JPH0733290B2 - 窒化珪素焼結体およびその製造法 - Google Patents
窒化珪素焼結体およびその製造法Info
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- JPH0733290B2 JPH0733290B2 JP2330599A JP33059990A JPH0733290B2 JP H0733290 B2 JPH0733290 B2 JP H0733290B2 JP 2330599 A JP2330599 A JP 2330599A JP 33059990 A JP33059990 A JP 33059990A JP H0733290 B2 JPH0733290 B2 JP H0733290B2
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- Ceramic Products (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は高温で高強度な窒化珪素焼結体およびその製造
法に関するものである。
法に関するものである。
（従来の技術） 従来、希土類酸化物を含むIIIa系元素の酸化物を添加し
た窒化珪素焼結体として、例えば特公昭48−7486号公報
において、Si3N485モル％以上とIIIa系元素の酸化物か
ら選ばれた少なくとも１種15モル％以下とを混合、成形
し非酸化性雰囲気中で焼結する焼結体の製造方法が、ま
た特公昭49−21091号公報においてSi3N4が少なくとも50
wt％、Y2O3またはLa系元素の酸化物から選ばれる少なく
とも１種50wt％以下、およびAl2O30.01〜20wt％からな
る窒化珪素焼結体がそれぞれ開示されている。
た窒化珪素焼結体として、例えば特公昭48−7486号公報
において、Si3N485モル％以上とIIIa系元素の酸化物か
ら選ばれた少なくとも１種15モル％以下とを混合、成形
し非酸化性雰囲気中で焼結する焼結体の製造方法が、ま
た特公昭49−21091号公報においてSi3N4が少なくとも50
wt％、Y2O3またはLa系元素の酸化物から選ばれる少なく
とも１種50wt％以下、およびAl2O30.01〜20wt％からな
る窒化珪素焼結体がそれぞれ開示されている。
しかしながら、単に希土類元素を窒化珪素に添加するだ
けでは高温高強度を有する焼結体は得られないととも
に、Al2O3添加では緻密化は促進されるが粒界相は軟化
点が低く高温強度が著しく低下する問題があった。
けでは高温高強度を有する焼結体は得られないととも
に、Al2O3添加では緻密化は促進されるが粒界相は軟化
点が低く高温強度が著しく低下する問題があった。
この高温強度の問題を解決するため、本出願人は、特開
昭63−100067号公報において、所定組成で所定量比の希
土類元素をSi3N4粉末に添加し、焼結体の結晶相を特定
して高温高強度を達成する技術を開示している。
昭63−100067号公報において、所定組成で所定量比の希
土類元素をSi3N4粉末に添加し、焼結体の結晶相を特定
して高温高強度を達成する技術を開示している。
（発明が解決しようとする課題） 特開昭63−100067号公報に開示された窒化珪素焼結体
は、ある程度高温で高強度を達成できるが常温強度より
低下する問題があった。これは、粒界の結晶化を行って
も、上記組成では若干量のガラス相が残るためと考えら
れている。この点に関して、ガラス相の残留を少なくす
るため、窒化珪素原料中に含まれる全酸素量をSiO2量に
換算したとき、SiO2に対する添加希土類酸化物の量比を
大きくしてガラス相の残留しにくい組成とする方法が考
えられるが、この方法では緻密化が困難な問題があっ
た。
は、ある程度高温で高強度を達成できるが常温強度より
低下する問題があった。これは、粒界の結晶化を行って
