JPH07324980A - 赤外線用光源及びその製造方法 - Google Patents
赤外線用光源及びその製造方法Info
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- JPH07324980A JPH07324980A JP6121500A JP12150094A JPH07324980A JP H07324980 A JPH07324980 A JP H07324980A JP 6121500 A JP6121500 A JP 6121500A JP 12150094 A JP12150094 A JP 12150094A JP H07324980 A JPH07324980 A JP H07324980A
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Landscapes
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- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】赤外線用光源に関し、低い消費電力で高輝度で
放射率の高い赤外線の面状光源が実現でき、損失の少な
い、強い平衡光束を取り出すことができるようにするこ
とを目的とする。 【構成】赤外線用光源11を焼結体密度が2.8g/c
m3 以上で、室温での電器比抵抗値が1Ω・cm以下の
炭化珪素焼結体から構成し、微細な抵抗回路が密に形成
されてなる集中化された平面状発光部を有する構成とし
た。
放射率の高い赤外線の面状光源が実現でき、損失の少な
い、強い平衡光束を取り出すことができるようにするこ
とを目的とする。 【構成】赤外線用光源11を焼結体密度が2.8g/c
m3 以上で、室温での電器比抵抗値が1Ω・cm以下の
炭化珪素焼結体から構成し、微細な抵抗回路が密に形成
されてなる集中化された平面状発光部を有する構成とし
た。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、耐酸化性、耐熱性、及
び耐熱衝撃性に優れ、酸化雰囲気中でも好適に使用でき
る赤外線用光源と、その製造方法に関するものである。
び耐熱衝撃性に優れ、酸化雰囲気中でも好適に使用でき
る赤外線用光源と、その製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】例えば、赤外線分光装置に使用される赤
外線用光源としては、従来、コイル状ニクロム線光源、
金属リボンフィラメント光源、珪化モリブデン光源、ネ
ルンスト灯、巻線セラミック灯、グローバ光源などがあ
る。
外線用光源としては、従来、コイル状ニクロム線光源、
金属リボンフィラメント光源、珪化モリブデン光源、ネ
ルンスト灯、巻線セラミック灯、グローバ光源などがあ
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、コイル
状ニクロム線、金属リボンフィルタラメント光源は、放
射率も比較的低く、輝度を高めるために、温度を上げる
と、大気中で1000℃以上では酸化が進み、寿命が短
くなってしまう。そこで、このような光源の酸化を防ぐ
ためには不活性ガス中に封入する必要があり、構造が複
雑でコストが高くなってしまうという問題を有してい
る。
状ニクロム線、金属リボンフィルタラメント光源は、放
射率も比較的低く、輝度を高めるために、温度を上げる
と、大気中で1000℃以上では酸化が進み、寿命が短
くなってしまう。そこで、このような光源の酸化を防ぐ
ためには不活性ガス中に封入する必要があり、構造が複
雑でコストが高くなってしまうという問題を有してい
る。
【0004】また、珪化モリブデンも放射率が比較的悪
く、1700℃でも使用可能であるが、非常に脆くて微
細加工が難しく、細線化できないので、発光部の集中化
ができず、また、比抵抗が0.0003と小さいため、
発熱させるためにはある程度の大電流が必要となる。さ
らに、ネルンスト灯、巻線セラミック灯は、使用される
セラミックスの常温比抵抗が高いために、自己始動する
ことができず、補助ヒーターが必要となり、光源構造が
複雑になる。さらに微細加工が困難なために抵抗の集中
化ができず、電極部分での接続までが比較的長くなり、
発光源として小型化できず、電力効率が悪くなってしま
う。しかも、セラミックスとして使用するジルコニアや
アルミナは、放射率が比較的悪く、2〜20μmで平均
0.75であり、3μmでは0.15〜0.30まで低
下する。
く、1700℃でも使用可能であるが、非常に脆くて微
細加工が難しく、細線化できないので、発光部の集中化
ができず、また、比抵抗が0.0003と小さいため、
発熱させるためにはある程度の大電流が必要となる。さ
らに、ネルンスト灯、巻線セラミック灯は、使用される
セラミックスの常温比抵抗が高いために、自己始動する
ことができず、補助ヒーターが必要となり、光源構造が
複雑になる。さらに微細加工が困難なために抵抗の集中
