JPH07328455A - 触媒再生方法 - Google Patents
触媒再生方法Info
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- JPH07328455A JPH07328455A JP6122168A JP12216894A JPH07328455A JP H07328455 A JPH07328455 A JP H07328455A JP 6122168 A JP6122168 A JP 6122168A JP 12216894 A JP12216894 A JP 12216894A JP H07328455 A JPH07328455 A JP H07328455A
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Landscapes
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ガス状物質を平均線速度１０〜１５０ｍｍ／
ｍｉｎで吹き込みながら、活性の低下した粒状触媒を液
体炭化水素で洗浄する触媒再生方法である。 【効果】 触媒表面の沈着物をより効果的に除去し、触
媒活性表面積が低下して活性が低下した触媒を、触媒本
来の活性に近い点まで再生することができる。
ｍｉｎで吹き込みながら、活性の低下した粒状触媒を液
体炭化水素で洗浄する触媒再生方法である。 【効果】 触媒表面の沈着物をより効果的に除去し、触
媒活性表面積が低下して活性が低下した触媒を、触媒本
来の活性に近い点まで再生することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、触媒の再生方法にかか
わるものであり、更に詳しく言えば触媒表面に沈着した
炭素分、重合生成物、酸化鉄を除去する触媒の再生方法
に関するものである。
わるものであり、更に詳しく言えば触媒表面に沈着した
炭素分、重合生成物、酸化鉄を除去する触媒の再生方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に炭化水素を水添する触媒は使用す
るに従って流体中の被毒物質により被毒されたり、流体
に持ち込まれるサビ、更には流体自体に起因する重合生
成物及び炭素分が触媒表面に沈着し触媒活性を著しく低
下させるに至る。一般に水添触媒は貴金属を担持してお
り、非常に高価であるため、失活する度に頻繁に更新す
る訳にはいかず、商業的な使用に耐え得るには触媒の再
生方法の確立が望まれていた。
るに従って流体中の被毒物質により被毒されたり、流体
に持ち込まれるサビ、更には流体自体に起因する重合生
成物及び炭素分が触媒表面に沈着し触媒活性を著しく低
下させるに至る。一般に水添触媒は貴金属を担持してお
り、非常に高価であるため、失活する度に頻繁に更新す
る訳にはいかず、商業的な使用に耐え得るには触媒の再
生方法の確立が望まれていた。
【０００３】この問題を解決する手段として、「特開昭
50-153790」の「触媒再生法」では固体粒状触媒の再生
方法として触媒を炭化水素で洗浄する方法が開示されて
いる。この方法は性能劣化した触媒を温度37.8〜371
℃、圧力0.35〜105.5 kg/cm2の範囲内で液状炭化水素に
より洗浄することにより表面に沈着した、炭素分や炭化
水素重合物質を除去するものである。
50-153790」の「触媒再生法」では固体粒状触媒の再生
方法として触媒を炭化水素で洗浄する方法が開示されて
いる。この方法は性能劣化した触媒を温度37.8〜371
℃、圧力0.35〜105.5 kg/cm2の範囲内で液状炭化水素に
より洗浄することにより表面に沈着した、炭素分や炭化
水素重合物質を除去するものである。
【０００４】この方法によりある程度触媒活性は回復す
るものの触媒表面から完全に上記沈着物は除去されきれ
ず、触媒活性表面積は完全に回復することはなかった。
このようにかかる技術をもっても、一度触媒表面に沈着
物が付着すると新触媒の活性を再現することができず、
より完全な触媒表面沈着物の除去による効果的な触媒再
生方法が要望されていた。
るものの触媒表面から完全に上記沈着物は除去されきれ
ず、触媒活性表面積は完全に回復することはなかった。
このようにかかる技術をもっても、一度触媒表面に沈着
物が付着すると新触媒の活性を再現することができず、
より完全な触媒表面沈着物の除去による効果的な触媒再
生方法が要望されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、触媒
表面の沈着物をより効果的に除去し、触媒の優れた再生
