JPH0732188B2 - 半導体装置の検査装置 - Google Patents
半導体装置の検査装置Info
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- JPH0732188B2 JPH0732188B2 JP28688386A JP28688386A JPH0732188B2 JP H0732188 B2 JPH0732188 B2 JP H0732188B2 JP 28688386 A JP28688386 A JP 28688386A JP 28688386 A JP28688386 A JP 28688386A JP H0732188 B2 JPH0732188 B2 JP H0732188B2
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ボールボンディング或いはウェッジボンディ
ングなどによるワイヤボンド工程を終了した半導体装置
のワイヤボンディング状態の外観検査を行う半導体装置
の検査装置に関するものである。
ングなどによるワイヤボンド工程を終了した半導体装置
のワイヤボンディング状態の外観検査を行う半導体装置
の検査装置に関するものである。
ワイヤボンディング状態の検査は、従来は、手動で作業
者による目視作業により行われていた。検査項目として
は、例えばボールボンディングの場合、ワイヤなし、ワ
イヤ切れ、ミスボンド（誤った場所にボンディングす
る）、ワイヤ高さ、ワイヤカール（余分な曲がり）、リ
フトボンド（ボンド部分の浮上がり）、パッド、リード
に対するボンド位置、ボール又はステッチの寸法、形状
などが挙げられる。
者による目視作業により行われていた。検査項目として
は、例えばボールボンディングの場合、ワイヤなし、ワ
イヤ切れ、ミスボンド（誤った場所にボンディングす
る）、ワイヤ高さ、ワイヤカール（余分な曲がり）、リ
フトボンド（ボンド部分の浮上がり）、パッド、リード
に対するボンド位置、ボール又はステッチの寸法、形状
などが挙げられる。
また、特開昭61−148828号公報にみられる如く、焦点深
度の浅いレンズを備えたカメラを用い、カメラを上下さ
せてワイヤの高さ方向の変形量を検査する試みもなされ
ていた。
度の浅いレンズを備えたカメラを用い、カメラを上下さ
せてワイヤの高さ方向の変形量を検査する試みもなされ
ていた。
しかしながら、従来の目視による検査では、検査結果に
ばらつきを伴い精度が悪く、手間もかかるので検査効率
が低いものであった。
ばらつきを伴い精度が悪く、手間もかかるので検査効率
が低いものであった。
また、カメラを用いた検査では上下方向のカメラ移動に
時間がかかるばかりでなく、レンズが高倍率であって視
野が狭く、半導体装置のICチップ周辺の広い範囲をカバ
ーするためにはパッド，リード毎にカメラを水平移動す
ることが必要となり、時間を要し、検査効率が低かっ
た。
時間がかかるばかりでなく、レンズが高倍率であって視
野が狭く、半導体装置のICチップ周辺の広い範囲をカバ
ーするためにはパッド，リード毎にカメラを水平移動す
ることが必要となり、時間を要し、検査効率が低かっ
た。
本発明は、前記従来の問題点を解決し、外観検査の自動
化が容易に行え、検査精度及び検査効率が向上する半導
体装置の検査装置を提供することを目的とするものであ
る。
化が容易に行え、検査精度及び検査効率が向上する半導
体装置の検査装置を提供することを目的とするものであ
る。
本発明は上記の課題を解決する手段として、ワイヤボン
ドを行った後の半導体装置の外観検査を検査ステージに
て行う半導体装置の検査装置において、ワイヤボンドを
行った後の半導体装置を収納、供給するローディング装
置と、該ローディング装置により供給された半導体装置
を移送し、前記検査ステージを経て排出する移送装置
と、該移送装置により排出された半導体装置を受けてこ
れを収容するアンローディング装置と、前記検査ステー
ジにおいて半導体装置のICチップ及びその周辺全体を含
む視野を有し、撮像中心軸が検査点に一致する複数の低
倍率撮像装置と一つのパッド或いはリード及びその周辺
を含む視野を有する高倍率撮像装置とを備えた半導体装
