＯ2膜を通常
のホトリソグラフ技術を用いて幅約５μｍのストライプ
状に形成した。そして、この臭素系の選択エッチング溶
液を用いて深さ約１．５μｍのメサ構造を形成し、その
後、（ＮＨ4）2Ｓｘ溶液に数分間浸漬し、アルコール系
溶剤で洗浄した後、有機金属気相成長法装置に搬入し
た。
【００７１】そして、この試料を３００℃程度に加熱し
ながら水素ラジカルを照射し、過剰な硫黄を除去し、そ
の上に埋込層としてアンドープＭｇ0.2Ｚｎ0.7Ｓ0.3Ｓ
ｅ0.7ブロック層４６(n=1E14,1.5μm)を順次成長した。
次に、この上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜１２
を形成し、このＳｉＯ2膜に通常のホトリソグラフ技術
を用いて幅約５μｍのストライプ状の窓を形成した。
【００７２】次に、真空蒸着法によりＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ
多層電極１３を約１μｍ蒸着した。さらに、厚さ１００
μｍに研磨したＧａＡｓ基板の裏面にＡｕＧｅ−Ｎｉ−
Ａｕ多層電極１４を蒸着してから、長さ１０００μｍに
へき開しレーザ構造とした。
【００７３】そしてこれらの素子を（ＮＨ4）2Ｓｘ溶液
に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、その
共振器端面にスパッタ法を用いてＳｉＮｘ−ＳｉＯ2多
層反射膜を形成した。
【００７４】本構造の半導体レーザを作製することによ
り、閾電流値２ｍＡ、駆動電圧４Ｖ、発振波長５００ｎ
ｍという特性を有する単一縦モード青緑レーザの室温連
続発振が可能となった。
【００７５】（実施例１２）本発明の第１２の実施例を
図１５に従い説明する。本構造は、ｎ型ＧａＡｓ基板１
上に分子線エピタキシーによりＳｅドープＧａＡｓバッ
ファー層２（n=1E18,0.5μm）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓ
ｅ0.9クラッド層１５（n=1E18,0.1μm)、ＣｌドープＭ
ｇ0.1Ｚｎ0.9Ｓ0.2Ｓｅ0.8クラッド層２２(n=1E18,1.5
μm）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9光ガイド層３４（n
=5E17,0.5μm)、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9（１０ｎ
ｍ）−Ｚｎ0.7Ｃｄ0.3Ｓ0.1Ｓｅ0.9（３ｎｍ）超格子光
ガイド４３（n=5E17,0.0１μm）、ＣｌドープＺｎＳ0.1
Ｓｅ0.9光ガイド層３４（n=5E17,0.5μm)、アンドープ
Ｚｎ0.7Ｃｄ0.3Ｓｅ活性層４４(0.01μm)、窒素ドープ
ＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9光ガイド層３５（p=5E17,0.05μm)、
窒素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9（１０ｎｍ）−Ｚｎ0.7Ｃ
ｄ0.3Ｓ0.1Ｓｅ0.9（３ｎｍ）超格子光ガイド４５（p=5
E17,0.0１μm）、窒素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9光ガイド
層３５（p=5E17,0.05μm)、窒素ドープＭｇ0.1Ｚｎ0.9
Ｓ0.2Ｓｅ0.8クラッド層２４(p=1E17,1.0μm）、窒素ド
ープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9クラッド層窒素ドープ７(p=5E17,
0.5μm）、ＺｎＳｅキャップ層３８(p=1E18,0.1μm）を
順次成長した。そして、試料の温度を結晶の成長温度に
保ったまま、Ｔｅの分子線を試料表面に数十分照射し、