方法を提供することを目的とするものである。
表面の沈着物をより効果的に除去し、触媒の優れた再生
方法を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意研究を
重ねた結果、触媒を液体炭化水素によって洗浄する際に
ガス状物質を同時に通気することにより、触媒表面に沈
着した炭化水素に起因する炭素分、炭化水素重合生成物
を効果的に除去できる事を見いだし、この知見に基づい
て本発明をなすに至った。
重ねた結果、触媒を液体炭化水素によって洗浄する際に
ガス状物質を同時に通気することにより、触媒表面に沈
着した炭化水素に起因する炭素分、炭化水素重合生成物
を効果的に除去できる事を見いだし、この知見に基づい
て本発明をなすに至った。
【０００７】すなわち本発明は、ガス状物質を平均線速
度１０〜１５０ｍｍ／ｍｉｎで吹き込みながら、活性の
低下した粒状触媒を液体炭化水素で洗浄する触媒再生方
法である。本発明で用いられる触媒の種類は特に限定さ
れるものではないが、以下の製造分野で使用される水添
触媒の再生に特に効果的である。すなわち、スチレンモ
ノマーの精製における副生物のフェニルアセチレン水添
反応、ベンゼンの水素化反応、フェノールよりシクロヘ
キサノールを合成する水素化反応、イソオクテンよりイ
ソオクタンを製造する水素化反応、石油系オレフィン中
のアセチレンを水素添加し除去する反応などである。
度１０〜１５０ｍｍ／ｍｉｎで吹き込みながら、活性の
低下した粒状触媒を液体炭化水素で洗浄する触媒再生方
法である。本発明で用いられる触媒の種類は特に限定さ
れるものではないが、以下の製造分野で使用される水添
触媒の再生に特に効果的である。すなわち、スチレンモ
ノマーの精製における副生物のフェニルアセチレン水添
反応、ベンゼンの水素化反応、フェノールよりシクロヘ
キサノールを合成する水素化反応、イソオクテンよりイ
ソオクタンを製造する水素化反応、石油系オレフィン中
のアセチレンを水素添加し除去する反応などである。
【０００８】本発明で「活性の低下した」とは、例え
ば、炭素分や炭化水素重合物質が触媒表面に沈着するこ
とによって、触媒の活性表面積が減少し、触媒本来の活
性能力よりも活性が低下した状態を指す。本発明でいう
触媒とは、担体に金属を担持した多孔性のものである。
ここで言う担体は特に限定されるものではないが、粒状
酸化アルミニウム、シリカ、シリカアルミナ、活性炭が
望ましい。
ば、炭素分や炭化水素重合物質が触媒表面に沈着するこ
とによって、触媒の活性表面積が減少し、触媒本来の活
性能力よりも活性が低下した状態を指す。本発明でいう
触媒とは、担体に金属を担持した多孔性のものである。
ここで言う担体は特に限定されるものではないが、粒状
酸化アルミニウム、シリカ、シリカアルミナ、活性炭が
望ましい。
【０００９】また、ここで言う触媒金属としては、ニッ
ケル、コバルト、鉄、銅、白金、パラジウム、ロジウ
ム、ルテニウム、イリジウム、レニウム、硫化物などが
挙げられる。本発明は特にこれらに限定されるものでは
ないが、パラジウムが特に好ましい。触媒の平均粒径は
本発明を特に限定するものではないが、１〜20mmが一般
的である。触媒形状は円柱ペレット状のものでも球形で
もまたタブレット状であってもかまわない。
ケル、コバルト、鉄、銅、白金、パラジウム、ロジウ
ム、ルテニウム、イリジウム、レニウム、硫化物などが
挙げられる。本発明は特にこれらに限定されるものでは
ないが、パラジウムが特に好ましい。触媒の平均粒径は
本発明を特に限定するものではないが、１〜20mmが一般
的である。触媒形状は円柱ペレット状のものでも球形で
もまたタブレット状であってもかまわない。
【００１０】触媒中に含有されている触媒金属の量に制
限はないが、好ましくは0.01〜３重量％、更に好ましく
は0.01〜0.5重量％である。触媒の形態は上記担体の表
面に金属を含浸したものである。再生洗浄時の温度及び
圧力は、好ましくは温度20℃から90℃、圧力0kg/cm2Gか
ら2kg/cm2Gであり、更に好ましくは温度40℃〜80℃、圧
力0kg/cm2Gから1.5kg/cm 2Gであるが、特にこれらに限定
されるものではなくこの他の条件下でも相応の洗浄再生
効果は得られる。
限はないが、好ましくは0.01〜３重量％、更に好ましく
は0.01〜0.5重量％である。触媒の形態は上記担体の表
面に金属を含浸したものである。再生洗浄時の温度及び
圧力は、好ましくは温度20℃から90℃、圧力0kg/cm2Gか
ら2kg/cm2Gであり、更に好ましくは温度40℃〜80℃、圧
力0kg/cm2Gから1.5kg/cm 2Gであるが、特にこれらに限定