置の撮像装置と、該撮像装置により得られた撮像信号を
デジタル処理して、予めメモリ回路に記憶されている標
準データと比較してボンディング状態の良否を判定する
画像処理装置と、該画像処理装置の判定信号に基づき半
導体装置に良否を区別する判定目印を付すマーキング装
置と、を備えたことを特徴とする半導体装置の検査装置
を提供せんとするものである。
ドを行った後の半導体装置の外観検査を検査ステージに
て行う半導体装置の検査装置において、ワイヤボンドを
行った後の半導体装置を収納、供給するローディング装
置と、該ローディング装置により供給された半導体装置
を移送し、前記検査ステージを経て排出する移送装置
と、該移送装置により排出された半導体装置を受けてこ
れを収容するアンローディング装置と、前記検査ステー
ジにおいて半導体装置のICチップ及びその周辺全体を含
む視野を有し、撮像中心軸が検査点に一致する複数の低
倍率撮像装置と一つのパッド或いはリード及びその周辺
を含む視野を有する高倍率撮像装置とを備えた半導体装
置の撮像装置と、該撮像装置により得られた撮像信号を
デジタル処理して、予めメモリ回路に記憶されている標
準データと比較してボンディング状態の良否を判定する
画像処理装置と、該画像処理装置の判定信号に基づき半
導体装置に良否を区別する判定目印を付すマーキング装
置と、を備えたことを特徴とする半導体装置の検査装置
を提供せんとするものである。
本発明では、各低倍率撮像装置の視野は、半導体装置の
ICチップとその周辺のボンディング状態全体が一度に見
える程度であり、撮像装置を上下、水平方向に移動する
ことなく、主としてICチップの位置ズレ及びワイヤルー
プの形状，寸法を立体的に検査し、既に記憶されている
標準データと比較して不良の有無を検査する。
ICチップとその周辺のボンディング状態全体が一度に見
える程度であり、撮像装置を上下、水平方向に移動する
ことなく、主としてICチップの位置ズレ及びワイヤルー
プの形状，寸法を立体的に検査し、既に記憶されている
標準データと比較して不良の有無を検査する。
また、高倍率撮像装置の視野は、半導体装置の一つのパ
ッド或いはリードとその周辺のボンディング状態が見え
る程度であり、主としてボールやステッチ位置、形状、
寸法を検査する。この視野は各パッド及びリードごとに
移動するが、既に低倍率撮像装置で得られたICチップの
ズレ量に基づいて各パッドの位置が算出されメモリ回路
に記憶されているので、視野の移動に際しても高倍率撮
像時に改めてパッド位置を検出する必要がなく、その算
出位置を目標に迅速に移動を行うことができる。
ッド或いはリードとその周辺のボンディング状態が見え
る程度であり、主としてボールやステッチ位置、形状、
寸法を検査する。この視野は各パッド及びリードごとに
移動するが、既に低倍率撮像装置で得られたICチップの
ズレ量に基づいて各パッドの位置が算出されメモリ回路
に記憶されているので、視野の移動に際しても高倍率撮
像時に改めてパッド位置を検出する必要がなく、その算
出位置を目標に迅速に移動を行うことができる。
本発明の実施例につき図面を用いて説明する。
第１図において、検査装置の本体のベースフレーム１の
上にワイヤボンディング工程を終了したリードフレーム
などの半導体装置を収容した供給用マガジン２、該供給
用マガジン２を昇降せしめる供給用エレベータ３、外観
検査を行う検査ステージ４、供給用マガジン２の中の半
導体装置を一つづつ検査ステージ４に押し出して供給す
る押し出し装置５、検査ステージ４に供給された半導体
装置６を低倍率検査点７、高倍率検査点８、マーキング
点９を経て間欠的に移送せしめる移送装置10、検査及び
マーキングを終了した半導体装置を収容する収納用マガ
ジン11、該収納用マガジン11を昇降せしめる収納用エレ
ベータ12が備えられている。移送装置10は１組で複数個
の半導体装置を同時に移動せしめてもよく、複数組用い
て同時又は単独に動かしてもよい。
上にワイヤボンディング工程を終了したリードフレーム
などの半導体装置を収容した供給用マガジン２、該供給
用マガジン２を昇降せしめる供給用エレベータ３、外観
検査を行う検査ステージ４、供給用マガジン２の中の半
