JPH0732408A - 電子部品の樹脂モールド方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電子部品の樹脂モールド方法において、樹
脂モールドされた電子部品をリードフレームから分離す
るに際して、樹脂ゲートバリの残留を減少するととも
に、樹脂モールド後の工程における電子部品の搬送不良
を減少し得る、電子部品の樹脂モールド方法を提供する
ことを目的とする。 【構成】 本発明は、リードフレーム上に搭載された半
導体素子の樹脂モールド方法において、前記リードフレ
ームの所定領域にはメッキ層を形成し、該リードフレー
ムのメッキ層を形成していない領域を樹脂モールド用成
形金型のゲート溝に対応する位置に装填して樹脂モール
ドすることを特徴とする電子部品の樹脂モールド方法で
ある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばダイオード、抵
抗器等の電子部品の樹脂モールド方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ダイオード等の電子部品の製造
に際しては、帯状のリードフレームを使用して、複数個
の電子部品を、このリードフレームの長手方向に一定ピ
ッチの間隔で並べた状態で製造するようにしていること
は周知の通りであり、前記リードフレームにおける各電
子部品の各々に対して密封用の樹脂モールド部を成形す
るに際して、従来は、ダイオードを例にとると、以下に
述べるような方法を採用している。

【０００３】すなわち、全面にメッキ層が形成されたリ
ードフレームの長手方向に一定ピッチの間隔で半導体素
子を形成し、成形用の上下金型の合わせ面に平行に並べ
て下金型に装填する。次いで、下金型を上昇させて上下
金型を型閉じした後に、下金型に設けられた熱硬化性合
成樹脂の原料タブレットを充填するための充填室におい
て、樹脂タブレットを押圧するためのプランジャーをエ
アーシリンダの作動により上昇させることで、溶融樹脂
を充填室と連通するそれぞれの上下金型間のキャビティ
ー内に注入させる。下金型の充填室とキャビティーとが
連通する箇所には、リードフレームの長手一側縁に沿っ
て延びるように凹み形成されたランナー溝とそれぞれの
キャビティーに直接連通している凹み形成されたゲート
溝とが設けられている。

【０００４】この溶融樹脂が硬化した際に、上記の箇所
において（充填室からキャビティーに連通する部位）、
キャビティー内で成形される樹脂モールド部とつながっ
た状態で、各ダイオードから最終的に切離されるロス樹
脂部が成形される。このロス樹脂部のゲート溝部分（ゲ
ート樹脂）では、ロス樹脂部とリードフレームとが融着
されている。次いで、ロス樹脂部をリードフレームから
除去するために、リードフレームを固定するための上下
一対のクランプをエアーシリンダの作動によりリードフ
レームを挟み、この状態で充填室に成形された部位のロ
ス樹脂部を押圧するためのラムを同じくエアーシリンダ
の作動により、リードフレーム上方から下降させる。す
ると、このラムにより押圧されたロス樹脂部は、リード
フレームからゲート樹脂を剥しながら、リードフレーム
の下方へ切り放し除去されている。

【０００５】以上のような工程を繰り返し、順次リード
フレーム上におけるダイオードの樹脂モールドが行われ
ている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来の成
形方法は、以下に述べるような問題があった。

【０００７】すなわち、全面にメッキ層が形成されてい
るリードフレームにおいて、樹脂モールド部を成形した
後に、ロス樹脂部を除去する際に、リードフレームに融
着しているゲート樹脂は、リードフレームとの密着性が
非常に強く除去しにくいため、ゲート樹脂バリが樹脂モ
ールド部につながった状態で残留する場合が極めて多か
った。

【０００８】また、ゲート樹脂バリの残留にともなっ
て、リードフレームからダイオードを個別に分離した後
の個別ダイオードを搬送する搬送工程等において、ゲー
ト樹脂バリの部位が個別ダイオードを搬送する搬送台上
で搬送詰まり等が著しく多発していた。

【０００９】本発明は以上のような状況下で考え出され
たもので、電子部品の樹脂モールド方法において、樹脂
モールドされた電子部品をリードフレームから分離する
に際して、樹脂モールド部にゲート樹脂バリが残留する
ことを無くすとともに、樹脂モールド後の工程における
電子部品の搬送不良を減少し得る、電子部品の樹脂モー
ルド方法を提供することを課題とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、リードフレーム上に搭載された半導体素
子の樹脂モールド方法において、リードフレームの所定
領域にメッキ層を形成し、該リードフレームのメッキ層
を形成していない領域を樹脂モールド用成形金型のゲー
ト溝に対応する位置に装填して樹脂モールドすることを
特徴とする電子部品の樹脂モールド方法、を提供するも
のである。

