JPH0732149B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0732149B2 JPH0732149B2 JP61000599A JP59986A JPH0732149B2 JP H0732149 B2 JPH0732149 B2 JP H0732149B2 JP 61000599 A JP61000599 A JP 61000599A JP 59986 A JP59986 A JP 59986A JP H0732149 B2 JPH0732149 B2 JP H0732149B2
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- Japan
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- resin
- bis
- semiconductor device
- resin composition
- phenyl
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、高温高湿下においても、信頼性の高い動作が
可能な半導体装置、並びに半導体装置の多層配線構造に
関する。
可能な半導体装置、並びに半導体装置の多層配線構造に
関する。
従来、樹脂封止型の半導体装置は、セラミツクス封止型
の半導体装置に比べて、高温高湿状態（65〜85℃、95％
相対湿度中、121℃、２気圧過飽和水蒸気中）での動作
信頼性の点で劣つていた。
の半導体装置に比べて、高温高湿状態（65〜85℃、95％
相対湿度中、121℃、２気圧過飽和水蒸気中）での動作
信頼性の点で劣つていた。
樹脂封止型の半導体装置では、樹脂とリード線との隙
間、あるいは樹脂と半導体素子との界面に隙間が生じ、
その隙間を通じて外部から水分が浸入し、素子上のAl配
線、ボンデイングパツド部などが、腐食し断線し易いた
めである。
間、あるいは樹脂と半導体素子との界面に隙間が生じ、
その隙間を通じて外部から水分が浸入し、素子上のAl配
線、ボンデイングパツド部などが、腐食し断線し易いた
めである。
そこで、この対策として素子表面のカツプリング剤処理
により、樹脂との接着性を高める方法や、カツプリング
剤を配合した樹脂組成物で封止する方法などが提案され
ている。
により、樹脂との接着性を高める方法や、カツプリング
剤を配合した樹脂組成物で封止する方法などが提案され
ている。
しかし、これらの方法によつても、樹脂封止型半導体装
置の耐湿特性の充分な向上を達成するには至つていな
い。
置の耐湿特性の充分な向上を達成するには至つていな
い。
また、メモリ用LSIなどに於いては、高密度高集積度化
のすう勢が著しく、１セルの電荷容量が益々小さくなつ
てきた。このために、パツケージ材料（例えば、封止用
樹脂組成物中のフイラ）に微量含まれているウラン，ト
リウムから発生するα線エネルギにより、セル中の電荷
容量の調節動作に不良を生ずる（ソフトエラー）問題が
ある。
のすう勢が著しく、１セルの電荷容量が益々小さくなつ
てきた。このために、パツケージ材料（例えば、封止用
樹脂組成物中のフイラ）に微量含まれているウラン，ト
リウムから発生するα線エネルギにより、セル中の電荷
容量の調節動作に不良を生ずる（ソフトエラー）問題が
ある。
この対策としては、半導体素子及びリード線と、封止材
料との間に高純度のα線遮蔽材（例えばポリイミドな
ど）を設けることが行なわれている。しかし、α線遮蔽
材は、半導体素子との密着性，接着性に劣り、先に述べ
たAl配線の腐食防止の点で必ずしも効果を上げるに至つ
ていない。
料との間に高純度のα線遮蔽材（例えばポリイミドな
ど）を設けることが行なわれている。しかし、α線遮蔽
材は、半導体素子との密着性，接着性に劣り、先に述べ
たAl配線の腐食防止の点で必ずしも効果を上げるに至つ
ていない。
また、半導体装置の製造に於ける多層配線技術は、集積
度の向上に従つてますますその重要度が増している。半
導体装置形成に伴なつて表面に表われるさまざまな凸凹
上に、信頼性の高い配線を形成することがその技術課題
である。現在広く使われている方法は、気相成長法（CV
D法）による無機膜や、それらの膜とスピンナーでコー
テイングできる無機膜との複合構造の膜を配線層間の絶
縁膜とし、配線用の導体層を多層に形成する方法であ
る。
度の向上に従つてますますその重要度が増している。半
導体装置形成に伴なつて表面に表われるさまざまな凸凹
上に、信頼性の高い配線を形成することがその技術課題
である。現在広く使われている方法は、気相成長法（CV
D法）による無機膜や、それらの膜とスピンナーでコー
テイングできる無機膜との複合構造の膜を配線層間の絶
縁膜とし、配線用の導体層を多層に形成する方法であ
る。
ところで、気相成長法では膜の表面の凸凹は下地の凸凹
を忠実に反映したものとなり、表面を平坦化することは
できない。
を忠実に反映したものとなり、表面を平坦化することは
できない。
表面の平坦化は、導体層の断線を防止するだけでなく、
段差部で起る導体層の厚さの減少を防ぎ配線抵抗を下
げ、また配線の加工精度を上げる等の効果があり、多層
配線技術の中でも最も重要な技術の一つである。
段差部で起る導体層の厚さの減少を防ぎ配線抵抗を下
げ、また配線の加工精度を上げる等の効果があり、多層
配線技術の中でも最も重要な技術の一つである。
これまでにも、平坦化を実現するためのさまざまな方法
が提案されてきた。例えば、特公昭57-18343号公報に
は、付着された導体層の１部を酸化物として層間の絶縁
膜の１部として利用し、段差の発生を抑える方法が開示
されている。他の例とては、特開昭56-76548号公報に見
られるように、低融点ガラスを表面に付着し、軟化点以
上の温度に加熱して段差部の傾斜を緩和する方法もあ
る。以上に述べたような無機絶縁膜を用いて層間の絶縁
膜とする方法の他に、有機樹脂膜を用いて層間の絶縁膜
とする方法がある。例えばポリイミド等はその典型であ
る。ポリイミドは、多層配線形成上、非常に有利な特性
を有している。しかし、致命的な欠点として、他の有機
樹脂膜と同様に、吸湿性、透湿性が大きいと云う欠点が
ある。また、素子構成素材との接着性に劣る問題があ
る。
が提案されてきた。例えば、特公昭57-18343号公報に