導体装置を一つづつ検査ステージ４に押し出して供給す
る押し出し装置５、検査ステージ４に供給された半導体
装置６を低倍率検査点７、高倍率検査点８、マーキング
点９を経て間欠的に移送せしめる移送装置10、検査及び
マーキングを終了した半導体装置を収容する収納用マガ
ジン11、該収納用マガジン11を昇降せしめる収納用エレ
ベータ12が備えられている。移送装置10は１組で複数個
の半導体装置を同時に移動せしめてもよく、複数組用い
て同時又は単独に動かしてもよい。
半導体装置を撮像する撮像装置は、XYテーブル13に設け
られた複数の低倍率撮像装置14と、XYテーブル15に設け
られた高倍率撮像装置16とより成り、それぞれ低倍率検
査点７及び高倍率検査点８において半導体装置６の所定
部分の撮像を行うようになっている。17は撮像された画
像を表示するモニターである。
られた複数の低倍率撮像装置14と、XYテーブル15に設け
られた高倍率撮像装置16とより成り、それぞれ低倍率検
査点７及び高倍率検査点８において半導体装置６の所定
部分の撮像を行うようになっている。17は撮像された画
像を表示するモニターである。
18は検査結果が不良である半導体装置の部分に不良なる
ことを表示するマークを付すマーキング装置であり、マ
ーキング点９において検査結果に応じてマークを付すよ
うになっている。
ことを表示するマークを付すマーキング装置であり、マ
ーキング点９において検査結果に応じてマークを付すよ
うになっている。
各低倍率撮像装置14の視野は第２図に19にて示す如く、
一つのICチップ20とその周辺のボンディング状態全体が
一度に見える程度の視野であり、主としてICチップ20の
位置ズレ及びワイヤループの形状、寸法を検査する。
一つのICチップ20とその周辺のボンディング状態全体が
一度に見える程度の視野であり、主としてICチップ20の
位置ズレ及びワイヤループの形状、寸法を検査する。
ICチップ20が超LSIの如く特に大型の場合には、複数個
の視野に分け、XYテーブル13により移動して全体の検査
を行う。
の視野に分け、XYテーブル13により移動して全体の検査
を行う。
高倍率撮像装置16の視野は第３図に21にて示す如く一つ
のパッド22（或いはリード）とその周辺のボンディング
状態が見える程度の視野であり主としてボールやステッ
チ位置、形状、寸法を検査する。この視野21は各パッド
及びリードごとに移動するが、既に低倍率撮像装置14で
得られたICチップ20のズレ量に基づいて各パッドの位置
が算出されメモリ回路に記憶されているので、視野の移
動に際しても高倍率撮像時に改めてパッド位置を検出す
る必要がなく、その算出位置を目標に迅速に移動を行う
ことができる。
のパッド22（或いはリード）とその周辺のボンディング
状態が見える程度の視野であり主としてボールやステッ
チ位置、形状、寸法を検査する。この視野21は各パッド
及びリードごとに移動するが、既に低倍率撮像装置14で
得られたICチップ20のズレ量に基づいて各パッドの位置
が算出されメモリ回路に記憶されているので、視野の移
動に際しても高倍率撮像時に改めてパッド位置を検出す
る必要がなく、その算出位置を目標に迅速に移動を行う
ことができる。
低倍率撮像装置14の一例を第４図，第５図，第６図に示
す。
す。
低倍率撮像装置14は、レンズ系23A,23B,23C、受光面24
A,24B,24C、光・電気変換器25A,25B,25C、鏡筒26A,26B,
26C、絞り45A,45B,45Cより成る撮像ユニット27A,27B,27
Cを備え、それぞれの受光面中心とレンズの中心を結ぶ
撮像中心軸28A,28B,28CはICチップ20上の低倍率検査点
７に一致し、平面図においては第６図に示す如く撮像中
心軸28Aと28Cとは逆向き（180°方向）に、撮像中心軸2
8Bは撮像中心軸28A,28Cと直角方向になっている。各レ
ンズ系23A,23B,23Cのレンズの面（レンズの主軸に対し
直角な面）及び受光面24A,24B,24Cは全てICチップ20の
表面と平行になるよう保持されている。即ち、平面42,4
3,44は平行となっている。
