JPH07326846A - 成形基板の製造法 - Google Patents
成形基板の製造法Info
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- JPH07326846A JPH07326846A JP6116461A JP11646194A JPH07326846A JP H07326846 A JPH07326846 A JP H07326846A JP 6116461 A JP6116461 A JP 6116461A JP 11646194 A JP11646194 A JP 11646194A JP H07326846 A JPH07326846 A JP H07326846A
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- JP
- Japan
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- plating
- nickel plating
- substrate
- thickness
- molded substrate
- Prior art date
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- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 チップオンボ−ド基板のワイヤボンディング
性を改善する事ができる成形基板の製造法に関する 【構成】 成形基板に下地ニッケルメッキと仕上げ金も
しくは銀メッキにより回路を形成する成形基板の製造法
において、下地ニッケルメッキとして無光沢ニッケルメ
ッキを施した後、光沢ニッケルメッキを施すことを特徴
とする成形基板の製造法。
性を改善する事ができる成形基板の製造法に関する 【構成】 成形基板に下地ニッケルメッキと仕上げ金も
しくは銀メッキにより回路を形成する成形基板の製造法
において、下地ニッケルメッキとして無光沢ニッケルメ
ッキを施した後、光沢ニッケルメッキを施すことを特徴
とする成形基板の製造法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チップオンボ−ド基板
（以下、ＣＯＢ基板と略す）として使用される金メッキ
成形基板の製造方法に関する。
（以下、ＣＯＢ基板と略す）として使用される金メッキ
成形基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、各種電子機器においては、機器の
小型化、高性能、多機能化等の要求に従い、これら機器
に用いるプリント基板の高密度化、回路の微細化の対応
が必要となっている。又、部品を搭載した基板の薄型
化、小型課が求められている。ＣＯＢ基板では基板自体
を薄型化することが試みられているが限界があり、更に
は、基板に凹みを設け部品を搭載する事が試みられてい
る。基板に部品搭載用の凹みを設ける方法として、ざぐ
り加工があるが、生産性に問題があり部品数が多い場合
は経済的でない。
小型化、高性能、多機能化等の要求に従い、これら機器
に用いるプリント基板の高密度化、回路の微細化の対応
が必要となっている。又、部品を搭載した基板の薄型
化、小型課が求められている。ＣＯＢ基板では基板自体
を薄型化することが試みられているが限界があり、更に
は、基板に凹みを設け部品を搭載する事が試みられてい
る。基板に部品搭載用の凹みを設ける方法として、ざぐ
り加工があるが、生産性に問題があり部品数が多い場合
は経済的でない。
【０００３】これに対し、部品搭載用の凹みを有する基
板を射出成形により形成しその表面に直接配線を形成す
る方法は量産性、経済性の点で優れている。その方法と
して、成形品表面を粗化した後、無電解メッキし、電着
塗装によりフォトレジスト層を形成し、露光現像してメ
ッキレジストパターンを形成し、電気メッキにより金属
回路を形成し、その後メッキレジストを剥離し、さらに
レジストの下の無電解メッキ層をエッチングにより除去
する方法がある。
板を射出成形により形成しその表面に直接配線を形成す
る方法は量産性、経済性の点で優れている。その方法と
して、成形品表面を粗化した後、無電解メッキし、電着
塗装によりフォトレジスト層を形成し、露光現像してメ
ッキレジストパターンを形成し、電気メッキにより金属
回路を形成し、その後メッキレジストを剥離し、さらに
レジストの下の無電解メッキ層をエッチングにより除去
する方法がある。
【０００４】この方法により部品搭載用の凹みがあるＣ
ＯＢ基板に配線を形成する場合、耐熱性の熱可塑性樹脂
を用いて射出成形し、メッキにより回路を形成する。こ