引き続き室温付近まで冷却した。この処理により試料表
面には、傾斜組成のｐ型ＺｎＳｅＴｅ混晶が形成され
た。次に、この上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜
を形成し、このＳｉＯ2膜を通常のホトリソグラフ技術
を用いて幅約５μｍのストライプ状に形成した。そし
て、この臭素系の選択エッチング溶液を用いて深さ約
１．５μｍのメサ構造を形成し、その後、（ＮＨ4）2Ｓ
ｘ溶液に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した
後、有機金属気相成長法装置に搬入した。
【００７６】そして、この試料を３００℃程度に加熱し
ながら水素ラジカルを照射し、過剰な硫黄を除去し、そ
の上に埋込層としてアンドープＭｇ0.2Ｚｎ0.7Ｓ0.3Ｓ
ｅ0.7ブロック層４６(n=1E14,1.5μm)を順次成長した。
次に、この上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜１２
を形成し、このＳｉＯ2膜に通常のホトリソグラフ技術
を用いて幅約５μｍのストライプ状の窓を形成した。
【００７７】次に、真空蒸着法によりＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ
多層電極１３を約１μｍ蒸着した。さらに、厚さ１００
μｍに研磨したＧａＡｓ基板の裏面にＡｕＧｅ−Ｎｉ−
Ａｕ多層電極１４を蒸着してから、長さ１０００μｍに
へき開しレーザ構造とした。
【００７８】そしてこれらの素子を（ＮＨ4）2Ｓｘ溶液
に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、その
共振器端面にスパッタ法を用いてＳｉＮｘ−ＳｉＯ2多
層反射膜を形成した。
【００７９】本構造の半導体レーザを作製することによ
り、閾電流値２ｍＡ、駆動電圧４Ｖ、発振波長５００ｎ
ｍという特性を有する単一縦モード青緑レーザの室温連
続発振が可能となった。
【００８０】（実施例１３）本発明の第１３の実施例を
図１６に従い説明する。本構造は、ｎ型ＧａＡｓ基板１
上に分子線エピタキシーによりＳｅドープＧａＡｓバッ
ファー層２（n=1E18,0.5μm）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓ
ｅ0.9クラッド層１５（n=1E18,0.1μm)、ＣｌドープＭ
ｇ0.1Ｚｎ0.9Ｓ0.2Ｓｅ0.8クラッド層２２(n=1E18,1.5
μm）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9光ガイド層３４（n
=5E17,0.5μm)、ＣｌドープＺｎＳ0.1Se0.9（５ｎｍ）
−ＺｎＳｅ（５ｎｍ）超格子光ガイド４８（n=5E17,0.0
１μm）、ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9光ガイド層３４
（n=5E17,0.5μm)、アンドープＺｎ0.7Ｃｄ0.3Ｓｅ活性
層４４(0.01μm)、窒素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9光ガイ
ド層３５（p=5E17,0.05μm)、窒素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ
0.9（５ｎｍ）−ＺｎＳｅ（５ｎｍ）超格子光ガイド４
９（p=5E17,0.0１μm）、窒素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9
光ガイド層３５（p=5E17,0.05μm)、窒素ドープＭｇ0.1
Ｚｎ0.9Ｓ0.2Ｓｅ0.8クラッド層２４(p=1E17,1.0μ
m）、窒素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9クラッド層窒素ドー