A,24B,24C、光・電気変換器25A,25B,25C、鏡筒26A,26B,
26C、絞り45A,45B,45Cより成る撮像ユニット27A,27B,27
Cを備え、それぞれの受光面中心とレンズの中心を結ぶ
撮像中心軸28A,28B,28CはICチップ20上の低倍率検査点
７に一致し、平面図においては第６図に示す如く撮像中
心軸28Aと28Cとは逆向き（180°方向）に、撮像中心軸2
8Bは撮像中心軸28A,28Cと直角方向になっている。各レ
ンズ系23A,23B,23Cのレンズの面（レンズの主軸に対し
直角な面）及び受光面24A,24B,24Cは全てICチップ20の
表面と平行になるよう保持されている。即ち、平面42,4
3,44は平行となっている。
各撮像ユニット27A,27B,27Cを上記の如く配備して撮像
すると撮像中心軸28A,28B,28CがICチップ20の面に対し
て傾いているにも拘らず、受光面24A,24B,24Cに結ばれ
る像は第２図の視野全体にピントが合い、しかもあたか
も直上から撮像した如く、例えばICチップ20は歪まずに
正方形のままの形で結像する。
すると撮像中心軸28A,28B,28CがICチップ20の面に対し
て傾いているにも拘らず、受光面24A,24B,24Cに結ばれ
る像は第２図の視野全体にピントが合い、しかもあたか
も直上から撮像した如く、例えばICチップ20は歪まずに
正方形のままの形で結像する。
しかし、斜から撮像しているのであるから高さの差のあ
るものは、各撮像ユニット27A,27B,27Cごとに異なる形
状、寸法で撮像され、そのうちの少なくとも二つの撮像
ユニットの撮像信号をデジタル化して合成することによ
り各部の立体的な寸法、形状を算出することができる。
るものは、各撮像ユニット27A,27B,27Cごとに異なる形
状、寸法で撮像され、そのうちの少なくとも二つの撮像
ユニットの撮像信号をデジタル化して合成することによ
り各部の立体的な寸法、形状を算出することができる。
三つの撮像ユニット27A,27B,27Cにて第２図の如きICチ
ップ20の撮像を行ったとき、例えばボンディング部29の
部分は、正常状態ならば、各撮像ユニットでそれぞれ第
７図（ａ），（ｂ），（ｃ）の如く撮像され、このうち
の二つの撮像より得られた各部の位置のデジタル量を用
いて演算することにより、ワイヤ30の任意の点P,Qなど
の立体的な位置を求めることができる。31はリード、32
はボール、33はステッチである。
ップ20の撮像を行ったとき、例えばボンディング部29の
部分は、正常状態ならば、各撮像ユニットでそれぞれ第
７図（ａ），（ｂ），（ｃ）の如く撮像され、このうち
の二つの撮像より得られた各部の位置のデジタル量を用
いて演算することにより、ワイヤ30の任意の点P,Qなど
の立体的な位置を求めることができる。31はリード、32
はボール、33はステッチである。
また例えば、ボンディング部29′は正常状態ならば、撮
像ユニット27Aにおいては第８図（ａ）の如く撮像さ
れ、撮像ユニット27Bにおいては第８図（ｂ）の如く撮
像され、両者の像のワイヤ30の各位置をデジタル処理し
て合成演算することによりワイヤ30の任意の点の立体的
位置を求めることができる。
像ユニット27Aにおいては第８図（ａ）の如く撮像さ
れ、撮像ユニット27Bにおいては第８図（ｂ）の如く撮
像され、両者の像のワイヤ30の各位置をデジタル処理し
て合成演算することによりワイヤ30の任意の点の立体的
位置を求めることができる。
このようにして求められた実物に関するデータを、既に
記憶されている標準データと比較して、低倍率撮像装置
14により、ICチップ20の位置のズレ、各部のワイヤの欠
如、ワイヤ切れ、ミスボンド（他の場所にボンド）、ワ
イヤ高さの不適寸法、ワイヤカール（横ずれ、隣のワイ
ヤとの接触）、リフトボンド（ボール32又はステッチ33
がパッド22又はリード31から浮き上がり接触していない
こと）などの不良の有無を検査することができる。
記憶されている標準データと比較して、低倍率撮像装置
14により、ICチップ20の位置のズレ、各部のワイヤの欠
如、ワイヤ切れ、ミスボンド（他の場所にボンド）、ワ
イヤ高さの不適寸法、ワイヤカール（横ずれ、隣のワイ