の場合、メッキと樹脂との密着性を上げる為に、樹脂表
面を粗化した後にメッキを行う。しかし、ワイヤボンデ
ィングを行うＣＯＢ基板では、メッキ面が平滑であるこ
とが要求されており、下地メッキに光沢メッキを行って
メッキ面の平滑化を行った後、金メッキが施される。
ＯＢ基板に配線を形成する場合、耐熱性の熱可塑性樹脂
を用いて射出成形し、メッキにより回路を形成する。こ
の場合、メッキと樹脂との密着性を上げる為に、樹脂表
面を粗化した後にメッキを行う。しかし、ワイヤボンデ
ィングを行うＣＯＢ基板では、メッキ面が平滑であるこ
とが要求されており、下地メッキに光沢メッキを行って
メッキ面の平滑化を行った後、金メッキが施される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ワイヤボンディングに
適した、平滑性を有するメッキを得る為には光沢ニッケ
ルメッキが最も適している。しかし、光沢ニッケルメッ
キは、メッキ金属の延展性が無く脆いという性質がある
上に、スルーホール角部の様な凸状エッジ部にはメッキ
が付きにくく金属層が薄くなるという問題があった。更
に、金属と樹脂の膨張率が大きく異なる為に、加熱ある
いは冷却時に、それぞれの膨張、収縮が大きく異なり金
属と樹脂との界面に大きな歪みを生じるという問題もあ
った。
適した、平滑性を有するメッキを得る為には光沢ニッケ
ルメッキが最も適している。しかし、光沢ニッケルメッ
キは、メッキ金属の延展性が無く脆いという性質がある
上に、スルーホール角部の様な凸状エッジ部にはメッキ
が付きにくく金属層が薄くなるという問題があった。更
に、金属と樹脂の膨張率が大きく異なる為に、加熱ある
いは冷却時に、それぞれの膨張、収縮が大きく異なり金
属と樹脂との界面に大きな歪みを生じるという問題もあ
った。
【０００６】この為、下地光沢ニッケルメッキ後、仕上
げの金あるいは銀メッキを施した基板に素子、部品を搭
載するためのダイボンディング、ワイヤボンディング或
いは半田付けなどの加熱処理がなされた場合、スルーホ
ール角部の様な凸状エッジ部に樹脂及び金属の伸びの差
による歪が集中し、かつ、この部分はメッキが薄く、光
沢ニッケルは延展性が無く脆い事から加熱時にメッキに
亀裂が発生し導通不良を生じるという問題があった。
げの金あるいは銀メッキを施した基板に素子、部品を搭
載するためのダイボンディング、ワイヤボンディング或
いは半田付けなどの加熱処理がなされた場合、スルーホ
ール角部の様な凸状エッジ部に樹脂及び金属の伸びの差
による歪が集中し、かつ、この部分はメッキが薄く、光
沢ニッケルは延展性が無く脆い事から加熱時にメッキに
亀裂が発生し導通不良を生じるという問題があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は樹脂成形品の表
面にワイヤボンディングが可能な平滑性を有する金或い
は銀メッキ成形基板の製造法において、下地ニッケルメ
ッキとして無光沢ニッケルメッキした後、光沢ニッケル
メッキを施す事により、ワイヤボンディングが可能なメ
ッキ平滑性が得られるだけでなく、コーナーエッジ部に
適度なメッキ厚みが得られ、膨張率差によるメッキの亀
裂が発生せず導通不良が無くなる事を特徴とする成形基
板の製造法である。
面にワイヤボンディングが可能な平滑性を有する金或い
は銀メッキ成形基板の製造法において、下地ニッケルメ
ッキとして無光沢ニッケルメッキした後、光沢ニッケル
メッキを施す事により、ワイヤボンディングが可能なメ
ッキ平滑性が得られるだけでなく、コーナーエッジ部に
適度なメッキ厚みが得られ、膨張率差によるメッキの亀
裂が発生せず導通不良が無くなる事を特徴とする成形基
板の製造法である。
【０００８】本発明の成形基板とは、芳香族ポリエステ
ル、ポリエーテルイミド、ポリアミド或いはポリフェニ
レンサルファイド等の耐熱性の高い熱可塑性樹脂、或い
は、熱硬化性樹脂でメッキ、イオンプレーティング、ス
パッタリング、真空蒸着、その他の方法で成形品表面に
金属膜を形成することのできる樹脂を用いて成形した射
出成形品表面に回路パターンを形成したものをいう。
ル、ポリエーテルイミド、ポリアミド或いはポリフェニ
レンサルファイド等の耐熱性の高い熱可塑性樹脂、或い
は、熱硬化性樹脂でメッキ、イオンプレーティング、ス
パッタリング、真空蒸着、その他の方法で成形品表面に
金属膜を形成することのできる樹脂を用いて成形した射
出成形品表面に回路パターンを形成したものをいう。
【０００９】回路パターンの作成においては、まず最初
に、成形品表面を硫酸、硝酸、塩酸、弗酸等の酸、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等の
アルカリ、有機溶剤又はこれらの混合液にて処理し表面