も、上記組成では若干量のガラス相が残るためと考えら
れている。この点に関して、ガラス相の残留を少なくす
るため、窒化珪素原料中に含まれる全酸素量をSiO2量に
換算したとき、SiO2に対する添加希土類酸化物の量比を
大きくしてガラス相の残留しにくい組成とする方法が考
えられるが、この方法では緻密化が困難な問題があっ
た。
本発明の目的は上述した課題を解消して、室温から高温
まで高強度を得ることができる窒化珪素焼結体およびそ
の製造法を提供しようとするものである。
まで高強度を得ることができる窒化珪素焼結体およびそ
の製造法を提供しようとするものである。
（課題を解決するための手段） 本発明の窒化珪素焼結体は、少なくともＹおよび／また
はYbを含む希土類元素化合物2.7〜10モル％と残部Si3N4
からなる調合物に対し、外配量で0.5〜11wt％のSiCと外
配量で0.5〜3wt％のＷ化合物および／またはMo化合物と
を添加してなる焼結体であって、該焼結体のSi3N4粒子
の粒界相が結晶相よりなることを特徴とするものであ
る。
はYbを含む希土類元素化合物2.7〜10モル％と残部Si3N4
からなる調合物に対し、外配量で0.5〜11wt％のSiCと外
配量で0.5〜3wt％のＷ化合物および／またはMo化合物と
を添加してなる焼結体であって、該焼結体のSi3N4粒子
の粒界相が結晶相よりなることを特徴とするものであ
る。
また、本発明の窒化珪素焼結体の製造法は、少なくとも
Ｙおよび／またはYbを含む希土類元素化合物粉末2.7〜1
0モル％と残部Si3N4粉末からなる調合物に対し、外配量
で0.5〜11wt％のSiC粉末と外配量0.5〜3wt％のＷ化合物
および／またはMo化合物粉末とを添加してなる原料を混
合し成形して成形体を得た後、成形体をN2雰囲気下で焼
成し、Si3N4粒子の粒界相を結晶化することを特徴とす
るものである。
Ｙおよび／またはYbを含む希土類元素化合物粉末2.7〜1
0モル％と残部Si3N4粉末からなる調合物に対し、外配量
で0.5〜11wt％のSiC粉末と外配量0.5〜3wt％のＷ化合物
および／またはMo化合物粉末とを添加してなる原料を混
合し成形して成形体を得た後、成形体をN2雰囲気下で焼
成し、Si3N4粒子の粒界相を結晶化することを特徴とす
るものである。
（作用） 上述した構成において、所定の希土類元素化合物例えば
希土類酸化物を含有するSi3N4粉末中に、SiCとＷ化合物
例えばWCおよび／またはMo化合物例えばMo2Cを添加して
N2雰囲気下で焼成して結晶化することにより、Si3N4粒
子の粒界相を結晶相とした焼結体が得られ、この窒化珪
素焼結体が室温から高温まで高強度を達成できることを
見出した。
希土類酸化物を含有するSi3N4粉末中に、SiCとＷ化合物
例えばWCおよび／またはMo化合物例えばMo2Cを添加して
N2雰囲気下で焼成して結晶化することにより、Si3N4粒
子の粒界相を結晶相とした焼結体が得られ、この窒化珪
素焼結体が室温から高温まで高強度を達成できることを
見出した。
すなわち、Ｗ化合物および／またはMo化合物の添加は希
土類元素化合物と共に作用して焼結体の緻密化を促進
し、主に室温強度増大に効果があるとともに、SiCの添
加は焼結体の緻密化および粒界の結晶化を促進し、主に
高温強度増大に効果があり、Ｗ化合物および／またはMo
化合物の添加とSiCの添加の相剰効果により、室温から
高温まで高強度の窒化珪素焼結体を得ることができる。
土類元素化合物と共に作用して焼結体の緻密化を促進
し、主に室温強度増大に効果があるとともに、SiCの添
加は焼結体の緻密化および粒界の結晶化を促進し、主に
高温強度増大に効果があり、Ｗ化合物および／またはMo
化合物の添加とSiCの添加の相剰効果により、室温から
高温まで高強度の窒化珪素焼結体を得ることができる。
また、Ｗ化合物やMo化合物の添加は、Si3N4焼結体にあ