プ７(p=5E17,0.5μm）、ＺｎＳｅキャップ層３８(p=1E1
8,0.1μm）を順次成長した。そして、試料の温度を結晶
の成長温度に保ったまま、Ｔｅの分子線を試料表面に数
十分照射し、引き続き室温付近まで冷却した。この処理
により試料表面には、傾斜組成のｐ型ＺｎＳｅＴｅ混晶
が形成された。次に、この上にプラズマＣＶＤ法により
ＳｉＯ2膜を形成し、このＳｉＯ2膜を通常のホトリソグ
ラフ技術を用いて幅約５μｍのストライプ状に形成し
た。そして、この臭素系の選択エッチング溶液を用いて
深さ約１．５μｍのメサ構造を形成し、その後、（ＮＨ
4）2Ｓｘ溶液に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄
した後、有機金属気相成長法装置に搬入した。
【００８１】そして、この試料を３００℃程度に加熱し
ながら水素ラジカルを照射し、過剰な硫黄を除去し、そ
の上に埋込層としてアンドープＭｇ0.2Ｚｎ0.7Ｓ0.3Ｓ
ｅ0.7ブロック層４６(n=1E14,1.5μm)を順次成長した。
次に、この上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ2膜１２
を形成し、このＳｉＯ2膜に通常のホトリソグラフ技術
を用いて幅約５μｍのストライプ状の窓を形成した。
【００８２】次に、真空蒸着法によりＴｉ−Ｐｔ−Ａｕ
多層電極１３を約１μｍ蒸着した。さらに、厚さ１００
μｍに研磨したＧａＡｓ基板の裏面にＡｕＧｅ−Ｎｉ−
Ａｕ多層電極１４を蒸着してから、長さ１０００μｍに
へき開しレーザ構造とした。
【００８３】そしてこれらの素子を（ＮＨ4）2Ｓｘ溶液
に数分間浸漬し、アルコール系溶剤で洗浄した後、その
共振器端面にスパッタ法を用いてＳｉＮｘ−ＳｉＯ2多
層反射膜を形成した。
【００８４】本構造の半導体レーザを作製することによ
り、閾電流値２ｍＡ、駆動電圧４Ｖ、発振波長５００ｎ
ｍという特性を有する単一縦モード青緑レーザの室温連
続発振が可能となった。
【００８５】
【発明の効果】本発明によれば、短波長II−VI族化合物
半導体レーザの低閾電流化が可能となり、また、電極の
接触抵抗の低減が可能となり、さらに、熱膨張に起因す
る格子歪が低減され、そして、注入電荷の閉じ込めや光
閉じ込めが向上することにより、室温連続発振が可能と
なり、高信頼性を有するレーザ素子が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明第１の実施例の半導体レーザ構造。
【図２】本発明第１の実施例の半導体レーザのバンド構
造。
【図３】本発明第２の実施例の半導体レーザ構造。
【図４】本発明第２の実施例の超格子光ガイド層の構
造。
【図５】本発明第２の実施例の半導体レーザのバンド構
造。
【図６】本発明第３の実施例の半導体レーザ構造。
【図７】本発明第４の実施例の半導体レーザ構造。
【図８】本発明第５の実施例の半導体レーザ構造。
【図９】本発明第６の実施例の半導体レーザ構造。
【図１０】本発明第７の実施例の半導体レーザ構造。
【図１１】本発明第８の実施例の半導体レーザ構造。
【図１２】本発明第９の実施例の半導体レーザ構造。
【図１３】本発明第１０の実施例の半導体レーザ構造。
【図１４】本発明第１１の実施例の半導体レーザ構造。
【図１５】本発明第１２の実施例の半導体レーザ構造。
【図１６】本発明第１３の実施例の半導体レーザ構造。
【符号の説明】
１…ｎ型ＧａＡｓ基板、２…ＳｅドープＧａＡｓバッフ
ァー層、３…ＣｌドープＺｎＳｅ−ＺｎＳ0.2Ｓｅ0.8歪
超格子、４…ＣｌドープＺｎ0.5Ｃｄ0.5Ｓ0.9Ｓｅ0.1ク
ラッド層、５…ＣｌドープＺｎ0.8Ｃｄ0.2Ｓ0.4Ｓｅ0.6
光ガイド層、６…アンドープＺｎ0.8Ｃｄ0.2Ｓ0.1Ｓｅ
0.9活性層、７…窒素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9クラッド