を粗面化した後、無電解メッキ、イオンプレ−ティン
グ、真空蒸着、スパッタリング等の方法により表面に金
属膜を形成する。無電解メッキの例としては、無電解
銅、無電解ニッケル等が挙げられる。
に、成形品表面を硫酸、硝酸、塩酸、弗酸等の酸、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等の
アルカリ、有機溶剤又はこれらの混合液にて処理し表面
を粗面化した後、無電解メッキ、イオンプレ−ティン
グ、真空蒸着、スパッタリング等の方法により表面に金
属膜を形成する。無電解メッキの例としては、無電解
銅、無電解ニッケル等が挙げられる。
【００１０】次に、電着、スプレー等基板上に均一に塗
布することが可能な方法にて金属膜上にネガ型、或いは
ポジ型のフォトレジストを塗装する。この場合、基板全
面のレジスト膜厚を均一にする為には、電着により塗装
する。これに、平面型、或いは、基板形状に対応した三
次元形状のフォトマスクを通して、基板の全面、或い
は、一部に、平行光、または散乱光を照射し、現像し
て、メッキレジストパターンを形成する。
布することが可能な方法にて金属膜上にネガ型、或いは
ポジ型のフォトレジストを塗装する。この場合、基板全
面のレジスト膜厚を均一にする為には、電着により塗装
する。これに、平面型、或いは、基板形状に対応した三
次元形状のフォトマスクを通して、基板の全面、或い
は、一部に、平行光、または散乱光を照射し、現像し
て、メッキレジストパターンを形成する。
【００１１】これに、電解メッキにて露出している金属
膜上に回路パターンを形成する。ここでの電解メッキと
は、まず、 3μｍ以上の無光沢ニッケルメッキを施した
後、光沢ニッケルメッキを行うものである。光沢ニッケ
ルメッキの厚みは５〜50μｍであるが、メッキ面の平滑
性及びメッキ厚み増加に伴う基板厚みの増加等を考慮し
て、好ましくは10〜20μｍである。無光沢ニッケルメッ
キ浴はニッケル塩類、塩化物、硼酸を主体とするもので
あれば何でもよいが、好ましくはワット浴である。光沢
ニッケルメッキ浴は、ワイヤボンディング可能なメッキ
面が得られれば何でもよいが、好ましくワット浴を基本
として有機光沢剤を添加した有機光沢ニッケルメッキ浴
である。
膜上に回路パターンを形成する。ここでの電解メッキと
は、まず、 3μｍ以上の無光沢ニッケルメッキを施した
後、光沢ニッケルメッキを行うものである。光沢ニッケ
ルメッキの厚みは５〜50μｍであるが、メッキ面の平滑
性及びメッキ厚み増加に伴う基板厚みの増加等を考慮し
て、好ましくは10〜20μｍである。無光沢ニッケルメッ
キ浴はニッケル塩類、塩化物、硼酸を主体とするもので
あれば何でもよいが、好ましくはワット浴である。光沢
ニッケルメッキ浴は、ワイヤボンディング可能なメッキ
面が得られれば何でもよいが、好ましくワット浴を基本
として有機光沢剤を添加した有機光沢ニッケルメッキ浴
である。
【００１２】引続き、金あるいは銀メッキを施し、回路
パターンを形成した後、不要部分のメッキレジストおよ
び無電解メッキを剥離する事により成形品上にパターン
が形成された基板が得られる。場合により、この基板に
熱硬化型、或いは、光硬化型のソルダーレジストを塗布
する。このようにして得られた立体配線基板は、ワイヤ
ボンディング可能なメッキ平滑性を有し、実装時の加熱
処理を行っても回路に亀裂が生じる導通不良を生じな
い。
パターンを形成した後、不要部分のメッキレジストおよ
び無電解メッキを剥離する事により成形品上にパターン
が形成された基板が得られる。場合により、この基板に
熱硬化型、或いは、光硬化型のソルダーレジストを塗布
する。このようにして得られた立体配線基板は、ワイヤ
ボンディング可能なメッキ平滑性を有し、実装時の加熱
処理を行っても回路に亀裂が生じる導通不良を生じな
い。
【００１３】
【実施例】以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明
する。 実施例１ 液晶ポリエステル〔商品名：ベクトラ、ポリプラスッチ
ックス社製〕を主体とする金属密着性（メッキ可能）樹
脂組成物を用いて、射出成形によりChip搭載用凹部(1.3
mm×2.2mm 、深さ 0.8mm) とその両側に 0.4mm隔ててス
ルーホール(0.7mm×2.6mm)とからなるチップ搭載用単位
を多数配置した縦 75mm 、横 158mm、厚み 1.5mmの樹脂
成形品を得た。この樹脂成形品の表面を粗化した後、無
電解銅メッキした。更に、フォトレジストを電着塗装し
フィルムを介して露光した後、現像して、スルーホール
内（以下、ａと記す）、両側のスルーホールと凹みとの
導通部（以下、ｂと記す）、凹みのスルーホール側両側