されるものではなくこの他の条件下でも相応の洗浄再生
効果は得られる。
【００１１】本発明で言うガス状物質とは、上記温度、
圧力条件下で気体であるものであれば特に限定されない
が、例えば、窒素、酸素、水素、塩素、オゾン、一酸化
炭素、二酸化酸素、及びこれらの２種またはそれ以上の
混合物が挙げられる。中でも、触媒、液体炭化水素との
反応性が低いことから、窒素が好ましい。本発明では、
該ガス状物質を吹き込むことにより、触媒と接している
界面の液体炭化水素が更新されやすくなり、常に強い洗
浄効果が維持される。その結果、触媒表面の沈着物が効
果的に除去されて、触媒のより完全な再生が可能とな
る。
圧力条件下で気体であるものであれば特に限定されない
が、例えば、窒素、酸素、水素、塩素、オゾン、一酸化
炭素、二酸化酸素、及びこれらの２種またはそれ以上の
混合物が挙げられる。中でも、触媒、液体炭化水素との
反応性が低いことから、窒素が好ましい。本発明では、
該ガス状物質を吹き込むことにより、触媒と接している
界面の液体炭化水素が更新されやすくなり、常に強い洗
浄効果が維持される。その結果、触媒表面の沈着物が効
果的に除去されて、触媒のより完全な再生が可能とな
る。
【００１２】本発明で触媒再生時に吹き込まれるガス状
物質の流量が小さすぎると、十分な洗浄効果を得ること
ができず、逆に流量が大きすぎると、触媒層を撹拌し触
媒表面に担持された金属を剥離し触媒劣化を加速する。
従ってガス状物質の吹き込み量は最適化されなければな
らない。すなわち、本発明における触媒再生時に触媒層
に吹き込まれるガス状物質の容器内の平均線速度は、10
〜150(mm/min)であり、好ましくは30〜50(mm/min)であ
る。この範囲でガス状物質を反応器下部すなわち触媒層
下部より吹き込むことにより触媒表面から金属を剥離せ
ず、触媒表面の沈着物を効果的に除去することができ
る。
物質の流量が小さすぎると、十分な洗浄効果を得ること
ができず、逆に流量が大きすぎると、触媒層を撹拌し触
媒表面に担持された金属を剥離し触媒劣化を加速する。
従ってガス状物質の吹き込み量は最適化されなければな
らない。すなわち、本発明における触媒再生時に触媒層
に吹き込まれるガス状物質の容器内の平均線速度は、10
〜150(mm/min)であり、好ましくは30〜50(mm/min)であ
る。この範囲でガス状物質を反応器下部すなわち触媒層
下部より吹き込むことにより触媒表面から金属を剥離せ
ず、触媒表面の沈着物を効果的に除去することができ
る。
【００１３】ここで反応器の大きさは特に限定されない
が、触媒充填量が、0.5m3 〜20m3の反応器が一般的であ
る。ガス状物質は、均一に分散して供給した方が効果的
に触媒表面の沈着物を除去することができるため、スパ
ージャーなどで均一な分散供給をすることが望ましい。
スパージャーの穴径は本発明を特に限定するものではな
いが、触媒がスパージャー中に入らない程度の大きさ
で、0.1〜20mmが一般的である。
が、触媒充填量が、0.5m3 〜20m3の反応器が一般的であ
る。ガス状物質は、均一に分散して供給した方が効果的
に触媒表面の沈着物を除去することができるため、スパ
ージャーなどで均一な分散供給をすることが望ましい。
スパージャーの穴径は本発明を特に限定するものではな
いが、触媒がスパージャー中に入らない程度の大きさ
で、0.1〜20mmが一般的である。
【００１４】更にフィード時のガス状物質の気泡径は、
充填される触媒径と充填密度、スパージャー穴径に密接
に関連があるが、上記温度、圧力、触媒径条件下では、
0.01〜20mmである。洗浄に用いる液体炭化水素は、本発
明を特に限定するものではないが、上記温度圧力条件下
で液体である芳香族炭化水素誘導体や脂肪族炭化水素な
どが好ましい。
充填される触媒径と充填密度、スパージャー穴径に密接
に関連があるが、上記温度、圧力、触媒径条件下では、
0.01〜20mmである。洗浄に用いる液体炭化水素は、本発
明を特に限定するものではないが、上記温度圧力条件下
で液体である芳香族炭化水素誘導体や脂肪族炭化水素な
どが好ましい。
【００１５】これらの例としてベンゼン、エチルベンゼ
ン、スチレンモノマー、トルエン、キシレン、ジエチル
ベンゼン、メタノール、エタノール、アセトンメチルエ
チルケトン等の炭化水素もしくはこれらの組み合わせが
挙げられるが、通常、これらの中から、触媒を使用する
プロセスで用いられる液体が選択される。例えば、粗ス
チレンモノマーの精製工程で使用する触媒を再生処理す
る場合は、液体炭化水素として、スチレンモノマーやエ