は、付着された導体層の１部を酸化物として層間の絶縁
膜の１部として利用し、段差の発生を抑える方法が開示
されている。他の例とては、特開昭56-76548号公報に見
られるように、低融点ガラスを表面に付着し、軟化点以
上の温度に加熱して段差部の傾斜を緩和する方法もあ
る。以上に述べたような無機絶縁膜を用いて層間の絶縁
膜とする方法の他に、有機樹脂膜を用いて層間の絶縁膜
とする方法がある。例えばポリイミド等はその典型であ
る。ポリイミドは、多層配線形成上、非常に有利な特性
を有している。しかし、致命的な欠点として、他の有機
樹脂膜と同様に、吸湿性、透湿性が大きいと云う欠点が
ある。また、素子構成素材との接着性に劣る問題があ
る。
本発明の目的は、高温高湿下においても、信頼性の高い
動作が可能な半導体装置を提供することにある。
動作が可能な半導体装置を提供することにある。
本発明は、上記の状況に鑑みてなされたもので、その要
旨は、以下の通りである。
旨は、以下の通りである。
1.半導体素子及びリード線上に、少なくとも、 一般式 〔式中、Ar1は （式中、x1は無，-C(CH3)2-,-COO-， の中のいずれかである。）、 （式中、x1は前記と同じである。）の中のいずれかであ
る。また、Ar2は、 （式中、x2は無，-CH2-,-C(CH3)2-,-C(CF3)2-,-CO-,-CO
O-,-S-,-SO2-， の中のいずれかである。）の中でいずれかである。〕で
表されるアセチレン基末端ポリイミド樹脂と、芳香族ポ
リイミド，ポリベンズイミダゾール，付加型ポリイミ
ド，フエノキシ樹脂，エポキシ樹脂，フエノール樹脂，
シクロヘキサン重合体，フツ素含有重合体の中の少なく
とも１種を含む樹脂組成物（Ａ）で被覆した後、加熱硬
化して得られる被膜を有し、次いで該被膜の表面に直接
あるいは間接に無機質充填材を含む樹脂組成物（Ｂ）で
封止してなることを特徴とする半導体装置。
る。また、Ar2は、 （式中、x2は無，-CH2-,-C(CH3)2-,-C(CF3)2-,-CO-,-CO
O-,-S-,-SO2-， の中のいずれかである。）の中でいずれかである。〕で
表されるアセチレン基末端ポリイミド樹脂と、芳香族ポ
リイミド，ポリベンズイミダゾール，付加型ポリイミ
ド，フエノキシ樹脂，エポキシ樹脂，フエノール樹脂，
シクロヘキサン重合体，フツ素含有重合体の中の少なく
とも１種を含む樹脂組成物（Ａ）で被覆した後、加熱硬
化して得られる被膜を有し、次いで該被膜の表面に直接
あるいは間接に無機質充填材を含む樹脂組成物（Ｂ）で
封止してなることを特徴とする半導体装置。
無機質充填材を含む樹脂組成物（Ｂ）が，多官能エポキ
シ樹脂，付加反応型イミドの少なくとも１種を含むこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
シ樹脂，付加反応型イミドの少なくとも１種を含むこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
本発明において、 一般式 〔式中、Ar1は （式中、x1は無，-C(CH3)2-,-COO-， の中のいずれかである。）、 （式中、x1は前記と同じである。）の中のいずれかであ
る。また、Ar2は、 （式中、x2は無，-CH2-,-C(CH3)2-,-C(CF3)2-,-CO-,-CO
O-,-S-,-SO2-， の中のいずれかである。）の中のいずれかである。〕で
表されるアセチレン基末端ポリイミド樹脂とは、例えば
以下の反応により得られる。
る。また、Ar2は、 （式中、x2は無，-CH2-,-C(CH3)2-,-C(CF3)2-,-CO-,-CO
O-,-S-,-SO2-， の中のいずれかである。）の中のいずれかである。〕で
表されるアセチレン基末端ポリイミド樹脂とは、例えば
以下の反応により得られる。
上記反応により得られるアセチレン基末端ポリイミド樹
脂の中でも、特に、 また、前記一般式〔Ｉ〕で表わされるアセチレン基末端
ポリイミド樹脂は多層配線構造の半導体装置に於いて、
層間の絶縁層として用いることができ、この場合には従
来の芳香族ポリイミドを用いた場合に比べて、絶縁層の
平坦化が計れる特徴があり、より信頼性の高い多層化構
造を実現できる。
脂の中でも、特に、 また、前記一般式〔Ｉ〕で表わされるアセチレン基末端
ポリイミド樹脂は多層配線構造の半導体装置に於いて、
層間の絶縁層として用いることができ、この場合には従
来の芳香族ポリイミドを用いた場合に比べて、絶縁層の
平坦化が計れる特徴があり、より信頼性の高い多層化構
造を実現できる。
また、本発明の樹脂組成物には、公知のヘテロ環ポリマ
を併用して用いることも出来る。例えば、ヘテロ環ポリ
マとしては、ポリイミド、ポリベンズイミダゾール、ポ
リベンズチアゾール、ポリオキサジアゾール、ポリピラ
ゾール、ポリキノキサリン、ポリチアゾール、ポリテト
ラアゾピレン、ポリ−４−フエニル−1,2,4−トリアゾ
ール、ポリキナゾリンジオン、ポリベンゾオキザジソジ
オンなどがある。また、上記ヘテロ環ポリマの骨格中
に、アミド結合、エステル結合、エーテル結合、スルフ
イド結合、スルホン結合、ウレタン結合、シロキサン結
合などを含むことも出来る。
を併用して用いることも出来る。例えば、ヘテロ環ポリ
マとしては、ポリイミド、ポリベンズイミダゾール、ポ
リベンズチアゾール、ポリオキサジアゾール、ポリピラ
ゾール、ポリキノキサリン、ポリチアゾール、ポリテト
ラアゾピレン、ポリ−４−フエニル−1,2,4−トリアゾ
ール、ポリキナゾリンジオン、ポリベンゾオキザジソジ
オンなどがある。また、上記ヘテロ環ポリマの骨格中
に、アミド結合、エステル結合、エーテル結合、スルフ
イド結合、スルホン結合、ウレタン結合、シロキサン結
合などを含むことも出来る。
上記のヘテロ環ポリマの中でも、特に閉環状態で溶媒へ
の溶解性の大きなポリマ、例えば付加型ポリイミドなど
は、半導体素子上への被覆処理時に、反応（例えば脱水
縮合反応）に伴なう副生物が殆んどなく、素子表面への
応力が少なくなることから、Al配線の腐食を抑制する上
で好ましい。付加型ポリイミドとしては、例えば、N,
N′−置換ビスマレイミド系化合物、及び該化合物のデ
イールス・アルダ付加物などがある。
の溶解性の大きなポリマ、例えば付加型ポリイミドなど
は、半導体素子上への被覆処理時に、反応（例えば脱水