りがちな希土類元素特有の着色を低減する効果がある。
さらに、希土類元素による着色は酸素を含む雰囲気にさ
らされると色が変化する場合があり好ましくないが、前
述の効果によりSi3N4焼結体は異色化していることから
色の変化が無視できる効果がある。さらに、Ｗ化合物,M
o化合物の添加はSiCの添加との相乗効果により肉厚品で
あっても焼結体の色ムラを低減するという効果もある。
りがちな希土類元素特有の着色を低減する効果がある。
さらに、希土類元素による着色は酸素を含む雰囲気にさ
らされると色が変化する場合があり好ましくないが、前
述の効果によりSi3N4焼結体は異色化していることから
色の変化が無視できる効果がある。さらに、Ｗ化合物,M
o化合物の添加はSiCの添加との相乗効果により肉厚品で
あっても焼結体の色ムラを低減するという効果もある。
希土類酸化物添加量は2.7〜10モル％とする。2.7モル％
以下では、緻密化に十分な液相が得られず、10モル％以
上では、SiC,W化合物またはMo化合物を添加しても緻密
化が困難となる。さらに好ましくは4.7〜９モル％であ
る。希土類酸化物の最適添加量は使用窒化珪素原料によ
り異なるのが普通であるが、2.7〜10モル％の範囲であ
ればよい。また、Y2O3，Yb2O3以外の希土類酸化物とし
てLu2O3，Tm2O3，Er2O3でもよい。尚、モル％は（希土
類酸化物モル量）／｛（希土類酸化物モル量）＋（Si3N
4モル量）｝と計算した。
以下では、緻密化に十分な液相が得られず、10モル％以
上では、SiC,W化合物またはMo化合物を添加しても緻密
化が困難となる。さらに好ましくは4.7〜９モル％であ
る。希土類酸化物の最適添加量は使用窒化珪素原料によ
り異なるのが普通であるが、2.7〜10モル％の範囲であ
ればよい。また、Y2O3，Yb2O3以外の希土類酸化物とし
てLu2O3，Tm2O3，Er2O3でもよい。尚、モル％は（希土
類酸化物モル量）／｛（希土類酸化物モル量）＋（Si3N
4モル量）｝と計算した。
Si3N4原料はα含有率の大きいものの方が焼結性の点か
ら好ましい。含有酸素量は１〜３重量％が望ましい。
ら好ましい。含有酸素量は１〜３重量％が望ましい。
SiCの添加量は、窒化珪素と希土類酸化物の調合物に対
し、外配量で0.5〜11重量％とする。0.5重量％以下では
十分な緻密化効果、結晶化促進効果が得られず、11重量
％以上ではSiCが緻密化を阻害してしまう。さらに好ま
しくは１〜５重量％がよい。SiCは、α型、β型あるい
は比晶質のうちの何れであってもよい。
し、外配量で0.5〜11重量％とする。0.5重量％以下では
十分な緻密化効果、結晶化促進効果が得られず、11重量
％以上ではSiCが緻密化を阻害してしまう。さらに好ま
しくは１〜５重量％がよい。SiCは、α型、β型あるい
は比晶質のうちの何れであってもよい。
Ｗ化合物およびMo化合物の添加量は、窒化珪素と希土類
酸化物の調合物に対し、外配量で0.5〜３重量％とす
る。0.5重量％以下では十分な室温強度増大の効果はな
い。さらに好ましくは１〜２重量％である。
酸化物の調合物に対し、外配量で0.5〜３重量％とす
る。0.5重量％以下では十分な室温強度増大の効果はな
い。さらに好ましくは１〜２重量％である。
本発明の製造方法は、先ず窒化珪素原料粉末と希土類酸
化物とSiCとＷ化合物および／またはMoの化合物の混合
物を調整する。次に得られた混合物を所定の形状に成形
し成形体を得る。次に得られた成形体を常圧あるいは加
圧N2雰囲気中において1700〜2100℃、好ましくは1900〜
2000℃の温度で焼成し、降温過程あるいは再熱処理によ
り結晶化させる。
化物とSiCとＷ化合物および／またはMoの化合物の混合
物を調整する。次に得られた混合物を所定の形状に成形
し成形体を得る。次に得られた成形体を常圧あるいは加