ヤとの接触）、リフトボンド（ボール32又はステッチ33
がパッド22又はリード31から浮き上がり接触していない
こと）などの不良の有無を検査することができる。
この際、各ワイヤ１本ごとに検査する必要はなく、数本
づつまとめて全体を数ブロックごとに数度に分けるか、
或いは全体をまとめて一度にディジタル処理により検査
することができる。従って検査時間が極めて短くなり、
また許容限度が数値化されることにより検査にばらつき
がなく精度が向上する。
づつまとめて全体を数ブロックごとに数度に分けるか、
或いは全体をまとめて一度にディジタル処理により検査
することができる。従って検査時間が極めて短くなり、
また許容限度が数値化されることにより検査にばらつき
がなく精度が向上する。
撮像ユニットは２組のみでもよい。２組、或いは３組の
撮像ユニットの撮像中心軸の方向は任意に選ぶことがで
きる。例えば第４〜６図において撮像ユニット27Aのみ
を垂直としてもよい。
撮像ユニットの撮像中心軸の方向は任意に選ぶことがで
きる。例えば第４〜６図において撮像ユニット27Aのみ
を垂直としてもよい。
第４〜６図の撮像ユニットのほかに、さらに別の認識用
ユニットを中央に垂直に設けてもよい。
ユニットを中央に垂直に設けてもよい。
高倍率撮像装置16においては、第３図の如き狭い視野に
おいて拡大された画像により、パターン認識を行い、デ
ジタル処理によって得られたボール32（又はステッチ3
3）がパッド22（又はリード31）に対する位置ズレ、ボ
ール32（又はステッチ33）の形状、寸法を、予め記憶さ
れた標準データと比較して、不良の有無を検査すること
ができる。
おいて拡大された画像により、パターン認識を行い、デ
ジタル処理によって得られたボール32（又はステッチ3
3）がパッド22（又はリード31）に対する位置ズレ、ボ
ール32（又はステッチ33）の形状、寸法を、予め記憶さ
れた標準データと比較して、不良の有無を検査すること
ができる。
この場合、全てのボンディング部分を検査する必要はな
く、或る程度の数の抜き取り検査を行えばよく、また、
パッドの位置を改めて検査する必要がないので、その時
間を省略することができ、低倍率撮像による検査に見合
った短時間で高倍率撮像による検査ができ、全体の検査
効率が向上する。また、許容限度が数値化されるので検
査にばらつきがなく精度が向上する。
く、或る程度の数の抜き取り検査を行えばよく、また、
パッドの位置を改めて検査する必要がないので、その時
間を省略することができ、低倍率撮像による検査に見合
った短時間で高倍率撮像による検査ができ、全体の検査
効率が向上する。また、許容限度が数値化されるので検
査にばらつきがなく精度が向上する。
高倍率撮像装置16のレンズ系は高倍率なるがために焦点
深度が浅く、パッド22の面と、リード31の面との間の僅
かな高さの差に対してもそれぞれピント合わせをせねば
ならない。このピント合わせ操作は、装置内のレンズ系
の調節や、装置全体の上下などにより行うほか、薄いガ
ラスなどの透光体34をレンズ系の下に出し入れして両平
面のピント合わせの調節を行うようにしてもよい。
深度が浅く、パッド22の面と、リード31の面との間の僅
かな高さの差に対してもそれぞれピント合わせをせねば
ならない。このピント合わせ操作は、装置内のレンズ系
の調節や、装置全体の上下などにより行うほか、薄いガ
ラスなどの透光体34をレンズ系の下に出し入れして両平
面のピント合わせの調節を行うようにしてもよい。
マーキング装置18は低倍率撮像装置14又は高倍率撮像装
置16からの検査信号に応じて不良のICチップの付近に不
良マークを付し、後工程における不良品排除の目印とす
る。
置16からの検査信号に応じて不良のICチップの付近に不
良マークを付し、後工程における不良品排除の目印とす
る。
第９図は信号系路の説明図であり、35はカメラコントロ
ールユニット、36は画像処理装置としてのパターン認識
ユニット、37はインターフェース制御系、38はCPU、39
はメモリ回路、40はステージドライバ、41は他のドライ
バである。
ールユニット、36は画像処理装置としてのパターン認識