化ができず、電極部分での接続までが比較的長くなり、
発光源として小型化できず、電力効率が悪くなってしま
う。しかも、セラミックスとして使用するジルコニアや
アルミナは、放射率が比較的悪く、2〜20μmで平均
0.75であり、3μmでは0.15〜0.30まで低
下する。
【0005】そして、グローバ光源は、光源素材に炭化
珪素を使用しているために放射率は非常に優れている
が、上述したネルンスト灯や巻線セラミック灯と同様の
欠点を有する。また、電極部分を水冷する必要があり、
構造が複雑で電力効率はさらに悪くなるという問題があ
る。赤外線分光光度計のS/N比を向上させるために
は、光源としては、高輝度であること、広い波長領
域で放射率が高いこと、発光部に温度むらがなくかつ
集中化していることが必要となる。の高輝度の光源を
得るためには、光源の放射エネルギーが、絶対温度の4
乗に比例するので、発熱体の温度を高くする必要があ
る。は広い波長領域で放射率が高くなる発熱体材料を
選択する必要がある。さらに重要なことは、の発光部
に温度むらがなく集中化していることである。通常、発
光源は、赤外線の発光体と、発光体から発散する光を集
光して閉口光束する光学系(リフレクター及びレンズ)
とからなる。その平行光束をガス測定セル内に通過させ
た後、赤外線検出器により、ガスで一部吸収された赤外
線を検出するという基本構造となっている。従って、赤
外線の平行光束性が良好でないと、測定セルの内壁に衝
突し、反射を繰り返すために、赤外線は減衰してしま
い、赤外線分光光度計のS/N比は極端に悪化する。赤
外線の強い平行光束を得るためには、温度むらのない、
集中化された点状或いは面状の発光源であることが望ま
しい。さらに発光部を集中化させることによって、電極
部分の温度が下がり、消費電力が低減されるために、熱
の影響からくる光学系の機械的な歪みによる平行光束の
ずれも防止することができる。しかし、従来の技術で
は、上記に述べたような不都合があり、このような理想
的な光源は存在しなかった。
珪素を使用しているために放射率は非常に優れている
が、上述したネルンスト灯や巻線セラミック灯と同様の
欠点を有する。また、電極部分を水冷する必要があり、
構造が複雑で電力効率はさらに悪くなるという問題があ
る。赤外線分光光度計のS/N比を向上させるために
は、光源としては、高輝度であること、広い波長領
域で放射率が高いこと、発光部に温度むらがなくかつ
集中化していることが必要となる。の高輝度の光源を
得るためには、光源の放射エネルギーが、絶対温度の4
乗に比例するので、発熱体の温度を高くする必要があ
る。は広い波長領域で放射率が高くなる発熱体材料を
選択する必要がある。さらに重要なことは、の発光部
に温度むらがなく集中化していることである。通常、発
光源は、赤外線の発光体と、発光体から発散する光を集
光して閉口光束する光学系(リフレクター及びレンズ)
とからなる。その平行光束をガス測定セル内に通過させ
た後、赤外線検出器により、ガスで一部吸収された赤外
線を検出するという基本構造となっている。従って、赤
外線の平行光束性が良好でないと、測定セルの内壁に衝
突し、反射を繰り返すために、赤外線は減衰してしま
い、赤外線分光光度計のS/N比は極端に悪化する。赤
外線の強い平行光束を得るためには、温度むらのない、
集中化された点状或いは面状の発光源であることが望ま
しい。さらに発光部を集中化させることによって、電極
部分の温度が下がり、消費電力が低減されるために、熱
の影響からくる光学系の機械的な歪みによる平行光束の
ずれも防止することができる。しかし、従来の技術で
は、上記に述べたような不都合があり、このような理想
的な光源は存在しなかった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、放射率が優れ
ている炭化珪素素材に着目し、本来微細加工できなかっ
た炭化珪素素材の製造方法を鋭意検討した結果、非酸化
性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化
珪素と炭化水素からなる原料ガスを導入し、反応系の圧
力を1気圧未満から0.1torrの範囲で制御しつつ
気相反応させることによって合成された平均粒子径が
0.1μm以下の炭化珪素粉末を少なくとも含む原料粉
を加熱し焼結するか、前記炭化珪素粉末に、平均粒径が
0.1〜10μmの炭化珪素粉末、及び必要に応じてカ
ーボン粉末灯の焼結助剤を添加、混合してなる原料粉末
を加熱し焼結することによって炭化珪素焼結体を得、焼
結体密度が2.9g/cm3 以上で、室温での電気比抵
抗値が1Ω・cm以下の、緻密で放電加工が可能な炭化
珪素焼結体からなる赤外線用光源が得られることを究明
し、上記課題を解決した。
ている炭化珪素素材に着目し、本来微細加工できなかっ
た炭化珪素素材の製造方法を鋭意検討した結果、非酸化
性雰囲気のプラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化
珪素と炭化水素からなる原料ガスを導入し、反応系の圧