チルベンゼンを用いることが好ましい。
ン、スチレンモノマー、トルエン、キシレン、ジエチル
ベンゼン、メタノール、エタノール、アセトンメチルエ
チルケトン等の炭化水素もしくはこれらの組み合わせが
挙げられるが、通常、これらの中から、触媒を使用する
プロセスで用いられる液体が選択される。例えば、粗ス
チレンモノマーの精製工程で使用する触媒を再生処理す
る場合は、液体炭化水素として、スチレンモノマーやエ
チルベンゼンを用いることが好ましい。
【００１６】また、液体炭化水素の供給量は、触媒が充
分浸漬される量が必要であり、通常、バッチ操作で再生
を行う場合は、触媒体積の１〜５倍、好ましくは１〜２
倍の液体炭化水素を供給する。本発明の好ましい実施態
様によれば、触媒表面の沈着物が増加し、触媒活性表面
積が減少することにより触媒再生の必要が生じた場合、
触媒を反応器の中に充填したまま反応器内に残留してい
るプロセス流体を抜き出す。ついでこの反応器の中に洗
浄液である液体炭化水素を反応器内の触媒が十分浸漬さ
れる程度まで導入する。その後反応器の底部すなわち触
媒層の下部の空間部分にガス状物質を吹き込み、１〜４
時間この状態を継続し、ガス状物質気泡を上昇させる。
該時間経過後反応器中の液体炭化水素を抜き出し、再び
フレッシュな液体炭化水素を導入し、同様にガス状物質
を吹き込む。一般にこの操作の繰り返し回数が多けれ
ば、それだけ触媒表面上の沈着物の除去割合が高まる
が、１〜５回、望ましくは３回程度で所望の効果を得る
には十分である。
分浸漬される量が必要であり、通常、バッチ操作で再生
を行う場合は、触媒体積の１〜５倍、好ましくは１〜２
倍の液体炭化水素を供給する。本発明の好ましい実施態
様によれば、触媒表面の沈着物が増加し、触媒活性表面
積が減少することにより触媒再生の必要が生じた場合、
触媒を反応器の中に充填したまま反応器内に残留してい
るプロセス流体を抜き出す。ついでこの反応器の中に洗
浄液である液体炭化水素を反応器内の触媒が十分浸漬さ
れる程度まで導入する。その後反応器の底部すなわち触
媒層の下部の空間部分にガス状物質を吹き込み、１〜４
時間この状態を継続し、ガス状物質気泡を上昇させる。
該時間経過後反応器中の液体炭化水素を抜き出し、再び
フレッシュな液体炭化水素を導入し、同様にガス状物質
を吹き込む。一般にこの操作の繰り返し回数が多けれ
ば、それだけ触媒表面上の沈着物の除去割合が高まる
が、１〜５回、望ましくは３回程度で所望の効果を得る
には十分である。
【００１７】また液体炭化水素は上記のようにバッチ処
理してもよいが、場合によっては連続流通で供給しても
よい。このときの所要時間はバッチ処理と同じく１〜４
時間程度である。
理してもよいが、場合によっては連続流通で供給しても
よい。このときの所要時間はバッチ処理と同じく１〜４
時間程度である。
【００１８】
【実施例】以下実施例をあげて本発明を具体的に説明す
る。
る。
【００１９】
【実施例１】本実施例にて引用されるスチレンモノマー
の製造工程においては、エチルベンゼンを脱水素反応器
により脱水素し、粗スチレンモノマーを得た後、精製工
程にて処理されるが、精製工程に送られる前に本発明に
記載された触媒反応器に通液し粗スチレンモノマー中の
不純物であるところのフェニルアセチレン（以下PA）を
除去している。この粗スチレンモノマーの組成はガスク
ロマトグラフィー測定によると、スチレンモノマー65重
量％、エチルベンゼン34重量％、トルエン1重量％、PA
はこの中に32ppmであった。また、ここで使用された触
媒は、平均粒径２〜４mmの粒状酸化アルミニウムにパラ
ジウムを0.2wt%含浸させたものである。
の製造工程においては、エチルベンゼンを脱水素反応器
により脱水素し、粗スチレンモノマーを得た後、精製工
程にて処理されるが、精製工程に送られる前に本発明に
記載された触媒反応器に通液し粗スチレンモノマー中の
不純物であるところのフェニルアセチレン（以下PA）を
除去している。この粗スチレンモノマーの組成はガスク
ロマトグラフィー測定によると、スチレンモノマー65重
量％、エチルベンゼン34重量％、トルエン1重量％、PA
はこの中に32ppmであった。また、ここで使用された触
媒は、平均粒径２〜４mmの粒状酸化アルミニウムにパラ
ジウムを0.2wt%含浸させたものである。
【００２０】ここで触媒層での粗スチレンの平均滞留時
間は180 秒であった。尚、以下の実施例、比較例では全
てこの滞留時間である。反応器内の下部には触媒を通さ
ない程度の目開きの金網を設置し、その上に触媒を積み
上げる。粗スチレンは反応器下部から導入され、触媒層
を通過した後、反応器上部からでていく。