縮合反応）に伴なう副生物が殆んどなく、素子表面への
応力が少なくなることから、Al配線の腐食を抑制する上
で好ましい。付加型ポリイミドとしては、例えば、N,
N′−置換ビスマレイミド系化合物、及び該化合物のデ
イールス・アルダ付加物などがある。
N,N′−置換ビスマレイミド系化合物とは、例えば 〔式中、Ｒはアルキレン基、アリレン基またはそれらの
置換された２価の有機基を示す〕で表わされる化合物
で、例えばN,N′−エチレンビスマレイミド、N,N′−ヘ
キサメチレンビスマレイミド、N,N′−ドデカメチレン
ビスマレイミド、N,N′−ｍ−フエニレンビスマレイミ
ド、N,N′−4,4′−ジフエニルエーテルビスマレイミ
ド、N,N′−4,4′−ジフエニルメタンビスマレイミド、
N,N′−4,4′−ジシクロヘキシルメタンビスマレイミ
ド、N,N′−4,4′−メタキシレンビスマレイミド、N,
N′−4,4′−ジフエニルシクロヘキサンビスマレイミド
2,2−ビス〔４−（４−マレイミドフエノキシ）フエニ
ル）プロパン、2,2−ビス〔３−メチル−４−（４−マ
レイミドフエノキシ）フエニル〕プロパン、2,2−ビス
〔３−クロロ−４−（４−マレイミドフエノキシ）フエ
ニル〕プロパン、2,2−ビス〔３−ブロモ−４−（４−
マレイミドフエノキシ）フエニル〕プロパン、2,2−ビ
ス〔３−エチル−４−（４−マレイミドフエノキシ）フ
エニル〕プロパン、2,2−ビス〔３−プロピル−４−
（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕プロパン、2,
2−ビス〔３−イソプロピル−４−（４−マレイミドフ
エノキシ）フエニル〕プロパン、2,2−ビス〔３−ブチ
ル−４−（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕プロ
パン、2,2−ビス（３−sec−ブチル−４−（４−マレイ
ミドフエノキシ）フエニル〕プロパン、2,2−ビス〔３
−メトキシ−４−（４−マレイミドフエノキシ）フエニ
ル〕プロパン、1,1−ビス〔４−（４−マレイミドフエ
ノキシ）フエニル〕エタン、1,1−ビス〔３−メチル−
４−（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕エタン、
1,1−ビス〔３−クロロ−４−（４−マレイミドフエノ
キシ）フエニル〕エタン、1,1−ビス〔３−ブロモ−４
−（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕エタン、ビ
ス〔４−４−（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕
メタン、ビス〔３−メチル−４−（４−マレイミドフエ
ノキシ）フエニル〕メタン、ビス〔３−クロロ−４−
（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕メタン、ビス
〔３−ブロモ−４−（４−マレイミドフエノキシ）フエ
ニル〕メタン,1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビ
ス〔４−（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕プロ
パン、1,1,1,3,3,3−ヘキサクロロ−2,2−ビス〔４−
（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕プロパン、3,
3−ビス〔４−（４−マレイミドフエノキシ）フエニ
ル〕ペンタン、1,1−ビス〔４−（４−マレイミドフエ
ノキシ）フエニル〕プロパン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフ
ルオロ−2,2−ビス〔3,5−ジブロモ−４−（４−マレイ
ミドフエノキシ）フエニル〕プロパン、1,1,1,3,3,3−
ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔３−メチル−４−（４−
マレイミドフエノキシ）フエニル〕プロパンなどがあ
り、これらの１種以上用いることが出来る。等を挙げる
ことができ、又これらの２種以上を混合して使用するこ
ともできる。更に又、モノ置換マレイミド、トリ置換マ
レイミド、テトラ置換マレイミドと前記置換ビスマレイ
ミドとの混合物も適宜使用することができる。
置換された２価の有機基を示す〕で表わされる化合物
で、例えばN,N′−エチレンビスマレイミド、N,N′−ヘ
キサメチレンビスマレイミド、N,N′−ドデカメチレン
ビスマレイミド、N,N′−ｍ−フエニレンビスマレイミ
ド、N,N′−4,4′−ジフエニルエーテルビスマレイミ
ド、N,N′−4,4′−ジフエニルメタンビスマレイミド、
N,N′−4,4′−ジシクロヘキシルメタンビスマレイミ
ド、N,N′−4,4′−メタキシレンビスマレイミド、N,
N′−4,4′−ジフエニルシクロヘキサンビスマレイミド
2,2−ビス〔４−（４−マレイミドフエノキシ）フエニ
ル）プロパン、2,2−ビス〔３−メチル−４−（４−マ
レイミドフエノキシ）フエニル〕プロパン、2,2−ビス
〔３−クロロ−４−（４−マレイミドフエノキシ）フエ
ニル〕プロパン、2,2−ビス〔３−ブロモ−４−（４−
マレイミドフエノキシ）フエニル〕プロパン、2,2−ビ
ス〔３−エチル−４−（４−マレイミドフエノキシ）フ
エニル〕プロパン、2,2−ビス〔３−プロピル−４−
（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕プロパン、2,
2−ビス〔３−イソプロピル−４−（４−マレイミドフ
エノキシ）フエニル〕プロパン、2,2−ビス〔３−ブチ
ル−４−（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕プロ
パン、2,2−ビス（３−sec−ブチル−４−（４−マレイ
ミドフエノキシ）フエニル〕プロパン、2,2−ビス〔３
−メトキシ−４−（４−マレイミドフエノキシ）フエニ
ル〕プロパン、1,1−ビス〔４−（４−マレイミドフエ
ノキシ）フエニル〕エタン、1,1−ビス〔３−メチル−
４−（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕エタン、
1,1−ビス〔３−クロロ−４−（４−マレイミドフエノ
キシ）フエニル〕エタン、1,1−ビス〔３−ブロモ−４
−（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕エタン、ビ
ス〔４−４−（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕
メタン、ビス〔３−メチル−４−（４−マレイミドフエ
ノキシ）フエニル〕メタン、ビス〔３−クロロ−４−
（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕メタン、ビス
〔３−ブロモ−４−（４−マレイミドフエノキシ）フエ
ニル〕メタン,1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビ
ス〔４−（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕プロ
パン、1,1,1,3,3,3−ヘキサクロロ−2,2−ビス〔４−
（４−マレイミドフエノキシ）フエニル〕プロパン、3,
3−ビス〔４−（４−マレイミドフエノキシ）フエニ
ル〕ペンタン、1,1−ビス〔４−（４−マレイミドフエ
ノキシ）フエニル〕プロパン、1,1,1,3,3,3−ヘキサフ
ルオロ−2,2−ビス〔3,5−ジブロモ−４−（４−マレイ
ミドフエノキシ）フエニル〕プロパン、1,1,1,3,3,3−
ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔３−メチル−４−（４−
マレイミドフエノキシ）フエニル〕プロパンなどがあ
り、これらの１種以上用いることが出来る。等を挙げる
ことができ、又これらの２種以上を混合して使用するこ
ともできる。更に又、モノ置換マレイミド、トリ置換マ
レイミド、テトラ置換マレイミドと前記置換ビスマレイ
ミドとの混合物も適宜使用することができる。
また、本発明の樹脂組成物には、無機系ポリマ、あるい
は又は無機系充填材を添加配合することが出来る。
は又は無機系充填材を添加配合することが出来る。
無機系ポリマとは、例えば、シロキサン結合を有する重
合体、フツ素含有重合体、ホスフアゼン重合体、カルボ
ラン環を有する重合体などを云い、特に、シロキサン結
合を有する重合体、フツ素含有重合体が、本発明の効果
（特に、半導体素子表面と樹脂組成物との接着性向上）
を高める上で、有効である。
合体、フツ素含有重合体、ホスフアゼン重合体、カルボ
ラン環を有する重合体などを云い、特に、シロキサン結
合を有する重合体、フツ素含有重合体が、本発明の効果
（特に、半導体素子表面と樹脂組成物との接着性向上）
を高める上で、有効である。
また、無機質充填材としては、シリカ，アルミナ、チタ
ニア，炭酸カルシウム，水酸化アルミニウム，チタン酸
カリウム（繊維），ケイ酸アルミニウム，ケイ酸ジルコ
ニウム，ジルコン，ガラス，タルク，クレー，マイカ，
黒鉛，アルミニウム，銅，銀，鉄などの粉末である。こ
れらの１種以上を併用して用いることも出来る。
ニア，炭酸カルシウム，水酸化アルミニウム，チタン酸
カリウム（繊維），ケイ酸アルミニウム，ケイ酸ジルコ
ニウム，ジルコン，ガラス，タルク，クレー，マイカ，
黒鉛，アルミニウム，銅，銀，鉄などの粉末である。こ
れらの１種以上を併用して用いることも出来る。
また、本発明の樹脂組成物には、フエノキシ樹脂を添加
することも出来る。例えば、次式 で表わされる樹脂があげられる。商業的に入手出来るフ
エノキシ樹脂としては、Ciba Products Co.のAraldite
488E-32、Araldite 488N-40、Union Carbide Plastics
Co.のPKHH,PKHA,PKHC,PAHJ,PKHSシリーズ,PRDAシリー
ズ,Dow Chemical Co.のD.E.R686MK40,DER684,MK40,Jone
s-Dabney Co.のEpi-Rez2287,Shell Chomical Co.のEpon
ol53-L-32,Eponol53-40,Eponol55-L-32,Eponol55-B-40
などがある。
することも出来る。例えば、次式 で表わされる樹脂があげられる。商業的に入手出来るフ
エノキシ樹脂としては、Ciba Products Co.のAraldite
488E-32、Araldite 488N-40、Union Carbide Plastics
Co.のPKHH,PKHA,PKHC,PAHJ,PKHSシリーズ,PRDAシリー
ズ,Dow Chemical Co.のD.E.R686MK40,DER684,MK40,Jone
s-Dabney Co.のEpi-Rez2287,Shell Chomical Co.のEpon
ol53-L-32,Eponol53-40,Eponol55-L-32,Eponol55-B-40
などがある。
フエノキシ樹脂の添加により、素子表面と樹脂組成物と
の接着性向上が達成される。
の接着性向上が達成される。
また、本発明の樹脂組成物には、シラン系、チタネート
系，アルミニウムアルコラート系，アルミニウムキレー
ト系，ジルコネート系，ボラン系，フツ素系，ジルコア
ルミネート系などの公知の表面処理材（カツプリング
剤）を用いることができる。例えば、 β−（3,4−Epoxy cyclohexyl）ethyl trimethoxy Silane, γ−Glycidoxy propyl trimethoxy Silane, Ｎ−β（aminoethyl）γ−aminopropyl methyl- dimethoxy Silane, γ−Chloropropyl-trimethoxy Silane, γ−Mercaptopropyl trimethoxy Silane, γ−Aminopropyl triethoxy Silane, γ−Methacryloxy propyl trimethoxy Silane, γ−Ureidopropyl triethoxy Silane, methyl trimethoxy Silaneなどのシラン系処理剤，アル
ミニウムイソプロピレート，モノーSec−ブトキシアル
ミニウムジイソプロピレート，エチルアセトアセテート
アルミニウムジイソプロピレート，アルミニウムトリス
