JPH07327236A

JPH07327236A - テレビ受像機

Info

Publication number: JPH07327236A
Application number: JP3018489A
Authority: JP
Inventors: Akira Mase; 晃間瀬; Shunpei Yamazaki; 舜平山崎
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1991-01-17
Filing date: 1991-01-17
Publication date: 1995-12-12

Abstract

(57)【要約】【目的】階調表示を有する液晶装置を使用したテレビ
受像機を提供する。【構成】テレビ映像を表示する１つ以上の第一の液晶
装置と、該装置の光源及び投影場所とが作る光路上に、
光の色を時間的に変化させて、カラー表示を行うテレビ
受像機において、光の色を時間的に変化させる手段とし
て３枚以上よりなる光シャッターを用いることを特徴と
するテレビ受像機。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、地上テレビ局または衛
星テレビ局またはケーブルテレビ局または個別に設けら
れたテレビ映像の録画装置（ビデオデッキ、レーザーデ
ィスク、光磁気ディスク等）より送られる映像信号を具
体的に表示する装置を提案する。また、ビデオカメラの
ビューファインダーにも応用可能である。

【０００２】

【従来の技術】従来地上テレビ局または衛星テレビ局ま
たはケーブルテレビ局または個別に設けられたテレビ映
像の録画装置（ビデオデッキ、レーザーディスク、光磁
気ディスク等）より送られる映像信号を具体的に表示す
る装置としては、ブラウン管、ＣＲＴと呼ばれる真空管
中で電子線を飛ばして、対象物となる蛍光面を発光させ
る方式が取られていた。

【０００３】当初表示体の対角は１２〜１４インチがよ
く普及していたが、近年世の中の要求によって、２０イ
ンチはおろか３０インチをゆうに超える大きさのものま
で出現するに至っている。

【０００４】対角３０インチの場合、その奥行きもほぼ
３０インチほどあり、またそれを形成するガラスの厚み
も強度を保つために１センチを超えるようになった。ま
た、他の装置として、輝度の高いブラウン管を光学系で
拡大表示してスクリーンに映し出す方式も提案され、表
示面積の大きな物に利用されている。その構成の概略を
図１０に示す。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ブラウン管を利用した
テレビ受像機の場合、表示面が３０インチを越えると全
体の重量は１００kgを優に越えることになった。一般の
家庭において１００kgを越えた重量物を置くには、よっ
ぽど場所を限定しなければ難しいものがある。また、そ
の重量はレイアウト変更等が生じた場合に、人力で移動
させることは難しくなり、一般家庭への普及の障害とな
っていた。

【０００６】そこで、重量の解決のため、プロジェクシ
ョン型のテレビ受像機が提案されているが、元になる高
輝度ブラウン管の輝度向上にも限界があり、拡大画面に
おける輝度自体は非常に低いものとなっていた。そのた
め、画面が暗いばかりではなく、光学系で拡大している
ために、正面でのコントラスト比は高いものの、斜め方
向からのコントラスト比はブラウン管方式に比べて非常
に劣っていた。しかしながら、本方式は重量の点におい
ては、ブラウン管方式の５０％程度ですむため、問題解
決の一つとなった。図１０のプロジェクションテレビ２
０１は、ブラウン管または液晶表示装置２０４、チュー
ナー２０５、光学系２０３、反射板２０２、画面２０６
よりなる。