力を1気圧未満から0.1torrの範囲で制御しつつ
気相反応させることによって合成された平均粒子径が
0.1μm以下の炭化珪素粉末を少なくとも含む原料粉
を加熱し焼結するか、前記炭化珪素粉末に、平均粒径が
0.1〜10μmの炭化珪素粉末、及び必要に応じてカ
ーボン粉末灯の焼結助剤を添加、混合してなる原料粉末
を加熱し焼結することによって炭化珪素焼結体を得、焼
結体密度が2.9g/cm3 以上で、室温での電気比抵
抗値が1Ω・cm以下の、緻密で放電加工が可能な炭化
珪素焼結体からなる赤外線用光源が得られることを究明
し、上記課題を解決した。
【0007】本発明において、上記の課題を解決するた
めの第1の手段は、焼結体密度が2.8g/cm3 以上
で、室温での電器比抵抗値が1Ω・cm以下の炭化珪素
焼結体からなることを特徴とする赤外線用光源である。
本発明の第2の手段は、上記第1の手段において微細な
抵抗回路が密に形成されてなる集中化された平面状発光
部を有することである。
めの第1の手段は、焼結体密度が2.8g/cm3 以上
で、室温での電器比抵抗値が1Ω・cm以下の炭化珪素
焼結体からなることを特徴とする赤外線用光源である。
本発明の第2の手段は、上記第1の手段において微細な
抵抗回路が密に形成されてなる集中化された平面状発光
部を有することである。
【0008】本発明の第3の手段は、赤外線用光源の製
造方法にかかり、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン
化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料
ガスを導入し、反応系の圧力を1気圧未満から0.1t
orrの範囲で制御しつつ気相反応させることによって
合成された平均粒子径が0.1μm以下の炭化珪素粉末
を少なくとも含む原料粉末を加熱し焼結することによっ
て炭化珪素焼結体を得、この焼結体に放電加工を施すこ
とにより、抵抗回路を形成することである。
造方法にかかり、非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン
化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料
ガスを導入し、反応系の圧力を1気圧未満から0.1t
orrの範囲で制御しつつ気相反応させることによって
合成された平均粒子径が0.1μm以下の炭化珪素粉末
を少なくとも含む原料粉末を加熱し焼結することによっ
て炭化珪素焼結体を得、この焼結体に放電加工を施すこ
とにより、抵抗回路を形成することである。
【0009】本発明の第4の手段は上記第3の手段の原
料粉には、平均粒径が0.1〜10μmの炭化珪素粉
末、及び必要に応じてカーボン粉末等の焼結助剤を添
加、混合してなる原料粉末を加熱し焼結することであ
る。以下、本発明の赤外線用光源をその製造方法に基づ
いて詳細に説明する。非酸化性雰囲気のプラズマ中にシ
ラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素からなる原
料ガスを導入し、反応系の圧力を1気圧未満から0.1
torrの範囲で制御しつつ気相反応させることによっ
て得られたものを使用する。例えば、モノシランとメタ
ンとからなる原料ガスを高周波により励起されたアルゴ
ンプラズマ中に導入して合成を行うと、平均粒子径が
0.02μmで、アスペクト比の小さいβ型超微粒子粉
末が、また合成条件によっては、α型とβ型との混合相
が得られる。このようにして得られた超微粉末は焼結性
が非常に優れているため、緻密質の炭化珪素焼結体を得
ることができる。
料粉には、平均粒径が0.1〜10μmの炭化珪素粉
末、及び必要に応じてカーボン粉末等の焼結助剤を添
加、混合してなる原料粉末を加熱し焼結することであ
る。以下、本発明の赤外線用光源をその製造方法に基づ
いて詳細に説明する。非酸化性雰囲気のプラズマ中にシ
ラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化水素からなる原
料ガスを導入し、反応系の圧力を1気圧未満から0.1
torrの範囲で制御しつつ気相反応させることによっ
て得られたものを使用する。例えば、モノシランとメタ
ンとからなる原料ガスを高周波により励起されたアルゴ
ンプラズマ中に導入して合成を行うと、平均粒子径が
0.02μmで、アスペクト比の小さいβ型超微粒子粉
末が、また合成条件によっては、α型とβ型との混合相
が得られる。このようにして得られた超微粉末は焼結性
が非常に優れているため、緻密質の炭化珪素焼結体を得
ることができる。
【0010】また、前記炭化珪素粉末(以下第1の炭化
珪素と呼ぶ)に、平均粒径が0.1〜10μmの炭化珪
素粉末(以下第2の炭化珪素と呼ぶ)、及び必要に応じ
てカーボン粉末等の焼結助剤を添加、混合してなる原料
粉末を加熱し焼結することにより、さらに緻密質の炭化
珪素焼結体を得ることができる。平均粒径が0.1〜1