圧N2雰囲気中において1700〜2100℃、好ましくは1900〜
2000℃の温度で焼成し、降温過程あるいは再熱処理によ
り結晶化させる。
使用原料中の不純物として特に陽イオン元素Al,Fe,Mg,C
a,Na,Kは高温強度低下の原因となるので0.5重量％以下
であるのが望ましい。さらに好ましくは0.1重量％以下
である。原料の粒子径は焼結性の点で小さい方がよく２
μｍ以下であるのが望ましい。さらに好ましくは１μｍ
以下である。
a,Na,Kは高温強度低下の原因となるので0.5重量％以下
であるのが望ましい。さらに好ましくは0.1重量％以下
である。原料の粒子径は焼結性の点で小さい方がよく２
μｍ以下であるのが望ましい。さらに好ましくは１μｍ
以下である。
粒界の結晶化については、SiCが粒界結晶促進効果を有
するため1000℃までの降温速度が100℃/min以下ならば
降温過程で十分結晶化できる。これより速い降温速度の
ため、あるいはその他の原因で粒界相の結晶化が十分で
なかった場合は再熱処理により結晶化してもよい。ま
た、焼結体中の残留応力を除去する等の目的で再熱処理
を行ってもよい。再熱処理は1300℃〜1500℃で実施する
と好ましい。Ｗ化合物およびMo化合物としてはWCあるい
はMo2Cがあるが、これ以外にもＷおよびMo金属、珪化物
あるいは酸化物でもよい。
するため1000℃までの降温速度が100℃/min以下ならば
降温過程で十分結晶化できる。これより速い降温速度の
ため、あるいはその他の原因で粒界相の結晶化が十分で
なかった場合は再熱処理により結晶化してもよい。ま
た、焼結体中の残留応力を除去する等の目的で再熱処理
を行ってもよい。再熱処理は1300℃〜1500℃で実施する
と好ましい。Ｗ化合物およびMo化合物としてはWCあるい
はMo2Cがあるが、これ以外にもＷおよびMo金属、珪化物
あるいは酸化物でもよい。
また、酸化性雰囲気下、1000〜1500℃で熱処理し、焼結
体に実質的に希土類元素−Si−Ｏの化合物、SiO2からな
る表面層を形成させることにより、さらに高強度とな
る。
体に実質的に希土類元素−Si−Ｏの化合物、SiO2からな
る表面層を形成させることにより、さらに高強度とな
る。
（実施例） 以下、実際の例について説明する。
実施例１ 純度97重量％、不純物陽イオン元素Al,Fe,Mg,Ca,Na,Kの
合計が0.1重量％以下、酸素含有量2.2重量％、平均粒径
0.6μｍ、BET比表面積17m2/g,α含有率0.95の窒化珪素
原料粉末と、純度99重量％、平均粒径0.3〜2.0μｍの第
１表記載の希土類酸化物と、純度99重量％、平均粒径0.
4μｍ、BET比表面積20m2/gのSiCと、純度99重量％、平
均粒径0.4〜３μｍ、BET比表面積0.5〜10m2/gのＷ化合
物または純度99重量％、平均粒径0.5〜４μｍ、BET比表
面積0.3〜10m2/gのMo2Cを第１表記載の割合で調合、粉
砕した。その後、水を蒸発させ粒径150μｍに造粒し、
成形用粉末とした。次に、50×40×6mmの成形体を作製
し、第１表記載の焼成条件で焼成し、本発明の窒化珪素
焼結体No.1〜20を得た。尚、No.7の焼結体に添加したSi
Cはα型、No.11は非晶質のSiCであり、その他はβ型SiC
である。また、同じ原料を用いて、第１表記載の添加物
及びその調合割合で調合し、同じく粉砕、造粒、成形し
第１表記載の焼成条件で焼成し、比較例のNo.21〜32を
得た。降温速度は基本的には1000℃まで100℃/minとし
た。ただしNo.9は降温速度110℃/minとして、窒素中に
て1400℃、６時間熱処理した。
合計が0.1重量％以下、酸素含有量2.2重量％、平均粒径
0.6μｍ、BET比表面積17m2/g,α含有率0.95の窒化珪素
原料粉末と、純度99重量％、平均粒径0.3〜2.0μｍの第
１表記載の希土類酸化物と、純度99重量％、平均粒径0.