ユニット、37はインターフェース制御系、38はCPU、39
はメモリ回路、40はステージドライバ、41は他のドライ
バである。
メモリ回路39には、検査各項目に関する標準データ、或
いは、二つの撮像ユニットからの平面位置データを合成
して立体位置を演算して求める演算プログラムなどが記
憶されている。
いは、二つの撮像ユニットからの平面位置データを合成
して立体位置を演算して求める演算プログラムなどが記
憶されている。
カメラコントロールユニット35においては、視野全体
を、或いは視野を複数個のブロックに分けて、１回又は
数回のフレームの走査を行いデジタル撮像信号を出力
し、パターン認識ユニット36においては、その入力信号
とメモリ回路39からの標準データに基づく標準データ信
号とを比較して、入力データ信号の正常、非正常を判定
し、不良の場合はマーキング装置18に信号を送り、該当
するICの付近にマークを付す。
を、或いは視野を複数個のブロックに分けて、１回又は
数回のフレームの走査を行いデジタル撮像信号を出力
し、パターン認識ユニット36においては、その入力信号
とメモリ回路39からの標準データに基づく標準データ信
号とを比較して、入力データ信号の正常、非正常を判定
し、不良の場合はマーキング装置18に信号を送り、該当
するICの付近にマークを付す。
モニタ17には検査情報として撮像画面のほかに、検査数
値、不良個所、不良分析などをリアルタイムで表示でき
るようになっているので、状況により直ちにボンディン
グマシンにフィードバックしてボンディング条件の設定
などのアクションを速やかに行うことができる。
値、不良個所、不良分析などをリアルタイムで表示でき
るようになっているので、状況により直ちにボンディン
グマシンにフィードバックしてボンディング条件の設定
などのアクションを速やかに行うことができる。
また、検査データを集計することにより前工程での不良
発生箇所への敏速な対応が可能となり生産の歩留向上が
はかれる。
発生箇所への敏速な対応が可能となり生産の歩留向上が
はかれる。
第10図、第11図は低倍率検査点７における照明具の例を
示す。低倍率検査点７におけるICチップ20を取囲むよう
に、かつ検査面に接近して低い位置に、環状の光源を持
つ照明灯46が設けられる。周囲から、かつ低い位置から
照明されることにより、ボンディングワイヤ30の立体的
な形状を誤りなく、明瞭に撮像することができる。
示す。低倍率検査点７におけるICチップ20を取囲むよう
に、かつ検査面に接近して低い位置に、環状の光源を持
つ照明灯46が設けられる。周囲から、かつ低い位置から
照明されることにより、ボンディングワイヤ30の立体的
な形状を誤りなく、明瞭に撮像することができる。
本発明によれば、低倍率撮像装置によって視野が広く、
深い焦点深度によって広い視野で立体的にピントが合い
易く、撮像装置を上下，水平方向に移動する必要がなく
迅速に検査することができ、また高倍率撮像装置は低倍
率撮像装置による検査により走査の一部が省略され、時
間も短縮され、全体の検査効率、検査精度が向上し、し
かも半導体装置のバンディング部の外観検査が容易に自
動化され、許容範囲が数値化されて検査のばらつきがな
い等の実用上極めて大なる効果を奏する。
深い焦点深度によって広い視野で立体的にピントが合い
易く、撮像装置を上下，水平方向に移動する必要がなく
迅速に検査することができ、また高倍率撮像装置は低倍
率撮像装置による検査により走査の一部が省略され、時
間も短縮され、全体の検査効率、検査精度が向上し、し
かも半導体装置のバンディング部の外観検査が容易に自
動化され、許容範囲が数値化されて検査のばらつきがな
い等の実用上極めて大なる効果を奏する。
図面は本発明の実施例に関するもので、第１図は全体の
斜視図、第２図は低倍率撮像装置の視野、第３図は高倍
率撮像装置の視野、第４図は低倍率撮像装置の低倍率検
査点７を通り半導体装置６の移送方向に平行な垂直面に
よる断面正面図、第５図はそのＩ−Ｉ線断面側面図、第
６図はその平面的配置図、第７図（ａ），（ｂ），
（ｃ）は一つのボンディング部を異なる撮像ユニットで
撮像した場合の像の見え方の説明図、第８図（ａ），
（ｂ）は他の一つのボンディング部を異なる撮像ユニッ