0μmの炭化珪素粉末は、一般に使用されるものでよ
く、例えばシリカ還元法、アソチン法等の方法によって
製造されたものが用いられる。結晶相としては、非結
晶、α型、β型、あるいはこれらの混合相のいずれでも
よい。平均粒子径は、望ましくは、0.1等1μmにす
るほうが、焼結性がさらに良くなる。
珪素と呼ぶ)に、平均粒径が0.1〜10μmの炭化珪
素粉末(以下第2の炭化珪素と呼ぶ)、及び必要に応じ
てカーボン粉末等の焼結助剤を添加、混合してなる原料
粉末を加熱し焼結することにより、さらに緻密質の炭化
珪素焼結体を得ることができる。平均粒径が0.1〜1
0μmの炭化珪素粉末は、一般に使用されるものでよ
く、例えばシリカ還元法、アソチン法等の方法によって
製造されたものが用いられる。結晶相としては、非結
晶、α型、β型、あるいはこれらの混合相のいずれでも
よい。平均粒子径は、望ましくは、0.1等1μmにす
るほうが、焼結性がさらに良くなる。
【0011】第1の炭化珪素粉末と第2の炭化珪素粉末
の混合する割合は、第1の炭化珪素粉末の配合量を全体
の0.5〜50重量%の範囲とすることが好適である。
すなわち、第1の炭化珪素粉末の配合料を0.5重量%
未満とすると、この炭化珪素粉末を配合した緻密化に及
ぼす効果が十分に発揮されず、また50重量%を越えて
配合しても、焼結体密度がほぼ横ばいになってその効果
が得られないからである。
の混合する割合は、第1の炭化珪素粉末の配合量を全体
の0.5〜50重量%の範囲とすることが好適である。
すなわち、第1の炭化珪素粉末の配合料を0.5重量%
未満とすると、この炭化珪素粉末を配合した緻密化に及
ぼす効果が十分に発揮されず、また50重量%を越えて
配合しても、焼結体密度がほぼ横ばいになってその効果
が得られないからである。
【0012】その後、上記混合物を成形し、得られた成
形体を1800〜2400℃の温度範囲で加熱し、焼結
して、赤外線発光源用の炭化珪素焼結体を得る。成形に
あたっては、プレス成形、押し出し成形、射出成形など
の従来から公知の方法を採用することができ、必要に応
じてはステアリン酸塩などの分散剤を添加しても良い。
形体を1800〜2400℃の温度範囲で加熱し、焼結
して、赤外線発光源用の炭化珪素焼結体を得る。成形に
あたっては、プレス成形、押し出し成形、射出成形など
の従来から公知の方法を採用することができ、必要に応
じてはステアリン酸塩などの分散剤を添加しても良い。
【0013】また、焼結にあたっては、常圧焼結、雰囲
気加圧焼結、ホットプレス焼結、あるいは熱間静水圧焼
結(HIP)などの従来の方法が採用できるが、より高
密度で導電性に優れた炭化珪素焼結体を得るためには、
ホットプレスなどの加圧焼結法を採用することが望まし
い。焼結温度についても特に限定されるものではない
が、1900℃より低い加熱温度では焼結不足が生じ、
また2300℃より高い加熱温度では炭化珪素の蒸発が
起こり易くなり、粒子の成長によって焼結帯の強度や靱
性が低下する恐れがあることから、1900〜2300
℃の温度範囲で焼結するのが好適とされる。
気加圧焼結、ホットプレス焼結、あるいは熱間静水圧焼
結(HIP)などの従来の方法が採用できるが、より高
密度で導電性に優れた炭化珪素焼結体を得るためには、
ホットプレスなどの加圧焼結法を採用することが望まし
い。焼結温度についても特に限定されるものではない
が、1900℃より低い加熱温度では焼結不足が生じ、
また2300℃より高い加熱温度では炭化珪素の蒸発が
起こり易くなり、粒子の成長によって焼結帯の強度や靱
性が低下する恐れがあることから、1900〜2300
℃の温度範囲で焼結するのが好適とされる。
【0014】このようにして得られた炭化珪素焼結体
は、焼結体密度が2.8g/cm3 以上(理論密度が
3.21g/cm3 であることから、相対密度としては
約87%以上)と緻密になり、炭化珪素間の結合力が十
分であり、また気孔も小さく数も少ないので耐酸化性、
耐食性に優れ、高温での機械的強度も高いので、赤外線
用光源としての性能が安定して持続するものとなる。さ
らに、室温での電気比抵抗値が1Ω・cm以下となるの
で、放電加工による微細加工ができ、赤外線用光源とし
て、先端部の発光部を平面状に集中化させた構造の設計
が可能となった。
は、焼結体密度が2.8g/cm3 以上(理論密度が
3.21g/cm3 であることから、相対密度としては
約87%以上)と緻密になり、炭化珪素間の結合力が十
分であり、また気孔も小さく数も少ないので耐酸化性、
耐食性に優れ、高温での機械的強度も高いので、赤外線
用光源としての性能が安定して持続するものとなる。さ
らに、室温での電気比抵抗値が1Ω・cm以下となるの
で、放電加工による微細加工ができ、赤外線用光源とし
て、先端部の発光部を平面状に集中化させた構造の設計
が可能となった。
【0015】赤外線用光源の発光体としては、発光部分
の温度をできるだけ上げ、かつ消費電力と電極部分(脚
部)の温度をできるだけ押さえる必要がある。そのため 1)先端の発光部に抵抗を集中化させる。 2)発光部の放熱をできるだけ少なくする。