面（以下、ｃと記す）、凹み底部の中央の1/3 を残した
底部、および反対面にスルーホールと導通した端子部分
とが露出したメッキレジストパターンを形成した。
する。 実施例１ 液晶ポリエステル〔商品名：ベクトラ、ポリプラスッチ
ックス社製〕を主体とする金属密着性（メッキ可能）樹
脂組成物を用いて、射出成形によりChip搭載用凹部(1.3
mm×2.2mm 、深さ 0.8mm) とその両側に 0.4mm隔ててス
ルーホール(0.7mm×2.6mm)とからなるチップ搭載用単位
を多数配置した縦 75mm 、横 158mm、厚み 1.5mmの樹脂
成形品を得た。この樹脂成形品の表面を粗化した後、無
電解銅メッキした。更に、フォトレジストを電着塗装し
フィルムを介して露光した後、現像して、スルーホール
内（以下、ａと記す）、両側のスルーホールと凹みとの
導通部（以下、ｂと記す）、凹みのスルーホール側両側
面（以下、ｃと記す）、凹み底部の中央の1/3 を残した
底部、および反対面にスルーホールと導通した端子部分
とが露出したメッキレジストパターンを形成した。
【００１４】上記、メッキレジスト層を有する樹脂成形
品の銅回路部分にワット無光沢ニッケル浴 (硫酸ニッケ
ル 250g/l(リットル)、塩化ニッケル 45g/l、硼酸 40g/l)
にて無光沢ニッケルメッキ 5μｍを施し、更にワット光
沢ニッケル浴 (上記の無光沢ニッケルメッキ浴に光沢剤
として、商品名「＃６６」、荏原ユ−ジライト株式会社
製を追加添加して使用) にて、光沢ニッケルメッキ 15
μｍを行い、合計 20μｍのニッケルメッキ層を形成
し、続いて、電解金メッキを施し 0.3μｍの金メッキ層
を得た。
品の銅回路部分にワット無光沢ニッケル浴 (硫酸ニッケ
ル 250g/l(リットル)、塩化ニッケル 45g/l、硼酸 40g/l)
にて無光沢ニッケルメッキ 5μｍを施し、更にワット光
沢ニッケル浴 (上記の無光沢ニッケルメッキ浴に光沢剤
として、商品名「＃６６」、荏原ユ−ジライト株式会社
製を追加添加して使用) にて、光沢ニッケルメッキ 15
μｍを行い、合計 20μｍのニッケルメッキ層を形成
し、続いて、電解金メッキを施し 0.3μｍの金メッキ層
を得た。
【００１５】この後、回路部分以外に残っているレジス
トを剥離、その下地の無電解銅メッキをフラッシュエッ
チング除去し立体配線基板を得た。この立体配線基板
を、 150℃ 3時間加熱し、さらに、 260℃半田リフロー
処理を行った。この後、ａ−ｂ間、ｂ−ｃ間について導
通試験した結果を表１に示した。
トを剥離、その下地の無電解銅メッキをフラッシュエッ
チング除去し立体配線基板を得た。この立体配線基板
を、 150℃ 3時間加熱し、さらに、 260℃半田リフロー
処理を行った。この後、ａ−ｂ間、ｂ−ｃ間について導
通試験した結果を表１に示した。
【００１６】実施例２ 実施例１において、電解無光沢ニッケルメッキの厚みを
3μｍ、電解光沢ニッケルメッキの厚みを17μｍとした
以外は同様とした。これを実施例１と同様に試験した結
果を表１に示した。 実施例３ 実施例１において、電解金メッキに換えて、厚みを３μ
ｍの電解銀メッキを施した以外は同様とした。これを実
施例１と同様に試験した結果を表１に示した。
3μｍ、電解光沢ニッケルメッキの厚みを17μｍとした
以外は同様とした。これを実施例１と同様に試験した結
果を表１に示した。 実施例３ 実施例１において、電解金メッキに換えて、厚みを３μ
ｍの電解銀メッキを施した以外は同様とした。これを実
施例１と同様に試験した結果を表１に示した。
【００１７】比較例１ 実施例１において、電解無光沢ニッケルメッキの厚みを
１μｍ、電解光沢ニッケルメッキの厚みを19μｍとした
以外は同様とした。これを実施例１と同様に試験した結
果を表１に示した。 比較例２ 実施例１において、電解無光沢ニッケルメッキを行わ
ず、電解光沢ニッケルメッキの厚みを20μｍとした以外
は同様とした。これを実施例１と同様に試験した結果を
表１に示した。 比較例３ 実施例１において、電解無光沢ニッケルメッキを行わ
ず、電解光沢ニッケルメッキの厚みを40μｍとした以外
は同様とした。これを実施例１と同様に試験した結果を
表１に示した。
１μｍ、電解光沢ニッケルメッキの厚みを19μｍとした
以外は同様とした。これを実施例１と同様に試験した結
果を表１に示した。 比較例２ 実施例１において、電解無光沢ニッケルメッキを行わ
ず、電解光沢ニッケルメッキの厚みを20μｍとした以外
は同様とした。これを実施例１と同様に試験した結果を
表１に示した。 比較例３ 実施例１において、電解無光沢ニッケルメッキを行わ
ず、電解光沢ニッケルメッキの厚みを40μｍとした以外
は同様とした。これを実施例１と同様に試験した結果を