層、８…窒素ドープＣｄＳｅキャップ層、９…窒素ドー
プＺｎ0.5Ｃｄ0.5Ｓ0.9Ｓｅ0.1ブロック層、１０…Ｃｌ
ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9ブロック層、１１…窒素ドープ
ＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9ブロック層、１２…ＳｉＯ2膜、１３
…Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕ多層電極、１４…ＡｕＧｅ−Ｎｉ−
Ａｕ多層電極、１５…ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9クラ
ッド層、１６…ＣｌドープＺｎＳｅ−Ｚｎ0.8Ｃｄ0.2Ｓ
ｅ超格子光ガイド層、１７…アンドープＺｎ0.8Ｃｄ0.2
Ｓｅ活性層、１８…窒素ドープＺｎＳｅ−Ｚｎ0.8Ｃｄ
0.2Ｓｅ超格子光ガイド層、１９…窒素ドープＺｎＳ0.1
Ｓｅ0.9ブロック層、２０…ｎ型ＺｎＳｅ基板、２１…
ＣｌドープＺｎＳｅバッファー層、２２…ＣｌドープＭ
ｇ0.1Ｚｎ0.9Ｓ0.2Ｓｅ0.8クラッド層、２３…アンドー
プＺｎＳｅ活性層、２４…窒素ドープＭｇ0.1Ｚｎ0.9Ｓ
0.2Ｓｅ0.8クラッド層、２５…ＡｕＧａ−Ｎｉ−Ａｕ多
層電極、２６…フェルミ準位、２７…ＺｎＳｅ、２８…
Ｚｎ0.8Ｃｄ0.2Ｓｅ、２９…見かけの伝導帯下端、３０
…見かけの価電子帯上端、３１…ＣｌドープＺｎ0.9Ｃ
ｄ0.1Ｓ0.2Ｓｅ0.8光ガイド層、３２…窒素ドープＺｎ
0.9Ｃｄ0.1Ｓ0.2Ｓｅ0.8光ガイド層、３３…ＭｇＳ0.9
Ｓｅ0.1ブロック層、３４…ＣｌドープＺｎＳ0.1Ｓｅ
0.9光ガイド層、３５…窒素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9光
ガイド層、３６…窒素ドープＭｇ0.2Ｚｎ0.8Ｓ0.3Ｓｅ
0.7ブロック層、３７…ＣｌドープＭｇ0.2Ｚｎ0.8Ｓ0.3
Ｓｅ0.7ブロック層、３８…窒素ドープＺｎＳｅキャッ
プ層、３９…ＣｌドープＭｇ0.2Ｚｎ0.8Ｓ0.3Ｓｅ0.7ク
ラッド層、４０…窒素ドープＭｇ0.2Ｚｎ0.8Ｓ0.3Ｓｅ
0.7クラッド層、４１…ＣｌドープＭｇ0.2Ｚｎ0.8Ｓ0.3
Ｓｅ0.7ブロック層、４２…窒素ドープＭｇ0.2Ｚｎ0.8
Ｓ0.3Ｓｅ0.7ブロック層、４３…ＣｌドープＺｎＳ0.1
Ｓｅ0.9−Ｚｎ0.7Ｃｄ0.3Ｓ0.1Ｓｅ0.9超格子光ガイド
層、４４…アンドープＺｎ0.7Ｃｄ0.3Ｓｅ活性層、４５
…窒素ドープＺｎＳ0.1Ｓｅ0.9−Ｚｎ0.7Ｃｄ0.3Ｓ0.1
Ｓｅ0.9超格子光ガイド層、４６…アンドープＭｇ0.2Ｚ
ｎ0.7Ｓ0.3Ｓｅ0.7ブロック層、４７…ＣｌドープＺｎ
Ｓ0.1Ｓｅ0.9−Ｚｎ0.7Ｃｄ0.3Ｓ0.1Ｓｅ0.9歪超格子、
４８…ＣｌドープＺｎＳｅ−ＺｎＳ0.2Ｓｅ0.8超格子光
ガイド層、４９…窒素ドープＺｎＳｅ−ＺｎＳ0.2Ｓｅ
0.8超格子光ガイド層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中塚 慎一 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 右田 雅人 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】II−VI族化合物半導体からなる埋込型半導
    体レーザ装置において、埋込層として、そのレーザ装置
    の活性層よりも低い屈折率を有するII−VI族化合物を用
    いることを特徴とする半導体レーザ装置。
  2. 【請求項２】請求項１記載の半導体レーザ装置におい
    て、その埋込層がレーザ装置の活性層よりも大きな禁制