の温度をできるだけ上げ、かつ消費電力と電極部分(脚
部)の温度をできるだけ押さえる必要がある。そのため 1)先端の発光部に抵抗を集中化させる。 2)発光部の放熱をできるだけ少なくする。
【0016】3)電極部への熱が流れにくい構造にす
る。 4)脚部は放熱しやすい構造とする。 こととしている。例えば、発光部を細線化しても、図6
に示すように、光源61の先端部62をアーチ状の構造
とすると、先端部62を1000℃に上げると、細線化
した先端部は四方八方に放熱されるし、また電極部への
熱の流れがスムーズになために、電極部温度が700℃
以上と高温になり、消費電力は100W以上と高くなっ
てしまい、赤外線の発光体としては不適当となる。
る。 4)脚部は放熱しやすい構造とする。 こととしている。例えば、発光部を細線化しても、図6
に示すように、光源61の先端部62をアーチ状の構造
とすると、先端部62を1000℃に上げると、細線化
した先端部は四方八方に放熱されるし、また電極部への
熱の流れがスムーズになために、電極部温度が700℃
以上と高温になり、消費電力は100W以上と高くなっ
てしまい、赤外線の発光体としては不適当となる。
【0017】そこで、発光部の構造としては、細線化し
た部分を平面状にできるだけ重ね合わせ、細線化した線
の1本1本が互いに輻射熱を受けるようにし、さらに、
先端部と脚部(電極部)との間は、微細な抵抗回路が密
に形成されてなる集中化された平面状のものとすると、
熱が放出されにくくなり、好適である。また、脚部の表
面積を大きくして、フィン構造を取ることにより、電極
部分の温度を下げることができるので、更に好適であ
る。
た部分を平面状にできるだけ重ね合わせ、細線化した線
の1本1本が互いに輻射熱を受けるようにし、さらに、
先端部と脚部(電極部)との間は、微細な抵抗回路が密
に形成されてなる集中化された平面状のものとすると、
熱が放出されにくくなり、好適である。また、脚部の表
面積を大きくして、フィン構造を取ることにより、電極
部分の温度を下げることができるので、更に好適であ
る。
【0018】
【作用】本発明によれば、先端部の発光部分に抵抗を集
中化でき、先端部の発光部分の放熱をできるだけ少なく
でき、電極部への熱が流れにくいものとし、さらに脚部
は放熱しやすものとできたから、赤外線の高輝度の平行
光束を得ることが可能になり、かつ、電極部分の温度が
下がり、消費電力が低減されたために、熱の影響からく
る光学系の機械的な歪みによる平行光束のずれを大幅に
向上させることができるようになった。また、従来必要
であった電極部分の水冷が不要となり、赤外線発光源及
びその周辺装置の大幅な小型化が可能になった。
中化でき、先端部の発光部分の放熱をできるだけ少なく
でき、電極部への熱が流れにくいものとし、さらに脚部
は放熱しやすものとできたから、赤外線の高輝度の平行
光束を得ることが可能になり、かつ、電極部分の温度が
下がり、消費電力が低減されたために、熱の影響からく
る光学系の機械的な歪みによる平行光束のずれを大幅に
向上させることができるようになった。また、従来必要
であった電極部分の水冷が不要となり、赤外線発光源及
びその周辺装置の大幅な小型化が可能になった。
【0019】また、粒界に存在する不純物が少ないため
に、150W/m・K以上の高い熱電導率が得られるた
めに、熱応答性も非常に速く、短時間に熱的平衡に達す
るために、赤外線のパルス点灯光源としても使用できる
ようになる。さらに、本発明による赤外線用光源の製造
方法によれば、その組織が緻密になり、炭化珪素間の結
合力が十分であり、また気孔も小さく数も少ないので耐
酸化性、耐食性に優れ、高温での機械的強度も高いの
で、赤外線用光源としての性能が安定して持続するもの
となる。さらに、室温での電気比抵抗値が小さいので、
放電加工による微細加工ができ、赤外線用光源として、
先端部の発光部を平面状に集中化させた構造の設計が可
能となる。
に、150W/m・K以上の高い熱電導率が得られるた
めに、熱応答性も非常に速く、短時間に熱的平衡に達す
るために、赤外線のパルス点灯光源としても使用できる
ようになる。さらに、本発明による赤外線用光源の製造
方法によれば、その組織が緻密になり、炭化珪素間の結
合力が十分であり、また気孔も小さく数も少ないので耐
酸化性、耐食性に優れ、高温での機械的強度も高いの
で、赤外線用光源としての性能が安定して持続するもの
となる。さらに、室温での電気比抵抗値が小さいので、
放電加工による微細加工ができ、赤外線用光源として、
先端部の発光部を平面状に集中化させた構造の設計が可
能となる。
【0020】
【実施例】以下本発明の実施例を詳細に説明する。第1
の炭化珪素粉末としての、四塩化珪素とエチレンとを原
料ガスとしてプラズマCVD法により気相合成して得た
平均粒子径0.01μm、比表面積96m 2 /gの非晶
質炭化珪素超微粉末を5重量%と、第2の炭化珪素粉末
として平均粒子径が0.7μm、BET比表面積が13
m2 /gのβ型炭化珪素粉末95重量%とを、メタノー