【００１１】

【作用】リードフレームのメッキ層が形成されていない
領域に沿って、成形金型のゲート溝から注入する樹脂
を、リードフレーム上に搭載された半導体素子を樹脂モ
ールドすることにより樹脂モールド部を成形するため
に、前記ゲート溝により成形されるゲート樹脂とリード
フレームとの間の密着性が、メッキ層が形成されている
領域のリードフレームと樹脂モールド部との密着性に比
べて弱いため、リードフレームからゲート樹脂を除去す
る際に、樹脂モールド部にゲート樹脂バリを残留させる
ことなく除去することができる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の一実施例を、ダイオードの樹
脂モールド方法を例にとり、図１乃至図５を参照しつつ
説明する。

【００１３】図１は本発明に用いられるリードフレーム
のメッキ層を形成すべき領域とその関連部分を示す。Ａ
は例えばＮｉ−Ｆｅから成るリードフレームであり、領
域Ｉ（図１中の斜線部）は、Ｃｕメッキ層を形成する部
位であり、領域ＩＩは、メッキ層を形成しない部位であ
る。

【００１４】すなわち、このリードフレームは、同図に
示すように、リードフレームＡ上の長手方向に一定間隔
毎にダイオードを配設すべきそれぞれの部位において、
リードフレーム上下面に亘って、ダイオードが樹脂によ
りモールドされる部分であるモールド部Ｂの幅寸法Ｃと
同一幅の寸法を有するＣｕメッキ層を形成すべき領域Ｉ
と、ダイオードを配設しない部位としてのメッキ層を形
成しない領域ＩＩとからなるものである。

【００１５】このメッキ層形成は、モールド部Ｂで成形
される樹脂とリードフレームＡとの密着性を高めるため
に行うものである。また、この樹脂は、リードフレーム
の領域ＩＩのゲート部Ｄに沿ってモールド部Ｂへ注入さ
れる。

【００１６】本実施例では、メッキ層を形成する領域
が、図１に示す領域としているが、ゲート部Ｄがこのメ
ッキ層を形成する領域以外に位置していれば、これを限
定するものでない。

【００１７】また、一つのゲート部Ｄに沿って二つのモ
ールド部Ｂへ樹脂が注入されるが、これに限るものでな
い。また、リードフレームの材質はＮｉ−Ｆｅである
が、同様に、これに限るものでない。

【００１８】上記のリードフレームを用いた本発明の樹
脂モールド方法は、以下に示す樹脂モールド装置により
実施される。

【００１９】この樹脂モールド装置は、図２及び図３に
示すように、二本のリードフレームＡ１、Ａ２を装着さ
せるモールド成形用の下金型１と上金型２とからなる。

【００２０】この下金型１には、その略中心の部位に熱
硬化性合成樹脂の原料タブレットＥを充填させる充填室
３と、下金型１に装着させる両リードフレームＡ１、Ａ
２における各素子ａ１、ａ２の箇所にモールド部成形用
に凹み形成されたキャビティー４、５と、充填室３に連
通する凹み形成された分配室６とそれぞれのゲート溝７
を介したキャビティー４、５とをさらに連通させるため
に両リードフレームＡ１、Ａ２における長手一側縁に沿
って延びるように凹み形成されたランナー溝８、９とが
設けられている。

【００２１】これらのリードフレームＡ１、Ａ２は、下
金型１のキャビティー４、５がリードフレームＡ１，Ａ
２のＣｕメッキ層を形成する領域Ｉに位置し、ゲート溝
７がリードフレームのメッキ層を形成していない領域Ｉ
Ｉに沿ってそれぞれ位置するように下金型１に装着され
る。

【００２２】この樹脂モールド装置を用いて以下のよう
に樹脂モールド方法を実施する。

【００２３】まず、樹脂成形用の下金型１と上金型２と
が型開きしている際に、長手方向に一定ピッチの間隔で
ダイオードを形成した二本のリードフレームＡ１、Ａ２
を、図２及び図３に示すように、下金型１と上金型２と
の合わせ面に平行に並べた状態で下金型１に装着する。
この際に、前記下金型１には、原料タブレットＥが従来
の方法により充填室３に充填されている。次いで、下金
型１を図示しない油圧シリンダの作動により上昇させ
て、下金型１と上金型２とを型閉じさせる。

【００２４】その後、前記充填室３内に充填した原料タ
ブレットＥを図示しない手段を用いて加熱溶融し、プラ
ンジャー１０にて押圧することで、溶融樹脂を分配室６
から各ランナー溝８、９へと注入させる。そして、各ラ
ンナー溝８、９へと注入された溶融樹脂は、更に、リー
ドフレームのメッキ処理されていない下面の領域ＩＩと
接触しつつゲート溝７に沿ってそれぞれのキャビティー
４、５内へ注入し、両リードフレームＡ１，Ａ２におけ
る各ダイオードａ１，ａ２の各々に樹脂モールド部Ｂ
１，Ｂ２を成形する。この時、各樹脂モールド部Ｂ１、
Ｂ２は、リードフレームのＣｕメッキ層を形成する領域
Ｉに成形され、一方で、ゲート樹脂Ｄ１、Ｄ２は、リー
ドフレームのメッキ層を形成していない領域ＩＩに成形
されるのである。