トで撮像した場合の像の見え方の説明図、第９図は信号
系路の説明図、第10図は照明具の実施例の平面図、第11
図はそのII−II線断面正面図である。 １…ベースフレーム、２…供給用マガジン、３…供給用
エレベータ、４…検査ステージ、５…押し出し装置、６
…半導体装置、７…低倍率検査点、８…高倍率検査点、
９…マーキング点、10…移送装置、11…収納用マガジ
ン、12…収納用エレベータ、13…XYテーブル、14…低倍
率撮像装置、15…XYテーブル、16…高倍率撮像装置、17
…モニター、18…マーキング装置、19…視野、20…ICチ
ップ、21…視野、22…パッド、23A,23B,23C…レンズ
系、24A,24B,24C…受光面、25A,25B,25C…光・電気変換
器、26A,26B,26C…鏡筒、27A,27B,27C…撮像ユニット、
28A,28B,28C…撮像中心軸、29,29′…ボンディング部、
30…ワイヤ、31…リード、32…ボール、33…ステッチ、
34…透光体、35…カメラコントロールユニット、36…パ
ターン認識ユニット、37…インターフェース制御系、38
…CPU、39…メモリ回路、40…ステージドライバ、41…
他のドライバ、42,43,44…平面、45A,45B,45C…絞り、4
6…照明灯。
斜視図、第２図は低倍率撮像装置の視野、第３図は高倍
率撮像装置の視野、第４図は低倍率撮像装置の低倍率検
査点７を通り半導体装置６の移送方向に平行な垂直面に
よる断面正面図、第５図はそのＩ−Ｉ線断面側面図、第
６図はその平面的配置図、第７図（ａ），（ｂ），
（ｃ）は一つのボンディング部を異なる撮像ユニットで
撮像した場合の像の見え方の説明図、第８図（ａ），
（ｂ）は他の一つのボンディング部を異なる撮像ユニッ
トで撮像した場合の像の見え方の説明図、第９図は信号
系路の説明図、第10図は照明具の実施例の平面図、第11
図はそのII−II線断面正面図である。 １…ベースフレーム、２…供給用マガジン、３…供給用
エレベータ、４…検査ステージ、５…押し出し装置、６
…半導体装置、７…低倍率検査点、８…高倍率検査点、
９…マーキング点、10…移送装置、11…収納用マガジ
ン、12…収納用エレベータ、13…XYテーブル、14…低倍
率撮像装置、15…XYテーブル、16…高倍率撮像装置、17
…モニター、18…マーキング装置、19…視野、20…ICチ
ップ、21…視野、22…パッド、23A,23B,23C…レンズ
系、24A,24B,24C…受光面、25A,25B,25C…光・電気変換
器、26A,26B,26C…鏡筒、27A,27B,27C…撮像ユニット、
28A,28B,28C…撮像中心軸、29,29′…ボンディング部、
30…ワイヤ、31…リード、32…ボール、33…ステッチ、
34…透光体、35…カメラコントロールユニット、36…パ
ターン認識ユニット、37…インターフェース制御系、38
…CPU、39…メモリ回路、40…ステージドライバ、41…
他のドライバ、42,43,44…平面、45A,45B,45C…絞り、4
6…照明灯。
フロントページの続き (72)発明者 ツシャー・コトハリ アメリカ合衆国カリフォルニア州93063 シミ・バレー，ノース・ボヤジャー・アベ ニュー1650 ビュー・エンジニアリング・ インコーポレーテッド内 (72)発明者 バレリー・リウドジウス アメリカ合衆国カリフォルニア州93063 シミ・バレー，ノース・ボヤジャー・アベ ニュー1650 ビュー・エンジニアリング・ インコーポレーテッド内 (72)発明者 上原子 隆 東京都西多摩郡羽村町栄町３丁目１番地の ５ 海上電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−155743（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−148828（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】ワイヤボンドを行った後の半導体装置の外
観検査を検査ステージにて行う半導体装置の検査装置に
おいて、ワイヤボンドを行った後の半導体装置を収納、