ル中にて分散せしめ、さらにボールミルで12時間混合
した。
の炭化珪素粉末としての、四塩化珪素とエチレンとを原
料ガスとしてプラズマCVD法により気相合成して得た
平均粒子径0.01μm、比表面積96m 2 /gの非晶
質炭化珪素超微粉末を5重量%と、第2の炭化珪素粉末
として平均粒子径が0.7μm、BET比表面積が13
m2 /gのβ型炭化珪素粉末95重量%とを、メタノー
ル中にて分散せしめ、さらにボールミルで12時間混合
した。
【0021】ついで、この100mmの黒鉛製モールド
に充填し、ホットプレス装置にて、アルゴン雰囲気下、
プレス圧400kg/cm2 、焼結温度2200℃の条
件で90分間焼結した。得られた炭化珪素焼結体の密度
を調べたところ、3.1g/cm3 であった。また、こ
の焼結体の室温時における3点曲げ強度は、JIS R
−1601に準拠して測定したところ64.3kg/m
m2 であった。また、室温時における電気比抵抗値を四
端子法で測定したところ0.05Ω・cmという結果が
得られ、さらに室温時の熱電導率をレーザーフラッシュ
法で測定したところ、197W/m.Kであった。ま
た、焼結体の表面を濃度10%のフェロシアン化カリウ
ムでエッチングし、走査型電子顕微鏡(SEM)により
焼結体の微細構造を調べたところ、ポアの大きさが1μ
m以下であり、その数も少なく、非常に均質かつ緻密な
組織であることが判明した。
に充填し、ホットプレス装置にて、アルゴン雰囲気下、
プレス圧400kg/cm2 、焼結温度2200℃の条
件で90分間焼結した。得られた炭化珪素焼結体の密度
を調べたところ、3.1g/cm3 であった。また、こ
の焼結体の室温時における3点曲げ強度は、JIS R
−1601に準拠して測定したところ64.3kg/m
m2 であった。また、室温時における電気比抵抗値を四
端子法で測定したところ0.05Ω・cmという結果が
得られ、さらに室温時の熱電導率をレーザーフラッシュ
法で測定したところ、197W/m.Kであった。ま
た、焼結体の表面を濃度10%のフェロシアン化カリウ
ムでエッチングし、走査型電子顕微鏡(SEM)により
焼結体の微細構造を調べたところ、ポアの大きさが1μ
m以下であり、その数も少なく、非常に均質かつ緻密な
組織であることが判明した。
【0022】ついで、この直径100mm、厚さ5mm
の円板状炭化珪素焼結体をワイヤ放電加工により、図1
乃至図4の(1),(2)に示すように切り出し赤外線
用光源11,21,31,41を作成した。この赤外線
用光源の先端の発光部の構造は、細線化(幅0.4m
m)した部分を平面状にできるだけ重ね合わせ、細線化
した線の1本1本が互いに輻射熱を受けるようにし、さ
らに、微細な抵抗回路が密に形成されてなる集中化され
た平面状のものとした。
の円板状炭化珪素焼結体をワイヤ放電加工により、図1
乃至図4の(1),(2)に示すように切り出し赤外線
用光源11,21,31,41を作成した。この赤外線
用光源の先端の発光部の構造は、細線化(幅0.4m
m)した部分を平面状にできるだけ重ね合わせ、細線化
した線の1本1本が互いに輻射熱を受けるようにし、さ
らに、微細な抵抗回路が密に形成されてなる集中化され
た平面状のものとした。
【0023】また、図4に示す例は、脚部の表面積を大
きくして、フィン構造を取ることにより、電極部分の温
度を下げるものとした。これらの例では先端部の線幅
は、図1乃至図4に示すように炭化珪素の比抵抗、熱伝
導性から、0.4〜1.0mm程度とした。常温及び高
温強度の向上と、耐酸化性、耐熱性の向上により、本
来、制約されるものではない。また、先端部の線と線と
の幅は、放電加工のワイヤーの幅が最低で0.2mmな
ので、0.3mmとしたが、本来制約されるものではな
い。
きくして、フィン構造を取ることにより、電極部分の温
度を下げるものとした。これらの例では先端部の線幅
は、図1乃至図4に示すように炭化珪素の比抵抗、熱伝
導性から、0.4〜1.0mm程度とした。常温及び高
温強度の向上と、耐酸化性、耐熱性の向上により、本
来、制約されるものではない。また、先端部の線と線と
の幅は、放電加工のワイヤーの幅が最低で0.2mmな
ので、0.3mmとしたが、本来制約されるものではな
い。
【0024】このようにして、先端部の線幅を0.4m
m、厚さ2mmまたは1.0mmとし、線と線との間の
寸法を0.3mmとした例示の形状の赤外線用光源を作
成した。赤外線用光源の詳細な寸法を図1乃至図4に示
した。なお、ワイヤー放電加工はトランジスタパルス回
路方式の放電加工機を用いて行った。また、放電用ワイ
ヤーには外径が2mmの黄銅のワイヤーを用い、加工条
件としては、加工電圧を50V、パルス幅を1.2μs
ec、休止時間を20μsecとした。
m、厚さ2mmまたは1.0mmとし、線と線との間の
寸法を0.3mmとした例示の形状の赤外線用光源を作
成した。赤外線用光源の詳細な寸法を図1乃至図4に示
した。なお、ワイヤー放電加工はトランジスタパルス回
路方式の放電加工機を用いて行った。また、放電用ワイ