【０００７】近年、ブラウン管に代わって、アモルファ
スシリコンを使った薄膜トランジスタ方式の液晶パネル
をその元となる表示体として使用した実施例がよく提案
されている。図２に、特許明細書から抜粋したそれらの
実施例による構造図を示す。重量はブラウン管方式に比
べて、３０％程度ですむために一般家庭への普及を助け
る要因の一つとなった。しかし、ブラウン管方式に比べ
て、表示輝度がまだまだ低く、光源の強度を上げる方向
で検討が進められているが、光源強度をあげた場合、液
晶パネルの温度上昇と光照射に伴う薄膜トランジスタの
ＯＦＦ時における抵抗値の低下で、満足する表示ができ
ないのが現実である。図３に従来のアクティブ配列を示
す。また、説明を簡単にするために２×２のマトリクス
配列で示している。複数のゲイト線Ｇ_1,Ｇ₂と複数のデ
ータ線Ｄ_1,Ｄ₂とを直交して配置し、そのマトリクス状
の交差部に画素表示素子を設けている。この画素表示素
子は液晶部１０２とＴＦＴ部１０１で構成されている。
それぞれの画素に対して周辺回路１０６、１０７から信
号を加えて所定の画素を選択的にオンまたはオフして表
示を行う。

【０００８】しかし、実際にこれらの液晶表示装置を作
製して表示をさせた場合、ＴＦＴの出力、即ち液晶にと
っての入力（液晶電位という) の電圧Ｖ_LCは、しばしば
"1"(High) となるべき時に"1"(High) にならず、また、
逆に"0"(Low)となるべき時に"0"(Low)にならない。これ
は、画素に信号を加えるスィッチング素子、つまりＴＦ
Ｔ１０１の特性に対称性がないために発生する。すなわ
ち、画素電極への充電の様子と放電の様子に電気特性上
のかたよりがあるためである。そして、液晶１０２はそ
の動作において本来絶縁性であり、また、ＴＦＴ１０１
がオフの時に液晶電位(V_LC) は浮いた状態になる。この
液晶１０２は等価的にキャパシタであるため、そこに蓄
積された電荷によりＶ_LCが決められる。この電荷は液晶
がＲ_LCで比較的小さい抵抗となったり、ゴミやイオン性
不純物の存在によりリ−クしたり、またＴＦＴのゲイト
絶縁膜のピンホ−ルによりＲ_GSが生じた場合にはそこか
ら電荷がもれ、Ｖ_LCは中途半端な状態になってしまう。
このため１つのパネル中に20万〜500 万個の画素を有す
る液晶表示装置においては、高い歩留まりを成就するこ
とができないという問題があった。

【０００９】また、図２に示す様にどの実施例もカラー
表示を行った場合、表示体としてのアクティブマトリク
ス型表示装置を３枚以上使用するために、低い歩留りが
３乗できいてくるために、全体の歩留りとしては、非常
に低くなりコスト上昇を招いていた。

【００１０】

【問題を解決する方法】そこで、本発明では、テレビ映
像を表示する１つ以上の第一の液晶装置と、該装置の光
源及び投影場所とが作る光路上に、光の色を時間的に変
化させて、カラー表示を行うテレビ受像機において、光
の色を時間的に変化させる手段として３枚以上よりなる
光シャッターを用いることを特徴とし、該光シャッター
として、強誘電性を示す液晶組成物を用いることを特徴
としている。

【００１１】つまり、一つのカラー画面を３つ以上の画
面より構成し、第一の画面として光の３原色のうち赤色
の画面を、第二の画面として光の３原色のうち緑色の画
面を、第三の画面として光の３原色のうち青色の画面
を、表示して人間の目に映るその時系列的な光の合成に
よって、表示を可能にしている。

【００１２】人間の目の能力は個人差もあるが、平均的
には１秒間に３０枚以上の画面を構成することによっ
て、自然な動画として受け入れられることが分かってい
る。そこで、１／３０秒の中に前記した赤の画面、緑の
画面、青の画面の３画面を順に表示することで、カラー
表示が可能となる。

【００１３】前記の様な表示を行った場合、一つの色を
表示する時間は、１／（３０画面×３色）＝１１．１１
１１となり、約１１ｍ秒間である。表示品質を考慮した
場合、この表示時間の数％の内に、透過率変化（明から
暗または暗から明）が起きる様な光シャッターを使用す
る必要がある。