間は180 秒であった。尚、以下の実施例、比較例では全
てこの滞留時間である。反応器内の下部には触媒を通さ
ない程度の目開きの金網を設置し、その上に触媒を積み
上げる。粗スチレンは反応器下部から導入され、触媒層
を通過した後、反応器上部からでていく。
【００２１】触媒表面に炭素分や炭化水素重合物質が付
着し、活性表面積が減少することにより触媒再生の必要
が生じた時、以下の処理を行った。すなわち反応器の中
に残留している粗スチレンを反応器下部から抜き出す。
中の液が十分に排出された時点で今度はエチルベンゼン
を反応器内の触媒が浸漬する程度まで導入し、十分に液
で満たされた時点で、今度は反応器下部から窒素ガスを
吹き込む。窒素ガスは反応器下部の金網の上に固定され
たガススパージャー（孔径1.5mm孔数16個）を通じて連
続的に吹き込まれる。このとき窒素ガスの触媒層中の平
均線速度は40mm/minであり、所要時間は２時間であっ
た。また反応器内の温度は60℃、圧力は1.0kgG/cm2であ
った。
着し、活性表面積が減少することにより触媒再生の必要
が生じた時、以下の処理を行った。すなわち反応器の中
に残留している粗スチレンを反応器下部から抜き出す。
中の液が十分に排出された時点で今度はエチルベンゼン
を反応器内の触媒が浸漬する程度まで導入し、十分に液
で満たされた時点で、今度は反応器下部から窒素ガスを
吹き込む。窒素ガスは反応器下部の金網の上に固定され
たガススパージャー（孔径1.5mm孔数16個）を通じて連
続的に吹き込まれる。このとき窒素ガスの触媒層中の平
均線速度は40mm/minであり、所要時間は２時間であっ
た。また反応器内の温度は60℃、圧力は1.0kgG/cm2であ
った。
【００２２】このような再生処理を一回行った後、更に
再びこの触媒の充填された反応器に粗スチレンを通液し
て処理前後でPA転化率を比較すると表１のようになっ
た。また、合わせて触媒活性表面積をBET活性表面積測
定方法により求め、表１に記載した。
再びこの触媒の充填された反応器に粗スチレンを通液し
て処理前後でPA転化率を比較すると表１のようになっ
た。また、合わせて触媒活性表面積をBET活性表面積測
定方法により求め、表１に記載した。
【００２３】
【実施例２】本実施例にて引用されるスチレンモノマー
の製造工程においては、エチルベンゼンを脱水素反応器
により脱水素し粗スチレンモノマーを得た後、精製工程
にて処理されるが、精製工程に送られる前に本発明に記
載された触媒反応器に通液し粗スチレンモノマー中の不
純物であるところのPAを除去している。この粗スチレン
モノマーの組成は、ガスクロマトグラフィー測定による
とスチレンモノマー40重量％、エチルベンゼン58重量
％、トルエン2 重量％、PAはこの中に40ppm であった。
またここで使用された触媒は平均粒径3 〜5 mmの粒状酸
化アルミニウムにパラジウムを0.3wt%含浸させたもので
ある。
の製造工程においては、エチルベンゼンを脱水素反応器
により脱水素し粗スチレンモノマーを得た後、精製工程
にて処理されるが、精製工程に送られる前に本発明に記
載された触媒反応器に通液し粗スチレンモノマー中の不
純物であるところのPAを除去している。この粗スチレン
モノマーの組成は、ガスクロマトグラフィー測定による
とスチレンモノマー40重量％、エチルベンゼン58重量
％、トルエン2 重量％、PAはこの中に40ppm であった。
またここで使用された触媒は平均粒径3 〜5 mmの粒状酸
化アルミニウムにパラジウムを0.3wt%含浸させたもので
ある。
【００２４】反応器内の下部には触媒を通さない程度の
目開きの金網を設置し、その上に触媒を積み上げる。粗
スチレンは反応器下部から導入され、触媒層を通過した
後、反応器上部からでていく。触媒表面に炭素分や炭化
水素重合物質が付着し、活性表面積が減少することによ
り触媒再生の必要が生じた時、以下の処理を行った。す
なわち反応器の中に残留している粗スチレンを反応器下
部から抜き出す。中の液が十分に排出された時点で今度
はエチルベンゼンを反応器内の触媒が浸漬する程度まで
導入し、十分に液で満たされた時点で、今度は反応器下
部から窒素ガスを吹き込む。窒素ガスは反応器下部の金
網の上に固定されたガススパージャー（孔径1.5mm孔数1
6個）を通じて連続的に吹き込まれる。このとき窒素ガ
スの触媒層中の平均線速度は50mm/minであり、所要時間
は２時間であった。また反応器内の温度は50℃、圧力は
1.1kgG/cm2であった。
目開きの金網を設置し、その上に触媒を積み上げる。粗
スチレンは反応器下部から導入され、触媒層を通過した