供給するローディング装置と、該ローディング装置によ
り供給された半導体装置を移送し、前記検査ステージを
経て排出する移送装置と、該移送装置により排出された
半導体装置を受けてこれを収容するアンローディング装
置と、前記検査ステージに設けられた半導体装置のICチ
ップ及びその周辺全体を含む視野を有し、撮像中心軸が
検査点に一致する複数の低倍率撮像装置と一つのパッド
或いはリード及びその周辺を含む視野を有する高倍率撮
像装置とを備えた半導体装置の撮像装置と、該撮像装置
により得られた撮像信号をデジタル処理して、予めメモ
リ回路に記憶されている標準データと比較してボンディ
ング状態の良否を判定する画像処理装置と、該画像処理
装置の判定信号に基づき半導体装置に良否を区別する判
定目印を付すマーキング装置と、を備えたことを特徴と
する半導体装置の検査装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28688386A JPH0732188B2 (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 半導体装置の検査装置 |
| US07/128,329 US4872052A (en) | 1986-12-03 | 1987-12-03 | Semiconductor device inspection system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28688386A JPH0732188B2 (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 半導体装置の検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63144532A JPS63144532A (ja) | 1988-06-16 |
| JPH0732188B2 true JPH0732188B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=17710233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28688386A Expired - Lifetime JPH0732188B2 (ja) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | 半導体装置の検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732188B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0239449A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ワイヤボンディングの検査方法 |
| JPH04116844A (ja) * | 1990-09-06 | 1992-04-17 | Nec Corp | Ｉｃ組立性判定装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57155743A (en) * | 1981-03-20 | 1982-09-25 | Fujitsu Ltd | Inspection device for semiconductor bonding wire |
| JPS61148828A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-07 | Toshiba Corp | ワイヤボンデイングの検査方法 |
-
1986
- 1986-12-03 JP JP28688386A patent/JPH0732188B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63144532A (ja) | 1988-06-16 |
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