（エチルアセトアセテート），あるいは、テトライソプ
ロピルチタネート，テトラノルマルブチルチタネート，
テトラステアリルチタネート，テトラ−２−エチルヘキ
シルチタネート，チタンアセチルアセトネート，チタン
トリエタノールアミネート，チタンオクチレングルコレ
ート，ポリヒドロオキシチタンステアレート，ポリイソ
プロポキシチタンステアレート，あるいは、アミノ基末
端，カルボキシル基末端，ヒドロキシル基末端のジルコ
アルミネート系化合物などがあり、１種以上を併用して
用いることも出来る。
系，アルミニウムアルコラート系，アルミニウムキレー
ト系，ジルコネート系，ボラン系，フツ素系，ジルコア
ルミネート系などの公知の表面処理材（カツプリング
剤）を用いることができる。例えば、 β−（3,4−Epoxy cyclohexyl）ethyl trimethoxy Silane, γ−Glycidoxy propyl trimethoxy Silane, Ｎ−β（aminoethyl）γ−aminopropyl methyl- dimethoxy Silane, γ−Chloropropyl-trimethoxy Silane, γ−Mercaptopropyl trimethoxy Silane, γ−Aminopropyl triethoxy Silane, γ−Methacryloxy propyl trimethoxy Silane, γ−Ureidopropyl triethoxy Silane, methyl trimethoxy Silaneなどのシラン系処理剤，アル
ミニウムイソプロピレート，モノーSec−ブトキシアル
ミニウムジイソプロピレート，エチルアセトアセテート
アルミニウムジイソプロピレート，アルミニウムトリス
（エチルアセトアセテート），あるいは、テトライソプ
ロピルチタネート，テトラノルマルブチルチタネート，
テトラステアリルチタネート，テトラ−２−エチルヘキ
シルチタネート，チタンアセチルアセトネート，チタン
トリエタノールアミネート，チタンオクチレングルコレ
ート，ポリヒドロオキシチタンステアレート，ポリイソ
プロポキシチタンステアレート，あるいは、アミノ基末
端，カルボキシル基末端，ヒドロキシル基末端のジルコ
アルミネート系化合物などがあり、１種以上を併用して
用いることも出来る。
本発明において用いることが出来る封止用樹脂組成物と
しては、例えば、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、メラ
ミン樹脂、尿素樹脂、ジアリルフタレート樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、付加型ポリイミド樹
脂、シリコーン樹脂、ポリパラビニルフエノール樹脂、
フツ素樹脂、ポリフエニレンスルフイド、ポリアミド、
ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリプロ
ピレンなどがある。
しては、例えば、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、メラ
ミン樹脂、尿素樹脂、ジアリルフタレート樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、付加型ポリイミド樹
脂、シリコーン樹脂、ポリパラビニルフエノール樹脂、
フツ素樹脂、ポリフエニレンスルフイド、ポリアミド、
ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリプロ
ピレンなどがある。
これらの中でも、エポキシ樹脂組成物は封止用樹脂組成
物として有用である。
物として有用である。
エポキシ樹脂としては、例えばビスフエノールＡのジグ
リシジルエーテル、ブタジエンジエポキサイド、3,4−
エポキシシクロヘキシルメチル−（3,4−エポキシ）シ
クロヘキサンカルボキシレート、ビニルシクロヘキサン
ジオキシド、4,4′−ジ（1,2−エポキシエチル）ジフエ
ニルエーテル、4,4′−（1,2−エポキシエチル）ビフエ
ニル、2,2−ビス（3,4−エポキシシクロヘキシル）プロ
パン、レゾルシンのグリシジルエーテル、フロログリシ
ンのジグリシジルエーテル、メチルフロログリシンのジ
グリシジルエーテル、ビス−（2,3−エポキシシクロペ
ンチル）エーテル、２−（3,4−エポキシ）シクロヘキ
サン−5,5−スピロ（3,4−エポキシ）−シクロヘキサン
−ｍ−ジオキサン、ビス（3,4−エポキシ−６−メチル
シクロヘキシル）アジペート、N,N′−ｍ−フエニレン
ビス（4,5−エポキシ−1,2−シクロヘキサン）ジカルボ
キシイミドなどの２官能のエポキシ化合物、パラアミノ
フエノールのトリグリシジルエーテル、ポリアリルグリ
シジルエーテル、1,3,5−トリ（1,2−エポキシエチル）
ベンゼン、2,2′,4,4′−テトラグリシドキシベンゾフ
ェノン、テトラグリシドキシテトラフエニルエタン、フ
エノールホルムアルデヒドノボラックのポリグリシジル
エーテル、グリセリンのトリグリシジルエーテル、トリ
メチロールプロパンのトリグリシジルエーテルなど３官
能以上のエポキシ化合物が用いられる。
リシジルエーテル、ブタジエンジエポキサイド、3,4−
エポキシシクロヘキシルメチル−（3,4−エポキシ）シ
クロヘキサンカルボキシレート、ビニルシクロヘキサン
ジオキシド、4,4′−ジ（1,2−エポキシエチル）ジフエ
ニルエーテル、4,4′−（1,2−エポキシエチル）ビフエ
ニル、2,2−ビス（3,4−エポキシシクロヘキシル）プロ
パン、レゾルシンのグリシジルエーテル、フロログリシ
ンのジグリシジルエーテル、メチルフロログリシンのジ
グリシジルエーテル、ビス−（2,3−エポキシシクロペ
ンチル）エーテル、２−（3,4−エポキシ）シクロヘキ
サン−5,5−スピロ（3,4−エポキシ）−シクロヘキサン
−ｍ−ジオキサン、ビス（3,4−エポキシ−６−メチル
シクロヘキシル）アジペート、N,N′−ｍ−フエニレン
ビス（4,5−エポキシ−1,2−シクロヘキサン）ジカルボ
キシイミドなどの２官能のエポキシ化合物、パラアミノ
フエノールのトリグリシジルエーテル、ポリアリルグリ
シジルエーテル、1,3,5−トリ（1,2−エポキシエチル）
ベンゼン、2,2′,4,4′−テトラグリシドキシベンゾフ