後、反応器上部からでていく。触媒表面に炭素分や炭化
水素重合物質が付着し、活性表面積が減少することによ
り触媒再生の必要が生じた時、以下の処理を行った。す
なわち反応器の中に残留している粗スチレンを反応器下
部から抜き出す。中の液が十分に排出された時点で今度
はエチルベンゼンを反応器内の触媒が浸漬する程度まで
導入し、十分に液で満たされた時点で、今度は反応器下
部から窒素ガスを吹き込む。窒素ガスは反応器下部の金
網の上に固定されたガススパージャー（孔径1.5mm孔数1
6個）を通じて連続的に吹き込まれる。このとき窒素ガ
スの触媒層中の平均線速度は50mm/minであり、所要時間
は２時間であった。また反応器内の温度は50℃、圧力は
1.1kgG/cm2であった。
【００２５】このような再生処理を一回行った後、更に
再びこの触媒の充填された反応器に粗スチレンを通液し
て処理前後のPA転化率を比較すると表１のようになっ
た。また、合わせて触媒活性表面積をBET 活性表面積測
定方法により求め、表１に記載した。
再びこの触媒の充填された反応器に粗スチレンを通液し
て処理前後のPA転化率を比較すると表１のようになっ
た。また、合わせて触媒活性表面積をBET 活性表面積測
定方法により求め、表１に記載した。
【００２６】
【実施例３】本実施例にて引用されるスチレンモノマー
の製造工程においては、エチルベンゼンを脱水素反応器
により脱水素し、粗スチレンモノマーを得た後、精製工
程にて処理されるが、精製工程に送られる前に本発明に
記載された触媒反応器に通液し、粗スチレンモノマー中
の不純物であるところのPAを除去している。この粗スチ
レンモノマーの組成は、ガスクロマトグラフィー測定に
よるとスチレンモノマー34重量％、エチルベンゼン61重
量％、トルエン5 重量％、PAはこの中に35ppmであっ
た。またここで使用された触媒は平均粒径1 〜3 mmの粒
状酸化アルミニウムにパラジウムを0.4wt%含浸させたも
のである。
の製造工程においては、エチルベンゼンを脱水素反応器
により脱水素し、粗スチレンモノマーを得た後、精製工
程にて処理されるが、精製工程に送られる前に本発明に
記載された触媒反応器に通液し、粗スチレンモノマー中
の不純物であるところのPAを除去している。この粗スチ
レンモノマーの組成は、ガスクロマトグラフィー測定に
よるとスチレンモノマー34重量％、エチルベンゼン61重
量％、トルエン5 重量％、PAはこの中に35ppmであっ
た。またここで使用された触媒は平均粒径1 〜3 mmの粒
状酸化アルミニウムにパラジウムを0.4wt%含浸させたも
のである。
【００２７】反応器内の下部には触媒を通さない程度の
目開きの金網を設置し、その上に触媒を積み上げる。粗
スチレンは反応器下部から導入され、触媒層を通過した
後、反応器上部からでていく。触媒表面に炭素分や炭化
水素重合物質が付着し、活性表面積が減少することによ
り触媒再生の必要が生じた時、以下の処理を行った。す
なわち反応器の中に残留している粗スチレンを反応器下
部から抜き出す。中の液が十分に排出された時点で今度
はエチルベンゼンを反応器内の触媒が浸漬する程度まで
導入し、十分に液で満たされた時点で、今度は反応器下
部から窒素ガスを吹き込む。窒素ガスは反応器下部の金
網の上に固定されたガススパージャー（孔径1.5mm 孔数
16個）を通じて連続的に吹き込まれる。このとき窒素ガ
スの触媒層中の平均線速度は50mm/minであり、所要時間
は4 時間であった。また反応器内の温度は44℃、圧力は
0.5kgG/cm2であった。
目開きの金網を設置し、その上に触媒を積み上げる。粗
スチレンは反応器下部から導入され、触媒層を通過した
後、反応器上部からでていく。触媒表面に炭素分や炭化
水素重合物質が付着し、活性表面積が減少することによ
り触媒再生の必要が生じた時、以下の処理を行った。す
なわち反応器の中に残留している粗スチレンを反応器下
部から抜き出す。中の液が十分に排出された時点で今度
はエチルベンゼンを反応器内の触媒が浸漬する程度まで
導入し、十分に液で満たされた時点で、今度は反応器下
部から窒素ガスを吹き込む。窒素ガスは反応器下部の金
網の上に固定されたガススパージャー（孔径1.5mm 孔数
16個）を通じて連続的に吹き込まれる。このとき窒素ガ
スの触媒層中の平均線速度は50mm/minであり、所要時間
は4 時間であった。また反応器内の温度は44℃、圧力は
0.5kgG/cm2であった。
【００２８】このような再生処理を一回行った後、更に
再びこの触媒の充填された反応器に粗スチレンを通液し
て処理前後のPA転化率を比較すると表１のようになっ