    帯幅を有するII−VI族化合物を用いることを特徴とする
    半導体レーザ装置。
  3. 【請求項３】請求項１又は２に記載の半導体レーザ装置
    において、その埋込層がレーザ装置を成長した基板の格
    子定数にほぼ格子整合する組成を有するII−VI族化合物
    を用いることを特徴とする半導体レーザ装置。
  4. 【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体
    レーザ装置において、ｎ型クラッド層−活性層−ｐ型ク
    ラッド層からなるレーザの動作に、影響を及ぼさないだ
    け十分に電気的抵抗の高いII−VI族化合物を埋め込み層
    に用いることを特徴とする半導体レーザ装置。
  5. 【請求項５】請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体
    レーザ装置において、その埋込層が基板表面に対し水平
    方向で接するクラッド層、または、活性層と反対の伝導
    型を有するII−VI族化合物を用いることを特徴とする半
    導体レーザ装置。
  6. 【請求項６】II−VI族化合物半導体上に硫黄原子、また
    は、硫黄原子からなる層を形成し、そのII−VI族化合物
    半導体を薄膜形成装置内に導入した後、硫黄原子、また
    は、硫黄原子からなる層を電磁波、または、粒子線、ま
    たは、熱、または、溶液により適量除去し、その表面上
    に新たなるII−VI族化合物半導体、または、III−Ｖ
    族、IV族、IV−VI族、II−VII族化合物などの材料を成
    長、または、堆積させる薄膜の形成方法。
  7. 【請求項７】請求項６に記載の薄膜形成方法において、
    II−VI族化合物半導体上に形成された硫黄原子、また
    は、硫黄原子からなる層を４００℃以下の温度で除去
    し、その表面上に新たなるII−VI族化合物半導体、また
    は、III−Ｖ族、IV族、IV−VI族、II−VII族化合物など
    の材料を成長、または、堆積させる薄膜の形成方法。
  8. 【請求項８】II−VI族化合物半導体からなる埋込型半導
    体レーザ装置を作製する場合、そのメサ構造をエッチン
    グにより形成した後、請求項６又は７に記載の薄膜の形
    成方法により埋込層を形成する半導体レーザの作製方
    法。
  9. 【請求項９】II−VI族化合物半導体からなる半導体レー
    ザ装置の共振器端面に保護膜、または、多層反射膜を目
    的として形成する材料として、活性層の禁制帯幅よりも
    大きな禁制帯幅を有するＺｎＳやＭｇＳなどのII−VI族
    化合物を少なくとも１種類以上用いていることを特徴と
    する半導体レーザ装置。
  10. 【請求項１０】II−VI族化合物半導体からなる半導体レ
    ーザ装置の共振器端面に保護膜、または、多層反射膜を
    目的として形成する材料として、活性層の禁制帯幅より
    も大きな禁制帯幅を有するＳｉＯ2やＴｉＯ2などのIV−
    VI族化合物を少なくとも１種類以上用いていることを特
    徴とする半導体レーザ装置。
  11. 【請求項１１】II−VI族化合物半導体からなる半導体レ
    ーザ装置の共振器端面に保護膜、または、多層反射膜を
    目的として形成する材料として、活性層の禁制帯幅より
    も大きな禁制帯幅を有するＭｇＦ2やＣａＦ2などのII−
    VII族化合物を少なくとも１種類以上用いていることを
    特徴とする半導体レーザ装置。
  12. 【請求項１２】II−VI族化合物半導体からなる半導体レ
    ーザ装置の共振器端面に保護膜、または、多層反射膜を
    目的として形成する材料として、活性層の禁制帯幅より
    も大きな禁制帯幅を有するＣやＳｉＣｘ、ＳｉＮｘなど