表１に示した。
【００１８】
【表１】実施例＆比較例 実１ 実２ 実３ 比１ 比２ 比３ 無光沢ニッケルメッキ厚み（μｍ） 5 3 5 1 0 0 光沢ニッケルメッキ厚み （μｍ） 15 17 15 19 20 40 金メッキ厚み （μｍ） 0.3 0.3 − 0.3 0.3 0.3 銀メッキ厚み （μｍ） − − 3.0 − − −導通不良個数(108個所中の個数) a-b 間 150℃ 3時間処理後 0 0 0 0 0 0 a-b 間 260℃リフロー後 0 0 0 0 1 3 b-c 間 150℃ 3時間処理後 0 0 0 0 2 7 b-c 間 260℃リフロー後 0 0 0 1 4 14 注) 導通不良は、角形スルーホールのエッジ部分を挟み
抵抗値を測定し、0.2Ω以上を異常と判定。
抵抗値を測定し、0.2Ω以上を異常と判定。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、下地ニッ
ケルメッキとして無光沢ニッケルメッキした後、光沢ニ
ッケルメッキを施す事によりワイヤボンディングが可能
なメッキ平滑性が得られ、かつ、コーナーエッジ部に適
度なメッキ厚みが得られ、膨張率差によるメッキの亀裂
が発生せず導通不良が無くなる。
ケルメッキとして無光沢ニッケルメッキした後、光沢ニ
ッケルメッキを施す事によりワイヤボンディングが可能
なメッキ平滑性が得られ、かつ、コーナーエッジ部に適
度なメッキ厚みが得られ、膨張率差によるメッキの亀裂
が発生せず導通不良が無くなる。
Claims (1)
- 【請求項１】 成形基板に下地ニッケルメッキと仕上げ
金もしくは銀メッキにより回路を形成する成形基板の製
造法において、下地ニッケルメッキとして無光沢ニッケ
ルメッキを施した後、光沢ニッケルメッキを施すことを
特徴とする成形基板の製造法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6116461A JPH07326846A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 成形基板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6116461A JPH07326846A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 成形基板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326846A true JPH07326846A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=14687693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6116461A Pending JPH07326846A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 成形基板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07326846A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001234361A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Ibiden Co Ltd | 高耐食ニッケル−金めっき |
| JP2007012822A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子用セラミックパッケージ及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-05-30 JP JP6116461A patent/JPH07326846A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001234361A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Ibiden Co Ltd | 高耐食ニッケル−金めっき |
| JP2007012822A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-01-18 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子用セラミックパッケージ及びその製造方法 |
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