ヤーには外径が2mmの黄銅のワイヤーを用い、加工条
件としては、加工電圧を50V、パルス幅を1.2μs
ec、休止時間を20μsecとした。
【0025】放電加工を行い、放電加工面の表面粗さを
測定したところ、Rmaxが2.5μmであり、上記炭
化珪素焼結体は放電加工性が良好であることが確認され
た。このようにして図1から図4までの形状に作製した
赤外線用発光体11,2131,41を、図5(1),
(2),(3)に示すように、アルミナ絶縁板62とニ
ッケル製電極63にろう付けして発光源とし、直流電圧
を印加して、先端部温度が1000℃以上になるところ
で安定させて測定を行った。なお、図中符号64は電圧
を引加するためのニッケル製のピンである。測定の結果
を表1に示す。
測定したところ、Rmaxが2.5μmであり、上記炭
化珪素焼結体は放電加工性が良好であることが確認され
た。このようにして図1から図4までの形状に作製した
赤外線用発光体11,2131,41を、図5(1),
(2),(3)に示すように、アルミナ絶縁板62とニ
ッケル製電極63にろう付けして発光源とし、直流電圧
を印加して、先端部温度が1000℃以上になるところ
で安定させて測定を行った。なお、図中符号64は電圧
を引加するためのニッケル製のピンである。測定の結果
を表1に示す。
【0026】なお、先端部の温度は、サーモビュアで、
放射率を0.8として測定し、電極部の温度はK熱電体
を用いて測定した。
放射率を0.8として測定し、電極部の温度はK熱電体
を用いて測定した。
【0027】
【表1】
【0028】この加熱実験の後、さらに5時間加熱を続
けたが、どの形状の炭化珪素発熱体の先端部もほとんど
消耗が認められず、さらにこの加熱試験を10回繰り返
した後でも異常は認められなかった。また、最初の10
00℃の加熱には3分程度かかるものの、電圧の印加を
切ると約10秒で先端部は400℃まで温度が低下し、
その時点でまた印加すると、約10秒で1000℃に到
達した。このON/OFFを1000回繰り返したが、
炭化珪素発熱体の先端部はほとんど消耗が認められなか
った。
けたが、どの形状の炭化珪素発熱体の先端部もほとんど
消耗が認められず、さらにこの加熱試験を10回繰り返
した後でも異常は認められなかった。また、最初の10
00℃の加熱には3分程度かかるものの、電圧の印加を
切ると約10秒で先端部は400℃まで温度が低下し、
その時点でまた印加すると、約10秒で1000℃に到
達した。このON/OFFを1000回繰り返したが、
炭化珪素発熱体の先端部はほとんど消耗が認められなか
った。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
非常に低い消費電力で高輝度で放射率の高い赤外線の面
状光源が実現できるようになり、損失の少ない、強い平
衡光束を取り出すことができる。このため、赤外線分光
計として、S/N比が大幅に向上できるようになった。
非常に低い消費電力で高輝度で放射率の高い赤外線の面
状光源が実現できるようになり、損失の少ない、強い平
衡光束を取り出すことができる。このため、赤外線分光
計として、S/N比が大幅に向上できるようになった。
【0030】また、電極部分の水冷も不要となり、赤外
線用光源及びその周辺装置の大幅な小型化が可能にな
る。さらに、熱応答性が非常に速く、短時間に熱的平衡
に達するために、赤外線のパルス点灯光源としても使用
できるようになった。従って、赤外線用光源として、S
/N比の高い、耐久性が高い、長寿命で、かつ非常に小
型化されたために、工業用から研究用にいたるまで、広
い範囲で赤外線発光分析計の用途が拡大され、多大な効
果を奏するものとなる。
線用光源及びその周辺装置の大幅な小型化が可能にな
る。さらに、熱応答性が非常に速く、短時間に熱的平衡
に達するために、赤外線のパルス点灯光源としても使用
できるようになった。従って、赤外線用光源として、S
/N比の高い、耐久性が高い、長寿命で、かつ非常に小
型化されたために、工業用から研究用にいたるまで、広
い範囲で赤外線発光分析計の用途が拡大され、多大な効
果を奏するものとなる。
【図1】本発明に係る赤外線用光源の構成例を示す平面
図及び側面図である。
図及び側面図である。
【図2】本発明に係る赤外線用光源の構成例を示す平面
図及び側面図である。
図及び側面図である。
【図3】本発明に係る赤外線用光源の構成例を示す平面
図及び側面図である。
図及び側面図である。
【図4】本発明に係る赤外線用光源の構成例を示す平面
図及び側面図である。
図及び側面図である。
【図5】本発明に係る赤外線用光源を使用する場合の電
極を示す正面図、平面図及び側面図である。
極を示す正面図、平面図及び側面図である。
【図6】参考例に係る赤外線用光源の構成例を示す平面
図及び側面図である。
図及び側面図である。
11 赤外線用光源 21 赤外線用光源 31 赤外線用光源 41 赤外線用光源
Claims (4)
- 【請求項1】焼結体密度が2.8g/cm3 以上で、室