た。また合わせて触媒活性表面積をBET 活性表面積測定
方法により求め、表１に記載した。
再びこの触媒の充填された反応器に粗スチレンを通液し
て処理前後のPA転化率を比較すると表１のようになっ
た。また合わせて触媒活性表面積をBET 活性表面積測定
方法により求め、表１に記載した。
【００２９】
【実施例４】本実施例にて引用されるスチレンモノマー
の製造工程においては、エチルベンゼンを脱水素反応器
により脱水素し、粗スチレンモノマーを得た後、精製工
程にて処理されるが、精製工程に送られる前に本発明に
記載された触媒反応器に通液し、粗スチレンモノマー中
の不純物であるところのPAを除去している。この粗スチ
レンモノマーの組成はガスクロマトグラフィー測定によ
るとスチレンモノマー56重量％、エチルベンゼン42.5重
量％、トルエン1.5 重量％、PAはこの中に25ppm であっ
た。またここで使用された触媒は平均粒径2 〜4 mmの粒
状酸化アルミニウムにパラジウムを0.1wt%含浸させたも
のである。
の製造工程においては、エチルベンゼンを脱水素反応器
により脱水素し、粗スチレンモノマーを得た後、精製工
程にて処理されるが、精製工程に送られる前に本発明に
記載された触媒反応器に通液し、粗スチレンモノマー中
の不純物であるところのPAを除去している。この粗スチ
レンモノマーの組成はガスクロマトグラフィー測定によ
るとスチレンモノマー56重量％、エチルベンゼン42.5重
量％、トルエン1.5 重量％、PAはこの中に25ppm であっ
た。またここで使用された触媒は平均粒径2 〜4 mmの粒
状酸化アルミニウムにパラジウムを0.1wt%含浸させたも
のである。
【００３０】反応器内の下部には触媒を通さない程度の
目開きの金網を設置しその上に触媒を積み上げる、粗ス
チレンは反応器下部から導入され触媒層を通過した後反
応器上部からでていく。触媒表面に炭素分や炭化水素重
合物質が付着し活性表面積が減少することにより触媒再
生の必要が生じた時、以下の処理を行った。すなわち反
応器の中に残留している粗スチレンを反応器下部から抜
き出す。中の液が十分に排出された時点で今度はエチル
ベンゼンを反応器内の触媒が浸漬する程度まで導入し十
分に液で満たされた時点で今度は反応器下部から窒素ガ
スを吹き込む。窒素ガスは反応器下部の金網の上に固定
されたガススパージャー（孔径1.5mm 孔数16個）を通じ
て連続的に吹き込まれる。このとき窒素ガスの触媒層中
の平均線速度は30mm/minであり所要時間は1 時間であっ
た。また反応器内の温度は80℃、圧力は1.5kgG/cm2であ
った。
目開きの金網を設置しその上に触媒を積み上げる、粗ス
チレンは反応器下部から導入され触媒層を通過した後反
応器上部からでていく。触媒表面に炭素分や炭化水素重
合物質が付着し活性表面積が減少することにより触媒再
生の必要が生じた時、以下の処理を行った。すなわち反
応器の中に残留している粗スチレンを反応器下部から抜
き出す。中の液が十分に排出された時点で今度はエチル
ベンゼンを反応器内の触媒が浸漬する程度まで導入し十
分に液で満たされた時点で今度は反応器下部から窒素ガ
スを吹き込む。窒素ガスは反応器下部の金網の上に固定
されたガススパージャー（孔径1.5mm 孔数16個）を通じ
て連続的に吹き込まれる。このとき窒素ガスの触媒層中
の平均線速度は30mm/minであり所要時間は1 時間であっ
た。また反応器内の温度は80℃、圧力は1.5kgG/cm2であ
った。
【００３１】このような再生処理を一回行った後、更に
再びこの触媒の充填された反応器に粗スチレンを通液し
て処理前後のPA転化率を比較すると表１のようになっ
た。また合わせて触媒活性表面積の比較を表１に記載し
てある。
再びこの触媒の充填された反応器に粗スチレンを通液し
て処理前後のPA転化率を比較すると表１のようになっ
た。また合わせて触媒活性表面積の比較を表１に記載し
てある。
【００３２】
【比較例１】実施例１で窒素のフィードを行わず、エチ
ルベンゼンを触媒が充填された反応器内に満たし２時間
静置する操作を行う他は全て実施例１と同様な条件で操
作した。
ルベンゼンを触媒が充填された反応器内に満たし２時間
静置する操作を行う他は全て実施例１と同様な条件で操
作した。
【００３３】
【比較例２】実施例１で窒素の平均流速が5mm/min、反
応器内の温度は62℃、圧力は0.9kgG/cm2である他は全て
実施例１と同様な条件で操作した。
応器内の温度は62℃、圧力は0.9kgG/cm2である他は全て
実施例１と同様な条件で操作した。
【００３４】
【比較例３】実施例１で窒素の平均流速が160mm/min、