【００１４】そこで、本発明ではそれらの光シャッター
として、強誘電性を示す液晶組成物を用いることを特徴
としている。表１に各種液晶組成物を用いた光シャッタ
ーの透過率変化時間（応答速度）を示す。明らかなよう
に、本発明を満足できるものは強誘電性を示す液晶組成
物しかないことが判る。

【００１５】本発明によって、歩留りの低い第一の液晶
装置を１枚にすることが出来、装置全体としての歩留り
向上を達成している。また、光シャッターとして、強誘
電性を示す液晶組成物を用いることで、色の変化をシャ
ープにすることが出来、画質の向上を、はかることがで
きる。以下に実施例を示し、さらに詳しい説明を加え
る。

【００１６】

【実施例】本実施例では図４に示すような回路構成すな
わちインバータ型の回路構成を用いた液晶表示装置を用
いて、強誘電液晶（ＦＬＣ）を用いた液晶表示装置の説
明を行う。この回路構成に対応する実際の電極等の配置
構成を図５に示している。これらは説明を簡単にする為
２×２に相当する部分のみ記載されている。また、実際
の駆動信号波形を図６に示す。これも説明を簡単にする
為に４×４のマトリクス構成とした場合の信号波形で説
明を行う。また、具体的な液晶装置の配置の様子は図１
に示すように第一の装置（８０）と３つの第二の装置
（８１）とを設け第二の装置の各々にはＲ：Ｇ：Ｂに対
応するカラーフィルター（８３）が光源との間に設けら
れている。

【００１７】まず、本実施例で使用する液晶表示装置の
作製方法を図７を使用して説明する。図７（Ａ）におい
て、石英ガラス等の高価でない７００℃以下、例えば約
６００℃の熱処理に耐え得るガラス５０上にマグネトロ
ンＲＦ（高周波) スパッタ法を用いてブロッキング層５
１としての酸化珪素膜を１０００〜３０００Åの厚さに
作製する。プロセス条件は酸素１００％雰囲気、成膜温
度１５℃、出力４００〜８００Ｗ、圧力０．５Ｐａとし
た。タ−ゲットに石英または単結晶シリコンを用いた成
膜速度は３０〜１００Å／分であった。

【００１８】この上にシリコン膜をＬＰＣＶＤ（減圧気
相）法、スパッタ法またはプラズマＣＶＤ法により形成
した。減圧気相法で形成する場合、結晶化温度よりも１
００〜２００℃低い４５０〜５５０℃、例えば５３０℃
でジシラン(Si₂H₆) またはトリシラン(Si₃H₈) をＣＶＤ
装置に供給して成膜した。反応炉内圧力は３０〜３００
Ｐａとした。成膜速度は５０〜２５０Å/ 分であった。
ＮＴＦＴとＰＴＦＴとのスレッシュホ−ルド電圧（Ｖt
h）に概略同一に制御するため、ホウ素をジボランを用
いて１×10¹⁵〜１×10¹⁸cm^-3の濃度として成膜中に添加
してもよい。

【００１９】スパッタ法で行う場合、スパッタ前の背圧
を１×10^-5Ｐａ以下とし、単結晶シリコンをタ−ゲット
として、アルゴンに水素を２０〜８０％混入した雰囲気
で行った。例えばアルゴン２０％、水素８０％とした。
成膜温度は１５０℃、周波数は１３．５６ＭＨｚ、スパ
ッタ出力は４００〜８００Ｗ、圧力は０．５Ｐａであっ
た。

【００２０】プラズマＣＶＤ法により珪素膜を作製する
場合、温度は例えば３００℃とし、モノシラン(SiH₄)ま
たはジシラン(Si₂H₆) を用いた。これらをＰＣＶＤ装置
内に導入し、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を加えて成
膜した。