4μｍ、BET比表面積20m2/gのSiCと、純度99重量％、平
均粒径0.4〜３μｍ、BET比表面積0.5〜10m2/gのＷ化合
物または純度99重量％、平均粒径0.5〜４μｍ、BET比表
面積0.3〜10m2/gのMo2Cを第１表記載の割合で調合、粉
砕した。その後、水を蒸発させ粒径150μｍに造粒し、
成形用粉末とした。次に、50×40×6mmの成形体を作製
し、第１表記載の焼成条件で焼成し、本発明の窒化珪素
焼結体No.1〜20を得た。尚、No.7の焼結体に添加したSi
Cはα型、No.11は非晶質のSiCであり、その他はβ型SiC
である。また、同じ原料を用いて、第１表記載の添加物
及びその調合割合で調合し、同じく粉砕、造粒、成形し
第１表記載の焼成条件で焼成し、比較例のNo.21〜32を
得た。降温速度は基本的には1000℃まで100℃/minとし
た。ただしNo.9は降温速度110℃/minとして、窒素中に
て1400℃、６時間熱処理した。
これらの焼結体の相対密度、粒界相の結晶相、室温およ
び1400℃における四点曲げ強度を以下のようにして測定
し、その結果を第１表に示した。焼結体の相対密度は先
ず、嵩密度をアルキメデス法により測定し、嵩密度と理
論密度の比から求めた。理論密度は調合粉末組成と調合
物の密度より計算した。調合物の密度はSi3N4:3.2g/c
m3，Y2O3:4.8g/cm3，Yb2O3:9.2g/cm3，Tm2O3:8.8g/c
m3，Lu2O3:9.4g/cm3，Er2O3:8.6g/cm3,SiC:3.2g/cm3,W
C:15.7g/cm3，Mo2C:9.2g/cm3,W:19.2g/cm3,Mo:10.2g/cm
3，WO3:7.2g/cm3，MoO3:4.7g/cm3，WSi2:9.4g/cm3，MoS
i2:6.3g/cm3を用いた。四点曲げ強度は、JIS R−1601
「ファインセラミックスの曲げ強さ試験法」に従って測
定した。粒界結晶相は,CuK α線によるＸ線回折の結果
から求めたものであり、第１表記載のＪはカスピディン
構造の結晶、Ｈはアパタイト構造の結晶、Ｋは珪灰石構
造の結晶、ＬはLn2SiO5（Ln:希土類元素）、ＳはLn2Si2
O7で表される結晶である。
び1400℃における四点曲げ強度を以下のようにして測定
し、その結果を第１表に示した。焼結体の相対密度は先
ず、嵩密度をアルキメデス法により測定し、嵩密度と理
論密度の比から求めた。理論密度は調合粉末組成と調合
物の密度より計算した。調合物の密度はSi3N4:3.2g/c
m3，Y2O3:4.8g/cm3，Yb2O3:9.2g/cm3，Tm2O3:8.8g/c
m3，Lu2O3:9.4g/cm3，Er2O3:8.6g/cm3,SiC:3.2g/cm3,W
C:15.7g/cm3，Mo2C:9.2g/cm3,W:19.2g/cm3,Mo:10.2g/cm
3，WO3:7.2g/cm3，MoO3:4.7g/cm3，WSi2:9.4g/cm3，MoS
i2:6.3g/cm3を用いた。四点曲げ強度は、JIS R−1601
「ファインセラミックスの曲げ強さ試験法」に従って測
定した。粒界結晶相は,CuK α線によるＸ線回折の結果
から求めたものであり、第１表記載のＪはカスピディン
構造の結晶、Ｈはアパタイト構造の結晶、Ｋは珪灰石構
造の結晶、ＬはLn2SiO5（Ln:希土類元素）、ＳはLn2Si2
O7で表される結晶である。
本発明の窒化珪素焼結体No.6のＸ線回折の結果を第１図
に示した。このうちａで示されるのはβ−Si3N4,bはカ
スピディン構造の結晶であるＪ相、ｃはアパタイト構造
の結晶であるＨ相、ｄはWSi2,eはβ−SiCである。尚焼
結体の化学分析の結果は、添加割合から計算されるもの
と一致した。
に示した。このうちａで示されるのはβ−Si3N4,bはカ
スピディン構造の結晶であるＪ相、ｃはアパタイト構造
の結晶であるＨ相、ｄはWSi2,eはβ−SiCである。尚焼
結体の化学分析の結果は、添加割合から計算されるもの
と一致した。
第１表より明らかなように、希土類酸化物＋SiC＋（W,M
o化合物）の焼結体No.1〜20は室温および1400℃での強
度ともに高い。これに対し、SiCのみの添加のNo.21,24
〜26または（W,Mo化合物）のみ添加のNo.22,23,27〜32
は低強度である。
o化合物）の焼結体No.1〜20は室温および1400℃での強
度ともに高い。これに対し、SiCのみの添加のNo.21,24
〜26または（W,Mo化合物）のみ添加のNo.22,23,27〜32
は低強度である。
実施例２ 実施例１と同一原料を用い第２表記載の割合で調合、粉
砕した。その後、水を蒸発させ粒径150μｍに造粒し、
成形用粉末とした。次に、50×40×6mmの成形体を作製