    のIV族系化合物を少なくとも１種類以上用いていること
    を特徴とする半導体レーザ装置。
  13. 【請求項１３】II−VI族化合物半導体からなる半導体レ
    ーザ装置の共振器端面に請求項６又は７に記載の薄膜の
    形成方法による処理を行った後、請求項９乃至１２のい
    ずれかに記載の保護膜、または、多層反射膜を形成する
    ことを特徴とした半導体レーザ装置の作製方法。
  14. 【請求項１４】II−VI族化合物半導体に対する電極を形
    成する場合に、前記II−VI族化合物半導体上にＣｄＳＳ
    ｅ混晶を含む層をキャップ層として成長し、その後、こ
    の層上に電極として使用する金属膜を堆積することを特
    徴とする電極の形成方法。
  15. 【請求項１５】II−VI族化合物半導体に対する電極を形
    成する場合に、前記II−VI族化合物半導体を結晶成長装
    置内でＣｄ、または、Ｔｅを含む分子線、または、ガス
    にさらした後、この表面上に電極として使用する金属膜
    を堆積することを特徴とする電極の形成方法。
  16. 【請求項１６】請求項１４又は１５に記載の電極形成方
    法において、電極として使用する金属膜を堆積する前
    に、II−VI族化合物半導体表面に請求項６又は７に記載
    の薄膜の形成方法による処理を行い、その後に、電極と
    して使用する金属膜を堆積することを特徴とする電極の
    形成方法。
  17. 【請求項１７】ＳｉなどのIV族、または、ＧａＡｓやＩ
    ｎＰなどのIII−Ｖ族化合物半導体を基板として、II−V
    I族化合物半導体からなるデバイスをエピタキシャル成
    長する場合、そのヘテロ界面に熱伸縮に伴う歪の低減領
    域としての、少なくとも薄膜のII−VI族化合物半導体を
    １層含む歪超格子を導入した構造を有することを特徴と
    する半導体装置。
  18. 【請求項１８】IV族やIII−Ｖ族化合物半導体基板上にI
    I−VI族化合物半導体からなる半導体レーザ装置を作製
    する場合、そのヘテロ界面に請求項１７に記載の構造を
    有することを特徴とする半導体レーザ装置。
  19. 【請求項１９】ＺｎＭｇＣｄＳＳｅ混晶からなるII−VI
    族化合物を用いたダブルへテロ型半導体レーザ装置にお
    いて、基板結晶、または、ヘテロ界面に形成された緩衝
    層にほぼ格子整合し、かつ、活性層よりも大きな禁制帯
    幅を有するｎ型、ｐ型のクラッド層の混晶組成が各々異
    なり、かつ、ｎ型クラッド層は活性層との価電子帯のエ
    ネルギー差（ΔＥｖ＝Ｅｖact−Ｅｖclad）が正とな
    り、かつ、ｐ型クラッド層は活性層との伝導帯のエネル
    ギー差（ΔＥｃ＝Ｅｃclad−Ｅｃact）が正となるよう
    なクラッド層と活性層の組合せからなることを特徴とす
    る半導体レーザ装置。
  20. 【請求項２０】II−VI族化合物半導体を用いたＧＲＩＮ
    −ＳＣＨ構造の半導体レーザ装置において、光ガイド層
    を超格子により形成することを特徴とする半導体レーザ
    装置。
  21. 【請求項２１】IV族やIII−Ｖ族化合物半導体基板上にI
    I−VI族化合物半導体からなる半導体レーザ装置を作製
    する場合、そのヘテロ界面に厚さ１０ｎｍ以下のＺｎＳ
    xＳｅ1-x（０≦ｘ≦１）混晶層と厚さ１０ｎｍ以下のＺ
    ｎyＣｄ1-yＳx'Ｓｅ1-x'（０≦ｘ’≦１，０≦ｘ≦１）
    混晶層からなる超格子構造を有することを特徴とする半
    導体レーザ装置。
  22. 【請求項２２】IV族やIII−Ｖ族化合物半導体基板上にI
    I−VI族化合物半導体からなる半導体レーザ装置を作製
    する場合、そのヘテロ界面に厚さ１０ｎｍ以下のＺｎＳ