【００２１】これらの方法によって形成された被膜は、
酸素が５×10²¹cm^-3以下であることが好ましい。この酸
素濃度が高いと、結晶化させにくく、熱アニ−ル温度を
高くまたは熱アニ−ル時間を長くしなければならない。
また少なすぎると、バックライトによりオフ状態のリ−
ク電流が増加してしまう。そのため４×10¹⁹〜４×10²¹
cm^-3の範囲とした。水素は４×10²⁰cm^-3であり、珪素４
×10²²cm^-3として比較すると１原子％であった。また、
ソ−ス、ドレインに対してより結晶化を助長させるた
め、酸素濃度を７×10¹⁹cm^-3以下、好ましくは１×10¹⁹
cm^-3以下とし、ピクセル構成するＴＦＴのチャネル形成
領域のみに酸素をイオン注入法により５×10²⁰〜５×10
²¹cm^-3となるように添加してもよい。その時周辺回路を
構成するＴＦＴには光照射がなされないため、この酸素
の混入をより少なくし、より大きいキャリア移動度を有
せしめることは、高周波動作をさせるためる有効であ
る。

【００２２】次に、アモルファス状態の珪素膜を５００
〜５０００Å、例えば１５００Åの厚さに作製の後、４
５０〜７００℃の温度にて１２〜７０時間非酸化物雰囲
気にて中温の加熱処理、例えば水素雰囲気下にて６００
℃の温度で保持した。珪素膜の下の基板表面にアモルフ
ァス構造の酸化珪素膜が形成されているため、この熱処
理で特定の核が存在せず、全体が均一に加熱アニ−ルさ
れる。即ち、成膜時はアモルファス構造を有し、また水
素は単に混入しているのみである。

【００２３】アニ−ルにより、珪素膜はアモルファス構
造から秩序性の高い状態に移り、一部は結晶状態を呈す
る。特にシリコンの成膜後の状態で比較的秩序性の高い
領域は特に結晶化をして結晶状態となろうとする。しか
しこれらの領域間に存在する珪素により互いの結合がな
されるため、珪素同志は互いにひっぱりあう。レ−ザラ
マン分光により測定すると単結晶の珪素のピ−ク５２２
cm^-1より低周波側にシフトしたピ−クが観察される。そ
れの見掛け上の粒径は半値巾から計算すると、５０〜５
００Åとマイクロクリスタルのようになっているが、実
際はこの結晶性の高い領域は多数あってクラスタ構造を
有し、各クラスタ間は互いに珪素同志で結合（アンカリ
ング) がされたセミアモルファス構造の被膜を形成させ
ることができた。

【００２４】結果として、被膜は実質的にグレインバウ
ンダリ（以下ＧＢという）がないといってもよい状態を
呈する。キャリアは各クラスタ間をアンカリングされた
個所を通じ互いに容易に移動し得るため、いわゆるGBの
明確に存在する多結晶珪素よりも高いキャリア移動度と
なる。即ちホ−ル移動度（μｈ）＝１０〜２００cm²／
ＶＳｅｃ、電子移動度（μe ）＝１５〜３００cm²／Ｖ
Ｓｅｃが得られる。

【００２５】他方、上記の如き中温でのアニ−ルではな
く、９００〜１２００℃の高温アニ−ルにより被膜を多
結晶化すると、核からの固相成長により被膜中の不純物
の偏析がおきて、ＧＢには酸素、炭素、窒素等の不純物
が多くなり、結晶中の移動度は大きいが、ＧＢでのバリ
ア（障壁）を作ってそこでのキャリアの移動を阻害して
しまう。結果として１０cm²/Vsec以上の移動度がなかな
か得られないのが実情である。即ち、本実施例ではかく
の如き理由により、セミアモルファスまたはセミクリス
タル構造を有するシリコン半導体を用いている。

【００２６】この上に酸化珪素膜をゲイト絶縁膜として
５００〜２０００Å例えば１０００Åの厚さに形成し
た。これはブロッキング層としての酸化珪素膜の作製と
同一条件とした。この成膜中に弗素を少量添加し、ナト
リウムイオンの固定化をさせてもよい。