ェノン、テトラグリシドキシテトラフエニルエタン、フ
エノールホルムアルデヒドノボラックのポリグリシジル
エーテル、グリセリンのトリグリシジルエーテル、トリ
メチロールプロパンのトリグリシジルエーテルなど３官
能以上のエポキシ化合物が用いられる。
その硬化剤としては、各種のフエノール系化合物とアル
デヒド系化合物とを、酸性もしくは塩基性触媒の存在に
おいて、付加縮合反応させることにより生成される樹脂
類が使用され、特にフエノール、クレゾールなどとホル
ムアルデヒドとを用いて、酸性触媒反応によって合成さ
れるノボラツク樹脂が有用である。
デヒド系化合物とを、酸性もしくは塩基性触媒の存在に
おいて、付加縮合反応させることにより生成される樹脂
類が使用され、特にフエノール、クレゾールなどとホル
ムアルデヒドとを用いて、酸性触媒反応によって合成さ
れるノボラツク樹脂が有用である。
さらに、エポキシ樹脂組成物の硬化反応を促進する目的
で各種の触媒を添加することができ、この触媒として
は、例えばトリエタノールアミン、テトラメチルブタン
ジアミン、テトラメチルペンタンジアミン、テトラメチ
ルヘキサンジアミン、トリエチレンジアミン及びジメチ
ルアニリン等の第３級アミン、ジメチルアミノエタノー
ル及びジメチルアミノペンタノール等のオキシアルキル
アミンならびにトリス（ジメチルアミノメチル）フエノ
ール及びメチルモルホリン等のアミノ類を適用すること
ができる。
で各種の触媒を添加することができ、この触媒として
は、例えばトリエタノールアミン、テトラメチルブタン
ジアミン、テトラメチルペンタンジアミン、テトラメチ
ルヘキサンジアミン、トリエチレンジアミン及びジメチ
ルアニリン等の第３級アミン、ジメチルアミノエタノー
ル及びジメチルアミノペンタノール等のオキシアルキル
アミンならびにトリス（ジメチルアミノメチル）フエノ
ール及びメチルモルホリン等のアミノ類を適用すること
ができる。
又、同じ目的で、触媒として、例えばセチルトリメチル
アンモニウムプロマイド、セチルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムアイオ
ダイド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライド、
ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライ
ド、ベンジルメチルパルミチルアンモニウムクロライ
ド、アリルドデシルトリメチルアンモニウムブロマイ
ド、ベンジルジメチルステアリルアンモニウムブロマイ
ド、ステアリルトリメチルアンモニウムクロライド及び
ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムアセテート
等の第４級アンモニウム塩を適用することができ、更に
は、２−ウンデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾ
ール、１−エチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミ
ダゾール、２−メチル−４−エチルイミダゾール、１−
ブチルイミダゾール、１−プロピル−２−メチルイミダ
ゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−
シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエ
チル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル
−２−フエニルイミダゾール、１−アジン−２−メチル
イミダゾール及び１−アジン−２−ウンデシルイミダゾ
ール等のイミダゾール化合物あるいは又、トリフェニル
ホスフインテトラフエニルボレート、トリエチルアミン
テトラフエニルボレート、Ｎ−メチルモルホリンテトラ
フエニルボレート、ビリジンテトラフエニルボレート２
−エチル−４−メチルイミダゾールテトラフエニルボレ
ート及び２−エチル−1,4−ジメチルイミダゾールテト
ラフエニルボレート等のテトラフエニルボロン塩等が有
用である。
アンモニウムプロマイド、セチルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムアイオ
ダイド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライド、
ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライ
ド、ベンジルメチルパルミチルアンモニウムクロライ
ド、アリルドデシルトリメチルアンモニウムブロマイ
ド、ベンジルジメチルステアリルアンモニウムブロマイ
ド、ステアリルトリメチルアンモニウムクロライド及び
ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムアセテート
等の第４級アンモニウム塩を適用することができ、更に
は、２−ウンデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾ
ール、１−エチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミ
ダゾール、２−メチル−４−エチルイミダゾール、１−
ブチルイミダゾール、１−プロピル−２−メチルイミダ
ゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−
シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエ
チル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル
−２−フエニルイミダゾール、１−アジン−２−メチル
イミダゾール及び１−アジン−２−ウンデシルイミダゾ
ール等のイミダゾール化合物あるいは又、トリフェニル
ホスフインテトラフエニルボレート、トリエチルアミン
テトラフエニルボレート、Ｎ−メチルモルホリンテトラ
フエニルボレート、ビリジンテトラフエニルボレート２
−エチル−４−メチルイミダゾールテトラフエニルボレ
ート及び２−エチル−1,4−ジメチルイミダゾールテト
ラフエニルボレート等のテトラフエニルボロン塩等が有