し、第２表記載の焼成条件で焼成し、本発明の窒化珪素
焼結体No.33〜51を得た。尚、No.48〜51はそれぞれ1000
℃×5hrs、1200℃×2hrs、1300℃×1hr、1500℃×1hr酸
化性雰囲気にて熱処理を施した。また、同じ原料を用い
て、第２表記載の添加物及びその調合割合で調合し、同
じく粉砕、造粒、成形し第２表記載の焼成条件で焼成
し、比較例のNo.52〜55を得た。尚、SiCはβ型を使用し
た。1000℃までの降温速度は100℃/minとした。
砕した。その後、水を蒸発させ粒径150μｍに造粒し、
成形用粉末とした。次に、50×40×6mmの成形体を作製
し、第２表記載の焼成条件で焼成し、本発明の窒化珪素
焼結体No.33〜51を得た。尚、No.48〜51はそれぞれ1000
℃×5hrs、1200℃×2hrs、1300℃×1hr、1500℃×1hr酸
化性雰囲気にて熱処理を施した。また、同じ原料を用い
て、第２表記載の添加物及びその調合割合で調合し、同
じく粉砕、造粒、成形し第２表記載の焼成条件で焼成
し、比較例のNo.52〜55を得た。尚、SiCはβ型を使用し
た。1000℃までの降温速度は100℃/minとした。
これらの焼結体の嵩密度、粒界相の結晶相、室温および
1400℃における四点曲げ強度を実施例１と同様の方法で
測定し、その結果を第２表に示した。
1400℃における四点曲げ強度を実施例１と同様の方法で
測定し、その結果を第２表に示した。
第２表からWCあるいはMo2C添加の効果は、それぞれ実施
例No.34と比較例No.52、実施例No.45と比較例No.52との
比較により特に室温強度増大であることがわかる。SiC
添加の効果は、実施例No.34と比較例No.53あるいはNo.5
4との比較より特に1400℃強度増大であることがわか
る。
例No.34と比較例No.52、実施例No.45と比較例No.52との
比較により特に室温強度増大であることがわかる。SiC
添加の効果は、実施例No.34と比較例No.53あるいはNo.5
4との比較より特に1400℃強度増大であることがわか
る。
（発明の効果） 以上の説明から明らかなように、本発明の窒化珪素焼結
体およびその製造法によれば、所定の希土類元素を所定
量含有するSi3N4粉末中に、所定量のSiCとＷ化合物およ
び／またはMo化合物を添加してN2雰囲気中で焼成してい
るため、Si3N4粒子の粒界相を結晶相とすることがで
き、室温から高温まで高強度の窒化珪素焼結体を得るこ
とができる。
体およびその製造法によれば、所定の希土類元素を所定
量含有するSi3N4粉末中に、所定量のSiCとＷ化合物およ
び／またはMo化合物を添加してN2雰囲気中で焼成してい
るため、Si3N4粒子の粒界相を結晶相とすることがで
き、室温から高温まで高強度の窒化珪素焼結体を得るこ
とができる。
第１図は本発明の窒化珪素焼結体No.6のＸ線回折の結果
を示すグラフである。
を示すグラフである。
Claims (2)
- 【請求項１】少なくともＹおよび／またはYbを含む希土
類元素化合物2.7〜10モル％と残部Si3N4からなる調合物
に対し、外配量で0.5〜11wt％のSiCと外配量で0.5〜3wt
％のＷ化合物および／またはMo化合物とを添加してなる
焼結体であって、該焼結体のSi3N4粒子の粒界相が結晶
相よりなることを特徴とする窒化珪素焼結体。 - 【請求項２】少なくともＹおよび／またはYbを含む希土
類元素化合物粉末2.7〜10モル％と残部Si3N4粉末からな
る調合物に対し、外配量で0.5〜11wt％のSiC粉末と外配
量0.5〜3wt％のＷ化合物および／またはMo化合物粉末と
を添加してなる原料を混合し成形して成形体を得た後、
成形体をN2雰囲気下で焼成し、Si3N4粒子の粒界相を結
晶化することを特徴とする窒化珪素焼結体の製造法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/649,770 US5096859A (en) | 1990-02-09 | 1991-01-25 | Silicon nitride sintered body and method of producing the same |
| EP91300884A EP0441571B1 (en) | 1990-02-09 | 1991-02-04 | Silicon nitride sintered body and method of producing the same |
| DE69109509T DE69109509T2 (de) | 1990-02-09 | 1991-02-04 | Sinterkörper aus Siliziumnitrid und Verfahren zu seiner Herstellung. |