【００２７】この後、この上側にリンが１〜５×10²¹cm
^-3の濃度に入ったシリコン膜またはこのシリコン膜とそ
の上にモリブデン(Mo)、タングステン(W),MoSi₂または
WSi₂との多層膜を形成した。これを第２のフォトマスク
にてパタ−ニングして図７(B) を得た。ＰＴＦＴ用の
ゲイト電極９、ＮＴＦＴ用のゲイト電極１９を形成し
た。例えばチャネル長１０μｍ、ゲイト電極としてリン
ド−プ珪素を０．２μｍ、その上にモリブデンを０．３
μｍの厚さに形成した。図７（Ｃ）において、フォト
レジスト５７をフォトマスクを用いて形成し、ＰＴＦ
Ｔ用のソ−ス１０、ドレイン１２に対し、ホウ素を１〜
５×１０¹⁵cm^-2のド−ズ量でイオン注入法により添加し
た。次に図７（Ｄ）の如く、ＮＴＦＴをフォトマスク
を用いて形成した。ＮＴＦＴ用のソ−ス２０、ドレイ
ン１８としてリンを１〜５×１０¹⁵cm^-2のドーズ量でイ
オン注入法により添加した。

【００２８】これらはゲイト絶縁膜５４を通じて行っ
た。しかし図７（Ｂ）において、ゲイト電極９、１９を
マスクとしてシリコン膜上の酸化珪素を除去し、その
後、ホウ素、リンを直接珪素膜中にイオン注入してもよ
い。

【００２９】次に、６００℃にて１０〜５０時間再び加
熱アニ−ルを行った。ＰＴＦＴのソ−ス１０、ドレイン
１２、ＮＴＦＴのソ−ス２０、ドレイン１８を不純物を
活性化してＰ⁺、Ｎ⁺として作製した。またゲイト電極
９、１９下にはチャネル形成領域２１、１１がセミアモ
ルファス半導体として形成されている。

【００３０】かくすると、セルフアライン方式でありな
がらも、７００℃以上にすべての工程で温度を加えるこ
とがなくＣ／ＴＦＴを作ることができる。そのため、基
板材料として、石英等の高価な基板を用いなくてもよ
く、本発明の大画素の液晶表示装置にきわめて適したプ
ロセスである。

【００３１】本実施例では熱アニ−ルは図７（Ａ）、
（Ｄ）で２回行った。しかし図７（Ａ）のアニ−ルは求
める特性により省略し、双方を図７（Ｄ）のアニ−ルに
より兼ね製造時間の短縮を図ってもよい。図７（Ｅ）に
おいて、層間絶縁物６５を前記したスパッタ法により酸
化珪素膜の形成として行った。この酸化珪素膜の形成は
ＬＰＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法を用いてもよ
い。例えば０．２〜０．６μｍの厚さに形成し、その
後、フォトマスクを用いて電極用の窓６６を形成し
た。さらに、これら全体にアルミニウムをスパッタ法に
より形成し、リ−ド７１、７２およびコンタクト６７、
６８をフォトマスクを用いて作製した後、表面を平坦
化用有機樹脂６９例えば透光性ポリイミド樹脂を塗布形
成し、再度の電極穴あけをフォトマスクにて行った。

【００３２】図７（Ｆ）に示す如く２つのＴＦＴを相補
型構成とし、かつその出力端を液晶装置の一方の画素の
電極を透明電極としてそれに連結するため、スパッタ法
によりＩＴＯ（インジュ−ム・スズ酸化膜）を形成し
た。それをフォトマスクによりエッチングし、画素電
極１７を構成させた。このＩＴＯは室温〜１５０℃で成
膜し、２００〜４００℃の酸素または大気中のアニ−ル
により成就した。