用である。
上記の触媒はその２種以上を併用することもでき、その
量は、多官能エポキシ化合物（Ａ）100に対して、重量
比で、0.01〜20の範囲で用いればよい。
量は、多官能エポキシ化合物（Ａ）100に対して、重量
比で、0.01〜20の範囲で用いればよい。
また、本発明のエポキシ樹脂組成物には、その用途、使
用目的に応じて、例えば炭酸カルシウム、シリカ、アル
ミナ、チタニア、水酸化アルミニウム、ケイ酸アルミニ
ウム、ケイ酸ジルコニウム、ジルコン、ガラス、タル
ク、マイカ、黒鉛、アルミニウム、銅、鉄などの粉末や
短繊維状充填剤、脂肪酸及びワツクス類等の離型剤、エ
ポキシシラン、ビニルシラン、ボラン系化合物及びアル
キルチタネート系化合物等のカツプリング剤、そしてさ
らに、アンチモンやリンの化合物及びハロゲン含有化合
物のような難燃剤を加えることができる。
用目的に応じて、例えば炭酸カルシウム、シリカ、アル
ミナ、チタニア、水酸化アルミニウム、ケイ酸アルミニ
ウム、ケイ酸ジルコニウム、ジルコン、ガラス、タル
ク、マイカ、黒鉛、アルミニウム、銅、鉄などの粉末や
短繊維状充填剤、脂肪酸及びワツクス類等の離型剤、エ
ポキシシラン、ビニルシラン、ボラン系化合物及びアル
キルチタネート系化合物等のカツプリング剤、そしてさ
らに、アンチモンやリンの化合物及びハロゲン含有化合
物のような難燃剤を加えることができる。
実施例１ 500mlの三角フラスコ中に、250mlのＮ−メチルピロリド
ンを採り、次の３種類のポリイミド前駆体 を、第１表に記した所定配合量を加え、加熱攪拌して溶
解し、ポリイミド前駆体溶液を作成した。
ンを採り、次の３種類のポリイミド前駆体 を、第１表に記した所定配合量を加え、加熱攪拌して溶
解し、ポリイミド前駆体溶液を作成した。
次いで、該溶液に、フエノキシ樹脂PKHH（ユニオン・カ
ーバイト社製）、付加型ポリイミドとして、N,N′−4,
4′−ジフエニルメタンビスマレイミド、アルミニウム
キレートカツプリング剤ALCH-TR（川研フアインケミカ
ル社製）、パーフルオロアルキルアクリレート CH2＝CHCOO−C2H4C8F17 をそれぞれ第１表に記した所定配合量添加して溶解させ
被覆用組成物を得た。
ーバイト社製）、付加型ポリイミドとして、N,N′−4,
4′−ジフエニルメタンビスマレイミド、アルミニウム
キレートカツプリング剤ALCH-TR（川研フアインケミカ
ル社製）、パーフルオロアルキルアクリレート CH2＝CHCOO−C2H4C8F17 をそれぞれ第１表に記した所定配合量添加して溶解させ
被覆用組成物を得た。
次いで、256kビツトＤ−RAMメモリ用LSI（16ピン）の素
子及びリード線（ワイヤボンデイングを含む）上に、上
記被覆用組成物の溶液を滴下した。その後、100℃で１
時間、200℃で１時間、250℃で30分加熱を続け、素子上
に30〜60μｍの厚さの被覆膜を得た。
子及びリード線（ワイヤボンデイングを含む）上に、上
記被覆用組成物の溶液を滴下した。その後、100℃で１
時間、200℃で１時間、250℃で30分加熱を続け、素子上
に30〜60μｍの厚さの被覆膜を得た。
次いで、少なくともポリイミド樹脂を含む組成物で被覆
された上記メモリ用LSI素子は、下記のエポキシ樹脂組
成物で、トランスフア成形（180℃,70kg/cm2,1.5分成
形）により封止され、樹脂封止型半導体装置を得た。そ
れぞれ100ケのLSIについて耐湿信頼性を評価した。結果
を第１表に記した。なお、比較の為にフエノキシ樹脂を
含まない樹脂組成物を用いたものも比較例として第１表
に記載した。
された上記メモリ用LSI素子は、下記のエポキシ樹脂組
成物で、トランスフア成形（180℃,70kg/cm2,1.5分成
形）により封止され、樹脂封止型半導体装置を得た。そ
れぞれ100ケのLSIについて耐湿信頼性を評価した。結果
を第１表に記した。なお、比較の為にフエノキシ樹脂を
含まない樹脂組成物を用いたものも比較例として第１表
に記載した。
封止用エポキシ樹脂組成物の作成 多官能エポキシ化合物として、トリス（ヒドロキシフエ
ニル）メタンベースの多官能エポキシ化合物XD-9053
（ダウ・ケミカル社製，エポキシ当量225）100重量部、
硬化剤として、ノボラツク型フエノール樹脂（日立化成
社製，軟化点83℃）55重量部、硬化促進剤として、トリ
エチルアミンテトラフエニルボレート（TEA−Ｋ）３重
量部、カツプリング剤として、エポキシシランKBM303
（信越化学社製）２重量部、難燃材として、付加型イミ
ドコート赤リン５重量部、離型剤として、ステアリン酸
カルシウム１重量部とヘキストワツクスＥ（ヘキストジ
ヤパン社製）１重量部、充填剤として、溶融石英ガラス
粉490重量部、着色剤として、カーボンブラツク（キヤ
ボツト社製）２重量部を添加配合した。
ニル）メタンベースの多官能エポキシ化合物XD-9053
（ダウ・ケミカル社製，エポキシ当量225）100重量部、
硬化剤として、ノボラツク型フエノール樹脂（日立化成
社製，軟化点83℃）55重量部、硬化促進剤として、トリ
エチルアミンテトラフエニルボレート（TEA−Ｋ）３重
量部、カツプリング剤として、エポキシシランKBM303
（信越化学社製）２重量部、難燃材として、付加型イミ
ドコート赤リン５重量部、離型剤として、ステアリン酸
カルシウム１重量部とヘキストワツクスＥ（ヘキストジ
ヤパン社製）１重量部、充填剤として、溶融石英ガラス
粉490重量部、着色剤として、カーボンブラツク（キヤ
ボツト社製）２重量部を添加配合した。
次いで、70〜85℃の８インチ径２本ロールで７分間混練
した後、粗粉砕して樹脂組成物を得た。
した後、粗粉砕して樹脂組成物を得た。
追加実施例 次式で表わされるアセチレン基末端ポリイミド（前駆
体） 重合体をトルエンに溶解して、１重量％の樹脂溶液を調
製した。該溶液を、多層（２層）配線絶縁膜として用い
た場合の素子構造を、第１図，第２図に示した。
体） 重合体をトルエンに溶解して、１重量％の樹脂溶液を調
製した。該溶液を、多層（２層）配線絶縁膜として用い
た場合の素子構造を、第１図，第２図に示した。
素子の構成は、Si素子基板上に、SiO2絶縁層、ポリシリ
コン層、更に第一層目のアルミニウム配線（４−Ｉ）を
形成した後に、上記樹脂被膜材料を塗布（スピンナー使
用）、焼付け（250℃,60分間）した（３−Ｉ）のち、ポ