反応器内の温度は57℃、圧力は1.2kgG/cm2、触媒中Pd含
有量が0.1wt%である他は全て実施例１と同様な条件で操
作した。
反応器内の温度は57℃、圧力は1.2kgG/cm2、触媒中Pd含
有量が0.1wt%である他は全て実施例１と同様な条件で操
作した。
【００３５】
【比較例４】実施例１で窒素の平均流速が200mm/min、
反応器内の温度は67℃、圧力は1.1kgG/cm2、触媒中Pd含
有量が0.4wt%である他は全て実施例１と同様な条件で操
作した。
反応器内の温度は67℃、圧力は1.1kgG/cm2、触媒中Pd含
有量が0.4wt%である他は全て実施例１と同様な条件で操
作した。
【００３６】
【参考例１】Pd触媒0.2wt%含有の新触媒2m3を用い、反
応器内の温度は60℃、圧力は1.0kgG/cm2の条件下で実施
例１に記載の組成の粗スチレンを使用し、触媒反応器前
後の粗スチレン中のPA濃度を測定した。また合わせて使
用前の触媒活性表面積を測定した。
応器内の温度は60℃、圧力は1.0kgG/cm2の条件下で実施
例１に記載の組成の粗スチレンを使用し、触媒反応器前
後の粗スチレン中のPA濃度を測定した。また合わせて使
用前の触媒活性表面積を測定した。
【００３７】
【表１】
【００３８】
【発明の効果】本発明の触媒再生方法により、触媒表面
の沈着物をより効果的に除去し、触媒活性表面積が低下
して活性が低下した触媒を、触媒本来の活性に近い点ま
で再生することができる。
の沈着物をより効果的に除去し、触媒活性表面積が低下
して活性が低下した触媒を、触媒本来の活性に近い点ま
で再生することができる。
Claims (3)
- 【請求項１】 ガス状物質を平均線速度１０〜１５０ｍ
ｍ／ｍｉｎで吹き込みながら、活性の低下した粒状触媒
を液体炭化水素で洗浄する触媒再生方法。 - 【請求項２】 ガス状物質を反応器下部から吹き込むこ
とを特徴とする請求項１記載の触媒再生方法。 - 【請求項３】 温度２０〜９０℃、圧力０〜２．０kg/c
m2Ｇの条件下で液体炭化水素による洗浄を行うことを特
徴とする請求項１または請求項２記載の触媒再生方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6122168A JPH07328455A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 触媒再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6122168A JPH07328455A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 触媒再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07328455A true JPH07328455A (ja) | 1995-12-19 |
Family
ID=14829268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6122168A Withdrawn JPH07328455A (ja) | 1994-06-03 | 1994-06-03 | 触媒再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07328455A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001079411A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-03-27 | Asahi Kasei Corp | 還元糖の水素添加触媒の再生方法 |
| JP2011256150A (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-22 | Taoka Chem Co Ltd | ９−フルオレノン類の製造方法 |
| KR101390449B1 (ko) * | 2010-04-30 | 2014-04-30 | 아사히 가세이 케미칼즈 가부시키가이샤 | 촉매 표면체 제거 장치 |
-
1994
- 1994-06-03 JP JP6122168A patent/JPH07328455A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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