【００３３】かくの如くにしてＰＴＦＴ２２とＮＴＦＴ
１３と画素電極である透明導電膜の電極１７とを同一ガ
ラス基板５０上に作製した。得られたＴＦＴの特性はＰ
ＴＦＴで移動度は２０（cm²/Vs）、Ｖthは−５．９
（Ｖ）で、ＮＴＦＴで移動度は４０（cm²/Vs）、Ｖthは
５．０（Ｖ）であった。

【００３４】上記の作製法は、バッファ型であってもイ
ンバータ型であっても全く同じであることは、いうまで
もない。

【００３５】上記の様な方法に従って作製された液晶装
置用の一方の基板とガラス基板上に全面に透明電極を設
けた他方の基板を貼り合わせ、液晶セルを形成した。そ
の中に強誘電性液晶組成物を封入した。図４において、
ＰＴＦＴ１３を第１の走査線５とデータ線３との交差部
に設け、第１の走査線５とデータ線４との交差部にも他
の画素用のＰＴＦＴが同様に設けられている。一方ＮＴ
ＦＴは第２の走査線８とデータ線３との交差部に設けら
れている。また、隣接した他の第１の走査線６とデータ
線３との交差部には、他の画素用のＮＴＦＴが設けられ
ている。このようなＣ／ＴＦＴを用いたマトリクス構成
（この場合はインバータ型）を有せしめた。ＰＴＦＴ１
３は、ドレイン１０の入力端のコンタクト６９を介し第
１の走査線５に連結され、ゲイト９は多層配線形成がな
されたデータ線３に連結されている。ソ−ス１２の出力
端はコンタクト６７を介して画素の電極１７に連結して
いる。

【００３６】他方、ＮＴＦＴ２２はドレイン２０の入力
端がコンタクトを介して第２の走査線８に連結され、ゲ
イト２１はデータ線３に、ドレイン１８の出力端はコン
タクト６８を介してＰＴＦＴと同様に画素電極１７に連
結している。かくして一対の走査線５、８に挟まれた間
（内側) に、透明導電膜よりなる画素１７とＰＴＦＴ１
３とＮＴＦＴ２２からなるＣ／ＴＦＴとにより１つのピ
クセルを構成した。かかる構造を左右、上下に繰り返す
ことにより、２×２のマトリクスをそれを拡大した６４
０×４８０、１２８０×９６０といった大画素の液晶表
示装置とすることができる。

【００３７】ここでの特長は、１つの画素に２つのＴＦ
Ｔが相補構成をして設けられていることにより、画素電
極１７は３つの値の液晶電位Ｖ_LCに固定されることであ
る。

【００３８】本実施例に適用可能な駆動信号の一例とし
て、図６を示す。図６は４×４の状態の駆動信号の一例
である。図６におけるＸ_1aＸ_1b、Ｘ_2aＸ_2b、Ｘ_3aＸ_3b、
Ｘ_4aＸ_4bはＸ方向の各々一対の走査信号線として機能す
る。また、Ｙ₁、Ｙ₂、Ｙ₃、Ｙ₄はＹ方向のデータ線
として機能している。また、図中のＡＡ、ＡＢ・・・Ｄ
Ｄは対応する位置の画素のアドレスを意味している。な
お図４においては、図中にＰ、ＮとＰＴＦＴとＮＴＦＴ
が示されているようにインバータ型の構成をとっている
が、ＰＴＦＴとＮＴＦＴを入れ換えればバッファ型にな
ることはいうまでもない。

【００３９】本実施例において、１つの表示画面に対し
て、複数フレームの駆動信号を液晶に印加することによ
り１画面を表示する場合は特定の画素に加える選択信号
回数を全フレーム数より減らすことにより、容易に階調
表示を行うことができる。