    xＳｅ1-x（０≦ｘ≦１）混晶層と厚さ１０ｎｍ以下のＺ
    ｎＳｅ混晶層からなる超格子構造を有することを特徴と
    する半導体レーザ装置。
  23. 【請求項２３】IV族やIII−Ｖ族化合物半導体基板上にI
    I−VI族化合物半導体からなる半導体レーザ装置を作製
    する場合、その活性層に隣接する箇所に厚さ１０ｎｍ以
    下のＺｎＳxＳｅ1-x（０≦ｘ≦１）混晶層と厚さ１０ｎ
    ｍ以下のＺｎyＣｄ1-yＳx'Ｓｅ 1-x'（０≦ｘ’≦１，０
    ≦ｘ≦１）混晶層からなる超格子構造を有することを特
    徴とする半導体レーザ装置。
  24. 【請求項２４】IV族やIII−Ｖ族化合物半導体基板上にI
    I−VI族化合物半導体からなる半導体レーザ装置を作製
    する場合、その活性層に隣接する箇所に厚さ１０ｎｍ以
    下のＺｎＳxＳｅ1-x（０≦ｘ≦１）混晶層と厚さ１０ｎ
    ｍ以下のＺｎＳｅ混晶層からなる超格子構造を有するこ
    とを特徴とする半導体レーザ装置。
  25. 【請求項２５】IV族やIII−Ｖ族化合物半導体基板上にI
    I−VI族化合物半導体からなる分離光閉じ込め型半導体
    レーザ装置を作製する場合、そのクラッド層と光ガイド
    層のヘテロ界面に厚さ１０ｎｍ以下のＺｎＳxＳｅ
    1-x（０≦ｘ≦１）混晶層と厚さ１０ｎｍ以下のＺｎyＣ
    ｄ1-yＳx'Ｓｅ1-x'（０≦ｘ’≦１，０≦ｘ≦１）混晶
    層からなる超格子構造を有することを特徴とする半導体
    レーザ装置。
  26. 【請求項２６】IV族やIII−Ｖ族化合物半導体基板上にI
    I−VI族化合物半導体からなる分離光閉じ込め型半導体
    レーザ装置を作製する場合、そのクラッド層と光ガイド
    層のヘテロ界面に厚さ１０ｎｍ以下のＺｎＳxＳｅ
    1-x（０≦ｘ≦１）混晶層と厚さ１０ｎｍ以下のＺｎＳ
    ｅ混晶層からなる超格子構造を有することを特徴とする
    半導体レーザ装置。
  27. 【請求項２７】IV族やIII−Ｖ族化合物半導体基板上にI
    I−VI族化合物半導体からなる分離光閉じ込め型半導体
    レーザ装置を作製する場合、その光ガイド層の中に厚さ
    １０ｎｍ以下のＺｎＳxＳｅ1-x（０≦ｘ≦１）混晶層と
    厚さ１０ｎｍ以下のＺｎyＣｄ1-yＳx'Ｓｅ1-x'（０≦
    ｘ’≦１，０≦ｘ≦１）混晶層からなる超格子構造を有
    することを特徴とする半導体レーザ装置。
  28. 【請求項２８】IV族やIII−Ｖ族化合物半導体基板上にI
    I−VI族化合物半導体からなる分離光閉じ込め型半導体
    レーザ装置を作製する場合、その光ガイド層の中に厚さ
    １０ｎｍ以下のＺｎＳxＳｅ1-x（０≦ｘ≦１）混晶層と
    厚さ１０ｎｍ以下のＺｎＳｅ混晶層からなる超格子構造
    を有することを特徴とする半導体レーザ装置。
  29. 【請求項２９】IV族やIII−Ｖ族化合物半導体基板上にI
    I−VI族化合物半導体からなる半導体レーザ装置を作製
    する場合、そのクラッド層の中に厚さ１０ｎｍ以下のＺ
    ｎＳxＳｅ1-x（０≦ｘ≦１）混晶層と厚さ１０ｎｍ以下
    のＺｎyＣｄ1-yＳx'Ｓｅ1-x'（０≦ｘ’≦１，０≦ｘ≦
    １）混晶層からなる超格子構造を有することを特徴とす
    る半導体レーザ装置。
  30. 【請求項３０】IV族やIII−Ｖ族化合物半導体基板上にI
    I−VI族化合物半導体からなる半導体レーザ装置を作製
    する場合、そのクラッド層の中に厚さ１０ｎｍ以下のＺ
    ｎＳxＳｅ1-x（０≦ｘ≦１）混晶層と厚さ１０ｎｍ以下
    のＺｎＳｅ混晶層からなる超格子構造を有することを特
    徴とする半導体レーザ装置。
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