| CA002036010A CA2036010C (en) | 1990-02-09 | 1991-02-08 | Silicon nitride sintered body and method of producing the same |
| US07/802,373 US5145620A (en) | 1990-02-09 | 1991-12-04 | Method of producing a silicon nitride sintered body |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-28170 | 1990-02-09 | ||
| JP2817090 | 1990-02-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03290369A JPH03290369A (ja) | 1991-12-20 |
| JPH0733290B2 true JPH0733290B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=12241267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2330599A Expired - Lifetime JPH0733290B2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-11-30 | 窒化珪素焼結体およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0733290B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5945363A (en) * | 1996-08-20 | 1999-08-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Silicon nitride sintered material |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2731333B2 (ja) * | 1993-03-23 | 1998-03-25 | 日本碍子株式会社 | 窒化珪素焼結体、その製造方法、窒化珪素粉末及びその製造方法 |
| DE10007780B4 (de) * | 1999-02-22 | 2009-01-15 | Kyocera Corp. | Gesintertes Produkt auf Basis von Siliciumnitrid und dessen Verwendung |
| JP2001163674A (ja) | 1999-11-15 | 2001-06-19 | Ngk Insulators Ltd | 窒化珪素焼結体およびその製造方法 |
| JP4685257B2 (ja) * | 2001-03-09 | 2011-05-18 | 日本特殊陶業株式会社 | 窒化珪素質焼結体及びその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6046973A (ja) * | 1983-08-25 | 1985-03-14 | 大森 守 | 炭化珪素一窒化珪素焼結複合材料とその製造方法 |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP2330599A patent/JPH0733290B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5945363A (en) * | 1996-08-20 | 1999-08-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Silicon nitride sintered material |
| US6099794A (en) * | 1996-08-20 | 2000-08-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Process for production of silicon nitride material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03290369A (ja) | 1991-12-20 |
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