【００２５】この成形が終わると、下金型１を上金型２
から離すように上昇させることにより、前記両リードフ
レームＡ１，Ａ２を、図４に示すように、上下両金型
１、２の間から取り出し、次いで、図５に示すように、
両リードフレームＡ１，Ａ２の各々を、図示しないエア
ーシリンダの作動により上下一対のクランプ１１、１２
にて挟んだ状態で、その間におけるラム１３を下降動す
ることにより、上述した成形工程に際して前記分配室６
内で成形された板状のロス樹脂部Ｆと各ランナー溝８、
９内で成形された棒状のロス樹脂部Ｇ１，Ｇ２とをラム
１３で押圧させて両リードフレームＡ１，Ａ２から上記
ロス樹脂部とゲート樹脂Ｄ１，Ｄ２とを切り放し除去す
るようにしている。

【００２６】この時、ゲート樹脂Ｄ１，Ｄ２は、リード
フレームのメッキ層を形成していない領域ＩＩに成形さ
れており、樹脂とリードフレーム（材質Ｎｉ−Ｆｅ）と
の密着性は、樹脂とＣｕメッキ層を形成するリードフレ
ームとの密着性に比べ劣るために、上記除去作業におい
て、リードフレームＡ１，Ａ２からゲート樹脂Ｄ１，Ｄ
２のみを確実に除去して樹脂モールド部Ｂ１、Ｂ２から
切り放すことが容易になるのである。

【００２７】以上のような工程を繰り返し行い、順次リ
ードフレーム上のダイオードにゲート樹脂バリの残留し
ない、樹脂モールド部を成形していく。

【００２８】本発明においては、リードフレームに対
し、Ｃｕメッキ層の形成を行っているが、これに限るも
のでなく、メッキ層を形成していない領域のリードフレ
ームと樹脂との密着性に比べて優れているものであれ
ば、これを限定するものでない。

【００２９】

【発明の効果】本発明は、以上説明したように、電子部
品を樹脂モールドする際に、リードフレームを、そのメ
ッキ層を形成しない領域を成形金型におけるゲート溝に
対応する位置に装填しているので、以下のような効果を
奏する。

【００３０】(a) 電子部品の樹脂モールド後、ゲート溝
において成形されるゲート樹脂は、リードフレームのメ
ッキ層を形成していない領域に融着されているので、リ
ードフレームのメッキ層を形成する領域に融着されてい
るモールド樹脂に比べ、リードフレームとの密着性が弱
いので、該リードフレームからゲート樹脂を除去しやす
く、ゲート樹脂バリが樹脂モールド部に残留することが
著しく減少する。

【００３１】(b) ゲート樹脂バリの残留が著しく減少す
るために、リードフレームから電子部品を個別に分離し
た後の搬送工程や把持工程において、ゲート樹脂バリに
よる搬送詰まりや把持不良が著しく減少する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に用いるリードフレームの被メッキ領域
とこのリードフレーム上の半導体素子を樹脂モールドす
る際の樹脂の注入路を示す背面図である。

【図２】本発明に用いるリードフレームが装填された樹
脂成形下金型を示す平面図である。

【図３】本発明に用いるリードフレームが装填された樹
脂成形金型を示すＸ−Ｘ視断面図である。

【図４】本発明に用いるリードフレームに樹脂モールド
部を成形したあとの平面図である。

【図５】本発明に用いるリードフレームに樹脂モールド
部を成形したあとのＹ−Ｙ視断面図である。

【符号の説明】

１ 下金型１ ２ 上金型 ３ 充填室 ４ キャビティー ５ キャビティー ６ 分配室 ７ ゲート溝 ８ ランナー溝 ９ ランナー溝 １０ プランジャー １１ クランプ １２ クランプ １３ ラム Ａ リードフレーム Ｂ モールド部 Ｄ ゲート部 Ｅ タブレット Ｆ ロス樹脂部 Ｈ ロス樹脂部 Ｉ メッキ処理領域 ＩＩ 非メッキ処理領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/28 Ａ 8617−4Ｍ 23/48 Ｆ // Ｂ２９Ｌ 31:34

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 リードフレーム上に搭載された半導体素
   子の樹脂モールド方法において、 前記リードフレームの所定領域にメッキ層を形成し、該
   リードフレームのメッキ層を形成していない領域を樹脂
   モールド用成形金型のゲート溝に対応する位置に装填し
   て樹脂モールドすることを特徴とする電子部品の樹脂モ
   ールド方法。