ジレジストを塗布して、スルホールのパターニングを行
なつた。次いで、CF4-O2を反応ガスとしてプラズマエツ
チした。次いでO3を反応ガスとするプラズマアツシヤー
によつてポジレジストを除去した。
コン層、更に第一層目のアルミニウム配線（４−Ｉ）を
形成した後に、上記樹脂被膜材料を塗布（スピンナー使
用）、焼付け（250℃,60分間）した（３−Ｉ）のち、ポ
ジレジストを塗布して、スルホールのパターニングを行
なつた。次いで、CF4-O2を反応ガスとしてプラズマエツ
チした。次いでO3を反応ガスとするプラズマアツシヤー
によつてポジレジストを除去した。
次いで、第２層目のアルミニウム配線（４−II）を形成
した後、さらに、上記樹脂液を塗布、焼付け（前記条件
と同じ）した。（３−II層） なお、第３図は、第２層目の被覆樹脂として、ポリイミ
ド樹脂を用いた場合（４層）を示した。
した後、さらに、上記樹脂液を塗布、焼付け（前記条件
と同じ）した。（３−II層） なお、第３図は、第２層目の被覆樹脂として、ポリイミ
ド樹脂を用いた場合（４層）を示した。
本発明によれば、高温高湿下においても信頼性の高い動
作が可能な半導体装置を提供することができる。
作が可能な半導体装置を提供することができる。
第１図は、本発明の一実施例になる半導体装置の断面
図、第２図，第３図は、本発明に係わる半導体装置の素
子部分の一部断面図である。 １……リード線、２……半導体素子、３……保護被覆樹
脂、３−Ｉ……第１層保護被覆樹脂、３−II……第２層
保護被覆樹脂、４−Ｉ……第１層配線、４−II……第２
層配線、５……ポリイミド系樹脂、６……モールド樹
脂、７……熱硬化膜。
図、第２図，第３図は、本発明に係わる半導体装置の素
子部分の一部断面図である。 １……リード線、２……半導体素子、３……保護被覆樹
脂、３−Ｉ……第１層保護被覆樹脂、３−II……第２層
保護被覆樹脂、４−Ｉ……第１層配線、４−II……第２
層配線、５……ポリイミド系樹脂、６……モールド樹
脂、７……熱硬化膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特公 昭53−24053（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭58−11449（ＪＰ，Ｂ２) 特公 昭53−6195（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (2)
- 【請求項１】半導体素子及びリード線上に、少なくと
も、一般式 〔式中、Ar1は （式中、x1は無，-C(CH3)2-,-COO-， の中のいずれかである。）、 （式中、x1は前記と同じである。）の中のいずれかであ
る。 また、Ar2は、 （式中、x2は無，-CH2-,-C(CH3)2-,-C(CF3)2-,-CO-,-CO
O-,-S-,-SO2-， の中のいずれかである。）の中のいずれかである。〕で
表されるアセチレン基末端ポリイミド樹脂と、 芳香族ポリイミド，ポリベンズイミダゾール，付加型ポ
リイミド，フエノキシ樹脂，エポキシ樹脂，フエノール
樹脂，シクロヘキサン重合体，フツ素含有重合体の中の
少なくとも１種を含む樹脂組成物（Ａ）で被覆した後、
加熱硬化して得られる被膜を有し、次いで該被膜の表面
に直接あるいは間接に無機質充填材を含む樹脂組成物
（Ｂ）で封止してなることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】無機質充填材を含む樹脂組成物（Ｂ）が、
多官能エポキシ樹脂，付加反応型イミドの少なくとも１
種を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61000599A JPH0732149B2 (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61000599A JPH0732149B2 (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62159436A JPS62159436A (ja) | 1987-07-15 |
| JPH0732149B2 true JPH0732149B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=11478198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61000599A Expired - Lifetime JPH0732149B2 (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732149B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009046622A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Fujifilm Corp | 膜形成用組成物、膜及び電子デバイス |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS536195A (en) * | 1976-07-07 | 1978-01-20 | Fuji Machine Mfg | Automatic feeder for packing article |
| JPS5324053A (en) * | 1976-08-13 | 1978-03-06 | Nobuko Inoue | Foreign wine added fruit drink |
| JPS5811449A (ja) * | 1981-07-14 | 1983-01-22 | センジミア−エンジニアリング コ−ポレ−シヨン | 帯材を一時的に保管する方法及び装置 |
-
1986
- 1986-01-08 JP JP61000599A patent/JPH0732149B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62159436A (ja) | 1987-07-15 |
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