温での電気比抵抗値が1Ω・cm以下の炭化珪素焼結体
からなることを特徴とする赤外線用光源。 - 【請求項2】微細な抵抗回路が密に形成されてなる集中
化された平面状発光部を有することを特徴とする請求項
1記載の赤外線用光源。 - 【請求項3】非酸化性雰囲気のプラズマ中にシラン化合
物またはハロゲン化珪素と炭化水素とからなる原料ガス
を導入し、反応系の圧力を1気圧未満から0.1tor
rの範囲で制御しつつ気相反応させることによって合成
された平均粒子径が0.1μm以下の炭化珪素粉末を少
なくとも含む原料粉末を加熱し焼結することによって炭
化珪素焼結体を得、この焼結体に放電加工を施すことに
より、抵抗回路を形成することを特徴とする赤外線用光
源の製造方法。 - 【請求項4】前記原料粉には、平均粒径が0.1〜10
μmの炭化珪素粉末、及び必要に応じてカーボン粉末等
の焼結助剤を添加、混合してなる原料粉末を加熱し焼結
することを特徴とする請求項3記載の赤外線用光源の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6121500A JPH07324980A (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 赤外線用光源及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6121500A JPH07324980A (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 赤外線用光源及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07324980A true JPH07324980A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=14812726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6121500A Pending JPH07324980A (ja) | 1994-06-02 | 1994-06-02 | 赤外線用光源及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07324980A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0781619A1 (en) * | 1995-12-15 | 1997-07-02 | Cree Research, Inc. | Method of making silicone carbide wafers from silicon carbide bulk crystals |
| US6242709B1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-06-05 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Method for manufacturing conductive wafers, method for manufacturing thin-plate sintered compacts, method for manufacturing ceramic substrates for thin-film magnetic head, and method for machining conductive wafers |
-
1994
- 1994-06-02 JP JP6121500A patent/JPH07324980A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0781619A1 (en) * | 1995-12-15 | 1997-07-02 | Cree Research, Inc. | Method of making silicone carbide wafers from silicon carbide bulk crystals |
| US6242709B1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-06-05 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Method for manufacturing conductive wafers, method for manufacturing thin-plate sintered compacts, method for manufacturing ceramic substrates for thin-film magnetic head, and method for machining conductive wafers |
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