【００４０】本発明には配向膜は有機膜を用い、スイッ
チング速度を大とするため、動作電圧は±20〜±25Ｖと
し、セル間隔は１〜３μｍと薄くした。

【００４１】また、本実施例で使用したＴＦＴの半導体
は本実施例で使用した材料以外をも使用できる。

【００４２】本発明の第二の液晶装置の断面構造を図８
に示した。まず、１．１ｍｍ厚の青板ガラス基板（４０
１）上に、ＤＣスパッタ法を用いて、１２００ÅのＩＴ
Ｏ（インジュウム錫酸化物）薄膜（４０２）を成膜し
た。その後、フォトリソ法をもちいて、電極およびリー
ドを設け第一の基板（４０８）とした。同様にして電極
およびリード（４０４）を設け、その上にポリイミドを
オフセット法で８００Åの厚さに印刷し、３８０℃で３
０分間焼成の後、毛足の長い布で表面を一定方向に擦
り、液晶組成物の少なくとも初期における配向を行わせ
る手段（４０５）を設けて、第二の基板（４０９）とし
た。

【００４３】第一の基板上にスクリーン印刷法を用いて
エポキシ接着剤（４０７）を周囲に印刷し、第二の基板
上にはスピン法によって４．２μｍ径を有するシリカ球
（４０６）を１ｍｍ²当り２００個の割合で散布した後
に、第一の基板と第二の基板を貼り合わせて第二の装置
を得た。

【００４４】次に図８および図９を用いて、駆動方法の
説明を加える。

【００４５】画素Ａ１（３０１）〜Ｂ２（３０４）に表
示する色をそれぞれ、画素Ａ１（Ｒ０、Ｇ０、Ｂ１）、
画素Ａ２（Ｒ１、Ｇ１、Ｂ１）、画素Ｂ１（Ｒ０、Ｇ
１、Ｂ１）、画素Ｂ２（Ｒ１、Ｇ０、Ｂ１）とした場
合、三つの期間からなる構成の内、第一の期間（４０
１）で、第一の装置の画素Ａ１（３０１）はＯＦＦ（非
透過状態）を、画素Ａ２ではＯＮ（透過状態）を、その
他第二、第三の期間でも同様にして行なうことで、１つ
の画面が構成される。

【００４６】この様にしてカラー表示が可能であり、８
色の表示をおこなっている。また、第一の装置で８階調
をおこなった場合には、５１２色の表示が可能となっ
た。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように本発明の構成によっ
て、従来ブラウン管を利用したテレビ受像機に比べて、
７０％程度の重量の削減ができた。本発明を用いるこ
とによって、従来のアクティブマトリックス型表示装置
では歩留りの向上が難しく、さらにそれを３枚使用する
ことで０に近かった歩留りも、１枚または他の形式の表
示装置をもちいることも出来、飛躍的に向上が見られ
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のテレビ受像機の構造を示す。

【図２】従来例の液晶プロジェクション型テレビ受像機
の構造を示す。

【図３】従来例のアクティブマトリックス液晶装置の回
路図を示す。

【図４】本実施例の回路図を示す。

【図５】本実施例の基本構造図を示す。

【図６】本実施例の駆動信号を示す。

【図７】本実施例の行程を示す。

【図８】本実施例の構造を示す。

【図９】本実施例の画素構成を示す。

【図１０】ブラウン管型プロジェクションテレビの構造
図をしめす。

【図１１】本実施例の駆動方法を示す。

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【手続補正書】

【提出日】平成３年１２月２６日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図４

【補正方法】変更

【補正内容】

【図４】

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】テレビ映像を表示する１つ以上の第一の液
晶装置と、該装置の光源及び投影場所とが作る光路上
に、光の色を時間的に変化させて、カラー表示を行うテ
レビ受像機において、光の色を時間的に変化させる手段
として３枚以上よりなる光シャッターを用いることを特
徴とするテレビ受像機。
【請求項２】請求項１において、光の色を時間的に変化
させる手段としての３枚以上よりなる光シャッターとし
て、強誘電性を示す液晶組成物を用いることを特徴とす
るテレビ受像機。